JP2006310630A - 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光半導体素子1と、光半導体素子1を搭載する搭載部3a及び外部と電気的に接続する第一の電極部3bが設けられ、第一の電極部3bの平面部の面積が搭載部3aの平面部より小さい第一のパッド2と、光半導体素子1と電気的接続をする第二の接続部4a及び外部と電気的に接続する第二の電極部4bが設けられ、第二の電極部4bの平面部の面積が第二の接続部4bの平面部より小さい第二のパッド4と、少なくとも光半導体素子1、第一のパッド3、第二のパッド4のいずれかを封止する封止部5と備え、第一の電極3a及び第二の電極4aの平面部が、封止部5の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する。
【選択図】図1
Description
まず、従来の技術のような構成では、電極部(ワイヤパッド、ダイパッド)の金属膜あるいは金属メッキが薄く面積も小さかった。また、従来の技術では、電極部と封止樹脂とは異種材料であるため、双方の接着力も強くなかった。
すなわち、本発明は、光半導体素子と、光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられる第二のパッドと、少なくとも光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、を備え、第一の電極及び第二の電極の平面部が、封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する。
従って、本発明によれば、光半導体装置の小型化を行いつつ、実装時の作業性の向上という要求を両立することができる。
従って、本発明によれば、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。
従って、本発明によれば、光半導体装置において、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。
本発明の光半導体装置の第一の実施の形態に係るLED装置の構成について説明する。本実施の形態のLED装置は、表面実装型のものでいわゆるチップLEDと称される。
次に、本発明の光半導体装置に係る上記実施例とは異なる一例について説明する。
図2は、実施例2に係るLED装置200の構成を示す図であり、図2(a)が側面図、図2(b)が上面図、図2(c)が底面図である。図2を参照すれば、LED装置200と実施例1に係るLED装置100との相違点は、ダイパッド13及びワイヤパッド14において、下部のパッド(13b,14b)の位置が底面27上で互いに離間した状態になるように形成したことにある。
上述の実施例1及び2に係る構成を有するLED装置の製造方法を、図面を参照して説明する。
図3は、実施例に係るLED装置製造方法の一例の工程を示す図である。以下工程の説明は、図3(a)から(e)の順に沿って行う。
以上説明した方法により製造されたLED装置の外部電極となるダイパッドとワイヤパッドの下部パッドは、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
以上説明した方法により製造されたLED装置の外部電極は、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
以上のようにすれば、LED装置は、図5(b)(c)のようにハンダ付け作業を容易に行うことができ、ハンダ付けの確認も容易にできる。
以上の説明した方法により製造されたLED装置のダイパッドの素子載置部(上部パッド)は、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
本実施の形態に係るLED装置の製造方法によって、実施例2のLED装置200を製造する場合には、ダイパッド13及びワイヤパッド14に対してボンディングを行う際の製造不良を防止するために、一部の工程を以下のようにして行ってもよい。
2 ワイヤ
3 ダイパッド
4 ワイヤパッド
5 パッケージ
5 封止樹脂
6 導電性接着剤
7 底面
21 製造基板
11 素子
21a 領域
22 レジスト
13 ダイパッド
14 ワイヤパッド
100 LED装置
200 LED装置
Claims (7)
- 光半導体素子と、
前記光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、前記第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、
前記光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられる第二のパッドと、
少なくとも前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、
を備え、
前記第一の電極及び第二の電極の平面部が、
前記封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する、光半導体装置。 - 前記第一の電極及び第二の電極が、
前記封止部表面の同一平面上において互いに離間する位置に載置される、請求項1に記載の光半導体装置。 - 前記第一の電極及び第二の電極が、
それぞれ前記封止部における二つの表面から露出している、請求項1に記載の光半導体装置。 - 前記第一の電極及び第二の電極が、
当該電極における前記封止部から露出する面から見て、前記封止部の端部方向へ行くに従って幅が小さくなっている部分を少なくとも一箇所以上有する形状をなす、請求項1から請求項3に記載の光半導体装置。 - 前記第一の電極及び第二の電極が、
当該電極における前記封止部から露出する面から見て、幅方向に凹凸を有するように形成される、請求項1から請求項4に記載の光半導体装置。 - 光半導体素子と、
前記光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、前記第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、
前記光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられ、前記第二の電極部の平面部の面積が前記第二の接続部の平面部より小さい第二のパッドと、
少なくとも前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、
を備え、
前記第一の電極及び第二の電極の平面部が、
前記封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する、光半導体装置。
- 基板上に所定膜厚のレジストをパターニングする工程と、
前記パターニング領域とは異なる基板上の他の領域及び前記レジスト表面上の少なくとも一部に前記レジストの所定膜厚を上回る膜厚のメッキを形成して、第一のパッド及び第二のパッドを形成する工程と、
前記第一のパッド及び第二のパッドを形成した基板から前記レジストを除去する工程と、
前記第一のパッド及び第二のパッドに、光半導体素子を電気的に接続する工程と、
前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを封止する工程と、を行う、光半導体装置製造方法。
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