JP2007049045A - 半導体発光素子およびこれを備えた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型半導体層20に導通する第1の電極3A、p型半導体層21に導通するようにして半導体積層部2上に形成された第2の電極3Bと、この第2の電極3Bのうち、他の部材と接続されるダイパッド部30を露出させるようにして半導体積層部2上を覆う絶縁保護膜4と、を備えている、半導体発光素子A1であって、第2の電極3Bは、ダイパッド部30がこの第2の電極3Bの他の部分よりも厚みが大きくされた構成、またはダイパッド部30のみからなる構成とされている。
【選択図】 図2
Description
B 半導体装置
2 半導体積層部
3A 第1の電極
3B 第2の電極
4 絶縁保護膜
5 絶縁基板(実装対象基板)
7 異方導電性接着剤(異方導電性接着手段)
10 透明基板(基板)
20 n型半導体層
21 p型半導体層
22 発光層
30 ダイパッド部
50,51 電極(実装対象基板の)
Claims (5)
- 基板上に形成されたn型およびp型の半導体層、ならびにそれらの間に位置する発光層を有する半導体積層部と、
上記n型およびp型の半導体層のうち、上記基板寄りの一方の半導体層に導通する第1の電極、および上記基板から遠い側の他方の半導体層に導通するようにして上記半導体積層部上に形成された第2の電極と、
上記第2の電極のうち、他の部材と接続されるダイパッド部を露出させるようにして、上記半導体積層部上を覆う絶縁保護膜と、
を備えている、半導体発光素子であって、
上記第2の電極は、上記ダイパッド部が上記第2の電極の他の部分よりも厚みが大きくされた構成、または上記ダイパッド部のみからなる構成とされていることを特徴とする、半導体発光素子。 - 上記第1の電極の表面は、上記第2の電極のダイパッド部の表面と略同一高さに揃えられている、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 上記第2の電極のダイパッド部は、このダイパッド部の厚み方向に対して交差する一方向に延びた略長矩形状である、請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 上記第2の電極のダイパッド部は、このダイパッド部の厚み方向に対して交差する2方向に延びた略L字状である、請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体発光素子が、電極を有する実装対象基板に異方導電性接着手段を介して実装されており、
上記異方導電性接着手段の導電粒子は、上記実装対象基板の電極と上記半導体発光素子の第2の電極のダイパッド部および第1の電極との間に介在してそれらの部分を導通させていることを特徴とする、半導体装置。
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