JP2011181655A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011181655A JP2011181655A JP2010043979A JP2010043979A JP2011181655A JP 2011181655 A JP2011181655 A JP 2011181655A JP 2010043979 A JP2010043979 A JP 2010043979A JP 2010043979 A JP2010043979 A JP 2010043979A JP 2011181655 A JP2011181655 A JP 2011181655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive member
- light emitting
- conductive
- emitting element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 同一面側に正電極及び負電極を有する発光素子と、互いに離間する第1導電部材及び第2導電部材と、発光素子と導電部材とを接続する接着部材と、を備えた発光装置において、接着部材は、絶縁領域と導電領域とを有するものであり、第1導電部材及び第2導電部材の上面及び側面に接続されており、発光素子の正電極及び負電極は、接着部材の導電領域上に接続されている発光装置に関する。
【選択図】 図2
Description
そこで、本発明は、小型かつ軽量で、発光素子が脱落し難い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す概略斜視図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る発光装置を示す概略断面図である。図3は、本発明の実施の形態1に係る発光装置の一部を拡大した概略断面図である。
本実施の形態の発光装置100は、発光素子104と、互いに離間する第1導電部材101及び第2導電部材102と、発光素子104と第1導電部材101及び第2導電部材102とを接続する接着部材103と、を備えている。発光素子104は、同一面側に正電極104a及び負電極104bを有している。接着部材103は、絶縁領域103aと導電領域103bとを有するものである。接着部材103としては、例えば、絶縁部材に導電性フィラーが混合された異方性導電材料が挙げられる。接着部材103は、第1導電部材101及び第2導電部材102の上面及び側面に接続されている。発光素子104の正電極104a及び負電極104bは、接着部材103の導電領域103b上に接続されている。具体的には、発光素子104の正電極104aは、第1導電部材101の上に配置され、発光素子104の負電極104bは、第2導電部材102の上に配置されている。接着部材103の導電領域103bは、少なくとも第1導電部材101と発光素子104の正電極104aとの間、及び第2導電部材102と発光素子104の負電極104bとの間に設けられている。導電領域103bは、絶縁領域103aによって囲まれている。すなわち、上記の2つの導電領域103bは、絶縁領域103aによって分離されている。
発光素子104の正電極104a及び負電極104bには、Au等の金属バンプ105が設けられていてもよい。この場合、発光素子104の正電極104a及び負電極104bは、金属バンプ105を介して接着部材103の導電領域103b上に接続される。
また、発光装置100は、発光素子104とともに、第1導電部材101及び第2導電部材102の少なくとも一面を被覆する封止部材106とを備える。封止部材106は、発光装置100の上面、側面及び下面の一部を形成している。第1導電部材101及び第2導電部材102の下面側は、外部に露出しており、発光装置100の下面の一部を形成している。第1導電部材101及び第2導電部材102は、封止部材106の下面と面一であることが好ましい。
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図4は、本実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。
まず、支持基板を用意する。支持基板は、第1導電部材及び第2導電部材を形成するために用いる板状又はシート状の部材であり、発光装置を個片化する前に除去されるため、発光装置には具備されていない部材である。支持基板としては、特に限定されず、導電性を有する基板であることが好ましい。
支持基板の厚みは、10μm〜300μm程度の板状部材を用いるのが好ましく、また、樹脂成形後の反りを緩和するために支持基板にスリット、溝、波形状の加工を施していてもよい。
塗布したレジストを乾燥させた後、その上部に所定のパターン形状の開口部を有するマスクを直接又は間接的に配置し、紫外線を照射して露光する。その後、エッチング剤で処理することによって、図4(a)に示すように、互いに離間する複数の開口部を有する保護膜が形成される。ここで、必要であれば酸活性処理などを行ってもよい。
各形成方法において、条件を調整することで、保護膜の厚みよりも厚くなるように導電部材を形成することができる。これにより導電部材を保護膜の上面にまで形成させ、図3に示すように、突出部を形成してもよい。
次いで、第1導電部材及び第2導電部材の上に、接着部材を介して発光素子を載置する。接着部材は、第1導電部材及び第2導電部材と、発光素子との間に介在するように形成する。
接着部材は、ペースト状、固体状(シート状、ブロック状、粉末状)のものを用いることができ、特にペースト状が好ましい。接着部材の形状は、接着部材の組成や導電部材の形状、発光素子の電極の形状等に応じて、適宜選択することができる。
次に、発光素子を被覆する封止部材をトランスファモールド、ポッティング、印刷などの方法で形成する。図4(f)は、発光素子の上に封止部材を形成した状態を示す図である。封止部材は、上面を平坦な面としてもよく、或いは、中央が凹んだ、又は突出したような曲面状に形成してもよい。また、封止部材は、1層構造、又は組成が異なる2層以上の多層構造としてもよい。
封止部材を硬化後、支持基板を剥離して除去する。これにより、第1導電部材及び第2導電部材の底面が露出する。図4(g)は、支持基板を剥離した状態を示す図である。支持基板111を除去する方法としては、物理的に剥がす方法、エッチングにより選択的に支持基板を除去する方法等を用いることができる。
以上のような工程を経て、発光装置の集合体を得ることができる。この発光装置の集合体において、図4(g)に点線で示す分離部、つまり、発光素子間の封止部材を分割するような位置で切断することで発光素子毎に個片化し、図2に示すような発光装置を得ることができる。個片化の方法としては、ブレードによるダイシング、レーザ光によるダイシング等種々の方法を用いることができる。
また、図1では、第1導電部材及び第2導電部材から離間する位置で切断しているが、これに限らず、第1導電部材及び第2導電部材のうちの少なくとも一方を含む位置で切断してもよい。導電部材から離間する位置で切断する場合、切断される部分が封止部材や接着部材などの樹脂のみとなるため、導電部材と樹脂とを合わせて切断する場合に比して容易に切断することができる。導電部材を含む位置で切断する場合、発光装置の側面にも導電部材が露出するようになり、はんだ等が接合し易くなる。
導電部材は、発光素子に電気的に接続して、外部から供給される電気を通電させるための一対の電極として機能するものである。導電部材は、互いに離間する第1導電部材と第2導電部材とを有している。
第1導電部材及び第2導電部材の下面は、発光装置の外表面として、実質的に平坦な面とするのが好ましいが、微細な凹凸等が形成されていてもよい。
例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン等の金属又は合金(例えば、鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、Au−Sn等の共晶はんだ、SnAgCu、SnAgCuIn等のはんだ等)、酸化物導電体(例えば、ITO等)等が挙げられる。第1及び第2の導電部材は、単層及び積層のいずれでもよい。
μm)、線膨張係数12.8×10−6/KであるNi(又は線膨張係数16.8×10−6/KであるCu)(40〜70μm)、Au(0.01〜0.07μm)、線膨張係数119.7×10−6/KであるAg(2〜6μm)等の積層構造が好ましい。最上層のAgは線膨張係数が他の層の金属と大きく異なるが、発光素子からの光の反射率を優先しているためであり、極めて薄い厚みとしているため反りに対する影響は極めて微弱であり、実用的には問題はない程度である。
接着部材は、発光素子と第1導電部材及び第2導電部材とを接着させる部材である。接着部材は、樹脂などの絶縁部材に導電性フィラーが混合された異方性導電材料であることが好ましい。
(A1)樹脂ボールを金属層で覆ったもの
(A2)(A1)をさらに絶縁膜で覆ったもの
(A3)金属からなるボール
(A4)金属からなるボールをさらに別の金属で覆ったもの
本発明においては、発光素子として、同一面側に正電極と負電極が形成された構造の半導体素子を用いることができる。
波長変換部材を有する発光装置とする場合には、その波長変換部材を効率よく励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
正負の電極間の距離は、接着部材の導電フィラーの粒径よりも大きいことが好ましい。これにより、電極間における短絡を防止することができる。
封止部材は、発光素子とともに、第1導電部材及び第2導電部材の少なくとも一面を被覆するものである。封止部材は、発光素子、受光素子、保護素子などの電子部品を、塵芥や水分、外力などから保護する機能を有する。
封止部材は、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換部材(例えば、蛍光体)などを含有させることもできる。
封止部材の外表面の形状は、配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状等とすることで、指向特性を調整することができる。また、封止部材に加え、別個にレンズ形状の部材を設けてもよい。さらに、蛍光体入り成形体(例えば蛍光体入り板状成形体、蛍光体入りドーム状成形体等)を用いる場合には、封止部材として蛍光体入り成形体との密着性に優れた材料を選択することが好ましい。蛍光体入り成形体としては、樹脂組成物の他、ガラス等の無機物を用いることができる。
蛍光体としては、発光素子からの光を、それより短波長に変換させるものでもよいが、光取り出し効率の観点から長波長に変換させるものが好ましい。また、これに限らず、他の蛍光体によって変換された光をさらに変換させるもの等も用いることができる。このような波長変換部材は、1種の蛍光体を含有する単層、2種以上の蛍光体が混合された単層、2種以上の蛍光体が別々の層に含有された2層以上の積層、2種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層の2層以上の積層のいずれであってもよい。
<実施の形態2>
図6は、本発明の実施の形態2に係る発光装置を示す概略断面図である。実施の形態1と重複する説明は省略することもある。
また、本実施の形態の発光装置200は、第1導電部材101及び第2導電部材102の外縁の少なくとも一部を被覆する基体107を有している。基体107は、発光素子104からの光が遮光可能な部材であり、発光素子104を収納する凹部108を形成している。凹部108の底面において、第1導電部材101及び第2導電部材102の上面の一部が露出している。基体107は、発光装置200の上面の一部、側面、及び下面の一部を形成している。第1導電部材101及び第2導電部材102の下面は、基体107の下面(裏面)から露出しており、発光装置200の下面の一部を形成している。
また、凹部108内には、発光素子104を被覆するように、封止部材106が設けられている。
本実施の形態において、基体は、遮光性を有する各種充填材等を添加することで発光素子からの光を遮光可能な樹脂を含んでなる。基体は、第1導電部材と第2導電部材との間の領域を除いた第1導電部材及び第2導電部材の外縁を被覆する底面部107aと、第1導電部材及び第2導電部材の上において発光素子の周囲に設けられる側壁107bと、を有している。このような遮光性の基体を設けることで、発光素子からの光が、発光装置の横方向から外部に出射するのを抑制することができ、上面方向への光の取り出し効率を向上させることができる。尚、基体は、側壁107bを有していない、すなわち、底面部107aのみを備えるものであってもよい。基体の底面部107a及び側壁107bは、ともに外部への発光素子からの光の漏れを抑制できる厚さであればよい。
本実施の形態に係る発光装置の製造方法では、実施の形態1に係る発光装置の製造方法での導電部材形成工程において、第1導電部材及び第2導電部材を形成した後に、第1導電部材と第2導電部材との間に保護膜を形成し、導電部材形成工程の後に、基体を形成する工程を備え、封止部材形成工程において、基体に囲まれて形成される凹部に封止部材を充填すること以外は、実質的に、実施の形態1に係る発光装置の製造方法と同様である。
実施の形態1に係る発光装置の製造方法と同様に、互いに離間する複数の開口部を有する保護膜が形成された支持基板の上に、金属を用いて鍍金することで、保護膜の開口部内に第1導電部材と第2導電部材とを形成させる。
(基体形成工程)
次いで、発光素子からの光を反射可能な遮光性樹脂からなる基体を形成する。
基体の形成方法は、射出成形、トランスファモールド、圧縮成形等の方法を用いることができる。例えばトランスファモールドにより基体を形成する場合、第1導電部材及び第2導電部材を含む複数の導電部材を形成した支持基板を、上型及び下型からなる金型の内に挟み込むようにセットする。このとき、離型シートなどを介して金型内にセットしてもよい。金型の内には、基体の原料である樹脂ペレットが挿入されており、支持基板と樹脂ペレットとを過熱する。樹脂ペレット溶融後、加圧して金型内に充填する。加熱温度や加熱時間、また圧力等については用いる樹脂の組成等に応じて適宜調整することができる。硬化後、金型から取り出し、成型品を得ることができる。
その後、第1導電部材と第2導電部材との間に形成した保護膜を除去する。
(ダイボンディング工程)
基体形成工程の後に、ダイボンディング工程を行う。ダイボンディング工程は、実施の形態1に係る発光装置の製造方法と同様に行うことができる。
次に、発光素子を被覆する封止部材を形成する。基体で形成された凹部内に封止部材を形成する場合には、ポッティングを用いて透光性樹脂を凹部内に充填するのが好ましい。ここでは、封止部材は、基体の側壁と略同一の高さになるように設けられているが、これに限らず、基体の側壁よりも低く又は高くなるように形成してもよい。また、封止部材は、上面を平坦な面としてもよく、或いは、中央が凹んだ、又は突出したような曲面状に形成してもよい。これにより、指向特性を調整することができる。また、封止部材は、1層構造、又は2層以上の多層構造としてもよい。
<実施の形態3>
図7は、本発明の実施の形態4に係る発光装置を示す概略断面図である。実施の形態1と重複する説明は省略することもある。
本実施の形態において、第1導電部材101及び第2導電部材102の上面には、それぞれ金属バンプ105が設けられており、この金属バンプ105の上に、接着部材103を介して発光素子104の正電極104a及び負電極104bが接続される。金属バンプ105は、第1導電部材101及び第2導電部材102の上面において、発光素子104の電極パターンに対応した位置に設けられている。接着部材103の導電領域103bは、第1導電部材101及び第2導電部材102の上面にそれぞれ設けられた金属バンプ105と、その上方に配置された発光素子104の正電極104a及び負電極104bとの間に設けられている。このように、導電部材の上面に金属バンプを設けて、その金属バンプの上に接着部材を設けることにより、接着部材と導電部材との間の接合強度を高めることができる。
101 第1導電部材
102 第2導電部材
101x 突出部
103 接着部材
103a 絶縁領域
103b 導電領域
104 発光素子
104a 電極
105 金属バンプ
106 封止部材
107 基体
107a 基体の底面部
107b 基体の側壁
108 凹部
109 保護膜
110 支持基板
Claims (6)
- 同一面側に正電極及び負電極を有する発光素子と、
互いに離間する第1導電部材及び第2導電部材と、
前記発光素子と前記導電部材とを接続する接着部材と、を備えた発光装置において、
前記接着部材は、絶縁領域と導電領域とを有するものであり、前記第1導電部材及び前記第2導電部材の上面及び側面に接続されており、
前記発光素子の正電極及び負電極は、前記接着部材の導電領域上に接続されていることを特徴とする発光装置。 - 前記第1導電部材と前記第2導電部材との間に、前記接着部材が充填されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1導電部材の上に前記発光素子の正電極が配置され、前記第2導電部材の上に前記発光素子の負電極が配置されており、
前記接着部材の導電領域は、前記第1導電部材と前記発光素子の正電極との間、及び前記第2導電部材と前記発光素子の負電極との間に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。 - 前記第1導電部材及び第2導電部材は、互いに隣接する外縁に向かって突出する突出部を有しており、該突出部の上面及び下面が前記接着部材で挟持されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 支持基板の上に、互いに離間する第1導電部材及び第2導電部材を形成する導電部材形成工程と、
前記第1導電部材及び第2導電部材の上に、絶縁部材と導電性フィラーを含有する接着部材を介して発光素子を圧着することにより、前記接着部材の一部を前記第1導電部材と第2導電部材との間に延在させるダイボンディング工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記導電部材形成工程において、前記第1導電部材及び第2導電部材の互いに隣接する外縁に突出部を形成し、
前記ダイボンディング工程において、前記接着部材の一部を前記突出部の下に延在させることを特徴とする請求項5に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010043979A JP5716281B2 (ja) | 2010-03-01 | 2010-03-01 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010043979A JP5716281B2 (ja) | 2010-03-01 | 2010-03-01 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011181655A true JP2011181655A (ja) | 2011-09-15 |
JP5716281B2 JP5716281B2 (ja) | 2015-05-13 |
Family
ID=44692877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010043979A Active JP5716281B2 (ja) | 2010-03-01 | 2010-03-01 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5716281B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178400A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledランプ |
JP2013138043A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子の実装方法 |
JP2013201273A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014003242A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Nichia Chem Ind Ltd | ダイボンド材及び発光装置 |
WO2014046089A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法及び異方性導電接着剤 |
WO2014060355A3 (de) * | 2012-10-17 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen halbleiterbauteilen |
WO2015046326A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置、異方性導電接着剤、発光装置製造方法 |
JP2016504773A (ja) * | 2013-01-24 | 2016-02-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品 |
JP2016127146A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2017045832A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2017188673A (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子載置用基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに発光素子載置用基体及びそれを用いた発光装置 |
JP2022086470A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04259766A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路の接続部材 |
JPH05343744A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Nisshin Steel Co Ltd | ダイボンド型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2003209286A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-07-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2004023061A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Rohm Co Ltd | Ledチップの実装構造、およびこれを備えた画像読み取り装置 |
JP2005039129A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sony Corp | 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置 |
JP2005175212A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Lite-On Technology Corp | 発光ダイオード結晶粒子固定方法 |
JP2005333014A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Koha Co Ltd | Ledランプ |
JP2006310630A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法 |
JP2007109948A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2007157940A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2010040791A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Nichia Corp | 光半導体装置 |
-
2010
- 2010-03-01 JP JP2010043979A patent/JP5716281B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04259766A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路の接続部材 |
JPH05343744A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Nisshin Steel Co Ltd | ダイボンド型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2003209286A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-07-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2004023061A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Rohm Co Ltd | Ledチップの実装構造、およびこれを備えた画像読み取り装置 |
JP2005039129A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sony Corp | 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置 |
JP2005175212A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Lite-On Technology Corp | 発光ダイオード結晶粒子固定方法 |
JP2005333014A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Koha Co Ltd | Ledランプ |
JP2006310630A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法 |
JP2007109948A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2007157940A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2010040791A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Nichia Corp | 光半導体装置 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178400A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledランプ |
JP2013138043A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子の実装方法 |
US9087974B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-07-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2013201273A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8916901B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2014003242A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Nichia Chem Ind Ltd | ダイボンド材及び発光装置 |
WO2014046089A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法及び異方性導電接着剤 |
JP2014067507A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-17 | Dexerials Corp | 接続構造体の製造方法 |
JP2015532541A (ja) * | 2012-10-17 | 2015-11-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造するための方法 |
CN104737307A (zh) * | 2012-10-17 | 2015-06-24 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造多个光电子半导体构件的方法 |
WO2014060355A3 (de) * | 2012-10-17 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen halbleiterbauteilen |
US9318357B2 (en) | 2012-10-17 | 2016-04-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components |
CN104737307B (zh) * | 2012-10-17 | 2017-11-10 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造多个光电子半导体构件的方法 |
US9755114B2 (en) | 2013-01-24 | 2017-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a plurality of optoelectronic components and optoelectronic component |
JP2016504773A (ja) * | 2013-01-24 | 2016-02-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品 |
WO2015046326A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置、異方性導電接着剤、発光装置製造方法 |
JP2015088744A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-05-07 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置、異方性導電接着剤、発光装置製造方法 |
JP2016127146A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2017045832A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2017188673A (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子載置用基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに発光素子載置用基体及びそれを用いた発光装置 |
JP7011148B2 (ja) | 2016-04-01 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子載置用基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに発光素子載置用基体及びそれを用いた発光装置 |
JP2022086470A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源 |
US11624499B2 (en) | 2020-11-30 | 2023-04-11 | Nichia Corporation | Planar light source |
JP7295438B2 (ja) | 2020-11-30 | 2023-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5716281B2 (ja) | 2015-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102117909B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP5716281B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
KR101811885B1 (ko) | 발광장치 및 그 제조방법 | |
US8080436B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
JP5493553B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP5493549B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5482293B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP6521032B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP5338543B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP5515693B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5569158B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5359662B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5796649B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011060801A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5402264B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2010287584A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140512 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141211 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150302 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5716281 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |