JP2002368281A - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
製法による不具合を解消し、発光ダイオード製品の品質
や信頼性を向上させ、更には小型化やコストダウンを可
能とする発光ダイオードの製造方法を提供すること。 【解決手段】 LED素子を多数実装した基板上の前記
LED素子を透光性樹脂で覆う第1の工程と、前記透光
性樹脂の硬化後に前記LED素子の中間部の前記透光性
樹脂を除去する第2の工程と、該第2の工程によって形
成された溝部に光反射性樹脂を充填する第3の工程と、
前記光反射性樹脂の硬化後に該光反射性樹脂を前記LE
D素子の周囲に残すように前記基板を切断して個々の発
光ダイオードに分離する第4の工程とを含むこと。なお
前記第1および第2の工程に代えて金型等を用いて島状
の透光性樹脂を形成する工程を実施してもよい。
Description
造方法に関する。更に詳しくは、製造上の利点を有する
発光ダイオードの新規な製造方法に関する。
と図6の斜視図を用いて説明する。図5において1は基
板であり、その上面の電極パターン(図示せず)に所定
の位置・間隔で多数のチップ状のLED素子2が実装さ
れており、金線等のボンディングワイヤ3等にて必要な
接続もされている。発光ダイオードの光利用率を上げる
ために光反射性の部材が必要である。10はそのための
反射枠で、光反射性とするため白色の熱可塑性樹脂を射
出成形したものであり、厚さはLED素子2およびボン
ディングワイヤ3の全高よりも大である。反射枠10に
は基板1上のLED素子2に合わせた位置に多数の穴1
0aが形成されている。反射枠10の材質はとしては、
例えば液晶ポリマー、PBT(ポリブチレンテレフタレ
ート)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)等が用
いられる。
て接着した後、LED素子2が嵌入した各々の穴10a
内に液状の透光性樹脂4を注入し、樹脂を硬化させる。
透光性樹脂4は透明であり内部のLED素子が見えるの
で、図面ではこの部分のみを透視図で表現してある。透
光性樹脂4には通常透明な熱硬化性樹脂、例えばエポキ
シ樹脂が使用される。これにより各LED素子2は樹脂
封止され、また発光した光は穴10aの白色の内面で反
射され効率よく利用されることになる。透光性樹脂4の
硬化後、ダイシング装置を用いて基板1と反射枠10と
は同時に、矢印線で示したカッティングライン8に沿っ
て薄いダイシングブレード(図示せず)で切込むことに
より縦横に切断され、樹脂封止されたLED素子を一個
づつ含んだ個々の発光ダイオードに分離される。
ては以下の問題点がある。 (1)透光性樹脂4(熱硬化性樹脂)と反射枠10(熱
可塑性樹脂)との熱膨張係数を合わせることが困難であ
るため、リフロー工程等加熱される工程において例えば
LED素子の剥がれ、ボンディングワイヤの断線、反射
枠の剥がれ等の不具合が起ることがあり、製造上の歩留
りと製品の信頼性向上に限界があった。
面であるから、カッティングで削除されて残る厚さは原
理的には極めて薄くてよい。しかし反射枠が射出成形で
作られるため、壁面の肉厚を極めて薄くできないのでラ
ンプ(発光ダイオード)の小型化に限界があった。 (3)基板と反射枠を貼り合わせるので、貼り公差すな
わち接着の位置ずれ量を考慮しなければならない。この
こともランプの更なる小型化を妨げる要因となってい
た。また接着剤(エポキシ樹脂系が用いられる)の穴内
や枠外へのはみ出しも不具合の原因の一つであった。 (4)また反射枠の成形には金型等の設備を用いるの
で、殊に少量生産の場合低コスト化が困難であった。
した反射枠を用いることによる不具合を解消し、発光ダ
イオード製品の品質や信頼性を向上させ、更には小型化
やコストダウンも可能とする発光ダイオードの製造方法
を提供することである。
本発明の発光ダイオードの製造方法は次の特徴を備え
る。 (1)LED素子を多数実装した基板上の前記LED素
子を透光性樹脂で覆う第1の工程と、前記透光性樹脂の
硬化後に前記LED素子の中間部の前記透光性樹脂を除
去する第2の工程と、該第2の工程によって除去された
溝部に光反射性樹脂を充填する第3の工程と、前記光反
射性樹脂の硬化後に該光反射性樹脂を前記LED素子の
周囲に残すように前記基板を切断して個々の発光ダイオ
ードに分離する第4の工程とを含むこと。
(1)の特徴に加えて更に以下の特徴を備えることがあ
る。 (2)前記第2の工程および前記第4の工程はダイシン
グ装置を使用して行うこと。
(1)および(2)の特徴に加えて更に以下の特徴を備
えることがある。 (3)前記第2の工程においては比較的に幅の広いダイ
シングブレードを用い、前記第4の工程においては比較
的に幅の狭いダイシングブレードを用いること。
次の特徴を備えることがある。 (4)LED素子を多数実装した基板の前記個々のLE
D素子を包む島状の透光性樹脂で覆う第1の工程と、前
記透光性樹脂の硬化後に前記島状の透光性樹脂の間隙に
光反射性樹脂を充填する第2の工程と、前記光反射性樹
脂の硬化後に該光反射性樹脂を前記LED素子の周囲に
残すように前記基板を切断して個々の発光ダイオードに
分離する第3の工程とを含むこと。
(1)ないし(4)のいずれかの特徴に加えて更に以下
の特徴を備えることがある。 (5)前記透光性樹脂の基材と前記光反射性樹脂の基材
とに近似の性質のあるいは同一の樹脂を用いたこと。
の製造工程の要所を示した図1ないし図4を用いて説明
する。図1は発光ダイオードの分離工程を示す斜視図、
図2は基板全面を透光性樹脂で被覆した状態を示す斜視
図、図3は発光ダイオードの周囲に透光性樹脂を島状に
形成する工程を示す斜視図、図4は島状の透光性樹脂の
間隙に光反射性樹脂を充填した状態を示す斜視図であ
る。各図は基板の全面でなく、角に近い一部を示してい
る。また実際の工程は図2、図3、図4、図1の順に進
行するので以下の説明はこの順番に行う。
所定位置に実装された基板1を用意し、その上面にLE
D素子2を埋没させるに十分でかつ一様な厚さに液状の
透光性樹脂4(普通、半導体の封止に適したエポキシ樹
脂が選択される)を流した後硬化させ、LED素子を封
止する(第1の工程とする)。硬化後の状態を図2に示
す。なお透光性樹脂4は透明で内部が透視できるものと
して、従来例(図6)と同様にこの部分を透視図で表し
た。これは他の図でも同様である。
においては、LED素子2の中間の透光性樹脂4の層を
ダイシング装置を用い、発光ダイオードを切断分離する
際に用いるよりも幅の広い、厚いダイシングブレード6
をカットライン8に沿って走らせる縦横方向のハーフダ
イシング(基板1を切断しない切削または研削加工)に
より除去し、透光性樹脂4を基板1の上面に島状に残
し、各島状部の中間に縦横に交差した溝9を形成する。
溝9の深さは基板1の上面に極めて近いかあるいは基板
1に浅く切り込む程度がよい。
った結果を示す。本工程では溝9内に光反射性樹脂5を
透光性樹脂4とほぼ同じ厚さになるよう充填し、かつ硬
化させる。光反射性樹脂5は反射性を良くした材質が好
ましく、例えば白色顔料を混入したエポキシ樹脂を使用
する。充填作業では複雑な金型を必要としない。また光
反射性樹脂5は透光性樹脂4とは樹脂の基材が同質(エ
ポキシ系)であれば相互の接合も強く、また基板1の基
材もエポキシ樹脂であればそれともよく接合する。また
各部材の熱的性質(例えば熱膨張率)や場合によっては
他の機械的な性質も揃えやすく、従来例で述べたような
不具合が生じ難い。なお、溝に充填された光反射性樹脂
5の存在部位を明瞭に示すため、図4においてのみはそ
の表面に打点を行ってある。
途中の状態を模式的に示している。本工程においては、
充填された光反射性樹脂5の幅の中央部を、下部の基板
1と諸共に、薄い(通常の切断用の厚さの)ダイシング
ブレード6を用い、溝9(本図には図示せず)の中央を
通るカッティッグライン8に沿って切断し、個々の発光
ダイオードのランプに分離する。ダイシングブレード6
の幅が溝幅よりも狭いため、分離された発光ダイオード
の周囲には光反射性樹脂5の薄い層が残り、その内面が
光反射面として作用する。この反射層は島状の透光性樹
脂4の側面と強固に接合しているためかなり薄くて差し
支えなく、分離された発光ダイオードのサイズの小型化
に寄与する。この製造方法により、従来品と発光性能や
機械的性質に差がなく、しかも品質、サイズ、コスト面
での長所を有する発光ダイオード製品が量産的に得られ
る。
明したが、本発明の実施の形態はもとより本例に捕らわ
れるべきではない。以下にいくつかの変更例を示す。 (1)光反射性樹脂を充填する溝を形成するには必ずし
も厚さの異なるブレードを必要としない。同じ幅のブレ
ードで溝の形成と発光ダイオードの分離を切込み深さを
変えて行うこともできる。溝の幅が必要な場合には薄い
ブレードを切込みを浅くして複数回平行に走らせればよ
い。 (2)光反射性樹脂を充填する空間形成のため、島状の
透光性樹脂を切削でなく他の方法、例えば金型等を用い
て形成してもよい。
く、また光散乱性を与えられていてもよい。例えば青色
LEDを用いたり、更に透光性樹脂に蛍光剤を混ぜ白色
発光などの色変換をさせてもよい。 (4)LED素子やボンディングの型式は任意である。 (5)2個以上の個数のLED素子を透光性樹脂で封止
し、それらの周囲に光反射性樹脂を残すように切断分離
してもよい。
樹脂を残したまま、それらをまとめて切断分離してもよ
い。なおこの場合には分離カットされない部分の光反射
性樹脂が充填される溝の幅をカッティングブレードの幅
およびその公差分だけ狭くしLED素子同志を近接させ
ワンパッケージされた発光ダイオードを小型化ことがで
きる。なお、基板や透光性樹脂や光反射性樹脂の材質の
選択も、本発明の製造方法が適用できる限り任意であ
る。また説明したのは工程の主要部のみであり、その中
間に必然的に挿入される補足的なあるいは常識的な工程
については説明を省略した。
反射性樹脂との熱的性質や機械的性質を容易に合わせる
ことができるため、加熱工程において発生するトラブル
を避け、製造上の歩留りと製品の信頼性を向上させるこ
とができる。 (2)本発明においては光反射性樹脂の厚さをかなり薄
くできるので、発光ダイオードの小型化を図ることがで
きる。
がないので光反射性部材の位置ずれが起こらず、その公
差に相当する発光ダイオードの小型化を可能とするし、
接着剤のはみ出しによる不具合も解消される。 (4)本発明においては光反射性部材の成形に必ずしも
金型等の設備を必要としないので、殊に少量生産の場合
に低コスト化を図ることができる。
ードの分離工程を示す斜視図である。
透光性樹脂で被覆した状態を示す斜視図である。
ードの周囲に透光性樹脂を島状に形成する工程を示す斜
視図である。
性樹脂の間隙に光反射性樹脂を充填した状態を示す斜視
図である。
視図である。
す斜視図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 LED素子を多数実装した基板上の前記
LED素子を透光性樹脂で覆う第1の工程と、前記透光
性樹脂の硬化後に前記LED素子の中間部の前記透光性
樹脂を除去する第2の工程と、該第2の工程によって形
成された溝部に光反射性樹脂を充填する第3の工程と、
前記光反射性樹脂の硬化後に該光反射性樹脂を前記LE
D素子の周囲に残すように前記基板を切断して個々の発
光ダイオードに分離する第4の工程とを含むことを特徴
とする発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項2】 前記第2の工程および前記第4の工程は
ダイシング装置を使用して行うことを特徴とする請求項
1の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項3】 前記第2の工程においては比較的に幅の
広いダイシングブレードを用い、前記第4の工程におい
ては比較的に幅の狭いダイシングブレードを用いること
を特徴とする請求項2の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項4】 LED素子を多数実装した基板の前記個
々のLED素子を包む島状の透光性樹脂で覆う第1の工
程と、前記透光性樹脂の硬化後に前記島状の透光性樹脂
の間隙に光反射性樹脂を充填する第2の工程と、前記光
反射性樹脂の硬化後に該光反射性樹脂を前記LED素子
の周囲に残すように前記基板を切断して個々の発光ダイ
オードに分離する第3の工程とを含むことを特徴とする
発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項5】 前記透光性樹脂の基材と前記光反射性樹
脂の基材とに近似の性質のあるいは同一の樹脂を用いた
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかの発光ダ
イオードの製造方法。
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---|---|---|---|
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US10/166,622 US6638780B2 (en) | 2001-06-12 | 2002-06-12 | Method for manufacturing light emitting diode devices |
US10/652,037 US7187009B2 (en) | 2001-06-12 | 2003-09-02 | Light emitting diode device for illumination objects |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006169212A Division JP2006245626A (ja) | 2006-06-19 | 2006-06-19 | 発光ダイオードの製造方法および構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002368281A true JP2002368281A (ja) | 2002-12-20 |
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001177821A Expired - Lifetime JP3844196B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6638780B2 (ja) |
JP (1) | JP3844196B2 (ja) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032454A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法 |
JP2006106479A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Towa Corp | 透光性部材、光デバイス、及び光デバイスの組立方法 |
JP2006245626A (ja) * | 2006-06-19 | 2006-09-14 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法および構造 |
JP2007005801A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属反射層を形成したledパッケージ及びその製造方法 |
JP2007059492A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フレネルレンズ付チップledの構造およびその製造方法。 |
JP2007235085A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-09-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
US7491977B2 (en) | 2004-02-04 | 2009-02-17 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2009152482A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Citizen Electronics Co Ltd | 反射枠付表面実装型led |
JP2009164157A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2010505254A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクロニクスデバイスのためのハウジング、オプトエレクトロニスクデバイスおよびオプトエレクロニクスデバイスのためのハウジングを製造する方法 |
JPWO2009066430A1 (ja) * | 2007-11-19 | 2011-03-31 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
US7985357B2 (en) | 2005-07-12 | 2011-07-26 | Towa Corporation | Method of resin-sealing and molding an optical device |
US8193558B2 (en) | 2004-04-26 | 2012-06-05 | Towa Corporation | Optical electronic component |
JP2012199411A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2012227346A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2013051431A (ja) * | 2012-10-25 | 2013-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
US9024343B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2015181201A (ja) * | 2006-02-03 | 2015-10-15 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
US9196801B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-11-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Lighting device and method of manufacturing the same |
US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9673360B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-06 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device using strip-shaped first resin members |
DE102017113231A1 (de) | 2016-06-30 | 2018-01-04 | Nichia Corporation | Lichtemittierende Vorrichtungund Verfahren zum Herstellen der Lichtemittierenden Vorrichtung |
KR20180003423A (ko) | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
JP2018022758A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US10243122B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-03-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device |
DE112018000656T5 (de) | 2017-02-02 | 2019-10-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | LED-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP2019201141A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | スタンレー電気株式会社 | 発光機能を備えた光透過プレートおよびその製造方法 |
JP2021064698A (ja) * | 2019-10-14 | 2021-04-22 | 豊田合成株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US11056617B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Manufacturing method of light-emitting device having a recess defined by a base and lateral surfaces of a first and a second wall |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4789350B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2011-10-12 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
US6977187B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-12-20 | Foster-Miller, Inc. | Chip package sealing method |
US6890781B2 (en) * | 2002-06-25 | 2005-05-10 | Uni Light Technology Inc. | Transparent layer of a LED device and the method for growing the same |
US7734168B2 (en) * | 2003-01-21 | 2010-06-08 | Fujifilm Corporation | Lighting apparatus, electronic flash apparatus and camera |
JP2004265977A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Noritsu Koki Co Ltd | 発光ダイオード光源ユニット |
US6885033B2 (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-26 | Cree, Inc. | Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same |
US7145182B2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-12-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Integrated emitter devices having beam divergence reducing encapsulation layer |
US7898821B2 (en) * | 2003-12-10 | 2011-03-01 | Nokia Corporation | Apparatus and arrangement for shielding a light emitting diode against electrostatic discharge |
CN1860329A (zh) * | 2004-01-29 | 2006-11-08 | 松下电器产业株式会社 | Led照明光源 |
US7086756B2 (en) | 2004-03-18 | 2006-08-08 | Lighting Science Group Corporation | Lighting element using electronically activated light emitting elements and method of making same |
US7824065B2 (en) | 2004-03-18 | 2010-11-02 | Lighting Science Group Corporation | System and method for providing multi-functional lighting using high-efficiency lighting elements in an environment |
US20050227394A1 (en) * | 2004-04-03 | 2005-10-13 | Bor-Jen Wu | Method for forming die protecting layer |
US7215086B2 (en) * | 2004-04-23 | 2007-05-08 | Lighting Science Group Corporation | Electronic light generating element light bulb |
US7367692B2 (en) * | 2004-04-30 | 2008-05-06 | Lighting Science Group Corporation | Light bulb having surfaces for reflecting light produced by electronic light generating sources |
US7319293B2 (en) * | 2004-04-30 | 2008-01-15 | Lighting Science Group Corporation | Light bulb having wide angle light dispersion using crystalline material |
EP1659641B1 (en) * | 2004-11-23 | 2012-01-11 | Centro Ricerche Plast-Optica S.p.A. | Process for manufacturing light emitting devices and device thereof |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
KR100674871B1 (ko) * | 2005-06-01 | 2007-01-30 | 삼성전기주식회사 | 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
KR20080037734A (ko) * | 2005-08-23 | 2008-04-30 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치와 그를 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치 |
US20080151562A1 (en) * | 2005-11-02 | 2008-06-26 | Hwa Su | Fabrication structure for light emitting diode component |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
JP2007201361A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2007207921A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型光半導体デバイスの製造方法 |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9780268B2 (en) | 2006-04-04 | 2017-10-03 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
KR20090031370A (ko) | 2006-05-23 | 2009-03-25 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US8367945B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US20090095056A1 (en) * | 2007-05-14 | 2009-04-16 | Dewald Iii Charles | Device and method for determining evaporation rate potential |
CN101388161A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
KR101361575B1 (ko) | 2007-09-17 | 2014-02-13 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
TW200946836A (en) * | 2008-02-08 | 2009-11-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Optical element and manufacturing method therefor |
DE102008014927A1 (de) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen und strahlungsemittierendes Bauelement |
JP5064278B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-10-31 | 日東電工株式会社 | 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 |
CN100595480C (zh) * | 2008-07-01 | 2010-03-24 | 钟英 | 一种无暗区的led无缝发光装置 |
JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
EP2237328B1 (en) * | 2009-03-31 | 2017-08-02 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component |
JP5302117B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2013-10-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置搭載用基板 |
JP2011009298A (ja) | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード光源装置 |
JP2012080085A (ja) | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 支持体及びそれを用いた発光装置 |
US8486724B2 (en) | 2010-10-22 | 2013-07-16 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Wafer level reflector for LED packaging |
EP2666193B1 (en) | 2011-01-17 | 2020-07-29 | Lumileds Holding B.V. | Led package comprising encapsulation |
JP5840388B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2016-01-06 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置 |
JP5633480B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2014-12-03 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP5682497B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板 |
JP6141024B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
US10134961B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-11-20 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US10222032B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-03-05 | Cree, Inc. | Light emitter components and methods having improved electrical contacts |
US9735198B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
US8901831B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-12-02 | Lighting Science Group Corporation | Constant current pulse-width modulation lighting system and associated methods |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
DE102014215939A1 (de) * | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Osram Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer solchen |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
CN109388002B (zh) * | 2017-08-03 | 2020-12-08 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 荧光芯片及其制造方法和发光装置 |
US11112652B2 (en) * | 2018-12-11 | 2021-09-07 | Lg Display Co., Ltd. | Backlight unit and display device including the same technical field |
FR3095550B1 (fr) * | 2019-04-26 | 2021-05-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d’un dispositif photo-emetteur et/ou photo-recepteur a grille de separation optique metallique |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1093132A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sharp Corp | 光結合装置 |
JP2001118865A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Japan Rec Co Ltd | 光電子部品の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57194588A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting diode substrate |
US5226052A (en) * | 1990-05-08 | 1993-07-06 | Rohm, Ltd. | Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode |
US5723363A (en) * | 1995-09-29 | 1998-03-03 | Siemens Components, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP3526731B2 (ja) * | 1997-10-08 | 2004-05-17 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6235612B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Edge bond pads on integrated circuits |
JP3556503B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2004-08-18 | 沖電気工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP4789350B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2011-10-12 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001177821A patent/JP3844196B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-12 US US10/166,622 patent/US6638780B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-02 US US10/652,037 patent/US7187009B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1093132A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sharp Corp | 光結合装置 |
JP2001118865A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Japan Rec Co Ltd | 光電子部品の製造方法 |
Cited By (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7491977B2 (en) | 2004-02-04 | 2009-02-17 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
US8696951B2 (en) | 2004-04-26 | 2014-04-15 | Towa Corporation | Manufacturing method of optical electronic components and optical electronic components manufactured using the same |
US8193558B2 (en) | 2004-04-26 | 2012-06-05 | Towa Corporation | Optical electronic component |
JP2006032454A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法 |
JP2006106479A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Towa Corp | 透光性部材、光デバイス、及び光デバイスの組立方法 |
US8222059B2 (en) | 2004-10-07 | 2012-07-17 | Towa Corporation | Method transparent member, optical device using transparent member and method of manufacturing optical device |
US7687292B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-03-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package with metal reflective layer and method of manufacturing the same |
JP2007005801A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属反射層を形成したledパッケージ及びその製造方法 |
US7985357B2 (en) | 2005-07-12 | 2011-07-26 | Towa Corporation | Method of resin-sealing and molding an optical device |
US8771563B2 (en) | 2005-07-12 | 2014-07-08 | Towa Corporation | Manufacturing method of optical electronic components and optical electronic components manufactured using the same |
JP2007059492A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フレネルレンズ付チップledの構造およびその製造方法。 |
JP2007235085A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-09-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
JP2015181201A (ja) * | 2006-02-03 | 2015-10-15 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
JP2006245626A (ja) * | 2006-06-19 | 2006-09-14 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法および構造 |
JP2010505254A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクロニクスデバイスのためのハウジング、オプトエレクトロニスクデバイスおよびオプトエレクロニクスデバイスのためのハウジングを製造する方法 |
US8476114B2 (en) | 2006-09-29 | 2013-07-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component, and method for producing a housing for an optoelectronic component |
JPWO2009066430A1 (ja) * | 2007-11-19 | 2011-03-31 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
JP2009152482A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Citizen Electronics Co Ltd | 反射枠付表面実装型led |
US9024343B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9806234B2 (en) | 2007-12-28 | 2017-10-31 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10559721B2 (en) | 2007-12-28 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2009164157A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2012199411A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2012227346A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
US9196801B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-11-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Lighting device and method of manufacturing the same |
US9484509B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-11-01 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Lighting device and method of manufacturing the same |
JP2013051431A (ja) * | 2012-10-25 | 2013-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
US9673360B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-06 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device using strip-shaped first resin members |
US9997680B2 (en) | 2013-12-17 | 2018-06-12 | Nichia Corporation | Light emitting device having first and second resin layers |
US10243122B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-03-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device |
US10396261B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-08-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
DE102017113231A1 (de) | 2016-06-30 | 2018-01-04 | Nichia Corporation | Lichtemittierende Vorrichtungund Verfahren zum Herstellen der Lichtemittierenden Vorrichtung |
US11227983B2 (en) | 2016-06-30 | 2022-01-18 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
KR20180003423A (ko) | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
JP2018022758A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
DE112018000656T5 (de) | 2017-02-02 | 2019-10-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | LED-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben |
US11626546B2 (en) | 2017-02-02 | 2023-04-11 | Citizen Electronics Co., Ltd. | LED package and method for manufacturing same |
JP2019201141A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | スタンレー電気株式会社 | 発光機能を備えた光透過プレートおよびその製造方法 |
JP7085894B2 (ja) | 2018-05-17 | 2022-06-17 | スタンレー電気株式会社 | 発光機能を備えた光透過プレートおよびその製造方法 |
US11056617B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Manufacturing method of light-emitting device having a recess defined by a base and lateral surfaces of a first and a second wall |
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