TWI497746B - 發光二極體封裝及其製造方法 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝及其製造方法
本發明是有關於一種發光二極體(LED)封裝及其製造方法，且特別是有關於發光二極體封裝的改進，其包括用以封裝發光二極體晶片的光可穿透封裝構件(light-transmittable encapsulation member)與構造成包圍封裝構件的殼體(housing)。
發光二極體為半導體發光裝置，電流供應至其中且電子與電洞可以以p-n半導體接合的方式結合以發光。一般來說，發光二極體是以包括發光二極體晶片的封裝結構來製造，且構造成上述的發光裝置通常稱為"發光二極體封裝"。
一般來說，發光二極體封裝包括設置有發光二極體晶片與提供有電性終端(terminal)的基板以及構造成保護發光二極體晶片的光可穿透封裝構件。導線架或印刷電路板(PCB)已普遍的用為設置有發光二極體晶片的基板。根據作為基板的種類，也可以將發光二極體封裝分為導線架型發光二極體封裝與印刷電路板型發光二極體封裝。此外，諸如散熱片等其他構件也可以作為設置有發光二極體晶片的基板。
導線架型發光二極體封裝包括殼體，殼體用以定義封裝構件形成於其中的腔體(cavity)。這樣的殼體通常用以反射光以窄化視角(viewing angle)，諸如為了收集光，因此殼體被視為反射器。在如上述的發光二極體封裝中，殼體是藉由射出模製(ejection molding)形成而由不透光樹脂所形成，且接著將液化光可穿透樹脂以點方式(dotting maner)注射至殼體的腔體中以形成封裝構件。
一般來說，設計且製造出具有光可改變視角的發光二極體封裝是困難的。這是因為殼體的視角的設計主要是依據殼體的反射表面的形狀(特別是，反射表面的角度)。此外，由於殼體的模製方法與封裝構件的模製方法之間具有相當大的差異，因此難以連續地製造發光二極體封裝且發光二極體封裝的製造過程是麻煩且複雜的。
根據將液化樹脂以點方式注射至注射-模製殼體的腔體中以形成封裝構件的技術，封裝構件會因為釋放至液化樹脂上的表面張力而被構造成具有不想要的、向上突起的形狀。封裝構件的形狀會破壞發光二極體封裝在光學方面的許多特性。舉例來說，當如上述所製造的發光二極體封裝應用於背光中，封裝構件的凸起部分朝向導光板，因此產生熱點(hot spot)現象，諸如存在過亮於其他區域的點狀區域的現象。此時，特別注意的是上述的封裝構件的凸狀不同於設計用於控制光的視角的凸透鏡。相反的，若減少注射至腔體中的液化樹脂的量，會產生不想要的凹狀，且因此降低發光二極體封裝的發光效率。
因此，本發明的目標為提供發光二極體封裝及其製造方法，其中用以將發光二極體晶片封裝在殼體中的封裝構件可以簡單地設計成具有需要的形狀。
本發明的另一目標為提供發光二極體封裝及其製造方法，其中殼體由光可穿透材料所形成，光可透光材料可以控制透明度與視角，因此控制殼體的透明度可能增加光的視角的設計範圍。
本發明的又一目標為提供發光二極體封裝及其製造方法，其中殼體的形成方法相同於或相似於形成封裝構件的形成製程，因此可能以連續且簡單的方式來製造發光二極體封裝。
根據本發明之一方面，發光二極體封裝包括其上設置有發光二極體晶片的基板、由光可穿透樹脂形成以封裝發光二極體晶片的封裝構件、以及形成用以暴露封裝構件的頂部以及包圍封裝構件的側表面的殼體，其中封裝構件藉由使用模具的模製製程來形成，使得封裝構件具有想要形狀的頂表面。在此，封裝構件的頂部可以形成為平面狀或透鏡狀。此處，使用模具的模製製程較佳為轉移模製製程。
較佳是，殼體是在形成封裝構件之前或之後藉由轉移模製製程所形成。此外，殼體為光可穿透。更佳的是，殼體可以為半透明殼體，其包括用以調整殼體的透明度的擴散劑(diffuser)且作為反射器。
根據本發明之另一方面，發光二極體封裝包括其上設置有發光二極體晶片的基板、由光可穿透樹脂形成以封裝發光二極體晶片的封裝構件、以及形成用以暴露封裝構件的頂部以及包圍封裝構件的側表面的殼體，其中殼體為光可穿透。此處，殼體與封裝構件較佳藉由轉移模製製程所形成。
根據本發明之一方面，發光二極體封裝的製造方法包括：在基板上設置發光二極體晶片、形成支撐基板的殼體以及形成用以封裝發光二極體晶片的光可穿透封裝構件，殼體包圍封裝構件的側表面，其中形成封裝構件的步驟包括使用模具模製封裝構件的步驟，使得封裝構件具有預定的、想要的頂表面。較佳是，模製製程為轉移模製製程。
根據本發明之另一方面，發光二極體封裝的製造方法包括：在基板上設置發光二極體晶片、形成用以封裝發光二極體晶片與支撐基板的光可穿透封裝構件、以及形成用以包圍封裝構件的側表面的殼體，其中形成封裝構件的步驟包括使用模具模製封裝構件的步驟。較佳是，模製製程為轉移模製製程。
在形成殼體的步驟中，較佳地調整擴散劑的混合比例以調整調整視角。
此外，當在如上述的形成殼體的步驟中重複兩次或更多次的轉移模製時，可以製造出多個殼體彼此層疊的結構。轉移模製被稱為多次轉移模製(multiple transfer molding)。此外，當在如上述的形成封裝構件的步驟中重複兩次或更多次的轉移模製時，可以製造出多個封裝構件彼此層疊的結構。轉移模製被稱為多次轉移模製(multiple transfer molding)。
根據本發明之一實施例，發光二極體封裝的視角的控制範圍得以增加，且發光二極體封裝可以簡單地設計成具有想要的光視角。此外，可能解決在發光二極體封裝的製造過程中由於產生不需要的封裝構件的形狀所造成的多種問題，諸如熱點現象，也就是當發光二極體封裝用於背光時，光導板與發光二極體封裝的封裝構件之間的接觸部分會過亮，或發光效率會因為封裝構件的凹狀而損耗。此外，根據本發明之一實施例，由於封裝構件與殼體是由轉移模製製程所形成，可以更換模製設備的模具以形成封裝構件與殼體，如此一來較習知方法具有經濟效益。此外，不同於封裝構件是以點方式分別形成的習知方法，根據本發明之一實施例，僅使用具有用以形成封裝構件的多個空間的一個模具，且液化樹脂一次充滿所有空間並接著快速的固化。因此，可以迅速地製造多個發光二極體封裝，從而大幅地提升發光二極體封裝的產率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在下文中，將參照附圖而詳述本發明之較佳實施例。以下的實施例僅作為例示性的目的，使於此領域具有通常知識者可以充分地了解本發明的精神。因此，本發明並不限制於以下的實施例，故可以以其他形式來實施。在圖式中，寬度、長度、厚度以及其他的相似元件可能會基於例示的方便而被放大。在整個說明書與圖式中，相似的標號表示相似的元件。
圖1為根據本發明之一實施例的發光二極體封裝的透視圖，圖2為根據本發明之一實施例的發光二極體封裝的剖面圖。
請同時參照圖1與圖2，根據本實施例的發光二極體封裝1包括具有第一導線終端12與第二導線終端14的導線架10，其中導線架10作為上面設置有發光二極體晶片2的基板。為了提供彼此分離的第一導線終端12與第二導線終端14，藉由切割大的圖案化的薄金屬板以形成導線架10。此時，可以由薄金屬板得到用於多個發光二極體封裝的多個導線架10。此外，在形成殼體20與封裝構件30(後文中將敘述)後進行導線架10的切割製程。
發光二極體晶片2以晶片附著至導線架10的第一導線終端12的頂表面上，且第一導線終端12上的發光二極體晶片2經由導線(bonding wire)電性連接第二導線終端14。
此外，本實施例的發光二極體封裝1包括殼體20與封裝構件30。封裝構件30由光可穿透材料形成且封裝發光二極體晶片2以保護發光二極體晶片2與相似者。殼體20可以作為反射器且構造成包圍封裝構件30的側表面與暴露封裝構件30的頂部。在此實施例中，殼體20用以支撐導線架10，諸如第一導線終端12與第二導線終端14。
如下文中詳述，封裝構件30與殼體20藉由轉移模製製程形成。在此實施例中，在形成封裝構件30之前，為了支撐導線架10，殼體20藉由轉移模製製程而由環氧樹脂模製化合物(EMC)所形成。此時，殼體20的底表面實質上與導線架10的底表面齊平，使得導線架10的第一與第二導線終端12、14即使在未進行彎曲製程下仍可以暴露在殼體20的底表面的鄰近區域中的外部。
為了用作反射器，殼體20由混合有諸如TiO2 、SiO2 、ZnO或Y2 O3 之白色、乳白狀及/或淺灰擴散劑21的EMC所形成(如圖2所示)。因此，殼體20包括擴散劑21，故可以根據混合至透明EMC中的擴散劑21的含量來調整殼體20的透明度與發光二極體封裝1的視角。
圖3至圖5為殼體20的透明度隨著擴散劑21的含量而改變的發光二極體封裝的實際產品的照片。如圖3所示的發光二極體封裝包括由不具有TiO2 擴散劑的透明EMC所形成的殼體。殼體實質上為透明，由於經過殼體所發射的光量相當大，因此視角相當廣。如圖4所示的發光二極體封裝包括由混合有0.3%的TiO2 擴散劑的EMC所形成的殼體。殼體為半透明，由殼體的內表面反射至封裝構件的光量相當大，因此相較於圖3所示的發光二極體封裝的視角，如圖4所示的發光二極體封裝的視角較窄。如圖5所示的發光二極體封裝包括由混合有3%的TiO2 擴散劑的EMC所形成的殼體。殼體的透明度最小，且發光二極體封裝可以發出適合背光單元之約為120度的窄視角的光。
請再次參照圖1與圖2，殼體20整體成形為包圍封裝構件30的側表面且使封裝構件30的頂部暴露。在本實施例中，由於用以支撐導線架10的殼體20在形成封裝構件30之前形成，因此殼體20構造成包括用以定義隨後形成的封裝構件30的位置的腔體。在此實施例中，藉由使用模具的模製製程形成諸如環氧樹脂或矽之光可穿透樹脂模製在內的封裝構件30，特別是，封裝構件30可以藉由轉移模製製程來獲得想要的形狀。
較佳是封裝構件30藉由使用模具的模製製程所形成，特別是，封裝構件30是藉由轉移模製製程所形成，其中使用模具的模製製程使得封裝構件30的頂表面31的形狀形成為想要的形狀，其中光主要經由頂表面發射。舉例來說，轉移模製可能形成具有平坦頂表面的封裝構件30。當液化樹脂注射至殼體的腔體中以形成封裝構件時，表面張力使得有可能獲得如上想要的平坦形狀。然而，值得注意的是本發明並未完全排除以點方式將液化樹脂注射到腔體內的方法。
封裝構件30可能包括可以被具有特定波長的光激發而發出具有不同波長的光的磷。
封裝構件30的形狀不限於平面形狀，而可以藉由使用模具的模製製程(諸如轉移模製製程)形成具有半球狀凸面或凹面的透鏡形狀或具有菲涅耳(Fresnel)圖案的各種透鏡形狀的封裝構件30。菲涅耳圖案使得對應的透鏡具有擴大的視角。
圖6A為根據本發明之另一實施例的發光二極體封裝1的結構的示意圖，其中藉由轉移模製製程所形成的透鏡型封裝構件30具有半球狀頂表面。
同時，除了如前一實施例中所述的導線架10外，可以使用設置有發光二極體晶片2的另一基板。舉例來說，在如圖6B所示的發光二極體封裝1中，印刷電路板(PCB)100可用作設置有發光二極體晶片2的基板。請參照圖6B，發光二極體晶片2設置在印刷電路板100的頂部中央區域上。此外，印刷電路板100的頂表面配置有藉由導線電性連接發光二極體晶片2的第一與第二電極圖案102、103，其中第一與第二電極圖案102、103可以藉由電鍍製程形成。在此實施例中，封裝構件30與殼體20皆藉由轉移模製製程形成。
即使已於上文中敘述殼體20為第一轉移-模製以及封裝構件30為後續轉移-模製，但也有可能是封裝構件30為第一轉移-模製而殼體20為後續轉移-模製。特別是，當殼體與封裝構件由諸如環氧樹脂或矽之熱固性塑膠形成時，不論殼體與封裝構件的形成順序，可以簡單地分別轉移-模製殼體與封裝構件。這是因為先形成的部分不會受到而後形成之其他部分的熔化溫度影響。此外，可以考慮藉由轉移模製製程形成具有腔體的殼體且接著將液化樹脂以點方式注射至腔體以形成封裝構件30。
當使用轉移模製時，有可能製造出結合的殼體20，其中藉由重複一次或多次的轉移模製層疊多個局部的殼體以形成結合的殼體。此外，當使用轉移模製時，有可能製造出結合的封裝構件30，藉由重複一次或多次的轉移模製層疊多個局部的封裝構件。如上述之重複兩次或多次轉移模製被稱為多次轉移模製。
現在，將敘述如上述之發光二極體封裝的製造方法的多個實施例。
圖7A至圖7C為根據本發明之一實施例的發光二極體封裝的製造方法的步驟的平面示意圖。
首先，如圖7A所示，準備包括第一與第二導線終端12、14的導線架10。此處，即使發光二極體晶片設置在導線架10上且導線連接導線架10，為了圖示方便而在圖中省略發光二極體晶片與導線。此外，即使導線架10只有圖案化薄金屬板的一部分，其中圖案化薄金屬板包括多個在製造發光二極體封裝的實際方法中未被切除的導線架，但為了圖示與敘述方便，僅繪示出一個已先被切除的導線架10為例。
接著，如圖7B所示，藉由轉移模製製程在導線架10上形成殼體20。殼體20使得第一與第二導線終端12、14經由殼體20的腔體而向上暴露。此外，形成在導線架10上的殼體20支撐導線架10。此處，較佳是用於殼體20的轉移模製的模製材料為在透明粉狀型EMC中加入擴散劑的塊狀固態EMC。然而，諸如矽的光可穿透樹脂可以用作不使用環氧樹脂的主成份。
接著，如圖7C所示，用以封裝發光二極體晶片(未繪示)之環氧樹脂或矽的封裝構件30藉由轉移模製製程形成在殼體20的腔體內。在封裝構件30的轉移模製中，使用固態EMC(特別是，塊形式的固態EMC)。可以考慮使用模具的其他模製製程，舉例來說，可以藉由射出模製(injection molding)製程來形成液化環氧樹脂或矽的封裝構件。此外，用模具來模製封裝構件30的形狀可以由已先設計的模具來定義，且封裝構件的形狀較佳為成形為平面或透鏡。此處，由於封裝構件30形成於殼體20的腔體中，殼體20整體成形為包圍封裝構件30的側表面。
圖8A為殼體20的轉移模製製程的示意圖，圖8B為封裝構件30的轉移模製製程的示意圖。
請參照圖8A，在高溫高壓下將樹脂注射至模具M1中以形成殼體，其中模具M1具有注射孔I，因此樹脂填滿模具M1，且接著藉由固化所填滿的樹脂以形成殼體20。此處，先形成而後用於執行封裝構件30的移轉模製的入口G(請參照圖8B)。此外，除了入口G以外，先形成在殼體20的腔體上端上的溝槽可以作為樹脂注射入口。
請參照圖8B，將樹脂經由模具M2的注射孔I注射至由殼體20的腔體所定義出的空間以及模具M2內以形成封裝構件與注射至已形成於殼體20中的入口G中。此處，定義出封裝構件的頂表面的形狀，舉例來說，用模具M2形成平面或透鏡。
即使如圖7A至圖8B中所述的製程是應用於導線架10，這些製程也可以應用於諸如印刷電路板之其他種取代導線架10的基板。除了使用其他種基板取代導線架以外，圖7A至圖8B中所述的製程可以不加以改變。
圖9A至圖9C為根據本發明之另一實施例的發光二極體封裝的製造方法的步驟的剖面示意圖。
首先，準備如圖9A所示的包括第一與第二導線終端12、14的導線架10。此處，即使發光二極體晶片設置在導線架10上且導線連接導線架10，為了圖示方便而在圖中省略發光二極體晶片與導線。此外，即使導線架10只有圖案化薄金屬板的一部分，其中圖案化薄金屬板包括多個在製造發光二極體封裝的實際方法中未被切除的導線架，但為了圖示與敘述方便，僅繪示出一個已先被切除的導線架10為例。
接著，如圖9B所示，用以封裝發光二極體晶片(未繪示)的封裝構件30在形成殼體20之前形成。封裝構件30形成以支撐包括第一與第二導線終端12、14的導線架10。封裝構件30藉由轉移模製形成為具有預定形狀。固態EMC(特別是，塊形式的固態EMC)可以用於封裝構件30的轉移模製製程中，其中固態EMC可以包括磷。可選的，除了轉移模製以外，可以使用射出模製來形成封裝構件30，其中在注入模製製程中，將液化環氧樹脂或液化矽樹脂直接注入模具中。液化環氧樹脂或液化矽樹脂可以包括磷。
接著，如圖9C所示，殼體20形成以包圍封裝構件30的側表面。此處，可以使用轉移模製。可以使用藉由在透明粉狀型EMC中加入擴散劑所製成的塊狀固態EMC或液化環氧樹脂或矽作為用於殼體20的轉移模製的模製材料。
圖10為根據本發明之又一實施例的將樹脂直接注入傾覆的殼體20的腔體中的轉移模製製程的示意圖。模具M3使殼體20的腔體封閉。此外，模具M3具有直接與殼體20的腔體連接的注射孔I。較佳為使用轉移模製製程形成封裝構件，舉例來說，在殼體20的厚度相當薄的側視型(side view type)發光二極體封裝中，殼體20可能容易破裂。
圖11為根據本發明之再一實施例的封裝構件的轉移模製製程的示意圖。請參照圖11，用以接收發光二極體晶片的腔體201形成於殼體20中，且藉由配置於腔體的頂側的平面狀模具M4封閉腔體201。此外，在腔體201的邊緣(特別是，鄰近於空腔的頂部)形成溝槽202。溝槽202與形成於模具M4中的注射孔I以及由模具M4所封閉的腔體201一致，使得將樹脂注射至腔體201中的注射路徑可以分部形成。
當樹脂經由注射孔I與溝槽202注入且接著所注入的樹脂硬化時，封裝構件30形成與腔體201中。封裝構件30的上部形狀由模具M4定義。舉例來說，若使用具有平坦表面以封閉腔體201的模具M4，會形成具有頂表面為平面的封裝構件30。根據模具M4用以封閉封裝構件30的表面形狀，可以形成諸如半球面透鏡、菲涅耳透鏡或其他形狀的透鏡等具有各種形狀的透鏡。透鏡表面上的圖案、粗糙度及/或不平坦可以是規則或不規則。
即使在圖中未繪示，用以接收與支撐殼體或包括殼體的發光二極體封裝的上模具與下模具與用以模製的模具M4可以用來模製封裝構件，且上模具與下模具以及模具M4可以組合成一套。
圖12為根據本發明之再一實施例的發光二極體封裝的平面示意圖。請參照圖12，用以接收發光二極體晶片2的多個凹槽102形成於基板10上，基板10可以包括導線架、印刷電路基板或其他基板。此外，進一步在基板10上形成用以接收用於導線(bonding wire)之銲墊(或打線球(wire ball))的另多個凹槽103。凹槽102藉由增加發光二極體晶片2或銲墊(或打線球)的厚度來避免發光二極體封裝不夠附著(或緊密)。特別是，接收發光二極體晶片2的凹槽102可以填滿包括抗-退化材料及/或磷的樹脂(較佳是，矽樹脂)。此外，凹槽102、103可以提供增加封裝構件30與導線架10之間的附著。為了增加附著，不論發光二極體晶片與銲墊的位置，可以考慮將與封裝構件接觸以增加附著的多個凹槽形成在基板10上。
本發明未限制於前述的實施例且可以應用於所有種類之具有封裝構件與殼體的發光二極體封裝，諸如側視型發光二極體封裝、印刷電路板型或晶片型發光二極體封裝、燈型發光二極體封裝或高亮度型(high-flux type)發光二極體封裝以及頂型(top type)發光二極體封裝。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1．．．發光二極體封裝
2．．．發光二極體晶片
10‧‧‧導線架、基板
12‧‧‧第一導線終端
14‧‧‧第二導線終端
20‧‧‧殼體
21‧‧‧擴散劑
30‧‧‧封裝構件
31‧‧‧頂表面
100‧‧‧印刷電路板
102‧‧‧第一電極圖案
103‧‧‧第二電極圖案
201‧‧‧腔體
202‧‧‧溝槽
G‧‧‧入口
I‧‧‧注射孔
M1、M2、M3、M4‧‧‧模具
圖1為根據本發明之一實施例的發光二極體封裝的透視示意圖。
圖2為根據本發明之一實施例的發光二極體封裝的剖面示意圖。
圖3至圖5為發光二極體封裝的照片，其中光可穿透殼體的透明度根據所包含的擴散劑的含量而調整。
圖6A與圖6B為根據本發明之另一實施例的發光二極體封裝的剖面示意圖。
圖7A至圖7C為根據本發明之一實施例的發光二極體封裝的製造方法的示意圖。
圖8A與圖8B為在圖7C所示之發光二極體封裝的製造方法中，殼體與封裝構件的轉移模製製程的示意圖。
圖9A至圖9C為根據本發明之另一實施例的發光二極體封裝的製造方法的示意圖。
圖10為根據本發明之又一實施例的封裝構件的模製製程的示意圖，其中模製製程適於形成具有薄殼體的發光二極體封裝的封裝構件。
圖11為根據本發明之再一實施例的封裝構件的轉移模製製程的示意圖。
圖12為根據本發明之再一實施例的發光二極體封裝的示意圖。
1．．．發光二極體封裝
2．．．發光二極體晶片
10．．．導線架
12．．．第一導線終端
14．．．第二導線終端
20．．．殼體
30．．．封裝構件

Claims (27)

  1. 一種發光二極體封裝，包括：基板，其上設置有發光二極體晶片；封裝構件，由光可穿透樹脂形成，用以封裝所述發光二極體晶片，所述封裝構件藉由使用模具的模製製程來形成，使得所述封裝構件具有想要的頂表面；以及殼體，形成用以暴露所述封裝構件的頂部以及包圍所述封裝構件的側表面，其中，所述基板是由導線架形成，所述導線架包括彼此分離的第一導線終端與第二導線終端，所述殼體形成於所述第一導線終端與所述第二導線終端之間，所述第一導線終端與所述第二導線終端包括階梯狀之側表面，所述階梯狀之側表面使得所述第一導線終端之頂表面與所述第二導線終端之頂表面的分開距離小於所述第一導線終端之底表面與所述第二導線終端之底表面的分開距離，所述階梯狀之側表面的上部接觸所述封裝構件，其中所述殼體也包含一部分，填入在所述階梯狀之側表面的下部之間，且與所述封構件在所述階梯狀之側表面的部份的下表面有接觸介面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中所述殼體是在形成所述封裝構件之前或之後，藉由轉移模製製程所形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝，其中所述殼體為光可穿透。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝，其中所述殼體為半透明殼體，其包括用以調整視角的擴散劑且作為反射器。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中所述封裝構件的所述頂部形成為平面狀或透鏡狀。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中使用所述模具的所述模製製程為轉移模製製程。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中所述基板的上表面形成有至少一用以接收所述發光二極體晶片的凹槽或用於打線的銲墊。
  8. 一種發光二極體封裝，包括：基板，其上設置有發光二極體晶片；封裝構件，由光可穿透樹脂形成，用以封裝所述發光二極體晶片；殼體，形成用以暴露所述封裝構件的頂部以及包圍所述封裝構件的側表面，所述殼體為光可穿透，其中，所述基板是由導線架形成，所述導線架包括彼此分離的第一導線終端與第二導線終端，所述殼體形成於所述第一導線終端與所述第二導線終端之間，所述第一導線終端與所述第二導線終端包括階梯狀之側表面，所述階梯狀之側表面使得所述第一導線終端之頂表面與所述第二導線終端之頂表面的分開距離小於所述第一導線終端之底表面與所述第二導線終端之底表面的分開距離，所述階梯狀之側表面的上部接觸所述封裝構件， 其中所述殼體也包含一部分，填入在所述階梯狀之側表面的下部之間，且與所述封構件在所述階梯狀之側表面的部份的下表面有接觸介面。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝，其中所述殼體為半透明殼體，其包括用以調整視角的擴散劑且作為反射器。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝，其中所述殼體與所述封裝構件是藉由轉移模製製程所形成。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝，其中所述基板的上表面形成有至少一用以接收所述發光二極體晶片的凹槽或用於打線的銲墊。
  12. 一種發光二極體封裝的製造方法，包括：在基板上設置發光二極體晶片；形成支撐所述基板的殼體；以及形成用以封裝所述發光二極體晶片的光可穿透封裝構件，所述殼體包圍所述封裝構件的側表面，其中形成所述封裝構件的所述步驟包括使用模具模製所述封裝構件的步驟，使得所述封裝構件具有想要的頂表面，且其中，所述基板是由導線架形成，所述導線架包括彼此分離的第一導線終端與第二導線終端，所述殼體形成於所述第一導線終端與所述第二導線終端之間，所述第一導線終端與所述第二導線終端包括階梯狀之側表面，所述階 梯狀之側表面使得所述第一導線終端之頂表面與所述第二導線終端之頂表面的分開距離小於所述第一導線終端之底表面與所述第二導線終端之底表面的分開距離，所述階梯狀之側表面的上部接觸所述封裝構件，其中所述殼體也包含一部分，填入在所述階梯狀之側表面的下部之間，且與所述封構件在所述階梯狀之側表面的部份的下表面有接觸介面。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中形成所述殼體的所述步驟藉由轉移模製製程執行。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中形成所述殼體的所述步驟使用擴散劑混合至透明樹脂中的模製材料來執行。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中在形成所述殼體的所述步驟中，調整所述擴散劑的混合比例以調整調整視角。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中所述擴散劑為至少選自於由TiO2 、SiO2 、ZnO以及Y2 O3 所構成之族群的一者。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中形成所述封裝構件的所述步驟藉由轉移模製製程執行。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中形成所述封裝構件或所述殼體的所述步驟 藉由多次轉移模製製程執行。
  19. 一種發光二極體封裝的製造方法，包括：在基板上設置發光二極體晶片；形成用以封裝所述發光二極體晶片與支撐所述基板的光可穿透封裝構件；以及形成用以包圍所述封裝構件的側表面的殼體；其中形成所述封裝構件的所述步驟包括使用模具模製所述封裝構件的步驟，使得所述封裝構件具有想要的頂表面，且其中，所述基板是由導線架形成，所述導線架包括彼此分離的第一導線終端與第二導線終端，所述殼體形成於所述第一導線終端與所述第二導線終端之間，所述第一導線終端與所述第二導線終端包括階梯狀之側表面，所述階梯狀之側表面使得所述第一導線終端之頂表面與所述第二導線終端之頂表面的分開距離小於所述第一導線終端之底表面與所述第二導線終端之底表面的分開距離，所述階梯狀之側表面的上部接觸所述封裝構件，其中所述殼體也包含一部分，填入在所述階梯狀之側表面的下部之間，且與所述封構件在所述階梯狀之側表面的部份的下表面有接觸介面。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中形成所述殼體的所述步驟藉由轉移模製製程執行。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之發光二極體封裝的 製造方法，其中形成所述殼體的所述步驟使用擴散劑混合至透明樹脂中的模製材料來執行。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中在形成所述殼體的所述步驟中，調整所述擴散劑的混合比例以調整調整視角。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中所述擴散劑為至少選自於由TiO2 、SiO2 、ZnO以及Y2 O3 所構成之族群的一者。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中形成所述封裝構件的所述步驟藉由轉移模製製程執行。
  25. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝的製造方法，其中形成所述封裝構件或所述殼體的所述步驟藉由多次轉移模製製程執行。
  26. 一種發光二極體封裝，包括：基板，其上設置有發光二極體晶片；封裝構件，由光可穿透樹脂形成，用以封裝所述發光二極體晶片；以及殼體，形成用以暴露所述封裝構件的頂部以及包圍所述封裝構件的側表面，其中所述殼體藉由使用模具的轉移模製製程來形成，且其中，所述基板是由導線架形成，所述導線架包括彼此分離的第一導線終端與第二導線終端，所述殼體形成於 所述第一導線終端與所述第二導線終端之間，所述第一導線終端與所述第二導線終端包括階梯狀之側表面，所述階梯狀之側表面使得所述第一導線終端之頂表面與所述第二導線終端之頂表面的分開距離小於所述第一導線終端之底表面與所述第二導線終端之底表面的分開距離，所述階梯狀之側表面的上部接觸所述封裝構件，其中所述殼體也包含一部分，填入在所述階梯狀之側表面的下部之間，且與所述封構件在所述階梯狀之側表面的部份的下表面有接觸介面。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體封裝，其中所述封裝構件是藉由將液化光可穿透樹脂以點方式注射至腔體中所形成，所述腔體形成於所述殼體中。
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