JP2914097B2 - 射出成形プリント基板 - Google Patents
射出成形プリント基板Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、射出成形プリント基板
に関するもので、特に、ＬＥＤチップの実装構造に関す
るものである。
に関するもので、特に、ＬＥＤチップの実装構造に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】射出成形プリント基板は射出成形による
成形部品上に導体パターンを形成したもので、プリント
基板が不要となるため、機器の小型化、部品点数及び組
立工程の削減が図れるという特徴を有するものである。
射出成形プリント基板の本体は射出成形により形成さ
れ、基板上に凹凸形状を容易に形成することができるた
め、ＬＥＤを実装する場合は、射出成形プリント基板上
に凹部を形成して実装する方法が多く用いられている。
ここでは、射出成形プリント基板にかぎらず、一般に、
基板上に凹部を形成してＬＥＤを実装した従来例につい
て説明する。
成形部品上に導体パターンを形成したもので、プリント
基板が不要となるため、機器の小型化、部品点数及び組
立工程の削減が図れるという特徴を有するものである。
射出成形プリント基板の本体は射出成形により形成さ
れ、基板上に凹凸形状を容易に形成することができるた
め、ＬＥＤを実装する場合は、射出成形プリント基板上
に凹部を形成して実装する方法が多く用いられている。
ここでは、射出成形プリント基板にかぎらず、一般に、
基板上に凹部を形成してＬＥＤを実装した従来例につい
て説明する。
【０００３】図２は、絶縁基板上に凹部を形成した従来
例（実公昭51-11340）を示すもので、１は略直方体状の
絶縁基板、１ａは平面視略長方形状の凹部、２，３はＬ
ＥＤチップと外部回路を接続する金属層、４はＬＥＤチ
ップ（発光素子ペレット）、５はボンディングワイヤ、
６は透明樹脂、７，８は外部端子である。凹部１ａの内
面のうち、金属層２，３が形成されている面は、ＬＥＤ
チップ４から放出された光が、絶縁基板１の表面に対し
て略垂直方向に反射されるように、その形状が考慮され
ている。金属層２，３は、絶縁基板１の表面から凹部１
ａの平坦な底面にまで延設されており、金属層２はＬＥ
Ｄチップ４の底部に接続されていると共に、金属層３は
ボンディングワイヤ５を介してＬＥＤチップ４の上面に
接続されている。略倒立Ｌ字状の外部端子７，８は、そ
れぞれ絶縁基板１上の金属層２，３の上面に接合されて
いる。また、凹部１ａは、ＬＥＤチップ４を実装した
後、透明樹脂６で満たされ封止される。
例（実公昭51-11340）を示すもので、１は略直方体状の
絶縁基板、１ａは平面視略長方形状の凹部、２，３はＬ
ＥＤチップと外部回路を接続する金属層、４はＬＥＤチ
ップ（発光素子ペレット）、５はボンディングワイヤ、
６は透明樹脂、７，８は外部端子である。凹部１ａの内
面のうち、金属層２，３が形成されている面は、ＬＥＤ
チップ４から放出された光が、絶縁基板１の表面に対し
て略垂直方向に反射されるように、その形状が考慮され
ている。金属層２，３は、絶縁基板１の表面から凹部１
ａの平坦な底面にまで延設されており、金属層２はＬＥ
Ｄチップ４の底部に接続されていると共に、金属層３は
ボンディングワイヤ５を介してＬＥＤチップ４の上面に
接続されている。略倒立Ｌ字状の外部端子７，８は、そ
れぞれ絶縁基板１上の金属層２，３の上面に接合されて
いる。また、凹部１ａは、ＬＥＤチップ４を実装した
後、透明樹脂６で満たされ封止される。
【０００４】次に、図３に基づいて異なる実装例（特公
昭57-11510）について説明する。図３に示す例は、単結
晶基板９上で絶縁物１０によって領域分離された分離領
域１１にＬＥＤチップ実装用の穴１２を形成し、その穴
１２の表面に反射膜１３を積層した後、ＬＥＤチップ１
４をダイボンドペースト１５を介して穴１２の底部に実
装したものである。この例で、ＬＥＤチップ１４は、反
射膜１３及び分離領域１１を介して単結晶基板９表面に
形成された金属配線１６と接続されていると共に、ボン
ディングワイヤ１７によって単結晶基板９表面の絶縁膜
１８上に形成された金属配線１９と接続されている。ボ
ンディングワイヤ１７とＬＥＤチップ１４はパッド２０
を介して接続されている。
昭57-11510）について説明する。図３に示す例は、単結
晶基板９上で絶縁物１０によって領域分離された分離領
域１１にＬＥＤチップ実装用の穴１２を形成し、その穴
１２の表面に反射膜１３を積層した後、ＬＥＤチップ１
４をダイボンドペースト１５を介して穴１２の底部に実
装したものである。この例で、ＬＥＤチップ１４は、反
射膜１３及び分離領域１１を介して単結晶基板９表面に
形成された金属配線１６と接続されていると共に、ボン
ディングワイヤ１７によって単結晶基板９表面の絶縁膜
１８上に形成された金属配線１９と接続されている。ボ
ンディングワイヤ１７とＬＥＤチップ１４はパッド２０
を介して接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示した従来例で
は、ＬＥＤチップ４が接合される金属層２のダイパッド
部２ａと、ボンディングワイヤ５が接合される金属層３
のパッド部３ａが略同一高さに形成されているため、Ｌ
ＥＤチップ４をAgペースト等のダイボンドペーストを介
してダイボンディングする際、ダイボンドペーストが流
れてパッド部３ａに付着し、ワイヤボンディングできな
くなることがあった。また、ダイパッド部２ａとパッド
部３ａを凹部１ａ内に配置しているため凹部１ａが大き
くなり、ＬＥＤチップ４から放出された光は分散されて
輝度が低下してしまうという問題点もあった。
は、ＬＥＤチップ４が接合される金属層２のダイパッド
部２ａと、ボンディングワイヤ５が接合される金属層３
のパッド部３ａが略同一高さに形成されているため、Ｌ
ＥＤチップ４をAgペースト等のダイボンドペーストを介
してダイボンディングする際、ダイボンドペーストが流
れてパッド部３ａに付着し、ワイヤボンディングできな
くなることがあった。また、ダイパッド部２ａとパッド
部３ａを凹部１ａ内に配置しているため凹部１ａが大き
くなり、ＬＥＤチップ４から放出された光は分散されて
輝度が低下してしまうという問題点もあった。
【０００６】図３に示した例では、ボンディングワイヤ
１７が接合される金属配線１９のパッド部１９ａが単結
晶基板９の絶縁膜１８上に形成されており、ボンディン
グワイヤ１７を樹脂封止する場合、単結晶基板９上に封
止樹脂を盛り上げることになる。このため、封止樹脂が
流れて他の部分に付着したり、封止が不完全になる可能
性があった。
１７が接合される金属配線１９のパッド部１９ａが単結
晶基板９の絶縁膜１８上に形成されており、ボンディン
グワイヤ１７を樹脂封止する場合、単結晶基板９上に封
止樹脂を盛り上げることになる。このため、封止樹脂が
流れて他の部分に付着したり、封止が不完全になる可能
性があった。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、Agペースト等のダイボン
ドペーストの流れ出しによるワイヤボンディング不良が
防止できると共に、輝度アップが図れる射出成形プリン
ト基板の構造を提供することにある。
で、その目的とするところは、Agペースト等のダイボン
ドペーストの流れ出しによるワイヤボンディング不良が
防止できると共に、輝度アップが図れる射出成形プリン
ト基板の構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願発明の射出成形プリント基板は、射出成形プリ
ント基板の表面に形成されたＬＥＤ実装用凹部と、その
ＬＥＤ実装用凹部の底面に形成されたダイボンド用凹部
と、前記射出成形プリント基板の表面から前記ＬＥＤ実
装用凹部の底面に配設されたボンディングワイヤ接合用
導体パターンと、前記射出成形プリント基板の表面から
前記ダイボンド用凹部の底面に配設されたダイボンド用
導体パターンを具備したことを特徴とするものである。
め、本願発明の射出成形プリント基板は、射出成形プリ
ント基板の表面に形成されたＬＥＤ実装用凹部と、その
ＬＥＤ実装用凹部の底面に形成されたダイボンド用凹部
と、前記射出成形プリント基板の表面から前記ＬＥＤ実
装用凹部の底面に配設されたボンディングワイヤ接合用
導体パターンと、前記射出成形プリント基板の表面から
前記ダイボンド用凹部の底面に配設されたダイボンド用
導体パターンを具備したことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】図１に示すように、本願発明に係る射出成形プ
リント基板２１では、ＬＥＤ実装用凹部２２内にボンデ
ィングワイヤ接合用導体パターン２６のパッド部２６ａ
が形成されていると共に、ＬＥＤ実装用凹部２２の底面
に形成されたダイボンド用凹部２３内にダイボンド用導
体パターン２５のダイパッド部２５ａが形成されている
ため、Agペースト等のダイボンドペーストがＬＥＤ実装
用凹部２２の底面に形成されたボンディングワイヤ接合
用のパッド部２６ａに付着することがないため、ダイボ
ンドペーストの付着によるワイヤボンディング不良は発
生しない。
リント基板２１では、ＬＥＤ実装用凹部２２内にボンデ
ィングワイヤ接合用導体パターン２６のパッド部２６ａ
が形成されていると共に、ＬＥＤ実装用凹部２２の底面
に形成されたダイボンド用凹部２３内にダイボンド用導
体パターン２５のダイパッド部２５ａが形成されている
ため、Agペースト等のダイボンドペーストがＬＥＤ実装
用凹部２２の底面に形成されたボンディングワイヤ接合
用のパッド部２６ａに付着することがないため、ダイボ
ンドペーストの付着によるワイヤボンディング不良は発
生しない。
【００１０】
【実施例】本願発明に係る射出成形プリント基板を使用
してＬＥＤチップを実装した一実施例を図１に示す。
（ａ）はＬＥＤ実装用凹部の構造を示す斜視図、（ｂ）
はその断面図である。図において、２１は液晶ポリマー
等の高耐熱性樹脂製の射出成形プリント基板、２２は略
倒立円錐状のＬＥＤ実装用凹部、２３は略倒立円錐状の
ダイボンド用凹部、２３ａはダイボンド用凹部２３の内
面、２４はＬＥＤチップ、２５はダイボンド用導体パタ
ーン、２６はボンディングワイヤ接合用導体パターン、
２５ａはダイボンド用導体パターン２５の端部に形成さ
れたダイパッド部、２６ａはボンディングワイヤ接合用
導体パターン２６の端部に形成されたパッド部、２７は
ボンディングワイヤ、２８は透明なエポキシ樹脂等の封
止樹脂である。
してＬＥＤチップを実装した一実施例を図１に示す。
（ａ）はＬＥＤ実装用凹部の構造を示す斜視図、（ｂ）
はその断面図である。図において、２１は液晶ポリマー
等の高耐熱性樹脂製の射出成形プリント基板、２２は略
倒立円錐状のＬＥＤ実装用凹部、２３は略倒立円錐状の
ダイボンド用凹部、２３ａはダイボンド用凹部２３の内
面、２４はＬＥＤチップ、２５はダイボンド用導体パタ
ーン、２６はボンディングワイヤ接合用導体パターン、
２５ａはダイボンド用導体パターン２５の端部に形成さ
れたダイパッド部、２６ａはボンディングワイヤ接合用
導体パターン２６の端部に形成されたパッド部、２７は
ボンディングワイヤ、２８は透明なエポキシ樹脂等の封
止樹脂である。
【００１１】図１に示すように、射出成形プリント基板
２１上に形成された倒立円錐台状のＬＥＤ実装用凹部２
２の底面に、さらに倒立円錐台状のダイボンド用凹部２
３が形成されている。ダイボンド用導体パターン２５は
射出成形プリント基板２１の表面からダイボンド用凹部
２３の底面にまで延設されており、その端部にはダイパ
ッド部２５ａが形成されている。一方、ボンディングワ
イヤ接合用導体パターン２６は、射出成形プリント基板
２１の表面からＬＥＤ実装用凹部２２の底面にまで延設
されており、その端部にはパッド部２６ａが形成されて
いる。
２１上に形成された倒立円錐台状のＬＥＤ実装用凹部２
２の底面に、さらに倒立円錐台状のダイボンド用凹部２
３が形成されている。ダイボンド用導体パターン２５は
射出成形プリント基板２１の表面からダイボンド用凹部
２３の底面にまで延設されており、その端部にはダイパ
ッド部２５ａが形成されている。一方、ボンディングワ
イヤ接合用導体パターン２６は、射出成形プリント基板
２１の表面からＬＥＤ実装用凹部２２の底面にまで延設
されており、その端部にはパッド部２６ａが形成されて
いる。
【００１２】上記構成の射出成形プリント基板２１に対
し、ＬＥＤチップ２４は、ダイボンド用凹部２３の底面
に形成されたダイパッド部２５ａ上にAgペースト等のダ
イボンドペーストを介して接合された後、ボンディング
ワイヤ２７を介してＬＥＤ実装用凹部２２の底面に形成
されたパッド部２６ａに接続される。この時、ボンディ
ングワイヤ２７がＬＥＤ実装用凹部２２内に収まるよう
にボンディングを行えば、樹脂封止する場合も封止樹脂
２８がＬＥＤ実装用凹部２２から流出することがない。
し、ＬＥＤチップ２４は、ダイボンド用凹部２３の底面
に形成されたダイパッド部２５ａ上にAgペースト等のダ
イボンドペーストを介して接合された後、ボンディング
ワイヤ２７を介してＬＥＤ実装用凹部２２の底面に形成
されたパッド部２６ａに接続される。この時、ボンディ
ングワイヤ２７がＬＥＤ実装用凹部２２内に収まるよう
にボンディングを行えば、樹脂封止する場合も封止樹脂
２８がＬＥＤ実装用凹部２２から流出することがない。
【００１３】また、パッド部２６ａの形成位置に比べ、
ダイパッド部２５ａの形成位置が低いため、ＬＥＤチッ
プ２４のダイボンド時、Agペースト等のダイボンドペー
ストがＬＥＤ実装用凹部２２の底面に形成されたパッド
部２６ａに付着することを防止することができる。さら
に、ダイボンド用凹部２３は、その内部にＬＥＤチップ
２４が実装できればよいので、そのサイズを小さくする
ことができるため、ＬＥＤチップ２４の近傍に、ＬＥＤ
放出光の反射面として、ダイボンド用凹部２３の内面２
３ａを配置することができる。これにより、ＬＥＤチッ
プ２４の放出光を広い範囲に拡散させずにＬＥＤチップ
２４の上方に反射させることができ、輝度をアップさせ
ることができる。
ダイパッド部２５ａの形成位置が低いため、ＬＥＤチッ
プ２４のダイボンド時、Agペースト等のダイボンドペー
ストがＬＥＤ実装用凹部２２の底面に形成されたパッド
部２６ａに付着することを防止することができる。さら
に、ダイボンド用凹部２３は、その内部にＬＥＤチップ
２４が実装できればよいので、そのサイズを小さくする
ことができるため、ＬＥＤチップ２４の近傍に、ＬＥＤ
放出光の反射面として、ダイボンド用凹部２３の内面２
３ａを配置することができる。これにより、ＬＥＤチッ
プ２４の放出光を広い範囲に拡散させずにＬＥＤチップ
２４の上方に反射させることができ、輝度をアップさせ
ることができる。
【００１４】なお、ＬＥＤ実装用凹部２２やダイボンド
用凹部２３及び導体パターンの形状は実施例に限定され
ない。
用凹部２３及び導体パターンの形状は実施例に限定され
ない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本願発明の射出成形プリ
ント基板を用いてＬＥＤチップを実装すれば、Agペース
ト等のダイボンドペーストの流れ出しによるワイヤボン
ディング不良が防止できると共に、輝度アップを図るこ
とができる。
ント基板を用いてＬＥＤチップを実装すれば、Agペース
ト等のダイボンドペーストの流れ出しによるワイヤボン
ディング不良が防止できると共に、輝度アップを図るこ
とができる。
【図１】本願発明に係る射出成形プリント基板の一実施
例を示す構造図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図で
ある。
例を示す構造図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図で
ある。
【図２】従来のＬＥＤ実装方法の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来のＬＥＤ実装方法の異なる例を示す断面図
である。
である。
１ 絶縁基板 １ａ 凹部 ２，３ 金属層 ２ａ ダイパッド部 ３ａ パッド部 ４ ＬＥＤチップ ５ ボンディングワイヤ ６ 透明樹脂 ７，８ 外部端子 ９ 単結晶基板 １０ 絶縁物 １１ 分離領域 １２ 穴 １３ 反射膜 １４ ＬＥＤチップ １５ ダイボンドペースト １６ 金属配線 １７ ボンディングワイヤ １８ 絶縁膜 １９ 金属配線 １９ａ パッド部 ２０ パッド ２１ 射出成形プリント基板 ２２ ＬＥＤ実装用凹部 ２３ ダイボンド用凹部 ２３ａ 内面 ２４ ＬＥＤチップ ２５ ダイボンド用導体パターン ２５ａ ダイパッド部 ２６ ボンディングワイヤ接合用導体パター
ン ２７ ボンディングワイヤ ２８ 封止樹脂
ン ２７ ボンディングワイヤ ２８ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−175553（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−283883（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−47692（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00 H05K 1/18
Claims (1)
- 【請求項１】 射出成形プリント基板の表面に形成され
たＬＥＤ実装用凹部と、そのＬＥＤ実装用凹部の底面に
形成されたダイボンド用凹部と、前記射出成形プリント
基板の表面から前記ＬＥＤ実装用凹部の底面に配設され
たボンディングワイヤ接合用導体パターンと、前記射出
成形プリント基板の表面から前記ダイボンド用凹部の底
面に配設されたダイボンド用導体パターンを具備したこ
とを特徴とする射出成形プリント基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154875A JP2914097B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 射出成形プリント基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154875A JP2914097B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 射出成形プリント基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715046A JPH0715046A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2914097B2 true JP2914097B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=15593850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154875A Expired - Fee Related JP2914097B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 射出成形プリント基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914097B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP2287931A2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-23 | Samsung LED Co., Ltd. | A light emitting diode package |
| US9202989B2 (en) | 2010-11-19 | 2015-12-01 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device and optical device |
| US10090448B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-10-02 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device and method of making light-emitting module |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583444B2 (en) | 1997-02-18 | 2003-06-24 | Tessera, Inc. | Semiconductor packages having light-sensitive chips |
| JPH11163419A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
| CN1212676C (zh) * | 2001-04-12 | 2005-07-27 | 松下电工株式会社 | 使用led的光源装置及其制造方法 |
| JP2006294927A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コイル |
| US20060247741A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Fu-Yu Hsu | Phototherapy apparatus with the function of change-over to different wavelength |
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| JP5196107B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR100992778B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2010-11-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| JP4888473B2 (ja) | 2008-11-20 | 2012-02-29 | ソニー株式会社 | 実装基板 |
| JP5290792B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-09-18 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュールの製造方法 |
| JP5936810B2 (ja) | 2009-09-11 | 2016-06-22 | ローム株式会社 | 発光装置 |
| JP2015149448A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | ローム株式会社 | 発光モジュール、発光装置および発光モジュールの製造方法 |
| JP6711568B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2020-06-17 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154875A patent/JP2914097B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715046A (ja) | 1995-01-17 |
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