CN104737307A - 用于制造多个光电子半导体构件的方法 - Google Patents

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Abstract

提出一种用于制造多个光电子半导体构件的方法，所述方法具有下述步骤：·-提供辅助载体(1)；·-在辅助载体(1)上施加导电的第一接触元件(21)和第二接触元件(22)的多个装置(20)；·-在每个装置(20)的第二接触元件(22)上分别施加光电子半导体芯片(3)；·-将光电子半导体芯片(3)与相应的装置(20)的第一接触元件(21)导电连接；·-用包封材料(4)包封第一接触元件(21)和第二接触元件(22)；和·-分割成多个光电子半导体构件，其中·-包封材料(4)与每个第一接触元件(21)的朝向辅助载体(1)的下侧(21b)齐平结束，并且-包封材料(4)与每个第二接触元件(22)的朝向辅助载体(1)的下侧(22b)齐平结束。

Description

用于制造多个光电子半导体构件的方法
技术领域
提出一种用于制造多个光电子半导体构件的方法。
背景技术
出版物WO 2007/025515 A1描述一种用于制造多个光电子半导体构件的方法。
本申请要求德国专利申请10 2012 109 905.7的优先权，其公开内容在此通过参考并入本文。
发明内容
要实现的目的在于，提出一种用于制造多个光电子半导体构件的方法，所述半导体构件能够特别简单地安装在目标地点上。此外，要实现的目的是，提出一种方法，借助所述方法能够特别简单地制造光电子半导体构件。
借助于该方法制造的光电子半导体构件尤其为可表面安装的构件。构件在此构成为所谓的QFN构件(Quad Flat No Leads Package，四方扁平无引线封装)。在构件中，所有的电和/热连接部位位于构件的下侧上。构件的例如横向于下侧伸展并且分别沿横向方向对构件限界的侧面没有连接部位的材料并且例如仅由电绝缘材料形成。
根据在此描述的方法的至少一个实施方式，首先提供辅助载体。辅助载体可以为薄膜或自承的、刚性的板。辅助载体例如可以由金属或塑料形成。辅助载体设置用于：在制造光电子半导体构件期间承载多个光电子半导体芯片。
根据该方法的至少一个实施方式，在辅助载体上施加导电的第一接触元件和第二接触元件的多个装置。例如，施加导电的第一接触元件和导电的第二接触元件的对。接触元件分别在其朝向辅助载体的下侧上用于，在制成的光电子半导体构件中电接触光电子半导体构件的组件。第一和第二接触元件在此分别由导电材料、例如由至少一种金属形成。
根据该方法的至少一个实施方式，在导电的第一接触元件和第二接触元件的多个装置中的每个装置的第二接触元件上分别施加光电子半导体芯片。这就是说，尤其第二接触元件例如在其背离辅助载体的上侧上用于容纳至少一个、例如各一个单独的光电子半导体芯片。光电子半导体芯片例如可以分别通过焊接或粘接固定在第二接触元件上。
用于光电子半导体构件的光电子半导体芯片例如可以为发光二极管芯片或光电二极管芯片。此外，可能的是，在制造多个光电子半导体构件时，将发光二极管芯片和光电二极管芯片设置在第二接触元件上。
根据该方法的至少一个实施方式，在接下来的方法步骤中将光电子半导体芯片与装置的第一接触元件导电连接。如果装置例如为第一和第二接触元件的对，那么光电子半导体芯片和第一接触元件之间的导电连接可以借助于接触线进行。因此，第一接触元件适合用于与接触线导电连接。
根据在此描述的方法的至少一个实施方式，在另一个方法步骤中，用包封材料包封第一接触元件和第二接触元件。此外，可能的是，包封材料不仅至少部分地包封第一和第二接触元件而且例如还至少部分包封光电子半导体芯片。多个光电子半导体构件的被包封的组件与包封材料尤其是直接接触并且直接邻接于所述包封材料。
包封例如可以通过注塑成型或压塑成型进行。包封材料例如可以为硅树脂、环氧树脂，为由硅树脂和环氧树脂构成的杂化材料或其他的塑料材料。此外，可能的是，包封材料包含所述材料中的一种或多种，其中其他的填充材料、例如反射性的颗粒可以附加地存在于包封材料中。
根据该方法的至少一个实施方式，进行分割成为多个光电子半导体构件。在此，所述分割进行成，使得每个光电子半导体构件包含光电子半导体芯片中的至少一个光电子半导体芯片。例如，每个光电子半导体构件包含刚好一个光电子半导体芯片和导电的第一和第二接触元件的刚好一个装置。所述分割例如能够通过锯割、磨削或激光分离进行。在分割时，也将包封材料至少局部地分开。
根据该方法的至少一个实施方式，包封材料与每个第一接触元件的和每个第二接触元件的朝向辅助载体的下侧齐平。这就是说，在制成的半导体构件中，接触元件的下侧分别露出，其中接触元件与包封材料齐平，使得尤其可能的是，接触元件不设置在包封材料中的凹陷部中并且接触元件不突出于包封材料。
根据该方法的至少一个实施方式，该方法包括下述制造步骤：
-提供辅助载体；
-将导电的第一接触元件和第二接触元件的多个装置施加到辅助载体上；
-在每个装置的第二接触元件上分别施加光电子半导体芯片；
-将光电子半导体芯片与相应的装置的第一接触元件导电连接；
-用包封材料包封第一接触元件和第二接触元件，和
-分割成多个光电子半导体构件，
其中
-包封材料与每个第一接触元件的朝向辅助载体的下侧齐平结束，并且
-包封材料与每个第二接触元件的朝向辅助载体的下侧齐平结束。
制造步骤在此可以以在此说明的顺序执行。然而，也可能的是，不同于所说明的顺序。
由于包封材料与第一和第二接触元件齐平结束的事实，光电子半导体构件可借助该方法特别简单地制造。因此，方法可以特别成本适当地执行。
此外，基于该制造方法在借助该方法制造的光电子半导体构件的侧面上不出现金属面，这简化了光电子半导体构件的安装。
因为每个借助该方法制造的光电子半导体构件的第一和第二接触元件在下侧上与包封材料齐平结束，所以所述第一和第二接触元件在光电子半导体构件的下侧上在其整个电连接面上露出。这能够实现下述光电子半导体构件，在所述光电子半导体构件中，在运行时产生热的光电子半导体芯片和固定有光电子半导体构件的安装面之间的热阻由于接触元件是特别小的。由此，得到具有提高的效率并进而具有提高的失效安全性的光电子半导体构件。
由于各个接触元件由尤其电绝缘地构成的包封材料包封的事实，减小各个接触元件之间的短路风险。由此，同样得到借助该方法制造的光电子半导体构件的较高的失效安全性。
在接触元件的装置之间，在分割之前不存在导电连接。因此，在分割之前，对每个光电子半导体芯片的功能测试可以与其余的光电子半导体芯片无关地执行。
此外，通过在此描述的方法可以制造特别小的光电子半导体构件，所述光电子半导体构件在其外部尺寸方面主要由所使用的光电子半导体芯片的大小确定。
根据该方法的至少一个实施方式，被分割的光电子半导体构件的所有侧面都没有导电的第一接触元件和第二接触元件。这就是说，接触元件在制成的光电子半导体构件的下侧上由包封材料完全包围。例如，在被分割的光电子半导体构件的侧面上例如露出包封材料。第一和第二接触元件的材料在侧面上不露出。被分割的光电子半导体构件的侧面在此在侧面上具有分割痕迹，例如锯割凹槽。
根据该方法的至少一个实施方式，包封材料至少局部地覆盖每个光电子半导体芯片的侧面。这就是说，除了第一和第二接触元件之外，光电子半导体芯片也至少部分地由包封材料包围。在此，可能的是，包封材料完全地包围光电子半导体芯片。此外，可能的是，包封材料在其背离第二接触元件的上侧上不突出于光电子半导体芯片。因此，光电子半导体芯片在其上侧上可以分别与包封材料齐平结束或突出于包封材料。
根据该方法的至少一个实施方式，辅助载体由金属形成，并且第一接触元件和第二接触元件在辅助载体上生长。例如，辅助载体可以为实心的金属载体，所述金属载体可以由如铜或镍的材料形成。例如，经由光电技术，可以在辅助载体的随后设置有接触元件的上侧上限定掩模。在掩模的开口中例如通过电镀沉积或无电流的沉积可以产生第一和第二接触元件。以所述方式，可能的是，将成本适当的接触元件以限定的方式特别简单地在限定的部位上产生。
根据至少一个实施方式，第一接触元件和第二接触元件分别具有底切部。这就是说，接触元件例如具有直接跟随辅助载体的较薄的区域和具有较大的横向伸展的、设置在接触元件的背离辅助载体的一侧上的区域。横向方向在此是平行于辅助载体的主延伸平面伸展的方向。第一和第二接触元件因此例如在横截面中具有T形的形状或蘑菇形的形状。
接触元件的底切部在此可以用于将接触元件更好地锚固在包封材料中。
具有底切部的接触元件在接触元件生长时可以通过适当地控制工艺参数、例如电镀沉积的工艺参数产生。此外，可能的是，底切部通过刻蚀产生。接触元件因此尤其可以为半刻蚀的引线框架(英语为Leadframes)。在该情况下，尤其可能的是，作为辅助载体不使用金属载体，而是可以使用成本适当的例如由塑料材料构成的载体。
根据该方法的至少一个实施方式，包封材料构成为是反射性的并且每个光电子半导体芯片的至少背离第二接触元件的上侧没有包封材料。包封材料在此尤其可以构成为对于在光电子半导体芯片中在运行中产生的或要检测的电磁辐射是反射性的。例如，光电子半导体芯片为在运行中产生电磁辐射尤其是光的半导体芯片。利用构成为反射性的包封材料形成的构成为反射性的包封件因此对于光电子半导体芯片的射到其上的电磁辐射具有至少80％、尤其是至少90％的反射率。
对此，包封材料可以包括例如为硅树脂和/或环氧树脂的基体材料，所述基体材料由填充材料的颗粒填充。
填充材料例如可以至少由材料TiO2、BaSO4、ZnO、AlxOy、ZrO2中的一种材料构成或包含所述材料中的一种材料。
在此，尤其可能的是，包封材料构成为是反射性的，使得其对于观察者而言显现为白色。因此，包封材料尤其是没有透明性，而是均匀地反射射到的环境光，使得形成白色的色彩印象。
根据该方法的至少一个实施方式，在用包封材料包封之前，将多个分离框固定在辅助载体上。分离框例如由塑料材料形成。
在此，分离框沿横向方向包围导电的第一接触元件和第二接触元件的至少一个装置。分离框在此设置成，使得所述分离框设置在各个光电子半导体构件之间，如其要在分割之后形成的那样。以所述方式，可能的是，被分割的光电子半导体构件的侧面局部地由分离框的部分形成。针对分离框例如可以使用塑料材料，所述塑料材料相对于所述包封材料是特别硬的或防刮的。因此，分割通过分离框进行，使得被分割的光电子半导体构件的侧面局部地由分离框的部分形成。以所述方式可能的是，完成机械上特别稳定的光电子半导体构件。
根据该方法的至少一个实施方式，在用包封材料包封之后，在包封材料的背离辅助载体的上侧上和/或在光电子半导体芯片的背离辅助载体的上侧上施加转换材料。转换材料例如包括至少一种发光材料，所述发光材料吸收由半导体芯片在运行中发射的电磁辐射并且再发射尤其是与由半导体芯片发射的辐射相比更大的波长范围中的电磁辐射。借助该方法制造的光电子半导体构件因此例如可以适合用于在运行时产生混合辐射、例如白色的混合光。转换材料可以包括基体材料，所述基体材料例如为相同的、也形成包封材料的一部分的基体材料。发光材料的颗粒可以引入基体材料中。此外，可能的是，转换材料由发光材料构成，在此转换材料例如可以由陶瓷的发光材料构成。
根据该方法的至少一个实施方式，包封材料和/或转换材料在分离框的背离辅助载体的上侧上覆盖分离框。这就是说，在借助该方法制造的光电子半导体构件的上侧上，分离框由包封材料或由转换材料覆盖。以所述方式，分离框特别好地锚固在包封材料和/或转换材料中并且不从借助于该方法制造的光电子半导体构件脱落。
根据该方法的至少一个实施方式，将凹部局部地引入转换材料中，所述凹部从转换材料的背离包封材料的上侧延伸至包封材料或延伸进入到包封材料中，并且凹部由包封材料填充。在此，包封材料例如为反射性的包封材料，如在上文中深入描述的那样。凹部可以为沟槽，所述沟槽沿横向方向由转换材料限界。此外，可能的是，凹部在下述区域中形成，在所述区域中进行分割成为多个光电子半导体构件。在随后通过凹部中的包封材料进行的分割之后，这样制造的光电子半导体器件的侧面至少局部地通过包封材料形成，所述包封材料填充到凹部中。所述包封材料因此沿横向方向不完全由转换材料包围，而是在凹部中例如仅在其包封材料的朝向半导体构件的至少一个半导体芯片的一侧上由转换材料包围。
附图说明
下面，在此描述的方法根据实施例和所附的附图详细阐述。
根据图1A至1I根据示意性剖面图详细阐述在此描述的方法的一个实施例。
根据图2A至2C根据示意性剖面图阐述在此描述的方法的另一个实施例。
根据图3A至3C根据示意性剖面图详细阐述在此描述的方法的另一个实施例。
图4A、4B、5、6、7A、7B、7C、7D示出借助在此描述的方法制造的光电子半导体构件的示例。
具体实施方式
相同的、相似的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互间的大小关系不可视为符合比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解可夸张大地示出个别元件。
在图1A至1I中根据示意的剖面图阐述在此描述的用于制造多个光电子半导体构件的方法的方法步骤。
图1A示出，如何提供辅助载体1。辅助载体1例如为实心的金属载体，所述金属载体例如由铜或镍构成。
在下一个方法步骤中(图1B)，借助于没有示出的掩模在金属载体上限定如下区域，在所述区域中将导电的第一接触元件21和第二接触元件22的多个装置施加在辅助载体1上。至少接触元件21在此导电地构成，优选地，在本实施例中，第二接触元件22也导电地构成。在结合图1B描述的方法步骤中，第一接触元件和第二接触元件的装置20构成为所述接触元件的对。接触元件的生长例如无电流地或电镀地进行。
在接下来的方法步骤中(图1C)，在每个装置20的每个第二接触元件22上分别施加光电子半导体芯片3。例如，可以将光电子半导体芯片3借助其背离上侧3a的下侧分别焊接或导电粘接到第二接触元件22上。
下面，将光电子半导体芯片3与相关联的装置20的第一接触元件21导电连接。因此，每个装置20包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片例如与第一接触元件21和第二接触元件22导电连接。现在，电接触分别经由接触线17进行，所述接触线在相应的装置20的第一接触元件21和光电子半导体芯片3之间建立导电连接，对此参见图1C。
在接下来的方法步骤中(图1D)，将分离框6固定在辅助载体1上。每个分离框6在此将导电的第一接触元件21和第二接触元件22的至少一个装置至少局部侧向地、即沿横向方向包围。例如，可能的是，每个装置20由刚好一个分离框6沿横向方向完全包围。在此，如在图1D中示出的那样施加分离框是可选的。分离框6例如可以由塑料材料形成。分离框6例如构成为是吸收辐射的或反射辐射的。
在后续的方法步骤中(见图1E)，用包封材料4包封第一接触元件21和第二接触元件22以及当前也包封半导体芯片3和分离框6，所述包封材料当前构成为透明的包封材料。
包封材料4例如覆盖光电子半导体芯片的侧面3c和上侧3a。此外，包封材料4在其背离辅助载体1的上侧上覆盖分离框6。
在施加也局部地邻接于辅助载体1的包封材料4之后，可以如结合图1F示出的那样将辅助载体1移除。这例如可以通过刻蚀进行。得到光电子半导体构件的装置，其中包封材料4在每个第一接触元件21的初始朝向辅助载体1的下侧21b上与第一接触元件21齐平结束。此外，包封材料4与每个第二接触元件22的朝向辅助载体1的下侧22b齐平结束。在移除辅助载体1之后，第一和第二接触元件的下侧21b和22b分别在光电子半导体构件的下侧上露出并且沿横向方向完全由包封材料4包围。
得到光电子半导体构件的装置，其中电连接部位仅设置在下侧上，其中在连接部位即电接触元件21、22的下侧21b和22b的区域中不构成凸出部和凹陷部。
在接下来的方法步骤中(图1G)，可以将载体8在初始背离辅助载体的一侧上施加在包封材料4上，所述载体例如为在指向包封材料4定向的上侧上具有粘接侧的粘接薄膜。
例如通过分离磨削，可以在分离框6的区域中进行分割，参见图1H。
最后，分割成各个光电子半导体构件10，其中侧面10c至少局部地通过分离框6形成。每个光电子半导体构件在此包括至少一个光电子半导体芯片，图1I。
结合图2A至2C的示意性剖面图详细阐述在此描述的方法的另一个实施例。不同于结合图1A至1I描述的方法，第一接触元件21和第二接触元件22在该实施例中具有底切部23。例如，接触元件21、22在横截面中T形地构成。接触元件21、22例如可以蘑菇形地构成。接触元件21、22的所述设计方案允许接触元件特别好地锚固在包封材料4中。
接触元件为21、22在此可以如在上文中描述的那样生长到辅助载体1上。此外，可能的是，接触元件21、22为半刻蚀的引线框架的部分，所述引线框架粘接在辅助载体1上，所述辅助载体因此例如可以构成为塑料薄膜。引线框架的连接支柱例如通过锯割移除。
在接下来的方法步骤中(图2B)，施加反射性的包封材料，使得侧面3c以及接触元件21、22由包封材料4包封。光电子半导体芯片3在此事先例如粘接到每个装置20的第二接触元件22上。此外，与每个装置20的第一接触元件21和相关联的半导体芯片3的接触经由接触线17建立。包封材料4在此通过分配或注塑成型来施加。
包封材料4可以在光电子半导体芯片3的背离辅助载体1的上侧3a上与所述光电子半导体芯片齐平结束。
在接下来的方法步骤中，将转换材料5施加到包封材料4的以及光电子半导体芯片3的背离辅助载体1的上侧上。转换材料例如包括至少一种发光材料。转换材料5可以经由注塑成型、压塑成型、浇注或在浇注中沉淀来施加。
在转换材料5的下游可以在背离辅助载体1的一侧上设置光学元件9、例如透镜。在施加透镜之前或之后，可以进行成为各个光电子半导体构件10的分割。所述分割例如借助于CO2激光器进行，图2C。
每个光电子半导体构件可以可选地包含ESD(静电放电)保护元件，例如ESD二极管。ESD二极管例如可以与光电子半导体芯片3反并联地连接并且对此分别固定在每个装置20的第一接触元件21上。
结合图3A至3C详细阐述在此描述的方法的另一个实施例。不同于图2A至2C的方法，在所述制造方法的该变型形式中，将凹部7引入到转换材料5中，所述凹部延伸直至进入包封材料4中。所述凹部7在分割之前产生。凹部7随后由包封材料4填充，使得每个单独的光电子半导体构件10的转换材料5沿横向方向由包封材料4包围。包封材料4在此例如可以反射性地构成并且显现为白色。每个光电子半导体构件10的侧面10c因此例如完全通过包封材料4形成。
光电子半导体芯片例如可以为发光二极管芯片，所述发光二极管芯片没有生长衬底。于是，光电子半导体芯片例如为所谓的薄膜芯片，其中外延生长的半导体层首先在其背离生长衬底的一侧上固定在载体上，并且随后将生长衬底从外延生长的半导体层序列移除。此外，可能的是，光电子半导体芯片是无衬底的二极管，所述无衬底的二极管仅由电接触元件和外延生长的半导体层序列构成。
结合图4A，根据示意的剖面图描述光电子半导体构件10，所述光电子半导体构件借助在此描述的方法制成。不同于例如结合图3A至3C描述的方法，在此得到下述光电子半导体构件，其中转换材料5仅设置在半导体芯片3的区域中。因此，这例如可以通过下述方式进行，在半导体芯片3上在施加包封材料4时设有留空部，所述留空部随后由转换材料5填充。
如图4B示出的那样，这种光电子半导体构件10也可以包括光学元件9，如透镜，所述透镜例如可以通过粘接固定在包封材料4和转换材料5上。
图5和6的示意性俯视图示出光电子半导体构件10，如其结合图4A和4B描述的那样，其中在实施例4中，多个相同类型的光电子半导体芯片3设置在半导体构件10中。
结合图7A、7B、7C、7D、7E，根据示意性剖面图描述其他的光电子半导体构件，所述光电子半导体构件借助在此描述的方法制造。在图7的实施例中，每个半导体构件10包括两个第一接触元件21和唯一的第二接触元件22。第一接触元件21用于电接触光电子半导体芯片3，所述光电子半导体芯片与接触元件21分别经由接触线17连接。第二接触元件22仅用于热连接光电子半导体芯片3，所述光电子半导体芯片例如也可以电绝缘地粘接到第二接触元件22上。
光电子半导体芯片3可以为所谓的蓝宝石芯片，其中外延生长的半导体层生长到蓝宝石生长衬底上，所述蓝宝石生长衬底保留在光电子半导体芯片中。此外，可以为薄膜芯片，所述薄膜芯片与两个接触线接触。这种光电子半导体芯片例如在出版物WO 2011/157523A1中描述，其在此通过参考并入本文。
在此，可能的是，包封材料4也覆盖光电子半导体芯片3的侧面3c，如这例如结合图4A、4B、3C或2C示出的那样。替选地，可能的是，如在图7A至7D中示出的那样，包封材料4仅在接触元件21、22的区域中(参见图7A、7B)或者附加地在侧面10c上在凹部7的区域中存在。
在所述情况下，光电子半导体芯片3在侧面3c上也可以完全由转换材料5包围。这在下述情况下证实为是特别有利的：由光电子半导体芯片3产生的电磁辐射的一大部分通过侧面3c离开光电子半导体芯片3。这例如对于蓝宝石芯片而言情况如此。
本发明并不限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合自身并未明确地在权利要求中或实施例中予以说明时也如此。

Claims (11)

1.一种用于制造多个光电子半导体构件的方法，所述方法具有下述步骤：
-提供辅助载体(1)；
-在所述辅助载体(1)上施加导电的第一接触元件(21)和第二接触元件(22)的多个装置(20)，
-在每个装置(20)的所述第二接触元件(22)上分别施加光电子半导体芯片(3)，
-将所述光电子半导体芯片(3)与相应的所述装置(20)的所述第一接触元件(21)导电连接，
-用包封材料(4)包封所述第一接触元件(21)和所述第二接触元件(22)，并且
-分割成多个光电子半导体构件，
其中
-所述包封材料(4)与每个第一接触元件(21)的朝向所述辅助载体(1)的下侧(21b)齐平结束，并且
-所述包封材料(4)与每个第二接触元件(22)的朝向所述辅助载体(1)的下侧(22b)齐平结束。
2.根据上一项权利要求所述的方法，
其中被分割的所述光电子半导体构件(10)的所有侧面(10c)没有导电的所述第一接触元件(21)和所述第二接触元件(22)。
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在用所述包封材料(4)包封之前，将多个分离框(6)固定在所述辅助载体(1)上，其中
-每个分离框(6)将导电的第一接触元件(21)和第二接触元件(22)的至少一个装置(20)至少局部侧向地包围，并且
-被分割的所述光电子半导体构件(10)的所述侧面(10c)局部地由所述分离框(6)的部分形成。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述包封材料(4)至少局部地覆盖每个光电子半导体芯片(3)的侧面(3c)。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述辅助载体由金属形成，并且所述第一接触元件(21)和第二接触元件(22)生长到所述辅助载体上。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述第一接触元件(21)和第二接触元件(22)具有底切部(23)。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述包封材料(4)构成为是反射性的，并且每个光电子半导体芯片(3)的至少背离所述第二接触元件(22)的上侧(3a)没有包封材料(4)。
8.根据上一项权利要求所述的方法，
其中所述包封材料(4)显现为白色。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在用包封材料(4)包封之后，将转换材料(5)施加在所述光电子半导体芯片(3)的背离所述辅助载体(1)的上侧(3a)上和/或施加在所述包封材料(4)的背离所述辅助载体(1)的上侧(4a)上。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述包封材料(4)和/或所述转换材料(5)将所述分离框(6)在其背离所述辅助载体(1)的上侧(6a)上覆盖。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中将凹部(7)局部地引入到所述转换材料(5)中，所述凹部从所述转换材料(5)的背离所述包封材料(4)的上侧(5a)延伸至所述包封材料(4)或者延伸进入到所述包封材料(4)中，并且将所述凹部(7)用包封材料(4)填充。
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