JP2009152482A - 反射枠付表面実装型ｌｅｄ - Google Patents

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Abstract

【課題】電子機器等のプリント配線基板等に反射枠付表面実装型ＬＥＤを実装後も発光面からの極性識別が容易な反射枠付表面実装型ＬＥＤを提供すること。
【解決手段】発光面を除く光透過性樹脂面に反射枠を形成し、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の好ましくはカソード側の電極の外側反射枠に更にもうひとつ反射層を設け、あるいは、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の好ましくはカソード側の電極の反射枠の厚みを厚くして、対向するいずれかひとつの電極側の反射枠を非対称構造とすることで、反射枠形成と同一工程で極性識別マークを付与する。
【選択図】図２

Description

本発明は、表面実装型ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）に係り、このＬＥＤの識別マークに関する。
表面実装型ＬＥＤは、電極を施した基板上にＬＥＤ素子を搭載し、ダイボンドおよびワイヤボンド等により前記電極と導通を行い、前記ＬＥＤ素子および導通部保護のために光透過性樹脂で封止する。そして、前記表面実装型ＬＥＤは、電子機器等のプリント配線基板等に適宜実装される。
また、これら表面実装型ＬＥＤには、照射光を効率よく一方向に出力するために発光面を除く光透過性樹脂面に反射枠を形成する構造のものがある。（例えば、特許文献１）
しかるに、面実装型ＬＥＤを供給テープにマウント、あるいは電子機器等のプリント配線基板に自動搭載、あるいはプリント配線基板の目視検査または補修時には、前記面実装型ＬＥＤの極性識別が必要となる。このため、ＬＥＤ素子を樹脂封止する際に面実装型ＬＥＤの一部に極性識別マークを配置していた。（例えば、非特許文献１）
特開２００２−３６８２８１号公報 日亜化学工業（株）「ＮＳＳＷ１００ＣＴ．ｐｄｆ」頁１０
しかしながら、上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
特許文献１では、表面実装型ＬＥＤを構成する基板と反射枠の接着強度を増加する構造と製法であって、裏面の電極の一部に電極配線形成と同一工程で極性識別マークを付与することは出来るが、発光面は光透過性樹脂封止後に反射枠形成をする構造であって、極性識別マークを考慮していないため、発光面側から極性を判別することができないという課題があった。
非特許文献１では、表面実装型ＬＥＤの反射枠に極性識別マークを印刷しているため、極性マーク付与に印刷工程が一工程増加するという課題があった。
本発明は前述の課題に対して、表面実装型ＬＥＤの反射枠形成と同一工程で極性識別マークを付与することができて、発光面からの極性識別が容易な反射枠付表面実装型ＬＥＤを提供することを目的とする。
本発明の反射枠付表面実装型ＬＥＤは、基本的には下記記載の構成要件を採用するものである。
基板上にＬＥＤ素子を搭載し、前記ＬＥＤ素子および前記ＬＥＤ素子と前記基板の電極導通部を光透過性樹脂で封止し、前記光透過性樹脂の発光面を除く光透過性樹脂面に反射枠を形成した表面実装型ＬＥＤにおいて、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の反射枠を非対称構造としたことを特徴とする。
また、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の反射枠が二重の反射枠構造であることを特徴とする。
また、前記表面実装型ＬＥＤのカソード側の反射枠が二重の反射枠構造であることを特徴とする。
つまり、反射枠は光透過性樹脂の発光面を除く周囲を囲う形状であるが、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の外側に更にもうひとつ反射層を設けてある。そして、好ましくはカソード側の電極の反射枠を二重にしてある。
また、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の反射枠は他の反射枠と厚みを違えたことを特徴とする。
また、前記表面実装型ＬＥＤのカソード側の反射枠は他の反射枠より厚いことを特徴とする。
つまり、反射枠は光透過性樹脂の発光面を除く周囲を囲う形状であるが、対向するいずれかひとつの電極側のみ反射枠の層厚を違えてある。そして、好ましくはカソード側の電極の反射枠の層厚を厚くしてある。
本発明によれば、表面実装型ＬＥＤの発光面側から見える反射枠の形状がアノード側とカソードで明らかに異なる形状であることから、発光面からの極性識別が容易な反射枠付表面実装型ＬＥＤを提供することができる。また、この極性識別マークは、同一の反射枠形成工程で形成できることから、反射枠付表面実装型ＬＥＤの形成工程とコストを大幅に削減できる。
本発明による面実装型ＬＥＤの実施形態を図面にもとづき説明する。本発明の最も特徴的な構造は、面実装型ＬＥＤの封止樹脂外側に形成する反射枠に極性表示部を形成することである。
図１ａ、図１ｂ、図２，図３は本発明による反射枠付表面実装型ＬＥＤの第１の実施例である。図１ａは第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの正面図である。図１ｂは第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの側断面図である。図２は第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの断面図である。図３は第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの斜視図である。
まず、図１ａ、図１ｂ、図２、図３にもとづいて、第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤ１００の特徴的な構造について説明する。
図１ａ、図１ｂ、図２，図３の反射枠付表面実装型ＬＥＤ１００において、ＬＥＤ素子１ａ、１ｂは、上下面に電極を施した基板２の上面電極３の上にダイボンドし、ＬＥＤ素子１ａ、１ｂのアノードおよびカソードは上面電極３の各電極と金ワイヤ１１を用いて導通接続してある。
上面電極３と下面電極４ａ、４ｂのパターンは銅ペースト８ａ、８ｂでそれぞれ導通していて、ここでは下面電極４ａがカソード電極、下面電極４ｂがアノード電極である。また、上面電極３と下面電極４ａ、４ｂのパターンはスルーホール９ａ、９ｂでも接続しているが、このスルーホール９ａ、９ｂは、表面実装型ＬＥＤ１００を電子機器等のプリント配線基板等に搭載した場合に表面実装型ＬＥＤとプリント配線との半田接続の強度確保のためである。フィルムレジスト１０は、後述の光透過性樹脂５を形成時に樹脂がスルーホール９ａ、９ｂに流入しないための保護膜である。
次に、反射枠付表面実装型ＬＥＤ１００の発光面側１２の構造を説明する。
ＬＥＤ素子１ａ、１ｂおよび上面電極３と金ワイヤ１１等の導通部は、これら導通部保護のため光透過性樹脂５（通常は透明なエポキシ樹脂）で覆い、光透過性樹脂５の発光面側１２を除く光透過性樹脂面に反射枠６（酸化チタンなどのフィラー混入樹脂）を形成してある。
符号７は実施例１の極性識別マークである。
つまり、極性識別マーク７は、光透過性樹脂５の発光面側１２を除く周囲に形成したカソード側の反射枠６のさらに外側に反射枠６と同一部材で形成してある。
ここで、極性識別マーク７の形成方法の一例を説明する。
まず、導通部のある発光面側１２は光透過性樹脂５で覆う。次に、反射枠６を形成する部位をダイシングブレードで光透過性樹脂５を除去して溝を形成する。このダイシングブレード工程で反射枠付表面実装型ＬＥＤ１００の対向するいずれかの電極側（好ましくはカソード側）に極性識別マーク７の溝を同時に形成する。５ａ、５ｂ、５ｃは、ダイシングブレード工程で生じた光透過性樹脂５の島状樹脂部であって、島状樹脂部５ａと５ｂ間が極性識別マーク７となる。次に、ダイシングブレードで形成した溝に反射枠６を形成する樹脂を注入する。つまり、表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の反射枠が二重の反射枠構造となっている。この反射枠６の外側に形成した反射層は照射光の効率には寄与しないが、発光面側１２から明瞭な極性マークとして識別できる。
なお、極性識別マーク７の溝の深さは、図２に示すように他の反射枠６の溝より浅く形成してある。これは、識別マーク側の切り込み溝が多く、島状樹脂部５ｃに比べて５ａ、５ｂの幅が狭く、強度がない。樹脂部５ａ、５ｂの識別マーク側の切り込み溝が浅いのは樹脂部５ａ、５ｂの底部を連結して形成樹脂の強度を損なわないためである。
また、上述の反射枠付表面実装型ＬＥＤ１００の形成方法は、多数個取りを前提にした構造である。従って、前述のダイシングブレード工程が、あらかじめ反射枠６および極性識別マーク７を同時形成できる型枠形成工程であってもよい。
次に、本発明による反射枠付表面実装型ＬＥＤの第２の実施例を説明する。図４は第２の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの斜視図である。実施例１と異なる点は、識別マークの形状であり、実施例１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
図４の反射枠付表面実装型ＬＥＤ２００において、２７ｂが実施例２の極性識別マークである。実施例１の極性識別マーク７が光透過性樹脂５の発光面側１２を除く周囲に形成した前記表面実装型ＬＥＤ１００の対向するいずれかひとつの電極側（好ましくはカソード側）の反射枠６のさらに外側に二重に反射枠を形成した構造であった。この実施例１の構造に対して、実施例２の極性識別マーク２７ｂは、他の反射枠と厚みを違えた（好ましくは他の反射枠より厚い）反射枠が１個である。
つまり、極性識別マーク２７ｂの光透過性樹脂５との境界は照射光の効率に寄与し、かつ、極性識別マーク２７ｂと対向する反射枠６と厚みが異なるため、発光面側１２から明瞭な極性マークとして識別できる。
以上述べたように、本発明によれば、表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の、好ましくはカソード側の電極の外側反射枠に更にもうひとつ反射層を設け、あるいは、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の、好ましくはカソード側の電極の反射枠の厚みを厚くして、対向するいずれかひとつの電極側の反射枠を非対称構造とすることで、反射枠形成と同一工程で極性識別マークを付与する。この結果、反射枠付表面実装型ＬＥＤを電子機器等のプリント配線基板等に実装後も発光面からの極性識別が容易で、大幅なコスト削減が可能な反射枠付表面実装型ＬＥＤを提供できる。
第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの正面図である。 第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの側断面図である。 第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの断面図である。 第１の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの斜視図である。 第２の実施例における反射枠付表面実装型ＬＥＤの斜視図である。
符号の説明
１００、２００ 反射枠付表面実装型ＬＥＤ
１ａ、１ｂ ＬＥＤ素子
２ 基板
３ 上面電極
４ａ、４ｂ 下面電極
５ 光透過性樹脂
６ 反射枠
７、２７ｂ 極性識別マーク
８ａ、８ｂ 銅ペースト
９ａ、９ｂ スルーホール
１０ フィルムレジスト
１１ 金ワイヤ
１２ 発光面側

Claims (5)

  1. 基板上にＬＥＤ素子を搭載し、前記ＬＥＤ素子および前記ＬＥＤ素子と前記基板の電極導通部を光透過性樹脂で封止し、前記光透過性樹脂の発光面を除く光透過性樹脂面に反射枠を形成した表面実装型ＬＥＤにおいて、前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の反射枠を非対称構造としたことを特徴とする反射枠付表面実装型ＬＥＤ。
  2. 前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の反射枠が二重の反射枠構造であることを特徴とする請求項１記載の反射枠付表面実装型ＬＥＤ。
  3. 前記表面実装型ＬＥＤのカソード側の反射枠が二重の反射枠構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項２記載の反射枠付表面実装型ＬＥＤ。
  4. 前記表面実装型ＬＥＤの対向するいずれかひとつの電極側の反射枠は他の反射枠と厚みを違えたことを特徴とする請求項１記載の反射枠付表面実装型ＬＥＤ。
  5. 前記表面実装型ＬＥＤのカソード側の反射枠は他の反射枠より厚いことを特徴とする請求項１および請求項４記載の反射枠付表面実装型ＬＥＤ。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011021402A1 (ja) * 2009-08-21 2011-02-24 パナソニック株式会社 発光装置
DE102012216852A1 (de) 2011-09-21 2013-03-21 Citizen Electronics Co., Ltd. Licht aussendende Vorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung, welche die Licht aussendende Vorrichtung beinhaltet, und Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung
JP2013247301A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2015118993A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
WO2016137227A1 (ko) * 2015-02-24 2016-09-01 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
JP2019165122A (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US11815231B2 (en) 2021-09-28 2023-11-14 Nichia Corporation Light source and light emitting module

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368281A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2005101283A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2006344717A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007123704A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
JP2007300021A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368281A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2005101283A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2006344717A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007123704A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
JP2007300021A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011021402A1 (ja) * 2009-08-21 2011-02-24 パナソニック株式会社 発光装置
JPWO2011021402A1 (ja) * 2009-08-21 2013-01-17 パナソニック株式会社 発光装置
US9159887B2 (en) 2011-09-21 2015-10-13 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device including the light-emitting device, and method of manufacturing the light-emitting device
JP2013069765A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法。
US9022828B2 (en) 2011-09-21 2015-05-05 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device including the light-emitting device, and method of manufacturing the light-emitting device
DE102012216852A1 (de) 2011-09-21 2013-03-21 Citizen Electronics Co., Ltd. Licht aussendende Vorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung, welche die Licht aussendende Vorrichtung beinhaltet, und Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung
CN103022010A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 西铁城电子株式会社 发光装置、照明装置和制造该发光装置的方法
JP2013247301A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US9997680B2 (en) 2013-12-17 2018-06-12 Nichia Corporation Light emitting device having first and second resin layers
JP2015118993A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US9691945B2 (en) 2014-01-13 2017-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US9431583B2 (en) 2014-01-13 2016-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
WO2016137227A1 (ko) * 2015-02-24 2016-09-01 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
JP2019165122A (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US11815231B2 (en) 2021-09-28 2023-11-14 Nichia Corporation Light source and light emitting module

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