JP2017076701A - 光半導体装置、樹脂付きリードフレーム、蛍光体層の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光の利用効率を向上させるとともに、見る角度に応じて光の色味が変化してしまうのを抑制することができる光半導体装置、それに用いる樹脂付きリードフレーム、蛍光体層の製造方法を提供する。【解決手段】光半導体装置１は、複数の端子部１１、１２を有するリードフレーム１０と、端子部１１の表面に設けられるＬＥＤ素子２と、リードフレーム１０の端子部間の空隙部Ｓに設けられるフレーム樹脂部２１と、リードフレーム１０の表面側に、ＬＥＤ素子２を囲むようにして設けられるリフレクタ樹脂部２２と、複数の蛍光体を含有し、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面とに設けられた蛍光体層４０とを備え、蛍光体層４０は、リフレクタ樹脂部２２の内周側面において、リフレクタ樹脂部２２の高さまで設けられていることを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置、それに用いられる樹脂付きリードフレーム、光半導体装置に設けられる蛍光体層の製造方法に関するものである。

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されている。
このような光半導体装置の中には、光の色味を調整するために、光半導体素子を覆う透明樹脂に蛍光体を分散させたものがある（例えば、特許文献１）。
しかし、上述の特許文献１のように透明樹脂に蛍光体を分散させた場合、ＬＥＤ素子から照射される光の利用効率が低下してしまう場合があった。また、光の利用効率を向上させるために、透明樹脂の硬化前に透明樹脂中の蛍光体を沈殿させることが考えられる。しなし、この場合、沈殿した蛍光体が端子部の表面やＬＥＤ素子の表面に主に配置されるため、ＬＥＤ素子の表面から出光する光と、側面から出光する光とで光の変換具合が相違してしまい、光半導体装置から出射する光の色味が見る角度によって相違してしまう場合があった。

特開２０１５−５６６４９号公報

本発明の課題は、光の利用効率を向上させるとともに、見る角度に応じて光の色味が変化してしまうのを抑制することができる光半導体装置、それに用いる樹脂付きリードフレーム、蛍光体層の製造方法を提供することである。

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有するリードフレーム（１０）と、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に設けられる光半導体素子（２）と、前記リードフレームの前記端子部間の空隙部（Ｓ）に設けられるフレーム樹脂部（２１）と、前記リードフレームの表面側に、前記光半導体素子を囲むようにして設けられるリフレクタ樹脂部（２２）と、複数の蛍光体を含有し、前記端子部及び前記フレーム樹脂部の表面と、前記リフレクタ樹脂部の内周側面とに設けられた蛍光体層（４０）とを備え、前記蛍光体層は、前記リフレクタ樹脂部の内周側面において、前記リフレクタ樹脂部の高さまで設けられていること、を特徴とする光半導体装置（１）である。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置（１）において、前記蛍光体層（４０）は、前記光半導体素子（２）の表面及び側面にも設けられていること、を特徴とする光半導体装置である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置（１）において、前記リフレクタ樹脂部（２２）の内周側面に設けられる蛍光体層（４０）の厚みは、前記端子部（１１、１２）及び前記フレーム樹脂部（２１）の表面に設けられる蛍光体層の厚みに比して厚いこと、を特徴とする光半導体装置である。
第４の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置（１）において、前記端子部（１１、１２）及び前記フレーム樹脂部（２１）の表面に設けられる蛍光体層（４０）の厚みは、前記リフレクタ樹脂部（２２）の内周側面に設けられる蛍光体層の厚みに比して厚いこと、を特徴とする光半導体装置である。
第５の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つの表面に光半導体素子（２）が載置されるリードフレーム（１０）と、前記リードフレームの前記端子部間の空隙部（Ｓ）に設けられるフレーム樹脂部（２１）と、前記リードフレームの表面に、前記光半導体素子が載置される領域を囲むようにして設けられるリフレクタ樹脂部（２２）と、複数の蛍光体を含有し、前記端子部及び前記フレーム樹脂部の表面と、前記リフレクタ樹脂部の内周側面とに設けられた蛍光体層（４０）とを備え、前記蛍光体層は、前記リフレクタ樹脂部の内周側面において、前記リフレクタ樹脂部の高さまで設けられていること、を特徴とする樹脂付きリードフレーム（Ｒ）である。
第６の発明は、第５の発明の樹脂付きリードフレーム（Ｒ）を備え、前記蛍光体層（４０）は、前記光半導体素子（２）及び前記端子部（１１、１２）間にも設けられていること、を特徴とする光半導体装置（１）である。
第７の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかの発明、又は、第６の発明の光半導体装置（１）に設けられる蛍光体層（４０）の製造方法であって、蛍光体層を構成する樹脂が溶解されるとともに、複数の蛍光体が分散された揮発性溶媒を、前記端子部（１１、１２）及び前記フレーム樹脂部（２１）の表面と、前記リフレクタ樹脂部（２２）の内周側面によって囲まれる領域に滴下する溶媒滴下工程と、前記溶媒滴下工程によって滴下された前記揮発性溶媒を揮発させる揮発工程と、を備える蛍光体層の製造方法である。

本発明によれば、光の利用効率を向上させるとともに、見る角度に応じて光の色味が変化してしまうのを抑制することができる。

第１実施形態の光半導体装置の全体構成を示す図である。 第１実施形態のリードフレームの多面付け体の詳細を説明する図である。 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体の詳細を説明する図である。 第１実施形態のリードフレームの製造過程を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置の製造過程を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。 トランスファ成形の概略を説明する図である。 インジェクション成形の概略を説明する図である。 蛍光体層の他の形態を説明する図である。 第２実施形態の光半導体装置の全体構成を示す図である。 第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体の詳細を説明する図である。 第２実施形態の光半導体装置の製造過程を説明する図である。

（実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面における端面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面における端面図を示す。
図２は、実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。
図２（ａ）、図２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２（ｃ）、図２（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）のｃ−ｃ断面における端面図、ｄ−ｄ断面における端面図を示す。
図３は、実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面における端面図と、ｄ−ｄ断面における端面図を示す。
各図において、光半導体装置１、リードフレーム１０、樹脂付きリードフレーム１０’の平面視における端子部１１、１２の配列方向をＸ方向とし、端子部１１、１２の端子面内において、そのＸ方向に直交する幅方向をＹ方向とし、ＸＹ平面に直交する端子部の厚み方向をＺ方向とする。また、光半導体装置１、リードフレーム１０、樹脂付きリードフレーム１０’のＬＥＤ素子が載置される面を表面、その反対側の面を裏面とし、Ｚ方向のうち、＋Ｚ側を表面側、−Ｚ側を裏面側とする。更に、表面及び裏面に交差する面を側面とする。

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０、蛍光体層４０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレーム１０’（樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ、図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、蛍光体層４０及び透明樹脂層３０を形成して、各光半導体装置単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図２に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図７（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。なお、図１〜図３等においては、各端子部に設けられためっき層Ｃの図示は省略している。

端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、端子部１１、１２の中央部よりも厚みの薄くなる段部Ｍが設けられている。
段部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周縁に設けられ、外部端子面１１ｂ、１２ｂから落ち込んだ部分、換言すれば、端子部１１、１２の厚みと比較して１／３〜２／３程度に形成されている部分である。

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、段部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、リードフレームのうち、後述するリフレクタ樹脂部２２、樹脂突起部２１ａのように、表面上に光反射樹脂層２０が形成され、裏面側に段部Ｍが形成されている部分は、厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０が光反射樹脂層２０に挟持される構成にすることができる。これにより、段部Ｍは、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。

連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図２（ａ）及び図２（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されており、本実施形態では、連結部１３ａ〜１３ｄから構成されている。

具体的には、連結部１３ａは、図２（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

連結部１３ｄが設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２が枠体Ｆに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部１３ｄは、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と連結されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図２（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。

連結部１３は、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の段部Ｍと同様に端子部１１、１２よりも厚みが薄く形成されている。図２（ｂ）、図２（ｃ）においては、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の段部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（樹脂付きリードフレーム１０‘）の裏面には、図３（ｂ）に示すように、略矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の幅方向（Ｙ方向）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
なお、リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。枠体Ｆは、多面付けされたリードフレーム１０を固定する部材である。

光反射樹脂層２０は、図３に示すように、フレーム樹脂部２１と、リフレクタ樹脂部２２とから構成されている。
フレーム樹脂部２１は、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周や、空隙部Ｓ）に、端子部１１、１２と略同一の厚みに設けられている。また、フレーム樹脂部２１は、各端子部に設けられた段部Ｍ、連結部１３の裏面にも形成されている。

リフレクタ樹脂部２２は、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２２は、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２を囲むようにして設けられている。

リフレクタ樹脂部２２は、リードフレーム１０の多面付け体ＭＳの状態において、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。リフレクタ樹脂部２２は、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓに形成されたフレーム樹脂部２１の表面に形成されており、フレーム樹脂部２１と結合している。

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、リードフレームのうち厚みが薄い部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、リードフレームのうち厚みが薄い部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい一方、金型内で熱反応による重合を行うため、成形のサイクルが長くなる（例えば、２分〜５分）問題がある。熱可塑性樹脂の場合、特に薄い金型内に樹脂を流し込むと冷えかたまりが速く、樹脂の合流点を混ざり合わせることが難しい一方、短いサイクル（例えば、１０秒〜３０秒）で成形が可能である。

熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を射出成形等で成形した後に、電子線や電離放射線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂や電子線架橋樹脂を用いてもよい。この樹脂に、ガラス繊維や炭素繊維などを入れることで機械強度を向上させるための充填材が入っていても良い。
以上より、リードフレームの多面付け体ＭＳに多面付けされるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。

蛍光体層４０は、蛍光体を含有した樹脂から構成される光透過性を有する層であり、ＬＥＤ素子２の発光色を蛍光体層４０に含まれる蛍光体によって異なる色味に変換するために設けられている。例えば、ＬＥＤ素子２から発光される色味が青色であり、蛍光体により励起される色味が黄色である場合、光半導体装置１は、ＬＥＤ素子２の青色と蛍光体の黄色とが混色し、白色の光を出射することができる。
ここで、従来、光半導体装置から出光する光の色味を調整するために、光半導体素子を覆う透明樹脂に蛍光体を分散させた光半導体装置（以下、比較例の光半導体装置という）がある。しかし、このように透明樹脂中に蛍光体を分散させた場合、ＬＥＤ素子から照射される光の利用効率が低下してしまう場合があった。また、光の利用効率を向上させるために、透明樹脂の硬化前に透明樹脂中の蛍光体を沈殿させることが考えられる。しかし、この場合、沈殿した蛍光体が端子部の表面やＬＥＤ素子の表面に主に配置されるため、ＬＥＤ素子の表面から出光する光と、側面から出光する光とで光の変換具合が相違してしまい、光半導体装置から出射する光の色味が見る角度によって相違してしまう場合があった。また、蛍光体が完全に沈殿するまでには所定の時間を待つ必要があるため、光半導体装置の製造効率が低下してしまい、また、沈殿した蛍光体の配置位置にバラつきが生じやすくなってしまう場合があった。

そこで、本実施形態の蛍光体層４０は、図１に示すように、端子部１１、１２（リードフレーム１０）及びフレーム樹脂部２１の表面と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面とに設けられている。また、蛍光体層４０は、リフレクタ樹脂部２２の内周側面においては、リフレクタ樹脂部２２の高さ（リフレクタ樹脂部２２の表面（＋Ｚ側の面））まで設けられている。すなわち、蛍光体層４０は、断面視において、リフレクタ樹脂部２２の内周側面の下端（−Ｚ側端部）から上端（＋Ｚ側端部）まで形成されている。
ここで、本実施形態では、上述したように端子部にＬＥＤ素子２を接続した後に蛍光体層４０が形成されるので、蛍光体層４０は、ＬＥＤ素子２が接続された状態の樹脂付きリードフレーム１０’の表面側に表出する各端子部１１、１２の表面（ＬＥＤ端子面）と、フレーム樹脂部２１の表面とに設けられている。すなわち、本実施形態の蛍光体層４０は、各端子部１１、１２の表面とフレーム樹脂部２１の表面のうち、リフレクタ樹脂部２２と接する部分やＬＥＤ素子２が載置された部分を除く領域に形成されている。

このように蛍光体層４０を設けることによって、ＬＥＤ素子２から出射する光が入射する面、すなわち端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面とに、複数の蛍光体を沿うようにして配置することができる。これにより、光の変換効率の低下を抑制するとともに、光半導体装置１から出光する光の色味が見る角度に応じて異なってしまうのを抑制することができる。
特に、本実施形態の蛍光体層４０は、リフレクタ樹脂部２２の内周側面において、リフレクタ樹脂部２２の高さ（リフレクタ樹脂部２２の表面（＋Ｚ）側の面）まで設けられているので、ＬＥＤ素子２の側面から出射し、内周側面に入射した光を効率よく変換することができる。

また、各端子部１１、１２とフレーム樹脂部２１との境界を蛍光体層４０により覆うことができるので、光半導体装置１は、境界部分からの水分等の浸入による各部材の変色の発生や、光半導体装置１の製造時における透明樹脂の裏面への漏れ出しを防ぐことができる。
更に、蛍光体層４０は、ＬＥＤ素子２の表面及び側面にも設けられている。これにより、ＬＥＤ素子２から出光する光の変換効率を更に向上させることができる。

ここで、蛍光体層４０に含有する蛍光体は、例えば、ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）蛍光体を用いることができる。また、ＹＡＧ蛍光体の他、ＣＡＳＮや、ＳＣＡＳＮ蛍光体、ＳｉＡｌＯＮ蛍光体を使用することも可能である。蛍光体には、例えば、３μｍ〜７０μｍの粒子状のものを使用することができる。
また、蛍光体層４０の母材となる樹脂は、例えば、セルロース樹脂や、ＰＶＡ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂を使用することができる。
蛍光体層４０の厚みは、主に含有する蛍光体の粒径により決定されるが、例えば、２０μｍ〜１００μｍの範囲で形成される。
なお、本実施形態では、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面に設けられる蛍光体層４０と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に設けられる蛍光体層４０とは、それぞれ同等の厚みに形成されている。また、蛍光体層４０は、リフレクタ樹脂部２２の内周側面において、その厚さが均一になるよう形成されていることが好ましい。リフレクタ樹脂部２２の内周側面において、均一な光変換が可能となり、光の方向等の発光特性を向上させることができるからである。

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２を覆うようにして、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面上であって、リフレクタ樹脂部２２の内周側面によって囲まれる領域に設けられている。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図４は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン１０１ａ、１０１ｂを形成する。なお、レジストパターン１０１ａ、１０１ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いることができるが、アクリル系、カゼイン、ゼラチンなどのタンパク質系、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系などが酸性のエッチング液耐性が高く、望ましい。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン１０１ａ、１０１ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓ、のように貫通した空間と、段部Ｍ、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、段部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。

次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン１０１を除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態の光半導体装置の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｃ）は、蛍光体層４０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｄ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｅ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
図６は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚のリードフレームの多面付け体ＭＳから複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図５（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ図４（ａ）の断面図に基づくものである。

図５（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から段部Ｍ、連結部１３の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部２１が形成され、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部２２が、リードフレームの表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの表面及び裏面には、それぞれ、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。

次に、図５（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。

続いて、蛍光体層４０を構成する樹脂成分（ポリマー）が溶解され、複数の蛍光体が分散された揮発性溶媒を、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面上であって、リフレクタ樹脂部２２の内周側面によって囲まれる領域に滴下する（溶媒滴下工程）。このとき揮発性溶媒は、リフレクタ樹脂部２２の内周側面において、リフレクタ樹脂部の高さ（リフレクタ樹脂部２２の表面（＋Ｚ側の面））まで蛍光体層４０を形成する観点から、リフレクタ樹脂部２２の表面（＋Ｚ側の面）と同等の高さまで滴下される。
そして、滴下した揮発性溶媒を加熱して揮発させることによって（揮発工程）、図５（ｃ）に示すように、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面とに沿うようにして蛍光体層４０が形成される。また、このとき、ＬＥＤ素子２の表面や側面にも蛍光体層４０が形成される。
ここで、揮発性溶媒には、例えば、水や、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、プロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート（ＰＧＭＥＡ）、エーテルを用いることができる。
また、揮発性溶媒、樹脂成分、蛍光体の配合率は、揮発させる時間や、作製する蛍光体層の厚み等に応じて適宜設定することができるが、例えば、配合率は、重量比で８：４：１とすることができる。

そして、図５（ｄ）に示すように、リフレクタ樹脂部２２に囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図５（ｅ）に示すように、光半導体装置１の外形（図６の破線部）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。

次に、上述の図５（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図７は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図７（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図７（ｂ）〜図７（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図８は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図８（ａ）〜図８（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図７及び図８において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。

（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図７（ａ）に示すように、上型１１１（表面側成形型）及び下型１１２（裏面側成形型）等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図７（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図７（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図７（ｄ）及び図７（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。

所定の時間の経過後、図７（ｆ）及び図７（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図７（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図７（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。

（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図８（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（裏面側成形型）、下型１２４（表面側成形型）等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図８（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。

樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図８（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。

なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。

次に、光半導体装置１に設けられる蛍光体層４０の別な形態について説明する。
図９は、蛍光体層４０の別な形態を説明する図である。図９の各図は、それぞれ図１（ｄ）に対応する断面図である。
上述の説明では、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面に設けられる蛍光体層４０と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に設けられる蛍光体層４０とは、同等の厚みに形成される例を示したが、これに限定されるものでない。

例えば、図９（ａ）に示すように、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に設けられる蛍光体層４０の厚みが、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面に設けられる蛍光体層４０の厚みよりも厚くなるように形成してもよい。これにより、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に入射した光の変換効率を向上させることができる。
この場合、蛍光体層４０を形成する揮発性溶媒に、図１に示す光半導体装置１に用いた溶媒よりも沸点の低い溶媒（例えば、沸点が６６度のテトラヒドロフラン）を用いることにより、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に、端子部等の表面に比して厚みの厚い蛍光体層４０を形成することができる。

また、図９（ｂ）に示すように、リードフレーム１０及びフレーム樹脂部２１の表面に設けられる蛍光体層の厚みが、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に設けられる蛍光体層の厚みよりも厚くなるように形成してもよい。これにより、端子部１１、１２や、フレーム樹脂部２１の表面に入射した光の変換効率を向上させることができる。
この場合、蛍光体層を形成する揮発性溶媒に、図１に示す光半導体装置１に用いた溶媒よりも沸点の高い溶媒（例えば、沸点が１４５度のＰＧＭＥＡ）を用いることにより、端子部等の表面に、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に比して厚みの厚い蛍光体層４０を形成することができる。
更に、端子部等の表面に設けられた蛍光体層４０及びリフレクタ樹脂部２２の内周側面の蛍光体層４０の両方の厚みを、図１に示す光半導体装置１の蛍光体層４０の厚みよりも厚くするようにしてもよい。この場合、揮発性溶媒に対して蛍光体の配合量を多くしたり、２回に分けて溶媒滴下工程を設けたりする必要がある。

また、蛍光体層４０は、図９（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２２の表面（上側の面）にも設けられるようにしてもよい。こうすることにより、例えば、光半導体装置１の外部に反射板等が設けられている場合において、光半導体装置１から出射し、反射板を反射してリフレクタ樹脂部２２の表面に入射した光を変換することができる。

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）本実施形態の光半導体装置１は、複数の蛍光体を含有した蛍光体層が、端子部１１、１２（リードフレーム１０）及びフレーム樹脂部２１の表面と、リフレクタ樹脂部２２のＬＥＤ素子２を囲む内周側面とに設けられている。また、蛍光体層４０が、リフレクタ樹脂部２２の内周側面において、リフレクタ樹脂部２２の高さまで設けられている。これにより、本実施形態の光半導体装置１は、ＬＥＤ素子２から照射される光が入射する面、すなわち端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面とに、複数の蛍光体を沿うようにして配置することができる。そのため、光の利用効率の低下を抑制するとともに、光半導体装置１から出光する光の色味が見る角度に応じて異なってしまうのを抑制することができる。

（２）本実施形態の光半導体装置１は、蛍光体層４０がＬＥＤ素子２の表面及び側面にも設けられているので、ＬＥＤ素子２から出光する光の変換効率を向上させることができる。

（３）本実施形態の光半導体装置１は、図９（ａ）に示すように、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に設けられる蛍光体層４０の厚みを、端子部１１、１２（リードフレーム１０）及びフレーム樹脂部２１の表面に設けられる蛍光体層４０の厚みに比して厚くすることができる。これにより、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に入射した光の変換効率を向上させることができる。

（４）本実施形態の光半導体装置１は、図９（ｂ）に示すように、端子部１１、１２（リードフレーム１０）及びフレーム樹脂部２１の表面に設けられる蛍光体層４０の厚みを、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に設けられる蛍光体層４０の厚みに比して厚くすることができる。これにより、端子部１１、１２や、フレーム樹脂部２１の表面に入射した光の変換効率を向上させることができる。

（５）本実施形態の蛍光体層の製造方法は、蛍光体層４０を構成する樹脂が溶解されるとともに、複数の蛍光体が分散された揮発性溶媒を、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面上であって、リフレクタ樹脂部２２の内周側面によって囲まれる領域に滴下する溶媒滴下工程と、揮発性溶媒を揮発させる揮発工程とを備えている。これにより、より簡易な方法で、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面とに、蛍光体層４０を効率よく形成することができ、蛍光体層４０を有する光半導体装置１の製造効率を向上させることができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１０は、第２実施形態の光半導体装置の全体構成を示す図である。
図１１は、第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体の詳細を説明する図である。
図１２は、第２実施形態の光半導体装置の製造過程を説明する図である。図１２の各図は、リードフレーム１０から光半導体装置１が製造されるまでの過程を示す図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。

本実施形態の光半導体装置１は、蛍光体層４０が、各端子部１１、１２の表面と、フレーム樹脂部２１の表面のうち、ＬＥＤ素子２が載置された部分にも形成され、ＬＥＤ素子２の上部には形成されていない点で、上述の第１実施形態の光半導体装置１と相違している。
本実施形態の蛍光体層４０は、図１２に示すように、上述の第１実施形態と相違して、樹脂付きリードフレームの多面付け体ＲにＬＥＤ素子２が接続される前に、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面や、リフレクタ樹脂部２２の内周側面に形成される。
なお、本実施形態の蛍光体層４０は、上述の第１実施形態の蛍光体層４０と同様に、リフレクタ樹脂部２２の内周側面において、リフレクタ樹脂部２２の高さ（リフレクタ樹脂部２２の表面（＋Ｚ側の面））まで設けられている。

そのため、本実施形態の樹脂付きリードフレーム１０’（樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ）は、図１１に示すように、端子部１１、１２及びフレーム樹脂部２１の表面の全面と、リフレクタ樹脂部２２の内周側面の全面とに蛍光体層４０が形成される。
また、本実施形態の光半導体装置１は、図１０に示すように、ＬＥＤ素子２の裏面、すなわちＬＥＤ素子２と端子部１１との間にも蛍光体層４０が設けられた状態となる。
また、本実施形態の光半導体装置１は、上述のように、蛍光体層４０が形成された後にＬＥＤ素子２が接続されているので、ＬＥＤ素子２の表面や側面には蛍光体層４０が形成されていない。なお、ＬＥＤ素子２は、その裏面において端子部１１と導通することができなくなるので、ボンディングワイヤ２ａを別途設けて端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに接続する必要がある。

以上より、本実施形態の光半導体装置１は、上述の第１実施形態の光半導体装置１と同等の効果を奏することができる。また、本実施形態の光半導体装置１は、ＬＥＤ素子２の裏面側から出光する光も蛍光体層４０により特定の色味に変換した上で出光させることができ、光の利用効率を更に向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。

（変形形態）
（１）上述の実施形態において、蛍光体層４０がリフレクタ樹脂部２２の内周側面により容易に形成され易くする観点から、リフレクタ樹脂部２２の内周側面には、微細な凹凸形状が形成され粗面化されるようにしてもよい。

（２）実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子２を実装し、他の２つにはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。

（３）実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１０’ 樹脂付きリードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２１ フレーム樹脂部
２２ リフレクタ樹脂部
３０ 透明樹脂層
４０ 蛍光体層
Ｆ 枠体
Ｍ 段部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部

Claims (7)

1. 複数の端子部を有するリードフレームと、
   前記端子部のうち少なくとも一つの表面に設けられる光半導体素子と、
   前記リードフレームの前記端子部間の空隙部に設けられるフレーム樹脂部と、
   前記リードフレームの表面側に、前記光半導体素子を囲むようにして設けられるリフレクタ樹脂部と、
   複数の蛍光体を含有し、前記端子部及び前記フレーム樹脂部の表面と、前記リフレクタ樹脂部の内周側面とに設けられた蛍光体層とを備え、
   前記蛍光体層は、前記リフレクタ樹脂部の内周側面において、前記リフレクタ樹脂部の高さまで設けられていること、
   を特徴とする光半導体装置。
2. 請求項１に記載の光半導体装置において、
   前記蛍光体層は、前記光半導体素子の表面及び側面にも設けられていること、
   を特徴とする光半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置において、
   前記リフレクタ樹脂部の内周側面に設けられる蛍光体層の厚みは、前記端子部及び前記フレーム樹脂部の表面に設けられる蛍光体層の厚みに比して厚いこと、
   を特徴とする光半導体装置。
4. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置において、
   前記端子部及び前記フレーム樹脂部の表面に設けられる蛍光体層の厚みは、前記リフレクタ樹脂部の内周側面に設けられる蛍光体層の厚みに比して厚いこと、
   を特徴とする光半導体装置。
5. 複数の端子部を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つの表面に光半導体素子が載置されるリードフレームと、
   前記リードフレームの前記端子部間の空隙部に設けられるフレーム樹脂部と、
   前記リードフレームの表面に、前記光半導体素子が載置される領域を囲むようにして設けられるリフレクタ樹脂部と、
   複数の蛍光体を含有し、前記端子部及び前記フレーム樹脂部の表面と、前記リフレクタ樹脂部の内周側面とに設けられた蛍光体層とを備え、
   前記蛍光体層は、前記リフレクタ樹脂部の内周側面において、前記リフレクタ樹脂部の高さまで設けられていること、
   を特徴とする樹脂付きリードフレーム。
6. 請求項５に記載の樹脂付きリードフレームを備え、
   前記蛍光体層は、前記光半導体素子及び前記端子部間にも設けられていること、
   を特徴とする光半導体装置。
7. 請求項１から請求項４までのいずれか１項、又は、請求項６に記載の光半導体装置に設けられる蛍光体層の製造方法であって、
   蛍光体層を構成する樹脂が溶解されるとともに、複数の蛍光体が分散された揮発性溶媒を、前記端子部及び前記フレーム樹脂部の表面と、前記リフレクタ樹脂部の内周側面によって囲まれる領域に滴下する溶媒滴下工程と、
   前記溶媒滴下工程によって滴下された前記揮発性溶媒を揮発させる揮発工程と、
   を備える蛍光体層の製造方法。

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