KR101440770B1 - 발광소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(110); 상기 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(130); 상기 발광소자(130)와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체(110)에 배치되는 전극(120); 상기 캐비티(C)의 일부를 메우는 제1 몰딩부(140); 및 상기 캐비티(C)를 메우며 상기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 제2 몰딩부(150);를 포함할 수 있다.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자(electron)와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전자대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.
도 1은 종래기술에 의한 제1 발광소자 패키지(11)의 단면도이다.
종래기술에 의한 제1 발광소자 패키지(11)는 패키지 몸체(10)와, 상기 패키지 몸체(10)에 배치된 전극(20)과, 상기 패키지 몸체(10)에 실장되며 상기 전극(20)과 전기적으로 연결되는 발광소자(30) 및 상기 발광소자(30)를 포위하는 수지(40)를 포함한다.
상기 수지(40)에 혼합된 형광체(41)는 발광소자(30)에서 발생하는 청색 또는 자외선 등의 빛을 다른 색으로 파장변환 시켜주는 역할을 한다.
한편, 종래기술에서 형광체가 도포된 발광소자 패키지 완제품 중에 형광체의 양, 균일도 차이 및 기타 여러 요인 등에 의해 색상(Color), CRI(연색성) 등의 스펙(spec)을 만족시키지 못하는 스크랩(scrap) 제품이 발생하며, 이러한 스크랩 제품비율은 수% 내지 10%에 이르며, 스크랩 제품은 폐기되거나 중량 단위로 저가 판매되는 실정이다.
도 2는 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지(12) 단면도이다.
종래기술에 의하면, TV나 모니터(Monitor)에 사용되는 스크랩 LED에, 도 2와 같이 경화된 하부 수지(40) 표면에 제2 형광체(51)를 포함하는 상부 수지(50)를 도포하여 조명용 LED로 변환시켜 사용하는 시도가 있다.
그러나, 이러한 종래 기술은 기 도포된 하부 수지(40)와 색변환을 위해 추가 도포한 상부 수지(50)의 계면접착력 및 신뢰성이 낮아 사용 중 단기간 내에 계면분리 현상이 나타나 신뢰성이 취약한 문제가 있다.
구체적으로, 경화된 하부 실리콘(40)은 다른 물질과의 접착력이 매우 낮은 특성이 있다.
또한 종래기술에 의하면, 제품 제작, 테스트 및 소팅(sorting) 등의 제조 공정 중에 오염이 발생하여 벌크(Bulk) 상태로 보관시 보관 상태가 적절하지 않아 표면에 오염이 발생하여 다른 물질과의 접착을 약화시킨다.
도 3은 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지의 단면 사진이다.
종래 기술에서 하부 수지(40)는 기판의 컵(Cup)의 끝 분까지 연결되어 있어 추가 도포되는 상부 수지(50)는 패키지 몸체(10)와 접합하는 면적(A)이 없거나 매우 작고, 오히려 접합력이 약한 하부 수지(40)와 대부분 접합되어 결합력이 약하다.
또한 종래기술에 의하면, 상부 수지(50) 내부가 매우 두껍고 외부가 얇게 되어 지향각에 따라 광학특성이 불균일할 수 있다.
또한 종래기술에 의하면, 하부 수지(40)의 높이가 높게 되면, 상부 수지(50)를 균일하게 도포하는 것이 용이하지 않는 문제가 있다.
또한 종래기술에 의하면, 하부 수지(40)에 포함된 형광체를 그대로 사용해야 하므로 색좌표의 미세한 변화를 조절하는 것이 용이하지 않고, 또한 색온도가 낮은 제품을 색온도가 높은 제품으로 변환시키는 것이 불가능하는 등 색좌표 변경에 제약이 있는 단점이 있다.
실시예는 색재현성, 색온도 및 CRI 등의 발광소자 패키지의 특성을 만족시키지 못하는 스크랩(scrap) 제품에 대해, 추가적인 처리를 통해 발광 특성 및 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(110); 상기 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(130); 상기 발광소자(130)와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체(110)에 배치되는 전극(120); 상기 캐비티(C)의 일부를 메우는 제1 몰딩부(140); 및 상기 캐비티(C)를 메우며 상기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 제2 몰딩부(150);를 포함할 수 있다.
또한 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(110); 상기 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(130); 상기 발광소자(130)와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체(110)에 배치되는 전극(120); 상기 캐비티(C) 내의 전극(120)을 일부 노출하면서 상기 전극(120) 상에 배치되는 하부 제1 몰딩 잔존부(140d); 및 상기 하부 제1 몰딩 잔존부(140d) 상에 배치된 제2 몰딩부(150);를 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(110); 상기 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(130); 상기 발광소자(130)와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체(110)에 배치되는 전극(120); 상기 캐비티(C)의 일부를 메우는 제1 몰딩부(140)내에 존재하는 제1형광체; 및 상기 캐비티(C)를 메우며 상기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 제2 몰딩부(150) 내에 존재하는 제2형광체;을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면, 형광체가 포함된 하부 수지 표면에 화학적 또는 기계적인 방법으로 처리하여 그 상부에 도포될 수지와의 접착력을 향상시킬 수 있고, 하부 수지 일부 또는 전부를 제거한 후 형광체를 포함하는 상부 수지를 추가 도포하여 원하는 색이나 연색성으로 재조정해 줌으로써 발광특성 및 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
도 1은 종래기술에 의한 제1 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지 단면도.
도 3은 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지의 단면 사진.
도 4는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 5는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면 사진.
도 6a 내지 도 6d는 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 공정 단면도.
도 7a는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 7b는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 다른 단면도 예시도.
도 8은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 9는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면 사진.
도 10은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 X-ray 분석사진.
도 11은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 12는 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 13은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
(제1 실시예)
도 4는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(101)의 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(101)는 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(110)와, 상기 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(130)와, 상기 발광소자(130)와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체(110)에 배치되는 전극(120)과, 상기 캐비티 내의 전극(120)을 덮으면서 상기 캐비티(C)의 일부를 메우는 제1 몰딩부(140) 및 상기 캐비티(C)를 메우며 상기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 제2 몰딩부(150)을 포함할 수 있다.
상기 제1 몰딩부(140)의 상측 단면의 높이는 상기 발광소자(130)의 상면보다 높거나 같을 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 상기 제1 몰딩부(140)의 상측 단면의 높이는 상기 발광소자(130)의 상면보다 낮을 수 있다.
실시예에서 패키지 몸체(110)는 PPA, PCT, EMC 등의 합성수지 재질, 금속 재질, 쎄라믹, 실리콘 재질 등으로 형성될 수 있으며, 소정의 캐비티(C)를 구비할 수 있고, 캐비티(C)에는 경사면이 형성되어 발광소자에서 발광된 빛의 외부 추출률을 높일 수 있다.
상기 발광소자(130)는 GaN, GaAs, GaAsP, GaP, InGaAIP, AIGaAs 등의 물질로 형성될 수 있으며, 발광파장에 따라 Green LED, Blue LED, Red LED, UV LED 등일 수 있다.
상기 전극(120)은 발광소자(130)가 실장되는 제1 전극층(121) 및 상기 제1 전극층(121)과 분리된 제2 전극층(122)을 포함할 수 있으며, 상기 발광소자(130)는 제2 와이어(W2)에 의해 제1 전극층(121)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 와이어(W1)에 의해 제2 전극층(122)과 전기적으로 연결될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전극(120)은 도전성 물질, 반사성 물질 등을 포함하여 발광소자(130)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할과 상기 발광소자(130)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수 있다.
상기 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150)는 발광소자(130)를 포위하여 발광소자(130)를 보호할 수 있고, 소정의 형광체를 포함하여 발광소자(130)에서 방출된 광의 파장을 변환시킬 수 있다.
실시예는 기존 방법의 문제점들을 해결하기 위해, 제1 형광체(141)가 포함된 제1 몰딩부(140)를 소정 깊이 제거한 후 제2 형광체(151)를 포함한 제2 몰딩부(150)를 도포할 수 있다.
도 5는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면 사진이다.
실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150)의 경계면(B2)에서 접착력 및 접착 신뢰성이 향상될 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 제1 몰딩부(140)를 일부 제거함으로써 제1 몰딩부(140) 표면에 오염된 물질 제거됨에 따라 접착력 향상될 수 있다. 또한 실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)가 일부 제거되고 남은 제1 몰딩부(140)의 표면에는 본딩(bonding)이 끊어진 부분이 발생하여 추가 도포된 제2 몰딩부(150)와 접착력이 개선될 수 있다.
또한 실시예에서 플라즈마 처리를 함으로써 그 효과를 극대화할 수 있다.
실시예에 의하면, 기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 상기 제2 몰딩부(150)가 상기 캐비티 측면과 직접 접촉하는 부분을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 추가 도포된 제2 몰딩부(150)와 패키지 몸체 캐비티(C) 측벽과의 접착면적이 증가(A2)함에 따라 접착 및 접착 신뢰성이 개선되어 사용 중 박리현상이 제거될 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)의 일부 제거에 따라 캐비티(C) 측면의 노출영역이 확장됨으로써 추가로 형성되는 제2 몰딩부(150)와 캐비티 측면의 접촉면적이 증가(A2)하여 접착 및 접착 신뢰성이 개선되어 사용 중 박리현상이 방지될 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 상기 제1 몰딩부(140)의 상면 모서리는 상기 전극(120)의 상면과 실질적으로 평행할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 몰딩부(140)의 상측 단면은 거시적인 요철이 없는 평평한 단면을 구비할 수 있다.
종래기술에서는 수지층 형성시 표면 장력에 의해 수지층 상면이 아래로 오목한 형상으로 형성되게 되는데, 실시예에서 제1 몰딩부(140)이 일부 제거됨에 따라 돌출된 모서리 영역의 수지층이 제거되는 경우 제1 몰딩부(140) 상면 모서리 영역은 평평한 단면(C2)을 구비하여 하측에 배치된 전극의 상면과 실질적으로 평행하거나 소정의 각도를 가진 단면을 구비할 수 있는 특성이 있다.
또한 실시예에 의하면, 제2 형광체가 포함된 제2 몰딩부(150)를 도포할 수 있는 충분한 공간이 확보됨에 따라 기존 제품(도 3 참조)에서와 같이 캐비티의 상단보다 매우 높게 쌓지 않아도 된다. 이에 따라 사용할 수 있는 수지의 점도 범위가 넓어지고 비교적 저점도 수지도 사용 가능할 수 있다.
실시예에서 상기 제1형광체(141)의 조성과, 상기 제2 형광체(151)의 조성은 서로 상이할 수 있다.
또한 실시예에서, 상기 제2 형광체(151)의 농도가 상기 제1 몰딩부(140)와 접하는 경계면에서 가장 높고, 상기 제1 몰딩부(140) 상면으로부터 멀어질수록 농도가 옅어 질 수 있다.
실시예에서, 상기 제2 몰딩부(150)에 포함된 제2 형광체(151)는 상기 제1 몰딩부(140)에 포함된 제1 형광체(141)에 따른 연색성을 변경할 수 있다.
또한 상기 제2 몰딩부(150)에 포함된 제2 형광체(151)는 상기 제1 몰딩부(140)에 포함된 제1 형광체(141)에 따른 색온도를 변경할 수 있다.
또한 상기 제2 몰딩부(150)는 상기 캐비티(C) 측면 또는 상기 전극(120) 표면에 부분적으로 잔류하는 제1 형광체를 일부 포함할 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 추가 형성된 제2 몰딩부(150)의 제2 형광체(151)가 기존 제품대비 비교적 균일하므로, 지향각에 따른 광학특성 불균일성이 감소한다.
또한 실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)에 제1 형광체(141)가 존재하고 있으므로, 제1 형광체(141)를 이용할 수 있고, 제1 몰딩부(140)를 일부 제거했기 때문에 제2몰딩부(150)를 도포할 수 있는 공간이 증가하므로, 제2 몰딩부(150)에 사용되는 제2 형광체(151)의 농도를 종래 방법보다 낮게 하고 제2 형광체가 포함된 제2 몰딩부의 양도 종래 방법보다 많이 투입할 수 있어서 색분포가 줄어들어 제품 수율이 높아질 수 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6d를 참조하여 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명한다.
우선, 도 6a와 같은 스크랩 발광소자 패키지(100)를 준비하고, 도 6b와 같이 예비 제1 몰딩부(140a)를 화학적 에칭 또는 기계적인 방법으로 등으로 소정 깊이 제거한다.
이후, 도 6c와 같이 제2 형광체(151)를 포함하는 예비 제2 몰딩부(150a)를 도포하고, 도 6d와 같이 경화과정을 통해 실시예에 따른 색보정된 발광소자 패키지(101)를 제조할 수 있다.
실시예에 의하면, 형광체가 포함된 하부 수지 표면에 화학적인 방법으로 처리하여 그 상부에 도포될 수지와의 접착력을 향상시킬 수 있고, 하부 수지 일부 또는 전부를 제거한 후 형광체를 포함하는 상부 수지를 추가 도포하여 원하는 색이나 연색성으로 재조정해 줌으로써 발광특성 및 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
(제2 실시예)
도 7a은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 특징 위주로 설명한다.
제2 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 제2 몰딩부(152)의 상측 단면은 위로 볼록하도록 설계하여 발광분포를 제어할 수 있다.
도 7b는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 다른 단면도 예시도이다.
제2 실시예의 다른 예에 의하면, 상기 제1 몰딩부(140a)의 상측 단면은 상기 캐비티(C) 벽을 타고 올라가는 부분이 없이 소정의 각도로 접촉할 수 있다.
종래기술에 의하면 몰딩부는 캐비티와 접촉하는 부분에서 표면장력에 의해 캐비티 벽을 타고 올라가는 구조를 나타낸다.
반면, 실시예에 의하면 상기 제1 몰딩부(140)의 상면과 상기 캐비티와 접촉하는 부분에서 상기 제1 몰딩부는 표면장력에 의해 벽을 따라 타고 올라가는 부분이 없이 도 7a와 같이 평평하거나, 도 7b와 같이 평평한 면을 기준으로 아래 방향으로 기울어진 각도를 구비할 수 있다.
(제3 실시예)
도 8은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고, 도 9는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면 사진이며, 도 10은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 X-ray 분석사진이다.
제3 실시예는 제1 실시예 내지 제2 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제3 실시예의 특징 위주로 설명한다.
제3 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 제1 몰딩부(140)의 상측 단면은 요철(R1)을 포함할 수 있다. 즉, 제3 실시예에서 제1 몰딩부(140)를 일부 제거한 상면이 거칠게 되도록 하여 요철(R1)을 형성함으로써 제1 실시예의 설명 효과 외에 기계적 맞물림(Mechanical interlocking)을 유도하여 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150) 상호간의 접합력을 증대시킬 수 있다.
실시예에 의하면, 도 9에서와 같이, 제1 몰딩부(140)의 상측 단면의 요철(R1)에 대응하여, 제2 몰딩부(150) 상측에 제2 요철(R2)이 형성될 수도 있고, 이러한 제2 요철(R2)은 난반사 등을 통해 광추출 효율을 증대시킬 수 있다.
또한 제3 실시예에 의하면, 상기 제2 몰딩부(150)과 상기 캐비티(C)가 접하는 영역에 제1 몰딩 잔존부(140b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 몰딩 잔존부(140b)는 상기 제1 몰딩부의 최상면보다 높은 곳에 위치할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서, 상기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 상기 제2 몰딩부(150)가 상기 캐비티 측면과 직접 접촉하는 부분에 제1 몰딩 잔존부(140b)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제3 실시예에 의하면, 캐비티 측면에 제1 몰딩 잔존부(140b)가 부분적으로 잔류함으로써 기계적 맞물림(Mechanical interlocking)효과가 추가되어 제2 몰딩부(150)의 박리현상을 예방할 수 있다.
(제4 실시예)
도 11은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
제4 실시예는 제1 실시예 내지 제2 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제4 실시예의 특징 위주로 설명한다.
제4 실시예에 따른 발광소자 패키지(104)에 의하면, 상기 제1 몰딩부(140)의 상측 단면은 평평(flat)할 수 있고, 상기 제1 몰딩부(140)의 상면은 발광소자(130)의 상면보다 낮을 수도 있으며, 상기 제2 몰딩부(150)와 상기 캐비티(C)가 접하는 영역에 제1 몰딩 잔존부(140b)를 포함할 수 있다.
상기 제1 몰딩 잔존부(140b)는 상기 제1 몰딩부의 최상면보다 높은 곳에 위치할 수 있으며, 캐비티 측면에 제1 몰딩 잔존부(140b)가 부분적으로 잔류함으로써 기계적 맞물림(Mechanical interlocking)효과가 나타나 제2 몰딩부(150)의 박리현상을 방지할 수 있다.
(제5 실시예)
도 12는 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
제5 실시예는 제1 실시예 내지 제4 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제5 실시예의 특징 위주로 설명한다.
제5 실시예에 따른 발광소자 패키지(105)는 캐비티(C)를 구비하는 패키지 몸체(110)와, 상기 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(130)와, 상기 발광소자(130)와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체(110) 상에 배치되는 전극(120)과, 상기 캐비티(C) 내의 전극(120)을 일부 노출하면서 상기 전극(120) 상에 배치되는 하부 제1 몰딩 잔존부(140d) 및 상기 캐비티(C)를 메우며 상기 캐비티(C) 상에 배치된 제2 몰딩부(150)를 포함할 수 있다.
제5 실시예의 의하면, 앞서 실시예에 비해 제1 몰딩부(140)가 더 많이 제거되어 전극(120)의 표면이 노출될 수 있다.
이에 따라 필요시, 발광소자 패키지의 전기적, 물리적 신뢰성에 영향을 미치지 않으면서 제1 몰딩부(140)를 거의 또는 완전히 제거하고 필요한 제2 몰딩부(150)를 형성함으로써 접착신뢰성을 개선함과 아울러 제1 형광체의 영향을 최소화할 수 있어 색변환 제품의 수율이 증가가능할 수 있다.
(제6 실시예)
도 13은 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
제6 실시예는 제1 실시예 내지 제5 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제6 실시예를 중심으로 설명한다.
제6 실시예(106)는 상기 제2 몰딩부(150)과 상기 캐비티(C)의 측면 사이에 상부 제1 몰딩 잔존부(140b)를 더 포함할 수 있다.
제6 실시예에 의하면, 캐비티 측면에 상부 제1 몰딩 잔존부(140b)가 부분적으로 잔류함으로써 기계적 맞물림(Mechanical interlocking)효과가 나타나 제2 몰딩부(150)의 박리현상을 예방할 수 있다.
실시예에 의하면, 형광체가 포함된 하부 수지 표면에 화학적인 방법으로 처리하여 그 상부에 도포될 수지와의 접착력을 향상시킬 수 있고, 하부 수지 일부 또는 전부를 제거한 후 형광체를 포함하는 상부 수지를 추가 도포하여 원하는 색이나 연색성으로 재조정해 줌으로써 발광특성 및 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수가 기판상에 어레이 되고, 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다.
이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능을 하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
캐비티(C), 패키지 몸체(110),
발광소자(130), 전극(120), 제1 전극(121), 제2 전극(122)
제1 몰딩부(140), 제1 형광체(141), 제2 몰딩부(150), 제2 형광체(151)

Claims (22)

  1. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부; 및
    상기 캐비티를 메우며 상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부;를 포함하며,
    상기 제1 몰딩부의 상측 단면의 높이는
    상기 발광소자의 상면보다 낮으며,
    상기 제2 몰딩부 내에 제1 몰딩 잔존부를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부; 및
    상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부;를 포함하며,
    상기 제2 몰딩부 내에 제1 몰딩 잔존부를 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부; 및
    상기 캐비티를 메우며 상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부;를 포함하며,
    상기 제1 몰딩부 상에 배치된 상기 제2 몰딩부가 상기 캐비티 측면과 직접 접촉하는 부분을 포함하며,
    상기 제1 몰딩부 상에 배치된 상기 제2 몰딩부가 상기 캐비티 측면과 직접 접촉하는 부분에 제1 몰딩 잔존부를 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제1 항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상면과 상기 캐비티와 접촉하는 부분에서 상기 제1 몰딩부는 표면장력에 의해 벽을 따라 타고 올라가는 부분이 없는 발광소자 패키지.
  10. 제1 항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상측 단면은 요철을 포함하는 발광소자 패키지.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상측 요철에 대응하여,
    상기 제2 몰딩부 상측에 제2 요철을 포함하는 발광소자 패키지.
  12. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부; 및
    상기 캐비티를 메우며 상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부;를 포함하며,
    상기 제1 몰딩부의 상측 단면은 요철을 포함하며,
    상기 제2 몰딩부와 상기 캐비티가 접하는 영역 및/또는 상기 제2 몰딩부 내에 제1 몰딩 잔존부를 포함하는 발광소자 패키지.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 상면의 높이는
    상기 발광소자의 윗면보다 높은 발광소자 패키지.
  14. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티 내의 전극을 일부 노출하면서 상기 전극 상에 배치되는 하부 제1 몰딩 잔존부; 및
    상기 하부 제1 몰딩 잔존부 상에 배치된 제2 몰딩부;를 포함하며,
    상기 제2 몰딩부과 상기 캐비티의 측면 사이에 상부 제1 몰딩 잔존부를 포함하는 발광소자 패키지.
  15. 삭제
  16. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부내에 존재하는 제1형광체; 및
    상기 캐비티를 메우며 상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부 내에 존재하는 제2형광체;를 포함하며,
    상기 제2 형광체의 농도가 상기 제1 몰딩부와 접하는 경계면에서 가장 높고, 상기 제1 몰딩부 상면으로부터 멀어질수록 농도가 옅어지며,
    상기 제2 몰딩부는
    상기 캐비티 측면 또는 상기 전극 표면에 부분적으로 잔류하는 상기 제1 형광체를 일부 포함하는 발광소자 패키지.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1형광체의 조성과, 상기 제2 형광체의 조성이 상이한 발광소자 패키지.
  18. 삭제
  19. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부내에 존재하는 제1형광체; 및
    상기 캐비티를 메우며 상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부 내에 존재하는 제2형광체;를 포함하며,
    상기 제2 몰딩부와 접하는 상기 제1 몰딩부 상면이 평평하며,
    상기 제2 몰딩부는
    상기 캐비티 측면 또는 상기 전극 표면에 부분적으로 잔류하는 상기 제1 형광체를 일부 포함하는 발광소자 패키지.
  20. 제16 항 또는 제17항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부와 접하는 상기 제1 몰딩부의 상면은 요철을 포함하는 발광소자 패키지.
  21. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부내에 존재하는 제1형광체; 및
    상기 캐비티를 메우며 상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부 내에 존재하는 제2형광체;를 포함하며,
    상기 제2 몰딩부에 포함된 제2 형광체는 상기 제1 몰딩부에 포함된 제1 형광체에 따른 연색성 및/또는 색온도를 변경하며,
    상기 제2 몰딩부는
    상기 캐비티 측면 또는 상기 전극 표면에 부분적으로 잔류하는 상기 제1 형광체를 일부 포함하는 발광소자 패키지.
  22. 캐비티를 구비하는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 발광소자;
    상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 배치되는 전극;
    상기 캐비티의 일부를 메우는 제1 몰딩부내에 존재하는 제1형광체; 및
    상기 캐비티를 메우며 상기 제1 몰딩부 상에 배치된 제2 몰딩부 내에 존재하는 제2형광체;를 포함하며,
    상기 제2 몰딩부는
    상기 캐비티 측면 또는 상기 전극 표면에 부분적으로 잔류하는 상기 제1 형광체를 일부 포함하는 발광소자 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190031946A (ko) * 2017-09-19 2019-03-27 엘지이노텍 주식회사 반도체소자패키지

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2005268323A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光装置
JP2006128322A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP4146797B2 (ja) * 2001-08-23 2008-09-10 幸康 奥村 色温度が調整可能なｌｅｄ灯

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4146797B2 (ja) * 2001-08-23 2008-09-10 幸康 奥村 色温度が調整可能なｌｅｄ灯
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2005268323A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光装置
JP2006128322A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Kyocera Corp 発光装置および照明装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190031946A (ko) * 2017-09-19 2019-03-27 엘지이노텍 주식회사 반도체소자패키지
KR102464033B1 (ko) * 2017-09-19 2022-11-07 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체소자패키지

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