JP7177326B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置及び発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7177326B2
JP7177326B2 JP2017006210A JP2017006210A JP7177326B2 JP 7177326 B2 JP7177326 B2 JP 7177326B2 JP 2017006210 A JP2017006210 A JP 2017006210A JP 2017006210 A JP2017006210 A JP 2017006210A JP 7177326 B2 JP7177326 B2 JP 7177326B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting element
emitting device
translucent member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017006210A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017139456A (ja
Inventor
勇樹 塩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to US15/417,816 priority Critical patent/US10211378B2/en
Publication of JP2017139456A publication Critical patent/JP2017139456A/ja
Priority to US16/237,293 priority patent/US10720556B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7177326B2 publication Critical patent/JP7177326B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

本開示は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
例えば、特許文献１には、発光素子と、前記発光素子からの発光の一部を異なる波長に変換するよう発光素子の周囲に配置された蛍光物質とを備える発光装置の製造方法であって、前記発光素子を載置する台座上に、所定の大きさに開口された開口領域を有する枠体を、発光素子を配置すべき位置が前記開口領域に含まれるように形成する工程と、前記発光素子の周囲に略一定の大きさの空隙が形成されるように、前記開口領域の略中心に前記発光素子を載置する工程と、前記発光素子と開口領域の側壁との間に形成された空隙に、前記蛍光物質を含有する硬化性組成物を充填して前記発光素子を被覆する工程と、を有する発光装置の製造方法が開示されている（請求項１参照）。
特開２００６－４９５２４号公報
本開示に係る実施形態は、配光色度ムラを調整する発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、基台と、前記基台上に設けられる発光素子と、前記発光素子と離間し、前記発光素子を挟んで前記基台上に配置される一または二以上の透光性部材と、前記透光性部材で挟まれた領域内に配置された前記発光素子を覆うとともに、前記透光性部材の上面の少なくとも一部及び前記透光性部材の内側面を覆う、蛍光体を含有する封止部材と、を備える。
また、本開示の実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子と離間し、前記発光素子を挟んで配置される一または二以上の透光性部材と、前記透光性部材で挟まれた領域内に設置された前記発光素子の一部を覆うとともに、前記透光性部材の上面の少なくとも一部及び前記透光性部材の内側面を覆う、蛍光体を含有する封止部材と、を備える。
また、本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、基台上に発光素子を設ける工程と、前記発光素子と離間して前記発光素子を囲むように前記基台上に透光性を有する一または二以上の透光性部材を設ける工程と、前記基台、前記透光性部材、及び、前記発光素子を、蛍光体を含有する封止部材で覆う工程と、前記透光性部材を設けた位置に沿って前記基台、前記透光性部材、及び前記封止部材を切断する工程と、を有する。
また、本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、基台上に発光素子を設ける工程と、前記発光素子と離間して前記発光素子を囲むように前記基台上に透光性を有する一または二以上の透光性部材を設ける工程と、前記基台、前記透光性部材、及び、前記発光素子を、蛍光体を含有する封止部材で覆う工程と、前記基台を前記発光素子から除去する工程と、前記透光性部材を設けた位置に沿って、前記透光性部材、及び前記封止部材を切断する工程と、を有する。
本開示の実施形態に係る発光装置及び発光装置の製造方法によれば、配光色度ムラを調整することができる。
第１実施形態に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における概略断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の構成を示す概略斜視断面図であり、図１ＡのＩＣ－ＩＣ線における概略断面を示す。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における基台準備工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における配線工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における封止部材形成工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す概略断面図である。 第１実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。 第１実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における概略断面を示す。 シミュレーション対象の発光装置のパラメータ構成を説明する概略平面図である。 シミュレーション対象の発光装置のパラメータ構成を説明する概略断面図であり、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における概略断面を示す。 透光性部材の幅が異なる各発光装置における方位角度と配光色度との関係を示すグラフである。 第２実施形態に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における概略断面を示す。 第２実施形態に係る発光装置の構成を示す他の概略断面図であり、図７ＡのＶＩＩＣ－ＶＩＩＣ線における概略断面を示す。 第３実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図である。 第３実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す概略断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。 第４実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図１ＡのＸＢ－ＸＢ線における概略断面を示す。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法における基台準備工程を示す概略断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子固定工程を示す概略断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す概略断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法における封止部材形成工程を示す概略断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法における基台除去工程を示す概略断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す概略断面図である。
以下、実施形態に係る発光装置及び発光装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。
凹形状のパッケージと、凹形状の底面に配置され青色光を放射する発光素子と、凹形状に配置され樹脂中に含有され青色光を吸収して黄色光を放射する蛍光体層と、を用いて擬似白色光を放射する発光装置がある。
ここで、発光素子から蛍光体層の外面まで長さ（光路長）が長いほど、発光素子から放射された青色光が蛍光体層の外面から放射されるまでの間に蛍光体で吸収される割合が多くなる。換言すれば発光装置から黄色光が放射される割合が高くなる。このため、蛍光体層の光路長が長いほど黄色味を帯びた放射光となる。
また、凹形状の底面に配置された発光素子に、蛍光体を含有する樹脂をポッティングにして、発光素子を封止するように蛍光体層を形成する場合、一般的に蛍光体のほうが樹脂よりも比重が大きいため、樹脂が硬化する前に蛍光体が緩やかに沈下し、硬化後の蛍光体層においては上側よりも下側のほうが蛍光体の存在比が高くなる。
このため、幅方向に対して高さ方向が短い薄型形状の発光装置においては、発光装置の上面中央付近から放射される放射光と比較して、側面及び側面近傍から放射される放射光は黄色味を帯びた放射光となり、配光色度ムラが発生する。
また、凹形状の底面に発光素子を載置する際、発光素子を保持するコレットが凹形状のパッケージにぶつからないようにするため、凹形状の側面間の距離が大きくなっている。
また、凹形状内に配置された電極と発光素子とをワイヤ接続する際、ワイヤボンディング用のボンダーが凹形状のパッケージにぶつからないようにするため、凹形状の側面間の距離が大きくなっている。凹形状の側面間の距離が大きくなるに従い、上記のような配光色度ムラが発生しやすくなる。
実施形態に係る発光装置の製造方法は、配光色度を調整することができる。また、配光色度を調整した発光装置を提供することができる。
＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
第１実施形態に係る発光装置の構成について、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。図１Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における概略断面を示す。図１Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す概略斜視断面図であり、図１ＡのＩＣ－ＩＣ線における概略断面を示す。なお、図１Ａにおいて、蛍光体５を含有する封止部材４の下方に配置される部材は、当該封止部材４及び蛍光体５を透視して記載している。
第１実施形態に係る発光装置１００は、全体の形状が略直方体であって、基台１と、基台１上に設けられる発光素子２と、発光素子２と離間して基台１上に配置される透光性部材３と、透光性部材３上及び発光素子２を封止して蛍光体５を含有する封止部材４と、を主として備えて構成されている。
基台１は、支持部材１１と、第１電極１２１及び第２電極１２２からなる電極１２と、を備えて構成され、平板状に形成されている。
支持部材１１は、電極１２の２つの部材である第１電極１２１及び第２電極１２２を所定の配置で支持する部材である。支持部材１１は、絶縁性の樹脂材料を用いて形成することができる。支持部材１１に用いられる樹脂材料としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。具体的には、ＥＭＣ（epoxy molding compound）を好適に用いることができる。
電極１２は、第１電極１２１及び第２電極１２２からなり、ＣｕまたはＣｕ系合金などの板金を打ち抜き加工することで形成することができる。なお、第１電極１２１及び第２電極１２２の表面がＡｇメッキされていてもよい。ちなみに、第１電極１２１と第２電極１２２とは、支持部材１１により絶縁されている。
第１電極１２１は、基台１の中央部を含んで設けられ、発光素子２を接合（ダイボンド）するための領域として用いられる。発光素子２を第１電極１２１に接合することにより、発光素子２が発生する熱が第１電極１２１を介して外部に伝達する経路とすることができる。
発光素子２の一方の極性の電極と第１電極１２１の上面とは、ワイヤ６を介して電気的に接続される。また、発光素子２の他方の極性の電極と第２電極１２２の上面とは、他のワイヤ６を介して電気的に接続される。なお、第１電極１２１及び第２電極１２２は、下面が支持部材１１から露出している。
発光素子２は、窒化物半導体を利用した高輝度青色光を放射する発光ダイオード（light emitting diode：ＬＥＤ）であり、正負の電極が上面（基台１と接合される面とは反対の面）側に配置されたフェイスアップ実装型の発光素子である。発光素子２の電極は、ワイヤ６を介して第１電極１２１及び第２電極１２２と電気的に接続されている。
透光性部材３は、水平方向（透光性部材３の長手方向に垂直な面で断面視した際の左右方向）における封止部材４の光路長を短くするために設けられている。封止部材４の光路長とは、発光素子２から略水平方向に放射された光が発光装置１００の側面にぬける光路において、封止部材４中を通る長さをいう。透光性部材３は、発光素子２からの光の少なくとも５０％（好ましくは７０％）を透過するものであり、基台１上に配置されている。
透光性部材３は、一または二以上からなる。平面視において透光性部材３は四角形状、六角形状等の多角形状、枠状、環状などのように連続して形成されているものの他、線状、棒状、一部折れ曲がったり湾曲したりしている形状のように二以上から構成されるものも含まれる。
基台１上には発光素子２も設けられているが、発光素子２と透光性部材３とは、離れて配置されている。第１実施形態に係る発光装置１００では、透光性部材３は、長手方向に垂直な面で断面視した際、発光素子２を挟むように配置されている。ここで、透光性部材３が発光素子２を挟むとは、所定の方向に延びる１組の透光性部材に対して、発光素子２がその間に位置することである。また、透光性部材３は、平面視した際、発光素子２の全周を囲むように配置されている。換言すれば、透光性部材３は４つの側部をもつ枠状の構造を有しており、４つの側部のうちの２つの側部が所定の方向に延びる第１の１組の対向部となり、他の２つの側部が前記所定の方向に垂直に延びる第２の１組の対向部となっている。そして発光素子２は、第１の１組の対向部で挟まれ、更に第２の１組の対向部で挟まれることにより、全周が囲まれている。
透光性部材３の４つの側部はそれぞれ内側面３１を有している。内側面３１は、側部の側面のうち発光素子２の側（後述する封止部材４と接する面の側）であり、側部の長手方向に垂直な面で断面視した際、封止部材４に向かって凸となる円弧状または湾曲して形成されている。また、透光性部材３の４つの側部のそれぞれは、当該側部の長手方向に垂直な面で断面視した際、下側（基台１の側）ほど水平方向の幅が広くなり、上側（基台１から離れた側）ほど水平方向の幅が狭くなるように構成されている。
一方、透光性部材３の外側面３２は、透光性部材３の側面のうち発光素子２とは反対側であり、発光装置１００の側面（垂直面）の一部として外に露出して形成されている。なお、露出するとは、透光性部材３の外側面３２と外気の間が封止部材４で覆われていないことを示し、透光性部材３の外側面３２の表面に水分の侵入を抑制するコーティング（例えば、シリカコート）が施されている場合も、露出に含めるものとする。
透光性部材３に用いられる材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの良好な透光性を有する熱硬化性樹脂や、透光性を有するガラスを挙げることができる。具体的には、シリコーン樹脂を好適に用いることができる。
なお、透光性部材３は、光拡散材を含有していてもよい。また、透光性部材３が光拡散材を含有する場合、１質量％以上２０質量％以下で光拡散材が含有されていることが望ましい。１質量％未満では好適な光拡散性を得ることができず、２０質量％より大きくなると、透光性部材３の透過率が低下するため好ましくない。このため、１質量％以上２０質量％以下とすることが好ましく、２質量%以上１０質量%以下とすることがより好ましく、２質量%以上５質量%以下とすることがさらに好ましい。
封止部材４は、発光素子２などを、外力、埃、水分などから保護するとともに、発光素子２などの耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。封止部材４は、発光素子２からの光の少なくとも５０％（好ましくは７０％）を透過するものであり、透光性部材３の内側面３１、発光素子２、及び、透光性部材３と発光素子２との間の基台１の上面を覆うように設けられる。即ち、第１実施形態に係る発光装置１００の上面は、封止部材４が露出している。また、発光装置１００の側面（垂直面）は、下側で透光性部材３の側面が露出し、上側で封止部材４の側面が露出し、透光性部材３の側面と封止部材４の側面とが同一面に形成されている。なお、封止部材４と外気が触れる表面に水分の侵入を抑制するコーティング（例えば、シリカコート）が施されている場合も、露出に含めるものとする。
封止部材４に用いられる材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの良好な透光性を有する熱硬化性樹脂や、透光性を有するガラスを挙げることができる。封止部材４としてシリコーン樹脂を好適に用いることができる。シリコーン樹脂として、フェニルレジン、フェニルゴム、変性シリコーン、フロロゴム、メチルゴム、フェニルゲルなども用いることができる。また、シリコーン樹脂として、屈折率１．４５～１．６０のフェニルシリコーン、屈折率１．４０～１．５０のメチルフェニルシリコーン、屈折率１．３５～１．５０のメチルシリコーンなども好適に使用することができる。なお、透光性部材３の材料と、封止部材４の材料は、同じ材料を用いてもよく、異なる材料を用いてもよい。透光性部材３の材料と封止部材４の材料に同じ材料を用いることにより、透光性部材３と封止部材４の境界（内側面３１）における光の屈折を防止することができるので都合がよい。一方、透光性部材３の材料と封止部材４の材料に異なる材料を用いることにより、透光性部材３と封止部材４の境界（内側面３１）で光を屈折させて、例えば所望の方向の照度分布が高くなるようにすることができるので都合がよい。
また、封止部材４は蛍光体５を含有しており、蛍光体５は封止部材４中に分散されている。封止部材４は、蛍光体５の粒子を含有させることで、発光装置１００の色調調整を容易にすることができる。なお、蛍光体５としては、封止部材４の材料よりも比重が大きく、発光素子２からの光を吸収し、波長変換するものを用いることができる。蛍光体５は、封止部材４の材料よりも比重が大きいと、蛍光体５を沈降させて、発光素子２の表面の近傍に配置することができる。
封止部材４に含有される蛍光体５としては、例えば、Ｙ3Ａｌ5Ｏ１2：Ｃｅ（ＹＡＧ）やシリケートなどの黄色蛍光体、あるいは、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ（ＣＡＳＮ）や（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ（ＳＣＡＳＮ）、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ（ＫＳＦ）などの赤色蛍光体、を挙げることができる。
ワイヤ６は、発光素子２の電極と基台１の電極１２とを電気的に接続する。なお、発光素子２の電極とワイヤ６の一端の接合点は、封止部材４で覆われている。また、電極１２とワイヤ６の一端の接合点は、封止部材４で覆われている。
以上のように構成されている発光装置１００は、発光素子２が放射した光を封止部材４に含有する蛍光体５で波長変換して、発光装置１００の上面及び側面から放射する。そして、発光装置１００は、透光性部材３を備えることにより、配光色度ムラを調整することができる。
［発光装置の製造方法］
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図２から図３Ｆを参照して説明する。図２は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図３Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における基台準備工程を示す概略断面図である。図３Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す概略断面図である。図３Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における配線工程を示す概略断面図である。図３Ｄは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す概略断面図である。図３Ｅは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における封止部材形成工程を示す概略断面図である。図３Ｆは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す概略断面図である。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、基台準備工程Ｓ１１と、発光素子実装工程Ｓ１２と、配線工程Ｓ１３と、透光性部材形成工程Ｓ１４と、封止部材形成工程Ｓ１５と、個片化工程Ｓ１６と、が含まれている。
なお、本実施形態に係る発光装置の製造方法は、基台準備工程Ｓ１１から封止部材形成工程Ｓ１５までは、複数の基台１が連続的に形成された連結基台１０の状態で用いられ、各基台１に対応する発光装置１００が製造された後に、個片化工程Ｓ１６において発光装置１００が個片化されるが、１個のみ又は個片化された基台１を用いて発光装置１００を製造するようにしてもよい。
基台準備工程Ｓ１１は、発光素子２等が配置されていない複数の基台１が連結された連結基台１０を準備する工程である。連結基台１０（基台１）は、板金を打ち抜き加工することで、第１電極１２１及び第２電極１２２が形成されたリードフレームを形成し、当該リードフレームを支持部材１１の形状に対応したキャビティを有する上下金型で挟み込み、金型のキャビティ内に樹脂を注入して樹脂成形することで形成することができる。なお、連結基台１０（基台１）は、樹脂パッケージであるが、セラミックスの原材料であるグリーンシートを積層して焼成することでセラミックスパッケージを形成するようにしてもよく、セラミックスや樹脂などからなる平板状の基体上に、金属箔の貼付やメッキによって導電膜を形成し、エッチングなどによって配線パターンを形成した基板であってもよい。また、購入することで連結基台１０（基台１）を準備するようにしてもよい。
発光素子実装工程Ｓ１２は、コレットなどを用いて発光素子２をピックアップして所定の位置に配置し、発光素子２が配置された連結基台１０（基台１）にリフロー炉などを用いて加熱処理を施すことで、発光素子２を連結基台１０（基台１）に接合する工程である。
配線工程Ｓ１３は、ワイヤ６を用いて、発光素子２の端子と、基台１の外部接続用電極である第１電極１２１及び第２電極１２２と、を電気的に接続する工程である。ワイヤ６は、ワイヤボンディング用のボンダーを用いて配線することができる。
透光性部材形成工程Ｓ１４は、ディスペンサーを用いて、連結基台１０（基台１）上に硬化性組成物を供給して、その後に硬化性組成物を硬化させ、透光性部材３の元となる透光性部材基礎体３０を形成する工程である。透光性部材基礎体３０は、基台１の境界１ｓに沿って、各発光素子２を格子状に囲むように設けられる。なお、ディスペンサーは、連結基台１０（基台１）の上面の境界１ｓに沿って硬化性組成物を格子状にライン塗布等することにより透光性部材基礎体３０を設ける。また、透光性部材基礎体３０の硬化性組成物は、予め硬さが設定され、ディスペンサーからライン塗布された状態で硬化することで、湾曲した形状となる。この透光性部材基礎体３０は行列の一方のみの行または列をライン塗布してもよい。
封止部材形成工程Ｓ１５は、ディスペンサーを用いて、発光素子２の上面及び側面、透光性部材基礎体３０の上面及び側面、発光素子２と透光性部材基礎体３０の間の連結基台１０（基台１）の上面に、蛍光体５を含む硬化性組成物を供給して、その後に硬化性組成物を硬化させ、封止部材４の元となる封止部材基礎体４０を形成する工程である。ここで、封止部材基礎体４０は、透光性部材基礎体３０よりも高くする。これにより、蛍光体５を含む硬化性組成物を供給する際、格子状の透光性部材基礎体３０を越えて供給されるので、生産性が向上する。
個片化工程Ｓ１６は、互いに連結して形成された発光装置１００を個片化（ダイシング）する工程である。発光装置１００の個片化は、基台１の境界１ｓに沿って、カッターなどを用いて切断することで行うことができる。換言すれば、透光性部材基礎体３０が配置された位置に沿って切断することにより個片化される。以上のように各工程を行うことによって、発光装置１００を製造することができる。
これにより、発光素子２と透光性部材３との距離を近くすることができる。つまり、発光素子実装工程Ｓ１２や配線工程Ｓ１３後に、透光性部材形成工程Ｓ１４を行うことで、発光素子２と透光性部材３との距離、ワイヤ６と透光性部材３との距離を近くすることができる。発光素子２と透光性部材３との距離を近くすることで、発光素子２の水平方向に配置される蛍光体５の量を調整することができ、配光色度ムラを調整することができる。
以上、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について説明したが、これに限定されるものではなく、説明した各工程の前や後に他の工程が含まれていてもよい。
また、透光性部材形成工程Ｓ１４において、ワイヤ６と電極１２（１２１，１２２）との接合点を含まないように透光性部材基礎体３０を形成し、ワイヤ６と電極１２（１２１，１２２）との接合点が封止部材４中に形成される（図１Ａ及び図１Ｂ参照）ものとして説明したが、これに限られるものではない。
図４Ａは、第１実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。図４Ｂは、第１実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における概略断面を示す。なお、図４Ａにおいて、蛍光体５を含有する封止部材４の下方に配置される部材は、当該封止部材４及び蛍光体５を透視して記載している。
透光性部材形成工程Ｓ１４において、ワイヤ６と電極１２（１２１，１２２）との接合点を含むように透光性部材基礎体３０を形成し、ワイヤ６と電極１２（１２１，１２２）との接合点が透光性部材３中に形成される（図４Ａ及び図４Ｂ参照）構成であってもよい。
このように、配線工程Ｓ１３の後に、透光性部材形成工程Ｓ１４においてディスペンサーを用いて、連結基台１０（基台１）上に硬化性組成物を供給して、透光性部材３の元となる透光性部材基礎体３０を形成することにより、透光性部材３の４つの側部それぞれについて長手方向に垂直な面で断面視した際の幅を広くすることができる。換言すれば、発光素子２の側面と、当該側面に対向する透光性部材３の側部の内側面３１との距離を、図１Ａ及び図１Ｂに示す構成よりも、より短くすることができる。さらに換言すれば、水平方向における封止部材４の光路長を、より短くすることができる。
［作用効果］
＜光学シミュレーション＞
第１実施形態（及び第１実施形態の変形例）に係る発光装置１００の作用効果を説明するためシミュレーションを行った。
図５Ａは、シミュレーション対象の発光装置のパラメータ構成を説明する概略平面図である。図５Ｂは、シミュレーション対象の発光装置のパラメータ構成を説明する概略断面図であり、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における概略断面を示す。なお、図５Ａにおいて、蛍光体５を含有する封止部材４の下方に配置される部材は、当該封止部材４及び蛍光体５を透視して記載している。図６は、透光性部材の幅Ｗ３が異なる各発光装置における方位角度θと配光色度（色度座標ｘ）との関係を示すグラフである。ここで、図６に示すグラフの横軸は方位角度θ（±８５°の範囲）を示し、縦軸は配光色度（色度座標ｘ）を示す。なお、方位角度θは、発光素子２の光軸を基準（θ＝０°）とする。また、ここでは色度として色度座標ｘについてのみ示すが、他の値（色度座標ｙ、Ｙ値等）についても同様であり省略する。
ここで、シミュレーションの各パラメータについて説明する。シミュレーション対象の発光装置１００は、平面視した際、発光装置１００及び発光素子２が正方形であるものとし、発光装置１００の１辺の幅（換言すれば、基台１の幅）Ｗ1＝３０００［μｍ］とし、発光素子２の１辺の幅Ｗ2＝６５０［μｍ］とし、基台１の中央に発光素子２が位置するものとした。
また、シミュレーション対象の発光装置１００は、断面視した際、基台１の厚さｔ1＝２００［μｍ］とし、発光素子２の厚さｔ2＝１５０［μｍ］とし、透光性部材３の厚さ（外側面３２における高さ、発光装置１００の側面において透光性部材３が露出している高さで定義する。）ｔ3＝３００［μｍ］とし、封止部材４は基台１の上面の一部を覆い、その厚さ（基台１の上面から封止部材４の上面までの高さで定義する。）をｔ4＝４５０［μｍ］とした。
そして、透光性部材３の４つの部分のそれぞれの幅（側部の長手方向に垂直な面で断面視した際、基台１と透光性部材３が接する幅で定義する。）Ｗ3を、０，３００，５００，７００［μｍ］とパラメータ変化させながらシミュレーションを行った。なお、Ｗ3＝０［μｍ］は、透光性部材３を備えず封止部材４で封止した発光装置の構成に相当する。また、発光素子２と透光性部材３との距離（発光素子２の側面と、当該側面に対向する透光性部材３の内側面３１との最小距離で定義する。）をＷ23（＝Ｗ1／２－Ｗ2／２－Ｗ3＝１１７５－Ｗ３）とする。
なお、図５Ｂに示すように、透光性部材３の側部の内側面３１の断面形状は、ｔ3を第１半径、Ｗ3を第２半径とする楕円の１／４楕円弧であるものとした。また、発光素子２は、波長４５０ｎｍの単一波長光源とした。また、透光性部材３の材料はフェニルシリコーンを用いるものとし、封止部材４の材料はフェニルシリコーンに蛍光体５としてＹ3Ａｌ5Ｏ１2：Ｃｅ（ＹＡＧ）を分散させたものを用いるものとした。また、各発光装置１００は、方位角度θ＝±６０°における配光色度（色度座標ｘ）が約０．３４５となるように封止部材中の蛍光体の粒子数を調整した。
ちなみに、青色光と黄色光からなる擬似白色光においては、黄色光の割合が増加するほど色度座標ｘが上昇する。また、方位角度θの変化に対して色度（色度座標ｘ）の変化が小さいほど、換言すれば、色度（色度座標ｘ）の最大値と最小値の差が小さいほど、配光色度ムラの少ない発光装置１００であるといえる。
シミュレーションの結果、透光性部材３を備えない発光装置の構成（Ｗ3＝０［μｍ］）では、色度座標ｘの最大値と最小値の差が０．０６（＝０．３８－０．３２）であった。これに対し、幅Ｗ3＝３００［μｍ］の透光性部材３を備える発光装置の構成では、色度座標ｘの最大値と最小値の差が０．０５（＝０．３７－０．３２）であった。幅Ｗ3＝５００［μｍ］の透光性部材３を備える発光装置の構成では、色度座標ｘの最大値と最小値の差が０．０４（＝０．３６－０．３２）であった。幅Ｗ3＝７００［μｍ］の透光性部材３を備える発光装置の構成では、色度座標ｘの最大値と最小値の差が０．０２（＝０．３５－０．３３）であった。このように、透光性部材３の幅Ｗ3が大きくなるに従って、換言すれば、発光素子２と透光性部材３との距離Ｗ23が近づくに従って色度の差が小さくなるという結果が得られた。
以上のように、第１実施形態に係る発光装置１００は、透光性部材３を備えることにより、配光色度ムラを調整することができる。特に、透光性部材形成工程Ｓ１４に示すように、ワイヤ６の配線後に、ライン塗布等により硬化性組成物を基台１上に供給して透光性部材基礎体３０（透光性部材３）を形成するので、発光素子２と透光性部材３との距離Ｗ23を発光素子２の１辺の幅Ｗ2の３／４以下（より好適には１／４程度）とすることができ、より好適に色度ムラを調整することができる。
なお、透光性部材３の側部の長手方向に垂直な面での断面視において、透光性部材３の幅Ｗ3を５０μｍ以上とし、透光性部材３の高さ（厚さ）ｔ3を５０μｍ以上とすることが好ましい。これら未満の場合、配光色度ムラを調整する効果が十分に得られないためである。
また、封止部材４の厚さを発光素子２の上方に５０μｍ以上有する、即ち、（ｔ4－ｔ2）を５０μｍ以上にすることが好ましい。これら未満の場合、発光素子２などを、外力、埃、水分などから保護する十分な効果が得られないためである。
また、透光性部材３の直上の封止部材４の厚さ（ｔ4－ｔ3）は、３０μｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１ｍｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以上５００μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、透光性部材３の幅Ｗ３に対する透光性部材３の高さ（厚さ）ｔ3の比率は０．３以上、２．０以下であることが好ましい。このような構成により、調整後の配光色度が調整前の配光色度より悪化するのを防ぐことができる。
また、発光素子２の直上の封止部材４の厚み（ｔ4－ｔ2）に対する透光性部材３の側部の内側面３１から当該内側面に対向する発光素子２の側面までの距離Ｗ23の比率は、０．８以上２．０以下であることが好ましい。このような構成により、垂直方向に放射される光と、水平方向に放射される光とにおける封止部材４の光路長をおおよそ等しく、または垂直方向の光路長を長めにすることができ、配光色度の調整がより簡単になる。
また、発光素子２の高さ（厚さ）ｔ2に対する封止部材４の高さ（厚さ）ｔ4は、１．２以上、６．０以下であることが好ましい。このような構成により、垂直方向の光路長を長くすることで、透光性部材３のＷ3を小さくすることができるので、配光色度の調整がより簡単になる。
＜第２実施形態＞
［発光装置の構成］
第２実施形態に係る発光装置１００Ａの構成について、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは、第２実施形態に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。図７Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における概略断面を示す。図７Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の構成を示す他の概略断面図であり、図７ＡのＶＩＩＣ－ＶＩＩＣ線における概略断面を示す。なお、図７Ａにおいて、蛍光体５を含有する封止部材４の下方に配置される部材は、当該封止部材４及び蛍光体５を透視して記載している。
第１実施形態に係る発光装置１００は、発光素子２を囲むように透光性部材３の４つの側部が設けられている。これに対し、第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、２辺の透光性部材３Ａを備える構成である。具体的には、透光性部材形成工程Ｓ１４において、ライン塗布等により透光性部材基礎体３０を形成する際、格子状ではなく並行に透光性部材基礎体３０を形成する。即ち、第２実施形態に係る発光装置１００Ａでは、透光性部材３Ａは、所定の方向に延びる１組の透光性部材であり、当該所定方向に垂直な面で断面視した際、発光素子２を挟むように配置されている。この１組の透光性部材３Ａは第１実施形態に係る透光性部材３の１組の側部に相当する。このような構成によっても、透光性部材３Ａが延びる方向に垂直な面内での配光色度ムラを調整することができる。
＜第３実施形態＞
［発光装置の構成］
第３実施形態に係る発光装置１００Ｂ，１００Ｃの構成について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、第３実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図である。図９は、第３実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す概略断面図である。
第１実施形態に係る発光装置１００は、透光性部材３の側部の長手方向に垂直な面で断面視した際、当該側部の内側面３１が円弧状または湾曲して形成されている。同様に、第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、透光性部材３Ａの側部の長手方向に垂直な面で断面視した際、透光性部材３Ａの内側面３１が円弧状または湾曲して形成されている。これに対し、第３実施形態に係る発光装置１００Ｂは、第１実施形態と同様に４つの側部を有する透光性部材３Ｂを有するが、側部は平坦な内側面３１１及び平坦な上面３１２を有し、側部の長手方向に垂直な面で断面視した際、側部の内側面３１１，上面３１２は直線状であり、側部の断面は台形となっている。また、第３実施形態の変形例に係る発光装置１００Ｃでは、透光性部材３Ｃの４つの側部のそれぞれは平坦な内側面３１３を有し、側部の長手方向に垂直な面で断面視した際、側部の内側面３１３は発光装置１００Ｃの側面から延びる直線で形成され、透光性部材３Ｃの側部の断面が三角形をしている。具体的には、透光性部材形成工程Ｓ１４において、ライン塗布等により連結基台１０（基台１）上に硬化性組成物を供給して、硬化性組成物が硬化する前に、所定の形状となるように成形してもよく、硬化性組成物が硬化した後に、所定の形状となるように加工してもよい。これにより、配光色度ムラを調整することができる。
また、透光性部材３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃの材料（硬化性組成物）と、封止部材４の材料（硬化性組成物）とが異なる場合、透光性部材３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃと封止部材４の境界で光が屈折することとなるが、透光性部材３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃと封止部材４の境界の形状、即ち、透光性部材３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃの４つの側部の内側面を適宜設計することにより、光の屈折を制御して、所望の照度分布とすることができる。
また、透光性部材３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃの内側面の形状はこれらに限られるものではない。例えば、透光性部材３の内側面に溝を切ったり、凹凸をつけたりしてもよい。
＜第４実施形態＞
［発光装置の構成］
第４実施形態に係る発光装置２００の構成について、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａは、第４実施形態に係る発光装置の構成を示す概略平面図である。図１０Ｂは、第４実施形態に係る発光装置の構成を示す概略断面図であり、図１０ＡのＸＢ－ＸＢ線における概略断面を示す。なお、図１０Ａにおいて、蛍光体５を含有する封止部材４の下方に配置される部材は、当該封止部材４及び蛍光体５を透視して記載している。
第４実施形態に係る発光装置２００は、全体の形状が略直方体であって、発光素子２と、この発光素子２と離間させて隙間を設けて囲むように配置される透光性部材３と、透光性部材３上及び発光素子２を覆う封止部材４と、を主として備えて構成されている。
第４実施形態に係る発光装置２００の発光素子２は、窒化物半導体を利用した高輝度青色光を放射する発光ダイオードであり、正負の電極が底面（封止部材４で覆われる面とは反対の面）側に配置されたフェイスダウン実装型の発光素子である。発光素子２の電極に電源が接続されることで、発光素子２が発光するように構成されている。
透光性部材３は、発光素子２とは離れて配置されている。第４実施形態に係る発光装置２００では、透光性部材３は４つの側部をもつ枠状の構造を有しており、４つの側部のうちの２つの側部が所定の方向に延びる第１の１組の対向部を有し、他の２つの側部が前記所定の方向に垂直に延びる第２の１組の対向部を形成を有している。そして発光素子２は、前記第１の１組の対向部で挟まれ、更に前記第２の１組の対向部で挟まれることにより、全周が囲まれているが、第２実施形態に係る発光装置１００Ａのように２辺の透光性部材３Ａを備える構成であってもよい。透光性部材３の内側面３１は、断面視した際、封止部材４に向かって凸となる円弧状または湾曲して形成されているが、第３実施形態に係る発光装置１００Ｂ，１００Ｃのように直線で形成されていてもよい。
封止部材４は、透光性部材３の４つの側部の内側面３１及び発光素子２の上面及び側面を覆うように形成される。即ち、第４実施形態に係る発光装置２００の上面は、封止部材４が露出している。また、発光装置２００の側面（垂直面）は、下側で透光性部材３の側面が露出し、上側で封止部材４の側面が露出し、透光性部材３の側面と封止部材４の側面とが同一面に形成されている。また、発光装置２００の底面は、外周部で透光性部材３の底面が露出し、中心部で発光素子２の底面（電極が設けられた面）が露出し、その間の領域では封止部材４の底面が露出し、発光素子２の底面と透光性部材３の底面と封止部材４の底面とが同一面に形成されている。
その他の構成は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様であり、重複した説明を省略する。
［発光装置の製造方法］
次に、第４実施形態に係る発光装置２００の製造方法について、図１１から図１２Ｆを参照して説明する。図１１は、第４実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図１２Ａは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法における基台準備工程を示す概略断面図である。図１２Ｂは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子固定工程を示す概略断面図である。図１２Ｃは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す概略断面図である。図１２Ｄは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法における封止部材形成工程を示す概略断面図である。図１２Ｅは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法における基台除去工程を示す概略断面図である。図１２Ｆは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す概略断面図である。
第４実施形態に係る発光装置の製造方法は、基台準備工程Ｓ２１と、発光素子固定工程Ｓ２２と、透光性部材形成工程Ｓ２３と、封止部材形成工程Ｓ２４と、基台除去工程Ｓ２５と、個片化工程Ｓ２６と、が含まれている。
基台準備工程Ｓ２１は、発光素子２等が配置されていない基台１５を準備する工程である。基台１５は、後述する基台除去工程Ｓ２５において剥離による除去が容易なように、柔軟性のあるシート部材（例えばポリイミド）を用いる。また、シート部材の上面には、後述する発光素子固定工程Ｓ２２において発光素子２を固定するための粘着層が設けられている。
発光素子固定工程Ｓ２２は、コレットなどを用いて発光素子２をピックアップして基台１５の所定の位置に配置し、固定する工程である。なお、基台１５と発光素子２との固定は、基台１５の粘着層に紫外線を照射して硬化させることにより行う。
透光性部材形成工程Ｓ２３は、ディスペンサーを用いて、基台１５上に硬化性組成物を供給して、その後に硬化性組成物を硬化させ、透光性部材３の元となる透光性部材基礎体３０を形成する工程である。透光性部材基礎体３０は、基台１５上に、発光装置２００の境界１ｓに沿って、各発光素子２を格子状に囲むように形成される。なお、ディスペンサーは、基台１５の上面に発光装置２００の境界１ｓに沿って硬化性組成物を格子状にライン塗布等することにより透光性部材基礎体３０を形成する。
封止部材形成工程Ｓ２４は、ディスペンサーを用いて、発光素子２の上面及び側面、透光性部材基礎体３０の上面及び側面、及び基台１５の上面に蛍光体５を含む硬化性組成物を供給して、その後に硬化性組成物を硬化させ、封止部材４の元となる封止部材基礎体４０を形成する工程である。
基台除去工程Ｓ２５は、発光素子２、透光性部材基礎体３０、封止部材基礎体４０、及び基台１５からなる構造体から基台１５を除去（剥離）する工程である。
個片化工程Ｓ２６は、互いに連結して形成された発光装置２００を個片化（ダイシング）する工程である。発光装置２００の個片化は、境界１ｓに沿って、カッターなどを用いて切断することで行うことができる。換言すれば、透光性部材基礎体３０配置した位置に沿って切断することにより個片化される。以上のように各工程を行うことによって、発光装置２００を製造することができる。
以上のように、第４実施形態に係る発光装置２００は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様に、透光性部材３を備えることにより配光色度ムラを調整することができる。
なお、前記した第１、第３、第４実施形態においては、発光装置は、単一の透光性部材を有し、この透光性部材が４つの側部を有する枠状の構造とし、連続的に形成されているとして説明した。そして４つの側部のうちの２つの側部が所定の方向に延びる第１の１組の対向部となり、他の２つの側部が前記所定の方向に垂直に延びる第２の１組の対向部となり、発光素子がこれら２組の対向部によって囲まれているとして説明した。この場合、４つの側部は枠状の構造の中に連続的に形成されているとしたが、これら４つの側部はかならずしも連続的に形成されたものでなくてもよい。例えば、発光装置は、単一の透光性部材の代わりに、４つの透光性部材を有し、そのうちの２つが前記第１の１組の対向部に相当する第１の１組の透光性部材を構成し、他の２つが前記第２の１組の対向部に相当する第２の１組の透光性部材を構成し、これらの２組の透光性部材の端部同士を近接させて枠状の構造を構成し、発光素子の周りを囲むように設置する構成としてもよい。
より一般的にいえば、透光性部材の数は前記したものに限定されず、任意の数の透光性部材によって１つの１組の対向部または２つの１組の対向部を構成し、発光素子が前記１つの１組の対向部によって挟まれるかまたは前記２つの１組の対向部によって囲まれるように構成されていればよい。
さらに、前記した第１～第４実施形態において、封止部材は、透光性部材の上面及び内側面を覆う構成として説明したが、透光性部材の上面の一部を覆う構成としてもよい。すなわち、封止部材は、例えば、透光性部材の内側から外側に向かって透光性部材の上面の一部を覆い、覆った上面の外側となる外周縁を露出するように設けることとしてもよい。なお、封止部材では、蛍光体を沈降して使用する場合、透光性部材の一部を覆うようにするときには、透光性部材の上面を覆う位置の蛍光体が存在しなくなり、発光素子の側方の蛍光体を他の部分よりも減らし、発光装置の側方からでる黄色の光を抑制して配向色度ムラをより調整し易くすることができる。
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，２００ 発光装置
１ 基台
１５ 基台
１ｓ 境界
１０ 連結基台
１１ 支持部材
１２ 電極
１２１ 第１電極
１２２ 第２電極
２ 発光素子
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ 透光性部材
３０ 透光性部材基礎体
３１，３１１，３１２，３１３ 内側面
３２ 外側面
４ 封止部材
４０ 封止部材基礎体
５ 蛍光体
６ ワイヤ

Claims (20)

  1. 基台と、
    前記基台上に設けられる発光素子と、
    前記発光素子と離間し、前記発光素子を挟んで前記基台上に配置される一または二以上で実質的に蛍光体を含有していない透光性部材と、
    前記透光性部材で挟まれた領域内に配置された前記発光素子を覆うとともに、前記透光性部材の上面の少なくとも一部及び前記透光性部材の内側面を覆う、蛍光体を含有する封止部材と、を備える発光装置であって、
    前記発光装置は、全体の形状が略直方体であり、
    前記透光性部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、
    前記封止部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、
    前記発光素子と前記透光性部材との距離は、前記距離と同じ方向となる前記発光素子の側面における一辺の幅の３／４以下であり、
    前記封止部材と接する前記透光性部材の前記内側面は、上下方向の断面視において、前記封止部材に向かって凸となる円弧状、若しくは湾曲であり、
    前記発光装置の側面は、前記透光性部材の外側面と前記封止部材の外側面とが垂直面として外に露出している発光装置。
  2. 発光素子と、
    前記発光素子と離間し、前記発光素子を挟んで配置される一または二以上で実質的に蛍光体を含有していない透光性部材と、
    前記透光性部材で挟まれた領域内に設置された前記発光素子の一部を覆うとともに、前記透光性部材の上面の少なくとも一部及び前記透光性部材の内側面を覆う、蛍光体を含有する封止部材と、を備える発光装置であって、
    前記発光装置は、全体の形状が略直方体であり、
    前記透光性部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、
    前記封止部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、
    前記発光素子と前記透光性部材との距離は、前記距離と同じ方向となる前記発光素子の側面における一辺の幅の３／４以下であり、
    前記封止部材と接する前記透光性部材の前記内側面は、上下方向の断面視において、前記封止部材に向かって凸となる円弧状、若しくは湾曲であり、
    前記発光装置の側面は、前記透光性部材の外側面と前記封止部材の外側面とが垂直面として外に露出している発光装置。
  3. 前記透光性部材の外側面と前記封止部材の外側面とは、同一面に形成されている請求項１または請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記発光装置の底面は、前記透光性部材の底面と前記封止部材の底面とが露出している請求項２に記載の発光装置。
  5. 前記基台は、導電部及び絶縁部を有し、
    前記発光素子は、前記基台と対向する面とは反対の面に電極を有し、
    前記導電部と前記電極を通電可能に接続するワイヤをさらに備える請求項１に記載の発光装置。
  6. 前記導電部と前記ワイヤとの接続部は、前記封止部材で覆われる請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記導電部と前記ワイヤとの接続部は、前記透光性部材で覆われる請求項５に記載の発光装置。
  8. 前記基台は、平板状に形成されている請求項１、請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 前記蛍光体は、前記封止部材中に分散されている請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 前記透光性部材は、光拡散材が１質量％以上２０質量％以下で含有されている請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の発光装置。
  11. 前記透光性部材は、上下方向の断面視において、少なくとも５０μｍ以上の幅と少なくとも５０μｍ以上の高さを持ち、前記封止部材は、前記透光性部材の上方に５０μｍ以上の厚みを有する請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の発光装置。
  12. 前記透光性部材の幅に対する前記透光性部材の高さの比率は、０．３以上、２．０以下である請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の発光装置。
  13. 前記発光素子の直上の前記封止部材の厚みに対する前記透光性部材の前記内側面から前記発光素子の側面までの距離の比率は、０．８以上２．０以下である請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の発光装置。
  14. 前記封止部材は、前記基台の上面を覆うと共に、前記発光素子の高さに対する前記封止部材の高さは、１．２以上、６．０以下である請求項２及び請求項２を引用する請求項を除く請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の発光装置。
  15. 前記透光性部材は、前記発光素子の全周を囲むように配置されている請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の発光装置。
  16. 基台上に発光素子を設ける工程と、
    前記発光素子と離間して前記発光素子を囲むように前記基台上に透光性を有し実質的に蛍光体を含有しない一または二以上の透光性部材を設ける工程と、
    前記基台、前記透光性部材、及び、前記発光素子を、蛍光体を含有する封止部材で覆う工程と、
    前記透光性部材を設けた位置に沿って前記基台、前記透光性部材、及び前記封止部材を切断する工程と、を有し、
    前記透光性部材を設ける工程は、前記発光素子と前記透光性部材との距離を、前記距離と同じ方向となる前記発光素子の側面における一辺の幅の３／４以下となるように塗布し、
    前記切断する工程後において、前記透光性部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、前記封止部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、
    前記封止部材と接する前記透光性部材の内側面は、上下方向の断面視において、前記封止部材に向かって凸となる円弧状、若しくは湾曲である、発光装置の製造方法。
  17. 基台上に発光素子を設ける工程と、
    前記発光素子と離間して前記発光素子を囲むように前記基台上に透光性を有し実質的に蛍光体を含有しない一または二以上の透光性部材を設ける工程と、
    前記基台、前記透光性部材、及び、前記発光素子を、蛍光体を含有する封止部材で覆う工程と、
    前記基台を前記発光素子から除去する工程と、
    前記透光性部材を設けた位置に沿って、前記透光性部材、及び前記封止部材を切断する工程と、を有し、
    前記透光性部材を設ける工程は、前記発光素子と前記透光性部材との距離を、前記距離と同じ方向となる前記発光素子の側面における一辺の幅の３／４以下となるように塗布し、
    前記切断する工程後において、前記透光性部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、前記封止部材は、前記発光素子からの光の少なくとも７０％を透過するものであり、
    前記封止部材と接する前記透光性部材の内側面は、上下方向の断面視において、前記封止部材に向かって凸となる円弧状、若しくは湾曲である、発光装置の製造方法。
  18. 前記基台は、導電部及び絶縁部を有し、
    前記発光素子は、前記基台と対向する面とは反対の面に電極を有し、
    前記発光素子を設ける工程の後、かつ、前記透光性部材を設ける工程の前に、
    前記発光素子の前記基台と対向する面とは反対の面に形成された電極と前記基台の前記導電部とを通電可能にワイヤで接続する工程と、を有する請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
  19. 前記透光性部材を設ける工程は、
    前記基台に硬化性組成物を供給することで前記透光性部材を形成する請求項１６または請求項１８に記載の発光装置の製造方法。
  20. 前記透光性部材を設ける工程は、
    前記導電部と前記ワイヤとの接続部が硬化性組成物で覆われるように前記基台に硬化性組成物を供給することで前記透光性部材を形成する請求項１８に記載の発光装置の製造方法。
JP2017006210A 2016-01-29 2017-01-17 発光装置及び発光装置の製造方法 Active JP7177326B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/417,816 US10211378B2 (en) 2016-01-29 2017-01-27 Light emitting device and method for manufacturing same
US16/237,293 US10720556B2 (en) 2016-01-29 2018-12-31 Method for manufacturing light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016015196 2016-01-29
JP2016015196 2016-01-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017139456A JP2017139456A (ja) 2017-08-10
JP7177326B2 true JP7177326B2 (ja) 2022-11-24

Family

ID=59566053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017006210A Active JP7177326B2 (ja) 2016-01-29 2017-01-17 発光装置及び発光装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7177326B2 (ja)

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004247701A (ja) 2002-12-19 2004-09-02 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005327786A (ja) 2004-05-12 2005-11-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオード素子の製造方法
JP2006049524A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法及び発光装置
WO2012001938A1 (ja) 2010-06-28 2012-01-05 パナソニック株式会社 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2012015320A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
WO2012014853A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 旭硝子株式会社 発光素子用基板、発光装置及び発光素子用基板の製造方法
JP2012504341A (ja) 2008-09-30 2012-02-16 ブリッジラックス インコーポレイテッド Ｌｅｄ蛍光体の堆積法
JP2012142426A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2012519973A (ja) 2009-03-10 2012-08-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体部品
CN103219441A (zh) 2012-01-23 2013-07-24 夏普株式会社 具有改进的方向性的发光二极管
JP2013197335A (ja) 2012-03-21 2013-09-30 Kyocera Corp 発光装置
JP2013197369A (ja) 2012-03-21 2013-09-30 Rohm Co Ltd 光源装置およびｌｅｄランプ
CN103400930A (zh) 2013-07-23 2013-11-20 沈阳利昂电子科技有限公司 高效率、宽光角的led模组的硅胶透镜构造及制作方法
JP2013239586A (ja) 2012-05-15 2013-11-28 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた灯具
JP2013258388A (ja) 2012-06-08 2013-12-26 Tobai Koden Kagi Kofun Yugenkoshi 出射角を向上できる小サイズ発光ダイオードパッケージの改良構造
JP2014063832A (ja) 2012-09-20 2014-04-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2014154769A (ja) 2013-02-12 2014-08-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN104112810A (zh) 2014-07-18 2014-10-22 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 芯片级封装led的封装结构
JP2015070247A (ja) 2013-10-01 2015-04-13 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム基板の製造方法及び発光装置の製造方法、並びに、発光ダイオード用リードフレームの製造方法及びダイオード用リードフレーム構造
US20150221835A1 (en) 2014-02-05 2015-08-06 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
JP2015532541A (ja) 2012-10-17 2015-11-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造するための方法
US20160003450A1 (en) 2012-05-31 2016-01-07 Lg Innotek Co., Ltd. Member for cotrolling luminous flux, method for fabricating the member, display deivce, and light emitting device

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004247701A (ja) 2002-12-19 2004-09-02 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005327786A (ja) 2004-05-12 2005-11-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオード素子の製造方法
JP2006049524A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2012504341A (ja) 2008-09-30 2012-02-16 ブリッジラックス インコーポレイテッド Ｌｅｄ蛍光体の堆積法
JP2012519973A (ja) 2009-03-10 2012-08-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体部品
WO2012001938A1 (ja) 2010-06-28 2012-01-05 パナソニック株式会社 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2012015320A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
WO2012014853A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 旭硝子株式会社 発光素子用基板、発光装置及び発光素子用基板の製造方法
JP2012142426A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
CN103219441A (zh) 2012-01-23 2013-07-24 夏普株式会社 具有改进的方向性的发光二极管
JP2013197335A (ja) 2012-03-21 2013-09-30 Kyocera Corp 発光装置
JP2013197369A (ja) 2012-03-21 2013-09-30 Rohm Co Ltd 光源装置およびｌｅｄランプ
JP2013239586A (ja) 2012-05-15 2013-11-28 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた灯具
US20160003450A1 (en) 2012-05-31 2016-01-07 Lg Innotek Co., Ltd. Member for cotrolling luminous flux, method for fabricating the member, display deivce, and light emitting device
JP2013258388A (ja) 2012-06-08 2013-12-26 Tobai Koden Kagi Kofun Yugenkoshi 出射角を向上できる小サイズ発光ダイオードパッケージの改良構造
JP2014063832A (ja) 2012-09-20 2014-04-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2015532541A (ja) 2012-10-17 2015-11-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造するための方法
JP2014154769A (ja) 2013-02-12 2014-08-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN103400930A (zh) 2013-07-23 2013-11-20 沈阳利昂电子科技有限公司 高效率、宽光角的led模组的硅胶透镜构造及制作方法
JP2015070247A (ja) 2013-10-01 2015-04-13 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム基板の製造方法及び発光装置の製造方法、並びに、発光ダイオード用リードフレームの製造方法及びダイオード用リードフレーム構造
US20150221835A1 (en) 2014-02-05 2015-08-06 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
CN104112810A (zh) 2014-07-18 2014-10-22 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 芯片级封装led的封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017139456A (ja) 2017-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102339021B1 (ko) 경사 반사기를 갖는 발광 디바이스 및 그 제조 방법
US9512968B2 (en) LED module
JP6097084B2 (ja) 半導体発光装置
US8946749B2 (en) Semiconductor light emitting device
TWI505519B (zh) 發光二極體燈條及其製造方法
US9318671B2 (en) High efficiency light emitting diode package suitable for wafer level packaging
WO2012012974A1 (zh) 一种led封装结构及其封装方法
US20130161670A1 (en) Light emitting diode packages and methods of making
US8552456B1 (en) Light-emitting diode packaging structure of low angular correlated color temperature deviation
JP2009094199A (ja) 発光装置、面光源、表示装置と、その製造方法
JP2017117912A (ja) 波長変換部材を用いた発光装置、ならびに波長変換部材および発光装置の製造方法
KR102091534B1 (ko) 칩 스케일 패키지 발광 디바이스 및 그 제조 방법
CN105070814A (zh) 一种带透镜的面光源及其制备方法
JP2012044043A (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP6566791B2 (ja) 発光装置
US10720556B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP7177326B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101140081B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지 제조방법 및 그에 의한 ｌｅｄ 패키지
TWI521742B (zh) 倒裝式發光二極體封裝模組及其製造方法
TWI464920B (zh) 多晶片封裝結構及其製作方法
JP2013098219A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2017050345A (ja) 発光装置の製造方法
KR20130077058A (ko) 단차를 갖는 세라믹 ｌｅｄ 패키지 및 그 형성방법
KR101616474B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US20200295242A1 (en) Light-emitting device and production method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210803

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220531

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220531

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220610

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221011

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221024

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7177326

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151