JP2013197335A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 光出力を向上させることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置1であって、基板2と、基板2上に設けられた、励起光を発する発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲むとともに、外面に外縁が下部から上部に向かって小さくなる傾斜面4aを有した光透過性の枠体4と、枠体4上に発光素子3を覆うように設けられた、平面視して枠体4が見えないように覆うとともに、枠体4の傾斜面4aと間を空けて設けられた、蛍光体7を含有するシート状の波長変換部材5と、を備えている。
【選択図】図3

Description

本発明は、発光素子を含む発光装置に関するものである。
近年、発光ダイオードからなる発光素子を有する発光装置の開発が進められている。当該発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。ここで、発光装置としては、蛍光体シートによって発光素子が発した光を波長変換して、外部に取り出す技術が開示されている(下記特許文献1参照)。なお、蛍光体シートは、枠体の内側にはめ込むようにして設けられている。
特開2007−317815号公報
ところで、蛍光体シートを用いた発光装置は、発光素子の発した光が枠体の一部によって遮られて、蛍光体シートの端部にまで届きにくい。そのため、蛍光体シートの端部内では、蛍光体が励起されにくく、発光装置の光出力を十分に向上させることができない虞がある。
本発明は、光出力を向上させることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
本発明の実施形態に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた、励起光を発する発光素子と、前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲むとともに、外面に外縁が下部から上部に向かって小さくなる傾斜面を有した光透過性の枠体と、前記枠体上に前記発光素子を覆うように設けられた、平面視して前記枠体が見えないように覆うとともに、前記枠体の前記傾斜面と間を空けて設けられた、蛍光体を含有するシート状の波長変換部材と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、光出力を向上させることが可能な発光装置を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る発光装置の概観を示す概観斜視図である。 図1に示す発光装置から波長変換部材を取り除いて、発光装置の内部を示した概観斜視図である。 図1に示す発光装置のX−Xに沿った断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造工程を示す断面図である。 一変形例に係る発光装置の枠体の内面を示した概観斜視図である。 一変形例に係る発光装置の断面図である。 一変形例に係る発光装置の概観斜視図である。
以下に添付図面を参照して、本発明に係る発光装置の一実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。
<発光装置の概略構成>
発光装置1は、照明器具、ディスプレイ、表示機またはランプ等に用いられる。発光装置1は、基板2と、基板2上に設けられた、励起光を発する発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲む枠体4と、枠体4上に発光素子3を覆うように設けられた、シート状の波長変換部材5と、を備えている。なお、発光素子3は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。ここで、励起光とは、蛍光体が励起される光をいう。
基板2は、絶縁性の基板であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料、ガラスセラミック材料、あるいは樹脂材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。
基板2は、基板2の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。配線導体は、例えばタングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えばタングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板2となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層して、焼成することにより得られる。なお、配線導体の表面には、酸化防止のために、例えば、ニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。また、基板2の上面には、基板2上方に効率良く光を反射させるために、配線導体および鍍金層と間を空けて、例えばアルミニウム、銀、金、銅またはプラチナ等の金属反射層を形成する。さらに、金属反射層の表面に透光性のガラス層が形成されてもよく、酸化による金属反射層の反射率の低下が抑制される。
発光素子3は、基板2上に実装される。発光素子3は、矩形状であって、基板2上に形成される配線導体の表面に被着する鍍金層上に、例えばろう材または半田を介して電気的に接続されたり、ワイヤボンディングを介して電気的に接続されたりする。
発光素子3は、透光性基体と、透光性基体上に形成される光半導体層とを有している。透光性基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。透光性基体に用いられる材料としては、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば50μm以上1000μm以下である。
光半導体層は、透光性基体上に形成される第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層とから構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えばIII族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ
素等のIII−V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジ
ウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、
例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子3では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の近紫外光としての励起光を発する素子を用いることができる。
枠体4は、基板2上の発光素子3を取り囲むように設けられている。枠体4は、発光素子3を外部から保護するものであって、波長変換部材5を支持するものである。枠体4は、光透過性の材料からなり、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料、ガラスセラミック材料、あるいは樹脂材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。なお、枠体4の屈折率は、例えば1.4以上1.8以下に設定されている。
枠体4は、四角形状であって、傾斜面4aを、枠体4の外面のそれぞれに有している。また、枠体4は、外縁が下部から上部に向かって小さくなる。また、傾斜面4aは、枠体4の外縁の全周に形成されている。枠体4の外面は、傾斜面4aと、基板2の上面に対して垂直な側面4bとからなる。枠体4の内面は、平面視して矩形状に形成されている。枠体4の上面および下面は、基板2の上面に対して平行に形成されている。
枠体4は、外縁の一辺の長さが、例えば2mm以上10mm以下に設定されている。また、枠体4の内面の一辺の長さは、例えば1mm以上9mm以下に設定されている。また、枠体4は、下部から上部までの長さが、例えば0.5mm以上5mm以下の設定であって、側面4bの下部から上部までの長さが、例えば0.1mm以上4mm以下に設定されている。また、枠体4の傾斜面4aの傾斜角度は、基板2の上面に対して例えば60度以上88度以下の角度に設定されている。
枠体4の傾斜面4aは、側面4bよりも算術平均粗さが大きく設定されている。傾斜面4aの算術平均粗さは、例えば0.3μm以上3μm以下に設定されている。また、側面4bの算術平均粗さは、例えば0.01μm以上0.1μm以下に設定されている。枠体4の傾斜面4aの算術平均粗さを枠体4の側面4bの表面粗さよりも大きくすることで、枠体4の傾斜面4aの表面積は枠体4の側面4bより大きくなり、枠体4に入射された光は枠体4の側面4bと比較して枠体4の傾斜面4aから放射されやすくなるとともに、枠体4内から枠体4の傾斜面4aに到達した光を散乱させやすくすることができる。また、枠体4内から枠体4の側面4bに到達した光は、枠体4と外部との屈折率差によって枠体4の内側方向に反射されることによって外部に放射される光が減少し、波長変換部材5を介して発光装置1から放射される光は増加する。そして、枠体4の傾斜面4aから外部に向かって進行する光や枠体4の側面4bで反射された光は、波長変換部材5の端部5a内や発光素子3の上方に配置された波長変換部材5に到達しやすくすることができる。
枠体4の傾斜面4aは、側面4bよりも算術平均粗さが小さく設定されてもよい。傾斜面4aの算術平均粗さは、例えば0.01μm以上0.1μm以下に設定されている。また、側面4bの算術平均粗さは、例えば0.3μm以上3μm以下に設定されている。枠体4の傾斜面4aの算術平均粗さを枠体4の側面4bの表面粗さよりも小さくすることで、枠体4内から枠体4の傾斜面4aに到達した光は、枠体4と外部との屈折率差によって波長変換部材5の方向に屈折されるとともに、傾斜面4aで枠体4の内側方向に反射された光は基板2の上面で波長変換部材5の方向に反射され、枠体4の貫通孔や傾斜面4aを介して波長変換部材5に到達しやすくすることができ、波長変換部材5で波長変換される光が増加する。また、発光素子3から枠体4の側面4bに到達した光は、外部に散乱して放射されやすくなり、側面4bから放射される光は側面4bの周囲に分散されることから、発光装置1から離れた場所まで到達する発光素子3からの光は低減され、発光素子3からの光エネルギーによる、発光装置1の周辺部材の特性変化を抑制することができる。
発光素子3の発する光のうち、基板2の上面に沿って平行な方向に進んだ光や枠体4の
傾斜面4aの方向に進んだ光は、枠体4内に進行して、外部に取り出される。傾斜面4aの表面粗さを大きくすることで傾斜面4aの表面積が増加し、枠体4内に進行した光のうち、枠体4の傾斜面4aから外部に取り出される光を散乱させるとともに増加させることができる。その結果、発光素子3の発した光は、傾斜面4aを介して波長変換部材5の下面の端部の広い領域に多く進入することができるとともに、傾斜面4aによって拡散されて波長変換部材5の下面の端部に一様に進入することができる。また、波長変換部材5の端部5aにて波長変換される光量を多くすることができ、発光素子3からの光を波長変換部材5に一様に入射させることにより、波長変換部材5の端部5aまで効率よく利用することができ、発光装置1の発光効率を向上させることができる。
枠体4の上面は、平坦であって、接着材6を介して波長変換部材5が接続される。接着材6は、波長変換部材5を枠体4に固定するものである。接着材6は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂からなる。
接着材6は、傾斜面4aには被着しないように設けることが好ましい。傾斜面4aの露出している領域を大きくすることで、接着材6が設けられている領域を小さくすることができ、傾斜面4aを透過して波長変換部材5に入射される光が増加する。そして、接着材6に吸収される光が抑制され、波長変換部材5から放射される光が増加することによって発光装置1の光出力が向上する。また、発光素子4は、発光時に熱が発生するが、熱は基板2を介して枠体4に伝わり、枠体4の傾斜面4aから大気中に放熱する。仮に、接着材6の被着領域が大きいとすると、接着材6から波長変換部材5に熱が伝わりやすくなり、波長変換部材5の温度が必要以上にあがって、蛍光体7にて励起される光の色が変化しやすくなってしまったり、熱によって波長変換部材5の透過率が低下することにより、発光装置1の光出力が低下したりする。そこで、接着材6の被着領域を小さくすることで、波長変換部材5を介して外部に取り出される発光色を所望する色に維持しやすくすることができるとともに、発光装置1の光出力を維持しやすくすることができる。
波長変換部材5は、発光素子3の発する光の波長を変換する機能を有している。波長変換部材5は、発光素子3から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体7が励起されて、光を発するものである。波長変換部材5は、枠体4上に発光素子3を覆うように設けられ、平面視して端部5aが枠体4の外縁の最も大きな箇所と対応し、且つ枠体4の傾斜面4aと間を空けて設けられている。
波長変換部材5は、例えばフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂からなる。さらに、その絶縁樹脂中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体等の蛍光体7が含有されている。
また、波長変換部材5の熱伝導率は、例えば0.1W/(m・K)以上0.8W/(m・K)以下に設定されている。波長変換部材5の熱膨張率は、例えば0.8×10−5/K以上8×10−5/K以下に設定されている。波長変換部材5の屈折率は、例えば、1.3以上1.6以下に設定されている。例えば、波長変換部材5の材料の組成比を調整することで、波長変換部材5の屈折率を調整することができる。ここで、波長変換部材5の屈折率とは、蛍光体7を除いた絶縁樹脂の材料に関する屈折率をいう。
波長変換部材5は、シート状の部材であって、枠体4上に接着材6を介して支持されるとともに、発光素子3と間を空けて設けられている。波長変換部材5は、矩形状であって、一辺の長さが、例えば2mm以上10mm以下に設定されている。そして、波長変換部材5の端部5aは、平面視して枠体4の外縁の最も大きな箇所と重なるように形成されている。波長変換部材5の厚みは、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されており、且つ厚みが一定に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が0.5μm以下のものを含む。波長変換部材5の厚みを一定にすることにより、波長変換部材5内で励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材5における輝度ムラや照射面における色ムラを抑制することができる。
波長変換部材5は、平面視して端部5aが、枠体4の側面4bと一致するように形成されており、枠体4の傾斜面4aを覆うように形成されている。そして、枠体4の傾斜面4aと波長変換部材5の下面とは、間を空けて配置されている。枠体4の傾斜面4aから外部に向かって進行する光は、波長変換部材5の端部5aに進入し、波長変換部材5の端部5aにて蛍光体7が励起される。波長変換部材5の端部5aが平面視して枠体4の側面4bと一致するように形成されている場合には、波長変換部材5の大きさに拘わらず、発光装置1を基板2の大きさに応じて外部回路基板に配列することができる。また、発光装置1を外部回路基板に高密度に実装することができ、発光装置1を光源とする照明装置の小型化を実現することができるとともに、傾斜面4aから端部5aに入射される発光素子3からの光を向上させることができる。
本実施形態に係る発光装置1は、枠体4を光透過性の材料から構成することで、発光素子3の発した光を外部に向かって通過させることができる。仮に、枠体4を光吸収性、光反射性の材料から構成した場合は、発光素子3の発した光が枠体4の内面で囲まれた領域上の波長変換部材5の中央部に進入しやすい一方、波長変換部材5の端部5aにまでは届きにくくなる。その結果、波長変換部材5の端部5aでは蛍光体7が励起しにくく、波長変換部材5の端部5a内の蛍光体7を十分に活用できない。そこで、枠体4を光透過性の材料にすることで、発光素子3の発した光を、枠体4の内面で囲まれる領域上に位置する波長変換部材5の中央部以外に、枠体4上に位置する波長変換部材5の端部5aにまで到達しやすくすることができる。
また、本実施形態に係る発光装置1は、枠体4の外面に傾斜面4aを形成することで、枠体4の内面から外面に進行する光のうち、傾斜面4aに到達した光は、光の屈折によって進行する方向が波長変換部材5の下面に向かって進行しやすくすることができる。そして、波長変換部材5の端部5a内の蛍光体7を効率よく励起することができ、波長変換部材5の中央部と端部5aとの間に輝度ムラが発生するのを抑制することができる。
また、本実施形態に係る発光装置1は、傾斜面4aが、枠体4の外縁の全周に形成されることで、発光素子3の発した光が枠体4の内面の全面のどこに当たっても、枠体4の外縁に形成された傾斜面4aにて波長変換部材5の端部5aに到達するように光の向きを調整することができる。
<発光装置の製造方法>
ここで、図1に示す発光装置1の製造方法を説明する。まず、基板2を準備する。基板2が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、基板2となるセラミックグリーンシートに配線導体となるメタライズパターンおよび必要に応じて枠体4を接合するためのメタライズパターンをそれぞれ所定パターンで印刷し、複数のセラ
ミックグリーンシートを積層することで、多数個取り用の複数の基板2を準備することができる。
枠体4は、基板2と同様に、複数のセラミックグリーンシートを積層して、発光素子3を実装するために、予めパンチ等で貫通孔を形成しておく。さらに、多数個取りするために、複数の枠体4同士が連続している箇所に切れ目を入れておく。このとき、焼成後に、算術平均粗さが大きくなるようにブラスト処理などによって粗面化しておく。そして、図4に示すように、多数個取り用の複数の基板2上に、多数個取り用の複数の枠体4を設ける。さらに、多数個取り用の複数の基板2および多数個取り用の複数の枠体4を同時に焼成することで、複数の基板2と複数の枠体4を一度に準備することができる。なお、複数の枠体4同士が連続している箇所に形成した切れ目が、枠体4の傾斜面4aに相当する。
図5に示すように、枠体4の貫通孔が形成されている箇所に、発光素子3を例えばろう材を介して実装する。なお、多数個取り用の基板2と多数個取り用の枠体4とを別々に焼成しておき、両者をシリコーン樹脂等の接合部材を介して接合してもよい。
次に、波長変換部材5を準備する。波長変換部材5は、未硬化の樹脂に蛍光体7を混合して、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて成形することで、複数の波長変換部材5が連続した状態のシートを準備することができる。そして、図6に示すように、準備した波長変換部材5を、枠体4上に接着材6としての例えばシリコーン樹脂を介して接着する。
次に、波長変換部材5を切断することが可能な、樹脂用ブレードB1を準備する。そして、図7に示すように、連続した複数の波長変換部材5を樹脂用ブレードB1を用いて切断する。このとき、樹脂用ブレードB1は、枠体4と接触しないように、枠体4の切れ目に沿って移動して、波長変換部材5を個片化する。なお、樹脂用ブレードB1は、樹脂を切断するのに特化したブレードであって、セラミックスからなる枠体4に接触すると、ブレードの刃が破損してしまう。
さらに、基板2および枠体4を切断することが可能な、無機材料用ブレードB2を準備する。そして、図8に示すように、連続した複数の基板2、連続した複数の枠体4を無機材料用ブレードB2を用いて切断する。このとき、枠体4に切れ目を入れていることで、無機材料用ブレードB2が切断する枠体4の厚みを小さくしていることで、よりスムーズに効率化して基板2および枠体4を切断することができる。このようにして、複数の発光装置1を多数個取りすることができる。もしくは、基板2は、下面に枠体4の切れ目に沿って無機材料用ブレードB2で切れ目が形成され、基板2および枠体4の切れ目に沿って分割されるように外力が加えられることにより、複数に分割された発光装置1を多数個取りすることができる。
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。ここで、上述した実施形態に係る変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る発光装置のうち、本実施形態に係る発光装置と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図9は、一変形例に係る発光装置の内部を示した概観斜視図であって、枠体4の内面を示している。上述した実施形態は、枠体4の内面が平面視して矩形状に形成されているが、枠体4の内面が平面視して円形状に形成されていてもよい。枠体4の内面を円形状にすることで、発光素子3を中心として光学設計した場合は、発光素子3から枠体4の内面までの距離を一定に調整することができる。その結果、発光素子3からの光が枠体4の内面の角部等で繰り返して反射されることを低減することができ、発光素子3から外部に取り出される光量を増加させることができるとともに、発光素子3からの光を枠体4の内面から波長変換部材5にムラなく入射させることができることから、波長変換部材5の発光効率を低下させることなく有効に活用することができる。
また、図10に示すように、基板2と枠体4とを別々に設けて、両者を接合部材8を介して接続してもよい。かかる場合は、未硬化の基板2および枠体4を用いるのに比べて、硬化した基板2および枠体4を張り合わせて用いることができ、取扱いやすく製造時の製造制約を低減することができ、量産に適した製造技術を提供することができる。
また、図11に示すように、基板2、枠体4および波長変換部材5について、外形を円形状にした構造であってもよい。各部材の外形を円形状とすることで、発光素子3から波長変換部材5までの光路長が発光素子3の光軸に対して軸対称となることから、発光装置1から放射される光は、発光素子3の光軸を中心として回転軸対称の配光分布を形成することがきる。即ち、光軸の回転方向で光強度が強い部位と、弱い部位が形成されることによって生じる光強度のムラを抑制できる。
1 発光装置
2 基板
3 発光素子
4 枠体
4a 傾斜面
5 波長変換部材
6 接着材
7 蛍光体

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられた、励起光を発する発光素子と、
    前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲むとともに、外面に外縁が下部から上部に向かって小さくなる傾斜面を有した光透過性の枠体と、
    前記枠体上に前記発光素子を覆うように設けられた、平面視して前記枠体が見えないように覆うとともに、前記枠体の前記傾斜面と間を空けて設けられた、蛍光体を含有するシート状の波長変換部材と、を備えたことを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置であって、
    前記枠体は四角形状であり、前記傾斜面を、前記枠体の外面のそれぞれに有していることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1または請求項2のいずれかに記載の発光装置であって、
    前記枠体の外面は、前記基板の上面に垂直な側面と前記傾斜面とからなり、
    前記傾斜面は、前記側面よりも表面粗さが大きいことを特徴とする発光装置。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の発光装置であって、
    前記枠体の内面は、平面視して円形状であることを特徴とする発光装置。

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017139456A (ja) * 2016-01-29 2017-08-10 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303373A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具
JP2009244405A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Toppan Printing Co Ltd 光拡散ユニット、バックライトユニット及びディスプレイ装置
JP2010045248A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2010205748A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Nichia Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2011040494A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
WO2011052502A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 京セラ株式会社 発光装置
WO2012014853A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 旭硝子株式会社 発光素子用基板、発光装置及び発光素子用基板の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303373A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具
JP2009244405A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Toppan Printing Co Ltd 光拡散ユニット、バックライトユニット及びディスプレイ装置
JP2010045248A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2010205748A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Nichia Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2011040494A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
WO2011052502A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 京セラ株式会社 発光装置
WO2012014853A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 旭硝子株式会社 発光素子用基板、発光装置及び発光素子用基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017139456A (ja) * 2016-01-29 2017-08-10 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
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