JP2008501227A - 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体 - Google Patents
光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008501227A JP2008501227A JP2007513672A JP2007513672A JP2008501227A JP 2008501227 A JP2008501227 A JP 2008501227A JP 2007513672 A JP2007513672 A JP 2007513672A JP 2007513672 A JP2007513672 A JP 2007513672A JP 2008501227 A JP2008501227 A JP 2008501227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- partial surface
- semiconductor component
- semiconductor
- partial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 claims description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006334 epoxy coating Polymers 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
少なくとも１つの放射線（１１）を送出する半導体チップ（１）を備えた光電子半導体構成素子であって、前記半導体チップがケーシング基体（３）の切欠き（２）に配置されており、該切欠き（２）が、側方を半導体チップ（１）を取り囲む壁（３１）によって制限されており且つ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）によって満たされており、該被覆コンパウンドが、半導体チップ（１）を被覆しており且つ該半導体チップ（１）から送出される電磁放射線を良好に透過させる。切欠き（２）を制限する壁（３１）の内面（３２）が、半導体構成素子の正面側を上から見て半導体チップ（１）を完全に環状に取り囲む内面（３２）の部分面（３３）が形成されているように形成されており、該部分面が、放射線を送出する半導体チップ（１）から見て陰になっており且つ半導体チップ（１）を完全に取り囲みつつ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）によって被覆されている。更に、このような半導体構成素子のためのケーシング基体が記載されている。
Description
本発明は、請求項１の上位概念に記載の形式の光電子半導体構成素子、特に電磁放射線を送出する半導体構成素子及び請求項１９の上位概念に記載の形式のケーシング基体に関する。
本発明は、半導体チップがケーシング基体の切欠きに配置され且つそこに固定された、特にリードフレームをベースとした特に表面実装可能な光電子構成素子に関する。ケーシング基体は、有利には半導体チップを切欠きに組み付ける前に予め製作されている。
このような半導体構成素子は、例えばＳｉｅｍｅｎｓ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ２９ （１９９１） 第４巻、第１４７〜１４９頁から公知である。従来、被覆コンポーネントとしては例えばエポキシ樹脂ベースの封止材料が使用される。しかし、このような封止材料は、しばしば紫外線に対する抵抗力を有していない。前記封止材料は紫外線の影響下で比較的早く黄変し、その結果、構成素子からの発光効率を低下させる。
発光型の光電子半導体構成素子のＵＶ耐久性を改善するためには、シリコーン樹脂ベースの被覆コンパウンド又はシリコーン樹脂製の被覆コンパウンドが提案されている。このような被覆コンパウンドは短波放射線の影響下で黄変しないか、又は十分遅く黄変する。
但し、このような被覆コンパウンドは、複数用途に関して特にＵＶ露光時に、ケーシング基体用に従来使用された材料（例えばポリフタルアミドベースの熱可塑性材料）と、例えばエポキシ樹脂のように十分に劣化安定的には結合しないという困難を伴う。従って、前記のような被覆コンパウンドを、例えば前掲のＳｉｅｍｅｎｓ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ２９ （１９９１） 第４巻、第１４７〜１４９頁に記載された従来のケーシング構成タイプにおいて使用する場合は、ケーシング基体と被覆コンパウンドとの間に離層が発生し、この離層が切欠きの上縁部から始まって切欠き内部に伝播するという危険が高まる。更に、最悪の場合はケーシング基体からチップ被覆が完全に剥離する恐れがある。
本発明の課題は、冒頭で述べた形式の半導体構成素子若しくはケーシング基体、特に冒頭で述べた形式の表面実装可能な半導体構成素子若しくは表面実装可能なケーシング基体を改良して、被覆コンパウンドとケーシング基体との間の離層、特に完全な離層が減少されているようにすることである。特に、著しく小型化された光電子ケーシングタイプ、特に著しく小型化された発光ダイオードタイプ及びフォトダイオードタイプに適したケーシング基体を提供しようとするものである。
この課題は、請求項１の特徴部に記載の構成を有する半導体構成素子若しくは請求項１９の特徴部に記載の構成を有するケーシング基体によって解決される。
前記半導体構成素子若しくはケーシング基体の有利な改良は、請求項２〜１８及び請求項２０〜３０に記載されている。
本発明において、半導体構成素子若しくはケーシング基体の正面側とは常に、半導体構成素子を上から見て、この半導体構成素子の放射方向から見える外側の表面であると解される。従って、当該の正面側から切欠きがケーシング基体に侵入しており且つ当該の正面側を介して、半導体チップから発生した電磁放射線が放射される。
本発明による半導体構成素子では、切欠きを画成する壁が、半導体構成素子の正面側を上から見てｉ）半導体チップを取り囲んで配置された複数の陰になる部分面が形成されているか、又はｉｉ）半導体チップを少なくとも部分的に、有利には完全に取り囲む少なくとも１つの陰になる部分面が形成されているように構成されている。
本発明において「陰になる」とは、特に当該の１つ又は複数の部分面が、主として放射線を送出する半導体チップの発光領域のあらゆるポイントから見て陰になっており且つ少なくとも部分的に被覆コンパウンドによって被覆されており、当該の部分面から被覆コンパウンドが半導体チップに向かって延在しており且つこの半導体チップを被覆しているということを意味している。
本発明の特に有利な半導体構成素子若しくは特に有利なケーシング基体では、切欠きを画成する壁が、半導体構成素子の正面側を上から見て、半導体チップを完全に環状に取り囲む、陰になる部分面が形成されており、この部分面が特に、主として放射線を送出する半導体チップの発光領域のあらゆるポイントから見て陰になっており且つ半導体チップの全周を巡って少なくとも部分的に被覆コンパウンドによって被覆されており、前記部分面から被覆コンパウンドが半導体チップに向かって延在しており且つこの半導体チップを被覆するように構成されている。
陰になる部分面は、特に有利には構成素子の正面側から半導体チップに向かって一貫して漏斗状に延びており、しかも、当該の部分面は切欠きを半導体チップに向かって先細にしている。
陰になる部分面は、特に有利には壁の上縁部に配置されており、これにより、空気／被覆コンパウンド／ケーシング基体の３相境界線が陰になる部分面上に完全に延在しており延いては半導体チップに起因する、当該箇所では望ましくない放射線によっては負荷されないか、又は（例えば被覆部の正面側における反射に基づき）十分に減少された程度でしか負荷されない。
有利には、少なくとも１つの陰になる部分面がケーシング基体の正面側に向かって切欠きの縁部に、特に壁の正面側の端面に形成されているか、又は壁の正面側の端面自体を成している。このことは、（反射する）切欠きをＵＶ問題及びエポキシ被覆無しで従来の構成素子と比較して縮小する必要無しに、有利には陰になる部分面延いては構成素子全体を、特にスペースを節約して実現することを可能にする。
少なくとも１つの陰になる部分面は、有利には技術的に特に簡単に、壁の正面側の縁部に設けられた、切欠きに向かって傾斜した少なくとも１つの面取り部によって、場合によってはスペース上の理由から有利には唯一の面取り部によって形成されていてよい。即ちこの場合、切欠きの正面側の縁部は半導体チップに向かって漏斗状に形成されている。別の有利な構成では、壁の端面が少なくとも部分的にその全幅にわたって漏斗状に形成されており延いては少なくとも部分的に切欠きの構成部材として見なされる。
本発明に基づくケーシング基体の構成によって可能であるような、一貫して漏斗状に形成された陰になる部分面は、被覆コンパウンドが良好に充填可能であり且つリフレクタとして働く切欠きの領域が、本発明による切欠きのジオメトリに基づき従来の同一タイプの構成素子に比べて縮小されていないという特別な利点をもたらす。
更に別の有利な構成では、陰になる部分面が、少なくとも１つの、場合によってはスペースの理由から有利には唯一の、壁の正面側の縁部に設けられた横断面凹面の傾斜面によって形成されている。この構成によって、ケーシング基体が比較的大きな切欠きを備えており且つ放射線が壁になだらかに当たる場合でも、陰になる部分面が得られる。
本発明によるケーシング基体は、特に有利には例えば国際公開第０１／３９２８２Ａ２号パンフレットに記載されており、従ってここでは詳しく説明しない例えば青色光又は紫外線を放射する、窒化物化合物半導体材料ベースの発光ダイオードチップ等の、少なくとも部分的に紫外線を放射する半導体チップが設けられた半導体構成素子に使用される。
前記「窒化物化合物半導体材料ベースの」は、本発明に関連して、放射線を発生するエピタキシャル層又はこのエピタキシャル層の少なくとも一部が窒化物ＩＩＩ／Ｖ化合物半導体材料、有利にはＡｌｎＧａｍＩｎｌ-ｎ-ｍＮを有しており、この場合、0 ≦ n ≦l, 0 ≦ m ≦ l 及びn+m ≦ lであるということを意味している。この場合、当該材料は必ずしも前記公式に基づいて数学的に厳密な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、ＡｌｎＧａｍＩｎｌ-ｎ-ｍＮ材料の物理的な特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な成分を有していてよい。但しわかりやすくするため、部分的に微量の他の材料によって置き換えられている可能性があるにしろ、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ）の主要な構成要素だけが含まれている。
被覆コンパウンドは有利にはシリコーン材料をベースにしており、特にシリコーン樹脂である。被覆コンパウンドのゲル状の稠度は、離層の危険の減少を更に促進することが可能である。
離層の危険の更なる減少に関しては係止部材が有利であってよく、これらの係止部材は有利には内面の陰になる部分面に形成されており且つこの陰になる部分面又は切欠きのその他の内面から出発して被覆コンパウンドに突入している。当該係止部材は、有利には陰になる部分面に沿って均等に配分されている、つまり、互いにほぼ同一間隔で配置されている。
係止部材としては、陰になる部分面から突出する係止ノーズ、係止突起又は係止リブが適している。係止部材は、特に有利には被覆コンパウンドにより完全に被覆されている。このためには、切欠き内の被覆コンパウンドの充填レベルが特に高く、これにより、被覆コンパウンドは係止部材を完全に被覆している。このこともやはり離層に抗して作用し且つ従来のピック＆プレース装置（Ｐｉｃｋ ａｎｄ Ｐｌａｃｅ Ｖｏｒｒｉｃｈｔｕｎｇｅｎ）による構成素子の後加工をも簡単にする。
前記のような係止部材は、有利には更に、シリコーン樹脂等の液状で切欠きに充填される被覆材料が、この被覆材料の毛管作用により生ぜしめられる力に基づいて係止部材に沿って引き上げられ、これにより、陰になる部分面及び切欠きの上縁部の濡れが促進されるということに寄与することができる。
従って、上で述べた課題は特に、半導体チップから少なくとも１つの主要部分へ送出された放射線から陰になっている、ケーシング基体の切欠きの上縁部に設けられた少なくとも１つの陰になる部分面における被覆コンパウンドが、結果的にチップの放射線に対して概ね陰になったシールストリップを形成している半導体構成素子により解決される。特に有利には、半導体チップを環状に完全に取り囲む陰になる部分面における被覆コンパウンドが、１つの連続した陰になるシールリングを形成する。
有利には、切欠きの残りの部分が半導体チップから送出される放射線のためのリフレクタとして形成されている。
特に有利な構成では、プラスチック成形材料から成るケーシング基体が、特に射出成形法及び／又はプレス成形法によって金属のリードフレームと一体に成形されている。
被覆コンパウンドには、半導体チップから放射された放射線の一部を吸収し且つこの吸収された放射線と比較して異なる波長を有する放射線を放射する発光体材料が添加されていてよい。同様に、半導体チップには発光体材料を含有するジャケット層が設けられていてよい。これにより、混合色光又は適合された色の光を送出する発光ダイオード構成素子を簡単に製作することができる。適当な発光体材料は、例えば国際公開第９７／５０１３２号パンフレット及び国際公開第９８／１２７５７Ａ１号パンフレットに記載されており、この点においてその開示内容が考慮される。
有利には、切欠きの上縁部若しくは陰になる部分面の最外縁は概ね滑らかである。つまり溝、凹所、気孔等は無い。このことは、有利には切欠き充填時の被覆コンパウンドの溢流の危険を低下させる。係止部材は、滑らかな縁部を保証するために、有利には場合によっては切欠きの外縁部までは到達しない。
本発明による構成素子に関して上で説明したことは、本発明によるケーシング基体にも同様に当てはまる。
本発明による構成素子ケーシング（ケーシング基体＋被覆コンパウンド）は、半導体チップが特に少なくとも部分的に紫外線を放射する発光構成素子において有利に使用され得るのみならず、フォトダイオード構成素子及びフォトトランジスタ構成素子等の放射線検出構成素子においても有利に（例えば高められた耐熱性）使用され得る。
本発明により形成された構成素子ケーシング（ケーシング基体＋被覆コンパウンド）は、比較的極小の寸法を有する構成タイプを実現することを可能にする。なぜならば、切欠きがケーシング基体の正面側の端部に初めて、即ち当該切欠きの内壁からケーシング基体の外側の正面側へ移行してすぐに、陰になる部分面を有しているからである。
別の特別な利点は、ケーシング基体／被覆コンパウンド／空気（又は別の包囲雰囲気）の「３相」境界線が、半導体チップの放射線に全く晒されていないか、又は著しく減少された放射線にしか晒されていないという点にある。
以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。図面において各実施例の同一の構成部材又は同一作用を有する構成部材には、それぞれ同一の名称及び符号を付した。各図面は、原則として本発明による実際の装置の縮尺で表したものではない。むしろ、各実施例の個々の構成部材は、図面においてより良く理解するために誇大表示されているか、又は実際に則さない大きさの比率で表示されていてよい。
概略的に図示した構成素子若しくはケーシング基体は、それぞれ表面実装可能な「サイドルッカー型」発光ダイオード構成素子、若しくは例えば意図的に又は意図せずに付加的に紫外線を放射する、InGaNベースの可視青色光を放射する発光ダイオードチップ等の、場合によってはとりわけ紫外線を放射する発光ダイオードチップ１を備えた発光ダイオード構成素子のための表面実装可能なケーシング基体３である。前記のような発光ダイオードチップは、例えば国際公開第０１／３９２８２A2号パンフレットに記載されているので、ここでは詳しく説明しない。
これに関連して説明する構成素子ケーシング及びケーシング基体は、原則として別の形式の発光ダイオードチップにおける使用にも適しており、特に高温で使用するために規定された赤外線放射構成素子にも適している。
発光ダイオードチップ１は、ケーシング基体３のチップ領域(図１〜４において一点鎖線で丸く取り囲んだ領域２１）内で、金属のリードフレーム６の電気的なチップ接続部に組み付けられており且つボンディングワイヤ５を介して、リードフレーム６の前記チップ接続部６２から電気的に分離された電気的なワイヤ接続部６１のワイヤ接続領域に接続されている。
別の形式で接触接続する発光ダイオードチップ、例えば陽極コンタクト及び陰極コンタクトがチップの片面に配置されており且つリードフレームに面した、フリップチップ式で組み付けられた発光ダイオードチップ等も、本発明においてやはり使用可能である。この場合は実装技術が適合されるに過ぎない。
リードフレーム６には、例えば熱可塑性プラスチック(例えば酸化チタン又は酸化ケイ素及び／又はグラスファイバの充填されたポリフタルアミドベースの成形材料）から射出成形された、切欠き２を備えたケーシング基体３が位置している。切欠き２には発光ダイオードチップ１が位置しており、この発光ダイオードチップ１は、例えば導電性接着剤によってチップ接続部６２に導電的に固定されている。
切欠き２は、側方を半導体チップ１を取り囲む壁３１によって制限されており且つシリコーン樹脂ベースの被覆コンパウンド４を少なくとも部分的に充填されている。この被覆コンパウンド４は、半導体チップ１を被覆し且つこの半導体チップ１から送出される電磁放射線を良好に透過させる。
被覆コンパウンド４は、例えば放射線透過性の、例えば透明なゲル状のシリコーンベースの封止材料を含んでおり、この封止材料には発光体粉末７、例えばＹＡＧ：Ｃｅ，ＴｂＡＧ：Ｃｅ又はＴｂＹＡＧ：Ｃｅベースの発光体粉末が添加されている。このような発光体は、例えば国際公開第９８／１２７５７号パンフレット及び国際公開第０１／０８４５２号パンフレットから公知であり、従って、この点においてはこれらのパンフレットの開示内容が考慮される。
専ら発光ダイオードチップ１の原放射線を送出すべき構成素子においては、被覆コンパウンド４はシリコーンベースの透明なゲル状の封止材料であってよい。択一的に、この封止材料には拡散粒子を付与することができ、この拡散粒子により当該封止材料が濁っていてよい。
切欠き２を画成する内面３２は、壁３１の正面側の端部に、当該切欠き２の内側に向かって下方に、つまり半導体チップ１に向かって傾斜し且つ当該切欠きを完全に包囲する面取り部３３１を有している。この面取り部３３１は、半導体構成素子の正面側を上から見て半導体チップ１を完全に環状に取り囲む、陰になる部分面３３を形成しており、この部分面３３は、半導体チップ１の正面側のあらゆるポイントから見て完全に陰になっており且つ半導体チップ１を完全に取り囲んで少なくとも部分的に被覆コンパウンド４により被覆されている。切欠きの正面側の縁部は漏斗状に形成されている。陰になる部分面は、同時に壁３１の正面側の端面である。
図２及び図４に示した第２実施例は、先に説明した第１実施例と、特に内面３２の環状の陰になる部分面３３が、壁３１の正面側の端面の横断面凹面の傾斜面３３２によって形成されていることにより相違している。
図３及び図６に示した第３実施例は、先に説明した第１実施例と、特に環状の陰になる部分面３３に、この場合は係止突起の形の複数の係止部材２４が、切欠き２を巡って均等に配分されて形成されていることにより相違している。前記係止突起は、陰になる部分面３３から出発して被覆コンパウンド４に突入しているが、この被覆コンパウンドを貫通してはいない。つまり、当該係止突起は被覆コンパウンド４によって完全に被覆されている。半導体チップ１から見て、係止部材２４の背後の陰になる部分面３３は一貫して環状である。
全ての実施例に関して、ケーシング基体３は係止部材２４と一緒に有利には一体に形成されており且つ有利には唯一の射出成形過程又はトランスファ成形過程で製作されている。
各実施例に対応するケーシング基体及び被覆コンパウンドは、フォトダイオードチップ等の受光型の半導体チップにも使用可能である。この場合は発光ダイオードチップ１をフォトダイオードチップに代えられる。同様に、本発明による構成タイプはレーザダイオード構成素子、センサ構成素子における使用及び高温使用に適している。
なお、実施例を参照した本発明のこれまでの説明は、本発明をこの説明に限定することを意味するものではないのは自明である。むしろ、例えば半導体チップを収容するための切欠きと、この切欠きの正面側の縁部を取り囲む、半導体チップの放射線から陰になる面取り部等を有するあらゆる構成素子及びケーシング基体は、本発明の技術理論を利用する。
Claims (30)
- 放射線（１１）を送出する少なくとも１つの半導体チップ（１）を備えた光電子半導体構成素子であって、前記半導体チップがケーシング基体（３）の切欠き（２）に配置されており、該切欠き（２）が、側方を半導体チップ（１）を取り囲む壁（３１）の内面（３２）によって制限されており且つ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）で満たされており、該被覆コンパウンドが、半導体チップ（１）を被覆しており且つ半導体チップ（１）から送出された電磁放射線を良好に透過させる形式のものにおいて、
前記壁（３１）の内面（３２）が、半導体構成素子の正面側を上から見て少なくとも１つの部分面（３３）を有しているように形成されており、該部分面が、放射線を送出する半導体チップ（１）から見て陰になっており且つ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）により被覆されており、該被覆コンパウンド（４）が、前記部分面から半導体チップ（１）に向かって延在しており且つ該半導体チップを被覆していることを特徴とする、光電子半導体構成素子。 - 壁（３１）の内面（３２）が、半導体構成素子の正面側を上から見て半導体チップを取り囲んで配置された複数の部分面（３３）を有しているように形成されており、これらの部分面が、放射線を送出する半導体チップ（１）から見て陰になっており且つ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）によって被覆されており、該被覆コンパウンド（４）が、前記部分面から半導体チップ（１）に向かって延在しており且つこの半導体チップを被覆している、請求項１記載の半導体構成素子。
- 壁（３１）の内面（３２）が、半導体構成素子の正面側を上から見て半導体チップ（１）を完全に環状に取り囲む部分面（３３）を有しているように形成されており、該部分面が、放射線を送出する半導体チップ（１）から見て陰になっており且つ半導体チップ（１）を完全に取り囲みつつ少なくとも部分的に被覆コンパウンド（４）によって被覆されている、請求項１記載の半導体構成素子。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）の縁部が、ケーシング基体（３）の正面側に向かって形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）がケーシング基体（３）の正面側である、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）が、壁（３１）の正面側の縁部に設けられた少なくとも１つの面取り部（３３１）によって形成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）が、壁（３１）の正面側の縁部に設けられた少なくとも１つの横断面凹面の傾斜面（３３２）によって形成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 半導体チップ（１）が、少なくとも部分的に紫外線を放射するのに適した材料を有している、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 被覆コンパウンド（４）がシリコーンベースの材料、特にシリコーン樹脂を有している、請求項１から８までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 被覆コンパウンド（４）がゲル状の稠度を有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）に、被覆コンパウンド（４）に突入する少なくとも１つの係止部材（２４）が形成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）において配分された、特に切欠き（２）を巡って均等に配分された複数の係止部材（２４）が配置されており、これらの係止部材が前記部分面（３３）から出発して被覆コンパウンド（４）に突入している、請求項９記載の半導体構成素子。
- 係止部材が、内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）から突出した係止ノーズ、係止突起又は係止リブとして形成されており、被覆コンパウンド（４）が前記係止部材を被覆している、請求項９又は１０記載の半導体構成素子。
- 被覆コンパウンド（４）が、内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）において切欠き（２）を巡る連続したシールリングを形成している、請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 切欠き（２）が、半導体チップから送出される放射線のためのリフレクタとして形成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- ケーシング基体（３）が、プラスチック成形材料から特に射出成形又はプレス成形によって金属のリードフレーム（６）と一体に予め製作されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 被覆コンパウンド（４）が、半導体チップにより放射された放射線を吸収し且つこの吸収された放射線と比較して異なる波長を有する放射線を放射するのに適した少なくとも１つの発光体材料を有している、請求項１から１６までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 半導体チップが、該半導体チップにより放射された放射線を吸収し且つこの吸収された放射線と比較して異なる波長を有する放射線を放射するのに適した少なくとも１つの発光体材料を有している、請求項１から１７までのいずれか１項記載の半導体構成素子。
- 少なくとも１つの半導体チップ（１）、特に放射線（１１）を送出する少なくとも１つの半導体チップ（１）を備えた、放射線を送出する半導体構成素子のためのケーシング基体であって、該ケーシング基体が半導体チップ（１）を収容するための切欠き（２）を有しており、該切欠き内にチップ領域（２１）が位置しており、該チップ領域（２１）を取り囲む壁（３１）の内面（３２）によって前記切欠きの側方が制限されている形式のものにおいて、
壁（３１）の内面（３２）が、ケーシング基体の正面側を上から見て少なくとも１つの部分面（３３）を有しているように形成されており、該部分面が、チップ領域（２１）から見て陰になっており、更に当該部分面を、半導体チップ（１）を少なくとも部分的に被覆するために設けられた被覆コンパウンドで、該被覆コンパウンドが部分面（３３）から出発して半導体チップ（１）に向かって延在し且つ該半導体チップを被覆するように満たすことができることを特徴とする、半導体構成素子のためのケーシング基体。 - 壁（３１）の内面（３２）が、ケーシング基体の正面側を上から見てチップ領域（２１）を巡って配置された複数の部分面（３３）を有しているように形成されており、これらの部分面が、チップ領域（２１）から見て陰になっており、更に当該部分面を、半導体チップ（１）を少なくとも部分的に被覆するために設けられた被覆コンパウンドで、該被覆コンパウンドが部分面（３３）から出発して半導体チップ（１）に向かって延在し且つ該半導体チップを被覆するように満たすことができる、請求項１９記載のケーシング基体。
- 壁（３１）の内面（３２）が、ケーシング基体の正面側を上から見てチップ領域（２１）を完全に環状に取り囲む部分面（３３）を有しているように形成されており、該部分面が、チップ領域（２１）から見て陰になっており、更に当該部分面を、半導体チップ（１）を少なくとも部分的に被覆するために設けられた被覆コンパウンドで、該被覆コンパウンドが部分面（３３）から出発して半導体チップ（１）に向かって延在し且つ該半導体チップを被覆するように満たすことができる、請求項１９記載のケーシング基体。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）の縁部が、ケーシング基体（３）の正面側に向かって形成されている、請求項１９から２１までのいずれか１項記載のケーシング基体。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）がケーシング基体（３）の正面側である、請求項１９から２１までのいずれか１項記載のケーシング基体。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）が、壁（３１）の正面側の端部に設けられた少なくとも１つの面取り部（３３１）によって形成されている、請求項１９から２３までのいずれか１項記載のケーシング基体。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）が、壁（３１）の正面側の端部に設けられた少なくとも１つの横断面凹面の傾斜面（３３２）によって形成されている、請求項１９から２３までのいずれか１項記載のケーシング基体。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）に、被覆コンパウンド（４）のための少なくとも１つの係止部材（２４）が形成されている、請求項１９から２５までのいずれか１項記載のケーシング基体。
- 内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）において配分された、特に切欠き（２）を巡って均等に配分された複数の係止部材（２４）が被覆コンパウンド（４）のために配置されている、請求項２６記載のケーシング基体。
- 被覆コンパウンド（４）が、内面（３２）の少なくとも１つの部分面（３３）において、内側から見て係止部材（２４）の外側に、切欠き（２）を巡る連続したシールリングを形成することができるように切欠き（２）が形成されている、請求項２７記載のケーシング基体。
- 切欠き（２）がリフレクタとして形成されている、請求項１９から２８までのいずれか１項記載のケーシング基体。
- ケーシング基体（３）が、射出成形又はプレス成形によって金属のリードフレーム（６）に予め製作されている、請求項１９から２９までのいずれか１項記載のケーシング基体。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004026858 | 2004-05-31 | ||
| DE102004026858.4 | 2004-05-31 | ||
| DE102004040468.2 | 2004-08-20 | ||
| DE102004040468.2A DE102004040468B4 (de) | 2004-05-31 | 2004-08-20 | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement |
| PCT/DE2005/000877 WO2005117071A2 (de) | 2004-05-31 | 2005-05-12 | Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008501227A true JP2008501227A (ja) | 2008-01-17 |
| JP5366399B2 JP5366399B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=35433295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007513672A Active JP5366399B2 (ja) | 2004-05-31 | 2005-05-12 | 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8975646B2 (ja) |
| EP (1) | EP1751806B1 (ja) |
| JP (1) | JP5366399B2 (ja) |
| WO (1) | WO2005117071A2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014165468A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2017501564A (ja) * | 2013-11-08 | 2017-01-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1914809A1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-04-23 | Tridonic Optoelectronics GmbH | Cover for optoelectronic components |
| KR100831078B1 (ko) * | 2006-10-25 | 2008-05-20 | 주식회사 서호 | Ｌｅｄ 리드 프레임 및 그 제조 방법 |
| US8217482B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-07-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with reduced crosstalk |
| US8420999B2 (en) * | 2009-05-08 | 2013-04-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Metal shield and housing for optical proximity sensor with increased resistance to mechanical deformation |
| US8957380B2 (en) * | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
| US8779361B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-07-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components |
| US9525093B2 (en) | 2009-06-30 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
| US8350216B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-01-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Miniaturized optical proximity sensor |
| US8716665B2 (en) * | 2009-09-10 | 2014-05-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate |
| US8143608B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-03-27 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-package (POP) optical proximity sensor |
| US9733357B2 (en) * | 2009-11-23 | 2017-08-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation |
| KR101859149B1 (ko) | 2011-04-14 | 2018-05-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR101103674B1 (ko) | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP2012079723A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| US8841597B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-09-23 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Housing for optical proximity sensor |
| JP5527286B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2014-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| WO2013075309A1 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Water resistant led devices and led display including the same |
| DE102017109079B4 (de) | 2017-04-27 | 2024-02-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Bauteil mit solch einem Bauelement |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832120A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Rohm Co Ltd | 面発光表示器 |
| JPH10215001A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JPH10240165A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード表示装置 |
| JP2000150968A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Agilent Technol Inc | 動作安定性が保証される発光ダイオ―ド装置 |
| JP2000353827A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| US20030020077A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-01-30 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device |
| JP2003110149A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ユニット及び当該発光ユニットを用いた照明装置 |
| JP2003110153A (ja) * | 2001-06-11 | 2003-04-11 | Lumileds Lighting Us Llc | 蛍光体変換発光素子 |
| US20030080341A1 (en) * | 2001-01-24 | 2003-05-01 | Kensho Sakano | Light emitting diode, optical semiconductor element and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor |
| JP2004111906A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-04-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電素子部品 |
| US20040079957A1 (en) * | 2002-09-04 | 2004-04-29 | Andrews Peter Scott | Power surface mount light emitting die package |
| US20040089957A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-13 | Yoshinori Shizuno | Semiconductor device with improved design freedom of external terminal |
| JP2004140220A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Nippon Pelnox Corp | 光電変換装置 |
| JP2006516816A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-06 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う半導体コンポーネント及びそのようなコンポーネントのためのハウジング基体 |
Family Cites Families (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785273A (en) | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Toshiba Corp | Photo-semiconductor device |
| JPS58500921A (ja) | 1981-06-12 | 1983-06-02 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | セルフアライン・レンズを備えたリ−ド |
| DE3128187A1 (de) | 1981-07-16 | 1983-02-03 | Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg | Opto-elektronisches bauelement |
| US4538168A (en) * | 1981-09-30 | 1985-08-27 | Unitrode Corporation | High power semiconductor package |
| JPS6020587A (ja) | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 光結合器の製造方法 |
| FR2593930B1 (fr) | 1986-01-24 | 1989-11-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif opto-electronique pour montage en surface |
| DE3719338A1 (de) * | 1987-06-10 | 1988-12-29 | Yue Wen Cheng | Leuchtdioden-anzeigevorrichtung |
| GB2206444A (en) | 1987-06-10 | 1989-01-05 | Yue Wen Cheng | Light emitting diode |
| JPH0210606A (ja) | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Tdk Corp | 導電性ペーストおよびそれを用いた厚膜部品 |
| US5043716A (en) | 1988-07-14 | 1991-08-27 | Adaptive Micro Systems, Inc. | Electronic display with lens matrix |
| EP0374121A3 (de) | 1988-12-16 | 1991-01-16 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
| DE58909875D1 (de) | 1989-05-31 | 2000-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements |
| US5173766A (en) * | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
| US5331512A (en) | 1992-04-16 | 1994-07-19 | Orton Kevin R | Surface-mount LED |
| EP0668615A1 (de) * | 1994-02-18 | 1995-08-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Kunststoff-SMD-Gehäuse für einen Halbleiterchip |
| US5545359A (en) | 1994-08-11 | 1996-08-13 | Motorola | Method of making a plastic molded optoelectronic interface |
| US5686172A (en) | 1994-11-30 | 1997-11-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof |
| US5614131A (en) | 1995-05-01 | 1997-03-25 | Motorola, Inc. | Method of making an optoelectronic device |
| KR100214463B1 (ko) | 1995-12-06 | 1999-08-02 | 구본준 | 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법 |
| US5553028A (en) | 1995-06-23 | 1996-09-03 | Micron Technology, Inc. | Single P-sense AMP circuit using depletion isolation devices |
| JPH0927643A (ja) | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 受光／発光素子 |
| JPH0983018A (ja) | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
| DE19535777A1 (de) | 1995-09-26 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| DE19536454B4 (de) | 1995-09-29 | 2006-03-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
| DE19549818B4 (de) * | 1995-09-29 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
| CN1534803B (zh) | 1996-06-26 | 2010-05-26 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 具有发光变换元件的发光半导体器件 |
| DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| JPH10160961A (ja) | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光学素子 |
| JPH10190066A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置 |
| US6274890B1 (en) | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP3492178B2 (ja) | 1997-01-15 | 2004-02-03 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US6103398A (en) | 1997-05-22 | 2000-08-15 | Motorola, Inc. | Optoelectronic device having an overfill material and method of assembly |
| JP3228321B2 (ja) | 1997-08-29 | 2001-11-12 | 日亜化学工業株式会社 | チップタイプｌｅｄ |
| JPH11163419A (ja) | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
| DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
| DE19829197C2 (de) | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
| US6335548B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
| US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
| TW512543B (en) | 1999-06-28 | 2002-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6455398B1 (en) | 1999-07-16 | 2002-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Silicon on III-V semiconductor bonding for monolithic optoelectronic integration |
| US6639354B1 (en) * | 1999-07-23 | 2003-10-28 | Sony Corporation | Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same |
| EP1116418B2 (de) | 1999-07-23 | 2011-07-06 | OSRAM Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle |
| DE19947044B9 (de) | 1999-09-30 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben |
| DE10020465A1 (de) | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| JP4645867B2 (ja) | 2000-08-02 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | ディジタル信号処理方法、学習方法及びそれらの装置並びにプログラム格納媒体 |
| CN1129968C (zh) | 2000-11-23 | 2003-12-03 | 诠兴开发科技股份有限公司 | 发光二极管的封装方法 |
| JP4101468B2 (ja) | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2002373277A (ja) | 2001-04-13 | 2002-12-26 | Seiko Epson Corp | 物品選択注文サイト用装置および物品選択方法 |
| DE10122002A1 (de) | 2001-05-07 | 2002-11-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement |
| JP4045781B2 (ja) | 2001-08-28 | 2008-02-13 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
| JP4211359B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7226374B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-06-05 | Warrior Lacrosse, Inc. | Lacrosse head and method of forming same |
| JP3707688B2 (ja) | 2002-05-31 | 2005-10-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2004003886A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Works Ltd | センサパッケージ |
| KR100567559B1 (ko) | 2002-07-25 | 2006-04-05 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 광전소자부품 |
-
2005
- 2005-05-12 EP EP05748711.8A patent/EP1751806B1/de active Active
- 2005-05-12 US US11/597,971 patent/US8975646B2/en active Active
- 2005-05-12 WO PCT/DE2005/000877 patent/WO2005117071A2/de active Application Filing
- 2005-05-12 JP JP2007513672A patent/JP5366399B2/ja active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832120A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Rohm Co Ltd | 面発光表示器 |
| JPH10215001A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JPH10240165A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード表示装置 |
| JP2000150968A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Agilent Technol Inc | 動作安定性が保証される発光ダイオ―ド装置 |
| JP2000353827A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| US20030080341A1 (en) * | 2001-01-24 | 2003-05-01 | Kensho Sakano | Light emitting diode, optical semiconductor element and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor |
| JP2003110153A (ja) * | 2001-06-11 | 2003-04-11 | Lumileds Lighting Us Llc | 蛍光体変換発光素子 |
| US20030020077A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-01-30 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device |
| JP2003110149A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ユニット及び当該発光ユニットを用いた照明装置 |
| JP2004111906A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-04-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電素子部品 |
| US20040079957A1 (en) * | 2002-09-04 | 2004-04-29 | Andrews Peter Scott | Power surface mount light emitting die package |
| JP2004140220A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Nippon Pelnox Corp | 光電変換装置 |
| US20040089957A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-13 | Yoshinori Shizuno | Semiconductor device with improved design freedom of external terminal |
| JP2006516816A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-06 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う半導体コンポーネント及びそのようなコンポーネントのためのハウジング基体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014165468A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2017501564A (ja) * | 2013-11-08 | 2017-01-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品 |
| US9793442B2 (en) | 2013-11-08 | 2017-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080012033A1 (en) | 2008-01-17 |
| EP1751806A2 (de) | 2007-02-14 |
| JP5366399B2 (ja) | 2013-12-11 |
| WO2005117071A2 (de) | 2005-12-08 |
| EP1751806B1 (de) | 2019-09-11 |
| WO2005117071A3 (de) | 2006-08-03 |
| US8975646B2 (en) | 2015-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5366399B2 (ja) | 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体 | |
| TWI237546B (en) | Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component | |
| US6900511B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing it | |
| US7800121B2 (en) | Light emitting diode component | |
| US8304799B2 (en) | Optoelectronic component and package for an optoelectronic component | |
| KR100927077B1 (ko) | 광 반도체 장치 및 광 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR101772722B1 (ko) | 광전자 소자 | |
| KR101673457B1 (ko) | 광전자 반도체 소자 | |
| US8581288B2 (en) | Light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode | |
| KR20130066635A (ko) | 광전자 소자 그리고 광전자 소자 및 복합 구조물을 제조하기 위한 방법 | |
| JP2008108835A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP2012533182A5 (ja) | ||
| KR20090044306A (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
| CN107565009A (zh) | Led模块 | |
| US8461609B2 (en) | Light emitting device package | |
| US10879424B2 (en) | Radiation-emitting semiconductor chip, optoelectronic component comprising a radiation-emitting semiconductor chip, and method of coating a radiation-emitting semiconductor chip | |
| JP2022056834A (ja) | 発光装置 | |
| CN100452457C (zh) | 光电子半导体部件和用于这种部件的壳基体 | |
| KR20090002026A (ko) | 발광소자 | |
| TWI270215B (en) | Optoelectronic semiconductor component and housing base-body for such a component | |
| KR20070035528A (ko) | 광전 반도체 소자 및 상기 소자를 위한 하우징 베이스 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080123 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110602 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110826 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110902 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110927 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111004 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111026 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111102 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120314 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120717 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120829 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121119 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130408 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130708 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130812 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130910 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5366399 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |