JP2006344652A - 半導体装置及び半導体素子の搭載方法 - Google Patents

半導体装置及び半導体素子の搭載方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006344652A
JP2006344652A JP2005166896A JP2005166896A JP2006344652A JP 2006344652 A JP2006344652 A JP 2006344652A JP 2005166896 A JP2005166896 A JP 2005166896A JP 2005166896 A JP2005166896 A JP 2005166896A JP 2006344652 A JP2006344652 A JP 2006344652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
semiconductor device
lead terminal
wiring
mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005166896A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Fujinaga
浩 藤永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Components Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Components Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Components Co Ltd filed Critical Toshiba Components Co Ltd
Priority to JP2005166896A priority Critical patent/JP2006344652A/ja
Publication of JP2006344652A publication Critical patent/JP2006344652A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/40247—Connecting the strap to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/41—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of a plurality of strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、従来の半導体装置に比べて外囲器の厚みを薄くできるとともに、半導体素子に対して印加される応力を軽減することができることを目的とする。
【解決手段】第１のリード端子１１ａに搭載された半導体素子１３と、前記第１のリード端子１１ａとは異なる第２のリード端子１１ｂと前記半導体素子１３とを接続し，２箇所のパッド部１４ａ，１４ｂを除いて絶縁被覆された平坦状な配線１４と、前記第１・第２のリード端子１１ａ，１１ｂの一部、前記半導体素子１３及び配線１４を少なくとも気密に封止する樹脂製外囲器１６とを具備し、前記配線１４のパッド部１４ａ，１４ｂと前記半導体素子１３、第２のリード端子１１ｂとが夫々電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【選択図】 図１

Description

本発明は、車載、家電、携帯機器等に適用可能な半導体装置及び半導体素子の搭載方法に関する。
従来、ボンディングワイヤ方式を用いた半導体装置としては、例えば図４に示すものが知られている。
図中の符番1ａ，１ｂは、夫々Ｃｕからなる第１のリード端子、第２のリード端子を示す。一方の第１のリード端子１ａには半田２を介して半導体素子（ペレット）３が搭載されている。前記半導体素子３と他方の第２のリード端子１ｂとはボンディングワイヤ４により接続されている。前記リード端子１ａ，１ｂの一部、前記半田層２、前記ペレット３及びボンディングワイヤ４は、樹脂製の外囲器５により気密に封止されている。こうした半導体装置において、ボンディングワイヤ４のループ高さ（ペレット上面からワイヤの最大高さまでの距離）Ｈは約１００μｍｍである。また、ボンディングワイヤ４の最大高さから外囲器５の頂部までの距離Ｄ１を樹脂厚みと呼ぶ。
また、従来、コネクタ方式を用いた半導体装置としては、例えば図５に示すものが知られている。但し、図４と同部材は同符番を付して説明を省略する。
図中の符番２ａ，２ｂは、夫々例えばＳｉからなる半導体素子３、例えばＣｕからなる第２のリード端子１ｂ上に形成された半田層を示す。例えばＣｕからなるコネクタ６は、これらの半田２ａ，２ｂを介して前記半導体素子３、第２のリード端子１ｂに夫々電気的に接続されている。前記リード端子１ａ，１ｂの一部、前記半田２，２ａ，２ｂ、前記半導体素子３及びコネクタ６は、例えばエポキシ樹脂製の外囲器５により気密に封止されている。こうした半導体装置においては、コネクタ６を用いているため、コネクタ６の最大高さから外囲器５の頂部までの距離（樹脂厚み）Ｄ２は図４の場合と比べて薄くなる。
従来、ボンディングワイヤを用いて電子部品と配線層とを接続する技術としては、例えば特許文献１が知られている。また、コネクタを用いて電子部品とリード端子を接続する技術としては、例えば特許文献２が知られている。
特開２００５−１０１３３１号公報 特開２００４−３９８０１号公報
しかしながら、図４の構成の半導体装置においては、ボンディングワイヤ４として導電性の金属を使用するため、外部との絶縁を確保するためにある程度の絶縁樹脂厚を確保しなければならない（即ち、上記距離Ｄ１を大きくしなければならない）。また、ボンディングワイヤ４は、半導体素子３のエッジとの接触を防止するためループ形状を取る必要があり、外囲器５の厚さを薄くできない。
一方、図５の構成の半導体装置においては、リード端子１ａ，１ｂと半導体素子３、コネクタ６の材質の線膨張係数が異なるため、熱応力により半導体素子特性に影響を及ぼす可能性がある。また、コネクタ６は導電性の金属を使用するため、外部との絶縁を確保するためにある程度の絶縁樹脂厚を確保しなければならない（即ち、上記距離Ｄ２を大きくしなければならない）。
本発明は従来の課題を解決するためになされたもので、２箇所のパッド部を除いて絶縁被覆された平坦状な配線を用いることにより、外囲器の厚みを薄くできるとともに、半導体素子に対して印加される応力を軽減し得る半導体装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、２箇所のパッド部を除いて絶縁被覆された平坦状な配線を用いて、一方のパッド部は半導体素子に接続し、他方のパッドッ部は実装基板に接続するように半導体素子を実装基板に搭載することにより、ボンディングワイヤ方式と比べてエッジタッチの心配がないとともに、コネクタ方式と比べて応力（振動）に強い半導体素子の搭載方法を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、第１のリード端子に搭載された半導体素子と、前記第１のリード端子とは異なる第２のリード端子と前記半導体素子とを接続し，２箇所のパッド部を除いて絶縁被覆された平坦状な配線と、前記第１・第２のリード端子の一部、前記半導体素子及び配線を少なくとも気密に封止する樹脂製外囲器とを具備し、前記配線のパッド部と前記半導体素子、第２のリード端子とが夫々電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体素子の搭載方法は、実装基板に半導体素子を搭載するに際し、２箇所のパッド部を除いて絶縁被覆された平坦状な配線を用いて、一方のパッド部は半導体素子に接続し、他方のパッドッ部は実装基板に接続するようにして半導体素子を実装基板に搭載することを特徴とする。
本発明の半導体装置によれば、２箇所のパッド部を除いて絶縁被覆された平坦状な配線を用いることにより、ボンディングワイヤ方式やコネクタ方式の半導体装置に比べて外囲器の厚みを薄くできるとともに、コネクタ方式の半導体装置に比べて半導体素子に対して印加される応力を軽減することができる。
また、本発明の半導体素子の搭載方法によれば、ボンディングワイヤ方式の半導体装置と比べてエッジタッチの心配がないとともに、コネクタ方式の半導体装置と比べて応力（振動）に強い半導体素子を搭載することができる。
次に、本発明の具体的な実施の形態について説明する。
（実施例１）
図１及び図２（Ａ），（Ｂ）を参照する。ここで、図１は実施例１に係る半導体装置の断面図、図２（Ａ）は図１の半導体装置の一構成である配線の裏面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図を示す。
図中の符番１１ａ，１１ｂは、夫々第１のリード端子，第２のリード端子を示す。一方の第１のリード端子１１ａには半田１２ａを介して半導体素子（ペレット）１３が搭載されている。前記半導体素子１３と第２のリード端子１１ｂには、２箇所の第１パッド部１４ａ，第２パッド部１４ｂを除いて絶縁被覆された平坦状な配線１４が接続されている。
前記配線１４は、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、下面側に露出した第１パッド部１４ａ及び第２パッド部１４ｂと、その他の配線部分を被覆するポリイミドからなる樹脂膜１５により構成されている。そして、第１パッド部１４ａは半田１２ｂを介して半導体素子１３に接続され、第２パッド部１４ｂは半田１２ｃを介して第２のリード端子１１ｂに接続されている。前記リード端子１１ａ，１１ｂの一部、前記半田１２ａ，１２ｂ，１２ｃ、半導体素子１３、配線１４は、樹脂製の外囲器１６により気密に封止されている。
実施例１に係る半導体装置によれば、２箇所のパッド部１４ａ，１４ｂを除いて樹脂膜１５により絶縁被覆された平坦状な配線１４により半導体素子１３と第２のリード端子１１ｂを電気的に接続した構成となっている。従って、図４のボンディングワイヤ方式の半導体装置と比べてエッジタッチへの配慮が不要となるので、外囲器１６を従来の半分程度まで薄型化できる。また、図５のコネクタ方式の半導体装置と比べても外囲器１６を薄型化できる。また、コネクタ方式の半導体装置に比べて、配線１４に柔軟性があるため、半導体素子に対する応力の印加を軽減することができる。
（実施例２）
図３を参照する。但し、図1、図２と同部材は同符番を付して説明を省略する。図３中の符番１７は、ガラスエポキシまたは紙フェノールからなる実装基板を示す。本実施例２は、半導体素子１３を前記配線１４を用いることによりガラスエポキシ製の実装基板１７に搭載する例を示す。
本実施例２では、実装基板１７上に半田１２ａを介して半導体素子１３を搭載し、更に配線１４の第１パッド部１４ａを半田１２ｂを介して半導体素子１３に接続するとともに、配線１４の第２パッド部１４ｂを半田１２ｃを介して実装基板１７に接続することにより行う。なお、実装基板１７上には、配線１４と接続する導電パターン（図示せず）等が形成されている。
実施例２に係る半導体素子の搭載方法によれば、ボンディングワイヤ方式の半導体装置と比べてエッジタッチの心配がないとともに、コネクタ方式の半導体装置と比べて応力（振動）に強い半導体素子を搭載することができる。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。具体的には、樹脂膜や実装基板の材質等は上記実施例に記載したものに限定されない。
本発明の実施例１に係る半導体装置の概略的な断面図。 図１の半導体装置の一構成要素である配線の説明図。 本発明の実施例２に係る半導体装置の概略的な断面図。 ボンディングワイヤ方式を用いた従来の半導体装置の概略的な断面図。 コネクタ方式を用いた従来の半導体装置の概略的な断面図。
符号の説明
１１ａ，１１ｂ…リード端子、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…半田、１３…ペレット、１４…配線、１４ａ…第１のパッド部、１４ｂ…第２のパッド部、１５…樹脂膜、１６…外囲器、１７…実装基板。

Claims (2)

  1. 第１のリード端子に搭載された半導体素子と、前記第１のリード端子とは異なる第２のリード端子と前記半導体素子とを接続し，２箇所のパッド部を除いて絶縁被覆された平坦状な配線と、前記第１・第２のリード端子の一部、前記半導体素子及び配線を少なくとも気密に封止する樹脂製外囲器とを具備し、前記配線のパッド部と前記半導体素子、第２のリード端子とが夫々電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 実装基板に半導体素子を搭載するに際し、２箇所のパッド部を除いて絶縁被覆された平坦状な配線を用いて、一方のパッド部は半導体素子に接続し、他方のパッドッ部は実装基板に接続するようにして半導体素子を実装基板に搭載することを特徴とする半導体素子の搭載方法。
JP2005166896A 2005-06-07 2005-06-07 半導体装置及び半導体素子の搭載方法 Pending JP2006344652A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005166896A JP2006344652A (ja) 2005-06-07 2005-06-07 半導体装置及び半導体素子の搭載方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005166896A JP2006344652A (ja) 2005-06-07 2005-06-07 半導体装置及び半導体素子の搭載方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006344652A true JP2006344652A (ja) 2006-12-21

Family

ID=37641416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005166896A Pending JP2006344652A (ja) 2005-06-07 2005-06-07 半導体装置及び半導体素子の搭載方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006344652A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012212712A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Toshiba Corp 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
JP2013038359A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Denso Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61123537U (ja) * 1985-01-21 1986-08-04
JPH04139737A (ja) * 1990-09-29 1992-05-13 Toshiba Lighting & Technol Corp 半導体チップの実装方法
JPH05129489A (ja) * 1991-10-25 1993-05-25 Mitsubishi Materials Corp 保護膜付銀合金導体箔及びその製造方法
JPH05136215A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Nec Corp 集積回路の実装構造
JPH06204287A (ja) * 1992-12-29 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 集積回路
JP2000183099A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ボンディング用リボン

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61123537U (ja) * 1985-01-21 1986-08-04
JPH04139737A (ja) * 1990-09-29 1992-05-13 Toshiba Lighting & Technol Corp 半導体チップの実装方法
JPH05129489A (ja) * 1991-10-25 1993-05-25 Mitsubishi Materials Corp 保護膜付銀合金導体箔及びその製造方法
JPH05136215A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Nec Corp 集積回路の実装構造
JPH06204287A (ja) * 1992-12-29 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 集積回路
JP2000183099A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ボンディング用リボン

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012212712A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Toshiba Corp 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
JP2013038359A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Denso Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4058642B2 (ja) 半導体装置
JP4322844B2 (ja) 半導体装置および積層型半導体装置
CN100452396C (zh) 半导体装置及其制造方法
KR950024311A (ko) 얇은 회로기판과 반도체 장치가 접합되어 있는 열전도성 지지부재를 갖춘 전자 패키지
JP2008091714A (ja) 半導体装置
JPWO2007123143A1 (ja) メモリカード
US20080274588A1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same, circuit board, and electronic instrument
JP2005064479A (ja) 回路モジュール
JP4967701B2 (ja) 電力半導体装置
JP6043049B2 (ja) 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
JP2006344652A (ja) 半導体装置及び半導体素子の搭載方法
JP2005109088A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2004289017A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2008078164A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP4589743B2 (ja) 半導体装置
JP5167856B2 (ja) 半導体素子の実装構造
JP4652428B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2005116881A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2005217082A (ja) 半導体実装体
JP2009158825A (ja) 半導体装置
JP2007234683A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2007201251A (ja) 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2009170617A (ja) 半導体装置
JP2006108130A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20090179326A1 (en) Semiconductor device package

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080424

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101207