JP5359662B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用可能な発光装置に関し、特に、薄型／小型タイプで光の取り出し効率に優れ、歩留まり良く得られる発光装置及びその製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い、それらに搭載される発光装置（発光ダイオード）、受光装置（ＣＣＤ）等の発光装置も小型化されたものが種々開発されている。これらの発光装置は、例えば、絶縁基板の両面にそれぞれ形成された一対の金属導体パターンが形成された両面スルーホールプリント基板上に発光素子を載置し、ワイヤなどを用いて金属導体パターンと発光素子とを電気的に導通させるような構造を有している。
しかしながら、このような発光装置は、両面スルーホールプリント基板を使用することが必須条件であり、この両面スルーホールプリント基板が少なくとも０．１ｍｍ程度以上の厚みがあるため、表面実装型発光装置の徹底した薄型化を阻害する要因となっている。そのため、このようなプリント基板を使用しない構造の発光装置が開発されている（例えば特許文献１）。
特開２００５−７９３２９号公報
特許文献１に開示されている発光装置は、基板に蒸着などによって薄い金属膜を形成し、これを電極とし、発光素子とともに透光性樹脂で封止することで、従来の表面実装型の発光装置に比べて薄型化が可能となっている。
しかしながら、透光性樹脂のみを用いているため、光が発光素子から下面方向に抜けてしまい、光の取り出し効率が低下しやすい。擂鉢状の金属膜を設けて光を反射させるような構造も開示されているが、このような金属膜を設けるには基板に凹凸を設ける必要がある。そうすると、発光装置が小型化されているためこの凹凸も極めて微細なものになり、加工が困難になるだけでなく、凹凸構造により基板の剥離時に破損しやすくなり歩留まりが低下するなどの問題が生じやすい。また、ディスプレイなどに用いる場合、透光性樹脂のみを用いているとコントラストが悪くなり易い。
また、近年、更なる高出力化が求められており、発光素子の出力が向上される傾向にあるが、そのような高出力の発光を得る際に発生する熱量も増大化している。そのため、発光装置を構成する各部材の耐熱性が要求されている。
以上の課題を解決するために、本発明の半導体発光素子の製造方法は、ステンレスからなる支持基板上に、Ａｕを有する第１領域と、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕより小さい金属部材を含む第２領域とを有する最下層を有する導電部材を、複数個所形成する第１工程と、導電部材の間の前記支持基板の上に、遮光性樹脂からなる基体を形成する第２の工程と、導電部材の上面に、接着部材を介して発光素子を接合させる第３の工程と、発光素子を透光性の封止部材で被覆する第４の工程と、支持基板を除去後、発光装置を個片化する第５の工程と、を有し、第１の工程は、支持基板上から前記第２領域の上に連続するよう前記第１領域を形成する工程を含むことを特徴とする。これにより、小型で薄型の発光装置を歩留まりよく形成することができる。
また、本発明の発光装置は、発光素子と、上面に接着部材を介して前記発光素子が接着さえる導電部材と、導電部材の下面が露出するよう保持する基体と、を有する発光装置であって、導電部材の下面は、Ａｕを有する第１領域と、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕより小さい金属部材を含む複数の第２領域とを有し、第１領域は、第２領域の上に連続して設けられていることを特徴とする。これにより、小型で薄型であり、耐熱性に優れた発光装置とすることができる。
本発明により、小型で薄型の発光装置を、歩留まり良く容易に形成させることができる。また、薄型の発光装置であっても、発光素子からの光が下面側から漏れ出すのを防ぐことができるため、光の取り出し効率が向上された発光装置や、コントラストが向上された発光装置が得られる。また、耐熱性に優れた発光装置を容易に得ることができる。
図１Ａは、本発明係る発光装置の全体及び内部を示す斜視図である。 図１Ｂは、図１Ａに係る発光装置のＡ−Ａ’断面における断面図及び部分拡大図である。 図１Ｃは、図１Ａに係る発光装置の底面図及びその部分拡大図である。 図１Ｄは、本発明に係る発光装置の導電部材の部分拡大図である。 図１Ｅは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。 図１Ｆは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。 図２Ａは、本発明に係る発光装置の製造方法を説明する工程図である。 図２Ｂは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。 図３Ａは、本発明に係る発光装置の製造方法を説明する工程図である。 図３Ｂは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。 図３Ｃは、本発明に係る発光装置に製造方法を説明する工程図である。 図３Ｄは、本発明に係る発光装置の断面図及び部分拡大図である。
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置及びその製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。
また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に限定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、限定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
＜実施の形態１＞
本実施の形態の発光装置１００を、図１Ａ〜図１Ｃに示す。図１Ａは発光装置１００の斜視図、図１Ｂは、図１Ａに示す発光装置１００のＡ−Ａ’断面における断面図、図１Ｃは図１Ａに示す発光装置１００の下面図及びその部分拡大図を示す。
本実施の形態において、発光装置１００は、発光素子１０２と、発光素子１０２と電気的に接続される上面を有する一対の導電部材１０１と、導電部材１０１の外縁と接して保持する基体１０３とを有している。基体１０３は、遮光性を有する各種充填材等を添加することで発光素子１０２からの光を遮光可能な樹脂であり、底面部１０３ａと側壁１０３ｂからなる凹部Ｓを有している。この凹部Ｓの底面において、一対の導電部材１０１の上面の一部が露出している。導電部材１０１の下面は、基体１０３の下面（裏面）から露出されている。発光素子１０２と導電部材１０１とは、導電性ワイヤ１０５を介して電気的に接続されており、封止部材１０６がこれらの電子部品を被覆するよう、凹部Ｓ内に設けられている。そして、本発明において、導電部材１０１の下面は、Ａｕを有する第１領域１０１ａと、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を含む第２領域１０１ｂとを有することを特徴とする。
このような発光装置１００は、以下のような製造方法によって得ることができる。図１Ｅ、図１Ｆは、発光装置の集合体１０００を形成する工程を示す図であり、この集合体１０００を切断して個片化することで図１Ａに示す発光装置１００を得ることができる。
１．第１の工程
まず、図１Ｅ（ａ）に示すように、ステンレスからなる平板状の支持基板１０７０を用意する。この支持基板の上面に、保護膜としてレジスト１０８０を塗布する。このレジスト１０８０の厚みによって後に形成される導電部材の厚みを調整することができる。尚、ここでは、支持基板１０７０の上面（導電部材を形成する側の面）にのみレジスト１０８０を設けているが、更に、下面（反対側の面）に形成してもよい。これにより、後述の鍍金によって支持基板の下面側に導電部材が形成されるのを防ぐことができる。
尚、用いる保護膜（レジスト）はフォトリソグラフィによって形成されるレジストの場合、ポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよい。ここでは、ポジ型のレジストを用いる方法について説明するが、ポジ型、ネガ型を組み合わせて用いてもよい。また、スクリーン印刷により形成させるレジストや、シート状のレジストを貼り付けるなどの方法も用いることができる。
塗布したレジストを乾燥させた後、その上部に開口部を有するマスク１１００を直接又は間接的に配置させて、図中の矢印のように紫外線を照射して露光する。ここで用いる紫外線は、保護膜１０８０の感度等によって適した波長を選択することができる。その後、エッチング剤で処理することで図１Ｅ（ｂ）に示すように開口部Ｋを有する保護膜１０８０が形成される。ここで、必要であれば酸活性処理などを行ってもよい。
次いで、導電部材の最下層（下面）の第２領域を構成する金属部材、すなわち、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を開口部内で露出されている支持基板上に形成する。ここでは、後に形成する第１領域となる部分を保護膜で覆う必要があり、図１Ｅ（ａ）及び図１Ｅ（ｂ）と同じような工程を再度行ってレジストなどの保護膜を形成して開口部を形成後、スパッタ、蒸着、鍍金などの方法によって金属部材を形成して第２領域１０１０ｂとする。
例えば、図１Ｅ（ｃ）では、図１Ｅ（ａ）で使用した比較的開口部の大きいマスク１１００よりも、小さな開口部を有するマスク（図示せず）を用いてＴｉやＰｔなどの金属部材からなる第２領域１０１０ｂを形成している。保護膜の開口部の形状等によって図１Ｃ（ａ）や図１Ｃ（ｂ）のような形状等とすることができる。また、図１Ｅ（ｃ）では、第２領域は、支持基板１０７０の表面に直接形成されるものに加え、先に形成したレジスト（保護膜）１０８０の上にも形成されている。尚、これは、マスク形状によって選択できるものであり、レジスト１０８０上に第２領域を形成しないようにすることもできる。更に、レジスト硬化時に用いる紫外線光源の照射角度等を調整してレジストの開口部の側壁を傾斜角とすることで、例えば図１Ｄ（ｄ）に示すような、下面側の面積が大きくなるような金属部材からなる第２領域１０１ｂや、図１Ｄ（ｅ）に示すような、下面側の面積が小さくなるような金属部材からなる第２領域１０１ｂとすることができる。このようにすることで、その後に形成される第１領域を構成するＡｕとの密着性を向上することができる。
上記のような第２領域形成後、レジスト（図示せず）を除去後に、第１領域となる導電部材を形成させる。ここでは、図１Ｅ（ｄ）に示すように、支持基板１０７０上面と、支持基板１０７０上面に形成されている第２領域１０１０ｂを連続して被覆するようにＡｕが鍍金されている。無電解鍍金の場合、絶縁部材からなるレジスト１０８０上に形成された第２領域の上にも、Ａｕが鍍金される。また、電解鍍金の場合も、レジスト１０８０上の第２領域の一部と支持体とが繋がっていれば、その上にＡｕが鍍金される。
図１Ｄは、導電部材１０１の部分拡大図である。図１Ｄ（ａ）は、第２領域１０１ｂを構成する金属部材は、Ａｕからなる最下層１０１ｚの厚みよりも薄くした場合の図であり、ここでは第２領域１０１ｂの上にもＡｕが連続して設けられている。また、図１Ｄ（ｂ）は第２領域１０１ｂを構成する金属部材と最下層１０１ｚのＡｕとが、略等しい厚みで形成されている。更に、図１Ｄ（ｃ）では、第２領域１０１ｂを構成する金属部材は最下層１０１ｚよりも厚みがあつく、中間層１０１ｙの内部にまで達している。このように、第２領域を構成する金属部材の膜厚は、任意の膜厚とすることができ、図示はしていないが複数の中間層のうち、全ての中間層の内部にまで達していてもよく、更には、最上層１０１ｘの内部や、最上層の上面にまで達していてもよい。ただし、最上層に反射率の高いＡｇなどを用いて反射率を向上させている場合などは、最上層の上面にまで達しないようにするのが好ましい。また、第２領域を構成する金属部材の熱導電率やその他特性に応じて、厚みが厚いと耐熱性や電気抵抗等に悪影響を与えるおそれがあるため、例えばＴｉなどは最下層のＡｕと同程度の厚みとするのが好ましい。
開口部Ｋ内等に形成された導電部材１０１０は、鍍金条件を調整することでレジスト１０８０の膜厚よりも厚くなるように鍍金することができ、これにより導電部材を保護膜の上面にまで形成させ、図１Ａに示すような側面に突起部有する導電部材を形成させることができる。鍍金方法としては、用いる金属によって、又は目的の膜厚や平坦度に応じて適宜選択することができ、電解鍍金、無電解鍍金を用いることができる。特に、電解鍍金を用いるのが好ましく、これによりレジスト（保護膜）を除去し易く、導電部材を均一な形状で形成し易くなる。また、最表層（例えばＡｇ）との密着性を向上させるため、その下の層にストライク鍍金によって中間層（例えばＡｕ）を形成させるのが好ましい。
鍍金後、レジスト１０８０を洗浄して除去することで、図１Ｅ（ｅ）に示すように互いに離間する導電部材が複数形成される。尚、レジスト１０８０を除去する際、その上に形成されている導電部材も同時に除去されており（リフトオフ）、複数の導電部材１０１０の間には、支持基板１０７０の上面が露出される。
２．第２の工程
次いで、図１Ｆ（ａ）に示すように、発光素子からの光を反射可能な遮光性樹脂からなる基体１０３０を形成する。ここでは、導電部材１０１０の間に基体の底面部１０３０ａ及び基体の側壁１０３０ｂを同時に形成しているが、それぞれ別工程で形成してもよく、その場合、同一の遮光性樹脂を用いるのが好ましいが、目的や用途に応じて、異なる遮光性樹脂を用いても構わない。
基体の形成方法は、射出成形、トランスファモールド、圧縮成型等の方法を用いることができる。例えばトランスファモールドにより基体１０３０を形成する場合、複数の導電部材を形成した支持基板を、上型及び下型からなる金型の内に挟み込むようにセットする。このとき、離型シートなどを介して金型内にセットしてもよい。金型を内には基体の原料である樹脂ペレットが挿入されており、支持基板と樹脂ペレットとを加熱する。樹脂ペレット溶融後、加圧して金型内に充填する。加熱温度や加熱時間、また圧力等については用いる樹脂の組成等に応じて適宜調整することができる。硬化後金型から取り出し、図１Ｆ（ａ）に示す成型品を得ることができる。
３．第３の工程
次いで、図１Ｆ（ｂ）に示すように、基体の側壁１０３０ｂに囲まれた導電部材１０１０上に、金属を含有している接着部材（図示せず）を用いて発光素子１０２０を接合し、導電性ワイヤ１０５０を用いて発光素子の電極と導電部材１０１０とを接続する。尚、ここでは、同一面側に正負電極を有する発光素子を用いているが、正負電極が異なる面に形成されている発光素子を用いることもできる。
４．第４の工程
第４の工程では、図１Ｃ（ｃ）に示すように、基体の側壁１０３０ｂに囲まれて形成される凹部に透光性樹脂からなる封止部材１０６０をトランスファモールド、ポッティング、印刷などの方法で形成する。凹部を有する基体の場合、ポッティングを用いて透光性樹脂を凹部内に充填するのが好ましい。このようにして、発光素子１０２０や導電性ワイヤ１０５０を封止部１０６０材で被覆する。ここでは、封止部材１０６０は、側壁１０３０ｂと略同一高さになるように設けられているが、これに限らず、側壁１０３０ｂよりも低く又は高くなるよう形成してもよい。また、このように上面が平坦な面としてもよく、或いは、中央が凹んだ、又は突出したような曲面状に形成してもよい。また、封止部材は１層構造、又は２層以上の多層構造としてもよい。
５．第５の工程
第５の工程では、封止部材１０６０が硬化後に、図１Ｆ（ｃ）に示すように、支持基板１０７０を剥離するが、この際、第１領域及び第２領域を含む導電部材１０１０の最下層の下面と、支持基板１０７０の上面との間で分離するようにして剥離して除去する。
以上のような工程を経て、図１Ｆ（ｄ）に示すような発光装置に集合体１０００を得ることができる。最後に、図１Ｆ（ｄ）中に示す破線部、すなわち、基体の側壁１０３０ｂを切断するような位置で基体１０３０及び導電部材１０１０を切断することで個片化し、図１Ａに示すような発光装置１００を得ることができる。個片化の方法としては、ブレードによるダイシング、レーザ光によるダイシング等種々の方法を用いることができる。
ここでは、側壁１０３０ｂを切断し、封止部材１０６０が切断されないような位置で切断することで、光の取り出し方向を、発光装置１００の上方向のみに限定することができる。これにより、上方向への光の取り出しが効率よく行われる。尚、図１Ｆ（ｄ）では、導電部材を含む位置で切断しているが、これに限らず、導電部材から離間する位置で切断してもよい。導電部材を含む位置で切断すると、発光装置の側面にも導電部材が露出しているようになり、はんだ等が接合し易くなる。また、導電部材から離間する位置で切断する場合、切断されるのが基体や封止部材など樹脂のみとなるため、導電部材と樹脂とを合わせて切断するのに比して容易に切断することができる。
以下、本発明の発光装置の各部材について、詳説する。
（導電部材）
本実施の形態において、導電部材は、発光素子に直接又は間接的に電気的に接続して外部から供給される電気を通電させるための一対の電極として機能させるものであり、少なくとも１つの導電部材は発光素子が載置可能な大きさであり、他方は導電性ワイヤが接続可能な大きさを有している。本発明では、導電部材の最下層の下面は、Ａｕを含む第１領域と、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を含む第２領域とを有している。Ａｕが導電部材の下面において露出されていることで、回路基板との密着性の優れた電極として機能させることができ、良好に導通させることができる。更に、製造工程においてステンレスからなる支持基板中の金属との拡散係数が小さいため合金化層を形成しにくい第２領域が導電部材の下面に露出しているため、支持基板を除去する際に導電部材が破損、欠落しにくくすることができ、歩留まり良く発光装置を得ることができる。
導電部材の第１領域及び第２領域を含む最下層は、支持基板を除去した後に、発光装置の下面に露出されるものであり、特性はそれぞれ異なるものの両者とも導電性の金属からなるため、導電部材の最下層をＡｕのみで構成させる場合に比して、電気抵抗を極端に低下させることなく良好に回路基板と接続させることができる。第１領域と第２領域とは、導電部材の下面に露出されるように形成されていればよく、これらの上部には更に別の金属部材が形成されているのが好ましく、特に、第２領域の上に、第１領域を構成するＡｕが第１領域から連続して形成されているのが好ましい。そして、これら第１領域及び第２領域を含む層を最下層とし、その上に、更に異なる金属部材からなる層を積層させてもよい。積層については後述する。尚、第２領域を構成する金属部材が、第１領域を構成するＡｕよりも厚みが厚い場合、例えば、図１Ｄ（ｃ）に示すように中間層１０１ｙの内部にまで第２領域を構成する金属部材が形成されている場合は、Ａｕ及び第２領域を含む層を最下層とする。
第１領域と第２領域とは、複数の導電部材のそれぞれの下面において、同一の面積となるように、又はいずれか一方が広い面積の領域となるように、調整することができる。例えば、工程内のうち、例えば樹脂の硬化や、接着部材の硬化など、いくつか加熱工程が含まれるが、それらの加熱工程のうち、最も高い加熱工程での温度が比較的低い場合、例えば２５０℃程度以下の場合は、第１領域のＡｕとステンレスからなる支持基板との界面に合金化層が形成されにくいため、第１領域を第２領域よりも面積を大きくすることが好ましく、これによって個片化された発光装置と回路基板との密着性を向上することができる。また、工程内での加熱温度が２５０℃以上となる場合は、第１領域よりも第２領域の面積を大きくすることが好ましい。これによって合金化層の形成を抑制し、歩留まりよく製造し易くなる。
また、導電部材の下面における第１領域と第２領域の形状は、任意の形状とすることができる。例えば、最初に第２領域を形成した後に第１領域を形成する場合、最初に形成される第２領域の形状を種々選択することによって、例えば、図１Ｃ（ａ）に示すように、第２領域１０１ｂを、四角形をマトリクス状に規則的に配置させ、その周囲を第１領域１０１ａで囲むような形状とすることができる。或いは、図１Ｃ（ｂ）に示すように、格子状に第２領域１０１ｂ’を形成し、各格子の間に第１の領域１０１ａ’を形成することで、第１領域１０１ａ’が第２領域１０１ｂ’に囲まれた形状とすることができる。また、これらの形状の他、ドット状、ストライプ状、多角形状を１種類又は２種類以上の組み合わせや大きさで、規則的、或いは不規則に配置させた形状や、不定形状で形成することができる。これらは、第１領域を形成する際に用いるマスク（レジスト等も含む）の形状を選択することで容易に形成することができる。
第１領域は、導電部材の下面に露出され、回路基板への実装に用いられる半田との濡れ性に優れたＡｕから構成される領域である。Ａｕとステンレスとは、加熱温度が高くなると、それらの界面で双方向に、又は一方向に金属が拡散し易くなり、特に、ステンレス中のＦｅ、Ｎｉ、ＣｒがＡｕ中に拡散し易くなる。特に、最も高い温度が加わるのが、金属を含む接着部材を用いて発光素子を導電部材上に接着させる工程であり、このとき約２００〜３８０℃程度の温度で加熱される。このような温度領域では、Ａｕとステンレス中の金属（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等）との拡散係数は大きく、特に、Ａｕ中にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等が拡散し易い環境となる。本発明では、これらの第１領域が、導電部材の下面の全面ではなく、部分的に設けられている、すなわち、拡散し易い領域を部分的な領域に抑制しているため、合金化層面積を抑制することが可能となる。更に、第１領域が、ステンレスとの界面で合金化層を形成しにくい第２領域と接していることで、互いの領域の密着性が高くなっているため、ステンレスを除去する際に第１領域や第２領域が破損や欠損するのを抑制することができる。第１領域の膜厚は、０．０４μｍ〜１μｍ程度が好ましく、より好ましくは０．１〜０．５μｍ程度である。また、第２領域と同じ膜厚、それよりも厚い膜厚、又は薄い膜厚とすることができる。このような第１領域は、無電解鍍金や電解鍍金と用いて形成することができ、特に、電解鍍金を用いるのが好ましく、これによりレジスト（保護膜）を除去し易く、導電部材を均一な形状で形成し易くなる。
第２領域は、第１領域と同様に導電部材の下面に露出されており、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕより小さい金属部材、すなわち、Ａｕに比べて、支持基板であるステンレスと合金化しにくい金属部材から構成される領域である。このような領域を設けることで、導電部材とステンレスとの界面の全面において合金化層を形成し、ステンレスを除去しにくくなるのを抑制し、歩留まり良く発光装置を得ることができる。特に、ステンレス中の主要な構成金属であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等との拡散係数が、Ａｕよりも小さい金属部材が好ましい。これによって、ステンレス中の金属と第２領域中の金属とが双方向に、或いは１方向に拡散しにくく、すなわち合金化層を形成しにくいバリア層として機能することができる。このような第２領域は、導電部材の下面全面に設けることもできるが、その場合、支持基板を除去した後に、Ａｕとは異なる金属からなる第２領域のみが導電部材の下面に露出されることになる。そのため、回路基板への実装性を考慮して、再度、Ａｕ鍍金を行うことが好ましいが、支持基板を除去した後の薄型の発光装置の集合体を取り扱う工程が増えるのは好ましくなくないため、本発明のように支持基板を除去する前の段階で、Ａｕが最下面に設けられているのが好ましい。
導電部材の第２領域を構成する金属部材として好ましい材料は、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｍｏから選択される少なくとも１種を挙げることができ、特にＴｉ、Ｐｔが好ましい。これらの金属部材は、ステンレス中の金属（特にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ）との拡散係数がＡｕより小さいため、バリア層として機能することができる。第２領域の膜厚としては、０．０２μｍ〜５μｍ程度が好ましく、更に０．０２μｍ〜１μｍ程度が好ましく、特に、第１領域を構成するＡｕの厚みと同程度とするのが好ましい。第２領域は、第１領域と同様に、鍍金で形成することができる他、スパッタや蒸着等の方法でも形成することができる。
導電部材の膜厚については、１０μｍ〜１００μｍ程度が好ましく、特に４５μｍ〜９５μｍ以下程度が好ましい。上記範囲の厚さとすることで、比較的均一な膜厚の導電部材とすることができる。特に、上記のような第１領域及び第２領域を有する層を最下層とし、その上に更に金属層を積層させるのが好ましく、特に鍍金によって積層させるのが好ましい。
発光素子が載置される導電部材の最上層には、発光素子や波長変換部材からの光を反射可能な材料を設けるのが好ましく、具体的には金、銀、銅、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ等が好ましい。更に最表面の導電部材は高反射率、高光沢である事が好ましい。具体的には可視域の反射率は７０％以上である事が好ましく、その際はＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄなどが好ましく、特にＡｇが好ましい。また、導電部材の表面光沢も高いほうが好ましい。具体的に光沢度は好ましくは０．５以上、より好ましくは１．０以上である。ここで示される光沢度は日本電色工業製 微小面色差計ＶＳＲ ３００Ａを用い、４５°照射、垂直受光で得られる数字である。
また、上記第１領域及び第２領域を有する下面を有する最下層と、発光素子が載置される最上層との間に、中間層として、導電部材や発光装置の機械的強度を向上させるために耐食性の高い金属、例えばＮｉを用いるのが好ましく、また、放熱性を向上させるためには、熱伝導率の高い銅を用いるなど、目的や用途に応じて、適した部材を用いるのが好ましい。この中間層についても、上記の金属の他、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄなどを用いることができ、最上層や最下層の金属と密着性のよい金属を積層させてもよい。中間層の膜厚については、最上層や最下層よりも厚く形成するのが好ましい。
また、金属からなる鍍金層の場合、その組成によって線膨張係数が規定されるため、最下層や中間層は、比較的支持基板との線膨張係数が近いものが好ましい。例えば、支持基板として、線膨張係数が１０．４×１０−６／ＫであるＳＵＳ４３０を用い、その上に導電部材として、最下層側から、線膨張係数１４．２×１０−６／ＫであるＡｕ（０．０４〜０．１μｍ）／線膨張係数１２．８×１０−６／ＫであるＮｉ（又は線膨張係数１６．８×１０−６／ＫであるＣｕ）（４０〜７０μｍ）／Ａｕ（０．０１〜０．０７μｍ）／線膨張係数１１９．７×１０−６／ＫであるＡｇ（２〜６μｍ）等の積層構造が好ましい。最上層のＡｇは線膨張係数が他の層の金属と大きく異なるが、発光素子からの光の反射率を優先しているためであり、極めて薄い厚みとしているため反りに対する影響は極めて微弱であり、実用的に問題はない程度である。
導電部材の側面は、平坦な面でもよいが基体との密着性等を考慮すると、図１Ｂに示すような突起部を有する形状とするのが好ましい。この突起部は、導電部材１０１の下面から離間した位置に設けるのが好ましく、これにより導電部材１０１が基体１０３から脱落するなどの問題が生じにくくなる。このような突起部は、導電部材の周囲の任意の位置に設けることができ、例えば、上面視四角形の導電部材の対向する２つの側面にのみ設けるなど、部分的に設けることができる。より確実に脱落を防ぐためには、導電部材の周囲全体に渡って形成するのが好ましい。
（基体）
本実施の形態において、基体は、一対の導電部材の間に設けられる底面部と側壁とからなる凹部を有する樹脂であり、遮光性を有する各種充填材等を添加することで発光素子からの光を遮光可能な樹脂からなる。このような遮光性の基体を設けることで、発光素子からの光が、発光装置の下面（裏面）側から外部に漏れ出すのを抑制することができ、上面方向への光の取り出し効率を向上させることができる。尚、側壁を有していない基体、すなわち、底面部のみの基体でもよい。基体の底面部及び側壁とも、その厚みは、発光素子からの光の漏れを抑制できる厚さであればよい。
基体は発光素子からの光が遮光可能な部材であればよく、また、支持基板との線膨張係数の差が小さいものが好ましい。さらに、絶縁性部材を用いるのが好ましい。好ましい材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂を用いることができ、特に、導電部材の膜厚が２５μｍ〜２００μｍ程度の極薄い厚みの場合は、熱硬化性樹脂が好ましく、これによって極めて薄型の基体を得ることができる。更に、具体的にはエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物などをあげることができる。
特に、熱硬化性樹脂が好ましく、特開２００６−１５６７０４に記載されている樹脂が好ましい。例えば、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等が好ましい。具体的には、（ｉ）トリグリシジルイソシアヌレート、水素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテルからなるエポキシ樹脂と、（ｉｉ）ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸からなる酸無水物とを、エポキシ樹脂へ当量となるよう溶解混合した無色透明な混合物を含む固形状エポキシ樹脂組成物を用いるのが好ましい。さらにこれら混合物１００重量部に対して、硬化促進剤としてＤＢＵ（１，８−Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５，４，０）ｕｎｄｅｃｅｎｅ−７）を０．５重量部、助触媒としてエチレングリコールを１重量部、酸化チタン顔料を１０重量部、ガラス繊維を５０重量部添加し、加熱により部分的に硬化反応させ、Ｂステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物が好ましい。
また、国際公開番号ＷＯ２００７／０１５４２６号公報に記載の、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を必須成分とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物が好ましい。例えば、１，３，５−トリアジン核誘導体エポキシ樹脂を含むことが好ましい。特にイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性や電気絶縁性に優れている。一つのイソシアヌレート環に対して、２価の、より好ましくは３価のエポキシ基を有することが望ましい。具体的には、トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリス（α−メチルグリシジル）イソシアヌレート等を用いることができる。トリアジン誘導体エポキシ樹脂の軟化点は９０〜１２５℃であることが好ましい。また、これらトリアジン誘導体エポキシ樹脂に、水素添加エポキシ樹脂や、その他のエポキシ樹脂を併用してもよい。更に、シリコーン樹脂組成物の場合、メチルシリコーンレジンを含むシリコーン樹脂が好ましい。
特に、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を用いる場合について具体的に説明する。トリアジン誘導体エポキシ樹脂に、硬化剤として作用する酸無水物を用いるのが好ましく、特に、非芳香族であり、かつ、炭素炭素２重結合を有さない酸無水物を用いることで耐光性を向上させることができる。具体的には、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物などが上げられ、特にメチルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。また、酸化防止剤を用いるのが好ましく、例えば、フェノール系、硫黄系酸化防止剤を使用することができる。
そして、これら樹脂中に遮光性を付与するための充填剤や、必要に応じて各種添加剤を混入させることができ、本発明ではこれらを含めて基体を構成する遮光性樹脂と称する。例えば、充填材（フィラー）としてＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）２、Ｃａ（ＯＨ）２などの微粒子などを混入させることで光の透過率を調整し、発光素子からの光の約６０％以上を遮光するよう、より好ましくは約９０％を遮光するようにするのが好ましい。尚、ここでは基体によって光を反射するか、又は吸収するかどちらでもよいが、発光装置を照明などの用途に用いる場合は、より好ましくは反射させることによって遮光するのが好ましい。そのため、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上であるものが好ましく、より好ましくは９０％以上反射するものが好ましい。
上記のような各種充填材は、１種類のみ、或いは２種類以上を組み合わせて用いることができ、例えば、反射率を調整するための充填材と、後述のように線膨張係数を調整するための充填材とを併用するなどの用い方ができる。
例えば、白色の充填剤としてＴｉＯ２を用いる場合は、好ましくは１０〜３０ｗｔ％、より好ましくは１５〜２５ｗｔ％配合させるのがよい。ＴｉＯ２は、ルチル形、アナタース形のどちらを用いても良い。遮光性や耐光性の点からルチル形が好ましい。更に、分散性、耐光性を向上させたい場合、表面処理により改質した充填材も使用できる。ＴｉＯ２から成る充填材の表面処理にはアルミナ、シリカ、酸化亜鉛等の水和酸化物、酸化物等を用いることが出来る。また、これらに加え、充填剤として主として線膨張係数を調整するための充填剤としてＳｉＯ２を６０〜８０ｗｔ％の範囲で用いるのが好ましく、さらに、６５〜７５ｗｔ％用いるのが好ましい。また、ＳｉＯ２としては、結晶性シリカよりも線膨張係数の小さい非晶質シリカが好ましい。また、粒径が１００μｍ以下の充填材、更には６０μｍ以下の充填材が好ましい。更に、形状は球形の充填材が好ましく、これにより基体成型時の充填性を向上させることができる。また、ディスプレイなどに用いる場合であって、コントラストを向上させたい場合は、発光素子からの光の吸収率が６０％以上、より好ましくは９０％以上吸収するものが好ましい。このような場合、充填材としては、アセチレンブラック、活性炭、黒鉛などのカーボンや、酸化鉄、二酸化マンガン、酸化コバルト、酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物、もしくは有色有機顔料などを目的に応じて利用することができる。
また、基体の線膨張係数は、個片化する前に除去（剥離）される支持基板の線膨張係数との差が小さくなるように制御するのが好ましい。好ましくは３０％以下、より好ましくは１０％以下の差とするのがよい。支持基板としてＳＵＳ板を用いる場合、線膨張係数の差は２０ｐｐｍ以下が好ましく、１０ｐｐｍ以下がより好ましい。この場合、充填材を７０ｗｔ％以上、好ましくは８５ｗｔ％以上配合させるのが好ましい。これにより、支持基板と基体との残留応力を制御（緩和）することができるため、個片化する前の発光装置の集合体の反りを少なくすることができる。反りを少なくすることで、導電性ワイヤの切断など内部損傷を低減し、また、個片化する際の位置ズレを抑制して歩留まりよく製造することができる。例えば、基体の線膨張係数を５〜２５×１０−６／Ｋに調整することが好ましく、さらに好ましくは７〜１５×１０−６／Ｋに調整することが望ましい。これにより、基体成型後、冷却時に生じる反りを抑制し易くすることができ、歩留まりよく製造することができる。尚、本明細書において線膨張係数とは、各種充填剤等で調整された遮光性樹脂からなる基体のガラス転移温度以下での線膨張係数を指す。この温度領域における線膨張係数が、支持基板の線膨張係数と近いものが好ましい。
また、別の観点から、基体の線膨張係数は、線膨張係数との差が小さくなるように制御するのが好ましい。好ましくは４０％以下、より好ましくは２０％以下の差とするのがよい。これにより、個片化後の発光装置において、導電部材と基体とが剥離するのを抑制し、信頼性に優れた発光装置とすることができる。
（封止部材）
封止部材は、発光素子、受光素子、保護素子、更には導電性ワイヤなどの電子部品を、塵芥や水分、更には外力などから保護する部材であり、本実施の形態においては、図１Ａ、図１Ｂに示すように、基体１０３の凹部Ｓ内に充填されている。
封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。更に、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。さらにまた、これらの有機物に限らず、ガラス、シリカゾル等の無機物も用いることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換部材（蛍光部材）などを含有させることもできる。封止部材の充填量は、上記電子部品が被覆される量であればよい。
封止樹部材の外表面の形状については配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状などとすることで、指向特性を調整することができる。また、封止部材に加え別に、レンズ部材を設けてもよい。さらに、蛍光部材入り成形体、例えば蛍光部材入り板状成形体、ドーム状成形体等を用いる場合には、封止部材としては密着性に優れた材料を選択することが好ましい。蛍光部材入り成形体は樹脂組成物の他、ガラス等の無機物を用いることが出来る。
また、上述の遮光性樹脂からなる基体の代わりに、上記封止部材として用いられる樹脂で、導電部材とその上に載置される各電子部品とを一体的に保持するようにしてもよい。
（接着部材）
接着部材は、発光素子と導電部材とを接着させる部材である。樹脂や金属などを用いることができるが、好ましくは耐熱性に優れた樹脂や、金属を含む部材が好ましく、より好ましくは金属からなる部材が好ましい。具体的には、耐熱性に優れた樹脂としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物やその変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができ、特にハイブリッド樹脂が好ましい。また、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Ａｕ−Ｓｎ共晶などのはんだ、低融点金属等のろう材を用いることができ、特にＡｕ−Ｓｎ共晶はんだが好ましい。これらは、製造工程内において、他の工程に比して比較的高温で加熱する工程が必要なものもあり、例えばＡｕ−Ｓｎ共晶はんだの場合、２７０〜３４０℃程度で加熱を行い、このとき、導電部材の最下層と支持基板であるステンレスとの界面で、Ａｕとステンレス中の金属とが互いに又は一方向に拡散し易くなる。本発明では、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を含む第２領域が形成されているため、ステンレスの除去が比較的容易に、又歩留まりよく行うことができる。そして、このように金属若しくは耐熱性に優れた樹脂を接着部材として用いることで、発光素子の高出力化に伴う駆動時の高温の発熱によっても劣化しにくく、密着性が低下しにくい。
（導電性ワイヤ）
発光素子の電極と、直接又は間接的に導電部材とを接続する導電性ワイヤは、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。特に、熱抵抗などに優れた金を用いるのが好ましい。
（波長変換部材）
上記封止部材中に、波長変換部材として発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
蛍光部材としては、発光素子からの光を、それより長波長に変換させるものの方が効率がよい。しかしながら、これに限らず、発光素子からの光を、短波長に変換させるもの、或いは、他の蛍光部材によって変換された光を更に変換させるものなど、種々の蛍光部材を用いることができる。このような波長変換部材は、１種の蛍光部材を単層で形成してもよいし、２種以上の蛍光部材が混合された単層を形成してもよいし、１種の蛍光部材を含有する単層を２層以上積層させてもよいし、２種以上の蛍光部材がそれぞれ混合された単層を２層以上積層させてもよい。
蛍光部材としては、例えば、発光素子として窒化物系半導体を発光層とする半導体発光素子を用いる場合、その発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、より具体的には、（ａ）Ｅｕ賦活されたα若しくはβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート、各種アルカリ土類金属窒化アルミニウムケイ素（例：ＣａＳｉＡｌＮ３：Ｅｕ、ＳｒＡｌＳｉ４Ｎ７：Ｅｕなど）、（ｂ）Ｅｕ等のランタノイド系の元素、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属のハロシリケート、アルカリ土類金属シリケート、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、（ｃ）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩（ｄ）Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。好ましくは、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体である、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体である。また、Ｙの一部もしくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなどもある。さらに、上記蛍光部材以外の蛍光部材であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光部材も使用することができる。
また、蛍光部材をガラス、樹脂組成物等他の成形体に塗布したものも用いることが出来る。さらに、蛍光部材入り成形体も用いることが出来る。具体的には、蛍光部材入りガラスや、ＹＡＧ焼結体、ＹＡＧとＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３などの焼結体、無機融液中でＹＡＧを析出させた結晶化無機バルク体などを用いたり、蛍光部材をエポキシ、シリコーン、ハイブリッド樹脂等で一体成形したものも用いたりすることが出来る。
（発光素子）
本発明においては、発光素子として、同一面側に正負電極が形成された構造、或いは異なる面に正負電極が形成された構造、成長基板とは異なる基板を貼り合わせた構造等、種々の構造の半導体素子を用いることができる。
半導体発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
波長変換部材を有する発光装置とする場合には、その波長変換部材を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、発光素子とともに、もしくは単独で、受光素子などを搭載することができ、保護素子なども搭載することができる。また、導電部材の上に直接接着部材を介して接合させる他、台座部材などの別部材を介して間接的に導電部材を載置してもよい。
（支持基板）
支持基板は、導電部材を形成するために用いる板状又はシート状部材であり、個片化する前に除去するため、発光装置には具備されていない部材である。
支持基板は、ステンレス（ＳＵＳ）からなるものであり、アルテンサイト系、フェライト系、オーステナイト系等、種々のステンレスを用いることができる。好ましくは、フェライト系のステンレスであり、特に好ましくは、４００系、３００系のものであり、更に、ＳＵＳ４３０（１０．４×１０−６／Ｋ）、ＳＵＳ４４４（１０．６×１０−６／Ｋ）、ＳＵＳ３０３（１８．７×１０−６／Ｋ）、ＳＵＳ３０４（１７．３×１０−６／Ｋ）等が好適に用いられる。４００系のステンレスは、鍍金の前処理として酸処理を行うと、３００系に比し、表面が荒れやすくなるため、その上に鍍金層を形成するとその表面も荒れやすくなり、これにより封止部材や基体を構成する樹脂との密着性を良くすることができる。また、３００系は酸処理では表面が荒れにくいため、鍍金層の表面の光沢度を向上させやすく、これにより発光素子からの反射率を向上して光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
支持基板の厚みは、１０μｍ〜３００μｍ程度の板状部材を用いるのが好ましく、また、樹脂成形後の反りを緩和するために支持基板にスリット、溝、波形状の加工を施していてもよい。
＜実施の形態２＞
本実施の形態の発光装置２００及びその製造方法を、図２Ａ、図２Ｂに示す。実施の形態２の製造方法は、導電部材の第２領域を構成する金属部材の形成方法が、実施の形態１と異なる以外は、実施の形態１と同様に行うものである。実施の形態２の方法で得られる発光装置の集合体及びそれを個片化して得られる発光装置は実施の形態１と同様である。以下、実施の形態１と異なる点について説明し、他の工程については実施の形態１と同様の方法を用いることができるため適宜省略する。
１．第１の工程
まず、図２Ａ（ａ）に示すように、ステンレスからなる平板状の支持基板２０７０を用意する。この支持基板の上面に、保護膜としてレジスト２０８０を塗布する。レジストを乾燥させた後、その上部に開口部を有するマスク２１００を直接又は間接的に配置させて、図中の矢印のほうに紫外線を照射して露光する。ここでは、マスク２１００の開口部の大きさを、後に導電部材の第２領域を構成する金属部材を形成するための小さい開口部を有するマスクを用いる。更に、後に基体（特に底面部）を形成する領域に導電部材が形成されないよう、基体の底面形状に相当する領域にもレジストが形成されるようマスク形状を調整する。
露光後、エッチング剤で処理することで図２Ａ（ｂ）に示すような開口部を有するレジスト２０８０が形成される。ここでは、マスクの開口部の大きさに応じて、後に導電部材の下面の第１領域となる部分に形成されたレジスト２０８０ｂと、それよりも面積が大きく、後に基体（底面部）が形成される部分に形成されたレジスト２０８０ａとが形成されている。
次いで、図２Ａ（ｃ）に示すように、導電部材の下面の第２領域２０１０ｂを構成する金属部材、すなわち、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を開口部内で露出されている支持基板上２０７０に形成する。その後、レジストを除去することで、図２Ａ（ｄ）に示すような、複数の金属部材が形成され、これらが導電部材の下面の第２領域２０１０ｂとなる。
次いで、第１領域となる導電部材を形成するため、再度、図２Ｂ（ａ）に示すようにレジスト２０８０を支持基板の上面全面に設け、マスク２１１０を介して紫外線を照射して露光する。ここでは、後に基体（底部）を形成する領域のみにレジスト残るような開口部を有するマスクを用いる。その後、エッチング剤で処理をすることで、図２Ｂ（ｂ）に示すようなレジスト２０８０が複数形成される。
次いで、図２Ｂ（ｃ）に示すように、導電部材の下面の第１領域２０１０ａを構成するＡｕを形成し、その後、実施の形態１と同様に鍍金を行い、導電部材２０１０を形成させる。
その後、レジスト２０８０を除去することで図２Ｂ（ｄ）に示すような、複数の導電部材２０１０が支持基板に形成される。
第２の工程以降の工程は、実施の形態１と同様に行うことで、本発明の発光装置が得られる。第１の工程が実施の形態とは異なるものの、最終的に得られる発光装置は実施の形態１で得られるものと同様である。
＜実施の形態３＞
本実施の形態の発光装置３００を、図３Ｄに示す。図３Ｄは発光装置３００の断面図及びその部分拡大図を示す。
実施の形態３において、発光装置３００は、発光素子３０２と、発光素子３０２と電気的に接続される上面を有する一対の導電部材３０１と、導電部材３０１の外縁と接して保持する基体３０３とを有している。基体３０３は底面部３０３ａと側壁３０３ｂからなる凹部を有しており、凹部の底面において、一対の導電部材３０１の上面の一部が露出している。導電部材３０１の下面は、基体３０３の下面（裏面）から露出されている。発光素子３０２と導電部材３０１とは、導電性ワイヤ３０５を介して電気的に接続されており、封止部材３０６がこれらの電子部品を被覆するよう、凹部内に設けられている。そして、実施の形態３では、導電部材３０１の下面は、Ａｕからなる第１領域３０１ａと、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を含む第２領域３０１ｂとを有し、更に、基体３０３の下面にも、導電部材の下面に形成されている第２領域を構成する金属部材を有することを特徴とする。
このような発光装置３００は、以下のような製造方法によって得ることができる。実施の形態３は、導電部材の第２領域を構成する位置が、後に基体が形成される位置に相当する支持基板上にも形成される点が、他の実施の形態とことなっており、それ例外の工程については実質的に同様に行うことができる。図３Ａ〜図３Ｃは、発光装置の集合体３０００を形成する工程を示す図であり、この集合体３０００を切断して個片化することで図３Ｄに示す発光装置３００を得ることができる。
１．第１の工程
まず、図３Ａ（ａ）に示すように、ステンレスからなる平板状の支持基板３０７０を用意する。この支持基板の表面に、保護膜としてレジスト３０８０を塗布する。塗布したレジスト３０７０を乾燥させた後、その上部に開口部を有するマスク３１００を直接又は間接的に配置させて、図中の矢印のように紫外線を照射して露光する。その後、エッチング剤で処理することで図３Ａ（ｂ）に示すように開口部を有する保護膜２０８０が形成される。保護膜２０８０は、後に導電部材が形成される領域及び基体が形成される領域を区別することなく、略一様に分布するように形成されている。
次に、図３Ａ（ｃ）に示すように、導電部材の下面の第２領域３０１０ｂを構成する金属部材、すなわち、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を開口部内で露出されている支持基板上３０７０に形成する。その後、レジストを除去することで、図３Ａ（ｄ）に示すような、複数の金属部材が形成され、これらが導電部材の下面の第２領域３０１０ｂとなる。
次にで、第１領域となる導電部材を形成するため、再度、図３Ｂ（ａ）に示すようにレジスト３０８１を支持基板３０７０の上面に設ける。このとき、後に基体（底部）を形成する領域のみにレジスト３０８１を形成する。
次いで、図３Ｂ（ｃ）に示すように、導電部材の下面の第１領域３０１０ａを構成するＡｕを形成し、その後、実施の形態１と同様に鍍金を行い、導電部材３０１０を形成させる。
その後、レジスト３０８０を除去することで図３Ｂ（ｄ）に示すような、複数の導電部材３０１０が支持基板に形成される。このとき、導電部材３０１０の第２領域を構成する金属部材３０１０ｂは、第１領域３０１０ａに被覆されるものと、それらに被覆されず露出しているものとが形成されている。
２．第２の工程
第２の工程以降は、実施の形態１と同様に行う。図３Ｃ（ａ）に示すように底面部３０３０ａ及び側壁３０３０ｂを有する基体３０３０を形成する。このとき、基体３０３０中に、導電部材３０１０の第２領域３０１０ｂを構成する金属部材が埋設されるように形成される。次いで、図３Ｃ（ｂ）に示すように発光素子３０２０を載置して導電性ワイヤ３０５０を用いて発光素子の電極と導電部材３０１とを接続する。その後、図３Ｃ（ｃ）に示すように発光素子３０２０を被覆するよう封止部材３０６０を形成し、支持基板３０７０を剥離して発光装置の集合体３０００を形成し、図３Ｃ（ｄ）に示す破線部で切断して個片化することで、図３Ｄに示す発光装置３００を得る。
図３Ｄに示すように、基体３０３の下面側に、導電部材の第２領域を構成する金属部材３０１ｂが埋設されている。このような位置に形成されている金属部材３０１ｂは、導通には関与しない金属部材であり、電極として機能するものではない。しかしながら、発光素子３０２から発生した熱を基体３０３内から外部に放出しやすくする放熱部材として機能させることができ、これにより耐熱性を向上させることができる。
本発明に係る発光装置は、小型で軽量であって、且つ、光取り出し効率の発光装置を得ることができ、各種表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などにも利用することができる。
１００、２００・・・発光装置
１０１、２０１・・・導電部材
１０１ａ、３０１ａ・・・導電部材の第１領域（Ａｕ）
１０１ｂ、３０１ｂ・・・導電部材の第２領域（金属部材）
１０１ｘ・・・導電部材の最上層
１０１ｙ・・・導電部材の中間層
１０１ｚ・・・導電部材の最下層
１０２、３０２・・・発光素子
１０３、３０３・・・基体
１０３ａ、３０３ａ・・・基体の底面部
１０３ｂ、３０３ｂ・・・基体の側壁
Ｓ・・・基体の凹部
１０４・・・保護素子
１０５、３０５・・・導電性ワイヤ
１０６、３０６・・・封止部材
１０００、３０００・・・発光素子の集合体
１０１０、２０１０、３０１０・・・導電部材
１０１０ａ、２０１０ａ、３０１０ａ・・・導電部材の第１領域
１０１０ｂ、２０１０ａ、２０１０ｂ・・・導電部材の第２領域
１０２０、３０２０・・・発光素子
１０３０、３０３０・・・基体
１０３０ａ、３０３０ａ・・・基体の底面部
１０３０ｂ、３０３０ｂ・・・基体の側壁
１０５０、３０５０・・・導電性ワイヤ
１０６０、３０６０・・・封止部材
１０７０、２０７０、３０７０・・・支持基板
１０８０、２０８０、３０８０・・・保護膜（レジスト）
１１００、２１００、３１００・・・マスク

Claims (9)

  1. ステンレスからなる支持基板上に、Ａｕを有する第１領域と、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕより小さい金属部材を含む第２領域とを有する最下層を有する導電部材を、複数個所形成する第１工程と、
    前記導電部材の間の前記支持基板の上に、遮光性樹脂からなる基体を形成する第２の工程と、
    前記導電部材の上面に、接着部材を介して発光素子を接合させる第３の工程と、
    前記発光素子を透光性の封止部材で被覆する第４の工程と、
    前記支持基板を除去後、発光装置を個片化する第５の工程と、
    を有し、
    前記第１の工程は、前記支持基板上から前記第２領域の上に連続するよう前記第１領域を形成する工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 前記第１の工程は、前記最下層の上に、該最下層を構成する金属と異なる金属を有する少なくとも1層以上の中間層と、該中間層の上に前記発光素子が載置される最上層とを鍍金によって形成する工程を含む請求項１記載の発光装置の製造方法。
  3. 発光素子と、
    上面に接着部材を介して前記発光素子が接着さえる導電部材と、
    該導電部材の下面が露出するよう保持する基体と、
    を有する発光装置であって、
    前記導電部材の下面は、Ａｕを有する第１領域と、ステンレス中の金属との拡散係数がＡｕより小さい金属部材を含む複数の第２領域とを有し、前記第１領域は、前記第２領域の上に連続して設けられていることを特徴とする発光装置。
  4. 前記第２領域は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒから選択される少なくとも１つの金属部材との拡散係数がＡｕよりも小さい金属部材を含む請求項３記載の発光装置。
  5. 前記第２領域は、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｍｏから選択される少なくとも１種の金属部材を含む請求項３又は請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記導電部材は、前記第１領域と前記第２領域を含む下面を有する最下層と、前記発光素子が載置される最上層との間に、最下層及び最上層を構成する金属と異なる金属からなる少なくとも１層以上の中間層を有する鍍金層からなる請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記中間層は、Ｎｉ又はＣｕからなる第１の中間層と、Ａｕからなる第２の中間層と、を有する請求項６記載の発光装置。
  8. 前記基体は、熱硬化性樹脂からなる請求項３乃至請求項７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 前記基体は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物の硬化物である請求項３乃至請求項８のいずれか１項に記載の発光装置。
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