CN1860329A - Led照明光源 - Google Patents
Led照明光源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1860329A CN1860329A CNA2005800010801A CN200580001080A CN1860329A CN 1860329 A CN1860329 A CN 1860329A CN A2005800010801 A CNA2005800010801 A CN A2005800010801A CN 200580001080 A CN200580001080 A CN 200580001080A CN 1860329 A CN1860329 A CN 1860329A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lighting source
- led
- led lighting
- skeleton
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 113
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- -1 pottery Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical class [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/68—Details of reflectors forming part of the light source
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
- F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
一种LED照明光源,包括:具有上面及下面的基板,在所述基板的上面排列的多个LED元件,以及具有反射各LED元件发出的光中的至少一部分的反射面的反射部件;所述反射部件,具备树脂和由弯曲刚性大于所述树脂的材料形成的骨架。
Description
技术领域
[0001]
本发明涉及LED照明光源,特别涉及宜于作为一般照明用的白色光源使用的LED照明光源。
背景技术
[0002]
发光二极管元件(以下称作“LED元件”),是体积小、效率高、能够发出颜色艳丽的光的半导体元件,具有优异的单色性峰值。用LED元件发出白光时,例如只要将红色LED元件、绿色LED元件和蓝色LED元件相邻配置,使其扩散混色就行。可是,由于各LED元件具有优异的单色性峰值,所以存在着容易产生颜色不匀的问题。就是说,如果来自各LED元件的光不均匀、不能顺利进行地混色后,就会成为颜色不匀的白光。为了解决这种颜色不匀的问题,研制出将蓝色LED元件和黄色荧光体组合起来后获得白光的技术(例如专利文献1、专利文献2)。
[0003]
采用专利文献1公布的技术后,可以利用由来自蓝色LED元件的光和受该光的激发、发出黄光的黄色荧光体的光,得到白光。该技术因为只用1种LED元件就可以得到白光,所以能够消除使多种LED元件邻接后获得白光时出现的颜色不匀的问题。
[0004]
专利文献2记述的炮弹型的LED照明光源,具有图1所示的结构。就是说,图1所示的炮弹型的LED照明光源200,由下述元件构成:LED元件121,收纳LED元件121的炮弹型的透明容器127,旨在向LED元件121供电的引线框架122a、122b。而且,在搭载LED元件121的框架122b的固定部,设置着将LED元件121的发光向箭头D的方向反射的杯形反射板123。LED元件121被使荧光物质126分散的第1树脂部124封闭,第1树脂部124被第2树脂部125覆盖。由LED元件121发出蓝光时,在该蓝光的作用下,荧光物质126发出黄光。其结果,蓝光和黄光互相混合,成为白光。
[0005]
另外,由于从1个LED元件获得的光束小,所以为了获得和作为今天的普通照明光源而广泛普及的白炽灯泡及荧光灯同等程度的光束,最好在同一基板上配置多个LED元件构成LED照明光源。这种LED照明光源,例如在专利文献3中记述着。
专利文献1:特开平10-242513号公报
专利文献2:日本专利第2998696号说明书
专利文献3:特开2003-124528号公报
[0006]
专利文献3公布了在散热基板上安装多个LED裸芯片的LED照明光源的技术。图2(a)及(b)示出这种LED照明光源。
[0007]
如图2(a)所示,在散热基板201是一个面上,安装着多个LED裸芯片202。与安装着多个LED裸芯片202的散热基板201相对,设置着光学反射板203。在光学反射板203上,形成与散热基板201上排列的LED裸芯片202对应的开口部(孔)203b。开口部203b的内壁面,作为反射面203a发挥作用。
[0008]
将安装着LED裸芯片202的散热基板201和光学反射板203组合后,就形成图2(b)所示的LED照明光源250。在图2(b)的LED照明光源250中,将树脂204填入光学反射板203的开口部203b,该树脂204发挥着透镜的作用。
[0009]
在LED照明光源250中,虽然在散热基板201上高密度地排列着多个LED裸芯片202,但散热基板201却能够有效地使多个LED裸芯片202产生的热量散发。因此,在LED照明光源250中,能够使大电流流入各LED裸芯片202,作为整体,可以获得强大的光束。
[0010]
光学反射板203,由金属(例如铝)或树脂构成。由金属形成光学反射板203时,能够利用金属的很高的热传导性,提高散热效果。另外,由于能够赋予光学反射板203的开口部203b的内壁面镜面性,所以可以原封不动地将金属板上形成的各开口部203b的内壁面作为反射面203a加以利用。但是,由金属形成光学反射板203时,由于需要高精度地形成开口部203b,所以使加工成本增加,存在光学反射板203的价格上升的问题。
[0011]
大量制造LED照明光源250时,与用金属制作光学反射板203相比,更希望用廉价的树脂制作。因为树脂制的光学反射板,可以使用模具便宜地大量制造。
[0012]
可是,使用树脂制的光学反射板203后,散热基板201有产生翘曲的危险。如前所述,将树脂204填入光学反射板203的开口部203b后,有时光学反射板203的上面被树脂204覆盖。由于树脂204和树脂制的光学反射板203一样,采用注射模具等成型方法制作,所以在其硬化之际收缩。这种树脂收缩,在基板上面的一侧发生后,光学反射板203就会作为整体,朝着与散热基板201的上面平行的方向收缩,从而使散热基板201产生很大的翘曲。这种翘曲,在散热基板201较薄时尤为显著。
[0013]
所以,要想防止使用树脂制的光学反射板203时产生的翘曲,就得加厚散热基板201,提高其强度。可是,加厚散热基板201后,不利于可以作为卡片型的LED照明光源加以利用的LED照明光源250薄型化,使具有较薄的卡片型的LED照明光源具有的优点大打折扣。另外,加厚散热基板201后,材料成本也要相应加大。进而,为了一边不增加其厚度,一边提高基板的强度,而使用特殊的材料时,也要使材料成本上升。
发明内容
[0014]
本发明就是针对这些问题研制的,其主要目的是要提供廉价的、能够有效地抑制翘曲抑制的LED照明光源。
[0015]
本发明的LED照明光源,包括下述元件:具有上面的基板,在所述基板的上面排列的多个LED元件,具有反射各LED元件发出的光中的至少一部分的反射面的反射部件;所述反射部件,具备树脂和由弯曲刚性大于所述树脂的材料形成骨架。
[0016]
在理想的实施方式中,所述骨架,由金属、陶瓷、半导体及玻璃中的至少一种材料形成。
[0017]
在理想的实施方式中,所述反射部件,具有二维排列的多个开口部;各开口部的内壁面,围着各个LED元件的侧面。
[0018]
在理想的实施方式中,所述反射部件中的所述多个开口部的内壁面,作为所述反射面发挥作用。
[0019]
在理想的实施方式中,在所述基板的上面侧,具备覆盖所述多个LED元件的透光性部件;
[0020]
在理想的实施方式中,所述透光性部件,由树脂构成;在所述基板的下面,不设置树脂的层。
[0021]
在理想的实施方式中,所述透光性部件,具有作为透镜阵列发挥作用的部分;被所述透镜阵列包含各个透镜,对所述多个LED元件中的对应的LED元件发出的光,发挥透镜效果。
[0022]
在理想的实施方式中,所述透光性部件,至少覆盖所述反射部件的所述反射面。
[0023]
在理想的实施方式中,还具有覆盖所述多个LED元件的每一个的波长变换部;所述波长变换部,将所述LED元件发出的光,变换成比该光的波长长的波长。
[0024]
在理想的实施方式中,所述反射部件的树脂,覆盖所述骨架表面的70%以上(在本申请文件中,“以上”、“以下”均包含本数)。
[0025]
在理想的实施方式中,所述基板,是由树脂和包含无机充填物的材料构成的复合基板。
[0026]
在理想的实施方式中,所述骨架,位于在所述基板上排列的由多个LED元件构成的LED元件组的外侧。
[0027]
在理想的实施方式中,所述LED元件,在所述基板的上面,行列状地排列;所述骨架,具有沿着所述排列中的行方向及列方向的至少一个方向延伸的至少两根棒。
[0028]
在理想的实施方式中,所述骨架,在所述行列中的各行及各列之间,具有沿着所述行方向及所述列方向延伸的部件。
[0029]
在理想的实施方式中,所述LED元件,在所述基板的上面,行列状地排列;所述骨架,具有沿着与所述行列中的行方向及列方向不同的倾斜方向方向延伸的至少两根棒。
[0030]
在理想的实施方式中,所述骨架,是和所述基板平行配置的板状部件;在所述板状部件上,在与所述LED元件对应的部位,形成开口部。
[0031]
在理想的实施方式中,所述骨架,是具有所述反射面的金属制部件;所述反射部件的树脂,在所述金属制部件上层状地形成。
[0032]
采用本发明的LED照明光源用反射板,具备树脂和由弯曲刚性大于所述树脂的材料形成的骨架。
[0033]
在理想的实施方式中,所述骨架,由金属、陶瓷、半导体及玻璃中的至少一种材料形成。
[0034]
在理想的实施方式中,具有二维排列的多个开口部;各开口部的内壁面,作为反射LED元件发出的光的反射面发挥作用。
[0035]
在理想的实施方式中,所述开口部的内壁面,由所述树脂层的表面的至少一部分形成。
[0036]
在理想的实施方式中,下面,由所述树脂层的表面的至少一部分形成。
[0037]
采用本发明的LED照明光源后,由于反射部件具备由弯曲刚性大于树脂的材料形成的骨架,所述与仅由树脂形成时相比,有效地提高了反射部件的刚性。因此,能够在廉价制造LED照明光源的同时,抑制其翘曲。
附图说明
[0038]
图1是现有技术的炮弹型LED照明光源的结构的示意图。
图2(a)及(b)是现有技术的LED照明光源的结构的立体示意图。
图3是本发明的实施方式涉及的LED照明光源100的结构的示意图。
图4是本发明的实施方式涉及的LED照明光源100的平面结构的示意图。
图5是本发明的实施方式涉及的LED照明光源100的结构的剖面示意图。
图6是本发明的实施方式涉及的LED照明光源100的平面的示意图。
图7是表示LED元件10的周边部分的结构的剖面扩大示意图。
图8是表示本发明的实施方式涉及的卡片型LED照明光源100的立体示意图。
图9是表示骨架40的一个示例的俯视图。
图10是表示骨架40的其它示例的俯视图。
图11是表示骨架40的另一个其它示例的俯视图。
图12是表示骨架40的另一个其它示例的立体图。
图13是表示骨架40的另一个其它示例的立体图。
图14是表示骨架40的另一个其它示例的立体图。
图中:12-LED裸芯片;14-荧光体树脂部;20-基板;22-衬底基板;24-布线层;26-布线图案;28-给电端子;40-骨架;30-反射板;32-反射面;50-透镜;100-照明光源;200、250-照明光源。
具体实施方式
[0040]
下面,参照附图,讲述本发明的LED照明光源的实施方式。在以下的附图中,为使说明简洁,用相同的参照符号,表示实质上具有相同功能的构成要素。
[0041]
(第1实施方式)
首先,参阅图3及图4,讲述第1实施方式涉及的LED照明光源。图3是LED照明光源100的结构的示意图,图4是LED照明光源100的平面结构的示意图。
[0042]
LED照明光源100具备:基板20,在基板20上二维排列的多个LED元件10,具有反射LED元件10射出的光的反射面32的反射板30。
[0043]
反射板30,由内部包含骨架40的板状树脂层构成。在该树脂层中,设置着多个开口部,各开口部包围对应的LED元件10的侧面地形成。骨架40由弯曲强度比反射板30的树脂层的弯曲强度大的材料形成,抑制基板20产生的翘曲。骨架40,最好由金属、陶瓷、半导体及玻璃中的至少一种材料形成。
[0044]
反射板30的树脂,例如是液晶聚合物(LCP)及聚酞酰胺(PPA)等。这些树脂材料的弯曲强度比较高,代表性的材料为120MPa以上。更具体地说,液晶聚合物的弯曲强度约为150~250MPa,聚酞酰胺酰的弯曲强度约为120~370MPa。
[0045]
另一方面,作为骨架40,适宜使用的金属(例如铝)的弯曲强度约为400~500MPa,陶瓷的弯曲强度约为800~1100MPa。
[0046]
图示的反射板30的骨架40,由铝形成。骨架40,取代铝,还可以由铜、不锈钢、铁或它们的合金形成。由陶瓷形成骨架时,作为陶瓷材料,例如可以使用氧化铝(Al2O3)、多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)、块滑石(MgO·2SiO2)、镁橄榄石(2MgO·2SiO2)、氧化锆(PSZ)等。
[0047]
在本实施方式中,如图4所示,由3行×3列的行列状配置的9个LED元件10构成LED元件的组(群),设置着分别包围对应的一个个LED元件10的9个开口部35的反射板30,盖在基板20的上面。
[0048]
骨架40,如图4所示,具有包围LED元件组的外侧的结构。更详细地说,骨架40具有矩形的形状,以埋入树脂层内部的形态,位于基板20的外周部(靠近边缘的区域)。树脂层的厚度,例如500μm以上10mm以下。骨架40的厚度,小于树脂层的厚度,例如100μm以上5mm以下。在图3及图4的示例中,树脂层的厚度是1mm,骨架40的厚度约200μm。骨架40配置在距树脂层的底面200~300μm左右处。换言之,在骨架40和基板20之间,存在厚度约200~300μm左右的间隙,一部分树脂层埋入该间隙。
[0049]
树脂层上设置的各开口部35的侧面(内壁面),作为反射LED元件10射出的光的反射面32发挥作用。反射面32的发射率,最好在70%以上。反射面32,既可以由树脂形成,也可以由反射面32上堆积的金属膜(反射膜)形成。这种反射膜,例如由Ni、Al、Pt、Ag、Al等形成后,能够提高反射面32的发射率。例如由氧化钛的膜形成反射面32后,就可以使反射面32成为白色。
[0050]
各开口部35的直径,随着LED元件10的尺寸而变。在本实施方式中,为2100~2500μm左右。
[0051]
本实施方式的LED元件10,具有LED裸芯片12,覆盖LED裸芯片12的荧光体树脂部14。荧光体树脂部14,由将LED裸芯片12射出的光变换成比该光的波长长的的光的荧光体(荧光物质)和使荧光体分散的树脂构成。LED裸芯片12,安装在基板20的上面。在基板20的上面,形成布线图案(未图示),在本实施方式中,LED裸芯片12被倒装片安装在该布线图案的一部分(例如岛)上。
[0052]
在本实施方式中使用的LED裸芯片12,是发射波长在380nm~780nm的可见区域的范围内具有峰值波长的光的LED。另外,在荧光体树脂部14中分散的荧光体,是发射在波长380nm~780nm的可见区域的范围内,且和LED裸芯片12的峰值波长不同的峰值波长的光的荧光体。LED裸芯片12,最好是发射蓝光的蓝色LED。作为LED裸芯片12,使用蓝色LED时,被荧光体树脂部14包含的荧光体,是变换成黄光的黄色荧光体。将蓝光和黄光混合后,可以形成白光。将两者的光充分混色后,可以形成不匀较少的白光,所以可以将反射面32作为扩散面。为了将反射面32作为扩散面,例如可以将氧化钛混入树脂的原料中。
[0053]
在理想的实施方式中的LED裸芯片12,是由氮化镓(GaN)类材料构成的LED裸芯片,例如射出波长460nm的光。作为LED裸芯片12,使用发出这种蓝光的LED芯片时,作为荧光体,可以适当地使用(Y·Sm)3(Al·Ga)5O12:Ce、(Y0.39Gd0.57Ce0.03Sm0.01)3Al5O12等。在本实施方式中,荧光体树脂部14的形状近似圆柱形状,LED裸芯片12的尺寸约为0.3mm左右×0.3mm左右时,荧光体树脂部14的直径约为0.75mm~0.9mm。此外,荧光体树脂部14的水平方向断面还可以不是圆形,做成矩形等。
[0054]
在图4所示的例子中,在基板20的上面,3个×3个的行列状地配置着9个LED元件10,但LED元件10的个数及配置形态,并不局限于上述情况。在1个基板20上形成的LED元件10的配置形态,可以是M行×N列的行列(M是2以上的整数、N是2以上的整数),另外,LED元件10的配置形态,不必非要成为行列状,还可以是近似同心圆状的排列,以及涡旋状的排列。
[0055]
基板20,最好是散热基板。在本实施方式的基板20中,使用由包含树脂和无机充填物的材料构成的复合基板。更详细地说,使用金属基底的复合基板(例如氧化铝复合基板)。在基板20中使用复合基板后,可以实现具有很高的热传导率(例如1.2℃/W以上)的,能够使强大的电流流入各LED裸芯片,所以能够获得很大的光束。
[0056]
基板20的厚度,例如是0.1mm以上5mm以下,代表性的是2mm以下。例如采用复合基板制作薄基板20(例如厚度为1mm)时,在用树脂制造的反射板30的影响下,产生翘曲的可能性很大。但采用本实施方式的结构后,由于在反射板30内设置着骨架40,所以能够抑制·缓和其翘曲。从搭载多个LED元件10的角度上说,基板20的上面的面积,最好在6.25mm2以上。为了安装许多LED元件10、加大光束,基板20的上面的面积在56.25mm2以上则更好。
[0057]
在本实施方式中,金属制的骨架40,全部被反射板30的树脂覆盖。用树脂覆盖大部分骨架40后,可以使金属制的骨架40与基板20上的布线等绝缘,同时还能抑制骨架40的氧化。此外,一部分骨架40从树脂中露出来,也没什么问题,但最好用树脂覆盖骨架40的表面70%以上。
[0058]
在图3的示例中,骨架40配置在反射板30的树脂层的下半部。但骨架40也可以位于反射板30的树脂层的上半部及中央部。此外,骨架40还可以位于树脂层的底部,与基板20相接。骨架40由具有导电性的材料形成时,为了保持基板20的布线图案与骨架40的绝缘性,需要用绝缘物质(例如树脂)覆盖布线图案的表面的至少一部分。
[0059]
可以用由树脂等透光性部件,填埋图3所示的反射板30的开口部35的内部。例如,如图5及图6所示,可以将树脂制的透镜50充填到各开口部35中。图5是和图3一样的剖面图,图6是为了易于理解而明确示出埋入反射板30内的骨架40的俯视图。
[0060]
采用图5及图6所示的LED照明光源100后,可以利用树脂制的透镜50的阵列,控制来自LED元件10的光的配光,能够提高LED照明光源100的光学特性。在本实施方式的结构中,由于在反射板30的内部设置着骨架40,所以即使形成树脂制的透镜50翘曲的程度加大后,也能防止翘曲。一般地说,在基板20的上面侧形成树脂制的透镜50,在基板20的下面侧不形成树脂层时,在单侧产生的树脂的收缩的作用下,容易特别显著地产生基板20的翘曲。为了抑制这种翘曲,虽然也可以有意识地在基板20的下面形成树脂层,但在本实施方式中,为了提高基板20的散热性,不用树脂层覆盖基板20的下面。其结果,就只在基板20的上面侧产生树脂的收缩。但由于反射板30中含有骨架40,所以能够很好地抑制基板20的翘曲。
[0061]
密封一个个LED元件10地向开口部35内充填树脂,成型后可以制造出透镜50。在图5的示例中,在反射板30的上面,也存在着从透镜50横向延伸的树脂的薄层。采用这种结构后,易于一下子形成排列许多透镜50的透镜阵列。构成透镜50的树脂,例如是环氧树脂。但透镜50的材料,并不局限于树脂,还可以由玻璃形成。
[0062]
图7是表示LED照明光源100中的一个LED元件10的周边部分的剖面图。图7所示的基板20,具备衬底基板22和在衬底基板22上形成的布线层24。衬底基板22,例如是金属制的基板;布线层24,包含在由无机充填物和树脂构成的复合层上形成的布线图案26。之所以在衬底基板22中使用金属基板,在布线层24中使用复合层,是为了提高来自LED芯片12的散热性。在该例中,布线层24是多层布线基板的一部分,在最上层的布线图案26中倒装片安装着LED芯片12。在本实施方式中,因为反射板30由树脂构成,所以与金属制的反射板相比,能够良好地确保布线图案26的电绝缘。
[0063]
另外,在图4的结构中,荧光体树脂部14的侧面,和反射板30的反射面32互相分离。在荧光体树脂部14的侧面和反射面32之间形成间隙后,能够不受反射板30的反射面32的形状的约束,自由地设计荧光体树脂部14的形状。由于荧光体树脂部14的形状给颜色不匀造成影响,所以如果不考虑反射面32的形状地将其最佳化后,就能减轻颜色不匀。
[0064]
荧光体树脂部14的侧面和反射板30的反射面32互相分离的LED照明光源,因为在美国专利申请公开US2004/0100192A1中公开,所以将其全文在此引用。
[0065]
如图4所示,本实施方式的荧光体树脂部14,具有“近似圆柱形状”。但在本说明书中的“近似圆柱形状”,不局限于与基板的上面平行的断面是真圆的结构,包含断面具有6个以上的顶点的多边形的结构。如果是断面具有6个以上的顶点的多边形,因为实质上具有轴对称性,所以能够视为“圆柱”。
[0066]
利用超声波倒装片安装后将LED芯片12安装到基板20上时,在超声波振动的作用下,LED芯片12往往在与基板上面平行的面内转动。这时,如果荧光体树脂部14具有三棱柱或四棱柱的形状后,在LED芯片12和荧光体树脂部14的配置关系的作用下,配光特性就容易受到影响。可是,荧光体树脂部14具有近似圆柱形状后,即使LED芯片12在与基板上面平行的面内旋转,荧光体树脂部14和LED芯片12的相互配置关系,也不会发生很大的变化,配光特性就不容易受到影响。
[0067]
图8是表示具备二维排列的多个LED芯片(LED群或LED组)的卡片型LED照明光源100的一个示例。在图8的卡片型LED照明光源100中,表面上设置着多个透镜50,在树脂制造的反射板30的内部,形成未图示的骨架。该骨架,和图6所示的骨架40具有相同的结构。
[0068]
在卡片型LED照明光源100的一部分表面上,设置着与基板20上的布线图案电连接的、向LED芯片供给电力的给电端子28。使用卡片型LED照明光源100时,将可以装卸地插入卡片型LED照明光源100的连接器(未图示)和点灯电路(未图示)电连接,将卡片型LED照明光源100插入该连接器后,就可以使用。
[0069]
虽然随着采用的标准及方式的不同而不同,但大多要求卡片型LED照明光源100薄型化。使具备树脂制造的反射板30(进而还有树脂制造的透镜50)的变薄后,翘曲的问题极易出现。但采用本发明的结构后,由于在树脂制造的反射板30中形成骨架40,所以即使是卡片型LED照明光源,也能防止翘曲。
[0070]
在上述实施方式中,在基板20的周边区域配置骨架40。但骨架40的图案并不局限于此,还可以采用其它图案。
[0071]
(第2实施方式)
下面,参照图9,讲述采用本发明的LED照明光源的第2实施方式。
[0072]
图9表示具备具有十字形状的骨架40的LED照明光源。图9所示的骨架40,具备沿着基板20的上面,向行方向延伸的第1棒状部件40a,和向列方向延伸的第2棒状部件40b。第1棒状部件40a和第2棒状部件40b,既可以一体性地形成,也可以组合其它部件后形成。另外,对基板20的上面而言的第1棒状部件40a的高度(水平),与对基板20的上面而言的第2棒状部件40b的高度(水平)不同,两者也可以交叉。这时,相互交叉的2根棒状部件40a、40b,最好相互连接。这种连接,既可以利用从棒状部件40a、40b中的至少一方延伸的突起物进行,也可以通过其它固定部件做媒介进行。此外,以大致相同的高度,扫描2根棒状部件40a、40b时,在棒状部件40a、40b中的至少一方上设置缺口或贯通孔,使棒状部件40a、40b中的另一方穿过该缺口或贯通孔的内部。
[0073]
(第3实施方式)
下面,参照图10,讲述采用本发明的LED照明光源的第3实施方式。
[0074]
图10所示的骨架40,具备由多个第1棒状部件40a及多个第2棒状部件40b形成的晶格形状。在图10所示的例子中,2根第1棒状部件40a和2根第2棒状部件40b相互交叉。但也可以与LED元件10的排列一致,采用使更多的棒状部件40a、40b交叉的结构。
[0075]
(第4实施方式)
下面,参照图11,讲述采用本发明的LED照明光源的第4实施方式。
[0076]
图11所示的骨架40,具备组合图6的结构和图10的结构的结构。就是说,由构成晶格形状的部件40a、40b和包围LED元件组的外侧的40c,形成骨架40。
[0077]
采用本实施方式后,能够减轻最容易受翘曲的影响的周边区域的翘曲。
[0078]
(第5实施方式)
下面,参照图12,讲述采用本发明的LED照明光源的第5实施方式。
[0079]
图12所示的骨架40,具备向行方向及列方向中的某一个方向延伸的至少2根棒状部件40a。2根棒状部件40a,不交叉地大致平行地延伸。采用这种骨架40,也能够防止翘曲的发生。
[0080]
棒状部件40a的个数是一个时,一般来说,对与棒状部件40a的长轴方向(例如行方向)不同的方向(例如列方向)而言,抑制翘曲的效果不佳。但是,反射板30的平面形状向一个方向延长时,如果使棒状部件40a的长轴方向和反射板30的长轴方向一致,那么即使利用1根棒状部件40a,也能有效第抑制翘曲。
[0081]
(第6实施方式)
下面,参照图13,讲述采用本发明的LED照明光源的第6实施方式。
[0082]
另外,如图13所示,可以采用在基板的四边,或对于形成LED元件组的行列的方向而言斜着配置棒状部件40d、40e后构成骨架40的结构。既可以一体性地形成棒状部件40d和棒状部件40e后构成骨架40,也可以组合分别制造的多个棒状部件40d、40e后形成骨架40。
[0083]
本发明书中的“棒状部件”,包含线。所以作为骨架40,可以使用编织金属线后形成的网。
[0084]
(第7实施方式)
下面,参照图14,讲述采用本发明的LED照明光源的第7实施方式。
[0085]
图14的骨架40,由形成开口部42的板状部件40f构成。各开口部42,设置在与LED元件10对应的位置,贯通开口部42地形成反射板30的开口部35。
[0086]
由于可以通过冲压加工等制造板状部件40f,所以图14的骨架40有利于批量生产。另外,板状部件40f是弯曲应力很高的形状,所以防止翘曲的效果优异。反射板30的反射面32,既可以通过树脂形成,也可以利用板状部件40f的开口部42的侧面(内壁面)形成。
[0087]
在上述图12~图14所示的实施方式中,骨架40处于被反射板30的树脂覆盖的状态,但也可以使一部分骨架40从构成反射板30的树脂中露出来。一部分骨架40从构成反射板30中露出来后,也不会影响抑制翘曲的效果。此外,采用树脂成形法制造反射板30时,使整个骨架40都埋入树脂内部,不太容易。为了使整个骨架40都埋入树脂内部,需要使骨架40与成形型的内壁面互相分离,而实际上却需要支持使骨架40浮游的状态。具体地说,在一部分骨架40(例如两端)上设置突出部及弯曲部,利用突出部等,一边支承骨架40,一边实行树脂的硬化。这时,骨架40的所述突出部等的一部分,有可能露出树脂的表面。
[0088]
此外,作为骨架40,还可以使用现有技术的金属制的反射板。这时,就在作为骨架发挥作用的金属制的反射板上形成树脂层。就是说,首先,准备作为骨架发挥作用的金属制的反射板,然后在该金属制的反射板的表面形成树脂层,从而制造反射板30。树脂层,优先采用使用模具的树脂成形法制造。成形的树脂层,具有贯通金属制的反射板上设置的开口部的开口部。反射板30的反射面32,利用树脂层上设置的开口部的内壁面形成。
[0089]
这里使用的金属制的反射板,与现有技术的金属制的反射板相比,开口部的加工精度不高也行,可以廉价地制造。将现有技术的金属制的反射板原封不动地作为反射板使用时,由于需要使金属制的反射板上设置的开口部的内壁面作为反射面发挥作用,所以其加工费时,加工成本也大。
[0090]
另外,用上述方法制造的反射板30,用树脂覆盖作为骨架发挥作用的金属制的反射板的表面,所以容易确保基板20上形成的布线图案的电气绝缘。
[0091]
此外,上述各实施方式涉及的LED照明光源100,具备具有组合蓝色LED裸芯片12和黄色荧光体14构成的LED元件10的情况。但白色LED照明光源,还可以具备其它LED元件。例如,可以使用具备发出紫外光的紫外LED裸芯片和在来自该紫外LED裸芯片的光的激发下发出红(R)、绿(G)及蓝(B)光的荧光体的LED元件,制造白色LED照明光源。在理想的示例中,紫外LED裸芯片发出380nm~400nm的光,发出红(R)、绿(G)及蓝(B)光的荧光体,在波长380nm~780nm的可见光的范围内,具有峰值波长(即波长450nm、波长540nm、波长610nm的峰值波长)。
[0092]
在上述各实施方式中,白色LED元件10具备LED裸芯片12。但本发明中的LED元件,可以是炮弹型的LED元件,例如可以是表面安装型的LED元件。
[0093]
在上述各实施方式中,1个荧光体树脂部14覆盖1个LED裸芯片12。但1个荧光体树脂部14也可以覆盖2个以上的LED裸芯片12。例如:1个荧光体树脂部14可以具有第1LED裸芯片12及第2LED裸芯片12。第1及第2LED裸芯片12,既可以是分别发出同一波长区域的光的LED裸芯片,也可以是发出不同的波长区域的光的LED裸芯片。例如,可以将第1LED裸芯片12作为蓝色LED,将第2LED裸芯片12作为红色LED。在使用蓝色LED裸芯片12及红色LED裸芯片12的两者时,能够形成对于红色具有优异的演色性的白色LED照明光源。
[0094]
更详细地说,在组合蓝色LED裸芯片和黄色荧化体时,尽管能够生成白色,但由于红色成分不足,所以具有对于红色的演色性差的倾向。因此,将红色裸芯片12与蓝色LED裸芯片12组合后,由于改善了红色的演色性,,能够实现比普通照明更合适的LED照明光源。
[0095]
LED元件10,不必是白色LED元件,例如也可以是红色LED元件、绿色LED元件、蓝色LED元件之类的单色LED元件。LED元件无论发出什么颜色,都能利用反射板内的骨架,抑制树脂引起的翘曲的影响。
[0096]
本发明的LED照明光源,尽管薄也不容易翘曲,而且能够廉价制造,所以宜于作为各种照明装置利用。
Claims (23)
1、一种LED照明光源,包括:
具有上面及下面的基板,
在所述基板的上面排列的多个LED元件,以及
具有反射各LED元件发出的光中的至少一部分的反射面的反射部件;
所述反射部件,具备树脂和由弯曲刚性大于所述树脂的材料形成的骨架。
2、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述骨架,由金属、陶瓷、半导体及玻璃中的至少一种材料形成。
3、如权利要求1或2所述的LED照明光源,其特征在于:所述反射部件,具有二维排列的多个开口部;
各开口部的内壁面,围着各个LED元件的侧面。
4、如权利要求3所述的LED照明光源,其特征在于:所述反射部件中的所述多个开口部的内壁面,作为所述反射面发挥作用。
5、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:在所述基板的上面侧,具备覆盖所述多个LED元件的透光性部件。
6、如权利要求5所述的LED照明光源,其特征在于:所述透光性部件,由树脂构成;
在所述基板的下面,不设置树脂的层。
7、如权利要求6所述的LED照明光源,其特征在于:所述透光性部件,具有作为透镜阵列发挥作用的部分;
所述透镜阵列中的各个透镜,对所述多个LED元件中的对应的LED元件发出的光,发挥透镜效果。
8、如权利要求6或7所述的LED照明光源,其特征在于:所述透光性部件,至少覆盖所述反射部件的所述反射面。
9、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:还具有覆盖所述多个LED元件的每一个的波长变换部;所述波长变换部,将所述LED元件发出的光,变换成具有比该光的波长更长的波长的光。
10、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述反射部件的树脂,覆盖所述骨架表面的70%以上。
11、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述基板,是由包含树脂和无机充填物的材料构成的复合基板。
12、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述骨架,位于在所述基板的上面排列的由多个LED元件构成的LED元件组的外侧。
13、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述LED元件,在所述基板的上面,行列状地排列;
所述骨架,具有沿着所述行列中的行方向及列方向中的至少一个方向延伸的至少两根棒。
14、如权利要求12所述的LED照明光源,其特征在于:所述骨架,在所述行列中的各行之间及各列之间,具有沿着所述行方向及所述列方向延伸的部件。
15、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述LED元件,在所述基板的上面,行列状地排列;
所述骨架,具有沿着与所述行列中的行方向及列方向不同的倾斜方向延伸的至少两根棒。
16、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述骨架,是与所述基板平行配置的板状部件;
在所述板状部件上,在与所述LED元件对应的部位,形成开口部。
17、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述骨架,是具有多个开口部的板状的金属制部件;
所述反射部件的树脂,以层状存在于所述金属制部件上。
18、如权利要求1所述的LED照明光源,其特征在于:所述的LED照明光源,是卡片型的照明光源。
19、一种LED照明光源用反射板,具备树脂和由弯曲刚性大于所述树脂的材料形成的骨架。
20、如权利要求19所述的LED照明光源用反射板,其特征在于:所述骨架,由金属、陶瓷、半导体及玻璃中的至少一种材料形成。
21、如权利要求19所述的LED照明光源用反射板,其特征在于:具有二维排列的多个开口部;
各开口部的内壁面,作为反射LED元件发出的光的反射面发挥作用。
22、如权利要求19所述的LED照明光源用反射板,其特征在于:所述开口部的内壁面,由所述树脂层的表面的至少一部分形成。
23、如权利要求19所述的LED照明光源用反射板,其特征在于:下面,由所述树脂层的表面的至少一部分形成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP021062/2004 | 2004-01-29 | ||
JP2004021062 | 2004-01-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1860329A true CN1860329A (zh) | 2006-11-08 |
Family
ID=34823776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2005800010801A Pending CN1860329A (zh) | 2004-01-29 | 2005-01-20 | Led照明光源 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060186425A1 (zh) |
JP (1) | JP3895362B2 (zh) |
CN (1) | CN1860329A (zh) |
WO (1) | WO2005073621A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100432825C (zh) * | 2004-05-31 | 2008-11-12 | 佳能株式会社 | 照明装置和摄影装置 |
CN101929629A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 株式会社东芝 | 光源单元及照明装置 |
CN102549334A (zh) * | 2009-10-01 | 2012-07-04 | Opto设计股份有限公司 | 照明光的颜色校正方法、采用了该颜色校正方法的光源模块和照明装置 |
CN102042519B (zh) * | 2009-10-16 | 2012-10-17 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光模组 |
CN102734668A (zh) * | 2009-10-16 | 2012-10-17 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光模组 |
CN103791441A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 欧司朗股份有限公司 | 透镜模块和包括该透镜模块的发光装置 |
CN105874600A (zh) * | 2013-10-16 | 2016-08-17 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 光电组件和用于生产光电组件的方法 |
CN107275451A (zh) * | 2006-11-17 | 2017-10-20 | 伦斯勒工业学院 | 高功率白led及其制造方法 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8999736B2 (en) * | 2003-07-04 | 2015-04-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic system |
US7329907B2 (en) | 2005-08-12 | 2008-02-12 | Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd | Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity |
WO2007064001A1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Showa Denko K.K. | Reflector frame, flat light source device provided with the reflector frame, and display device using the flat light source device |
JP2007180524A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | リフレクター枠体およびリフレクター枠体を備えた面光源装置、ならびに、その面光源装置を用いた表示装置 |
US7777166B2 (en) | 2006-04-21 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control |
JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPWO2008041771A1 (ja) * | 2006-10-05 | 2010-02-04 | 旭硝子株式会社 | ガラス被覆発光素子、発光素子付き配線基板、発光素子付き配線基板の製造方法、照明装置およびプロジェクタ装置 |
WO2008056296A1 (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wavelength converting elements with reflective edges |
US8106414B2 (en) * | 2006-11-21 | 2012-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
JP2008187030A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2008293858A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 発光装置、表示装置 |
JP2008294309A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 発光装置、表示装置 |
US8395568B2 (en) * | 2007-05-31 | 2013-03-12 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
TWM327548U (en) * | 2007-08-15 | 2008-02-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting semiconductor device |
JP2009071254A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-04-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
CN101373049A (zh) * | 2007-08-24 | 2009-02-25 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光二极管照明装置 |
CN101424384B (zh) * | 2007-10-31 | 2011-05-04 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 光罩及采用该光罩的照明装置 |
JP4968014B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | バックライト装置及び液晶表示装置 |
DE102008014121A1 (de) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Halbleiterchip |
US8076833B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-12-13 | Bridgelux, Inc. | Methods and apparatuses for enhancing heat dissipation from a light emitting device |
TWI397655B (zh) * | 2008-07-11 | 2013-06-01 | Foxconn Tech Co Ltd | 發光二極體燈具 |
JP2008252148A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 発光装置用のパッケージ及びその製造方法 |
TWI462350B (zh) * | 2008-12-24 | 2014-11-21 | Ind Tech Res Inst | 多晶發光二極體 |
WO2010100786A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | 光源装置および液晶表示装置 |
JP5886584B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2012109475A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Rohm Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置 |
US8373183B2 (en) | 2011-02-22 | 2013-02-12 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | LED package for uniform color emission |
DE102011107893A1 (de) | 2011-07-18 | 2013-01-24 | Heraeus Noblelight Gmbh | Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik |
TWM419233U (en) * | 2011-08-05 | 2011-12-21 | Evergreen Optronics Inc | Light source apparatus |
TWI508332B (zh) * | 2011-11-09 | 2015-11-11 | Au Optronics Corp | 發光光源及其顯示面板 |
WO2013112435A1 (en) | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Cooledge Lighting Inc. | Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods |
US8896010B2 (en) | 2012-01-24 | 2014-11-25 | Cooledge Lighting Inc. | Wafer-level flip chip device packages and related methods |
US8907362B2 (en) | 2012-01-24 | 2014-12-09 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
US9698322B2 (en) | 2012-02-07 | 2017-07-04 | Cree, Inc. | Lighting device and method of making lighting device |
JP2014022501A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Nitto Denko Corp | 発光装置集合体および照明装置 |
KR20150025231A (ko) * | 2013-08-28 | 2015-03-10 | 서울반도체 주식회사 | 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛 |
US9343443B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-05-17 | Cooledge Lighting, Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
RU2623506C2 (ru) * | 2015-08-20 | 2017-06-27 | Наталья Олеговна Стёркина | Способ создания светового потока и карнизный протяжённый светильник для его осуществления |
US10257608B2 (en) * | 2016-09-23 | 2019-04-09 | Apple Inc. | Subwoofer with multi-lobe magnet |
JP6555242B2 (ja) * | 2016-12-16 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
US10566508B2 (en) * | 2018-05-18 | 2020-02-18 | Sct Ltd. | Molded surface mount device LED display module |
US10810932B2 (en) * | 2018-10-02 | 2020-10-20 | Sct Ltd. | Molded LED display module and method of making thererof |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6210887Y2 (zh) * | 1981-04-17 | 1987-03-14 | ||
JPH07202268A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Copal Co Ltd | 発光装置 |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JPH10144108A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Shizuoka Keisozai Kk | 車両の前照灯装置 |
JP3572924B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2004-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた記録装置 |
US6753483B2 (en) * | 2000-06-14 | 2004-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
US6614103B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
JP3844196B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2006-11-08 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
CN1464953A (zh) * | 2001-08-09 | 2003-12-31 | 松下电器产业株式会社 | Led照明装置和卡型led照明光源 |
JP3989794B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2007-10-10 | 松下電器産業株式会社 | Led照明装置およびled照明光源 |
US6737681B2 (en) * | 2001-08-22 | 2004-05-18 | Nichia Corporation | Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element |
JP4280050B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2009-06-17 | シチズン電子株式会社 | 白色発光装置 |
TW200414572A (en) * | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lamp |
CN100352069C (zh) * | 2002-11-25 | 2007-11-28 | 松下电器产业株式会社 | Led照明光源 |
US6922024B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | LED lamp |
JP3977774B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2007-09-19 | ローム株式会社 | 光半導体装置 |
JP3892030B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2007-03-14 | 松下電器産業株式会社 | Led光源 |
-
2005
- 2005-01-20 WO PCT/JP2005/000654 patent/WO2005073621A1/ja active Application Filing
- 2005-01-20 CN CNA2005800010801A patent/CN1860329A/zh active Pending
- 2005-01-20 JP JP2005517420A patent/JP3895362B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-04-13 US US11/402,928 patent/US20060186425A1/en not_active Abandoned
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100432825C (zh) * | 2004-05-31 | 2008-11-12 | 佳能株式会社 | 照明装置和摄影装置 |
US7697838B2 (en) | 2004-05-31 | 2010-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination apparatus and image-taking apparatus |
CN107275451A (zh) * | 2006-11-17 | 2017-10-20 | 伦斯勒工业学院 | 高功率白led及其制造方法 |
CN107275451B (zh) * | 2006-11-17 | 2019-09-27 | 伦斯勒工业学院 | 高功率白led及其制造方法 |
CN101929629A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 株式会社东芝 | 光源单元及照明装置 |
CN102549334A (zh) * | 2009-10-01 | 2012-07-04 | Opto设计股份有限公司 | 照明光的颜色校正方法、采用了该颜色校正方法的光源模块和照明装置 |
CN102549334B (zh) * | 2009-10-01 | 2015-11-25 | Opto设计股份有限公司 | 照明光的颜色校正方法、采用了该颜色校正方法的光源模块和照明装置 |
CN102042519B (zh) * | 2009-10-16 | 2012-10-17 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光模组 |
CN102734668A (zh) * | 2009-10-16 | 2012-10-17 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光模组 |
CN103791441A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 欧司朗股份有限公司 | 透镜模块和包括该透镜模块的发光装置 |
CN105874600A (zh) * | 2013-10-16 | 2016-08-17 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 光电组件和用于生产光电组件的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3895362B2 (ja) | 2007-03-22 |
US20060186425A1 (en) | 2006-08-24 |
JPWO2005073621A1 (ja) | 2007-09-13 |
WO2005073621A1 (ja) | 2005-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1860329A (zh) | Led照明光源 | |
CN1212676C (zh) | 使用led的光源装置及其制造方法 | |
CN1225801C (zh) | 光源装置 | |
CN1492521A (zh) | 半导体器件和一种使用该半导体器件的光学器件 | |
CN1315200C (zh) | 具有形成凹凸的基板的半导体发光元件 | |
CN1716654A (zh) | 发光装置及照明装置 | |
CN1229766C (zh) | 图像显示装置及制造图像显示装置的方法 | |
CN1574407A (zh) | 发光器件 | |
CN1540773A (zh) | 带有具有冷却功能的反射器的半导体发光器件 | |
CN1190844C (zh) | 光照射装置的制造方法 | |
CN1743725A (zh) | 透镜部件、用于信号指示灯的指示器单元和信号指示灯 | |
CN1943045A (zh) | 半导体发光元件安装件以及使用它的半导体发光装置 | |
CN1656620A (zh) | 发光器件、使用该器件的照明装置及表面发光照明系统 | |
CN1497208A (zh) | 用于面发光装置的导光板和采用导光板的面发光装置 | |
CN1464953A (zh) | Led照明装置和卡型led照明光源 | |
CN1598396A (zh) | 车辆前照灯用光源装置和车辆前照灯 | |
CN1523681A (zh) | 半导体发光装置及其制造方法和电子图像拾取装置 | |
CN1423347A (zh) | 发光元件及其制造方法和用于制造发光元件的引线框 | |
CN1806347A (zh) | Led光源 | |
CN1866561A (zh) | 发光器件封装及其制造方法 | |
CN1734803A (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
CN1822365A (zh) | 具有用于控制配光特性透镜的发光装置 | |
CN1929159A (zh) | 半导体发光装置 | |
CN1759492A (zh) | 固体元件装置及其制造方法 | |
CN1704836A (zh) | 照明装置和摄影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
AD01 | Patent right deemed abandoned | ||
C20 | Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned |