JP2014090193A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型で光取り出し効率の高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】支持基板上に、互いに離間する第１の導電部材１０１、１０１’および第２の導電部材を複数形成する第１の工程と、第１及び第２の導電部材の間に、遮光性樹脂からなる基体１０６を設ける第２の工程と、第１の導電部材及び第２の導電部材上に光半導体素子１０３を載置させる第３の工程と、光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材１０４で被覆する第４の工程と、支持基板を除去後、光半導体装置を個片化する第５の工程と、を有し、第１及び第２の導電部材が、鍍金であり、これにより薄型で光取り出し効率の高い光半導体装置とする。
【選択図】図１Ｂ

Description

本発明は、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源などに利用可能な発光装置や、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどに利用可能な受光装置等の光半導体装置及びその製造方法に関し、特に、薄型／小型タイプで光の取り出し効率やコントラストに優れ、歩留まり良く得られる光半導体装置及びその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い、それらに搭載される発光装置（発光ダイオード等）や受光装置（ＣＣＤやフォトダイオード等）等の光半導体装置も小型化されたものが種々開発されている。これらの光半導体装置は、例えば、絶縁基板の両面にそれぞれ一対の金属導体パターンが形成された両面スルーホールプリント基板上を用いている。両面スルーホールプリント基板に発光素子や受光素子などの光半導体素子を載置し、ワイヤなどを用いて金属導体パターンと光半導体素子とを電気的に導通させるような構造を有している。

しかしながら、このような光半導体装置は、両面スルーホールプリント基板を使用することが必須条件である。この両面スルーホールプリント基板は、少なくとも０．１ｍｍ程度以上の厚みがあるため、表面実装型光半導体装置の徹底した薄型化を阻害する要因となっている。そのため、このようなプリント基板を使用しない構造の光半導体装置が開発されている（例えば特許文献１）。

特開２００５−７９３２９号公報

特許文献１に開示されている発光装置は、基板に蒸着などによって薄い金属膜を形成して電極とし、発光素子とともに透光性樹脂で封止することで、従来の表面実装型の発光装置に比べて薄型化が可能となっている。

しかしながら、透光性樹脂のみを用いているため、光が発光素子から下面方向に抜けてしまい、光の取り出し効率が低下しやすい。擂鉢状の金属膜を設けて光を反射させるような構造も開示されているが、このような金属膜を設けるには基板に凹凸を設ける必要がある。そうすると、発光装置が小型化されているためこの凹凸も極めて微細なものになり、加工が困難になるだけでなく、凹凸構造により基板の剥離時に破損しやすくなり歩留まりが低下するなどの問題が生じやすい。また、ディスプレイなどに用いる場合、透光性樹脂のみを用いているとコントラストが悪くなり易い。

以上の課題を解決するため、本発明の光半導体装置の製造方法は、支持基板上に、互いに離間する第１および第２の導電部材を複数形成する第１の工程と、第１及び第２の導電部材の間に、遮光性樹脂からなる基体を設ける第２の工程と、第１及び／又は第２の導電部材上に光半導体素子を載置させる第３の工程と、光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第４の工程と、支持基板を除去後、光半導体装置を個片化する第５の工程と、を有することを特徴とする。これにより、光取り出し効率に優れた薄型の光半導体装置を容易に形成することができる。

また、本発明の光半導体装置は、光半導体素子と、上面に光半導体素子が載置され、下面が光半導体装置の外表面を形成する第１の導電部材と、第１の導電部材から離間し、下面が光半導体装置の外表面を形成する第２の導電部材と、第１の導電部材と第２の導電部材との間に設けられた遮光性樹脂からなる基体と、光半導体素子を封止する透光性樹脂からなる封止部材と、とを有する光半導体装置であって、第１及び第２の導電部材は、鍍金であることを特徴とする。これにより、薄型の光半導体装置とすることができる。

本発明により、薄型の光半導体装置を、歩留まり良く容易に形成させることができる。また、薄型の光半導体装置であっても、発光素子からの光が下面側から漏れ出すのを防ぐことができるため、光の取り出し効率が向上された光半導体装置や、コントラストが向上された光半導体装置が得られる。

図１Ａは、本発明係る光半導体装置の全体及び内部を示す斜視図である。 図１Ｂは、図１Ａに係る光半導体装置のＡ−Ａ’断面における断面図及び部分拡大図である。 図１Ｃは、本発明に係る光半導体装置の製造方法を説明する工程図である。 図１Ｄは、本発明に係る光半導体装置に製造方法を説明する工程図である。 図２Ａは、本発明に係る光半導体装置の全体及び内部を示す斜視図である。 図２Ｂは、図２Ａに係る光半導体装置のＢ−Ｂ’断面における断面図である。 図２Ｃは、本発明に係る光半導体装置の製造方法を説明する工程図である。 図３は、本発明に係る光半導体装置の全体及び内部を示す斜視図である。 図４Ａは、本発明に係る光半導体装置を示す斜視図である。 図４Ｂは、図４Ａに係る光半導体装置のＣ−Ｃ‘断面における断面図である。 図５Ａは、本発明に係る光半導体装置の断面図である。 図５Ｂは、図５Ａに係る光半導体装置の部分拡大断面図である。

本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の光半導体装置及びその製造方法を例示するものであって、本発明を以下の形態に限定するものではない。

また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に限定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、限定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。

＜実施の形態１＞
本実施の形態の光半導体装置（発光装置）１００を、図１Ａ、図１Ｂに示す。図１Ａは発光装置１００の斜視図、図１Ｂは、図１Ａに示す発光装置１００のＡ−Ａ’断面における断面図を示す。

本実施の形態において、発光装置１００は、図１Ａ、図１Ｂに示すように、発光素子１０３と、発光素子１０３と電気的に接続される第１の導電部材１０１、１０１’と、第１の導電部材１０１、１０１’から離間し、発光素子１０３が載置される第２の導電部材１０２と、発光素子１０３を被覆するとともに第１の導電部材１０１、１０１’及び第２の導電部材１０２と接する封止部材１０４と、を有している。そして、第１の導電部材１０１、１０１’と第２の導電部材１０２の間に、発光素子１０３からの光を遮光可能な樹脂からなる基体１０６を有していることを特徴とする。

（基体）
本実施の形態において、基体１０６は、遮光性を有する各種充填材等を添加することで発光素子１０３からの光を遮光可能な樹脂であり、第１の導電部材１０１、１０１’と第２の導電部材１０２の間に設けられる。このような位置に遮光性の基体１０６を設けることで、発光素子１０３からの光が発光装置１００の下面側から外部に漏れ出すのを抑制でき、上面方向への光の取り出し効率を向上させることができる。

基体１０６の厚さは、発光装置１００の下面側への光の漏れを抑制できる厚さであればよい。また、基体１０６は、第１の導電部材１０１、１０１’の側面と第２の導電部材１０２の側面との両方に接するように、すなわち、封止部材１０４が第１の導電部材１０１、１０１’と基体１０６との間や、第２の導電部材１０２と基体１０６との間に介在しないように設けるのが好ましい。

第１の導電部材１０１、１０１’や第２の導電部材１０２の幅が発光装置１００の幅と異なる場合、例えば図１Ａに示すように第１の導電部材１０１、１０１’の幅が発光装置１００の幅よりも狭く、その第１の導電部材１０１、１０１’の側面と発光装置１００の側面とが離間している場合は、その部分にも基体を設けることができる。このようにすることで、発光装置１００の下面は、第１の導電部材１０１、１０１’、基体１０６、第２の導電部材１０２が外表面として形成されていることになり、下面方向への光の漏れを効率よく抑制することができる。

基体１０６は、発光素子からの光が遮光可能なものであれば、どのような部材でも良い。但し、支持基板との線膨張係数の差が小さい部材が好ましい。さらに、絶縁性部材を用いるのが好ましい。好ましい材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂を用いることができる。特に、導電部材の膜厚が２５μｍ〜２００μｍ程度の極薄い厚みの場合は、熱硬化性樹脂が好ましく、これによって極めて薄型の基体を得ることができる。更に、具体的には（ａ）エポキシ樹脂組成物、（ｂ）シリコーン樹脂組成物、（ｃ）シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、（ｄ）エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、（ｅ）ポリイミド樹脂組成物、（ｆ）変性ポリイミド樹脂組成物などをあげることができる。

特に、熱硬化性樹脂が好ましく、特開２００６−１５６７０４に記載されている樹脂が好ましい。例えば、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等が好ましい。具体的には、（ｉ）トリグリシジルイソシアヌレート、水素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテルからなるエポキシ樹脂と、（ｉｉ）ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸からなる酸無水物とを、当量となるように溶解混合した無色透明な混合物を含む固形状エポキシ樹脂組成物を用いるのが好ましい。さらにこれら混合物１００重量部に対して、硬化促進剤としてＤＢＵ（１，８−Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５，４，０）ｕｎｄｅｃｅｎｅ−７）を０．５重量部、助触媒としてエチレングリコールを１重量部、酸化チタン顔料を１０重量部、ガラス繊維を５０重量部添加し、加熱により部分的に硬化反応させ、Ｂステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物が好ましい。

また、国際公開番号ＷＯ２００７／０１５４２６号公報に記載の、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を必須成分とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物が好ましい。例えば、１，３，５−トリアジン核誘導体エポキシ樹脂を含むことが好ましい。特にイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性や電気絶縁性に優れている。一つのイソシアヌレート環に対して、２価の、より好ましくは３価のエポキシ基を有することが望ましい。具体的には、トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリス（α−メチルグリシジル）イソシアヌレート等を用いることができる。トリアジン誘導体エポキシ樹脂の軟化点は９０〜１２５℃であることが好ましい。また、これらトリアジン誘導体エポキシ樹脂に、水素添加エポキシ樹脂や、その他のエポキシ樹脂を併用してもよい。更に、シリコーン樹脂組成物の場合、メチルシリコーンレジンを含むシリコーン樹脂が好ましい。

特に、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を用いる場合について具体的に説明する。トリアジン誘導体エポキシ樹脂に、硬化剤として作用する酸無水物を用いるのが好ましい。特に、非芳香族であり、かつ、炭素炭素２重結合を有さない酸無水物を用いることで耐光性を向上させることができる。具体的には、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物などが上げられる。特にメチルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。また、酸化防止剤を用いるのが好ましく、例えば、フェノール系、硫黄系の酸化防止剤を使用することができる。また、硬化触媒としては、エポキシ樹脂組成物の硬化触媒として公知のものが使用できる。

そして、これら樹脂中に遮光性を付与するための充填剤や、必要に応じて各種添加剤を混入させることができる。本発明では、これらを含めて基体１０６を構成する遮光性樹脂と称する。例えば、充填材（フィラー）としてＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、Ｍｇ（ＯＨ）_２、Ｃａ（ＯＨ）_２などの微粒子などを混入させることで光の透過率を調整できる。発光素子からの光の約６０％以上を遮光するよう、より好ましくは約９０％を遮光するようにするのが好ましい。尚、基体１０６によって光を反射するか、又は吸収するかどちらでもよい。光半導体装置を照明などの用途に用いる場合は、より反射によって遮光するのが好ましい。その場合、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上であるものが好ましく、より好ましくは９０％以上であるものが好ましい。

上記のような各種充填材は、１種類のみ、或いは２種類以上を組み合わせて用いることができる。例えば、反射率を調整するための充填材と、後述のように線膨張係数を調整するための充填材とを併用するなどの用い方ができる。

例えば、白色の充填剤としてＴｉＯ_２を用いる場合は、好ましくは１０〜３０ｗｔ％、より好ましくは１５〜２５ｗｔ％配合させるのがよい。ＴｉＯ_２は、ルチル形、アナタース形のどちらを用いても良い。遮光性や耐光性の点からルチル形が好ましい。更に、分散性、耐光性を向上させたい場合、表面処理により改質した充填材も使用できる。ＴｉＯ_２から成る充填材の表面処理にはアルミナ、シリカ、酸化亜鉛等の水和酸化物、酸化物等を用いることが出来る。また、これらに加え、充填剤としてＳｉＯ_２を６０〜８０ｗｔ％の範囲で用いるのが好ましく、さらに、６５〜７５ｗｔ％用いるのが好ましい。また、ＳｉＯ_２としては、結晶性シリカよりも線膨張係数の小さい非晶質シリカが好ましい。また、粒径が１００μｍ以下の充填材、更には６０μｍ以下の充填材が好ましい。更に、形状は球形の充填材が好ましく、これにより基体成型時の充填性を向上させることができる。また、ディスプレイなどに用いる場合であって、コントラストを向上させたい場合は、発光素子からの光の吸収率が６０％以上、より好ましくは９０％以上吸収する充填材が好ましい。このような場合、充填材としては、（ａ）アセチレンブラック、活性炭、黒鉛などのカーボンや、（ｂ）酸化鉄、二酸化マンガン、酸化コバルト、酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物、もしくは（ｃ）有色有機顔料などを目的に応じて利用する事ができる。 また、基体の線膨張係数は、個片化する前に除去（剥離）される支持基板の線膨張係数との差が小さくなるように制御するのが好ましい。好ましくは３０％以下、より好ましくは１０％以下の差とするのがよい。支持基板としてＳＵＳ板を用いる場合、線膨張係数の差は２０ｐｐｍ以下が好ましく、１０ｐｐｍ以下がより好ましい。この場合、充填材を７０ｗｔ％以上、好ましくは８５ｗｔ％以上配合させるのが好ましい。これにより、支持基板と基体との残留応力を制御（緩和）することができるため、個片化する前の光半導体の集合体の反りを少なくすることができる。反りを少なくすることで、導電性ワイヤの切断など内部損傷を低減し、また、個片化する際の位置ズレを抑制して歩留まりよく製造することができる。例えば、基体の線膨張係数を５〜２５×１０^−６／Ｋに調整することが好ましく、さらに好ましくは７〜１５×１０^−６／Ｋに調整することが望ましい。これにより、基体成型後、冷却時に生じる反りを抑制し易くすることができ、歩留まりよく製造することができる。尚、本明細書において線膨張係数とは、各種充填剤等で調整された遮光性樹脂からなる基体のガラス転移温度以下での線膨張係数を指す。この温度領域における線膨張係数が、支持基板の線膨張係数と近いものが好ましい。

また、別の観点から、基体の線膨張係数は、第１及び第２の導電部材の線膨張係数との差が小さくなるように制御するのが好ましい。好ましくは４０％以下、より好ましくは２０％以下の差とするのがよい。これにより、個片化後の光半導体装置において、第１及び第２の導電部材と基体とが剥離するのを抑制し、信頼性に優れた光半導体装置とすることができる。

（第１の導電部材／第２の導電部材）
第１及び第２の導電部材は、光半導体素子への通電させるための一対の電極として機能させるものである。本形態では、第１の導電部材は、光半導体素子（発光素子）と導電ワイヤ又はバンプ等を用いて電気的に接続されるものであり、外部から電力を供給させるための電極として機能する。また、第２の導電部材は、発光素子がその上に直接或いはサブマウント等の別部材を介して間接的に載置されるものであり、支持体として機能する。第２の導電部材が単に発光素子が載置されるのみで通電に寄与しない場合と、第２の導電部材が発光素子や保護素子への通電に寄与する場合（すなわち、電極として機能する場合）と、いずれでも良い。実施の形態１では、第２の導電部材を、導通には寄与しない支持体として用いている。

本形態において、第１の導電部材、第２の導電部材とも、光半導体装置（発光装置）の下面において外表面を形成するよう、すなわち、封止部材等で被覆されず外部（下面）に露出されるように設けられている。第１の導電部材、第２の導電部材とも上面視における形状、大きさ等については、発光装置の大きさや載置する発光素子等の数や大きさ等に応じて任意に選択することができる。また、膜厚については、第１の導電部材と第２の導電部材は略等しい膜厚とするのが好ましい。具体的には２５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、更に５０μｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。このような厚みを有する導電部材は、鍍金方法によって形成される鍍金（鍍金層）であることが好ましく、特に、積層された鍍金（層）であることが好ましい。

（第１の導電部材）
本形態において第１の導電部材１０１、１０１’は、図１Ａに示すように、上面視略四角形の発光装置１００の対向する２つの辺側に各１つずつ設けられている。、第１の導電部材１０１と第１の導電部材１０１’は、基体１０６を介して第２の導電部材１０２を間に挟むように設けられている。ここでは第２の導電部材１０２は通電に寄与せず発光素子１０３の支持体として用いられているため、２つの第１の導電部材１０１、１０１’で正負一対の電極となるように機能させる。

第１の導電部材１０１、１０１’は、発光素子１０３と導電性ワイヤ１０５、１０５’を介して電気的に接続される上面と、発光装置１００の外表面を形成する下面を有する。すなわち、第１の導電部材１０１、１０１’は、基体１０６で被覆されずに外部に露出しているように設けられている。

第１の導電部材１０１、１０１’の上面は、発光素子１０３と電気的に接続させるための導電ワイヤ１０５、１０５’が接合される部分であり、接合に必要な面積を少なくとも有していればよい。また、第１の導電部材１０１、１０１’の上面は図１Ｂなどに示すように平坦な平面としてもよく、或いは、微細な凹凸や、溝、孔などを有していてもよい。また、導電性ワイヤを用いず、発光素子の電極と第１の導電部材とを直接電気的に接続させる場合は、発光素子の電極が接合可能な領域を有する大きさとなるように第１の導電部材を設ける。

第１の導電部材１０１、１０１’の下面は、光半導体装置の外表面を形成しており、実質的に平坦な面とするのが好ましい。しかし、微細な凹凸等が形成されていても構わない。

また、第１の導電部材１０１、１０１’とも、その側面は平坦な面でもよい。しかし、基体１０６との密着性等を考慮すると、第１の導電部材１０１、１０１’の内側の側面に図１Ａの部分拡大図に示すような突起部Ｘを有することが好ましい。この突起部Ｘは、第１の導電部材１０１、１０１’の下面から離間した位置に設けるのが好ましく、これにより第１の導電部材１０１、１０１’が基体１０６から脱落するなどの問題が生じにくくなる。また、突起部に代えて、第１の導電部材や第２の導電部材の上面よりも下面が狭くなるように第１の導電部材や第２の導電部材の側面を傾斜させることで、それらが脱落を抑制することができる。

突出部Ｘは、第１の導電部材１０１、１０１’の周囲のうち、発光装置１００の外表面と異なる位置であれば任意の位置に設けることができる。例えば、上面視四角形の導電部材の対向する２つの側面にのみ設けるなど、部分的に設けることができる。また、より確実に脱落を防ぐためには、外表面を形成する面を除いて、導電部材の周囲全体に渡って形成するのが好ましい。

（第２の導電部材）
本形態において第２の導電部材１０２は、図１Ｂに示すように、発光素子１０３が載置される上面と、発光装置１００の外表面を形成する下面とを有している。また、第２の導電部材１０２の側面は、本形態においては、第２の導電部材は電極として機能させていない。そのため、図１Ａに示すように、その側面が全て封止部材で被覆されるように、すなわち、発光装置１００の側面から離間するように設けることができる。これにより、切断によって個片化した発光装置を得る際に、切断刃が第２の導電部材と接触しないように切断できるため、切断が容易となる。また、第２の導電部材は、その一部が発光装置１００の外表面を形成するよう、すなわち、発光装置１００の側面に達するように設けてもよい（図示せず）。第２の導電部材は発光素子が搭載されているため、面積を大きくすることで放熱性を向上させることができる。

第２の導電部材１０２の上面は、発光素子１０３が載置可能な面積以上の面積を有していればよい。図１Ａに示すような上面視略四角形の他、多角形、波形、或いは切り欠きを有する形状など、種々の形状とすることができる。また、発光素子１０３を載置させる領域は、平坦な面とするのが好ましい。第２の導電部材１０２の上面には、発光素子に加え、保護素子などを載置することもできる。

第２の導電部材１０２の側面は、平坦な面でもよいが基体１０６との密着性等を考慮すると、第１の導電部材と同様に、図１Ｂに示すような突起部Ｘを有するようにするのが好ましい。この突起部Ｘは、第２の導電部材１０２の下面から離間した位置に設けるのが好ましく、これにより第２の導電部材１０２が基体１０６から脱落するなどの問題が生じにくくなる。突起部Ｘは、第２の導電部材１０２の周囲の任意の位置に設けることができる。例えば、上面視四角形の導電部材の対向する２つの側面にのみ設けるなど、部分的に設けることができる。また、より確実に脱落を防ぐためには、第２の導電部材の周囲全体に渡って形成するのが好ましい。

第１の導電部材と第２の導電部材は、同じ材料を用いるのが好ましく、これにより工程を少なくすることができる。ただし、異なる材料を用いても構わない。具体的な材料としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、モリブデン、鉄、ニッケル、コバルト等の金属又はこれらの合金（鉄−ニッケル合金等）、りん青銅、鉄入り銅、Ａｕ−Ｓｎなどの共晶はんだ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＣｕＩｎなどのはんだ、ＩＴＯ等が挙げられる。はんだ材料の中でも、はんだ粒子が一旦溶融し凝固するとはんだにより接合する金属とはんだが合金化して融点が上昇し、リフロー実装時などの追加の熱処理時に再溶解しない組成に調整したものが好ましい。

これらは単体又は合金として用いることができる。更には積層（鍍金）するなどして、複数層設けることもできる。例えば、半導体素子として発光素子を用いる場合、導電部材の最表面には、発光素子からの光を反射可能な材料を用いることが好ましい。具体的には金、銀、銅、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ等が好ましい。更に最表面の導電部材は高反射率、高光沢である事が好ましい。具体的には可視域の反射率は７０％以上である事が好ましく、その際はＡｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄなどが好的に用いられる。また、導電部材の表面光沢も高いほうが好ましい。好ましい光沢度は、０．５以上、より好ましくは１．０以上である。ここで示される光沢度は日本電色工業製 微小面色差計ＶＳＲ ３００Ａを用い、４５°照射、測定領域がΦ０．２ｍｍ、垂直受光で得られる数字である。また、導電部材の支持基板側には、回路基板等への実装に有利なＡｕ、Ｓｎ、Ｓｎ合金、ＡｕＳｎなどの共晶はんだ鍍金等の材料を用いることが好ましい。

また、導電部材の最表面（最上層）と支持基板側（最下層）との間に、中間層を形成しても良い。導電部材や発光装置の機械的強度を向上させるためには、耐食性の高い金属、例えばＮｉを中間層に用いるのが好ましい。また、放熱性を向上させるためには、熱伝導率の高い銅を中間層に用いることが好ましい。このように、目的や用途に応じて、適した部材を中間層に用いるのが好ましい。この中間層についても、上記の金属の他、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄなどを用いることができる。中間層として、最上層や最下層の金属と密着性のよい金属を積層させてもよい。中間層の膜厚については、最上層や最下層よりも厚く形成するのが好ましい。特に、導電部材の全体の膜厚の８０％〜９９％の範囲の比率で形成するのが好ましく、更に好ましくは９０％〜９９％の範囲とするのが好ましい。

特に、金属からなる鍍金層の場合、その組成によって線膨張係数が規定されるため、最下層や中間層は、比較的支持基板との線膨張係数が近いものが好ましい。例えば、支持基板として、線膨張係数が１０．４×１０^−６／ＫであるＳＵＳ４３０を用いた場合、その上の導電部材は次に挙げるような金属を含む（主成分とする）積層構造とすることができる。最下層側から、線膨張係数１４．２×１０^−６／ＫであるＡｕ（０．０４〜０．１μｍ）、第１の中間層として線膨張係数１２．８×１０^−６／ＫであるＮｉ（又は線膨張係数１６．８×１０^−６／ＫであるＣｕ）（２５〜１００μｍ）、第２の中間層としてＡｕ（０．０１〜０．０７μｍ）、最上層として線膨張係数１１９．７×１０^−６／ＫであるＡｇ（２〜６μｍ）等の積層構造が好ましい。最上層のＡｇは線膨張係数が他の層の金属と大きく異なるが、発光素子からの光の反射率を優先しているためＡｇを用いている。最上層のＡｇを極めて薄い厚みとしているため、反りに対する影響は極めて微弱である。したがって、実用的に問題はない程度である。

（封止部材）
封止部材は、発光素子を被覆すると共に、第１の導電部材及び第２の導電部材と接するように設けられるものである。封止部材は、発光素子、受光素子、保護素子、導電性ワイヤなどの電子部品を、塵芥や水分、外力などから保護する部材である。
封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。また、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。さらにまた、これらの有機物に限られず、ガラス、シリカゾル等の無機物も用いることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換部材（蛍光部材）などを含有させることもできる。封止部材の充填量は、上記電子部品が被覆される量であればよい。

封止樹部材の外表面の形状は、配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状などとすることで、指向特性を調整することができる。また、封止部材に加えて、レンズ部材を設けてもよい。さらに、蛍光体入り成形体（例えば蛍光体入り板状成形体、蛍光体入りドーム状成形体等）を用いる場合には、封止部材として蛍光体入り成形体への密着性に優れた材料を選択することが好ましい。蛍光体入り成形体としては、樹脂組成物の他、ガラス等の無機物を用いることが出来る。

尚、主として発光装置に用いる封止部材を説明したが、受光装置についてもほぼ上記と同様である。受光装置の場合、光の入射効率を高めるたり、受光装置内部での２次反射を避ける目的で、白色もしくは黒色などの有色フィラーを封止部材に含有させても良い。また、赤外線発光装置や赤外線検知装置には可視光の影響を避けるために黒色の有色フィラー含有の封止部材を用いるのが好ましい。

（接合部材）
接合部材は、第１の導電部材や第２の導電部材上に、発光素子、受光素子、保護素子などを載置し接続させるための部材である。載置する素子の基板によって導電性接合部材又は絶縁性接合部材のいずれかを選択することができる。例えば、絶縁性基板であるサファイア上に窒化物半導体層を積層させた半導体発光素子の場合、接合部材は絶縁性でも導電性でも良い。ＳｉＣ基板などの導電性基板を用いる場合は、導電性の接合部材を用いることで導通を図ることができる。絶縁性の接合部材としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、それらの変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、半導体発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にＡｌやＡｇ膜などの反射率の高い金属層や誘電体反射膜を設けることができる。この場合、蒸着、スパッタ、薄膜を接合させる、などの方法を用いることができる。また、導電性の接合部材としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Ａｕ−Ｓｎ共晶などのはんだ、低融点金属等のろう材、などを用いることができる。さらに、これら接合部材のうち、特に透光性の接合部材を用いる場合は、その中に半導体発光素子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させることもできる。

（導電性ワイヤ）
発光素子の電極と、第１の導電部材、第２の導電部材とを接続する導電性ワイヤとしては、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いることができる。特に、熱抵抗などに優れた金を用いるのが好ましい。

（波長変換部材）
上記封止部材中に、波長変換部材として半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
蛍光部材としては、半導体発光素子からの光を、それより長波長に変換させるものの方が効率がよい。しかしながら、これに限らず、半導体発光素子からの光を、短波長に変換させるもの、或いは、他の蛍光部材によって変換された光を更に変換させるものなど、種々の蛍光部材を用いることができる。このような蛍光部材は、１種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、２種以上の蛍光物質等が混合された単層を形成してもよいし、１種の蛍光物質等を含有する単層を２層以上積層させてもよいし、２種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を２層以上積層させてもよい。

発光素子として窒化物系半導体を発光層とする半導体発光素子を用いる場合、その発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換する蛍光部材を用いることができる。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体や酸窒化物系蛍光体を用いることができる。より具体的には、（ａ）Ｅｕ賦活されたα若しくはβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート、各種アルカリ土類金属窒化アルミニウムケイ素（例：ＣａＳｉＡｌＮ_３：Ｅｕ、ＳｒＡｌＳｉ_４Ｎ_７：Ｅｕなど）、（ｂ）Ｅｕ等のランタノイド系の元素、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属のハロシリケート、アルカリ土類金属シリケート、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、（ｃ）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩（ｄ）Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等、から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。好ましくは、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であるＹＡＧ系蛍光体である。ＹＡＧ系蛍光体は、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、（Ｙ_０．８Ｇｄ_０．２）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｙ_３（Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２）_５Ｏ_１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２などの組成式で表される。また、Ｙの一部もしくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅなどもある。さらに、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。

また、蛍光体をガラス、樹脂組成物等他の成形体に塗布したものも用いることが出来る。さらに、蛍光体入り成形体も用いることが出来る。具体的には、蛍光体入りガラスや、ＹＡＧ焼結体、ＹＡＧとＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３などの焼結体、無機融液中でＹＡＧを析出させた結晶化無機バルク体などを用いることができる。蛍光体をエポキシ、シリコーン、ハイブリッド樹脂等で一体成形したものも用いても良い。

（半導体素子）
本発明においては、半導体素子として、同一面側に正負電極が形成された構造、或いは異なる面に正負電極が形成された構造、成長基板とは異なる基板を貼り合わせた構造等、種々の構造の半導体素子を用いることができる。それらの構造を有する半導体発光素子（単に発光素子、又は発光ダイオードともいう）や半導体受光素子（単に受光素子）を用いるのが好ましい。

半導体発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子には、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは、目的に応じて適宜選択することができる。

蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好ましい。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。

また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子を用いることができる。さらには、発光素子とともにもしくは単独で、受光素子などを搭載することができる。

受光素子としては、フォトＩＣ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、ＣＣＤ（電荷結合素子）イメージセンサー、ＣＭＯＳイメージセンサー、Ｃｄセルなどを挙げることができる。

（支持基板）
支持基板は、第１及び第２の導電部材を形成するために用いる板状又はシート状部材である。支持基板は、個片化する前に除去するため、光半導体装置には具備されない。支持基板としては、ＳＵＳ板などの導電性を有する金属板の他、ポリイミドなど絶縁性板にスパッタ法や蒸着法によって導電膜を形成したものを用いることができる。或いは、金属薄膜などを貼り付け可能な絶縁性の板状部材を用いることもできる。いずれにしても、支持基板は、工程の最終段階において除去する。すなわち、支持基板は、第１及び第２の導電部材や基体から剥がす必要がある。このため、支持基板としては、折り曲げ可能な部材を用いる必要があり、材料にもよるが膜厚１０μｍ〜３００μｍ程度の板状部材を用いるのが好ましい。支持基板としては、上記のＳＵＳ板の他、鉄、銅、銀、コバール、ニッケルなどの金属板や、金属薄膜などを貼り付け可能なポリイミドからなる樹脂シートなどが好ましい。特に、アルテンサイト系、フェライト系、オーステナイト系等、種々のステンレスを用いることが好ましい。特に好ましいのは、フェライト系のステンレスである。特に好ましくは、４００系、３００系のステンレスが良い。更に具体的には、ＳＵＳ４３０（１０．４×１０^−６／Ｋ）、ＳＵＳ４４４（１０．６×１０^−６／Ｋ）、ＳＵＳ３０３（１８．７×１０^−６／Ｋ）、ＳＵＳ３０４（１７．３×１０^−６／Ｋ）等が好適に用いられる。４００系のステンレスは、鍍金の前処理として酸処理を行うと、３００系に比し表面が荒れやすくなる。したがって、酸処理を行った４００系のステンレスの上に鍍金層を形成すると、その鍍金層の表面も荒れやすくなる。これにより封止部材や基体を構成する樹脂との密着性を良くすることができる。また、３００系は酸処理では表面が荒れにくい。このため３００系のステンレスを用いれば、鍍金層の表面の光沢度を向上させやすく、これにより発光素子からの反射率を向上して光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。

また、第１、第２の導電部材の表面光沢を上げる場合、メッキや蒸着、スパッタなどの手法を用いて形成する。より光沢度を上げるためには、支持基板の表面は平滑な方が好ましい。例えば、支持基板としてＳＵＳを用いる場合は、結晶粒界の比較的小さな３００番台のＳＵＳを用いることで、表面光沢の高い導電部材の最表面を得る事ができる。

また、樹脂成形後の反りを緩和するために支持基板にスリット、溝、波形状の加工を施す事も出来る。

＜製造方法１−１＞
以下、本発明の発光装置の製造方法について、図を用いて説明する。図１Ｃ、図１Ｄは、発光装置の集合体１０００を形成する工程を説明する図である。この集合体１０００を切断して個片化することで、実施の形態１において説明した発光装置１００を得ることができる。

１．第１の工程
まず、図１Ｃ（ａ）に示すように、金属板などからなる支持基板１０７０を用意する。
この支持基板の表面に保護膜としてレジスト１０８０を塗布する。このレジスト１０８０の厚みによって後に形成される第１の導電部材や第２の導電部材の厚みを調整することができる。尚、ここでは、支持基板１０７０の上面（第１の導電部材等を形成する側の面）にのみレジスト１０８０を設けているが、更に、下面（反対側の面）に形成してもよい。その場合、反対側の面のほぼ全面にレジストを設けることで、後述の鍍金によって下面に導電部材が形成されるのを防ぐことができる。

尚、用いる保護膜（レジスト）はフォトリソグラフィによって形成されるレジストの場合、ポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよい。ここでは、ポジ型のレジストを用いる方法について説明するが、ポジ型、ネガ型を組み合わせて用いてもよい。また、スクリーン印刷により形成させるレジストや、シート状のレジストを貼り付けるなどの方法も用いることができる。

塗布したレジストを乾燥させた後、その上部に開口部を有するマスク１０９０を直接又は間接的に配置させて、図中の矢印のように紫外線を照射して露光する。ここで用いる紫外線は、レジスト１０７０の感度等によって適した波長を選択することができる。その後、エッチング剤で処理することで図１Ｃ（ｂ）に示すように開口部Ｋを有するレジスト１０８０が形成される。ここで、必要であれば酸活性処理などを行ってもよい。

次いで、金属を用いて鍍金することで、図１Ｃ（ｃ）に示すようにレジスト１０８０の開口部Ｋ内に第１の導電部材１０１０と第２の導電部材１０２０とを形成させる。このとき、鍍金条件を調整することでレジスト１０８０の膜厚よりも厚くなるように鍍金することができる。これにより導電部材をレジスト（保護膜）の上面にまで形成させ、図１Ａに示すような突起部Ｘを形成させることができる。鍍金方法としては、用いる金属によって、又は目的の膜厚や平坦度に応じて当該分野で公知の方法によって適宜選択することができる。例えば、電解鍍金、無電解鍍金等を用いることができる。特に、電解鍍金を用いるのが好ましく、これによりレジスト（保護膜）を除去し易く、導電部材を均一な形状で形成し易くなる。また、最表層（例えばＡｇ）との密着性を向上させるため、その下の層にストライク鍍金によって中間層（例えばＡｕ、Ａｇ）を形成させるのが好ましい。

鍍金後、保護膜１０８０を洗浄して除去することで、図１Ｃ（ｄ）に示すように互いに離間する第１の導電部材１０１０及び第２の導電部材１０２０が形成される。尚この突出部Ｘは、上記のような鍍金のほか、つぶし加工、金属ペースト印刷後の焼き付け工法などでも形成することができる。

２．第２の工程
次いで、図１Ｄ（ａ）に示すように、第１の導電部材１０１０と第２の導電部材１０２０との間に、発光素子からの光を反射可能な基体１０６０を設ける。基体は、射出成形、トランスファモールド、圧縮成型等の方法によって形成することができる。

例えばトランスファモールドにより基体１０６０を形成する場合、第１及び第２の導電部材を複数形成した支持基板を、上型及び下型からなる金型の内に挟み込むようにセットする。このとき、離型シートなどを介して金型内にセットしてもよい。金型の内には基体の原料である樹脂ペレットが挿入されており、支持基板と樹脂ペレットとを加熱する。樹脂ペレット溶融後、加圧して金型内に充填する。加熱温度や加熱時間、また圧力等は、用いる樹脂の組成等に応じて適宜調整することができる。硬化後金型から取り出し、図１Ｄ（ａ）に示す成型品を得ることができる。

３．第３の工程
次いで、図１Ｄ（ｂ）に示すように、第２の導電部材１０２０上に発光素子１０３０を接合部材（図示せず）を用いて接合し、導電性ワイヤ１０５０を用いて第１の導電部材１０１０に接続する。尚、ここでは、同一面側に正負電極を有する発光素子を用いているが、正負電極が異なる面に形成されている発光素子を用いることもできる。

４．第４の工程
その後、発光素子１０３０、導電性ワイヤ１０５０を被覆するように封止部材１０４０をトランスファモールド、ポッティング、印刷等の方法によって形成する。尚、ここでは封止部材は１層構造としているが、組成や特性が異なる２層以上の多層構造としてもよい。
封止部材１０４０を硬化後に、図１Ｄ（ｃ）に示すように支持基板１０７０を剥がし、除去する。

５．第５の工程
以上のような工程を経て、図１Ｄ（ｄ）に示すような半導体装置（発光装置）の集合体１０００を得ることができる。最後に図１Ｄ（ｄ）中の破線で示す位置で切断して個片化することで、例えば図１Ａに示すような、発光装置１００を得ることができる。個片化の方法としては、ブレードによるダイシング、レーザ光によるダイシング等種々の方法を用いることができる。

尚、図１Ｄ（ｄ）では、導電部材を含む位置で切断しているが、これに限らず、導電部材から離間する位置で切断してもよい。導電部材を含む位置で切断すると、光半導体装置の側面にも導電部材が露出しているようになり、はんだ等が接合し易くなる。また、導電部材から離間する位置で切断する場合、切断されるのが基体や封止部材など樹脂のみとなるため、導電部材（金属）と樹脂とを合わせて切断するのに比して容易に切断することができる。

＜製造方法１−２＞
製造方法１−２では、第１の導電部材及び第２の導電部材をエッチングにより形成する方法について説明する。

ポリイミドなどの絶縁性部材からなる板状の支持基板に、銅箔などの導電性部材の薄膜を貼り付ける。さらにこの導電性部材上に、シート状の保護膜（ドライレジストシート等）を貼り付け、開口部を有するマスクを用いて露光し、弱アルカリ溶液などの洗浄液を用いて露光された部分の保護膜を除去する。これにより、開口部を有する保護膜が導電性部材上に形成される。

次いで、導電性部材をエッチング可能なエッチング液に支持基板ごと浸積して導電部材をエッチングする。最後に保護膜を除去することで、支持基板上に互いに離間する第１及び第２の導電部材が形成される。

＜実施の形態２＞
実施の形態２にかかる光半導体装置（発光装置）２００を、図２Ａ、図２Ｂに示す。図２Ａは、本発明に係る発光装置２００の内部を示す斜視図であり、図２Ｂは、図２Ａに係る発光装置２００の凹部を封止した状態のＣ−Ｃ’断面における断面図である。

実施の形態２では、発光装置２００は、（ａ）発光素子２０３及び保護素子２１０と、（ｂ）発光素子２０３及び保護素子２１０と電気的に接続される第１の導電部材２０１と、（ｃ）第１の導電部材２０１から離間し、発光素子２０３が載置される第２の導電部材２０２と、（ｄ）発光素子２０３を被覆するとともに第１の導電部材２０１及び第２の導電部材２０２と接する封止部材２０４と、を有している。第１の導電部材２０１及び第２の導電部材２０２は、それぞれ下面が発光装置２００の外表面を形成している。さらに、第１の導電部材２０１と第２の導電部材２０２の側面の一部も発光装置２００の外表面を形成している。そして、第１の導電部材２０１と第２の導電部材２０２の間に、発光素子２０３からの光を遮光可能な樹脂からなる基体２０６が形成されている。その基体２０６は、発光素子２０３から離間する位置において、第１の導電部材２０１及び第２の導電部材２０２の上面よりも高い突出部２０６ｂを有する。これにより、基体２０６の突出部２０６ｂによって発光装置２００に凹部Ｓ１が形成される。凹部Ｓ１により、発光装置２００の側面側に光が放出されるのを抑制し、上面方向に向けて光を放出することができる。

図２Ｂに示すように、突出部２０６ｂは、上面に向かって広がるような凹部Ｓ１となるように、内面を傾斜面とすることが好ましい。これによって光を発光装置の上面方向へ反射し易くすることができる。尚、実施の形態２において用いる部材等については、実施の形態１と同様のものを用いることができる。

＜製造方法２＞
以下、本発明の発光装置２００の製造方法について、図を用いて説明する。図２Ｃは、発光装置の集合体２０００を形成する工程を説明する図であり、この集合体２０００を切断することで、実施の形態２において説明した発光装置２００を得ることができる。

１．第１の工程
製造方法２では、第１の工程については、製造方法１−１、１−２と同様に行うことができる。

２．第２の工程
第２の工程では、図２Ｃ（ａ）に示すように、第２の工程において基体の底面部２０６０ａを形成する際に、同時に突出部２０６０ｂを形成している。尚、ここでは同時に形成しているが、先に底面部２０６０ａを形成し、続いて突出部２０６０ｂを形成してもよく、或いは、先に突出部２０６０ｂを形成した後に底面部２０６０ａを形成してもよい。両者は同一の遮光性樹脂を用いるのが好ましいが、目的や用途に応じて、異なる遮光性樹脂を用いても構わない。

突出部２０６０ｂの形成方法は、基体の底面部２０６０ａと同様に、金型を用いたトランスファモールド等によって形成することができる。このとき、金型として凹凸を有する上型を用いることで、図２Ｃ（ａ）に示すような突出部２０６０ｂを形成することができる。

３．第３の工程
第３の工程では、図２Ｃ（ｂ）に示すように、突出部２０６０ｂに囲まれた領域の第１の導電部材２０１０上に発光素子２０３０を載置させる。導電性ワイヤ２０５０は、同じ突出部２０６０ｂで囲まれた領域の第１及び第２の導電部材の上面に接続させる。

４．第４の工程
第４の工程では、図２Ｃ（ｃ）に示すように、突出部２０６０ｂに囲まれて形成される凹部に透光性樹脂からなる封止部材を充填する。これによって、発光素子を封止部材で被覆する。ここでは、封止部材２０４０は、突出部２０６０ｂと略同一高さになるように設けられているが、これに限らず、突出部よりも低く又は高くなるよう形成してもよい。また、このように上面が平坦な面としてもよく、或いは、中央が凹んだ、又は突出したような曲面状に形成してもよい。

５．第５の工程
第５の工程では、図２Ｃ（ｄ）に示す破線部、すなわち、突出部２０６０ｂを切断するような位置で切断することで個片化し、図２Ａに示すような光半導体装置２００とする。ここでは、突出部２０６０ｂを切断し、封止部材２０４０が切断されないような位置としていることで、光の取り出し方向を、光半導体装置（発光装置）２００の上方向のみに限定することができる。これにより、上方向への光の取り出しが効率よく行われる。尚、ここでは、突出部２０６０を切断するようにしているが、封止部材２０４０を切断するような位置で切断してもよい。

＜実施の形態３＞
図３は本発明の光半導体装置を示す斜視図であり、基体３０６の内部が分かるように一部を切り欠いた図である。実施の形態３では、図３に示すように、基体の突出部３０６に囲まれた凹部Ｓ２内に発光素子３０３が載置されるとともに、保護素子３１０が基体の突出部３０６に埋設されていることを特徴とする。図３は、図２Ａに示すような略直方体の光半導体装置の基体３０６の一部の内部が見えるようにした図である。

第２の工程において、基体を形成する前に、第２の導電部材３０２上に保護素子３１０を載置し、更に導電性ワイヤ３０５を用いて第１の導電部材３０１と接合しておく。これによって、保護素子３１０が基体３０６内に埋設される構造とすることができる。 実施の形態１では、第２の工程で基体を形成した後に、第３の工程において発光素子と保護素子とを載置していた。本実施の形態では、異なる工程で発光素子と保護素子とを設ける。本実施の形態のように、基体内に埋設するように保護素子を設けることによって、光半導体装置自体を更に小型化することができる。

＜実施の形態４＞
図４Ａは本発明の光半導体装置を示す斜視図であり、図４Ｂは図４ＡのＣ−Ｃ‘断面における断面図である。実施の形態４では、図４Ａ、図４Ｂに示すように、基体４０６が、光半導体素子４０３の側面にまで達するように設けられていることを特徴とする。ここでは、第１の導電部材や第２の導電部材の上面より突出する突出部が、基体４０６の全体に亘って設けられている。このような構成は、第３の工程、すなわち、第１及び／又は第２の導電部材の上に光半導体素子を載置させる工程を、第２の工程、すわなち、第１及び第２の導電部材の間に光遮光性樹脂からなる基体を設ける工程の前に行うことによって得ることができる。図４Ａ、図４Ｂに示すように、光半導体素子（発光素子）４０３と略同じ高さとなるように基体４０６を設けているため、発光素子の上面のみから光が放出される。これにより、より効率よく光を取り出す事ができる。

また、ここでは、発光素子４０３と略同じ高さになるまで基体（突出部）４０６を設けているが、これに限らず、発光素子４０３よりも低い高さとしてもよい。このような基体４０６を設ける場合、封止部材４０４は滴下、印刷などによって発光素子４０３や基体４０６上で硬化させることができる。また、別工程で形成し硬化済みの封止部材４０４を基体４０６と発光素子４０３に接着させるなどの方法を採ることもできる。例えば、Ａｌ_２Ｏ_３粉末とＹＡＧ蛍光体粉末とを圧縮成型などにより平板状に成形したものを封止部材４０４として、接着剤を用いて発光素子や基体上に貼り付けることができる。

また、実施の形態４では、導電性ワイヤを用いず、発光素子４０３の正負電極を導電性の接合部材を用いて直接第１及び第２の導電部材に接合させている。基体４０６の形成前に光半導体素子４０３を載置する場合は、このようなワイヤを使わない載置方法とすることにより、金型によるワイヤの変形などを防ぐことができる。

＜実施の形態５＞
図５Ａは本発明の光半導体装置を示す断面図であり、図５Ｂは図５Ａの部分拡大図である。実施の形態５での光半導体装置は、図２Ａに示す光半導体装置と同様の外観を有しているが、第１の導電部材５０１と第２の導電部材５０２の間に形成されている基体５０６が、第１の導電部材５０１及び第２の導電部材５０２の上面よりも高い突出部５０６ａを有している点が異なる。発光素子５０３の周囲に突出部５０６ｂを側壁とする凹部が形成されている。その凹部内において、凹部の側壁となる突出部５０６ｂよりも高さの低い突出部５０６ａが設けられている。この突出部５０６ａは、図５Ｂに示すように、第１の導電部材５０１、第２の導電部材５０２の上面の一部を被覆するように形成されている。このようにすることで、製造工程内において支持基板を除去する際に、基体（突出部）５０６ａが剥がれるのを抑制することができる。さらに、発光素子５０３に近い位置にある基体５０６ａを厚くすることができるため、発光素子５０３からの光が底面側に漏れ出すことを抑制でき、より効率よく光を反射させることができる。このような第１の導電部材と第２の導電部材の間に設けられる基体の突出部５０６ａは、導電ワイヤ５０５が接触しない程度の高さにしておくのが好ましい。また、第１の導電部材５０１、第２の導電部材５０２の両方の導電部材の上面の一部を覆うようにするのが好ましいが、どちらか一方のみでも構わない。また、その被覆する領域の大きさ、幅、位置等についても、所望に応じて形成することができる。更に、このような第１の導電部材５０１と第２の導電部材５０２の間に基体５０６を設ける代わりに、別部材、例えばＳｉからなるサブマウントなどを第１の導電部材から第２の導電部材を跨ぐように載置し、その上に発光素子を載置してもよい。これによって、発光素子からの光が底面側に漏れ出すことを抑制することができ、より効率よく光を反射させることができる。

本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、小型軽量であって、且つ、光取り出し効率やコントラストに優れた光半導体装置を容易に得ることができる。これらの光半導体装置は、（ａ）各種表示装置、（ｂ）照明器具、（ｃ）ディスプレイ、（ｄ）液晶ディスプレイのバックライト光源、さらには、（ｅ）デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、（ｆ）プロジェクタ装置、などにも利用することができる。

１００、２００、３００、４００・・・光半導体装置（発光装置）
１０１、１０１’、２０１、３０１、４０１・・・第１の導電部材
１０２、２０２、３０２、４０２・・・第２の導電部材
１０３、２０３、３０３、４０３・・・光半導体素子（発光素子）
１０４、２０４、３０４、４０４・・・封止部材
１０５、１０５’、２０５、２０５’、３０５、４０５・・・導電ワイヤ
１０６、２０６、３０６、４０６・・・基体
２０６ａ・・・基体の底面部
２０６ｂ・・・基体の突出部
２１０、３１０・・・保護素子
１０００、２０００・・・光半導体装置の集合体
１０１０、２０１０・・・第１の導電部材
１０２０、２０１０・・・第２の導電部材
１０３０、２０３０・・・光半導体素子（発光素子）
１０４０、２０４０・・・封止部材
１０５０、２０５０・・・導電性ワイヤ
１０６０、２０６０・・・基体
２０６０ａ・・・基体の底部
２０６０ｂ・・・基体の突出部
１０７０、２０７０・・・支持基板
１０８０・・・保護膜（レジスト）
１０９０・・・マスク
Ｘ・・・突起部
Ｓ１、Ｓ２・・・凹部

本発明の光半導体装置は、光半導体素子と、前記光半導体素子と電気的に接続され、下面が前記光半導体装置の外表面を形成し、厚みが２５μｍ〜２００μｍである第１の導電部材と、前記第１の導電部材から離間し、前記光半導体素子が載置され、下面が前記光半導体装置の外表面を形成し、厚みが２５〜２００μｍである第２の導電部材と、前記第１の導電部材と前記第２の導電部材との間を遮光するように設けられる遮光性樹脂からなる基体とを有することを特徴とする。これにより、薄型の光半導体装置とすることができる。

＜製造方法１−１＞
以下、本発明の発光装置の製造方法について、図を用いて説明する。本発明の光半導体装置の製造方法は、支持基板上に、互いに離間する第１および第２の導電部材を複数形成する第１の工程と、第１及び第２の導電部材の間に、遮光性樹脂からなる基体を設ける第２の工程と、第１及び／又は第２の導電部材上に光半導体素子を載置させる第３の工程と、光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第４の工程と、支持基板を除去後、光半導体装置を個片化する第５の工程と、を有することを特徴とする。図１Ｃ、図１Ｄは、発光装置の集合体１０００を形成する工程を説明する図である。この集合体１０００を切断して個片化することで、実施の形態１において説明した発光装置１００を得ることができる。

Claims (21)

1. 支持基板上に、互いに離間する第１および第２の導電部材を複数形成する第１の工程と、
   前記第１及び第２の導電部材の間に、遮光性樹脂からなる基体を設ける第２の工程と、
   前記第１及び／又は第２の導電部材上に光半導体素子を載置させる第３の工程と、
   前記光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第４の工程と、
   前記支持基板を除去後、光半導体装置を個片化する第５の工程と、
   を有する光半導体装置の製造方法。
2. 前記第１および第２の導電部材は、鍍金によって形成される請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
3. 前記第１の工程は、前記支持基板上に、互いに離間する開口部を有する保護膜を形成し、該開口部内に前記第１及び第２の導電部材を形成する工程を含む請求項１又は請求項２記載の光半導体装置の製造方法。
4. 前記第１の工程は、前記支持基板上に導電部材を形成後、該導電部材をエッチングして互いに離間する第１及び第２の導電部材を形成する工程を含む請求項１又は請求項２記載の光半導体装置の製造方法。
5. 前記第３の工程は、前記第２の工程の前に行う請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
6. 前記基体は、前記第１及び第２の導電部材の上面より突出する突出部を有する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
7. 前記第５の工程は、前記第１及び／又は第２の導電部材を含む位置で切断して個片化する請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
8. 前記第５の工程は、前記第１及び第２の導電部材から離間する位置で切断して個片化する請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
9. 前記支持基板の線膨張係数は、前記基体の線膨張係数との差が３０％以下である請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
10. 光半導体素子と、
    上面に前記光半導体素子が載置され、下面が光半導体装置の外表面を形成する第１の導電部材と、
    該第１の導電部材から離間し、下面が光半導体装置の外表面を形成する第２の導電部材と、
    前記第１の導電部材と前記第２の導電部材との間に設けられる遮光性樹脂からなる基体と、
    前記光半導体素子を封止する透光性樹脂からなる封止部材と、
    とを有する光半導体装置であって、
    前記第１及び第２の導電部材は、鍍金であることを特徴とする光半導体装置。
11. 前記第１及び第２の導電部材は、最下層と、最上層と、それらの間に中間層とを有する複数層の鍍金層が積層された積層構造を有する請求項１０記載の光半導体装置。
12. 前記前記第１及び第２の導電部材は、Ａｕを含む最下層と、Ｎｉ又はＣｕを含む第１の中間層と、Ａｕを含む第２の中間層と、Ａｇを含む最上層とからなる請求項１０又は請求項１１記載の光半導体装置。
13. 前記第１及び第２の導電部材は、厚さが２５μｍ以上２００μｍ以下である請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載の光半導体装置。
14. 前記中間層は、前記導電部材の全体の膜厚の８０％〜９９％の範囲の比率で形成される請求項１２又は請求項１３記載の光半導体装置。
15. 前記基体は、前記第１及び第２の導電部材の上面より突出する突出部を有する請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項に記載の光半導体装置。
16. 前記突出部は、内部に保護素子が埋設されている請求項１５記載の光半導体装置。
17. 前記基体の線膨張係数は、前記第１及び第２の導電部材の線膨張係数との差が４０％以下である請求項１０乃至請求項１６のいずれか１項に記載の光半導体装置。
18. 前記基体の線膨張係数は、５〜２５×１０^−６／Ｋである請求項１０乃至請求項１６のいずれか１項に記載の光半導体装置。
19. 前記基体は、熱硬化性樹脂を含む請求項１０乃至請求項１８のいずれか１項に記載の光半導体装置。
20. 前記基体は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む請求項１０乃至請求項１９のいずれか１項に記載の光半導体装置。
21. 前記基体は、シリコーンレジンを含む熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む請求項１０乃至請求項２０のいずれか１項に記載の光半導体装置。

Images