JP2013038359A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013038359A JP2013038359A JP2011175636A JP2011175636A JP2013038359A JP 2013038359 A JP2013038359 A JP 2013038359A JP 2011175636 A JP2011175636 A JP 2011175636A JP 2011175636 A JP2011175636 A JP 2011175636A JP 2013038359 A JP2013038359 A JP 2013038359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- electrode plate
- semiconductor element
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/38—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of a plurality of strap connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/4005—Shape
- H01L2224/4009—Loop shape
- H01L2224/40095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/41—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of a plurality of strap connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/41—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of a plurality of strap connectors
- H01L2224/4101—Structure
- H01L2224/4103—Connectors having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板2の一方面側に複数の導電路が設けられており、また、基板2とは反対側に配置される複数の表面側電極を備えた半導体素子4が基板2上にベアチップ構造で実装されている。更に、半導体素子4の複数の表面側電極と基板2上の各導電路とを電気的に接続するガルウィング形状に屈曲された電極板10a及び電極板10bと、電極板10a及び電極板10bを基板2とは反対側から保持する絶縁性の保持部材20とが設けられている。そして、保持部材20は、各電極板10a、10b上に跨るように配置されると共に、少なくとも各電極板10a、10b側の面が各電極板の形状に対応する所定形状で構成されて各電極板に固定されており、且つ各電極板における基板2とは反対側の面を被覆するように構成されている。
【選択図】図1
Description
このように、複数の電極板により、半導体素子の表面側電極と基板の一方面側に設けられる導電路とを電気的に接続することができるので、ボンディング用ワイヤやパッドなどを効果的に削減することができる。
このように、板状の電極板によって表面側電極を覆い、この電極板に対して保持部材を固定して被覆する構造を用いているため、半導体素子の表面側電極やこれを接続する部材(電極板)を簡易な構造で効果的かつ安定的に保護することができる。従って、シリコーンゲルなどの保護膜を抑制ないし省略しても、安定的な保護が図られることになり、製造コストを効果的に低減することができる。
この構成によれば、各材料の線熱膨張係数差などによって生じる熱応力(特に基板からの応力)を、ガルウィング形状に屈曲された電極板の各部で分散させることができ、効果的に緩和することができる。
この構成によれば、例えば、平板状の金属板から複数の電極板を形成する場合(例えば、打ち抜き等の金属加工によって形成する場合など)、無駄となる部分が少なく取り数が多くなり、コストを抑えることができる。また、実装領域を比較的小さくすることができ、省スペース化を図ることができる。
この構成によれば、複数の電極板を平行に配置する場合に比べて、電極板間隔を広く取り易くなるため、隣り合う電極板同士が接触してしまうのを防止でき、各電極間の絶縁性をより確実に維持することができる。
以下、本発明の第1実施形態について、詳細に説明する。
図1(A)は、第1実施形態に係る半導体装置の平面図であり、図1(B)は、図1(A)の半導体装置の正面図である。
基板2は、例えば、プリント基板などから構成されており、当該基板2の一方面2a側には複数の導電路(いわゆる配線パターン)(図示略)が形成されている。そして、半導体素子4は、例えばMOSFETなどから構成されており、当該半導体素子4の外面に露出する構成で、ソース電極やゲート電極、ドレイン電極等(図示略)を備えている。なお、図1において、ソース電極及びゲート電極は、基板2とは反対側に配置されており、「表面側電極」に相当する。また、図1において、ドレイン電極は、基板2側(基板2と対向する側)に配置されている。
図2及び図3は、電極板と保持部材とを一体的に形成する工程を説明する説明図である。図4は、第1実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面説明図である。
まず、絶縁樹脂などからなる基板2の一方面側に、銅箔などの導電体からなるパターンを、印刷などの方法によって形成し導電路を形成する。次に、図4(A)に示すように、この導電路上に印刷などの方法によって、ペースト状のはんだを供給する。そして、はんだが供給された導電路上の所定位置に、電極板10cを配置するとともに、この電極板10c上に半導体装置1を配置する。なお、電極板10cは、上述した電極板10a、10bと同様に、一方の板面(半導体素子4と対向するように配置される側の板面)に、予めはんだめっきが施されている。
このように、電極板10a及び電極板10bにより、半導体素子4の表面側電極と基板2の一方面側に設けられる導電路とを電気的に接続することができるので、ボンディング用ワイヤやパッドなどを効果的に削減することができる。
このように、板状の各電極板10a、10bによって表面側電極を覆い、この電極板に対して保持部材20を固定して被覆する構造を用いているため、半導体素子4の表面側電極やこれを接続する部材(電極板)を簡易な構造で効果的かつ安定的に保護することができる。従って、シリコーンゲルなどの保護膜を抑制ないし省略しても、安定的な保護が図られることになり、製造コストを効果的に低減することができる。
一方、保持部材20を比較的安価であって加工がし易い熱可塑性樹脂によって構成すれば、製造コストを抑えることができる。
この構成によれば、各材料の線熱膨張係数差などによって生じる熱応力(特に基板2からの応力)を、ガルウィング形状に屈曲された電極板の各部で分散させることができ、効果的に緩和することができる。
そして、この構成によれば、例えば、平板状の金属板から複数の電極板を形成する場合(例えば、打ち抜き等の金属加工によって形成する場合など)、無駄となる部分が少なく取り数が多くなり、コストを抑えることができる。また、実装領域を比較的小さくすることができ、省スペース化を図ることができる。
そして、この構成によれば、複数の電極板を平行に配置する場合に比べて、電極板間隔を広く取り易くなるため、隣り合う電極板同士が接触してしまうのを防止でき、各電極間の絶縁性をより確実に維持することができる。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
2…基板
2a…一方面
4…半導体素子
10a〜10c、110a〜110e、210a〜210g…電極板
20…保持部材
30…一体部品
31…銅板
32…タイバー
33…連結部材
40…はんだ
42…モールド樹脂
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の一方面側に設けられる複数の導電路と、
前記基板とは反対側に配置される複数の表面側電極を備え、前記基板にベアチップ構造で実装される半導体素子と、
前記半導体素子の複数の前記表面側電極と前記基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板と、
複数の前記電極板を前記基板とは反対側から保持する絶縁性の保持部材と、
を備え、
前記電極板は、前記半導体素子側を基端側として前記半導体素子の外側に延び、且つ一方の板面における基端側の部分が前記半導体素子の前記表面側電極に接続されると共に先端側の部分が前記導電路に接続されており、
前記保持部材は、複数の前記電極板上に跨るように配置されると共に、少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状で構成されて各電極板に固定されており、且つ各電極板における前記基板とは反対側の面を被覆するように構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記保持部材は、熱硬化性樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記保持部材は、熱可塑性樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記電極板は、前記半導体素子の前記表面側電極から当該半導体素子の外側に延びると共に前記表面側電極から離れた所定位置から前記基板側へ折り曲げられ、更に先端側が前記基板の一方面に沿って折り曲げられたガルウィング形状で形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記複数の電極板はいずれも、前記半導体素子において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 複数の前記電極板の一部をなすいずれか1又は複数が、前記半導体素子において互いに対向する一対の側部の少なくとも一方側から、これら側部の対向方向に沿って外側に延びており、
複数の前記電極板の他部をなすいずれか1又は複数が、前記基板の板面と平行な方向であって且つ前記対向方向と直交する方向に沿って延びていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記保持部材は、複数の前記電極板間の隙間に充填されていることを特徴とすることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 基板の一方面側に複数の導電路を形成する工程と、
複数の表面側電極を備えた半導体素子を前記基板の一方面側にベアチップ構造で実装する工程と、
前記半導体素子の複数の前記表面側電極と前記基板上の各導電路とを電気的に接続する複数の電極板を形成する工程と、
少なくとも各電極板側の面が各電極板の形状に対応する所定形状となるように、各電極板に保持する絶縁性の保持部材を形成する工程と、
前記半導体素子側を基端側として前記半導体素子の外側に延びるように各電極板を配置し、且つ各電極板の一方の板面における基端側の部分を前記半導体素子の前記表面側電極に接続し先端側の部分を前記導電路に接続するように各電極板を固定する工程と、
複数の前記電極板上に跨るように前記保持部材を配置すると共に、各電極板における前記基板とは反対側の面を被覆するように前記保持部材を各電極板に固定する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電路上及び前表面側電極上にはんだを供給する工程と、
前記はんだを一括リフローする工程と、を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011175636A JP5708359B2 (ja) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011175636A JP5708359B2 (ja) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013038359A true JP2013038359A (ja) | 2013-02-21 |
JP5708359B2 JP5708359B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=47887647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011175636A Expired - Fee Related JP5708359B2 (ja) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5708359B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015050340A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 株式会社ジェイテクト | 半導体装置 |
JP2018022777A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体モジュール |
EP3633715A1 (en) * | 2018-10-02 | 2020-04-08 | Infineon Technologies Austria AG | Multi-clip structure for die bonding |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344652A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Toshiba Components Co Ltd | 半導体装置及び半導体素子の搭載方法 |
JP2009158824A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010123680A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Toshiba Corp | 半導体装置、接続導体及び半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-08-11 JP JP2011175636A patent/JP5708359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344652A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Toshiba Components Co Ltd | 半導体装置及び半導体素子の搭載方法 |
JP2009158824A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010123680A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Toshiba Corp | 半導体装置、接続導体及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015050340A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 株式会社ジェイテクト | 半導体装置 |
JP2018022777A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体モジュール |
EP3496141A4 (en) * | 2016-08-03 | 2019-07-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | SEMICONDUCTOR MODULE |
US10770400B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-09-08 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor module |
EP3633715A1 (en) * | 2018-10-02 | 2020-04-08 | Infineon Technologies Austria AG | Multi-clip structure for die bonding |
US11189592B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-11-30 | Infineon Technologies Austria Ag | Multi-clip structure for die bonding |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5708359B2 (ja) | 2015-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101505551B1 (ko) | 온도 감지소자가 장착된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그제조방법 | |
JP4828164B2 (ja) | インタポーザおよび半導体装置 | |
US8916958B2 (en) | Semiconductor package with multiple chips and substrate in metal cap | |
US9105598B2 (en) | Package/heatsink system for electronic device | |
US20140029201A1 (en) | Power package module and manufacturing method thereof | |
JP2008091714A (ja) | 半導体装置 | |
JP6218898B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
KR19990072580A (ko) | 반도체장치,반도체장치용기판및이들의제조방법및전자기기 | |
US8817475B2 (en) | System with shared heatsink | |
WO2014115561A1 (ja) | 半導体装置 | |
US9466542B2 (en) | Semiconductor device | |
JP7158392B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP6226068B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015056638A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20120306064A1 (en) | Chip package | |
JP5708359B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005142189A (ja) | 半導体装置 | |
CN108292642B (zh) | 电力用半导体装置 | |
US7310224B2 (en) | Electronic apparatus with thermal module | |
KR100598652B1 (ko) | 반도체장치 | |
US8471370B2 (en) | Semiconductor element with semiconductor die and lead frames | |
JP5998033B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
ITMI20110276A1 (it) | Dispositivo elettronico per applicazioni ad elevata potenza | |
TW201712840A (zh) | 半導體封裝結構 | |
JP4994883B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131018 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140624 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5708359 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |