JP2015216153A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子から発光素子の側方または下方に出る光を効率良く上方から取り出す。
【解決手段】光反射性の樹脂部と、樹脂部から底面を露出する一対のリードと、を備える基体と、基体は凹部を有し凹部に載置された発光素子と、発光素子を内包し基体の上面を被覆する封止樹脂と、を備え、封止樹脂は、基体の側面よりも外側に延出する外底面を備え、外底面が基体の上面と底面との間に位置する。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子を備える発光装置に関する。

近年LEDやLD等の半導体発光素子を備える発光装置において、光取り出し効率の高い発光装置が研究されている。このような発光装置としては、レンズ等に反射面を形成し発光素子からの光を発光面側に反射して取り出す発光装置が知られている。

例えば、特許文献１に係る発光装置（特に図６）は、発光素子から側方または下方に出射される光を、搭載基板とガラス封止体との間の空隙や周壁部材の側壁によって発光面側に反射させて取り出すことが記載されている。

特開２０１３−０７７７９８号公報

しかし、特許文献１に係る発光装置は、周壁部材が透光性の部材からなるので反射をせずに周壁部材を透過する光成分が多く存在する。また、レンズの役割をするガラス封止体の下面は、搭載基板に施されたプリント配線の上に接地して形成されるので、ガラス封止体とプリント配線の接地点周辺では光が漏出したり、プリント配線等に光が吸収されるという問題を有する。

そこで、本発明は、さらなる光の取り出し効率を向上した発光装置を提供することを目的とする。

以上の目的を達成するために、本発明に係る発光装置は、光反射性の樹脂部と、樹脂部から底面を露出する一対のリードと、を備える基体と、基体は凹部を有し凹部に載置された発光素子と、発光素子を内包し基体の上面を被覆する封止樹脂と、を備え、封止樹脂は、基体の側面よりも外側に延出する外底面を備え、正面視において外底面が基体の上面と底面との間に位置することを特徴とする。

本発明によれば、発光素子から側方または下方に出る光を発光面側に効率良く取り出すことができる。

図１(a)は本発明に係る発光装置１０の模式平面図であり、図１(ｂ)は図１(a)のA−A’断面を示す模式断面図である。 図２はレンズの別の形態の外底面を有する発光装置１０Aの断面図である。 図３(a)、図３(ｂ)は実施形態１に係る樹脂部の製造方法を示す概略断面図である。 図４(a)、図４(b)は実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す概略断面図である。 図５(a)は本発明に係る発光装置１０の模式平面図であり、図５(ｂ)は図５(a)のA−A’断面を示す模式断面図である。 図６は実施形態３に係る発光装置３０の概略断面図である。

（実施形態１に係る発光装置）
図１に示すように、実施形態１に係る発光装置１０は、光反射性の樹脂部１と、樹脂部１から底面を露出する一対のリード２と、を備える基体５と、基体５は凹部７を有し凹部７に載置される発光素子３と、発光素子３を内包し基体５の上面を被覆する封止樹脂４と、を備え、封止樹脂４は、基体５の側面よりも外側に延出する外底面４aを備え、正面視において外底面４aが基体５の上面と底面との間に位置することを特徴とする。実施形態１に係る発光装置１０では、凹部７の側壁は樹脂部１からなる。

以下、構成ごとに順に説明する。

（基体）
基体５は樹脂部１とリード２を少なくとも備え、さらに凹部７を有している。実施形態１に係る発光装置１０では、樹脂部１及びリード２で形成される凹部７に発光素子３が載置され、凹部７の側壁は樹脂部１で構成される。凹部７に発光素子３が載置されることで、発光素子３から発光素子３の周辺に出射される光を凹部７の側壁で発光面側に反射させることができる。
凹部７の側壁は凹部７の開口側に向かって外側に傾斜していることが好ましい。側壁に傾斜を持たせることで、発光素子３からの光を効率よく側壁で反射させることができるからである。さらに、凹部７の側壁には金属部材からなる反射膜が別途形成されていてもよい。この場合、反射膜は凹部７の側壁の全てに設けられていても良いし、凹部７の側壁の一部にのみ設けられていてもよい。金属部材からなる反射膜は発光素子３からの光を上方に反射させるだけではなく、発光素子３からの熱を効率的に樹脂部１に放熱する役割もある。

凹部７の側壁の高さは任意に決めることが出来るが、ワイヤーを用いてリード２と発光素子３を接続している場合（フェイスアップ実装の場合）、凹部７の側壁の高さはワイヤーの最大高さよりも低くなることが好ましく、さらに凹部７の側壁の高さはワイヤーの最大高さの１／２以下であることが好ましい。このようにすることで、凹部７の側壁で反射された光が再びワイヤーに向かう確率を減らすことができ、ワイヤーで吸収される光成分を抑えたり、ワイヤーによって光が反射して発光素子３側に戻ることを抑えることができる。
また凹部７の側壁の高さは、図１で示すように、凹部７の底面から発光素子３の発光層までの高さｈよりも低く形成されることが好ましく、例えば凹部７の側壁の高さは１／２ｈから３／４ｈの間とすることができる。また発光素子３がフェイスアップ実装されている場合、発光層から発光素子３の上面までの厚さは非常に薄いので、高さhは凹部７の底面から発光素子３の上面までの高さとみなすことも出来る。凹部７の側壁の高さがｈよりも高い場合は、発光素子３から発光素子３の側方または下方に出射される光の大部分が凹部７の側壁で反射されることになり、封止樹脂４のレンズ面近傍において凹部７の直上の配光が強くなる。一方、凹部７の側壁の高さがｈよりも低く形成される場合、発光素子３から出射される光は後述する封止樹脂４の反射領域Ｔに到達しやすくなり、レンズ面近傍においてレンズ面全体で光を均一に出射しやすくなる。

（光反射性の樹脂部）
図１に示すように、光反射性の樹脂部１はリード２を保持し発光素子３からの光を発光面側に反射させる。光反射性の樹脂部１は樹脂材料に光反射性の物質を含めているものである。

光反射性物質としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇからなる群から選択される１種の酸化物、もしくはＡｌＮ、ＭｇＦの少なくとも１種を用いることができる。具体的にはＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＦ、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、ＭｇＯよりなる群から選択される少なくとも１種である。

樹脂材料としては、熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂を用いるが熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、そのうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましい。

（リード）
リード２は少なくとも正負一対からなり、樹脂部１から底面が露出されている。リード２の底面は、二次実装基板の電極パターンに半田等の接合部材を介して電気的に接続される。リード２の底面が露出しているので、発光素子３から発生する熱を効率良く二次実装基板側に放熱することができる。
さらに、リード２は平板状の形状であることが好ましい。このような構成にすることで、リード２の底面の全領域を樹脂部１から露出させることができるので放熱性を向上することができる。

リード２の側面は平面視において樹脂部１の外側面と略同一または内側に位置することが好ましい。この場合の同一とは完全に同一となってもよいが、リード２の側面が樹脂部１の外側面から誤差と呼べる程度延出している場合（例えばバリがリード２の側面に残っている場合等）も含む。リード２が平面視において樹脂部１の外側に延出すると、外部からの衝撃を受けることによりリード２が変形したり、リード２と発光素子３が接続不良を起こす可能性がある。一方、リード２を平面視において樹脂部１の外側面と略同一または内側に位置することで、上記の問題を改善することができ、さらに発光装置１０を二次実装基板に載置する時の載置領域を小さくすることができる。

リード２の表面は金、銀、ニッケル、白金、パラジウム、等の金属でメッキ処理が施されていることが好ましく、特に可視光の反射性が高い銀でメッキ処理を施すことが好ましい。リード２の表面を反射性の高い金属でメッキ処理を施すことで、発光素子３からリード２側に出射される光を上面側に反射させることができる。また、リード２の表面にアンカー用の凹凸が設けられていてもよく、リード２の表面に凹凸を設けることで樹脂部１や後述する封止樹脂４との接合力を向上させることができる。

（発光素子）
発光素子３は、例えば窒化物半導体であるGaN系化合物半導体を用い、１５０μｍ程度の厚さの成長基板上に、１〜２μｍ程度の厚さのｎ型半導体層、５０〜１５０ｎｍ程度の厚さの発光層、１００〜３００ｎｍ程度の厚さのｐ型半導体層を形成する半導体発光素子構造とすることが出来る。発光素子３はＧａＮ系化合物半導体の他に、例えばＺｎＳｅ系化合物半導体、ＩｎＧａＡｓ系化合物半導体、ＡｌＩｎＧａＰ系化合物半導体からなる。成長基板は後で取り除くことができる。
また、発光素子３は、発光ピーク波長が２４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下、好ましくは３８０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の半導体発光素子を用いることができる。

実施形態１における発光素子３は、図１で示すように樹脂部１及びリード２で形成される凹部７に載置される。発光素子３はリード２と電気的に接続されており、発光素子３の実装方法としては導電性のワイヤーによって接続されるフェイスアップ実装でも良いし、発光素子３がリード２の上面にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ａｕ−Ｓｎ系等の半田やＡｕ等の金属のバンプ等を介して接続されるフリップチップ実装でもよい。発光素子３は導電性のワイヤーによってリード２と接続（フェイスアップ実装）されることが好ましく、このようにすることで高さ方向において発光素子３の大部分を占める成長基板を下側に備えることができ、発光素子３の発光層の高さを容易に高くすることができる。さらに、発光素子３とリード２がワイヤーによって接続されるので、発光素子３からの熱でリード２が変形した場合にその変形による応力をワイヤーで緩和させることができる。
また、発光素子３はリード２の上に直接載置されていても良いし、サブマウント等を間に挟んで設けてもよい。

（封止樹脂）
封止樹脂４は、発光素子３を内包し基体５の上面を被覆する。つまり封止樹脂４は、発光素子３が載置された基体５を発光面側から見た時に、上面に露出する全ての領域を被覆する。具体的には、図１で示すように封止樹脂４は樹脂部１の上面、発光素子３、及び発光素子３が載置されている凹部７を被覆する。

封止樹脂４は、基体５の上面と対向するレンズ面と、レンズ面から連続して形成される外底面４aとを少なくとも備えている。本明細書における外底面４aとは、表面が外気と接し、後述するように発光素子３から到達する光を発光面側に反射させる役割を持っている。

レンズ面は、発光素子３から出射される光を効率良く表面から取り出すことができる形状であればよく、図１で示すように例えば正面視において略半円形の曲面レンズ形状とすることができる。またこの他に、用途によってバットウイング配光のレンズ、フレネルレンズ、また非曲面のレンズ等を使うことができる。さらに、レンズの表面には微細な凹凸が設けられていてもよい。微細な凹凸を設けることで、レンズの表面で光を拡散させることができる。

封止樹脂４の外底面４aは、基体５の側面よりも外側に延出している。そして、外側に延出する部分は外気と接しており、凹部７で反射できなかった光を反射させる第２の反射領域Ｔとなる。封止樹脂４は屈折率が高い樹脂を用いることが好ましく、屈折率が高い樹脂を用いることで反射領域Ｔの臨界角は小さくなり全反射を起こしやすくなる。また、反射領域Ｔは図１で示すような正面視において水平な形状に限らず、図２で示すように反射領域Ｔの一部が基体５の上面に平行な方向に対して上方に向かって傾斜していてもよい。反射領域Ｔに到達する光としては、発光素子３からの直接光や発光装置１０内で反射されて到達する光以外に、樹脂部１の側壁が薄い場合側壁を透過する透過光が到達する。
反射領域Ｔの外気と接する表面には、別途光反射性の高い反射部材を備えていてもよい。反射部材としては、例えば銀等からなる金属部材やメッキ処理が施されたリードフレーム、光反射性物質を含む樹脂成形体、紙等を用いることができる。

封止樹脂４の外底面４aは正面視において基体５の上面と底面との間に位置する。この場合、図１のように外底面４aが正面視において略水平である場合は外底面４aの全体が基体５の上面と底面との間に位置することになる。また、図２のように外底面４aが正面視において基体５の上面に平行な方向に対して上方に傾斜している場合は、傾斜の起点が基体５の上面と底面との間に位置していればよい。このようにすることで、封止樹脂４と基体５との接合面積が増え、封止樹脂４と基体５との接合力が向上した発光装置１０とすることができる。また本明細書において封止樹脂４の外底面４aは、凹部７に形成される内底面とは区別される。封止樹脂４の内底面とは凹部７の中に形成される底面のことをいい、凹部７は封止樹脂４で完全に封止されていることが好ましいので封止樹脂４の内底面は凹部７の底面と一致する。このように凹部７は封止樹脂４で封止されているので、外部からの塵芥、水、外力等を防ぐことができる。

図２に示すように、封止樹脂４は外底面４aから連続して基体５の側面に沿って下方に形成される下垂部を備えていてもよい。具体的には「下垂部」とは、外底面４aが基体５の上面と底面との間となるように封止樹脂４が基体５の側面の一部を被覆した状態において、封止樹脂４の一部が均一な幅（横方向長さ）で基体５の側面に沿って下方に形成される部位のことをいう。下垂部は、例えば外底面４aの幅（横方向長さ）が約１．８ｍｍ（例えば３ｍｍ以下）である場合、その幅（横方向長さ）が５０μｍ程度（例えば０．２ｍｍ以下）と短いため、通常この存在を無視してもよい。外底面４ａと下垂部との境界部は光が漏れないように位置していることが好ましく、また図２で示すように、下垂部の底面は基体５の底面と略一致するように形成されることが好ましい。外底面４aから連続して基体５の側面に沿うように形成された下垂部を備えることによって、封止樹脂４と基体５との接合面積が増え接合強度が向上する。また、発光素子３から発生する熱を封止樹脂４へ放熱することができるので放熱性の面でも効果がある。

（波長変換部材）
波長変換部材８は、発光素子３から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射するものである。例えば青色光に発光する発光素子３を用いる場合、ＹＡＧ系蛍光体の波長変換部材８を組み合わせることで簡単に白色光を得ることができる。また、波長変換部材８は図１で示すように発光素子３の周辺に設けることもできるし、発光素子３から離間して設けたり、封止樹脂４に含有させて設けることもできる。波長変換部材８の形成方法としては、電気泳動沈着、スプレーコート、印刷、噴霧、ブラッシング、流し塗り、浸漬、ポッティング等がある。

波長変換部材８としては、例えば、酸化物系、硫化物系、窒化物系の蛍光体などが挙げられる。例えば、発光素子３として青色発光する窒化ガリウム系発光素子３を用いる場合、青色光を吸収して黄色〜緑色系発光するＹＡＧ系、ＬＡＧ系、緑色発光するＳｉＡｌＯＮ系、赤色発光するＫＳＦ、ＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ系の蛍光体を単独で又は組み合わせて用いることが好ましい。

（保護素子）
リード２には、発光素子３だけではなくツェナーダイオードなどの保護素子が配置されていてもよい。保護素子を搭載する位置は発光素子３の近傍でもよいが、発光素子３からの光を吸収しないように樹脂部１等に埋設されていてもよい。保護素子の種類としては、過熱、過電流、保護回路、静電用の保護素子等を用いることができる。

以下、実施形態１に係る発光装置１０の製造方法を説明する。

（パッケージ準備工程）
発光素子３及び基体５を含むパッケージ１１（以下、発光素子３及び基体５をパッケージ１１と適宜変換して記す）の準備工程は、リードフレーム（個片化後はリードと記す）に光反射性の樹脂部１を形成する集合基体形成工程と、発光素子３を集合基体に載置する工程と、集合基体を切断して個片化する工程とを含む。

集合基体形成工程では、メッキ処理が施されたリードフレームを図３（ａ）で示すような上金型と下金型で挟み込み、例えば光反射性物質を含む樹脂をトランスファ・モールド法で金型内に注入する。そして、金型内の樹脂を熱硬化させることで光反射性の樹脂部１を形成することができる。樹脂を成形するその他の方法としては、圧縮成型、射出成型等の成型技術を利用することができる。

次に発光素子３を載置する工程では、図３で示すように集合基体上の載置領域Ｘに発光素子３を載置する。まず、載置領域Ｘにダイボンド樹脂を設けその上から発光素子３をボンディングする。そして、発光素子３とリード２（現段階ではリードフレーム）を導電性のワイヤーによって接続し、その後、例えば上面からスプレーコート法によって波長変換部材８を発光素子３の周辺に形成する。
また、発光素子３の下にサブマウント等を配置する場合は載置領域Ｘに接合材料を介してサブマウント等を配置し、その上面に発光素子３をボンディングする。

（個片化工程）
集合基体を個片化する工程では、ダイシングブレードを使って発光素子３が載置された集合基体を個片化していく。この時個片化されたものが１つのパッケージ１１となる。切断後のリード２の側面は切断面となるのでメッキ処理が施されていない部分を有する。

（封止樹脂形成工程）
上記の工程が終わった後に、準備したパッケージ１１の上面を被覆する封止樹脂４を形成する。この工程においては、図４で示すような上金型、下金型、及びパッケージ１１の上面よりも低く平坦な上面を有する治具を用いて封止樹脂４を形成していく。この場合のパッケージの１１の上面とは、基体５の上面と同じとなる。まず金型内に、パッケージ１１と治具を配置し、熱硬化性の樹脂等をトランスファ・モールド法等で金型内に注入する。そして、金型内の樹脂に熱を加えて硬化させることで封止樹脂４を備えた発光装置１０を得ることができる。

また、治具の上面は上方に傾斜する傾斜面を備えていてもよい。治具の上面を傾斜させることで、封止樹脂４の反射領域Ｔにおいて基体５の上面に平行な方向に対して上方に傾斜する反射領域Ｔを形成することができる。さらに、金型内にパッケージ１１と治具とを配置する際にパッケージ１１と治具との間に隙間ができるように配置してもよい。このようにすることで、樹脂を注入した際に樹脂が隙間に流れ込むことで下垂部を形成し、封止樹脂４とパッケージ１１の接合を向上させることができる。

（実施形態２に係る発光装置）
図５に示すように、実施形態２に係る発光装置２０は、光反射性の樹脂部１と、樹脂部１から底面を露出する一対のリード２と、を備える基体５と、基体５は凹部７を有し凹部７に載置される発光素子３と、発光素子３を内包し基体５の上面を被覆する封止樹脂４と、を備え、封止樹脂４は、基体５の側面よりも外側に延出する外底面４aを備え、正面視において外底面４aが基体５の上面と底面との間に位置することを特徴とする。実施形態１に係る発光装置１０と異なる点は、リード２に凹部７が形成され、発光素子３が凹部７に載置されている点である。以下、実施形態１と同様の部分は適宜省略しながら説明する。

図５で示すように、実施形態２に係る発光装置２０はリード２の一方に凹部７が形成され、発光素子３が凹部７に載置されている。つまり、実施形態２０に係る発光装置２０では、凹部７の側壁はリード２からなる。凹部７の側壁は開口側に向かって外側に傾斜していることが好ましく、発光素子３が凹部７に載置されることで、発光素子３から発光素子３の周辺に出射される光を凹部７の側壁で上面側に反射させることができる。リード２で形成される凹部７の表面には、銀等の金属でメッキ処理が施されていることが好ましく、特に凹部７には別途光反射性の金属膜を表面に設けていてもよい。このようにすることで、発光素子３から発光素子３の周辺に出射される光を凹部７の側壁で効率よく反射することができる。

リード２に設けられた凹部７は、金型を用いたプレス加工等で形成することができる。この時金型の形状を好適な形状にすることで、例えば凹部７の形状を、凹部７の側壁を開口側に向かって外側に傾斜させる形状等にすることができる。凹部７の側壁に傾斜を持たせることで、発光素子３から発光素子３の周辺に出射される光を上面に反射させやすくなる。

（実施形態３）
実施形態３に係る発光装置３０は、図６で示すように発光素子３の下に台座部材９を備えている点で実施形態１及び２に係る発光装置と異なる。

実施形態３に係る発光装置３０は、図６で示すように発光素子３の下に台座部材９を備えている。このようにすることで、発光素子３の高さ（特に発光層の高さ）を容易に高くすることができるので、封止樹脂４のレンズ面近傍において配光ムラの少ない発光装置とすることができる。台座部材９は透光性、非透光性を問わないが、台座部材９が光反射性の高い部材である場合発光素子３から下方に出射される光を台座部材９の上面で反射させて上方から効率良く取り出すことが出来る。台座部材９としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属部材やアルミナや窒化アルミニウム等のセラミック、またはポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の樹脂部材を用いることが出来る。

台座部材９の形状は、例えば直方体や立方体等の六面体であり、台座部材９の高さは上面に載置される発光素子３の発光層の高さを凹部７の側壁の高さよりも上に位置させることが出来る高さである。
また、台座部材９を備える実施形態３に係る発光装置３０は、実施形態１および２に係る発光装置と比べて基体５の高さを高くすることができる。つまり、実施形態１および２に係る発光装置では、発光素子３の発光層の高さを凹部７の側壁の高さよりも高くするために凹部７を低く形成する必要があり、それに伴って基体５の高さも低くなる。一方、実施形態３に係る発光装置３０では、台座部材９の高さを任意に決めることが出来るので、凹部７および基体５の高さを比較的大きく形成することが出来る。そのため、封止樹脂４と基体５との接合面積を容易に増やすことができ外部からの衝撃に強い発光装置とすることが出来る。さらに、樹脂部１やリード２を金型で成形する際の成形性が良くなり、凹部７の側壁に傾斜を成形しやすくなる。

本発明の発光装置は、照明、バックライト、ディスプレイ用の発光装置として好適に利用することができる。

１・・・樹脂部
２・・・リード
３・・・発光素子
４・・・封止樹脂
５・・・基体
７・・・凹部
８・・・波長変換部材
９・・・台座部材
１０，２０,３０・・・発光装置
１１・・・パッケージ
Ｔ・・・反射領域
Ｘ・・・載置領域

Claims (11)

1. 光反射性の樹脂部と、前記樹脂部から底面を露出する一対のリードと、を備える基体と、
   前記基体は凹部を有し前記凹部に載置された発光素子と、前記発光素子を内包し前記基体の上面を被覆する封止樹脂と、を備え、
   前記封止樹脂は、前記基体の側面よりも外側に延出する外底面を備え、正面視において前記外底面が前記基体の上面と底面との間に位置することを特徴とする発光装置。
2. 前記発光素子の発光層の高さが前記凹部の高さよりも高く位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記凹部の側壁が前記樹脂部からなることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記凹部の側壁が前記リードからなることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
5. 前記発光素子の下に台座部材が備えられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記凹部の側壁は開口側に向かって外側に傾斜していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 前記凹部の側壁に反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 前記リードの側面は平面視において前記樹脂部の外側面と同一または内側に位置することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。
9. 前記封止樹脂の外底面は正面視において前記基体の上面に平行な方向に対して上方に傾斜する部分を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
10. 前記封止樹脂は前記外底面から連続して前記基体の側面に沿って下方に延びる下垂部を備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか1項に記載の発光装置。
11. 前記発光素子は前記リードにフェイスアップ実装されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか1項に記載の発光装置。

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