WO2015076281A1 - 発光装置、発光装置製造方法 - Google Patents

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electrode
light emitting
substrate electrode
side substrate
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孝 松村
典雄 梅津
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デクセリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device in which a light emitting element such as a light emitting diode (LED) chip is flip-chip mounted on a mounting substrate with an anisotropic conductive adhesive paste, and a method for manufacturing the same.
  • a light emitting element such as a light emitting diode (LED) chip is flip-chip mounted on a mounting substrate with an anisotropic conductive adhesive paste, and a method for manufacturing the same.
  • the LED chip is fixed to the substrate from the back side thereof with a photo-curable die bond agent, and the n-type side element electrode and the p-type side element electrode provided on the surface are connected to the n-type side electrode pattern and the p-type side electrode of the substrate.
  • a photo-curable die bond agent Conventionally, light-emitting devices connected to patterns by a gold wire bonding method have been put into practical use.
  • a light reflective electrode can be applied as an electrode formed between the light emitting layer and the p-type side element electrode, so that the light extraction efficiency is not reduced. can do.
  • the light emitting layer near the surface of the LED chip can be brought close to the mounting substrate, the heat generated in the light emitting layer can be efficiently radiated to the substrate.
  • FIG. 4A to 4D show such a prior art light emitting device 100.
  • 4B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 4A
  • FIG. 4C is a cross-sectional view taken along the line BB.
  • an anisotropic conductive adhesive paste 160 is disposed between the light emitting element (LED chip) 400 and the mounting substrate 150, and the light emitting element 400 is pressed against the mounting substrate 150. Then, the anisotropic conductive adhesive paste 160 is extruded from between the light emitting element 400 and the mounting substrate 150 to shorten the distance between the light emitting element 400 and the mounting substrate 150.
  • the conductive particles 161 contained in the anisotropic conductive adhesive paste 160 are sandwiched between the p-type side element electrode 111a and the p-type side substrate electrode 151a, and the n-type side element electrode 111b.
  • the n-type substrate electrode 151b is electrically connected to each other by the conductive particles 161.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 160 is cured by heating or the like, the light emitting device 100 shown in FIGS. 4A to 4C is obtained.
  • the technique for mechanically and electrically mounting the light emitting element 400 on the mounting substrate in this way is called flip chip mounting.
  • the p-type side substrate electrode 151 a and the n-type side substrate electrode 151 b are electrically connected to the wirings 153 and 154 on the back side by connection plugs 155 and 156 that penetrate the mounting substrate 150, respectively.
  • the provided power supply circuit 158 applies a voltage to the wirings 153 and 154, a voltage is applied between the p-type side element electrode 111 a and the n-type side element electrode 111 b, and a current flows in the pn junction inside the light emitting element 400. Then, the pn junction portion emits light.
  • the emitted light generated by the light emission is directed to a surface of the light emitting element 400 that faces the mounting substrate 150, a surface opposite to the mounting substrate 150, and a side surface. Light emitted toward the surface opposite to the mounting substrate 150 is emitted to the outside of the light emitting device 100.
  • the p-type side substrate electrode 151a and the n-type side substrate electrode 151b have a function of reflecting emitted light, and the p-type side substrate electrode 151a and the n-type side substrate electrode 151b are formed in a large area.
  • the emitted light emitted from the surface facing the mounting substrate 150 is reflected when irradiated to the p-type side substrate electrode 151a or the n-type side substrate electrode 151b, travels backward and passes through the light emitting element 400, and the light emitting element Of the 400 surfaces, the light is emitted from the surface opposite to the mounting substrate 150. Therefore, light emitted from the bottom surface of the LED chip is reflected upward and emitted to the outside by the p-type side substrate electrode 151a and the n-type side substrate electrode 151b, so that the light extraction efficiency is improved.
  • bumps may be formed on the n-type side element electrode 111b and the p-type side element electrode 111a.
  • the LED chip is used for the purpose of reducing manufacturing costs. Often don't have bumps.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 160 is applied to the light emitting element 400 and the mounting substrate 150.
  • the portion of the anisotropic conductive adhesive paste 160 that protrudes outside the outer periphery of the light emitting element 400 rises, and the light emitting element 400 is raised. It will be hardened in contact with the side surface. 4B and 4C show such a cured state.
  • the conductive particles 161 contained in the anisotropic conductive adhesive paste 160 have a property of scattering or absorbing the light emitted from the LED chip, and are therefore pushed out from between the light emitting element 400 and the mounting substrate 150. If the anisotropic conductive adhesive paste 160 covers the side surface of the light emitting device 400, there is a problem that light is not emitted from the side surface of the light emitting device 400 and the light extraction efficiency is lowered. In particular, when a bumpless LED chip that does not use a bump having a spacer function is applied, this problem has become prominent because the gap between the light emitting element 400 and the mounting substrate 150 becomes narrower.
  • An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, in a light-emitting device in which a light-emitting element is flip-chip mounted on a conductive pattern formed on a substrate using an anisotropic conductive adhesive paste.
  • a light-emitting element is flip-chip mounted on a conductive pattern formed on a substrate using an anisotropic conductive adhesive paste.
  • the inventors of the present invention press the substrate and the light emitting element, and when the anisotropic conductive adhesive paste is extruded from between the substrate and the light emitting element, the anisotropic conductive adhesive paste is above the bottom surface of the light emitting element. Therefore, the extruded anisotropic conductive adhesive paste can be held in the outer region in the planar direction from the peripheral edge of the light emitting element.
  • the conductor pattern was removed, and it was found that a low floor portion lower than the conductor pattern surface by the thickness of the conductor pattern and exposing the surface of the substrate body may be formed around the LED chip, and the present invention was completed. I let you.
  • the present invention provides an element body, a light emitting element having a p-type side element electrode and an n-type side element electrode provided on the same surface of the element body, a substrate body, and the same surface of the substrate body.
  • a mounting substrate having a p-type side substrate electrode and an n-type side substrate electrode, and a cured anisotropy disposed between the light emitting element and the mounting substrate and fixing the light emitting element to the mounting substrate.
  • a conductive adhesive paste between the p-type side element electrode and the p-type side substrate electrode and between the n-type side element electrode and the n-type side substrate electrode.
  • the conductive particles contained in the adhesive paste are electrically connected to each other, and a voltage is applied between the p-type side substrate electrode and the n-type side substrate electrode so that the light emitting element emits light.
  • a light emitting device comprising a surface of the p-type side substrate electrode and the n-type side group The surface of the electrode is disposed at a place higher than the surface of the substrate body, and the p-type side substrate electrode and the n-type side substrate electrode are the p-type side element electrode and the n-type side of the same light emitting element. It is the light-emitting device arrange
  • the surface of the substrate body on which the p-type side substrate electrode and the n-type side substrate electrode are provided is formed in an elongated shape having a width narrower than that of the p-type side substrate electrode, and one end of the p-type side substrate electrode A p-type side connection wiring connected to the mold-side substrate electrode, and an n-type side connection wiring having an elongated shape narrower than the n-type side substrate electrode and having one end connected to the n-type side substrate electrode.
  • the light emitting device is provided.
  • the present invention is the light emitting device, wherein the light emitting element is a light emitting diode chip.
  • the p-type side element electrode, the n-type side element electrode, the p-type side substrate electrode, and the n-type side substrate electrode are conductive thin films
  • the light emitting device includes the conductive particles in contact with both the p-type substrate electrode and the conductive particles in contact with both the n-type element electrode and the n-type substrate electrode.
  • the present invention provides an element body, a light emitting element having a p-type side element electrode and an n-type side element electrode provided on the same surface of the element body, a substrate body, and the same surface of the substrate body.
  • a mounting substrate having a p-type side substrate electrode and an n-type side substrate electrode, and a cured anisotropic conductive adhesive disposed between the light emitting element and the mounting substrate and fixing the light emitting element to the mounting substrate And the anisotropic conductive adhesive paste between the p-type side element electrode and the p-type side substrate electrode and between the n-type side element electrode and the n-type side substrate electrode.
  • the light emitting device is configured to be electrically connected by the conductive particles contained in the light emitting element and to emit light when the voltage is applied between the p-type side substrate electrode and the n-type side substrate electrode.
  • a method of manufacturing a light emitting device for manufacturing a p-side substrate electrode The surface and the surface of the n-type side substrate electrode are arranged at a location higher than the surface of the substrate body, and the size of the planar shape of the p-type side substrate electrode and the size of the planar shape of the n-type side substrate electrode And the positions of the p-type side substrate electrode and the n-type side substrate electrode, and the p-type side substrate electrode and the n-type side substrate electrode are connected to the p-type side device electrode and the n of the device body.
  • the mold side element electrode is formed so as not to protrude outside the outer periphery of the surface on which the mold side element electrode is formed. Prevent the p-type side substrate electrode and the n-type side substrate electrode from protruding outside the position directly below the outer periphery of the surface on which the p-type side element electrode and the n-type side element electrode are formed. However, the light emitting element is pressed against the mounting substrate, and the light emitting element is From between the mounting substrate and the extruded anisotropic conductive adhesive paste, a light emitting device manufacturing method of curing the anisotropic conductive adhesive paste.
  • the p-type side substrate electrode is connected to one end of an elongated p-type side connection wiring having a narrower width than the p-type side substrate electrode, and the n-type side substrate electrode is connected to the n-type side electrode.
  • the anisotropic conductive adhesive paste is extruded from between the light emitting element and the mounting substrate in a state in which one end of an elongated n-type side connection wiring narrower than the side substrate electrode is connected. is there.
  • the area around the p-type side substrate electrode and the area around the n-type side substrate electrode are more than the surface of the conductor pattern except for the portion where the p-type side connection wiring and the n-type side connection wiring are connected. It has a low low floor.
  • the low floor portion is an area that can accommodate the extruded anisotropic conductive adhesive paste so that the anisotropic conductive adhesive paste extruded from the back surface of the light emitting element does not crawl up the side surface of the light emitting element. .
  • the anisotropic conductive adhesive paste extruded from between the substrate and the light emitting element is accommodated on this low floor portion and does not crawl the side surface of the light emitting element, emitted light emitted from the side surface of the light emitting element. Is not shielded by the anisotropic conductive adhesive paste, and the decrease in light extraction efficiency is prevented, and as a result, the amount of light emitted from the light emitting device can be increased.
  • the top view of the light-emitting device of the 1st example of this invention Sectional view taken along line A 1 -A 1 of the light emitting device of the first example Sectional view taken along line B 1 -B 1 of the light emitting device of the first example
  • the top view of the mounting substrate for showing the conductor pattern of the light emitting device of the first example Sectional view taken along line C 1 -C 1 of the light emitting device of the first example Sectional drawing which shows the state which has arrange
  • the top view of the mounting substrate for showing the conductor pattern of the light emitting device of the second example
  • FIG. 1A is a light emitting device of the first example of the present invention
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line A 1 -A 1 in FIG. 1A
  • FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line B 1 -B 1
  • FIG. 1E is a cross-sectional view taken along line C 1 -C 1 .
  • the light emitting device 1 of the first example includes a mounting substrate 20 and a light emitting element 10 mounted on the surface of the mounting substrate 20.
  • the light emitting element 10 has an element body 14 formed of an LED (Light Emitting Diode) chip, and a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region are provided inside the element body 14.
  • a p-type side element electrode 11a connected to the p-type semiconductor region and an n-type side element electrode 11b connected to the n-type semiconductor region are provided apart from each other. .
  • the mounting substrate 20 has a substrate body 21, and a conductor pattern 30 formed by patterning a thin film of a conductor such as metal is provided on one surface of the substrate body 21. Only the surface of the conductor pattern 30 is higher than the surface of the substrate body 21.
  • FIG. 1D is a plan view of the mounting substrate 20 for explaining the planar shape of the conductor pattern 30 of the mounting substrate 20.
  • the conductor pattern 30 has a p-type side substrate electrode 31a and an n-type side substrate electrode 31b that are spaced apart from each other.
  • the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b are located at positions that can be connected to the p-type side device electrode 11a and the n-type side device electrode 11b, respectively, when the light emitting device 10 is disposed on the mounting substrate 20.
  • An anisotropic conductive adhesive paste 60 is arranged between the light emitting element 10 and the mounting substrate 20, and the mounting substrate 20 and the light emitting element 10 are electrically connected by the anisotropic conductive adhesive paste 60. Mechanically connected.
  • the conductor pattern 30 includes the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b, the p-type side external wiring 32a, the n-type side external wiring 32b, and the p-type side connection wiring. 33a and n-type side connection wiring 33b.
  • the p-type side substrate electrode 31a is connected to the p-type side external wiring 32a by the p-type side connection wiring 33a
  • the n-type side substrate electrode 31b is connected to the n-type side external wiring 32b by the n-type side connection wiring 33b.
  • a wiring 53b is arranged.
  • a portion sandwiched between the p-type side external wiring 32a and the p-type side back surface wiring 53a and a portion sandwiched between the n-type side external wiring 32b and the n-type side back surface wiring 53b are perforated.
  • Each through hole is provided with a conductive material, and the substrate body 21 is electrically connected between the front surface and the back surface by the through hole and the filled conductive material.
  • a p-type side electrode plug 55a and an n-type side electrode plug 55b are provided.
  • the p-type side external wiring 32a is connected to the p-type side back surface wiring 53a by the p-type side electrode plug 55a
  • the n-type side external wiring 32b is connected to the n-type side back surface wiring 53b by the n-type side electrode plug 55b.
  • the p-type side back surface wiring 53 a and the n-type side back surface wiring 53 b are respectively connected to the electric circuit 58 provided on the mounting substrate 20.
  • Reference numeral 58 in each figure represents the electric circuit.
  • the p-type side backside wiring 53a is connected to the p-type side substrate electrode 31a by the p-type side electrode plug 55a, the p-type side external wiring 32a, and the p-type side connection wiring 33a, and the n-type side backside wiring 53b is The n-type side electrode plug 55b, the n-type side external wiring 32b, and the n-type side connection wiring 33b are connected to the n-type side substrate electrode 31b.
  • a voltage is applied between the back surface wiring 53a and the n-type side back surface wiring 53b, a voltage is applied to the pn junction inside the element body 14, and the pn junction is forward-biased so that the p-type semiconductor region to the n-type semiconductor.
  • the pn junction portion When a current flows through the region, the pn junction portion emits light, and the emitted light is emitted to the outside of the light emitting element 10. The emitted light is emitted directly or after being reflected by the conductor pattern 30 to the outside of the light emitting device 1.
  • the mounting substrate 20 is placed on a table with the surface of the mounting substrate 20 on which the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b are formed facing upward.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 is stored in a dispenser in an uncured state, and is applied from the dispenser onto the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b. Or you may affix the uncured anisotropic conductive adhesive paste 60 shape
  • the surface of the element body 14 on which the p-type side element electrode 11a and the n-type side element electrode 11b are formed is directed toward the anisotropic conductive adhesive paste 60 on the mounting substrate 20, and the light emitting element 10 is mounted on the mounting substrate. 20 position.
  • the total value of the area of the p-type side substrate electrode 31a and the area of the n-type side substrate electrode 31b is smaller than the area of the planar shape of the element body 14, and the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate The electrode 31b is spaced apart and arranged in close proximity.
  • the element body 14 has a rectangular parallelepiped shape. Of the surfaces of the element body 14, the surface on which the p-type side element electrode 11 a and the n-type side element electrode 11 b are formed is referred to as an element electrode surface 15. When the element body 14 is overlaid on the substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b, the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b are located outside the outer periphery of the element electrode surface 15. It is made not to protrude.
  • the light-emitting element 10 and the mounting substrate 20 are aligned so that the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b do not protrude outside the position directly below the outer periphery of the element electrode surface 15. After that, the distance between the light emitting element 10 and the mounting substrate 20 is shortened so that the light emitting element 10 is placed on the anisotropic conductive adhesive paste 60 on the mounting substrate 20.
  • the state is shown in FIG. 1F and FIG. 5A.
  • the p-type side element electrode 11a and the n-type side element electrode 11b are in contact with one side of the anisotropic conductive adhesive paste 60, and the p-type side substrate electrode 31a The n-type substrate electrode 31b is in contact with the opposite surface of the anisotropic conductive adhesive paste 60.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 contains conductive particles having a diameter of several ⁇ m, the thickness Q 1 of the anisotropic conductive adhesive paste 60 is the diameter of the conductive particles 61 in the state of FIGS. 1F and 5A. Therefore, the p-type and n-type side element electrodes 11a and 11b and the p-type and n-type side substrate electrodes 31a and 31b are not electrically connected.
  • FIG. 5A shows an enlarged view of the end portion of the light emitting element 10 at this time.
  • the thickness of the conductor pattern 30 is constant, and the symbol P 1 in FIG. 5A indicates the thickness of the conductor pattern 30, that is, the thickness of the p-type side and n-type side substrate electrodes 31a and 31b.
  • the p-type side element electrode 11a and the n-type side element electrode 11b are formed by patterning the same conductive thin film, and therefore have the same thickness.
  • Symbol E 1 indicates the thickness of the p-type and n-type side element electrodes 11a and 11b.
  • the thickness Q 1 of the anisotropic conductive adhesive paste 60 sandwiched between the side element electrodes 11 a and 11 b and the thickness E 1 of the p-type and n-type side element electrodes 11 a and 11 b are total values.
  • the thickness E 1 of the p-type side element electrode 11a and the n-type side element electrode 11b is smaller than the thickness P 1 of the conductor pattern 30 (p-type side substrate electrode 31a and n-type side substrate electrode 31b).
  • FIG. 5B shows a state during pressing, and reference numeral 52 denotes a pressing device.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 is pushed out from the opening 13 between the p-type side substrate electrode 31 a and the n-type side substrate electrode 31 b and the light emitting element 10.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 is arranged so as not to protrude outside the outer periphery of the element electrode surface 15, but the thickness Q 2 of the anisotropic conductive adhesive paste 60 is pressed by pressing.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 corresponding to the reduced thickness (A 1 -A 2 ) is applied to the surface of the substrate body 21 and the element electrode surface. 15 flows in a direction parallel to 15 and is pushed outside the outer periphery of the light emitting element 10.
  • the p-type side substrate electrode 151a and the n-type side substrate electrode 151b protrude beyond the outer periphery of the light emitting element 400, as shown in FIG. 5D.
  • the height H 4 from the bottom surface of the light emitting element 400 and the surface of the mounting substrate 150 to the element electrode surface is reduced by the thickness of the conductor pattern 30.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 160 extruded outward from the outer periphery of the light emitting element 400 is the anisotropic conductive adhesive paste extruded first.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 160 extruded later is put on the adhesive paste 160, and the anisotropic conductive adhesive paste 160 is near the outer periphery of the light emitting element 400, and the p-type side substrate electrode 151a and the n-type side substrate electrode 151b. It rises larger than the height from the surface to the element electrode surface 115 and adheres to the side surface of the element body of the light emitting element 400.
  • the surface of the substrate body 21 is exposed around the p-type side element electrode 11 a and the n-type side element electrode 11 b, and only the thickness P 1 of the conductor pattern 30 is higher than the height of the surface of the conductor pattern 30.
  • a low low floor portion 39 is formed.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 pushed out from the opening 13 between the element body 14 and the p-type side substrate electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b falls on the bottom surface of the low floor portion 39.
  • the raised portion is the element electrode from the bottom surface of the low floor portion 39.
  • the height H 2 of the surface 15 is not exceeded, and the anisotropic conductive adhesive paste 60 does not adhere to the side surface of the element body 14.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 is applied to the p-type side or n-type side connection wiring.
  • the p-type side connection wiring 33a and the n-type side connection wiring 33b are placed on the 33a and 33b, but the width of the p-type side substrate is the portion of the p-type side connection wiring 33a and the n-type side connection wiring 33b connected to each other.
  • An anisotropic conductive adhesive paste 60 that is narrower than the width of the electrode 31a and the n-type side substrate electrode 31b and is extruded from below the element body 14 onto the p-type side connection wiring 33a and the n-type side connection wiring 33b, Drops from above the p-type side connection wiring 33a and the n-type side connection wiring 33b to both sides of the p-type side connection wiring 33a and both sides of the n-type side connection wiring 33b and falls to the bottom surface of the low floor portion 39 To do.
  • the light emitting element 10 and the mounting substrate 20 are pressed against each other so as to shorten the distance so that the p-type side element electrode 11a and the p-type side substrate electrode 31a are in contact with a plurality of the same conductive particles 61, Further, when the n-type side element electrode 11b and the n-type side substrate electrode 31b of the mounting substrate 20 are brought into contact with a plurality of the same conductive particles 61, the p-type side element electrode 11a and the p-type side substrate electrode 31a have a plurality of pieces.
  • the conductive particles 61 are electrically connected, and the n-type side element electrode 11 b and the n-type side substrate electrode 31 b are electrically connected by a plurality of conductive particles 61.
  • resin particles whose surfaces are coated with metal are used as the conductive particles 61.
  • the conductive particles 61 are deformed by pressing, and the p-type side element electrode 11a and the p-type side substrate electrode 31a can be in direct contact with each other.
  • the n-type side element electrode 11b and the n-type side substrate electrode 31b can be in direct contact with each other.
  • a heater is provided inside the pressing device 52, and the temperature is raised to a predetermined temperature in advance. If the state where the pressing device 52 is in contact with the light emitting element 10 is maintained for a predetermined time while the light emitting element 10 and the mounting substrate 20 are electrically connected, the light emitting element 10 is heated by heat conduction from the pressing device 52.
  • the anisotropic conductive adhesive paste 60 which is a thermosetting resin, is cured, the light emitting element 10 is electrically connected to the mounting substrate 20 with the cured anisotropic conductive adhesive paste 60.
  • the light emitting device 1 shown in FIGS. 1B, 1C, and 1E is obtained by being fixed to the mounting substrate 20.
  • Symbols Wa and Wb in FIG. 1C are distances between the outer periphery of the element electrode surface 15 between the outer periphery of the p-type side substrate electrode 31a and the outer periphery of the n-type side substrate electrode 31b located inside the outer periphery.
  • the outer peripheral distances Wa and Wb are values of zero or more.
  • FIG. 5C is an enlarged view of a portion where the light emitting element 10 and the mounting substrate 20 are connected, and the p-type side or n-type side element electrodes 11a and 11b and the p-type side or n-type side substrate electrodes 31a and 31b.
  • the thickness Q 3 of the anisotropic conductive adhesive paste 60 is zero, and the height H 3 of the element electrode surface 15 is the thickness of the conductive pattern 30.
  • the side surface of the light emitting element 10 is not in contact with the anisotropic conductive adhesive paste 60, or the contacted part is only the part on the p-type side connection wiring 33a and the n-type side connection wiring 33b.
  • the emitted light emitted from the side surface of the light is not shielded.
  • the p-type side substrate electrode 31 a and the n-type side substrate electrode 31 b do not protrude outside the position directly below the outer periphery of the element electrode surface 15, that is, the p-type side substrate electrode 31 a and the n-type side substrate electrode 31 b.
  • the mold side substrate electrode 31b is located in a region facing the back surface of the element body 14 including the outer periphery of the element body 14 and a region inside the outer periphery.
  • the size of the planar shape of the p-type side and n-type side substrate electrodes 31a and 31b is equal to or smaller than the size of the light emitting element 10, and p
  • the surface of the substrate body 21 is exposed.
  • a recess corresponding to the thickness of the conductor pattern 30 is formed around the light emitting element 10, and in the light emitting device 1 of the present invention, the anisotropic conductive adhesive paste 60 extends between the mounting substrate 20 and the light emitting element 10. Even if is pushed out, it is accommodated in the depression around the light emitting element 10, so that the extruded anisotropic conductive adhesive paste 60 can be prevented from scooping up the side surface of the light emitting element 10. Therefore, it is possible to suppress or prevent a decrease in light extraction efficiency.
  • the extent to which the substrate body 21 is exposed between the p-type side and n-type side external wirings 32a and 32b and the p-type and n-type side substrate electrodes 31a and 31b in the direction parallel to the surface of the mounting substrate 20 is as follows. Although there is no particular limitation, it is preferable to expose as narrow as possible as long as the protruding anisotropic conductive adhesive paste 60 does not scoop up the side surface of the light emitting element 10. This is because as the conductor pattern 30 such as the p-type side and n-type side external wirings 32 a and 32 b is arranged closer to the light emitting element 10, the emitted light emitted from the side surface of the light emitting element 10 is more efficiently reflected. This is because that.
  • the p-type side and n-type side connection wirings 33a and 33b are preferably formed to have a small cross-sectional area as long as a current flow that does not impair the light emission characteristics of the light emitting element 10 can be secured.
  • FIG. 1A is an example in which p-type side or n-type side connection wirings 33 a and 33 b are arranged at the center position of one side of the light emitting element 10.
  • the type and size of the light emitting element 10 the type and size of the mounting substrate 20, the material and thickness of the conductor pattern 30, and the type and viscosity of the anisotropic conductive adhesive paste 60 are contained.
  • the same type of conductive particles, the average particle size, the type of adhesive contained, and the like can be used.
  • the element main body 14 provided in the light emitting element 10 which is one of the components of the light emitting device 1 of the present invention can use an organic EL chip or an inorganic EL chip in addition to a semiconductor element which is an LED chip.
  • An LED chip can be preferably mentioned from the viewpoint of the flip chip method.
  • one p-type side or n-type side connection wiring 33a, 33b is connected to one p-type side or n-type side substrate electrode 31a, 31b.
  • the p-type side and n-type side substrate electrodes 31a and 31b are respectively connected to two p-type side connection wirings 33a or two.
  • the n-type side connection wiring 33b may be connected.
  • the p-type side or n-type side connection wirings 33a and 33b are provided at both end portions on one side of the light emitting element 10, and therefore the p-type side or n-type side connection wiring 33a. , 33b can efficiently dissipate heat generated by the light emitting element 10.
  • the conductor pattern 30 is disposed closest to the center of the light-emitting element 10 and gradually away toward the end, but is not limited thereto.
  • the conductor pattern 30 is disposed closest to the center of the light-emitting element 10 and gradually away toward the end, but is not limited thereto.
  • the light emitting device 3 of the third example shown in FIGS. 3A to 3D so as to surround a substrate electrode region composed of a p-type side substrate electrode 31a, an n-type side substrate electrode 31b, and a gap between them,
  • the p-type side external wiring 32a and the n-type side external wiring 32b which are separated from each other may be arranged.
  • the floor P is lower than the surface of the conductor pattern 30 by the thickness P 1 of the conductor pattern 30.
  • a floor portion (indentation) 39 is formed.
  • the light emitting devices 1 and 2 of the first and second examples light emitted from two side surfaces of the four sides of the light emitting element 10 is applied to the p-type side external wiring 32a and the n-type side external wiring 32b.
  • the emitted light emitted from the side surfaces of the four sides of the light emitting element 10 is applied to the p-type side external wiring 32a and the n-type side external wiring 32b and reflected. Therefore, the light extraction efficiency can be further increased.
  • FIG. 1E, and FIGS. 5A to 5C show the light emitting device 1 of the first example.
  • the planar shape of the p-type side substrate electrode 31a, the planar shape of the n-type side substrate electrode 31b, and the element body 14 are shown.
  • the planar shapes of the p-type side and the n-type side substrate electrodes 31a and 31b are respectively the three sides of the p-type side substrate electrode 31a and the three sides of the n-type side substrate electrode 31b. Is a size that can be located directly below or inside the outer periphery of the element body 14.
  • the three sides of the p-type side substrate electrode 31 a and the three sides of the n-type side substrate electrode 31 b are sized to be located directly below the outer periphery of the light emitting element 14.
  • an anisotropic conductive adhesive paste 60 is applied onto the p-type side substrate electrode 31 a and the n-type side substrate electrode 31 b of the mounting substrate 20 by a dispenser, and the element body 14 is applied to the anisotropic conductive adhesive paste 60. Arranged. The three sides of the p-type side substrate electrode 31 a and the three sides of the n-type side substrate electrode 31 b were positioned directly below the outer periphery of the element body 14.
  • a pressing device is brought into contact with the element main body 14, the element main body 14 is heated by a heater in the pressing device, pressed by the pressing device, and the light emitting element 10 is pressure-bonded to the mounting substrate 20. Then 5).
  • the element body 14 is electrically and mechanically connected to the mounting substrate 20 by a cured anisotropic conductive adhesive paste 60.
  • the pressure bonding conditions were such that the light emitting element 10 was heated to a temperature of 230 ° C., pressed with a pressure of 3 N / cm 2 , and kept pressed for 30 seconds.
  • the contents of the mounting substrate 20, the light emitting element 10, and the anisotropic conductive adhesive paste 60 are as follows.
  • Substrate body material Alumina 0.6 mm thickness
  • Conductor pattern Copper 10 ⁇ m thickness
  • Conductor pattern surface treatment Ni plating 3 ⁇ m thickness / Au 0.3 ⁇ m thickness
  • ⁇ Anisotropic conductive adhesive paste> Product name: SLP-04, manufactured by Dexerials Corporation Supply amount: 3 ⁇ g per element body : The side surface of the element body 14 of each of the produced light emitting devices 1 is observed using an optical microscope, and the height from the surface of the conductor pattern 30 to the upper end of the anisotropic conductive adhesive paste 60 attached to the side surface of the LED chip is determined. Measured and made a climbing height.
  • each light emitting device 1 was described in the column of “Example 1” in Table 1 below.
  • ⁇ Comparative Example 1> As a comparative example, five light emitting devices were used in the same members and the same process as in Example 1 except that a p-type side substrate electrode and an n-type side substrate electrode that protruded outside the outer periphery of the surface of the element electrode were used. Produced. The climbing height of each light emitting device is measured, and the measurement result is shown in the column “Comparative Example 1” in Table 1 below.
  • the conventional light emitting device of Comparative Example 1 had a very high numerical value of 32.0 ⁇ m.
  • the extruded anisotropic conductive adhesive paste 60 spreads below the surface of the conductive pattern 30, so that the rising height of the anisotropic conductive adhesive paste is 0.6 ⁇ m. And is very small.
  • the emitted light emitted from the side surface of the light emitting element 10 (here, the LED chip) is not shielded by the raised anisotropic conductive adhesive paste 60, and the light extraction efficiency is not lowered. ing.
  • the luminous flux of the light emitting device 1 of Example 1 was improved to 112% of the luminous flux of the light emitting device of Comparative Example 1.
  • the anisotropic conductive adhesive paste extruded from between the mounting substrate and the light emitting element does not adhere to the side surface of the light emitting element. Therefore, a light-emitting device in which a decrease in light extraction efficiency is suppressed is useful.

Abstract

　異方性導電接着ペースト６０が発光素子１０の側面に付着しないようにする。　ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂの外周を、素子本体１４の面のうち、ｐ型側素子電極１１ａとｎ型側素子電極１１ｂとが形成された面の外周よりもはみ出ないようにして、発光素子１０を搭載基板２０に搭載する。ｐ型側基板電極３１ａの周囲とｎ型側基板電極３１ｂの周囲には、基板本体２１の表面が露出された低床部分３９が設けられており、発光素子１０とｐ型側基板電極３１ａやｎ型側基板電極３１ｂとの間から押し出された異方性導電接着ペースト６０は、低床部分３９の底面に落下し、発光素子１０の側面に付着しないようになっており、発光素子１０の側面から放出された発光光が、側面に付着した異方性導電接着ペーストによって遮蔽されないようになっている。

Description

発光装置、発光装置製造方法
　本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ等の発光素子が、異方性導電接着ペーストで搭載基板にフリップチップ実装された発光装置とその製造方法に関する。
　ＬＥＤチップをその裏面側から基板に光硬化型のダイボンド剤で固定し、その表面に設けられたｎ型側素子電極及びｐ型側素子電極を、基板のｎ型側電極パターン及びｐ型側電極パターンにそれぞれ金ワイヤーボンディング工法で接続した発光装置が従来より実用化されている。
　しかし、このような金ワイヤーボンディング工法で実装した発光装置の場合、発光層の出射側に位置している金ワイヤーによる光散乱や、ＬＥＤチップの裏面側に配置されたダイボンド剤やｐ型側素子電極と発光層との間に設けられた光透過性電極による光吸収のために、光取り出し効率が低下するという問題があった。
　また、発光層で発生した熱は、発光層がＬＥＤチップの表面近傍に形成されているため、ＬＥＤチップの裏面側から基板に効率良く放熱されず、電流密度を上昇させることが困難になるという問題があった。
　この問題を解決するために、ＬＥＤチップの素子電極と搭載基板の基板電極とを異方性導電接着ペーストを介してフリップチップ工法で実装することが提案されている（特許文献１）。
　フリップチップ工法によれば、金ワイヤーの使用は不要であり、しかも発光層とｐ型側素子電極との間に形成する電極として光反射性電極を適用できるので、光取り出し効率を低減させないようにすることができる。また、ＬＥＤチップの表面近傍の発光層を搭載基板に近接させることができるので、発光層で発生した熱を効率良く基板に放熱することができる。
　図４Ａ～図４Ｄには、そのような従来技術の発光装置１００が示されている。
　図４Ｂは、図４ＡのＡ－Ａ線截断断面図であり、図４Ｃは、Ｂ－Ｂ線截断断面図である。
　この発光装置１００の製造工程を説明すると、まず、発光素子(ＬＥＤチップ)４００と搭載基板１５０との間に異方性導電接着ペースト１６０を配置し、発光素子４００を搭載基板１５０に対して押圧し、異方性導電接着ペースト１６０を発光素子４００と搭載基板１５０との間から押し出して発光素子４００と搭載基板１５０との間の距離を短くさせる。
　更に押圧すると、発光素子４００のｐ型側素子電極１１１ａと搭載基板１５０のｐ型側基板電極１５１ａとの間と、発光素子４００のｎ型側素子電極１１１ｂと搭載基板１５０のｎ型側基板電極１５１ｂとの間とに、異方性導電接着ペースト１６０に含有された導電粒子１６１が挟まれ、ｐ型側素子電極１１１ａとｐ型側基板電極１５１ａとの間と、ｎ型側素子電極１１１ｂとｎ型側基板電極１５１ｂとの間とは、導電粒子１６１によって、それぞれ電気的に接続される。
　その状態で、加熱等によって異方性導電接着ペースト１６０を硬化させると、図４Ａ～Ｃに示した発光装置１００が得られる。このように発光素子４００を機械的、電気的に搭載基板に実装する技術は、フリップチップ実装と呼ばれている。
　ｐ型側基板電極１５１ａとｎ型側基板電極１５１ｂとは、搭載基板１５０を貫通する接続プラグ１５５，１５６によって、裏面側の配線１５３，１５４にそれぞれ電気的に接続されており、搭載基板１５０に設けられた電源回路１５８が配線１５３，１５４に電圧を印加すると、ｐ型側素子電極１１１ａとｎ型側素子電極１１１ｂとの間に電圧が印加され、発光素子４００の内部のｐｎ接合に電流が流れてｐｎ接合の部分が発光する。
　発光によって生成された発光光は、発光素子４００のうち、搭載基板１５０と対面する面と、搭載基板１５０とは反対側の面と、側面とに向かう。
　搭載基板１５０とは反対側の面に向かった発光光は、発光装置１００の外部に放出される。
　ｐ型側基板電極１５１ａとｎ型側基板電極１５１ｂとは、発光光を反射させる機能を有しており、ｐ型側基板電極１５１ａとｎ型側基板電極１５１ｂとは、大面積に形成され、搭載基板１５０と対面する面から放出された発光光は、ｐ型側基板電極１５１ａ又はｎ型側基板電極１５１ｂに照射されると反射され、逆進して発光素子４００を透過して、発光素子４００の面のうち、搭載基板１５０とは反対側の面から放出される。
　従って、ｐ型側基板電極１５１ａとｎ型側基板電極１５１ｂとにより、ＬＥＤチップの底面から出射される光は上方に反射されて外部に放出されるので、光取り出し効率が向上する。
　フリップ実装によって発光装置を得る場合には、ｎ型側素子電極１１１ｂとｐ型側素子電極１１１ａにはバンプが形成されている場合もあるが、近年では製造コストの低減等を目的にＬＥＤチップにはバンプを設けないことも多い。
　上述したように、発光素子４００を搭載基板１５０に押圧して、発光素子４００と搭載基板１５０との間の距離を短縮させる際に、異方性導電接着ペースト１６０が発光素子４００と搭載基板１５０とによって押圧され、発光素子４００と搭載基板１５０との間から押し出されると、異方性導電接着ペースト１６０のうち、発光素子４００の外周よりも外側にはみ出した部分は盛り上がってしまい、発光素子４００の側面に接触した状態で硬化されてしまう。図４Ｂ、図４Ｃはそのように硬化された状態を示している。
　ここで、異方性導電接着ペースト１６０が含有する導電粒子１６１は、ＬＥＤチップの発光光を散乱又は吸収する性質を有しており、従って、発光素子４００と搭載基板１５０との間から押し出された異方性導電接着ペースト１６０が発光素子４００の側面を覆ってしまうと、発光素子４００の側面からの光の放出はなくなり、光取り出し効率が低下するという問題があった。
　特に、この問題は、スペーサー的機能を有するバンプを使用しないバンプレスＬＥＤチップを適用した場合、発光素子４００と搭載基板１５０とのギャップがより狭くなることから顕著となっていた。
特開２００７－１２３６１３号公報
　本発明の目的は、従来技術の問題点を解決しようとするものであり、発光素子が、基板上に形成された導体パターンに異方性導電接着ペーストを用いてフリップチップ実装された発光装置において、ＬＥＤチップと基板との間から異方性導電接着ペーストがはみ出しても、ＬＥＤチップの側面を這い上がって覆うようなことがないようにすることである。
　本発明の発明者等は、基板と発光素子とを押圧し、異方性導電接着ペーストが基板と発光素子の間から押し出される際に、異方性導電接着ペーストが発光素子の底面よりも上に盛り上がらないようにするためには、押し出された異方性導電接着ペーストを発光素子の周縁から平面方向の外側の領域に保持できるようにすることで可能になり、そのためにはＬＥＤチップの周囲の導体パターンを取り去って、ＬＥＤチップの周辺に、導体パターンの厚さ分だけ導体パターン表面よりも低く、基板本体の表面が露出する低床部を形成すればよいことを見出し、本発明を完成させた。
　即ち、本発明は、素子本体と、前記素子本体の同じ面に設けられたｐ型側素子電極とｎ型側素子電極とを有する発光素子と、基板本体と、前記基板本体の同じ面に設けられたｐ型側基板電極とｎ型側基板電極とを有する搭載基板と、前記発光素子と前記搭載基板との間に配置され、前記発光素子を前記搭載基板に固定する硬化された異方性導電接着ペーストと、を有し、前記ｐ型側素子電極と前記ｐ型側基板電極との間と、前記ｎ型側素子電極と前記ｎ型側基板電極との間とが前記異方性導電接着ペーストに含有される導電粒子によって、それぞれ電気的に接続され、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極との間に電圧が印加されて前記発光素子が発光するように構成された発光装置であって、前記ｐ型側基板電極の表面と前記ｎ型側基板電極の表面とは、前記基板本体の表面よりも高い場所に配置され、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とは、同じ発光素子の前記ｐ型側素子電極と前記ｎ型側素子電極とが設けられた前記面の外周からはみ出ないように配置された発光装置である。
　本発明は、前記基板本体の前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とが設けられた面には、前記ｐ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状にされ、一端が前記ｐ型側基板電極に接続されたｐ型側接続配線と、前記ｎ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状にされ、一端が前記ｎ型側基板電極に接続されたｎ型側接続配線とが設けられた前記発光装置である。
　本発明は、前記発光素子は、発光ダイオードチップである前記発光装置である。
　本発明は、前記ｐ型側素子電極と、前記ｎ型側素子電極と、前記ｐ型側基板電極と、前記ｎ型側基板電極とは導電体の薄膜であり、前記ｐ型側素子電極と前記ｐ型側基板電極との両方に接触する前記導電粒子と、前記ｎ型側素子電極と前記ｎ型側基板電極との両方に接触する前記導電粒子とを有する前記発光装置である。
　本発明は、素子本体と、前記素子本体の同じ面に設けられたｐ型側素子電極とｎ型側素子電極とを有する発光素子と、基板本体と、前記基板本体の同じ面に設けられたｐ型側基板電極とｎ型側基板電極とを有する搭載基板と、前記発光素子と前記搭載基板との間に配置され、前記発光素子を前記搭載基板に固定する硬化された異方性導電接着ペーストと、を有し、前記ｐ型側素子電極と前記ｐ型側基板電極との間と、前記ｎ型側素子電極と前記ｎ型側基板電極との間とが前記異方性導電接着ペーストに含有される導電粒子によって、それぞれ電気的に接続され、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極との間に電圧が印加されて前記発光素子が発光するように構成された発光装置を製造する発光装置製造方法であって、前記ｐ型側基板電極の表面と前記ｎ型側基板電極の表面とは、前記基板本体の表面よりも高い場所に配置し、前記ｐ型側基板電極の平面形状の大きさと、前記ｎ型側基板電極の平面形状の大きさと、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極との位置とを、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とが、前記素子本体の前記ｐ型側素子電極と前記ｎ型側素子電極とが形成された面の外周よりも外側にはみ出ないようにできるようにしておき、前記搭載基板に配置された前記異方性導電接着ペーストに前記発光素子を配置する際に、前記素子本体の前記ｐ型側素子電極と前記ｎ型側素子電極とが形成された面の外周の真下位置の外側に前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とがはみ出ないようにしながら、前記発光素子を前記搭載基板に押圧し、前記発光素子と前記搭載基板との間から、前記異方性導電接着ペーストを押し出し、前記異方性導電接着ペーストを硬化させる発光装置製造方法である。
　本発明は、前記ｐ型側基板電極には、前記ｐ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状のｐ型側接続配線の一端を接続し、前記ｎ型側基板電極には、前記ｎ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状のｎ型側接続配線の一端を接続した状態で、前記発光素子と前記搭載基板との間から前記異方性導電接着ペーストを押し出す前記発光装置製造方法である。
　ｐ型側基板電極の周囲の領域と、ｎ型側基板電極の周囲の領域とは、ｐ型側接続配線とｎ型側接続配線とが接続された部分を除いて、導体パターンの表面よりも低い低床部にされている。この低床部は、発光素子の裏面から押し出された異方性導電接着ペーストが発光素子の側面を這い上がらないように、押し出された異方性導電接着ペーストを収容することができる領域である。
　従って、基板と発光素子との間から押し出された異方性導電接着ペーストは、この低床部上に収容され、発光素子の側面を這い上がらないので、発光素子の側面から放出される発光光は、異方性導電接着ペーストによっては遮蔽されず、光取り出し効率の低下が防止され、その結果、発光装置から放出される光束量を増大させることができる。
本発明の第一例の発光装置の平面図 第一例の発光装置のＡ1－Ａ1線截断断面図 第一例の発光装置のＢ1－Ｂ1線截断断面図 第一例の発光装置の導体パターンを示すための搭載基板の平面図 第一例の発光装置のＣ1－Ｃ1線截断断面図 発光素子を搭載基板上の未硬化の異方性導電接着ペーストに配置した状態を示す断面図 本発明の第二例の発光装置の平面図 第二例の発光装置のＡ2－Ａ2線截断断面図 第二例の発光装置のＢ2－Ｂ2線截断断面図 第二例の発光装置の導体パターンを示すための搭載基板の平面図 本発明の第三例の発光装置の平面図 第三例の発光装置のＡ3－Ａ3線截断断面図 第三例の発光装置のＢ3－Ｂ3線截断断面図 第三例の発光装置の導体パターンを示すための搭載基板の平面図 従来の発光装置の平面図 その発光装置のＡ－Ａ線截断断面図 その発光装置のＢ－Ｂ線截断断面図 従来の発光装置の導体パターンを示すための搭載基板の平面図 搭載基板上の異方性導電接着ペーストに発光素子を配置した状態を説明するための部分拡大断面図 発光素子を押圧しているときの状態を説明するための部分拡大断面図 ｐ型側、ｎ型側素子電極と、ｐ型側、ｎ型側基板電極とが導電粒子で電気的に接続された状態を説明するための部分拡大断面図 従来技術の発光装置の素子本体の側面に付着した異方性導電接着ペーストを説明するための拡大図
　以下、本発明の発光装置１を図面を参照しながら説明する。
＜発光装置＞
　図１Ａの符号１は、本発明の第一例の発光装置であり、図１Ｂは図１ＡのＡ1－Ａ1線截断断面図であり、図１ＣはＢ1－Ｂ1線截断断面図であり、図１Ｅは、Ｃ1－Ｃ1線截断断面図である。
　第一例の発光装置１は、搭載基板２０と、搭載基板２０の表面上に搭載された発光素子１０とを有している。
　発光素子１０は、ここではＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップから成る素子本体１４を有しており、素子本体１４の内部には、ｐ型の半導体領域とｎ型の半導体領域とが設けられている。
　素子本体１４の同じ表面には、ｐ型の半導体領域に接続されたｐ型側素子電極１１ａとｎ型の半導体領域に接続されたｎ型側素子電極１１ｂとが互いに離間して設けられている。
　搭載基板２０は、基板本体２１を有しており、基板本体２１の一表面には、金属等の導電体の薄膜がパターニングされて形成された導体パターン３０が設けられ、導体パターン３０の厚さだけ、導体パターン３０の表面は、基板本体２１の表面よりも高くなっている。
　図１Ｄは、搭載基板２０の導体パターン３０の平面形状を説明するための、搭載基板２０の平面図である。
　導体パターン３０には、互いに離間されたｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとを有している。
　ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとは、発光素子１０を搭載基板２０上に配置したときに、ｐ型側素子電極１１ａとｎ型側素子電極１１ｂとにそれぞれ接続できる位置に形成されており、発光素子１０と搭載基板２０との間には、異方性導電接着ペースト６０が配置されており、異方性導電接着ペースト６０によって、搭載基板２０と発光素子１０とは電気的、機械的に接続されている。
　導体パターン３０を説明すると、導体パターン３０は、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとの他、ｐ型側外部配線３２ａと、ｎ型側外部配線３２ｂと、ｐ型側接続配線３３ａと、ｎ型側接続配線３３ｂとを有している。
　ｐ型側基板電極３１ａは、ｐ型側接続配線３３ａによってｐ型側外部配線３２ａに接続されており、ｎ型側基板電極３１ｂは、ｎ型側接続配線３３ｂによってｎ型側外部配線３２ｂに接続されている。
　次に、基板本体２１の、導体パターン３０が設けられている面と反対側の面には、図１Ｂ、図１Ｃに示すように、互いに離間されたｐ型側裏面配線５３ａとｎ型側裏面配線５３ｂが配置されている。
　基板本体２１のうち、ｐ型側外部配線３２ａとｐ型側裏面配線５３ａとで挟まれた部分と、ｎ型側外部配線３２ｂとｎ型側裏面配線５３ｂとで挟まれた部分とは穿孔されて貫通孔がそれぞれ設けられており、各貫通孔の内部には導電材料が充填され、貫通孔と、充填された導電材料とによって、基板本体２１を表面と裏面との間を電気的に導通させるｐ型側電極プラグ５５ａとｎ型側電極プラグ５５ｂとが設けられている。
　従って、ｐ型側外部配線３２ａはｐ型側電極プラグ５５ａによって、ｐ型側裏面配線５３ａに接続され、ｎ型側外部配線３２ｂはｎ型側電極プラグ５５ｂによってｎ型側裏面配線５３ｂに接続されている。
　ｐ型側裏面配線５３ａとｎ型側裏面配線５３ｂとは、搭載基板２０に設けられた電気回路５８にそれぞれ接続されている。各図の符号５８は、その電気回路を示している。
　ｐ型側裏面配線５３ａは、ｐ型側電極プラグ５５ａと、ｐ型側外部配線３２ａと、ｐ型側接続配線３３ａとによって、ｐ型側基板電極３１ａに接続され、ｎ型側裏面配線５３ｂは、ｎ型側電極プラグ５５ｂと、ｎ型側外部配線３２ｂと、ｎ型側接続配線３３ｂとによって、ｎ型側基板電極３１ｂに接続されており、電気回路５８内の電源装置によって、ｐ型側裏面配線５３ａとｎ型側裏面配線５３ｂとの間に電圧が印加されると、素子本体１４の内部のｐｎ接合に電圧が印加され、ｐｎ接合が順バイアスされてｐ型半導体領域からｎ型半導体領域に電流が流れたときに、ｐｎ接合の部分が発光し、発光光は発光素子１０の外部に放出される。
　発光光は、直接又は導体パターン３０に反射されて、発光装置１の外部に放出される。
＜製造工程＞
　発光装置１の製造工程を説明すると、まず、搭載基板２０のｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとが形成された面を上方に向け、搭載基板２０を台上に配置する。
　異方性導電接着ペースト６０は、未硬化の状態でディスペンサーに蓄液されており、ディスペンサーからｐ型側基板電極３１ａ上とｎ型側基板電極３１ｂ上とに塗布する。又は、シート状に成形された未硬化の異方性導電接着ペースト６０をｐ型側基板電極３１ａ上とｎ型側基板電極３１ｂ上とに貼付してもよい。
　次に、素子本体１４のｐ型側素子電極１１ａとｎ型側素子電極１１ｂとが形成された面を、搭載基板２０上の異方性導電接着ペースト６０に向け、発光素子１０を、搭載基板２０上に位置させる。
　ｐ型側基板電極３１ａの面積と、ｎ型側基板電極３１ｂの面積との合計値は、素子本体１４の平面形状の面積よりも小さくされており、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとは離間して近接配置されている。
　素子本体１４は直方体状であり、素子本体１４の面のうち、ｐ型側素子電極１１ａとｎ型側素子電極１１ｂとが形成された面を素子電極面１５と呼ぶものとすると、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとの上に、素子本体１４を重ねたときに、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとは、素子電極面１５の外周の外側にははみ出さないようにされている。
　ここで、発光素子１０と搭載基板２０とを、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとが、素子電極面１５の外周の真下位置よりも外側にはみ出さないように、位置合わせした後、発光素子１０と搭載基板２０との間の距離を短縮させることで、発光素子１０を搭載基板２０上の異方性導電接着ペースト６０上に乗せる。
　その状態は、図１Ｆ、図５Ａに示されており、ｐ型側素子電極１１ａとｎ型側素子電極１１ｂとは異方性導電接着ペースト６０の片面に接触し、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとは異方性導電接着ペースト６０の反対側の面に接触している。
　異方性導電接着ペースト６０は、直径数μｍの導電粒子を含有しているが、図１Ｆ，図５Ａの状態では、異方性導電接着ペースト６０の厚さＱ1は、導電粒子６１の直径よりも大きいので、ｐ型及びｎ型側素子電極１１ａ、１１ｂと、ｐ型及びｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂとは、電気的に接続されていない。
　このときの発光素子１０の端部の拡大図を、図５Ａに示す。
　導体パターン３０の厚さは一定であり、図５Ａの符号Ｐ1は導体パターン３０の厚さ、即ち、ｐ型側及びｎ型側基板電極３１ａ，３１ｂの厚さを示している。
　他方、ｐ型側素子電極１１ａとｎ型側素子電極１１ｂとは、同じ導電性の薄膜がパターニングされて形成されており、従って、厚さは等しくなっている。符号Ｅ1はｐ型及びｎ型側素子電極１１ａ，１１ｂの厚さを示している。
　ここで、異方性導電接着ペースト６０上に発光素子１０を乗せたときには、素子本体１４の底面と基板本体２１の表面とは平行になっているものとすると、図５Ａ中の符号Ｈ1は、基板本体２１の表面からの素子本体１４の底面までの素子本体１４の底面の高さを示している。この素子本体１４の底面の高さＨ1は、ｐ型及びｎ型側基板電極３１ａ，３１ｂの厚さＰ1と、ｐ型側又はｎ型側基板電極３１ａ，３１ｂとｐ型側又はｎ型側素子電極１１ａ、１１ｂとに挟まれた異方性導電接着ペースト６０の厚さＱ1と、ｐ型及びｎ型側素子電極１１ａ，１１ｂの厚さＥ1と、を合計した値であるが、ｐ型側素子電極１１ａやｎ型側素子電極１１ｂの厚さＥ1は、導体パターン３０(ｐ型側基板電極３１ａやｎ型側基板電極３１ｂ)の厚さＰ1よりも薄いので、高さ方向の距離計算上無視することができるものとする。
　その場合は、基板本体２１の表面からｐ型側素子電極１１ａ又はｎ型側素子電極１１ｂの表面までの距離(＝Ｈ1－Ｅ1)は、基板本体２１の表面から素子本体１４の底面までの高さＨ1と同じ値である。
　次に、発光素子１０の上に押圧装置を乗せ、押圧装置と台５１とによって、発光素子１０と搭載基板２０とを、発光素子１０と搭載基板２０との間の距離を短くする方向に押圧する。
　図５Ｂは押圧中の状態を示しており、符号５２は押圧装置である。
　この押圧により、異方性導電接着ペースト６０はｐ型側基板電極３１ａやｎ型側基板電極３１ｂと発光素子１０との間の開口１３から押し出される。
　押圧前の状態では、異方性導電接着ペースト６０は、素子電極面１５の外周よりも外側にははみ出ないように配置されているが、押圧によって異方性導電接着ペースト６０の厚さＱ2は押圧前の厚さＱ1よりも減少して薄くなると、減少した厚さ(Ａ1－Ａ2)に対応する体積分の異方性導電接着ペースト６０が基板本体２１の表面や素子電極面１５と平行な方向に流動し、発光素子１０の外周よりも外側に押し出される。
　図４Ｂ、Ｃに示す従来技術の発光装置１００では、ｐ型側基板電極１５１ａとｎ型側基板電極１５１ｂとが、発光素子４００の外周よりも外側にはみ出しており、図５Ｄに示されるように、発光素子４００の底面と、搭載基板１５０の表面から素子電極面までの高さＨ4は、導体パターン３０の厚さ分だけ小さくなっている。
　そして、硬化前の異方性導電接着ペースト１６０の粘性は高いため、発光素子４００の外周よりも外側に向けて押し出された異方性導電接着ペースト１６０は、先に押し出された異方性導電接着ペースト１６０の上に後から押し出された異方性導電接着ペースト１６０が乗り、異方性導電接着ペースト１６０が発光素子４００の外周付近で、ｐ型側基板電極１５１ａやｎ型側基板電極１５１ｂの表面から素子電極面１１５までの高さよりも大きく盛り上がり、発光素子４００の素子本体の側面に付着する。
　本発明では、ｐ型側素子電極１１ａとｎ型側素子電極１１ｂの周囲には、基板本体２１の表面が露出され、導体パターン３０の表面の高さよりも、導体パターン３０の厚さＰ1だけ低い低床部分３９が形成されている。
　この場合、素子本体１４とｐ型側基板電極３１ａやｎ型側基板電極３１ｂとの間の開口１３から押し出された異方性導電接着ペースト６０は、低床部分３９の底面上に落下する。
　従って、素子電極面１５の外周よりも外側の低床部分３９上で開口１３から押し出された異方性導電接着ペースト６０が盛り上がっても、盛り上がった部分が低床部分３９の底面からの素子電極面１５の高さＨ2を超えず、異方性導電接着ペースト６０は素子本体１４の側面に付着しない。
　ｐ型側又はｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂにｐ型側又はｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂが接続された部分では、異方性導電接着ペースト６０は、ｐ型側又はｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂの上に乗るが、ｐ型側接続配線３３ａとｎ型側接続配線３３ｂの幅は、ｐ型側接続配線３３ａとｎ型側接続配線３３ｂとが接続された部分のｐ型側基板電極３１ａやｎ型側基板電極３１ｂの幅よりも狭く、ｐ型側接続配線３３ａとｎ型側接続配線３３ｂとの上に素子本体１４の下から押し出された異方性導電接着ペースト６０は、ｐ型側接続配線３３ａとｎ型側接続配線３３ｂの上から、ｐ型側接続配線３３ａの両脇と、ｎ型側接続配線３３ｂの両脇とに垂れ落ち、低床部分３９の底面に落下する。
　このように、発光素子１０と搭載基板２０とを、距離が短くなるように互いに押圧してｐ型側素子電極１１ａとｐ型側基板電極３１ａとを同じ導電粒子６１の複数個に接触させ、また、ｎ型側素子電極１１ｂと搭載基板２０のｎ型側基板電極３１ｂとを同じ導電粒子６１の複数個に接触させると、ｐ型側素子電極１１ａとｐ型側基板電極３１ａとが複数の導電粒子６１によって電気的に接続され、また、ｎ型側素子電極１１ｂとｎ型側基板電極３１ｂとが複数の導電粒子６１によって電気的に接続される。
　ここでは、導電粒子６１は、表面が金属で被覆された樹脂粒子が用いられており、押圧によって導電粒子６１は変形し、ｐ型側素子電極１１ａとｐ型側基板電極３１ａとは直接接触でき、また、ｎ型側素子電極１１ｂとｎ型側基板電極３１ｂとも直接接触できるようになっている。
　押圧装置５２の内部には、ヒーターが設けられており、予め所定温度に昇温されている。
　発光素子１０と搭載基板２０とが電気的に接続された状態で、押圧装置５２が発光素子１０に接触する状態が所定時間維持されると、押圧装置５２からの熱伝導によって発光素子１０は加熱され、熱硬化性樹脂である異方性導電接着ペースト６０は硬化されると、発光素子１０は搭載基板２０に電気的に接続された状態で、硬化された異方性導電接着ペースト６０によって、搭載基板２０に固定され、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｅに示した発光装置１が得られる。
　図１Ｃの符号Ｗａ、Ｗｂは、素子電極面１５の外周から、その外周の内側に位置するｐ型側基板電極３１ａの外周とｎ型側基板電極３１ｂの外周との間の外周間距離であり、外周間距離Ｗａ、Ｗｂはゼロ以上の値である。
　図５Ｃは、発光素子１０と搭載基板２０とが接続された部分の拡大図であり、ｐ型側又はｎ型側素子電極１１ａ、１１ｂとｐ型側又はｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂとが直接接触する場合は、異方性導電接着ペースト６０の厚さＱ3はゼロであり、素子電極面１５の高さＨ3は導電パターン３０の厚さとなる。
　発光素子１０の側面は異方性導電接着ペースト６０とは接触していないか、又は、接触する部分は、ｐ型側接続配線３３ａやｎ型側接続配線３３ｂ上の部分だけなので、発光素子１０の側面から放出される発光光は遮蔽されないようになっている。
　この発光装置１では、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとは、素子電極面１５の外周の真下位置の外側にははみ出しておらず、つまり、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとは、素子本体１４の外周と、外周よりも内側の領域とを含む素子本体１４の裏面と対面する領域に位置する。
　なお、本発明の発光装置１においては、ｐ型側とｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂの平面形状の大きさを、発光素子１０のサイズと同等もしくは発光素子１０のサイズより小さくし、且つｐ型側とｎ型側の接続配線３３ａ、３３ｂを除いた、搭載基板２０の平面方向におけるｐ型側及びｎ型側外部配線３２ａ、３２ｂとｐ型側及びｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂとの間で基板本体２１の表面が露出されている。
　発光素子１０の周囲には導体パターン３０の厚さに相当する窪みが形成されており、本発明の発光装置１においては、搭載基板２０と発光素子１０との間から異方性導電接着ペースト６０が押し出されたとしても、発光素子１０の周囲の窪みに収容されるので、押し出された異方性導電接着ペースト６０が発光素子１０の側面を這い上がらないようにすることができる。よって、光取り出し効率の低下を抑制ないしは防止することができる。
　なお、搭載基板２０の表面と平行な方向におけるｐ型側、ｎ型側外部配線３２ａ、３２ｂと、ｐ型側、ｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂとの間で基板本体２１を露出させる程度は、特に制限はないが、はみ出した異方性導電接着ペースト６０が発光素子１０の側面を這い上がらないかぎり、できるだけ狭く露出させることが好ましい。これは、ｐ型側、ｎ型側外部配線３２ａ、３２ｂ等の導体パターン３０が発光素子１０に近接して配置されているほど、発光素子１０の側面から放出された発光光が効率良く反射されるからである。
　また、ｐ型側、ｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂは、発光素子１０の発光特性を損なわないような電流の流れを確保できる限り、小さい断面積となるように形成することが好ましい。ｐ型側、ｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂを配置する場所に制限はないが、ｐ型側、ｎ型側外部配線３２ａ、３２ｂとｐ型側、ｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂとを最短距離で接続できる位置に配置することが好ましい。図１Ａの例は、発光素子１０の側方の一辺の中央位置にｐ型側又はｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂを配置した例である。
　本発明の発光装置１においては、発光素子１０の種類・大きさ、搭載基板２０の種類・大きさ、導体パターン３０の素材・厚さ、異方性導電接着ペースト６０の種類・粘度、含有されている導電性粒子の種類や平均粒径、含有されている接着剤の種類等は、従来技術と同じものを用いることができる。
　なお、本発明の発光装置１の構成要素の一つである発光素子１０に設ける素子本体１４には、ＬＥＤチップである半導体素子の他、有機ＥＬチップ、無機ＥＬチップを用いることができる。フリップチップ工法の点からＬＥＤチップを好ましく挙げることができる。素子本体１４にバンプを設けない場合には、搭載基板２０と発光素子１０とが、設けた場合よりも近接するので、素子本体１４と搭載基板２０との間から異方性導電接着ペースト６０が押し出され易くなる。従って、バンプを設けない場合が、特に本発明が有効である。
　なお、上述した第一例の発光装置１では、一個のｐ型側又はｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂに、一本のｐ型側又はｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂを接続させたが、一つに限られず、図２Ａ～図２Ｄに示す第二例の発光装置２のように、ｐ型側、ｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂに、それぞれ二本のｐ型側接続配線３３ａ又は二本のｎ型側接続配線３３ｂを接続してもよい。この第二例の発光装置２では、発光素子１０の側方の一辺の両端部にｐ型側又はｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂを設けているので、ｐ型側又はｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂによって、発光素子１０の発熱を効率よく放熱させることができる。
　また、本発明の発光装置１、２では、導体パターン３０が発光素子１０の中央で最も近接し、端部に向かって徐々に離れて行くように配置されているが、それに限定されるものではなく、図３Ａ～図３Ｄに示す第三例の発光装置３のように、ｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂとそれらの間の隙間とから成る基板電極領域を取り囲むように、互いに離間されたｐ型側外部配線３２ａとｎ型側外部配線３２ｂとを配置してもよい。この場合も、素子本体１４の真下位置の周囲には、ｐ型側、ｎ型側接続配線３３ａ、３３ｂを除いて、導体パターン３０の厚さＰ1だけ導体パターン３０の表面より低床の低床部分(窪み)３９が形成される。
　第一、第二例の発光装置１，２では、発光素子１０の四辺のうち、二辺の側面から放出された発光光が、ｐ型側外部配線３２ａとｎ型側外部配線３２ｂとに照射されて反射されたが、この第三例の発光装置３では、発光素子１０の四辺の側面から放出された発光光がｐ型側外部配線３２ａとｎ型側外部配線３２ｂとに照射されて反射されるから、光取り出し効率をより高めることができる。
　以下、本発明をより具体的な実施例により説明する。
＜実施例１＞
　図１Ａ～図１Ｃ、図１Ｅ、図５Ａ～図５Ｃは第一例の発光装置１であり、ｐ型側基板電極３１ａの平面形状と、ｎ型側基板電極３１ｂの平面形状と、素子本体１４の平面形状とが、それぞれ四辺形であり、ｐ型側、ｎ型側基板電極３１ａ、３１ｂの大きさは、ｐ型側基板電極３１ａの三辺と、ｎ型側基板電極３１ｂの三辺とが、素子本体１４の外周の真下か、又は真下よりも内側に位置できる大きさである。
　ここでは、ｐ型側基板電極３１ａの三辺と、ｎ型側基板電極３１ｂの三辺とは、発光素子１４の外周の真下に位置する大きさにされている。
　まず、ディスペンサーにより、搭載基板２０のｐ型側基板電極３１ａとｎ型側基板電極３１ｂ上に、異方性導電接着ペースト６０を塗布し、その異方性導電接着ペースト６０上に素子本体１４を配置した。ｐ型側基板電極３１ａの三辺と、ｎ型側基板電極３１ｂの三辺とは、素子本体１４の外周の真下に位置させた。
　素子本体１４に押圧装置を接触させ、押圧装置内のヒーターによって、素子本体１４を加熱し、押圧装置によって押圧して、発光素子１０を搭載基板２０に圧着させ、発光装置１を複数個(ここでは５個)作製した。
　発光装置１では、素子本体１４が、硬化した異方性導電接着ペースト６０によって、電気的、機械的に搭載基板２０に接続されている。
　圧着条件は、発光素子１０は２３０℃の温度に昇温させ、３Ｎ／ｃｍ2の圧力で押圧し、３０秒間押圧した状態を維持した。
　搭載基板２０と、発光素子１０と、異方性導電接着ペースト６０の内容は次の通りである。
：
＜搭載基板＞
　基板本体の材質：アルミナ０．６ｍｍ厚
　導体パターン：銅１０μｍ厚
　導体パターンの表面処理：Ｎｉメッキ３μｍ厚／Ａｕ０．３μｍ厚
＜発光素子＞
　製品名：ＤＡ３５４７，Ｃｒｅｅ社製のＬＥＤチップ
　サイズ：３５０μｍ×４７０μｍ×１５５μｍｔ
＜異方性導電接着ペースト＞
　製品名：　ＳＬＰ－０４，デクセリアルズ（株）社製
　供給量：　素子本体１個当たり３μｇ
：
　作製した各発光装置１の素子本体１４の側面を光学顕微鏡を用いてそれぞれ観察し、ＬＥＤチップの側面に付着した異方性導電接着ペースト６０の上端までの導体パターン３０の表面からの高さを測定し、這い上がり高さとした。
　また、作製した素子本体１４に一定の電流(ここでは１５０ｍＡ）を通電して発光させ、発光光の光束量を全光束測定機器（積分球方式）を用いて測定した。
　各発光装置１の測定結果を、下記表１の「実施例１」の欄に記載する。
＜比較例１＞
　比較例として、素子電極表面の外周よりも外側にはみ出したｐ型側基板電極と、ｎ型側基板電極とを用いた他は、上記実施例１と同じ部材、同じ工程で発光装置を５個作製した。各発光装置の這い上がり高さを測定し、測定結果を下記表１の「比較例１」の欄に記載する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から分かるように、比較例１の従来の発光装置は、這い上がり高さが３２．０μｍと非常に大きな数値であった。それに対し、実施例１の発光装置１では、押し出された異方性導電接着ペースト６０は、導電パターン３０の表面よりの下方に広がるので、異方性導電接着ペーストの這い上がり高さ０．６μｍと非常に小さくなっている。
　このように、本発明では、発光素子１０(ここではＬＥＤチップ)の側面から放出される発光光が、盛り上がった異方性導電接着ペースト６０によって遮蔽されず、光取り出し効率が低下しないようになっている。その結果、実施例１の発光装置１の光束量は、比較例１の発光装置の光束量の１１２％に改善したものとなった。
　本発明によれば、搭載基板と発光素子との間から押し出された異方性導電接着ペーストは、発光素子の側面に付着しない。よって、光取り出し効率の低下が抑制された発光装置が得られ、有用である。
　　１　　発光装置
　１０　　発光素子
　１４　　素子本体
　１１ａ　ｐ型側素子電極
　１１ｂ　ｎ型側素子電極
　２０　　搭載基板
　２１　　基板本体
　３０　　導体パターン
　３１ａ　ｐ型側基板電極
　３１ｂ　ｎ型側基板電極
　３２ａ　ｐ型側外部配線
　３２ｂ　ｎ型側外部配線
　３３ａ　ｐ型側接続配線
　３３ｂ　ｎ型側接続配線
　６０　　異方性導電接着ペースト

Claims (6)

  1. 　素子本体と、前記素子本体の同じ面に設けられたｐ型側素子電極とｎ型側素子電極とを有する発光素子と、
    　基板本体と、前記基板本体の同じ面に設けられたｐ型側基板電極とｎ型側基板電極とを有する搭載基板と、
    　前記発光素子と前記搭載基板との間に配置され、前記発光素子を前記搭載基板に固定する硬化された異方性導電接着ペーストと、
    を有し、
    　前記ｐ型側素子電極と前記ｐ型側基板電極との間と、前記ｎ型側素子電極と前記ｎ型側基板電極との間とが前記異方性導電接着ペーストに含有される導電粒子によって、それぞれ電気的に接続され、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極との間に電圧が印加されて前記発光素子が発光するように構成された発光装置であって、
    　前記ｐ型側基板電極の表面と前記ｎ型側基板電極の表面とは、前記基板本体の表面よりも高い場所に配置され、
    　前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とは、同じ発光素子の前記ｐ型側素子電極と前記ｎ型側素子電極とが設けられた前記面の外周からはみ出ないように配置された発光装置。
  2. 　前記基板本体の前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とが設けられた面には、前記ｐ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状にされ、一端が前記ｐ型側基板電極に接続されたｐ型側接続配線と、前記ｎ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状にされ、一端が前記ｎ型側基板電極に接続されたｎ型側接続配線とが設けられた請求項１記載の発光装置。
  3. 　前記発光素子は、発光ダイオードチップである請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の発光装置。
  4. 　前記ｐ型側素子電極と、前記ｎ型側素子電極と、前記ｐ型側基板電極と、前記ｎ型側基板電極とは導電体の薄膜であり、前記ｐ型側素子電極と前記ｐ型側基板電極との両方に接触する前記導電粒子と、前記ｎ型側素子電極と前記ｎ型側基板電極との両方に接触する前記導電粒子とを有する請求項３記載の発光装置。
  5. 　素子本体と、前記素子本体の同じ面に設けられたｐ型側素子電極とｎ型側素子電極とを有する発光素子と、
    　基板本体と、前記基板本体の同じ面に設けられたｐ型側基板電極とｎ型側基板電極とを有する搭載基板と、
    　前記発光素子と前記搭載基板との間に配置され、前記発光素子を前記搭載基板に固定する硬化された異方性導電接着ペーストと、
    を有し、
    　前記ｐ型側素子電極と前記ｐ型側基板電極との間と、前記ｎ型側素子電極と前記ｎ型側基板電極との間とが前記異方性導電接着ペーストに含有される導電粒子によって、それぞれ電気的に接続され、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極との間に電圧が印加されて前記発光素子が発光するように構成された発光装置を製造する発光装置製造方法であって、
    　前記ｐ型側基板電極の表面と前記ｎ型側基板電極の表面とは、前記基板本体の表面よりも高い場所に配置し、
    　前記ｐ型側基板電極の平面形状の大きさと、前記ｎ型側基板電極の平面形状の大きさと、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極との位置とを、前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とが、前記素子本体の前記ｐ型側素子電極と前記ｎ型側素子電極とが形成された面の外周よりも外側にはみ出ないようにできるようにしておき、
    　前記搭載基板に配置された前記異方性導電接着ペーストに前記発光素子を配置する際に、前記素子本体の前記ｐ型側素子電極と前記ｎ型側素子電極とが形成された面の外周の真下位置の外側に前記ｐ型側基板電極と前記ｎ型側基板電極とがはみ出ないようにしながら、前記発光素子を前記搭載基板に押圧し、前記発光素子と前記搭載基板との間から、前記異方性導電接着ペーストを押し出し、前記異方性導電接着ペーストを硬化させる発光装置製造方法。
  6. 　前記ｐ型側基板電極には、前記ｐ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状のｐ型側接続配線の一端を接続し、前記ｎ型側基板電極には、前記ｎ型側基板電極よりも幅が狭い細長形状のｎ型側接続配線の一端を接続した状態で、前記発光素子と前記搭載基板との間から前記異方性導電接着ペーストを押し出す請求項５記載の発光装置製造方法。
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