JP3069082B2 - 光電素子の製造方法および光電素子 - Google Patents
光電素子の製造方法および光電素子Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/483—Containers
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- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/484—Connecting portions
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビーム受信半導体
チップまたはビーム照射半導体チップを有する光電素子
であって、前記チップはソケット部材に取り付け固定さ
れており、少なくとも２つの電極端子と接続しており、
該電極端子は、導電端子材料からなり、前記光電素子の
電気接触接続に用いられ、ソケット部材の外側表面に形
成されている形式の光電素子、およびこの光電素子の製
造方法に関する。
チップまたはビーム照射半導体チップを有する光電素子
であって、前記チップはソケット部材に取り付け固定さ
れており、少なくとも２つの電極端子と接続しており、
該電極端子は、導電端子材料からなり、前記光電素子の
電気接触接続に用いられ、ソケット部材の外側表面に形
成されている形式の光電素子、およびこの光電素子の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の光電半導体構成素子は大量生産
で製造され、光信号または光電流を電気信号または電気
エネルギーに変換するのに、またその反対の変換に用い
られる。ビーム受信器ないし光検知構成素子は例えばフ
ォトダイオードまたはフォトトランジスタである。送信
器ないしビーム発生構成素子には（可視）光を放射する
ダイオード（ＬＥＤ）および赤外線放射ダイオード（Ｉ
ＲＥＤ）がある。これらの光電構成素子は有利にはウェ
ハに製作され、完成後に矩形チップの形態で個別化され
る。製造された半導体チップは次に使用目的に応じて、
適切な支持体に固定され、接触接続され、透明プラスチ
ックからなるケースに埋め込まれる。半導体チップおよ
びコンタクトワイヤに対する保護の他に、プラスチック
ケースはチップでのビーム入力結合および出力結合の機
能を改善する。
で製造され、光信号または光電流を電気信号または電気
エネルギーに変換するのに、またその反対の変換に用い
られる。ビーム受信器ないし光検知構成素子は例えばフ
ォトダイオードまたはフォトトランジスタである。送信
器ないしビーム発生構成素子には（可視）光を放射する
ダイオード（ＬＥＤ）および赤外線放射ダイオード（Ｉ
ＲＥＤ）がある。これらの光電構成素子は有利にはウェ
ハに製作され、完成後に矩形チップの形態で個別化され
る。製造された半導体チップは次に使用目的に応じて、
適切な支持体に固定され、接触接続され、透明プラスチ
ックからなるケースに埋め込まれる。半導体チップおよ
びコンタクトワイヤに対する保護の他に、プラスチック
ケースはチップでのビーム入力結合および出力結合の機
能を改善する。
【０００３】すべての側をプラスチックケーシングによ
りラジアル構造で封鎖し、１つの側に向かって突出した
長い電極端子を有する構成が、表面実装に適した発光ダ
イオード構造として公知である。ここではいわゆるリー
ドフレームが半導体チップに対する前もって製造された
支持部材として設けられており、電極端子はプラスチッ
クケーシングから横方向に導き出され、曲げられた脚部
として構成されている。このような表面実装用のＬＥＤ
を製造する際には、エンドレスに打ち抜き加工された導
体用バンドが耐高温性の熱可塑性剤と共に射出成形され
る。別の製造方法技術では、発光ダイオードはまず鋳造
された後に初めて表面実装に適したホルダに埋め込まれ
る。
りラジアル構造で封鎖し、１つの側に向かって突出した
長い電極端子を有する構成が、表面実装に適した発光ダ
イオード構造として公知である。ここではいわゆるリー
ドフレームが半導体チップに対する前もって製造された
支持部材として設けられており、電極端子はプラスチッ
クケーシングから横方向に導き出され、曲げられた脚部
として構成されている。このような表面実装用のＬＥＤ
を製造する際には、エンドレスに打ち抜き加工された導
体用バンドが耐高温性の熱可塑性剤と共に射出成形され
る。別の製造方法技術では、発光ダイオードはまず鋳造
された後に初めて表面実装に適したホルダに埋め込まれ
る。
【０００４】ＤＥ３１２８１８７Ａ１から、請求項１の
上位概念に相応する光電構成素子が公知である。この構
成素子では２つの端子が設けられており、これら端子は
支持体に扁平に取り付けられ、半導体と接続されてい
る。またこれら端子は、半導体を支持する支持体表面か
ら少なくとも支持体の別の表面まで伸長し、そこで端子
接触接続面を形成する。
上位概念に相応する光電構成素子が公知である。この構
成素子では２つの端子が設けられており、これら端子は
支持体に扁平に取り付けられ、半導体と接続されてい
る。またこれら端子は、半導体を支持する支持体表面か
ら少なくとも支持体の別の表面まで伸長し、そこで端子
接触接続面を形成する。
【０００５】ＤＥ１９２１１２４Ａ１から、支持体ユニ
ットに固定された半導体チップを有する光電変換器が公
知である。支持体ユニットはチップ取り付け領域を有
し、この取り付け領域には複数の端子部材が配属されて
いる。これら端子部材には電気的端子面が設けられてお
り、この端子面は平面を定義する。この平面のチップ取
り付け領域までの間隔は半導体チップの最大高さよりも
大きく、場合によりすべての接続導体および／またはチ
ップ取る付け領域に関連するカバー手段を含めた高さよ
りも大きい。
ットに固定された半導体チップを有する光電変換器が公
知である。支持体ユニットはチップ取り付け領域を有
し、この取り付け領域には複数の端子部材が配属されて
いる。これら端子部材には電気的端子面が設けられてお
り、この端子面は平面を定義する。この平面のチップ取
り付け領域までの間隔は半導体チップの最大高さよりも
大きく、場合によりすべての接続導体および／またはチ
ップ取る付け領域に関連するカバー手段を含めた高さよ
りも大きい。
【０００６】Jap.J.Appl.Physics,Bd.27,1988,L1764-L1
767から、絶縁基板に銅からなる薄い被覆部を液体から
の析出により化学的に、かつ外部の電流の作用なしに被
覆する方法（無電流埋め込み）が記載されている。次に
銅層をフォトリソグラフ法を用いて選択的にエッチング
し、その際にマスク層を析出して構造化する。これによ
って、マスク材料に覆われた被覆領域と覆われない被覆
領域とが分離され、マスク層の材料により覆われない領
域を選択的にエッチングにより除去することができる。
767から、絶縁基板に銅からなる薄い被覆部を液体から
の析出により化学的に、かつ外部の電流の作用なしに被
覆する方法（無電流埋め込み）が記載されている。次に
銅層をフォトリソグラフ法を用いて選択的にエッチング
し、その際にマスク層を析出して構造化する。これによ
って、マスク材料に覆われた被覆領域と覆われない被覆
領域とが分離され、マスク層の材料により覆われない領
域を選択的にエッチングにより除去することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、光電
構成素子、例えばＳＭＴ光構成素子（ＳＭＴ＝SurfaceM
outed Technologir）と、その製造方法を提供すること
であり、この方法により構成素子の構造寸法がさらに小
さくなり、構造形式が異なっていても安価な製造が可能
になるようにする。
構成素子、例えばＳＭＴ光構成素子（ＳＭＴ＝SurfaceM
outed Technologir）と、その製造方法を提供すること
であり、この方法により構成素子の構造寸法がさらに小
さくなり、構造形式が異なっていても安価な製造が可能
になるようにする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、ソケット部材に、導電端子材料からなる薄い被覆部
を液体からの析出により化学的に、外部の電流の作用な
しで被覆し、ソケット部材の薄い被覆部を構造化し、こ
のとき被覆部に電気的に相互に絶縁された個々の領域を
作製し、このように作製した薄い被覆部の所定領域に、
補助材料からなる別の薄い層を電解析出により、外部電
流の作用下で析出し、これにより被覆部の当該所定領域
の層厚を増強し、ソケット部材被覆部の増強されなかっ
た領域を選択的にエッチングにより除去する、製造方法
によって解決される。
り、ソケット部材に、導電端子材料からなる薄い被覆部
を液体からの析出により化学的に、外部の電流の作用な
しで被覆し、ソケット部材の薄い被覆部を構造化し、こ
のとき被覆部に電気的に相互に絶縁された個々の領域を
作製し、このように作製した薄い被覆部の所定領域に、
補助材料からなる別の薄い層を電解析出により、外部電
流の作用下で析出し、これにより被覆部の当該所定領域
の層厚を増強し、ソケット部材被覆部の増強されなかっ
た領域を選択的にエッチングにより除去する、製造方法
によって解決される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の光電素子では、電極端子
がソケット部材の外側表面に析出された薄い被覆部によ
り形成される。
がソケット部材の外側表面に析出された薄い被覆部によ
り形成される。
【００１０】本発明の光電構成素子の第１の製造方法で
は、ソケット部材に導電性端子材料からなる薄い被覆部
を、液体から例えば化学的に、外部の電流の影響なしに
被覆し、ソケット部材の薄い被覆部を構造化し、電気的
に相互に絶縁された個別の領域を被覆部に作製し、この
ように作製された薄い被覆部領域の所定部分に補助材料
からなる薄い層を外部の電流作用の下で電解析出し、こ
れによってこの被覆部の所定領域の層厚を増大し、ソケ
ット部材被覆部の増大されなかった領域を選択的にエッ
チングにより除去する。
は、ソケット部材に導電性端子材料からなる薄い被覆部
を、液体から例えば化学的に、外部の電流の影響なしに
被覆し、ソケット部材の薄い被覆部を構造化し、電気的
に相互に絶縁された個別の領域を被覆部に作製し、この
ように作製された薄い被覆部領域の所定部分に補助材料
からなる薄い層を外部の電流作用の下で電解析出し、こ
れによってこの被覆部の所定領域の層厚を増大し、ソケ
ット部材被覆部の増大されなかった領域を選択的にエッ
チングにより除去する。
【００１１】本発明の別の方法では、ソケット部材に導
電性端子材料からなる薄い被覆部を液体から、例えば化
学的に外部の電流の作用なしで被覆し、薄いソケット部
材被覆部にマスク層を析出し、マスク層を構造化し、こ
れによりソケット部材被覆部をマスク材料に覆われてい
る領域と覆われていない領域に分離し、マスク層の材料
によって覆われていない領域を選択的にエッチングによ
り除去する。
電性端子材料からなる薄い被覆部を液体から、例えば化
学的に外部の電流の作用なしで被覆し、薄いソケット部
材被覆部にマスク層を析出し、マスク層を構造化し、こ
れによりソケット部材被覆部をマスク材料に覆われてい
る領域と覆われていない領域に分離し、マスク層の材料
によって覆われていない領域を選択的にエッチングによ
り除去する。
【００１２】本発明に関連する利点は、構成素子の電気
接触接続に用いる電極端子が構造化された被覆技術で取
り付けられた、前もって製造されたプラスチックソケッ
ト部材、有利にはプラスチック射出部材を使用すること
によって、表面実装技術（ＳＭＴ）に対する光構成素子
を僅かな構造高さで、格段に低い製造コストにより製造
することができることである。フレキシブルなプロセス
導入によって、本発明は種々異なる構造形式および電極
端子形式の製造を可能にする。同じように安価に、かつ
簡単に複数の構成素子を組み合わせていわゆるアレイに
製造することができる。構成素子変形の広いパレットを
ただ１つのソケット部材により覆うことができる。この
ソケット部材は例えばＬＥＤでは、その形状はリードフ
レームないしプレスされた反射器を有する従来のＬＥＤ
支持体よりも格段に簡単な構成部材である。
接触接続に用いる電極端子が構造化された被覆技術で取
り付けられた、前もって製造されたプラスチックソケッ
ト部材、有利にはプラスチック射出部材を使用すること
によって、表面実装技術（ＳＭＴ）に対する光構成素子
を僅かな構造高さで、格段に低い製造コストにより製造
することができることである。フレキシブルなプロセス
導入によって、本発明は種々異なる構造形式および電極
端子形式の製造を可能にする。同じように安価に、かつ
簡単に複数の構成素子を組み合わせていわゆるアレイに
製造することができる。構成素子変形の広いパレットを
ただ１つのソケット部材により覆うことができる。この
ソケット部材は例えばＬＥＤでは、その形状はリードフ
レームないしプレスされた反射器を有する従来のＬＥＤ
支持体よりも格段に簡単な構成部材である。
【００１３】本発明の別の有利な形態は従属請求項に記
載されている。
載されている。
【００１４】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
【００１５】図１には本発明の光電構成素子の実施例と
して、発光ダイオード（ＬＥＤ）が示されている。この
ＬＥＤはビーム照射素子としての半導体チップ１を有す
る。チップ支持体４としてのソケット部材４が、その外
側表面の所定部分では導電端子材料（例えば銅を有す
る）からなる２つの電極端子２，３が被覆されている。
ここで、一方の電極端子２の導電面は部分５から半導体
チップ１に向いた側のソケット部材上側を縁部側部分６
を越えてソケット部材４の下側の部分７まで伸長してい
る。相応して、第２の電極端子３の面はソケット部材４
の他方の側を部分８から縁部側部分９を越えてソケット
部材４の下側の部分１０まで伸長している。半導体チッ
プ１は電極端子２の部分５に、有利には適切な導電接着
剤を用いて固定されている。チップ１の第２の電極端子
３との接触接続は、ボンディングワイヤ１１を介して行
われる。透明プラスチックからなるレンズ部材１２はソ
ケット部材４に成型されている。ソケット部材４は銅か
らなる処理されたヒートシンク１３を有することができ
る。
して、発光ダイオード（ＬＥＤ）が示されている。この
ＬＥＤはビーム照射素子としての半導体チップ１を有す
る。チップ支持体４としてのソケット部材４が、その外
側表面の所定部分では導電端子材料（例えば銅を有す
る）からなる２つの電極端子２，３が被覆されている。
ここで、一方の電極端子２の導電面は部分５から半導体
チップ１に向いた側のソケット部材上側を縁部側部分６
を越えてソケット部材４の下側の部分７まで伸長してい
る。相応して、第２の電極端子３の面はソケット部材４
の他方の側を部分８から縁部側部分９を越えてソケット
部材４の下側の部分１０まで伸長している。半導体チッ
プ１は電極端子２の部分５に、有利には適切な導電接着
剤を用いて固定されている。チップ１の第２の電極端子
３との接触接続は、ボンディングワイヤ１１を介して行
われる。透明プラスチックからなるレンズ部材１２はソ
ケット部材４に成型されている。ソケット部材４は銅か
らなる処理されたヒートシンク１３を有することができ
る。
【００１６】有利には作業工程で同時に複数の光電構成
素子ないしソケット部材を電極端子と共に作製する。図
２は、この目的のために射出成形法で前もって作製され
たプレート状の支持体１４を示す。この支持体は適切な
高温熱プラスチック材料からなり、貫通ブッシュ１５が
後で個別化されるソケット部材４の間に設けられてい
る。このソケット部材には、支持体１４を搬送するため
の搬送工具と、構成素子を個別化するための分離工具が
係合できる。ソケット部材のプレート状支持体１４で
は、まず電極端子２，３が作製される。この電極端子は
チップ実装のために導体路として、また表面実装（ＳＭ
Ｔ）のために構成素子の電気接触接続に用いる。電極端
子の作製は、図３ＡからＣに基づいて次に説明する第１
の実施例に従って、または図４ＡからＣで説明する第２
の実施例に従って行われる。
素子ないしソケット部材を電極端子と共に作製する。図
２は、この目的のために射出成形法で前もって作製され
たプレート状の支持体１４を示す。この支持体は適切な
高温熱プラスチック材料からなり、貫通ブッシュ１５が
後で個別化されるソケット部材４の間に設けられてい
る。このソケット部材には、支持体１４を搬送するため
の搬送工具と、構成素子を個別化するための分離工具が
係合できる。ソケット部材のプレート状支持体１４で
は、まず電極端子２，３が作製される。この電極端子は
チップ実装のために導体路として、また表面実装（ＳＭ
Ｔ）のために構成素子の電気接触接続に用いる。電極端
子の作製は、図３ＡからＣに基づいて次に説明する第１
の実施例に従って、または図４ＡからＣで説明する第２
の実施例に従って行われる。
【００１７】ソケット部材４を電極端子２，３と共に作
製した後、−まだ本体１４に結合されている−半導体チ
ップ１をボンディングし、端子ワイヤ１１を接触接続す
る。必要ならば、１つの構造部材に複数の半導体チップ
を実装することができるようにソケット部材を構成する
ことができる。この場合通常は、２つ以上の電極端子が
必要になる。これに続いてレンズ１２が取り付けられ
る。これは適切に構成された鋳型プレートをを使用して
実行することができる。この鋳型プレートの形状がレン
ズ体を形成し、レンズ体はチップ支持体バンドに向けて
配向することができる。個々の形状は例えばエポキシ樹
脂によって充填され、チップ支持体基板は上から見て鋳
型プレートにセンタリングされる。レンズに対するエポ
キシ樹脂が硬化した後、基板は除去される。このときエ
ポキシ樹脂レンズを必要に応じてさらに硬化させること
ができる。これに続いて、レンズの設けられたチップ支
持体１４を切り出しプロセスにより個々の部材に、また
はアレイも個別化する。理想的な配線接続のためには、
電極端子２，３の導体路も同じように切り出しによって
分離することができる。続いて個別化された構成素子な
いしアレイをオートメーションを使用して検査し、パッ
キングすることができる。パッキングはいわゆるテープ
を用い、またはアレイの場合はチューブで行う。これと
は別に例えば構成部材支持シート等を用いてパッキング
を行うこともできる。
製した後、−まだ本体１４に結合されている−半導体チ
ップ１をボンディングし、端子ワイヤ１１を接触接続す
る。必要ならば、１つの構造部材に複数の半導体チップ
を実装することができるようにソケット部材を構成する
ことができる。この場合通常は、２つ以上の電極端子が
必要になる。これに続いてレンズ１２が取り付けられ
る。これは適切に構成された鋳型プレートをを使用して
実行することができる。この鋳型プレートの形状がレン
ズ体を形成し、レンズ体はチップ支持体バンドに向けて
配向することができる。個々の形状は例えばエポキシ樹
脂によって充填され、チップ支持体基板は上から見て鋳
型プレートにセンタリングされる。レンズに対するエポ
キシ樹脂が硬化した後、基板は除去される。このときエ
ポキシ樹脂レンズを必要に応じてさらに硬化させること
ができる。これに続いて、レンズの設けられたチップ支
持体１４を切り出しプロセスにより個々の部材に、また
はアレイも個別化する。理想的な配線接続のためには、
電極端子２，３の導体路も同じように切り出しによって
分離することができる。続いて個別化された構成素子な
いしアレイをオートメーションを使用して検査し、パッ
キングすることができる。パッキングはいわゆるテープ
を用い、またはアレイの場合はチューブで行う。これと
は別に例えば構成部材支持シート等を用いてパッキング
を行うこともできる。
【００１８】チップ支持体１４はとくに有利な実施例で
はプラスチック材料からなるが、基本的に金属プレート
を使用することもでき、この場合金属プレートには電気
絶縁のために突起部を設けるか、またはプラスチックシ
ートを使用して被覆する。ここでは、製造コストをさら
に低減するために支持体１４を再使用可能な構成部材と
して構成することができる。
はプラスチック材料からなるが、基本的に金属プレート
を使用することもでき、この場合金属プレートには電気
絶縁のために突起部を設けるか、またはプラスチックシ
ートを使用して被覆する。ここでは、製造コストをさら
に低減するために支持体１４を再使用可能な構成部材と
して構成することができる。
【００１９】さらにレンズ作製のために鋳型プレートを
次のように構成することができる。すなわち、個々のレ
ンズ形状が相互に結合しており、レンズを鋳造する際に
鋳込み材料のレベル調整を行うことができるように構成
することができる。これは、正確な鋳造レベルを保証す
るためである。付加的にオーバーフロー備蓄がもたらさ
れる。レンズ用鋳型の間にさらに、取り外しピン用の孔
部を設け、取り外しを容易にすることができる。取り外
し張力を最小にするため、そして精度を向上させるため
にチップ支持体１４と鋳型プレートのの膨張係数はでき
るだけ良好に適合している必要がある。ここで有利には
ＬＣＰ材料（液晶ポリマー）からなる支持体と金属から
なる鋳型プレートを使用する。
次のように構成することができる。すなわち、個々のレ
ンズ形状が相互に結合しており、レンズを鋳造する際に
鋳込み材料のレベル調整を行うことができるように構成
することができる。これは、正確な鋳造レベルを保証す
るためである。付加的にオーバーフロー備蓄がもたらさ
れる。レンズ用鋳型の間にさらに、取り外しピン用の孔
部を設け、取り外しを容易にすることができる。取り外
し張力を最小にするため、そして精度を向上させるため
にチップ支持体１４と鋳型プレートのの膨張係数はでき
るだけ良好に適合している必要がある。ここで有利には
ＬＣＰ材料（液晶ポリマー）からなる支持体と金属から
なる鋳型プレートを使用する。
【００２０】図３ＡからＣは概略的に、コンパウンドに
あるソケット部材４（電極端子付き）を本発明の第１の
実施例に従って製造する連続プロセスステップを示す。
図３Ａによれば、ソケット部材４には第１のステップで
全面に、導電端子材料、例えば銅からなる薄い被覆部１
６が液体からの析出によって被覆される。この析出は化
学的に行われる。すなわち、外部の電流の作用なしで行
われる。これに続いて、ソケット部材−被覆部１６が粒
子ビームまたは光ビーム、例えばレーザービームの作用
の下で構造化される。レーザービームが導かれた箇所に
は端子材料の蒸着によってソケット部材４の材料にまで
達する構造化溝１７が発生する。この溝はそれぞれ隣接
する端子材料１６の領域を電気的に相互に絶縁する。こ
れに続く作業ステップでは図３Ｂに示すように、前記の
ようにして作製された領域１８の所定部分に補助材料か
らなる別の薄い層２０を電解析出により被覆する。すな
わち当該領域１８を流れる外部電流の作用の下で被覆す
る。この補助材料も例えば銅を有している。このように
してこの領域１８の層厚は材料２０の層厚の値だけ増強
される。一方、電流の印加されなかった領域１９は変化
せずにそのままである。これに続いて図３Ｃで、ソケッ
ト部材被覆の増強されなかった領域１９が完全に湿式エ
ッチングにより除去される。このとき、エッチング後に
は領域２０の層厚がやや減少する。
あるソケット部材４（電極端子付き）を本発明の第１の
実施例に従って製造する連続プロセスステップを示す。
図３Ａによれば、ソケット部材４には第１のステップで
全面に、導電端子材料、例えば銅からなる薄い被覆部１
６が液体からの析出によって被覆される。この析出は化
学的に行われる。すなわち、外部の電流の作用なしで行
われる。これに続いて、ソケット部材−被覆部１６が粒
子ビームまたは光ビーム、例えばレーザービームの作用
の下で構造化される。レーザービームが導かれた箇所に
は端子材料の蒸着によってソケット部材４の材料にまで
達する構造化溝１７が発生する。この溝はそれぞれ隣接
する端子材料１６の領域を電気的に相互に絶縁する。こ
れに続く作業ステップでは図３Ｂに示すように、前記の
ようにして作製された領域１８の所定部分に補助材料か
らなる別の薄い層２０を電解析出により被覆する。すな
わち当該領域１８を流れる外部電流の作用の下で被覆す
る。この補助材料も例えば銅を有している。このように
してこの領域１８の層厚は材料２０の層厚の値だけ増強
される。一方、電流の印加されなかった領域１９は変化
せずにそのままである。これに続いて図３Ｃで、ソケッ
ト部材被覆の増強されなかった領域１９が完全に湿式エ
ッチングにより除去される。このとき、エッチング後に
は領域２０の層厚がやや減少する。
【００２１】図４ＡからＣは、電極端子２，３を有する
ソケット部材４を作製するための第２の実施例の連続作
業ステップを示す。ここでも第１のステップで全面に導
電端子材料からなる薄い被覆部１６が化学的に、すなわ
ち外部電流の作用なしで被覆される。このとき、図４Ａ
からＣではわかりやすくするため被覆部はソケット部材
４の上側でだけ示されており、下側での詳細表示は省略
されている。被覆部１６の厚さは別の材料１６ａを（化
学的または電解的に）被覆することにより増強すること
ができる。有利には例えば錫材料からなる薄いマスク層
２１を化学的に被覆する。マスク層２１は図４Ｂに従っ
て構造化される。すなわち、粒子ビームまたは光ビー
ム、例えばレーザービームの作用で構造化される。図４
Ｃによれば、マスク２１の構造が湿式化学的に被覆部１
６，１６ａに取り付けられる。すなわち、マスク層２１
の材料によって覆われていない領域が選択的にエッチン
グにより除去される。このようにして比較的僅かな製造
コストによって、扁平電極端子２と３の所望の構造を作
製することができる。
ソケット部材４を作製するための第２の実施例の連続作
業ステップを示す。ここでも第１のステップで全面に導
電端子材料からなる薄い被覆部１６が化学的に、すなわ
ち外部電流の作用なしで被覆される。このとき、図４Ａ
からＣではわかりやすくするため被覆部はソケット部材
４の上側でだけ示されており、下側での詳細表示は省略
されている。被覆部１６の厚さは別の材料１６ａを（化
学的または電解的に）被覆することにより増強すること
ができる。有利には例えば錫材料からなる薄いマスク層
２１を化学的に被覆する。マスク層２１は図４Ｂに従っ
て構造化される。すなわち、粒子ビームまたは光ビー
ム、例えばレーザービームの作用で構造化される。図４
Ｃによれば、マスク２１の構造が湿式化学的に被覆部１
６，１６ａに取り付けられる。すなわち、マスク層２１
の材料によって覆われていない領域が選択的にエッチン
グにより除去される。このようにして比較的僅かな製造
コストによって、扁平電極端子２と３の所望の構造を作
製することができる。
【図１】レンズを有する表面実装用発光ダイオードの形
態の光電素子の概略的な断面図である。
態の光電素子の概略的な断面図である。
【図２】プレートコンパウンドにあるＬＥＤの概略図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１の実施例によるソケット部材作製
プロセスを示す概略図である。
プロセスを示す概略図である。
【図４】本発明の第２の実施例によるソケット部材作製
プロセスを示す概略図である。
プロセスを示す概略図である。
１ 半導体チップ ２，３ 電極端子 ４ ソケット部材 １１ ボンディングワイヤ １２ レンズ部材 １３ ヒートシンク １４ 支持体 １５ 貫通ブッシュ １６ 被覆部 １７ 構造化溝 ２１ マスク層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス フルト ドイツ連邦共和国 レーゲンスブルク アルフォンス−バイエラー−シュトラー セ 19 (56)参考文献 特開 平２−154134（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−2371（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−63163（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/02 - 31/0392 H01L 33/00,23/12,23/36
Claims (9)
- 【請求項１】 ビーム受信半導体チップ（１）またはビ
ーム照射半導体チップ（１）を有する光電素子の製造方
法であって、 前記半導体チップはソケット部材（４）に取り付け固定
されており、少なくとも２つの電極端子（２，３）と接
続されており、 該電極端子は、光電素子の電気接触接続に用いられ、導
電端子材料からなる形式の光電素子の製造方法におい
て、ソケット部材（４）に、導電端子材料からなる薄い被覆
部（１６）を液体からの析出により化学的に、外部の電
流の作用なしで被覆し、 ソケット部材（４）の薄い被覆部（１６）を構造化し、
このとき被覆部（１６）に電気的に相互に絶縁された個
々の領域（１８，１９）を作製し、 このように作製した薄い被覆部（１６）の所定領域（１
８）に、補助材料からなる別の薄い層（２０）を電解析
出により、外部電流の作用下で析出し、これにより被覆
部（１６）の当該所定領域（１８）の層厚を増強し、 ソケット部材被覆部の増強されなかった領域（１９）を
選択的にエッチングにより除去する、 ことを特徴とする光電素子の製造方法。 - 【請求項２】 ビーム受信半導体チップ（１）またはビ
ーム照射半導体チップ（１）を有する光電素子の製造方
法であって、 前記半導体チップはソケット部材（４）に取り付け固定
されており、少なくとも２つの電極端子（２，３）と接
続されており、 該電極端子は、光電素子の電気接触接続に用いられ、導
電端子材料からなる形式の光電素子の製造方法におい
て、 ソケット部材（４）に、導電端子材料からなる薄い被覆
部（１６）を液体からの析出により化学的に、外部の電
流の作用なしで被覆し、 薄いソケット部材被覆部にマスク層（２１）を析出し、 マスク層（２１）を構造化し、これによりソケット部材
被覆部をマスク材料により覆われた領域と覆われない領
域とに分離し、 マスク層の材料により覆われない領域をエッチングによ
り選択的に除去する、ことを特徴とする光電素子の製造
方法。 - 【請求項３】 ソケット部材被覆部（１６）ないしマス
ク層（２１）の構造化を、粒子ビームまたは光ビームの
作用下で行う、請求項１または２記載の製造方法。 - 【請求項４】 ソケット部材被覆部の増強されていない
領域ないし覆われていない領域の選択的除去を、化学的
湿式エッチングにより行う、請求項１から３までのいず
れか１項記載の製造方法。 - 【請求項５】 ソケット部材（４）の被覆部（１６）に
は全面に導電性端子材料を被覆する、請求項１から４ま
でのいずれか１項記載の製造方法。 - 【請求項６】 ソケット被覆部の端子材料は銅を有す
る、請求項１から５までのいずれか１項記載の製造方
法。 - 【請求項７】 ソケット部材（４）はプラスチックから
なり、射出成形法により前もって製造される、請求項１
から７までのいずれか１項記載の製造方法。 - 【請求項８】 マスク層（２１）の材料は錫を有する、
請求項１から７までのいずれか１項記載の製造方法。 - 【請求項９】 ビーム受信半導体チップ（１）またはビ
ーム照射半導体チップ（１）を有する光電素子であっ
て、 前記半導体チップはソケット部材（４）に取り付け固定
されており、少なくとも２つの電極端子（２，３）と接
続されており、 該電極端子は、光電素子の電気接触接続に用いられ、導
電端子材料からなる形式の光電素子において、 ソケット部材（４）には、導電端子材料からなる薄い被
覆部（１６）が液体からの析出により化学的に、外部の
電流の作用なしで被覆されており、 ソケット部材（４）の薄い被覆部（１６）は構造化さ
れ、このとき被覆部（１６）に電気的に相互に絶縁され
た個々の領域（１８，１９）が作製され、 このように作製された薄い被覆部（１６）の所定領域
（１８）に、補助材料からなる別の薄い層（２０）が電
解析出により、外部電流の作用下で析出され、これによ
り被覆部（１６）の当該所定領域（１８）の層厚が増強
され、 ソケット部材被覆部の増強されなかった領域（１９）が
選択的エッチングによ り除去される、 ことを特徴とする光電素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19746893.4 | 1997-10-23 | ||
| DE19746893A DE19746893B4 (de) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | Optoelektronisches Bauelement mit Wärmesenke im Sockelteil und Verfahren zur Herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195794A JPH11195794A (ja) | 1999-07-21 |
| JP3069082B2 true JP3069082B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=7846434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10302606A Expired - Lifetime JP3069082B2 (ja) | 1997-10-23 | 1998-10-23 | 光電素子の製造方法および光電素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6645783B1 (ja) |
| EP (3) | EP2259350B1 (ja) |
| JP (1) | JP3069082B2 (ja) |
| CN (2) | CN1166007C (ja) |
| DE (1) | DE19746893B4 (ja) |
| TW (1) | TW396640B (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19549818B4 (de) * | 1995-09-29 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement |
| DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
| DE19940319B4 (de) * | 1999-08-25 | 2004-10-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum spannungsarmen Aufsetzen einer Linse auf ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| DE10023353A1 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| DE10025774A1 (de) * | 2000-05-26 | 2001-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit Oberflächenmetallisierung |
| DE10041686A1 (de) * | 2000-08-24 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips |
| US7012315B1 (en) * | 2000-11-01 | 2006-03-14 | Micron Technology, Inc. | Frame scale package using contact lines through the elements |
| DE10117889A1 (de) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6949771B2 (en) * | 2001-04-25 | 2005-09-27 | Agilent Technologies, Inc. | Light source |
| JP2002368277A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光装置 |
| DE10129785B4 (de) | 2001-06-20 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP4064801B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2008-03-19 | 新光電気工業株式会社 | 金属膜形成処理方法、半導体装置及び配線基板 |
| JP3910144B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| TWI220577B (en) * | 2003-07-25 | 2004-08-21 | Epistar Corp | Light emitting device having composite substrate |
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| JP4393187B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-01-06 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光素子用チップキャリア、光モジュール、及び光送受信器 |
| JP2006049442A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US7476913B2 (en) * | 2004-08-10 | 2009-01-13 | Renesas Technology Corp. | Light emitting device having a mirror portion |
| DE102004045950A1 (de) | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102005034166A1 (de) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements |
| DE102005059524A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements |
| DE202006020926U1 (de) | 2005-10-27 | 2011-02-10 | Kromberg & Schubert Gmbh & Co. Kg | Leuchte |
| US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
| US20080165257A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Micron Technology, Inc. | Configurable pixel array system and method |
| DE102007021904A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper |
| US7812869B2 (en) * | 2007-05-11 | 2010-10-12 | Aptina Imaging Corporation | Configurable pixel array system and method |
| DE102008005345A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbasiertes Bauelement, Aufnahme für ein halbleiterbasiertes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines halbleiterbasierten Bauelements |
| TWI409915B (zh) * | 2009-04-21 | 2013-09-21 | The bearing structure of electronic component and its preparation method | |
| US20100307799A1 (en) * | 2009-06-06 | 2010-12-09 | Chiang Cheng-Feng | Carrier Structure for Electronic Components and Fabrication Method of the same |
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Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1921124A1 (de) | 1968-04-30 | 1970-01-08 | Brunnschweiler S P A | Vorrichtung zur Einfuehrung von Luft in die Taschen von Trockenpartien der Papiermaschinen mit Trockensieben |
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| JPS612371A (ja) | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
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| JP2506223B2 (ja) | 1990-06-28 | 1996-06-12 | トリニティ工業株式会社 | 自動塗装装置 |
| US5291038A (en) * | 1990-12-19 | 1994-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type photointerrupter |
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| US5877561A (en) | 1995-07-28 | 1999-03-02 | Lg Semicon Co., Ltd. | Plate and column type semiconductor package having heat sink |
| JPH09293800A (ja) | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Sankyo Kasei Co Ltd | 電気部品の表面実装用パッケージ体及びその製法 |
| DE19621124A1 (de) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren |
-
1997
- 1997-10-23 DE DE19746893A patent/DE19746893B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-15 EP EP10179592.0A patent/EP2259350B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-15 EP EP98119536.5A patent/EP0911886B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-15 EP EP10179517.7A patent/EP2259349B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-19 TW TW087117259A patent/TW396640B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-22 CN CNB981215408A patent/CN1166007C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-22 CN CNB2003101239492A patent/CN1267977C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-23 JP JP10302606A patent/JP3069082B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-24 US US09/556,413 patent/US6645783B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1166007C (zh) | 2004-09-08 |
| CN1527371A (zh) | 2004-09-08 |
| US6645783B1 (en) | 2003-11-11 |
| JPH11195794A (ja) | 1999-07-21 |
| CN1216868A (zh) | 1999-05-19 |
| TW396640B (en) | 2000-07-01 |
| DE19746893A1 (de) | 1999-05-06 |
| EP2259349B1 (de) | 2017-06-14 |
| EP2259350A3 (de) | 2011-01-26 |
| DE19746893B4 (de) | 2005-09-01 |
| EP2259349A3 (de) | 2011-01-26 |
| EP2259350A2 (de) | 2010-12-08 |
| EP0911886A3 (de) | 2000-09-27 |
| EP2259349A2 (de) | 2010-12-08 |
| CN1267977C (zh) | 2006-08-02 |
| EP0911886B1 (de) | 2017-06-07 |
| EP0911886A2 (de) | 1999-04-28 |
| EP2259350B1 (de) | 2017-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000411 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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