JP6131664B2 - 発光装置の製造方法および発光装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 119
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 119
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 55
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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Description
本発明に係る発光装置によれば、発光装置同士のくっつきが防止される。
まず、本発明の発光装置について説明する。
図2(a)〜(c)に示すように、発光装置100は、ここでは、凹部50を有するパッケージ1と、凹部50の底面に露出するようにパッケージ1の底部に設けられた導電部材2a,2bと、導電部材2a上に設けられた発光素子10と、パッケージ1の凹部50内に充填された封止樹脂20と、を主に備える。そして、発光装置100は、凹部50の周面に凸部3を有し、凸部3の上面に粗面部4aを有している。
発光装置100は、1つの発光装置100を個別に作製してもよいし、図1に示すような、複数のパッケージ1が連続した集合体80を個片化して作製してもよい。なお、本発明の構成を分かりやすく示すために、図2では、封止樹脂20を透過した状態で図示している。
以下、各構成について説明する。
パッケージ1は、発光素子10等の電子部品を収容して保護するものである。
図2(c)に示すように、パッケージ1は、底面を構成する基材30aおよび導電部材2a,2bと、側面を構成する側部材30bとからなり、この基材30aおよび導電部材2a,2bと側部材30bとにより、上面を開口部とする凹部50を形成している。そしてここでは、導電部材2a,2b上に側部材30bが設けられた構成となっている。
なお、パッケージ1の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO2、TiO2、Al2O3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。
導電部材2a,2bは、外部と、発光素子10等の電子部品とを電気的に接続し、これら電子部品に、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための外部電極またはその一部としての役割を担うものである。
ここでは、パッケージ1は、凹部50の周面を平面視したときに縦横の比率を異ならせて形成し、凸部3は、パッケージ1の短い周面側に設けられている。すなわち、パッケージ1は長手方向(長い周面側)と短手方向(短い周面側)を有し、凸部3がパッケージ1の短手方向に設けられている。凸部3は、パッケージ1は長手方向と短手方向の両方、あるいは、長手方向のみに設けられていてもよいが、図2(a)に示すように、パッケージ1の短手方向に設けられていることが好ましい。凸部3がパッケージ1の短手方向に設けられていることで、後記する凸部3による効果がより発揮されやすくなる。
凸部3の上面とは、凸部3の表面のうちの凸部3の上方に位置する面であり、例えば、後記する発光装置の製造方法での粗面部4aの形成の際に、刃物で削られる部位の面である。ただし、この面は厳密に規定されるものではない。なお、本第1実施形態においては、凸部3の側面(パッケージ1の側面と平行な部分)には粗面部4aは形成していない。
また、凸部3の粗面部4aとは、封止樹脂20の切削の際に凸部3の一部が削られることで生じた所定の表面粗さRaを有する粗面な部位である。
発光装置100が粗面部4aを有することで、発光装置100同士のくっつきがより防止される。凸部3の上面における粗面部4aの範囲は特に規定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲であればよい。
粗面部4aの表面性状(例えば表面粗さRa)や凸部3の切削量は、後記する封止樹脂切削工程で凸部3の一部を削る際の速度、刃物の圧力や角度等を適宜調整することにより制御する。
凸部3および粗面部4aの形成方法については、後記する発光装置の製造方法で説明する。
発光素子10は、その上面(発光面)に電極を有するフェースアップ素子(FU素子)であり、導電部材2aと接続されてパッケージ1に実装されている。また、発光素子10上面に接続された一方のワイヤWが導電部材2aに接続され、他方のワイヤWが導電部材2bに接続されて、発光素子10と導電部材2a,2bとが電気的に接続されている。なお、発光面とは、パッケージ1に実装したときに、基材30aおよび導電部材2a,2bと対向する側の面と反対側で、発光装置の光取り出し方向側の面である。
発光素子10は、サファイア等の透光性の基板を有することが好ましい。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子10とすることもできる。
封止樹脂20は、パッケージ1に実装された発光素子10を、塵芥、水分、外力等から保護するためや、発光素子10の光取り出し効率向上や波長変換等の光学特性向上のため等の目的で設けられる部材である。
図2(a)、(c)に示すように、封止樹脂20はパッケージ1の凹部50内に充填され、発光素子10は、封止樹脂20により被覆されている。ここでは、発光素子10全体が封止樹脂20に埋没するように設けられている。
ここで、「封止樹脂20の上面」とは、封止樹脂20における、発光素子10からの光が取り出される側の上方の面、すなわち、凹部50から上方に露出した最上面をいう。また、「パッケージ1の上面」とは、凹部50を形成する外枠の上面、すなわち、側部材30bの上面をいう。
このような構成とすることで、封止樹脂20の上面を樹脂のヒケ等のない平坦な状態にすることができるため、発光素子10からの光取り出し効率が向上する。また、封止樹脂20がパッケージ1の上面から露出しないため、タック性のある封止樹脂20の影響が少なく、くっつき防止効果を高くすることができる。
溝は、封止樹脂切削工程で封止樹脂20を切削することで、封止樹脂20の表面に形成される。
図3(a)〜(c)に示すように、発光装置100Aは、ここでは、凹部50を有するパッケージ1と、凹部50の底面に露出するようにパッケージ1の底部に設けられた導電部材2a,2bと、導電部材2a上に設けられた発光素子10と、パッケージ1の凹部50内に充填された封止樹脂20と、を主に備える。そして、発光装置100Aは、凹部50の周面に凸部3を有し、凸部3の上面に粗面部4aを有している。
ここで、図4(a)〜(f)に示すように、発光装置100Aの凸部3の形状は、粗面部4aを有する形状(図4(b)、(e)参照)の他、粗面部4aを有さない形状のものであってもよい(図3(a)、(d)参照)。また、凸部3の全てを切削し、凸部3が形成された部位に粗面部4bを有する形態であってもよい(図4(c)、(f)参照)。
その他の構成については、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
次に、本発明に係る発光装置の製造方法について、図1〜7を参照しながら説明する。
以下、各工程について説明する。なお、発光装置の各部材の詳細については、前記した発光装置で説明したとおりであるので、ここでは、適宜説明を省略する。
パッケージ用意工程は、発光素子10を収容する凹部を有するパッケージ1を用意する工程である。
ここで、パッケージ用意工程では、1つのパッケージ1を個別に用意してもよいし、図1に示すような、複数のパッケージ1が連続した集合体80を用意してもよい。図1に示すように、集合体80は、縦横各々、所定の間隔および所定の行列数からなるマトリックス状に設けられている。
ここでは、パッケージ1あるいは集合体80は発光装置100(100A)の基材30aおよび導電部材2a,2bと、発光装置100(100A)の側部材30bとからなる。すなわち、ここでのパッケージ用意工程は、導電部材2a,2bも同時に形成する工程である。
まず、導電部材2aの一方の端と導電部材2bの一方の端とが一体となって連続した状態の導電部材2a,2b(図5(a)参照)が複数形成された板状のリードフレーム5を形成する。
導電部材2a,2bの形成は、従来公知の方法で行えばよく、例えば、プレスによる形成や、板状の金属をエッチングして形成することもでき、その他、めっき、蒸着、基材への貼り付け等によって形成することができる。基材への貼り付けの場合は、基材と導電部材2a,2bとは、樹脂等の接着剤で接着させることができる。導電部材2a,2bは、導電部材2a,2bの材料を基材の一面に形成した後に、エッチング等で形を成形してもよい。この場合、導電部材2a,2b上にレジストを設けることができる。レジストの形成は、印刷法を好適に用いることができる。
その後、図5(a)、(b)に示すように、成形金型40と離型シート60を用いたトランスファーモールドにより、光反射性のエポキシ樹脂のパッケージ1および凹部50を形成する(図2参照)。
凸部3の形成は、伸縮性を有する離型シートの伸びを利用した方法を用いることができる。具体的には、図5(b)に示すように、上金型40aと樹脂6との間に離型シート60を挟んだ状態でトランスファーモールドすると、凹部50の周面(図2参照)に位置する離型シート60が伸び、上面の両端から中央に向かうに従い、離型シート60が薄くなる。そして、この離型シート60が薄くなった分だけ、樹脂6が厚くなる。このようにして、凹部50の周面に所定形状の凸部が形成される。なお、離型シート60の設置条件や伸び具合を調整することで、凸部の位置や高さ、形状等を調整することができる。これにより、第1実施形態の発光装置100における凸部3を形成することができる。
ダイボンディング工程は、パッケージ(例えば、導電部材2a上)に発光素子10を実装する工程である。このダイボンディング工程では、導電部材2aの上面に発光素子10を実装する。
発光素子10の実装方法は、特に限定されるものではなく、通常用いられる方法で行えばよい。例えばAuSn等の半田ペーストやエポキシ樹脂等により、発光素子10と導電部材2aとを接合すればよい。
ワイヤボンディング工程は、発光素子10と導電部材2a,2bとをワイヤWで接続する工程である。ワイヤボンディング工程では、一方のワイヤWを導電部材2aに接続し、他方のワイヤWを導電部材2bに接続することで、発光素子10と導電部材2a,2bとを電気的に接続する。ワイヤWの接続方法は、特に限定されるものではなく、通常用いられる方法で行えばよい。ワイヤWの素材としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム、またはこれらの合金等を用いることができる。
図6(a)、(b)に示すように、封止樹脂形成工程は、発光素子10が収容された凹部50内に封止樹脂20を充填し、封止樹脂20をパッケージ1の高さよりも高く設ける工程である。すなわち、まず、発光素子10を被覆するように封止樹脂20となる部材をパッケージ1の凹部50内に充填する。ここで、部材は、効率性の観点からパッケージ1や集合体80の全面に塗布するため、凹部50内の他、パッケージ1の側部材30bの上面や、凹部50におけるパッケージ1の高さよりも高い部位にまで存在することとなる。その後、加熱や光照射等によってこの部材を硬化する。このようにして、発光素子10を被覆する透光性の封止樹脂20を形成する。
図6(c)、(d)に示すように、封止樹脂切削工程は、封止樹脂20を切削して封止樹脂20をパッケージ1の高さに近づけるように調整する工程である。すなわち、余分な封止樹脂20を除去する工程である。
ここで、「封止樹脂20をパッケージ1の高さに近づけるように調整する」とは、封止樹脂20の上面とパッケージ1の上面との高さの差が少なくなるように、好ましくは差がなくなるように封止樹脂20を切削することをいう。
すなわち、封止樹脂20の上面とパッケージ1の上面とを同じ高さとすること、または、同じよりも封止樹脂20の上面がやや高いかやや低い高さとすることをいう。
また、封止樹脂20の表面に、封止樹脂20を切削する際の刃物70の進行方向に延びるように、幅および深さが1μm程度の複数の溝が形成される。封止樹脂20が溝を有することで、表面積が増大し、放熱性が向上する。
「一括して切削する」とは、集合体80を構成する複数のパッケージ1に対して、1つずつ、あるいは複数ずつ個別に切削して高さを調整するのではなく、一連の動作で集合体80上の封止樹脂20を切削することをいう。すなわち、例えば、一旦切削を開始した刃物70を途中で封止樹脂20や集合体80から離すことなく、集合体80上の全ての封止樹脂20を切削する場合である。ただし、切削における一連の動作であれば、切削途中で偶発的に刃物70が封止樹脂20や集合体80から離れる場合を除外するものではない。
図4(a)、(d)に示すように、封止樹脂切削工程において、凹部50の周面に形成された凸部3を切削することなく、凸部3をそのまま残す形態である。本形態では、発光装置100Aが凸部3を有することで、粗面部がなくても発光装置100A同士のくっつきを防止することができる。切削の際は、刃物70が凸部3の位置に到達したときに、刃物70の角度や圧力を適宜調整して、凸部3が切削されないようにすればよい。
図4(b)、(e)に示すように、封止樹脂切削工程において、凹部50の周面に形成された凸部3の一部を切削することで、凸部3の上面に粗面部4aを形成する形態である。
ここで、凸部3の一部とは、凸部3の上方部分の所定領域をいい、例えば、切削前の凸部3の高さにおける、凸部3の上面から1/2〜2/3の領域とすることができる。なお、第1実施形態の場合であっても、凸部3の傾斜の各部位において、当該部位での切削前の凸部3の高さ(凸部3の底辺から垂直な上方の凸部3の高さ)における、凸部3の上面から1/2〜2/3の領域とすることができる。ただし、その領域の厚さや幅は特に規定するものではなく、凹部50の周面に凸部3が残存し、凸部3の上面に粗面部4aを形成できる範囲であれば切削する凸部3の領域はどの程度であってもよい。
図7(a)に示すように、まず、刃物70でパッケージの凹部50の周面の封止樹脂20を凸部3の位置まで切削する。次に、図7(b)に示すように、凸部3の根元が切削されないように刃物70の角度や圧力を変え、刃物70が凸部3の上面に位置するように調整する。そして図7(c)、(d)に示すように、刃物70の角度や圧力を調整して凸部3の一部を切削しながら、刃物70をパッケージ1の凹部50方向に移動させる。この際、凸部3は弾性があるため、やや窪みながら凸部3の一部が切削される。凸部3の一部を切削した後は、再び刃物70の角度や圧力を変え、パッケージ1の凹部50の周面の封止樹脂20を切削し、その後、凹部50上面の封止樹脂20を切削する。また、この凹部50の周面に対向する側の凹部50の周面の凸部3も同様にしてその一部を切削する。
そして、凸部3の一部を削る際の速度、刃物70の圧力や角度等を適宜調整することで、凸部3の切削量や、粗面部4aの表面性状(例えば表面粗さRa)を制御する。
なお、条件にもよるが、パッケージ1の材質に、例えばエポキシ樹脂のような硬くてもろいものを用いることで、凸部3の一部を切削しやすくなる。
図4(c)、(f)に示すように、封止樹脂切削工程において、凹部50の周面に形成された凸部3の全部を切削することで、凸部3が形成された部位に粗面部4bを形成する形態である。すなわち、凸部3が形成された部位に粗面部4bを形成するように凸部3を切削して粗面部4bを形成する。
この形態では、凸部3が残存しないように、刃物70の角度や圧力を変え、凸部3の根元を切削することで、凸部3の全てを除去する。これにより、凹部50の周面における、凸部3が形成されていた部位に粗面部4bが形成される。
ここで、凸部3が形成された部位の粗面部4bとは、封止樹脂20の切削の際に凸部3の全部が削られることで生じた所定の表面性状(例えば表面粗さRa)を有する凹部50の周面の粗面な部位である。
そして、凸部3を削る際の速度、刃物70の圧力や角度等を適宜調整することで、粗面部4aの表面性状(例えば表面粗さRa)を制御する。
本形態では、発光装置100Aは、凸部3の全てが除去されても、切削前に凸部3が形成された部位に粗面部4bを有するため、発光装置同士のくっつきを防止することができる。
個片化工程は、パッケージ用意工程で複数のパッケージ1が連続した集合体80を用意した場合に、封止樹脂20を切削した集合体80を個片化する工程である。
集合体80の個片化は、集合体80を分割するラインに沿って、ブレードで切断するダイシング方法、または、集合体80を分割するラインに沿って、集合体80を割るスクライブ方法等、従来公知の方法により行なうことができる。
そして、この集合体80の個片化により、複数の発光装置100(100A)が得られる。
すなわち、前記に示す発光装置の製造方法や発光装置の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の製造方法や発光装置を例示するものであって、本発明は、前記の製造方法や形態に限定するものではない。また、特許請求の範囲に示される部材等を、実施の形態の部材に特定するものではない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
金属部材を設ける方法としては、めっき法、スパッタ法、蒸着法、薄膜を接合させる方法等を用いることができる。めっき法を用いる場合、電解めっき、無電解めっきのいずれの方法でも用いることができる。例えば、導電部材2a,2b上の該当部位を電気的に接続した上で、電解めっき法を用いるのが最も簡便である。また、スパッタ法、蒸着法を用いる場合は、フォトリソグラフィ法により、導電部材2a,2b上のみに設けることができる。なお、パターン形成されていない導電部材2a,2b上に金属部材を設けた後、導電部材2a,2bと金属部材を所定の形状にパターニングしてもよい。
FD素子を用いる場合には、発光装置100(100A)は、パッケージ1の底面と発光素子10との間に図示しないアンダーフィルを備えていてもよい。アンダーフィルを設けることにより、光取り出し効率等の光学特性や、発光装置100(100A)の放熱性が向上し、発光素子10とパッケージ1との熱膨張や機械的な応力を緩和させることができる。そのため、発光装置100(100A)の信頼性を向上させることができる。アンダーフィルの材料は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。
2a,2b 導電部材
3 凸部
4a,4b 粗面部
5 リードフレーム
6 樹脂
10 発光素子
20 封止樹脂
30a 基材
30b 側部材
40 成形金型
40a 上金型
40b 下金型
50 凹部
60 離型シート
70 刃物
80 集合体
100,100A 発光装置
S1,S2,S3 間隙
W ワイヤ
Claims (9)
- 発光素子を収容する凹部を有するパッケージを用意するパッケージ用意工程と、
前記発光素子が収容された前記凹部内に封止樹脂を充填し、前記封止樹脂を前記パッケージの高さよりも高く設ける封止樹脂形成工程と、
前記封止樹脂を切削して当該封止樹脂を前記パッケージの高さに近づけるように調整する封止樹脂切削工程と、を含み、
前記パッケージは、前記凹部を形成する外枠の上面に凸部が形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記パッケージ用意工程は、複数の前記パッケージが連続した集合体を用意する工程であり、
前記封止樹脂切削工程の後に、前記封止樹脂を切削した前記集合体を個片化する個片化工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 前記封止樹脂切削工程において、前記凸部の一部を切削することで、前記凸部の上面に粗面部を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記封止樹脂切削工程において、前記凸部が形成された部位に粗面部を形成するように前記凸部を切削することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記封止樹脂切削工程において、前記集合体上の前記封止樹脂の全部を一括して切削することを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 発光素子と、
前記発光素子を収容する凹部を有するパッケージと、
前記凹部内に充填された封止樹脂と、を備える発光装置であって、
前記凹部を形成する外枠の上面に凸部を有し、前記凸部の上面に粗面部を有することを特徴とする発光装置。 - 前記封止樹脂が、前記パッケージと同じ高さにまで設けられていることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、前記パッケージを平面視したときに縦横の比率を異ならせて形成し、前記凸部は、前記パッケージの短手方向に設けられていることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の発光装置。
- 前記凸部の高さが、3〜7μmであることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013062910A JP6131664B2 (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US14/223,742 US9660148B2 (en) | 2013-03-25 | 2014-03-24 | Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device |
US15/491,934 US10461227B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-04-19 | Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013062910A JP6131664B2 (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187319A JP2014187319A (ja) | 2014-10-02 |
JP6131664B2 true JP6131664B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=51568500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013062910A Active JP6131664B2 (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9660148B2 (ja) |
JP (1) | JP6131664B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6409818B2 (ja) * | 2016-04-26 | 2018-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
DE102016113942A1 (de) | 2016-07-28 | 2018-02-15 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Lichtquelle mit einer Primäroptik aus Silikon und Verfahren zur Herstellung der Lichtquelle |
JP6729254B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び表示装置 |
DE102017117425A1 (de) | 2017-08-01 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
DE102017117438A1 (de) | 2017-08-01 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
JP7075791B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-05-26 | 株式会社ディスコ | 半導体パッケージの製造方法 |
KR20200135673A (ko) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치의 제조방법 |
US11664356B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-05-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR102607323B1 (ko) | 2020-08-28 | 2023-11-29 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3991961B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2007-10-17 | 日亜化学工業株式会社 | 側面発光型発光装置 |
TWI292961B (en) * | 2002-09-05 | 2008-01-21 | Nichia Corp | Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device |
JP4292794B2 (ja) | 2002-12-04 | 2009-07-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法 |
JP2007027799A (ja) * | 2006-11-01 | 2007-02-01 | Sanyo Electric Co Ltd | Led表示器 |
JP2008166487A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
DE102007021904A1 (de) | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper |
KR101488448B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2015-02-02 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
JP5308773B2 (ja) | 2008-10-30 | 2013-10-09 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2010182746A (ja) | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Showa Denko Kk | 発光装置、発光モジュールおよび発光装置を備えた電気装置 |
JP5689223B2 (ja) | 2009-03-05 | 2015-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JPWO2011021402A1 (ja) | 2009-08-21 | 2013-01-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP5983603B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2016-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR101219106B1 (ko) * | 2011-08-01 | 2013-01-11 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US8779601B2 (en) * | 2011-11-02 | 2014-07-15 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Embedded wafer level package for 3D and package-on-package applications, and method of manufacture |
KR101905535B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치 |
TWI489657B (zh) * | 2012-04-12 | 2015-06-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體封裝件 |
-
2013
- 2013-03-25 JP JP2013062910A patent/JP6131664B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-24 US US14/223,742 patent/US9660148B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-19 US US15/491,934 patent/US10461227B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10461227B2 (en) | 2019-10-29 |
JP2014187319A (ja) | 2014-10-02 |
US20170222104A1 (en) | 2017-08-03 |
US9660148B2 (en) | 2017-05-23 |
US20140284652A1 (en) | 2014-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160218 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170321 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170403 |
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