JPH0918058A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
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- JPH0918058A JPH0918058A JP7163724A JP16372495A JPH0918058A JP H0918058 A JPH0918058 A JP H0918058A JP 7163724 A JP7163724 A JP 7163724A JP 16372495 A JP16372495 A JP 16372495A JP H0918058 A JPH0918058 A JP H0918058A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、２つの方向に指向性を持つ発光半
導体装置において、高出力化を図る。 【構成】 発光ダイオードチップ１２と、該発光ダイオ
ードチップ１２が搭載され該発光ダイオードチップ１２
側面より出射した出射光を上方へ反射させる反射カップ
１４ａを備えたチップ搭載用リード１４と、前記発光ダ
イオードチップ１２及び反射カップ１４ａを封止する透
光性樹脂１３とを有してなる発光半導体装置において、
前記透光性樹脂１３に、前記発光ダイオードチップ１２
から直接又は反射カップ１４ａを介して上方へ向かう光
を２つの側面方向に反射させる反射面１７を備えてなる
ことを特徴とする。
導体装置において、高出力化を図る。 【構成】 発光ダイオードチップ１２と、該発光ダイオ
ードチップ１２が搭載され該発光ダイオードチップ１２
側面より出射した出射光を上方へ反射させる反射カップ
１４ａを備えたチップ搭載用リード１４と、前記発光ダ
イオードチップ１２及び反射カップ１４ａを封止する透
光性樹脂１３とを有してなる発光半導体装置において、
前記透光性樹脂１３に、前記発光ダイオードチップ１２
から直接又は反射カップ１４ａを介して上方へ向かう光
を２つの側面方向に反射させる反射面１７を備えてなる
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２つの方向に指向性を
もたせた発光半導体装置に関するものである。
もたせた発光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の２つの方向に指向性をもたせた発
光半導体装置としては、実公平１−４２３６０号公報に
記載の発光半導体装置がある。該発光半導体装置を、図
７にしたがって説明する。図中、（ａ）は側面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
光半導体装置としては、実公平１−４２３６０号公報に
記載の発光半導体装置がある。該発光半導体装置を、図
７にしたがって説明する。図中、（ａ）は側面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
【０００３】前記発光半導体装置は、発光ダイオードチ
ップ搭載用リード（以下、単に「チップ搭載用リード」
と称す。）１の一端部に導電性ペーストを介して発光ダ
イオードチップ（以下、単に「チップ」と称す。）２が
搭載され、該発光ダイオードチップ２と発光ダイオード
チップ結線用リード（以下、単に「チップ結線用リー
ド」と称す。）３とが金線４にて電気的に接続され、前
記発光ダイオードチップ２、チップ搭載用リード１の一
端部、チップ結線用リード３の一端部及び金線４は、放
射された光に指向性をもたせるレンズ５ａ，５ｂが一体
に形成されてなる透光性樹脂５にて封止されてなるもの
である。 具体的に説明すると、前記チップ２は、チップ搭載用リ
ード１の上部端面に、且つチップ２のＰＮ接合発光面が
チップ搭載用リード１の上部端面と平行するように、即
ちチップ２のＰＮ接合発光面から放射された光がチップ
搭載用リード１の長さ方向とほぼ垂直な平面へ拡がるよ
うにダイボンディングされ、該チップ２の上面電極とチ
ップ結線用リード３の上部端面とが金線４にてワイヤー
ボンディングされてなる。
ップ搭載用リード（以下、単に「チップ搭載用リード」
と称す。）１の一端部に導電性ペーストを介して発光ダ
イオードチップ（以下、単に「チップ」と称す。）２が
搭載され、該発光ダイオードチップ２と発光ダイオード
チップ結線用リード（以下、単に「チップ結線用リー
ド」と称す。）３とが金線４にて電気的に接続され、前
記発光ダイオードチップ２、チップ搭載用リード１の一
端部、チップ結線用リード３の一端部及び金線４は、放
射された光に指向性をもたせるレンズ５ａ，５ｂが一体
に形成されてなる透光性樹脂５にて封止されてなるもの
である。 具体的に説明すると、前記チップ２は、チップ搭載用リ
ード１の上部端面に、且つチップ２のＰＮ接合発光面が
チップ搭載用リード１の上部端面と平行するように、即
ちチップ２のＰＮ接合発光面から放射された光がチップ
搭載用リード１の長さ方向とほぼ垂直な平面へ拡がるよ
うにダイボンディングされ、該チップ２の上面電極とチ
ップ結線用リード３の上部端面とが金線４にてワイヤー
ボンディングされてなる。
【０００４】このように、従来の発光半導体装置は、前
記チップ２の側面から出射した光がレンズ５ａ，５ｂを
介して外部に放射される。
記チップ２の側面から出射した光がレンズ５ａ，５ｂを
介して外部に放射される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記発
光半導体装置は、チップ２の側面からの放射光のみを発
光半導体装置の出力の対象としており、前記チップ２の
ＰＮ接合発光面に垂直な方向への放射光、即ちチップ２
の上面からの放射光は発光半導体装置の出力として寄与
していなかった。
光半導体装置は、チップ２の側面からの放射光のみを発
光半導体装置の出力の対象としており、前記チップ２の
ＰＮ接合発光面に垂直な方向への放射光、即ちチップ２
の上面からの放射光は発光半導体装置の出力として寄与
していなかった。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑み、高出力化が図
れる発光半導体装置の提供を目的とするものである。
れる発光半導体装置の提供を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
発光半導体装置は、発光チップと、該発光チップが搭載
され該発光チップ側面より出射した出射光を上方へ反射
させる反射カップを備えた基台と、前記発光チップ及び
反射カップを封止する透光性樹脂とを有してなる発光半
導体装置において、前記透光性樹脂に、前記発光チップ
から直接又は反射カップを介して上方へ向かう光を複数
の側面方向に反射させる反射面を備えてなることを特徴
とするものである。
発光半導体装置は、発光チップと、該発光チップが搭載
され該発光チップ側面より出射した出射光を上方へ反射
させる反射カップを備えた基台と、前記発光チップ及び
反射カップを封止する透光性樹脂とを有してなる発光半
導体装置において、前記透光性樹脂に、前記発光チップ
から直接又は反射カップを介して上方へ向かう光を複数
の側面方向に反射させる反射面を備えてなることを特徴
とするものである。
【０００８】また、本発明の請求項２記載の発光半導体
装置は、前記透光性樹脂側面の光路に対応する位置に平
行化レンズを備えてなることを特徴とするものである。
装置は、前記透光性樹脂側面の光路に対応する位置に平
行化レンズを備えてなることを特徴とするものである。
【０００９】さらに、本発明の請求項３記載の発光半導
体装置は、前記反射面が前記発光チップに対して凹状を
なし該反射面にて反射する反射光を平行光とする放物曲
面からなることを特徴とするものである。
体装置は、前記反射面が前記発光チップに対して凹状を
なし該反射面にて反射する反射光を平行光とする放物曲
面からなることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、本発明の請求項１記載の発
光半導体装置は、透光性樹脂に、前記発光チップから直
接又は反射カップを介して上方へ向かう光を複数の側面
方向に反射させる反射面を備えてなる構成なので、従来
活用することができなかった発光チップ上面からの放射
光をも発光半導体装置の放射光として活用することが可
能となる。
光半導体装置は、透光性樹脂に、前記発光チップから直
接又は反射カップを介して上方へ向かう光を複数の側面
方向に反射させる反射面を備えてなる構成なので、従来
活用することができなかった発光チップ上面からの放射
光をも発光半導体装置の放射光として活用することが可
能となる。
【００１１】また、請求項２記載の発光半導体装置は、
透光性樹脂側面の光路に対応する位置に平行化レンズを
備えてなる構成なので、発光半導体装置としての放射光
を平行光とすることができる。
透光性樹脂側面の光路に対応する位置に平行化レンズを
備えてなる構成なので、発光半導体装置としての放射光
を平行光とすることができる。
【００１２】さらに、請求項３記載の発光半導体装置
は、反射面が発光チップに対して凹状をなし該反射面に
て反射する反射光を平行光とする放物曲面からなる構成
なので、前記透光性樹脂側面の平行化レンズに代わって
発光半導体装置としての放射光を平行光とすることがで
き、またこれによって、発光半導体装置の外形サイズを
小型とすることができる。
は、反射面が発光チップに対して凹状をなし該反射面に
て反射する反射光を平行光とする放物曲面からなる構成
なので、前記透光性樹脂側面の平行化レンズに代わって
発光半導体装置としての放射光を平行光とすることがで
き、またこれによって、発光半導体装置の外形サイズを
小型とすることができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の一実施例よりなる発光半導体
装置を示す縦断面図であり、図２は図１に示す反射面の
反射原理を説明するための図である。
装置を示す縦断面図であり、図２は図１に示す反射面の
反射原理を説明するための図である。
【００１４】該発光半導体装置は、リードフレーム１１
と、該リードフレーム１１に搭載される発光ダイオード
チップ１２と、前記リードフレーム１１の一部及び発光
ダイオードチップ１２を封止するとともに該発光ダイオ
ードチップ１２からの放射光を２方向に分光する透光性
樹脂１３とから構成されてなる。
と、該リードフレーム１１に搭載される発光ダイオード
チップ１２と、前記リードフレーム１１の一部及び発光
ダイオードチップ１２を封止するとともに該発光ダイオ
ードチップ１２からの放射光を２方向に分光する透光性
樹脂１３とから構成されてなる。
【００１５】前記リードフレーム１１は、一端部に前記
発光ダイオードチップ１２が搭載される反射カップ１４
ａを備えたチップ搭載用リード１４と、一端部が前記発
光ダイオードチップ１２と金線１５にてワイヤーボンデ
ィングされるチップ結線用リード１６とからなる。
発光ダイオードチップ１２が搭載される反射カップ１４
ａを備えたチップ搭載用リード１４と、一端部が前記発
光ダイオードチップ１２と金線１５にてワイヤーボンデ
ィングされるチップ結線用リード１６とからなる。
【００１６】前記発光ダイオードチップ１２は、前記反
射カップ１４ａ内においてＰＮ接合面がチップ搭載面と
平行となるよう配置され、裏面電極が銀ペースト等の導
電性接着剤を介して前記チップ搭載用リード１４に接続
され、上面電極１２ａが前記金線１５を介してチップ結
線用リード１６に電気的に接続されてなる。また、前記
上面電極１２ａは発光ダイオードチップ１２上面の一部
分に形成され、該発光ダイオードチップ１２上面からの
光の放射を可能としている。
射カップ１４ａ内においてＰＮ接合面がチップ搭載面と
平行となるよう配置され、裏面電極が銀ペースト等の導
電性接着剤を介して前記チップ搭載用リード１４に接続
され、上面電極１２ａが前記金線１５を介してチップ結
線用リード１６に電気的に接続されてなる。また、前記
上面電極１２ａは発光ダイオードチップ１２上面の一部
分に形成され、該発光ダイオードチップ１２上面からの
光の放射を可能としている。
【００１７】前記透光性樹脂１３は、前記発光ダイオー
ドチップ１２及び反射カップ１４ａを封止してなり、前
記発光ダイオードチップ１２に対応する上面にＶ溝を備
え、該Ｖ溝にて形成された傾斜面を反射面１７としてい
る。前記Ｖ溝の底部は、発光ダイオードチップ１２自身
の中心と一致してなり、これによって均等に光を分光さ
せることができる。
ドチップ１２及び反射カップ１４ａを封止してなり、前
記発光ダイオードチップ１２に対応する上面にＶ溝を備
え、該Ｖ溝にて形成された傾斜面を反射面１７としてい
る。前記Ｖ溝の底部は、発光ダイオードチップ１２自身
の中心と一致してなり、これによって均等に光を分光さ
せることができる。
【００１８】前記反射面１７は、発光ダイオードチップ
１２から直接又は反射カップ１４ａを介して上方へ向か
う光を透光性樹脂側面（横）方向へ全反射させるもので
ある。
１２から直接又は反射カップ１４ａを介して上方へ向か
う光を透光性樹脂側面（横）方向へ全反射させるもので
ある。
【００１９】該全反射が可能な条件について、以下図２
にしたがって説明する。
にしたがって説明する。
【００２０】前記反射面１７は、透光性樹脂１３と該透
光性樹脂１３周囲の大気との屈折率の違いによって全反
射を行うものであり、透光性樹脂１３の屈折率をｎ1 、
大気の屈折率をｎ2 、反射面１７に垂直に交わる軸に対
して入射する入射光（発光ダイオードチップからの放射
光）の入射角をθとして、 ｎ1 ｓｉｎθ＞ｎ2 ｓｉｎθ＞ｎ2 ／ｎ1 ・・・（１） の条件のもとで、全反射が行われる。
光性樹脂１３周囲の大気との屈折率の違いによって全反
射を行うものであり、透光性樹脂１３の屈折率をｎ1 、
大気の屈折率をｎ2 、反射面１７に垂直に交わる軸に対
して入射する入射光（発光ダイオードチップからの放射
光）の入射角をθとして、 ｎ1 ｓｉｎθ＞ｎ2 ｓｉｎθ＞ｎ2 ／ｎ1 ・・・（１） の条件のもとで、全反射が行われる。
【００２１】一例として、本実施例では前記透光性樹脂
１３として例えばエポキシ樹脂が用いられており、該エ
ポキシ樹脂の屈折率は約１．５２であり、また大気の屈
折率は１．０であるので、 ｓｉｎθ＞１／１．５２＝約０．６５８ θ＞４１．１５（°） となり、θが４１．１５°よりも大きい場合に全反射が
可能である。
１３として例えばエポキシ樹脂が用いられており、該エ
ポキシ樹脂の屈折率は約１．５２であり、また大気の屈
折率は１．０であるので、 ｓｉｎθ＞１／１．５２＝約０．６５８ θ＞４１．１５（°） となり、θが４１．１５°よりも大きい場合に全反射が
可能である。
【００２２】本実施例では、互いの反射面１７でなす角
が直角であり、これによりθが４５°に設定され、真横
方向に全反射が行われることになる。 また、互いの反射面１７でなす角を９０°より小さくと
れば、即ちθを４５°よりも大きくとれば、真横よりも
上方へ指向特性をもたせることができる。これに対し、
互いの反射面１７でなす角を９０°よりも大きくし、且
つθを４１．１５°よりも大きくとれば、真横よりも下
方へ指向特性をもたせることができる。 このようにして、前記発光ダイオードチップ１２からの
放射光は、直接又は反射カップ１４ａを介して上方へ導
かれ、該上方へ導かれた光が前記反射面１７によって異
なる２つの透光性樹脂１３側面方向に反射され、透光性
樹脂１３側面より外部に放射される。
が直角であり、これによりθが４５°に設定され、真横
方向に全反射が行われることになる。 また、互いの反射面１７でなす角を９０°より小さくと
れば、即ちθを４５°よりも大きくとれば、真横よりも
上方へ指向特性をもたせることができる。これに対し、
互いの反射面１７でなす角を９０°よりも大きくし、且
つθを４１．１５°よりも大きくとれば、真横よりも下
方へ指向特性をもたせることができる。 このようにして、前記発光ダイオードチップ１２からの
放射光は、直接又は反射カップ１４ａを介して上方へ導
かれ、該上方へ導かれた光が前記反射面１７によって異
なる２つの透光性樹脂１３側面方向に反射され、透光性
樹脂１３側面より外部に放射される。
【００２３】このように、本実施例の発光半導体装置に
よれば、発光ダイオードチップ１２の上面及び側面から
の放射光が出力として外部に放射されることになり、従
来の発光ダイオードチップ側面からの放射光のみの出力
に対して高出力とすることができる。
よれば、発光ダイオードチップ１２の上面及び側面から
の放射光が出力として外部に放射されることになり、従
来の発光ダイオードチップ側面からの放射光のみの出力
に対して高出力とすることができる。
【００２４】また、上記実施例において、図１の破線で
示すように、透光性樹脂１３側面の光路に対応する位置
に平行化レンズ１８を設けることにより、発光半導体装
置としての放射光を平行光とすることができる。
示すように、透光性樹脂１３側面の光路に対応する位置
に平行化レンズ１８を設けることにより、発光半導体装
置としての放射光を平行光とすることができる。
【００２５】該平行化レンズ１８に代わって、図１の一
点斜線で示すように、上記反射面を発光ダイオードチッ
プ１２に対して凹状とし該反射面にて反射する反射光を
平行光とする放物曲面１７ａとして、発光半導体装置と
しての放射光を平行光としても良い。これによれば、発
光半導体装置の外形サイズを小型とすることができる。
点斜線で示すように、上記反射面を発光ダイオードチッ
プ１２に対して凹状とし該反射面にて反射する反射光を
平行光とする放物曲面１７ａとして、発光半導体装置と
しての放射光を平行光としても良い。これによれば、発
光半導体装置の外形サイズを小型とすることができる。
【００２６】上記実施例においては、透光性樹脂１３と
してエポキシ樹脂を用いて説明したが、他の樹脂であっ
ても上記（１）式を満たすように設定すれば可能であ
る。
してエポキシ樹脂を用いて説明したが、他の樹脂であっ
ても上記（１）式を満たすように設定すれば可能であ
る。
【００２７】以下、上記実施例の製造方法について、図
３乃至図５にしたがって説明する。図３は樹脂封止前の
工程を説明するための図であり、図４は注型法による樹
脂封止工程を説明するための図であり、図５はインサー
ト成形法による樹脂封止工程を説明するための図であ
る。
３乃至図５にしたがって説明する。図３は樹脂封止前の
工程を説明するための図であり、図４は注型法による樹
脂封止工程を説明するための図であり、図５はインサー
ト成形法による樹脂封止工程を説明するための図であ
る。
【００２８】まず、図３（ａ）に示すように、発光ダイ
オードチップ１２を導電性接着剤１９にてチップ搭載用
リード１４の反射カップ１４ａ内にダイボンドする。次
に、図３（ｂ）に示すように、発光ダイオードチップ１
２とチップ結線用リード１６とを金線１５によりワイヤ
ーボンドを行う。
オードチップ１２を導電性接着剤１９にてチップ搭載用
リード１４の反射カップ１４ａ内にダイボンドする。次
に、図３（ｂ）に示すように、発光ダイオードチップ１
２とチップ結線用リード１６とを金線１５によりワイヤ
ーボンドを行う。
【００２９】この後、注型法又はインサート成形法によ
り樹脂封止を行う。
り樹脂封止を行う。
【００３０】注型法による樹脂封止は、図４（ａ）に示
すように、図３（ｂ）の状態のリードフレームの一端側
（反射カップ側）を樹脂ケース（メス型）２０に充填さ
れた熱硬化性の透光性樹脂１３ａに浸け、この状態で熱
を加えて前記透光性樹脂１３ａを硬化させ、該樹脂の硬
化後、図４（ｂ）に示すように、樹脂ケース２０より離
型させることにより、完成品となる。 また、インサート成形法による樹脂封止は、図５（ａ）
に示すように、図３（ｂ）の状態のリードフレームが金
型２１ａ，２１ｂにて挟持され、リードフレームの一端
側が金型２１ａ，２１ｂ，２１ｃで形成するキャビティ
ー（空隙）内に配置され、該キャビティー内に熱可塑性
の透光性樹脂１３ｂを充填して成形を行う。なお、Ｖ溝
（反射面）は金型２１ｃにて形成する。樹脂１３ｂ硬化
後、図５（ｂ）に示すように、金型２１ａ，２１ｂ，２
１ｃより離型させることにより完成品となる。
すように、図３（ｂ）の状態のリードフレームの一端側
（反射カップ側）を樹脂ケース（メス型）２０に充填さ
れた熱硬化性の透光性樹脂１３ａに浸け、この状態で熱
を加えて前記透光性樹脂１３ａを硬化させ、該樹脂の硬
化後、図４（ｂ）に示すように、樹脂ケース２０より離
型させることにより、完成品となる。 また、インサート成形法による樹脂封止は、図５（ａ）
に示すように、図３（ｂ）の状態のリードフレームが金
型２１ａ，２１ｂにて挟持され、リードフレームの一端
側が金型２１ａ，２１ｂ，２１ｃで形成するキャビティ
ー（空隙）内に配置され、該キャビティー内に熱可塑性
の透光性樹脂１３ｂを充填して成形を行う。なお、Ｖ溝
（反射面）は金型２１ｃにて形成する。樹脂１３ｂ硬化
後、図５（ｂ）に示すように、金型２１ａ，２１ｂ，２
１ｃより離型させることにより完成品となる。
【００３１】図６（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ他の実施
例を示す斜視図である。各実施例について、上記実施例
と相異する点のみ説明する。
例を示す斜視図である。各実施例について、上記実施例
と相異する点のみ説明する。
【００３２】（ａ）は、図１の変形例であり、図１に示
す実施例の光の分光に対して垂直方向に分光してなり、
これに対応させて反射面をも形成してなる構成である。
す実施例の光の分光に対して垂直方向に分光してなり、
これに対応させて反射面をも形成してなる構成である。
【００３３】（ｂ）は、平行化レンズ１８を円柱を２分
した形状としてなる構成であり、該構成によって放射光
を帯状とするものである。
した形状としてなる構成であり、該構成によって放射光
を帯状とするものである。
【００３４】（ｃ）は、透光性樹脂１３を円柱状に形成
し、且つＶ溝に代わって円錐状の凹部にて反射面を形成
してなる構成であり、該構成によって全側面方向に光を
放射させることが可能となる。また、発光ダイオードチ
ップ１２として赤外発光ダイオードチップを用いること
により赤外通信の全側面方向光源としての利用が可能で
ある。
し、且つＶ溝に代わって円錐状の凹部にて反射面を形成
してなる構成であり、該構成によって全側面方向に光を
放射させることが可能となる。また、発光ダイオードチ
ップ１２として赤外発光ダイオードチップを用いること
により赤外通信の全側面方向光源としての利用が可能で
ある。
【００３５】（ｄ）は、上記（ｃ）の構造において全側
面に平行化レンズを設けてなるものであり、これによっ
て全側面方向に平行光を放射させることが可能となる。
面に平行化レンズを設けてなるものであり、これによっ
て全側面方向に平行光を放射させることが可能となる。
【００３６】上述した実施例では、発光ダイオードチッ
プ１２を１チップ搭載してもので説明したが、例えば光
出力や指向特性をさらに確保するために、複数のチップ
を搭載した構成としても可能である。この場合、リード
フレーム１１に代わって必要な配線及び反射カップを備
えたプリント配線板を代用しても良い。
プ１２を１チップ搭載してもので説明したが、例えば光
出力や指向特性をさらに確保するために、複数のチップ
を搭載した構成としても可能である。この場合、リード
フレーム１１に代わって必要な配線及び反射カップを備
えたプリント配線板を代用しても良い。
【００３７】また、チップとして発光チップを用いて説
明したが、受光チップを用いれば側面受光のホトダイオ
ードやホトトランジスタにも応用展開が可能である。
明したが、受光チップを用いれば側面受光のホトダイオ
ードやホトトランジスタにも応用展開が可能である。
【００３８】さらに、発光素子と受光素子とを組み合わ
せて用いることにより、光通信用の側方向受発光デバイ
スとして応用が可能である。
せて用いることにより、光通信用の側方向受発光デバイ
スとして応用が可能である。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の発光半導体装置によれば、透光性樹脂に、前記発
光チップから直接又は反射カップを介して上方へ向かう
光を複数の側面方向に反射させる反射面を備えてなる構
成なので、従来活用することができなかった発光チップ
上面からの放射光をも発光半導体装置の放射光として活
用することができ、高出力化が図れる。
記載の発光半導体装置によれば、透光性樹脂に、前記発
光チップから直接又は反射カップを介して上方へ向かう
光を複数の側面方向に反射させる反射面を備えてなる構
成なので、従来活用することができなかった発光チップ
上面からの放射光をも発光半導体装置の放射光として活
用することができ、高出力化が図れる。
【００４０】また、請求項２記載の発光半導体装置によ
れば、透光性樹脂側面の光路に対応する位置に平行化レ
ンズを備えてなる構成なので、発光半導体装置としての
放射光を平行光とすることができる。
れば、透光性樹脂側面の光路に対応する位置に平行化レ
ンズを備えてなる構成なので、発光半導体装置としての
放射光を平行光とすることができる。
【００４１】さらに、請求項３記載の発光半導体装置に
よれば、反射面が発光チップに対して凹状をなし該反射
面にて反射する反射光を平行光とする放物曲面からなる
構成なので、前記透光性樹脂側面の平行化レンズに代わ
って発光半導体装置としての放射光を平行光とすること
ができ、且つ、発光半導体装置の外形サイズが小型とな
る。
よれば、反射面が発光チップに対して凹状をなし該反射
面にて反射する反射光を平行光とする放物曲面からなる
構成なので、前記透光性樹脂側面の平行化レンズに代わ
って発光半導体装置としての放射光を平行光とすること
ができ、且つ、発光半導体装置の外形サイズが小型とな
る。
【図１】本発明の一実施例を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す反射面の反射原理を説明するための
図である。
図である。
【図３】樹脂封止前の製造工程を説明するための図であ
る。
る。
【図４】注型法による樹脂封止工程を説明するための図
である。
である。
【図５】インサート成形法による樹脂封止工程を説明す
るための図である。
るための図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ他の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図７】従来例を示す図であり、（ａ）は側面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
り、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
１２ 発光ダイオードチップ １３ 透光性樹脂 １４ チップ搭載用リード １４ａ 反射カップ １７ 反射面 １７ａ 放物曲面 １８ 平行化レンズ
Claims (3)
- 【請求項１】 発光チップと、該発光チップが搭載され
該発光チップ側面より出射した出射光を上方へ反射させ
る反射カップを備えた基台と、前記発光チップ及び反射
カップを封止する透光性樹脂とを有してなる発光半導体
装置において、 前記透光性樹脂は、前記発光チップから直接又は反射カ
ップを介して上方へ向かう光を複数の側面方向に反射さ
せる反射面を備えてなることを特徴とする発光半導体装
置。 - 【請求項２】 前記透光性樹脂側面の光路に対応する位
置に平行化レンズを備えてなることを特徴とする請求項
１記載の発光半導体装置。 - 【請求項３】 前記反射面は、前記発光チップに対して
凹状をなし該反射面にて反射する反射光を平行光とする
放物曲面からなることを特徴とする請求項１記載の発光
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163724A JPH0918058A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163724A JPH0918058A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918058A true JPH0918058A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15779465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7163724A Pending JPH0918058A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918058A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2777731A1 (fr) * | 1998-04-17 | 1999-10-22 | Christian Pierre Marie Estival | Diode electroluminescente a faisceau annulaire lateral par effet de reflexion interne |
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-
1995
- 1995-06-29 JP JP7163724A patent/JPH0918058A/ja active Pending
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