JPS6020587A - 光結合器の製造方法 - Google Patents
光結合器の製造方法Info
- Publication number
- JPS6020587A JPS6020587A JP58128970A JP12897083A JPS6020587A JP S6020587 A JPS6020587 A JP S6020587A JP 58128970 A JP58128970 A JP 58128970A JP 12897083 A JP12897083 A JP 12897083A JP S6020587 A JPS6020587 A JP S6020587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- light
- photo
- light reflecting
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は発光素子と受光素子の並置された光結合器の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
口）従来技術
従来＠１図に示す如く、リード舌片圓圓へ発光素子０２
と受光素子（１２１等の光半導体を並列配置し、透光性
樹脂０４）と光反射性樹脂０６）で覆った光結合器にお
いては、光反射性樹脂１［ｉｉが反射と絶縁耐圧向上を
目的としているのに、リード舌片α１１（１１１が離隔
している上に比較的広い範囲を覆い、がっ、配線用の金
属細線（１３）（１３）の表面積が小さいので、特に金
属軸線α３）（１３１の周辺部で光反射性樹脂（１Ｇ）
がはじかれたようになシ密着しないことが生じた。これ
は光反射面あるいは光反射層厚の変化となるから光伝達
特性が光結合器毎に異なり、またわずか数百ポルトの電
界で絶縁破壊または断線するなどの耐圧低下を生じ、い
ずれも好ましくない。
と受光素子（１２１等の光半導体を並列配置し、透光性
樹脂０４）と光反射性樹脂０６）で覆った光結合器にお
いては、光反射性樹脂１［ｉｉが反射と絶縁耐圧向上を
目的としているのに、リード舌片α１１（１１１が離隔
している上に比較的広い範囲を覆い、がっ、配線用の金
属細線（１３）（１３）の表面積が小さいので、特に金
属軸線α３）（１３１の周辺部で光反射性樹脂（１Ｇ）
がはじかれたようになシ密着しないことが生じた。これ
は光反射面あるいは光反射層厚の変化となるから光伝達
特性が光結合器毎に異なり、またわずか数百ポルトの電
界で絶縁破壊または断線するなどの耐圧低下を生じ、い
ずれも好ましくない。
ハ）発明の目的
本発明は上述の点を改めるためになされたもので、特に
再現性の艮いモールド法を適用した光結合器の製造方法
を提供するものである。
再現性の艮いモールド法を適用した光結合器の製造方法
を提供するものである。
二）発明の構成
本発明は光半導体を透光性樹脂で覆ったあと、光反射性
樹脂でモールドする前に未硬化樹脂に光半導体素子側の
面を浸漬してぬれ性を艮くするもので、以下本発明を実
施例に基づいて詳細に説明する。
樹脂でモールドする前に未硬化樹脂に光半導体素子側の
面を浸漬してぬれ性を艮くするもので、以下本発明を実
施例に基づいて詳細に説明する。
ホ）実施例
第２図（ａ）乃至（ｄ）は本発明実施例の光結合器の製
遣方法を説明する工程図である。まず銅、鉄等からなる
リードフレームの離隔して近接配置された複数のリード
舌片（１）（１）・・・上に、ＧａＡｓからなる発光ダ
イオード、Ｓｉからなるフォトトランジスタ等の光半導
体（２）（２）を同じ側の面に載置し、金線、アルミニ
ウム線等の金属ｍ線ｆ３）ｆ３）で配線する。そして両
方の光半導体＋２１（２）をシリコン樹脂のような透光
性樹脂（４）で穆うが、この透光性樹脂（４）は光とじ
込め領域を決定し、ｆた直接的に光伝達量に関係するの
で、第２図ｅ）に示すように光半導体（２）（２）とそ
の光半導体（２）（２＋が載置しであるリード舌片（１
）（１）の先端のみ覆い、金属細線（３）（３）がワイ
ヤポンディングしであるリード舌片（１）（１）は覆わ
ない方が好ましいう 次に同図（ｂ）に示すようにリード舌片（１）（１）の
光半導体（２１（２）載置面を下側にして、未硬化の樹
脂（５）に浸漬し引上げる。未硬化の樹脂（５）は好ま
しくは後述する光反射！ｌｌ：樹脂と同一材料であるが
、同様の親和力を有する樹脂でよい。これらの樹脂（５
）は浸漬した部材の表面を濡らしただけでモールドの如
く被着することはない。この工程により特に金属細線（
３）（３１およびその周辺の透光性樹脂（４）表面のぬ
れ性がよくなる。
遣方法を説明する工程図である。まず銅、鉄等からなる
リードフレームの離隔して近接配置された複数のリード
舌片（１）（１）・・・上に、ＧａＡｓからなる発光ダ
イオード、Ｓｉからなるフォトトランジスタ等の光半導
体（２）（２）を同じ側の面に載置し、金線、アルミニ
ウム線等の金属ｍ線ｆ３）ｆ３）で配線する。そして両
方の光半導体＋２１（２）をシリコン樹脂のような透光
性樹脂（４）で穆うが、この透光性樹脂（４）は光とじ
込め領域を決定し、ｆた直接的に光伝達量に関係するの
で、第２図ｅ）に示すように光半導体（２）（２）とそ
の光半導体（２）（２＋が載置しであるリード舌片（１
）（１）の先端のみ覆い、金属細線（３）（３）がワイ
ヤポンディングしであるリード舌片（１）（１）は覆わ
ない方が好ましいう 次に同図（ｂ）に示すようにリード舌片（１）（１）の
光半導体（２１（２）載置面を下側にして、未硬化の樹
脂（５）に浸漬し引上げる。未硬化の樹脂（５）は好ま
しくは後述する光反射！ｌｌ：樹脂と同一材料であるが
、同様の親和力を有する樹脂でよい。これらの樹脂（５
）は浸漬した部材の表面を濡らしただけでモールドの如
く被着することはない。この工程により特に金属細線（
３）（３１およびその周辺の透光性樹脂（４）表面のぬ
れ性がよくなる。
続いて第２図（Ｃ）に示す如く光半導体＋２１（２＋の
ない側から光反射剤の混入されたシリコン樹脂等の光反
射性樹脂（６）を流す。光反射性樹脂（６）は下方に流
れ表面張力で少なくとも透光性樹脂（４）全面を覆う所
定の形状になるが、上記工程でぬれ性のよくなった部分
は確実に付着する。
ない側から光反射剤の混入されたシリコン樹脂等の光反
射性樹脂（６）を流す。光反射性樹脂（６）は下方に流
れ表面張力で少なくとも透光性樹脂（４）全面を覆う所
定の形状になるが、上記工程でぬれ性のよくなった部分
は確実に付着する。
この状態で硬化させたのが第２図（ｄ）であるが必要に
応じて黒色エポキシ樹脂でもう一度モールドしたりリー
ド舌片（１）（１）・・・の連結部（１１（１）′を切
断する。
応じて黒色エポキシ樹脂でもう一度モールドしたりリー
ド舌片（１）（１）・・・の連結部（１１（１）′を切
断する。
へ）発明の効果
以上の如く本発明は、離隔して近接配置された複数のリ
ード舌片の１面に光半導体装置し少なくとも光半導体を
透光性樹脂で覆う工程と、少なくとも光半導体装置した
面側の透光性樹脂表面を樹脂に接触させる工程と、透光
性樹脂と近接するリード舌片を光反射性樹脂で覆う工程
を具備した光結合器の製造方法であるから、光反射性樹
脂は再現性よく確実にモールドでき、絶縁耐圧も６００
０Ｖ１秒以上を確保でき、光伝達特性も安定して歩留凍
りよく生産できる。
ード舌片の１面に光半導体装置し少なくとも光半導体を
透光性樹脂で覆う工程と、少なくとも光半導体装置した
面側の透光性樹脂表面を樹脂に接触させる工程と、透光
性樹脂と近接するリード舌片を光反射性樹脂で覆う工程
を具備した光結合器の製造方法であるから、光反射性樹
脂は再現性よく確実にモールドでき、絶縁耐圧も６００
０Ｖ１秒以上を確保でき、光伝達特性も安定して歩留凍
りよく生産できる。
第１図は光結合器の断面図、第２図（ａ）乃至（ｄ）は
本発明実施例の光結合））ｇの製造方法を説明する工程
図である。 （１１（１）・・・・・・・・・リード舌片、（２）（
２）・・・・・・光半導体、（３）（３）・・・・・・
金属細線、（４）（４＋・・・・・・透光性樹脂、（５
）・・・・−・樹脂、（６）・・・・・・光反射性樹脂
。 −４２（
本発明実施例の光結合））ｇの製造方法を説明する工程
図である。 （１１（１）・・・・・・・・・リード舌片、（２）（
２）・・・・・・光半導体、（３）（３）・・・・・・
金属細線、（４）（４＋・・・・・・透光性樹脂、（５
）・・・・−・樹脂、（６）・・・・・・光反射性樹脂
。 −４２（
Claims (1)
- １）離隔して近接配置された複数のリード舌片の１面に
光半導体装置し少なくとも光半導体を透光性樹脂で覆う
工程と、少なくとも光半導体装置した面側の透光性樹脂
表面を樹脂に接触させる工程と、透光性樹脂と近接する
リード舌片を光反射性樹脂で口う工程とを具備した事を
特徴とする光結合器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128970A JPS6020587A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 光結合器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128970A JPS6020587A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 光結合器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020587A true JPS6020587A (ja) | 1985-02-01 |
Family
ID=14997908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128970A Pending JPS6020587A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 光結合器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020587A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999031737A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelementes und oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement |
| EP1022787A1 (de) * | 1989-05-31 | 2000-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements |
| US7427806B2 (en) | 2003-01-30 | 2008-09-23 | Oram Gmbh | Semiconductor component emitting and/or receiving electromagnetic radiation, and housing base for such a component |
| US8975646B2 (en) | 2004-05-31 | 2015-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58128970A patent/JPS6020587A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022787A1 (de) * | 1989-05-31 | 2000-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements |
| EP1187227A3 (de) * | 1989-05-31 | 2002-08-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement und Verfahren zum Herstellen desselben |
| WO1999031737A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelementes und oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement |
| JP2002509362A (ja) * | 1997-12-15 | 2002-03-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト | 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子 |
| US6610563B1 (en) | 1997-12-15 | 2003-08-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Surface mounting optoelectronic component and method for producing same |
| US6946714B2 (en) | 1997-12-15 | 2005-09-20 | Osram Gmbh | Surface mounting optoelectronic component and method for producing same |
| US7675132B2 (en) | 1997-12-15 | 2010-03-09 | Osram Gmbh | Surface mounting optoelectronic component and method for producing same |
| US7427806B2 (en) | 2003-01-30 | 2008-09-23 | Oram Gmbh | Semiconductor component emitting and/or receiving electromagnetic radiation, and housing base for such a component |
| US8975646B2 (en) | 2004-05-31 | 2015-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7338823B2 (en) | Side-emitting LED package and manufacturing method of the same | |
| US6583444B2 (en) | Semiconductor packages having light-sensitive chips | |
| JP3069082B2 (ja) | 光電素子の製造方法および光電素子 | |
| US20050207697A1 (en) | Method of manufacturing an opto-coupler | |
| JP2002368281A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP3310551B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| WO2001045180A1 (fr) | Dispositif de puce electroluminescent avec boitier | |
| TW201234644A (en) | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same | |
| JPH07151932A (ja) | 光電子インターフェース・モジュールとその作成方法 | |
| JPH0918058A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP2000173947A (ja) | プラスティックパッケージ | |
| JP2914097B2 (ja) | 射出成形プリント基板 | |
| JP3900613B2 (ja) | 表面実装型チップ部品及びその製造方法 | |
| JPS6020587A (ja) | 光結合器の製造方法 | |
| US7736070B2 (en) | Double mold optocoupler | |
| JPS6222491A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS5942995B2 (ja) | プレ−ナ形ホトカプラの製造方法 | |
| JPH02101776A (ja) | 光センサ用パッケージとその製造方法 | |
| JPH118404A (ja) | 光結合素子及びその製造方法 | |
| JPS6252978A (ja) | 光結合装置 | |
| JPH05183000A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0220854Y2 (ja) | ||
| JPH06196748A (ja) | 光結合装置 | |
| JP3118353B2 (ja) | 光半導体結合装置 | |
| JPS6028140Y2 (ja) | 光結合器 |