DE102021103369A1 - Halbleitervorrichtung und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfasst die Schritte Bereitstellen eines Hilfsträgers, Anordnen einer Elastomer Schicht auf dem Hilfsträger, Anordnen zumindest eines Werkstücks, insbesondere eines Leadframes, auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht, Anordnen zumindest eines Halbleiterbauteils auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite des Werkstücks, Vergießen des zumindest einen Halbleiterbauteils mit einem Vergussmaterial derart, dass das wenigstens eine Halbleiterbauteil von dem Vergussmaterial in lateraler Richtung umschlossen ist, und Trennen des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger, indem die Elastomer Schicht in zumindest einem ersten Bereich in laterale Richtung mit einer Zugkraft beaufschlagt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, ein Halbleiterträgersystem sowie eine Halbleitervorrichtung.
  • Für die Herstellung von insbesondere flachen Halbleitervorrichtungen sind besonders dünne Substrate erforderlich. Dünne Substrate, beispielsweise ein Leadframe mit einer Dicke von ungefähr 100µm, mit darauf aufgebrachten verhältnismäßig dicken Halbleiterbauteilen, beispielsweise eine Fotodiode mit einer Dicke von ungefähr 220µm, neigen dazu sich wegen unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der Halbleiterbauteile durchzubiegen. Sie sind daher schwierig in der Fertigung zu handhaben ohne, dass die Halbleitervorrichtungen beschädigt werden.
  • Zum gegenwärtigen Zeitpunkt werden insbesondere flachen Halbleitervorrichtungen meist ohne die Verwendung eines sogenannten Trägersystems prozessiert. Um dabei Beschädigungen und Ausbeuteverluste der Halbleitervorrichtungen zu reduzieren, sind aufwändige und teure Maschinenumbauten, sowie aufwendige manuelle Prozesse sowie Nacharbeit der Halbleitervorrichtungen von Nöten.
  • Um eine hohe Ebenheit der Substrate vor und nach dem Aufbringen der Halbleiterbauteile zu erzielen, ist es wünschenswert, das Substrat auf einem Trägersystem, insbesondere einem steifen Träger, aufzubringen sodass sich das Substrat während der Prozessierung nicht verbiegen kann. Nach der Prozessierung des Substrates muss dieses jedoch wieder von dem Träger abgelöst werden, was zum Gegenwärtigen Zeitpunkt nur in Verbindung mit teuren Prozessen und/oder der Inkaufnahme von Ausbeutungsverlusten der Halbleitervorrichtungen einhergeht.
  • Ein mögliches Beispiel für eine solches Trägersystem ist beispielsweise in der US 2007145555 A1 gezeigt. Das Trägersystem enthält eine Trägerplatte und einen thermosensitiven Klebstoff, der an eine obere Oberfläche der Trägerplatte aufgebracht ist. Bei einer vorbestimmten, definierten Temperatur verliert der thermosensitive Klebstoff seine Klebewirkung und kann von der Trägerplatte entfernt werden.
  • Ein weiteres Beispiel für ein Trägersystem ist in der US 2011024906 A1 gezeigt. Das Trägersystem enthält eine Klebefolie, die auf eine starre Trägerschicht auflaminiert ist. Die Klebefolie kann beidseitig haftend sein und kann von der Trägerschicht oder von jeder anderen Schicht oder jedem anderen Material, auf das sie aufgebracht ist, ablösbar sein.
  • Brewer Science schlägt ebenfalls verschiedene Arten von Trägersystemen vor (siehe www.brewerscience.com), sowie Methoden, um die Halbleitervorrichtungen von dem Trägersystem zu lösen. Zu diesen Methoden zählen unter anderem Laser Releases, chemische Release, thermisches Release und mechanische Release Verfahren. Diese Verfahren haben es jedoch gemeinsam, dass das Substrat beim Ablösen von dem Trägersystem einer erhöhten mechanischen, thermischen und/oder chemischen Belastung ausgesetzt ist. Dies kann zu Beschädigungen und Ausbeuteverluste der Halbleitervorrichtungen führen. Ferner sind die bereits bekannten Verfahren zum Ablösen des Substrats von dem Trägersystem zumeist teuer.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt entsprechend als eine Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, ein Halbleiterträgersystem sowie eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, bei dem wenigstens einige der oben genannten problematischen Aspekte adressiert werden.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruch 1, einem Halbleiterträgersystem mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruch 19, sowie einer Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruch 30. Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfasst die Schritte eines Bereitstellens eines Hilfsträgers, eines Anordnens oder Aufbringens einer Elastomer Schicht auf dem Hilfsträger, sowie eines Anordnens zumindest eines Werkstücks, insbesondere eines Leadframes, auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht. Ferner umfasst das Verfahren die Schritte eines Anordnens zumindest eines Halbleiterbauteils auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite des Werkstücks, eines Vergießens des zumindest einen Halbleiterbauteils mit einem Vergussmaterial derart, dass das wenigstens eine Halbleiterbauteil von dem Vergussmaterial in lateraler Richtung umschlossen ist, und eines Trennens des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger, indem die Elastomer Schicht in zumindest einem ersten Bereich, insbesondere einem Randbereich der Elastomer Schicht, in laterale Richtung mit einer Zugkraft beaufschlagt wird. In diesem Zusammenhang soll unter dem beaufschlagen in zumindest einem ersten Bereich verstanden werden, dass in diesem Bereich die Zugkraft ansetzt, bzw. auf diesen Bereich eine Zugkraft ausgeübt wird.
  • In einer alternativen Ausführungsform kann auch nur ein Wafer unter Zuhilfenahme von Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips prozessiert werden. In einer Ausgestaltung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung vorgeschlagen, dass die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Hilfsträgers; Anordnen oder Aufbringen einer Elastomer Schicht auf dem Hilfsträger; Anordnen zumindest eines Werkstücks, insbesondere einer oder mehrerer metallischer, isolations- und/oder Halbleiterschichten, auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht; Prozessieren, insbesondere strukturieren, des Werkstücks; und Trennen des zumindest einen prozessierten Werkstücks von dem Hilfsträger, indem die Elastomer Schicht in zumindest einem ersten Bereich, insbesondere einem Randbereich der Elastomer Schicht, in laterale Richtung mit einer Zugkraft beaufschlagt wird.
  • Der Vorteil der Verwendung einer Elastomer Schicht zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück liegt darin, dass das Werkstück zum einem während der Prozessierung auf einem steifen Trägersystem aufgebracht ist, sodass sich das Werkstück während der Prozessierung nicht oder nur kaum verbiegt, und zum anderen erfolgt das Trennen des zumindest einen prozessierten Werkstücks von dem Hilfsträger ohne, dass der Hilfsträger oder das Werkstück einer erhöhten mechanischen, thermischen und/oder chemischen Belastung ausgesetzt sind. Insbesondere wird der Hilfsträger und/oder das Werkstück nicht gebogen, um das Werkstück, insbesondere nachdem es prozessiert wurde, von dem Hilfsträger zu lösen. Beispielsweise kann durch die aufgebrachte Zugkraft nicht nur eine Dehnung der Elastomer Schicht in Zugrichtung bewirkt werde, sondern gleichzeitig auch eine Verjüngung der Dicke der Elastomer Schicht, sodass sich diese im Bereich zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück von diesen beiden löst.
  • In einigen Ausführungsformen werden der Hilfsträger und das zumindest eine Werkstück durch die Elastomer Schicht unter Einwirkung von Druck und Temperatur laminiert. Insbesondere wird in einigen Ausführungsformen das Werkstück unter Zuhilfenahme der Elastomer Schicht auf den Hilfsträger laminiert, sodass das Werkstück zur weiteren Bearbeitung auf dem Hilfsträger fixiert ist.
  • In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht klebrige Eigenschaften auf, sodass das Werkstück auf der Elastomer Schicht bzw. dem Hilfsträger zur weiteren Bearbeitung fixiert ist.
  • Durch das Ansetzen oder Ausüben einer Zugkraft auf die den Hilfsträger und das Werkstück verbindende Elastomer Schicht, wird diese in Zugrichtung gedehnt und sie löst sich aufgrund der auftretenden Scherung von dem Hilfsträger und dem Werkstück. Eine Delamination der Elastomer Schicht von dem Hilfsträger und dem Werkstück erfolgt dadurch ohne dass der Hilfsträger oder das Werkstück einer erhöhten mechanischen, thermischen und/oder chemischen Belastung ausgesetzt sind. Insbesondere wird der Hilfsträger und/oder das Werkstück nicht gebogen, um das Werkstück, insbesondere nachdem es weiterbearbeitet wurde, von dem Hilfsträger zu lösen. Beispielsweise kann durch die aufgebrachte Zugkraft nicht nur eine Dehnung der Elastomer Schicht in Zugrichtung bewirkt werde, sondern gleichzeitig auch eine Verjüngung der Dicke der Elastomer Schicht, sodass sich diese im Bereich zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück von diesen beiden löst.
  • Mit der Formulierung „laterale Richtung“ kann insbesondere eine Richtung verstanden werden, die senkrecht zur Aufbaurichtung des Hilfsträgers, der Elastomer Schicht, des zumindest einen Werkstücks, und des wenigstens eine Halbleiterbauteil, ausgebildet ist. Insbesondere kann die Formulierung „laterale Richtung“ als eine Richtung verstanden werden, die in seitliche Richtung zur Aufbaurichtung des Hilfsträgers, der Elastomer Schicht, des zumindest einen Werkstücks, und des wenigstens eine Halbleiterbauteil, weist.
  • Das Werkstück kann beispielsweise durch einen Leadframe, ein Keramiksubstrat, eine Leiterplatte, oder einen Wafer gebildet werden. Insbesondere kann das Werkstück im Vergleich zu der Elastomer Schicht derart ausgebildet sein, dass zumindest eine Halbleiterbauteil auf dem Werkstück angeordnet werden kann und dieses mit dem Werkstück mechanisch verbunden werden kann. Dazu kann das Werkstück im Vergleich zu der Elastomer Schicht beispielsweise ein vergleichsweise hartes bzw. steifes Material umfassen.
  • Das zumindest eine Halbleiterbauteil kann beispielsweise einen LED-Chip (englisch: light emitting diode), eine Fotodiode, einen Fotodetektor, einen integrierten Schaltkreis (englisch: integrated circuit IC), einen Sensor, oder einen MEMS-Chip (englisch: microelectromechanical systems) umfassen. Insbesondere kann das zumindest eine Halbleiterbauteil durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil wie beispielsweise einer LED oder einer Laserdiode gebildet sein.
  • Das zumindest eine Halbleiterbauteil kann beispielsweise derart ausgebildet sein, dass es einen Oberseitenkontakt und einen dem Oberseitenkontakt gegenüberliegenden Unterseitenkontakt zum elektrischen Kontaktieren des Halbleiterbauteils aufweist. Das Halbleiterbauteil kann dann beispielsweise über den Unterseitenkontakt mit dem Werkstück und mittels eines Drahtes über den Oberseitenkontakt mit dem Werkstück elektrisch verbunden sein.
  • Das Vergussmaterial kann beispielsweise ein Epoxidharz, Acrylat, Silikon, einen thermoplastischen Kunstoff, oder einen duroplastischen Kunstoff umfassen. Das Vergussmaterial kann ferner ein Matrixmaterial umfassen, dass mit einem Zusatz, insbesondere einem Füllstoff, versetzt ist, um die mechanischen, elektrischen oder Verarbeitungseigenschaften des Vergussmaterials anzupassen. Das Vergussmaterial kann jedoch auch ohne einen Füllstoff vorliegen und somit „ungefüllt“ sein. Das Vergussmaterial kann transparente Eigenschaften aufweisen, oder zumindest teilweise für zumindest Licht im sichtbaren Bereich transparent sein. Das Vergussmaterial kann hingegen auch im Wesentlichen Lichtundurchlässig sein bzw. für zumindest Licht im sichtbaren Bereich lichtundurchlässig sein.
  • In einigen Ausführungsformen kann der Schritt des Vergießens des zumindest einen Halbleiterbauteils ein Trennen des Werkstücks in zumindest zwei Segmente umfassen. Beispielweise kann das Werkstück auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht angeordnet und fixiert werden, zumindest ein Halbleiterbauteil, insbesondere zumindest zwei Halbleiterbauteile, auf dem Werkstück angeordnet werden, das zumindest eine Halbleiterbauteil, insbesondere die zumindest zwei Halbleiterbauteile, mit einem Vergussmaterial vergossen werden, und das Werkstück anschließend in zumindest zwei Segmente unterteilt werden, insbesondere derart, dass jedes Segment ein Halbleiterbauteil umfasst. Das Werkstück kann ferner auch in fünf, zehn, hundert, oder eine andere Anzahl an Segmenten unterteilt werden. Das Trennen kann beispielsweise mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfolgen und es kann insbesondere die Elastomer Schicht durch das Trennen nicht beschädigt werden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Anordnens des zumindest einen Werkstücks auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht ein Trennen des Werkstücks in zumindest zwei Segmente. Beispielweise kann das Werkstück auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht angeordnet und fixiert werden und das Werkstück anschließend in zumindest zwei Segmente unterteilt werden. Das Werkstück kann ebenfalls in fünf, zehn, hundert, oder in eine andere Anzahl an Segmenten unterteilt werden. Das Trennen kann beispielsweise mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfolgen und es kann insbesondere lediglich das Werkstück in Segmente getrennt werden ohne dabei die darunterliegende Elastomer Schicht zu beschädigen.
  • Durch das Trennen des Werkstücks in zumindest zwei Segmente kann verhindert werden, dass sich das Werkstück im Falle eines nachgeordneten Vergießens des zumindest einen Halbleiterbauteils, nicht oder nur wenig durchbiegt und dadurch die Qualität der Halbleitervorrichtung verbessert werden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Anordnens des zumindest einen Werkstücks auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht ein Vergießen des Werkstücks mit einem weiteren Vergussmaterial. Beispielsweise kann das Werkstück auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht angeordnet und fixiert werden, das Werkstück in zumindest zwei Segmente unterteilt werden, und anschließend das Werkstück, insbesondere die zumindest zwei Segmente, mit einem weiteren Vergussmaterial vergossen werden. Das Vergießen erfolgt dabei derart, dass das Werkstück, insbesondere die zumindest zwei Segmente, von dem weiteren Vergussmaterial in lateraler Richtung umschlossen sind. Das Werkstück bzw. jedes der Segmente kann beispielsweise in eine Umfangsrichtung um das Werkstück bzw. in eine Umfangsrichtung um jedes der Segmente gesehen vollständig von dem weiteren Vergussmaterial umschlossen sein. Die Umfangsrichtung kann sich beispielsweise um eine Achse durch den Schwerpunkt des Werkstücks bzw. um eine jeweilige Achse durch den Schwerpunkt eines jeden Segmentes ergeben, die in Richtung der Aufbaurichtung des Hilfsträgers, der Elastomer Schicht, des zumindest einen Werkstücks, und des wenigstens eine Halbleiterbauteil, ausgebildet ist.
  • Das weitere Vergussmaterial kann beispielsweise ein Epoxidharz, Acrylat, Silikon, einen thermoplastischen Kunststoff, oder einen duroplastischen Kunststoff umfassen. Das weitere Vergussmaterial kann ferner ein Matrixmaterial umfassen, dass mit einem Zusatz, insbesondere einem Füllstoff, versetzt ist, um die mechanischen, elektrischen oder Verarbeitungseigenschaften des weiteren Vergussmaterials anzupassen. Das weitere Vergussmaterial kann jedoch auch ohne einen Füllstoff vorliegen und somit „ungefüllt“ sein. Das weitere Vergussmaterial weist bevorzugt transparente Eigenschaften auf, oder ist zumindest teilweise für zumindest Licht im sichtbaren Bereich transparent. Insbesondere weist das weitere Vergussmaterial transparente Eigenschaften auf wenn es sich bei der Halbleitervorrichtung um eine Halbleitervorrichtung mit optoelektronischen Halbleiterbauteilen handelt. Das weitere Vergussmaterial kann jedoch auch im Wesentlichen Lichtundurchlässig sein bzw. für zumindest Licht im sichtbaren Bereich lichtundurchlässig sein.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das weitere Vergussmaterial im Wesentlichen mit einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Oberfläche des zumindest einen Werkstücks plan ab. Das weitere Vergussmaterial kann beispielsweise einen Verguss bilden in dem das Werkstück bzw. die zumindest zwei Segmente eingebettet sind, sodass sich eine Platte aus einzelnen vergossen Werkstück Segmenten bzw. Leadframe Segmenten ergeben, auf denen jeweils zumindest ein Halbleiterbauteil angeordnet werden kann.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Anordnens zumindest eines Halbleiterbauteils auf dem Werkstück ein elektrisches Verbinden, insbesondere Bonden, des zumindest einen Halbleiterbauteils mit dem Werkstück.
  • Das Werkstück bzw. jedes der zumindest zwei Segmente des Werkstücks können derart ausgebildet sein, dass sie jeweils einen ersten und einen zweiten, vom ersten elektrisch isolierten, elektrischen Kontakt aufweisen. Zumindest ein Halbleiterbauteil kann pro Segment auf einem der beiden elektrischen Kontakte aufgebracht und mit diesem elektrisch verbunden sein und über einen Drahtbond kann das Halbleiterbauteil mit dem anderen noch nicht kontaktierten elektrischen Kontakt elektrisch verbunden sein.
  • In einigen Ausführungsformen werden zumindest zwei Halbleiterbauteile auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite des zumindest einen Werkstücks angeordnet. Beispielsweise kann auf jedem der zumindest zwei Segmente des Werkstücks zumindest ein Halbleiterbauteil angeordnet werden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst das erfindungsgemäße Verfahren einen weiteren Schritt eines Vereinzelns des zumindest einen Werkstücks mit den darauf angeordneten zumindest zwei Halbleiterbauteilen in zumindest zwei Halbleitervorrichtungen, derart, dass jede Halbleitervorrichtung eines der zumindest zwei Halbleiterbauteile sowie ein Segment des zumindest einen Werkstücks umfasst. Beispielsweise erfolgt der Schritt des Vereinzelns nach dem Trennen des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger. Der Schritt des Vereinzelns kann beispielsweise mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfolgen.
  • In einigen Ausführungsformen wird auf wenigstens einen aus dem Hilfsträger und dem vergossenen Werkstück während des Schrittes des Trennens des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger eine Kraft entgegen der Zugkraft ausgeübt. Diese Kraft kann beispielsweise dadurch aufgebracht werden, dass einer aus dem Hilfsträger und dem vergossenen Werkstück während des Schrittes des Trennens des zumindest einen Werkstücks von dem Hilfsträger festgehalten bzw. fixiert wird und somit eine Kraft entgegen der Zugkraft ausgeübt wird. Durch die entgegen der Zugkraft ausgeübte Kraft wird verhindert, dass das Trägersystem aus Hilfsträger, Elastomer Schicht, Werkstück, Halbleiterbauteil und Vergussmaterial in Richtung der Zugkraft verschoben wird und dadurch die Zugkraft keine Dehnung in der Elastomer Schicht verursachen kann.
  • In einigen Ausführungsformen wird auf die Elastomer Schicht in einem ersten Bereich, insbesondere in einem ersten Randbereich der Elastomer Schicht, in laterale Richtung eine erste Zugkraft ausgeübt und in einem zweiten, dem ersten Bereich gegenüberliegendem Bereich, insbesondere in einem zweiten dem ersten Randbereich gegenüberliegendem Randbereich, eine zweite, zur ersten Zugkraft im Wesentlichen entgegengesetzt wirkenden Zugkraft ausgeübt. Die Formulierung „im Wesentlichen entgegengesetzt wirkenden“ kann dabei insbesondere dahingehend verstanden werden, dass sich die Kraftvektoren der ersten und der zweiten Zugkraft im Wesentlichen gegenseitig aufheben.
  • In einigen Ausführungsformen wird die Elastomer Schicht in einer Vielzahl von Bereichen, insbesondere Randbereichen der Elastomer Schicht, jeweils eine Zugkraft ausgeübt, wobei sich die Kraftvektoren der Zugkräfte in Summe im Wesentlichen gegenseitig aufheben. Beispielsweise kann die Elastomer Schicht in Umfangsrichtung gesehen in zumindest zwei oder vier entgegengesetzt wirkende Richtungen in einem jeweiligen Bereich, insbesondere Randbereiche der Elastomer Schicht, jeweils mit einer Zugkraft beaufschlagt werden, wobei sich die Kraftvektoren der Zugkräfte in Summe im Wesentlichen gegenseitig aufheben. Dennoch wird die Elastomer Schicht durch die Zugkräfte in unterschiedliche Richtungen gedehnt, so dass sich deren Dicke ändert und so ein Ablösen von dem Werkstück bewirkt.
  • In einigen Ausführungsformen ragt die Elastomer Schicht in dem zumindest einem ersten Bereich lateral über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinaus.
  • In einigen Ausführungsformen ragt die Elastomer Schicht zumindest in den Bereichen, in denen eine Zugkraft aufgebracht wird, lateral über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinaus.
  • Dies kann von Vorteil sein, da die Elastomer Schicht in den Bereichen, in denen eine Zugkraft ausgeübt wird und in denen sie über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinausragt besser zugänglich sein kann, um beispielsweise die Zugkraft anzusetzen, also beispielsweise die Elastomer Schicht zu greifen.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Elastomer Schicht eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten, insbesondere Streifen. Beispielsweise kann die Elastomer Schicht in Form einer einzigen durchgehenden Schicht auf den Hilfsträger aufgebracht werden, und diese anschließend auf dem Hilfsträger mit beispielsweise einem Messer oder einem Laser in Streifen geschnitten werden. Die Segmente bzw. Streifen der Elastomer Schicht können jedoch auch einzeln auf den Hilfsträger aufgebracht und nebeneinander angeordnet werden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Elastomer Schicht zumindest eines aus den Materialen PDMS, Silikon, Gummi, Fluorelastomer, Viton und Polyurethan.
  • In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht ein Dicke von 0,1 mm bis 10 mm oder eine Dicke zwischen 2 mm und 5 mm auf. Beispielswiese können jedoch auch dickere Schichten bevorzugt sein, um Risse in der Elastomer Schicht beim Aufbringen der Zugkraft auf die Elastomer Schicht zu vermeiden.
  • In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht ein Elastizitätsmodul von kleiner 50 MPa, oder kleiner 5MPa auf. Ein solcher Elastizitätsmodul kann von Vorteil sein, da er im hookschen Bereich einen gewünschten Zusammenhang zwischen mechanischer Spannung und Dehnung beschreibt. In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht zusätzlich dazu eine Bruchdehnung von größer oder gleich 50%, oder von größer oder gleich 100% auf.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der Hilfsträger zumindest eines aus den Materialien Stahl, Kupfer, Silizium, Glas, Keramik, einer Eisen-Nickel-Legierung (FeNi), oder einem schwer entflammbaren und flammenhemmenden Verbundwerkstoff wie FR4. Insbesondere kann der Hilfsträger aus einem harten bzw. steifen Material bestehen, dass eine entsprechende Stabilität und Ebenheit zur Bearbeitung des Werkstücks bereitzustellen.
  • In einigen Ausführungsformen weisen der Hilfsträger und/oder die Elastomer Schicht und/oder das Werkstück in laterale Richtung gesehen eine rechteckige, quadratische oder runde Form auf. In einigen Ausführungsformen weisen der Hilfsträger und/oder die Elastomer Schicht und/oder das Werkstück in laterale Richtung gesehen eine im wesentlichen gleiche Form auf, wobei die Elastomer Schicht in laterale Richtung gesehen insbesondere eine größere Fläche aufweist als der Hilfsträger und das Werkstück. Beispielsweise kann der Hilfsträger und/oder die Elastomer Schicht und/oder das Werkstück, insbesondere in Form eines Halbleiterwafers, eine im Wesentlichen runde Form aufweisen.
  • In einigen Ausführungsformen weist der Hilfsträger Öffnungen auf, in die die Elastomer Schicht lateral hineinragt. Insbesondere sind die Öffnungen in einem Bereich des Hilfsträgers angeordnet, in dem in Aufbaurichtung des Hilfsträgers, der Elastomer Schicht, des zumindest einen Werkstücks, und des wenigstens eine Halbleiterbauteil gesehen kein Bereich des Werkstücks liegt. Dies kann von Vorteil sein, da auf die Elastomer Schicht in den Bereichen, in denen sie in die Öffnungen hineinragt eine Zugkraft aufgebracht werden kann, da die Elastomer Schicht aufgrund der Öffnungen in diesen Bereichen besser zugänglich sein kann, um die Elastomer Schicht beispielsweise zu greifen.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst das Werkstück eine Trägerfolie und einen auf die Trägerfolie aufgebrachten Leadframe. Durch die Verwendung der Trägerfolie kann eine Adhäsion/Haftung zwischen der Elastomer Schicht und dem Werkstück bzw. zwischen der Elastomer Schicht und des Leadframes verbessert werden, um eine weitere Bearbeitung des Werkstücks bzw. des Leadframes zu erleichtern. Die Trägerfolie kann beispielsweise Polyimid umfassen.
  • Ein erfindungsgemäßes Halbleiterträgersystem umfasst einen Hilfsträger, auf dem eine Elastomer Schicht angeordnet ist, und zumindest ein Werkstück, insbesondere einen Leadframe, auf dessen Oberseite zumindest ein Halbleiterbauteil angeordnet ist. Das Werkstück ist dabei auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht angeordnet. Ferner umfasst das Halbleiterträgersystem ein Vergussmaterial das das Halbleiterbauteil in lateraler Richtung umschließt.
  • Das Halbleiterträgersystem kann beispielweises ein Zwischenprodukt im Herstellungsprozess einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung sein.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst das zumindest eine Werkstück zumindest zwei voneinander getrennte Segmente, insbesondre zwei voneinander getrennte Leadframe Segmente. Jedes Leadframe Segment kann wiederum einen ersten elektrischen Kontakt und einen vom ersten elektrischen Kontakt elektrisch isolierten und beabstandeten zweiten elektrischen Kontakt aufweisen.
  • In einigen Ausführungsformen weisen die zumindest zwei Segmente jeweils entlang einer zwischen den beiden Segmenten verlaufenden Trennlinie einen Grat auf. Der Grat kann beispielsweise durch das Trennen des Werkstücks in die zumindest zwei Segmente mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen entstanden sein.
  • In einigen Ausführungsformen weist das Halbleiterträgersystem ein weiteres Vergussmaterial auf, dass das zumindest eine Werkstück, insbesondere die zumindest zwei Segmente, in lateraler Richtung umschließt. Durch einen Prozessschritt, bei dem das weitere Vergussmaterial aufgebracht wird, insbesondere in Form eines Spritzgussprozesses, kann der Grat, insbesondere durch einen Kontakt mit dem verwendeten Gießwerkzeug, verformt sein.
  • In einigen Ausführungsformen schließt das weitere Vergussmaterial im Wesentlichen mit einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Oberfläche des zumindest einen Werkstücks plan ab.
  • In einigen Ausführungsformen ragt die Elastomer Schicht in zumindest einem ersten Bereich, insbesondere Randbereich der Elastomer Schicht, lateral über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinaus.
  • In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht in zumindest dem ersten Bereich eine größere Dicke auf als in einem Bereich zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück. Beispielsweise kann die Elastomer Schicht in zumindest dem ersten Bereich, insbesondere Randbereich der Elastomer Schicht einen dickeren, insbesondere umlaufenden, Rand aufweisen, sodass die Elastomer Schicht in diesem Bereich besser zugänglich sein kann, um die Elastomer Schicht beispielsweise zu greifen.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Elastomer Schicht eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten, insbesondere Streifen. Die Segmente können ferner auch in Form einer A x 2 Matrix auf dem Hilfsträger angeordnet sein, wobei A einer natürlichen Zahl größer oder gleich 1 entsprechen kann. Die Segmente können beispielsweise durch einen Spalt zueinander beabstandet auf dem Hilfsträger angeordnet sein. Der Spalt kann jedoch sehr klein im Bereich von wenigen µm ausgebildet sein.
  • Eine Segmentierung der Elastomer Schicht kann von Vorteil sein, da zum einen eine geringer Zugkraft zum Trennen des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger erforderlich sein kann, zum anderen ein geringeres Risiko zur Bildung von Rissen in der Elastomer Schicht beim Trennen des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger auftreten kann, und durch das Trennen mittels einzelner Segmente größere Werkstücke von dem Hilfsträger getrennt werden können.
  • In einigen Ausführungsformen ragt jeweils zumindest ein Randbereich der Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten der Elastomer Schicht über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinaus, sodass die Elastomer Schicht in diesen Bereichen besser zugänglich sein kann, um die Elastomer Schicht beispielsweise zu greifen.
  • In einigen Ausführungsformen weist der Hilfsträger Öffnungen auf, und die Elastomer Schicht ragt lateral in diese Öffnungen hinein. Insbesondere sind die Öffnungen in einem Bereich des Hilfsträgers angeordnet, in dem in Aufbaurichtung der Schichten des Halbleiterträgersystems gesehen kein Bereich des Werkstücks liegt. Dies kann von Vorteil sein, da die Elastomer Schicht aufgrund der Öffnungen in diesen Bereichen besser zugänglich sein kann, um die Elastomer Schicht beispielsweise zu greifen. Ferner können die Öffnungen von Vorteil sein, da dadurch eine gute Zugänglichkeit der Elastomer Schicht erzeugt wird und gleichzeitig das Halbleiterträgersystem besser prozessiert werden kann, da über den Hilfsträger in lateraler Richtung keine Bereiche der Elastomer Schicht hinausragen, die die Prozessierung ggf. stören könnten.
  • In einigen Ausführungsformen sind zumindest zwei Werkstücke, insbesondere Leadframes, auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht nebeneinander angeordnet. Dies kann insbesondere von Vorteil sein, wenn bei Vorgänger- und/oder Nachfolgeprozessen kleinere Werkstücke zur bessern Handhabung oder Bearbeitung von Nöten sind.
  • Ein erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung umfasst einen Leadframe, auf dessen Oberseite ein Halbleiterbauteil angeordnet ist, ein Vergussmaterial das das Halbleiterbauteil in lateraler Richtung umschließt, und ein weiteres Vergussmaterial, das den Leadframe in lateraler Richtung umschließt und im Wesentlichen plan mit der Oberseite des Leadframes abschließt. Seitliche Außenflächen der Halbleitervorrichtung sind dabei nur durch die beiden Vergussmaterialien gebildet.
  • Als seitliche Außenflächen der Halbleitervorrichtung können insbesondere Flächen der Halbleitervorrichtung verstanden werden, die die Halbleitervorrichtung in eine Umfangsrichtung um eine Achse entlang der Aufbaurichtung der Schichten der Halbleitervorrichtung, begrenzen.
  • Dass die seitlichen Außenflächen der Halbleitervorrichtung nur durch die beiden Vergussmaterialien gebildet sind, ergibt sich beispielsweise dadurch, dass beim Vereinzeln mehrerer zusammenhängender Halbleitervorrichtungen ein Vereinzelungsvorgang in Bereichen erfolgt, in denen nur die beiden Vergussmaterialien ausgebildet sind. Entsprechend ergeben sich die seitlichen Außenflächen derart, dass diese nur durch die beiden Vergussmaterialien gebildet sind. Dies hat insbesondere den Vorteil, dass bei dem Vereinzelungsvorgang ein Trennen nur durch die beiden Vergussmaterialien und beispielsweise kein weiteres Material erfolgt und der Trennvorgang dadurch erleichtert wird.
  • Figurenliste
  • Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen, jeweils schematisch,
    • 1A bis 1E Schritte der Grundidee eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach dem vorgeschlagenen Prinzip;
    • 2A bis 2F Schritte eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach dem vorgeschlagenen Prinzip;
    • 3A und 3B eine Draufsicht sowie eine Schnittansicht mehrerer erfindungsgemäßer Halbleitervorrichtungen;
    • 4A bis 4J jeweils eine Draufsicht sowie eine Schnittansicht verschiedener Ausführungsbeispiele eines Halbleiterträgersystems nach dem vorgeschlagenen Prinzip;
    • 5A bis 5C jeweils eine Draufsicht verschiedener weiterer Ausführungsbeispiele eines Halbleiterträgersystems nach dem vorgeschlagenen Prinzip; und
    • 6A bis 6F Schritte eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach dem vorgeschlagenen Prinzip.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Die folgenden Ausführungsformen und Beispiele zeigen verschiedene Aspekte und ihre Kombinationen nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die Ausführungsformen und Beispiele sind nicht immer maßstabsgetreu. Ebenso können verschiedene Elemente vergrößert oder verkleinert dargestellt werden, um einzelne Aspekte hervorzuheben. Es versteht sich von selbst, dass die einzelnen Aspekte und Merkmale der in den Abbildungen gezeigten Ausführungsformen und Beispiele ohne weiteres miteinander kombiniert werden können, ohne dass dadurch das erfindungsgemäße Prinzip beeinträchtigt wird. Einige Aspekte weisen eine regelmäßige Struktur oder Form auf. Es ist zu beachten, dass in der Praxis geringfügige Abweichungen von der idealen Form auftreten können, ohne jedoch der erfinderischen Idee zu widersprechen.
  • Außerdem sind die einzelnen Figuren, Merkmale und Aspekte nicht unbedingt in der richtigen Größe dargestellt, und auch die Proportionen zwischen den einzelnen Elementen müssen nicht grundsätzlich richtig sein. Einige Aspekte und Merkmale werden hervorgehoben, indem sie vergrößert dargestellt werden. Begriffe wie „oben“, „oberhalb“, „unten“, „unterhalb“, „größer“, „kleiner“ und dergleichen werden jedoch in Bezug auf die Elemente in den Figuren korrekt dargestellt. So ist es möglich, solche Beziehungen zwischen den Elementen anhand der Abbildungen abzuleiten.
  • 1A bis 1E zeigen die Grundidee eines Verfahrens nach dem vorgeschlagenen Prinzip zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. In einem ersten Schritt wird dabei, wie in 1A dargestellt, ein Stapel aus einem Hilfsträger 2, einer Elastomer Schicht 3 und einem Werkstück 4 bereitgestellt. Dieser Stapel wird entsprechend der in 1B dargestellten Pfeile unter Einwirkung von Druck und Temperatur laminiert sodass die einzelnen Schichten zueinander fixiert werden. In einem weiteren Schritt wird dann das Werkstück 4 bearbeitet, siehe 1C. Dazu können unter anderem Schritte zählen wie das Trennen des Werkstücks in Segmente, das Vergießen des Werkstücks mit einem Füllmaterial, das Anordnen von Halbleiterbauteilen auf dem Werkstück, und das Vergießen der Halbleiterbauteile auf dem Werkstück. Das bearbeitete Werkstück 4.1 wird anschließend, wie in 1D dargestellt, von dem Hilfsträger 2 abgelöst bzw. delaminiert, indem auf die Elastomer Schicht 3 in einem Randbereich der Elastomer Schicht 3 eine Zugkraft Z ausgeübt wird, bzw. dort angreift und sich diese aufgrund der Zugkraft in laterale Richtung dehnt. Durch die aufgebrachte Zugkraft Z wird nicht nur eine Dehnung der Elastomer Schicht 3 in Zugrichtung bewirkt, sondern gleichzeitig auch eine Verjüngung der Dicke der Elastomer Schicht, sodass sich diese im Bereich zwischen dem Hilfsträger 2 und dem bearbeiteten Werkstück 4.1 von diesen beiden abschert. Nachdem das bearbeitete Werkstück 4.1 von dem Hilfsträger 2 und der Elastomer Schicht 3 abgelöst ist, kann dieses in weiteren nachfolgenden Schritten weiter- bzw. nachbearbeitet werden (siehe 1E). Dazu können unter anderem Schritte zählen wie das Vereinzeln des Werkstücks in beispielsweise mehrere Halbleitervorrichtungen.
  • 2A bis 2F zeigen Schritte eines Verfahrens nach dem vorgeschlagenen Prinzip zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. In einem ersten Schritt wird dabei, wie in 2A dargestellt, ein Werkstück 4 bereitgestellt. Im vorliegenden Fall liegt das Werkstück 4 in Form eines Leadframes 11 vor, der durch vorangegangene Bearbeitungsschritte mehrere erste und zweite elektrische Kontakte 11.1, 11.2 aufweist, die über sogenannte Stützstreben 11.3 miteinander verbunden sind. Die mehreren ersten und zweiten elektrischen Kontakte 11.1, 11.2 können beispielsweise über einen oder mehrere vorangegangene Ätzschritte erzeugt worden sein. Der Leadframe weist ferner eine Beschichtung 12 auf, die die mehreren ersten und zweiten elektrischen Kontakte 11.1, 11.2 beispielsweise vor Korrosion schützt.
  • Das Werkstück 4 bzw. der Leadframe 11 wird in einem weiteren Schritt, wie in 2B dargestellt, mittels einer Elastomer Schicht 3 auf einen Hilfsträger 2 laminiert. Dies kann beispielsweise unter Zuhilfenahme von Druck und Temperatur, wie bereits in 1B dargestellt, erfolgen. Durch den Schritt des Laminierens wird das Werkstück 4 bzw. der Leadframe 11 auf dem Hilfsträger fixiert, sodass eine Weiterbearbeitung des Werkstücks 4 bzw. des Leadframes 11 in nachfolgenden Schritten möglich ist. Der Hilfsträger besteht insbesondere aus einem harten bzw. steifen Material, um eine entsprechende Stabilität und Ebenheit zur Weiterbearbeitung des Werkstücks 4 bzw. des Leadframes 11 bereitzustellen.
  • Nachdem das Werkstück 4 bzw. der Leadframe 11 auf den Hilfsträger 2 laminiert wurde, wird der Leadframe 11 in zumindest zwei Segmente getrennt. Dieser Schritt ist in 2C dargestellt. Jedes der Segmente umfasst einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt 11.1, 11.2, die voneinander elektrisch isoliert und nebeneinander beabstandet auf der Elastomer Schicht 3 angeordnet sind. Das Trennen des Leadframes 11 in zumindest zwei Segmente erfolgt beispielsweise mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen und die Elastomer Schicht 3 wird durch das Trennen insbesondere nicht beschädigt. Wie in der Figur dargestellt werden die Segmente im Bereich der Stützstreben 11.3 getrennt, indem diese mittels einem der oben genannten Verfahren durchtrennt werden. Exemplarisch ist in der Figur ein Sägeblatt 13 dargestellt, mittels dem die Stützstreben 11.3 durchtrennt werden. Das Sägeblatt 13 wird jedoch lediglich durch die Stützstreben 11.3 geführt und ist nicht in Kontakt mit der Elastomer Schicht 3, um diese nicht zu beschädigen.
  • Das bearbeitete Werkstück 4.1 bzw. der bearbeitete Leadframe 11 ist in 2D dargestellt. Durch das Trennen des Leadframes 11 in zumindest zwei Segmente, insbesondere durch das Trennen mittels einem Sägeprozess, können die Segmente bzw. die ersten und zweiten elektrischen Kontakte 11.1, 11.2 entlang einer zwischen den Segmenten verlaufenden Trennlinie einen Grat 14 aufweisen, der durch den Trennprozess entsteht.
  • 2E zeigt ein Halbleiterträgersystem 10, dass ein Zwischenprodukt des Verfahrens nach dem vorgeschlagenen Prinzip zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung darstellt. Zur Erzeugung des Zwischenprodukts wird der in 2D dargestellte bearbeitete Leadframe 11 in einem ersten Schritt mit einem weiteren Vergussmaterial 7 derart vergossen, dass die zumindest zwei Segmente von dem weiteren Vergussmaterial 7 in lateraler Richtung umschlossen sind. Ferner schließt das weitere Vergussmaterial 7 mit einer dem Hilfsträger 2 gegenüberliegenden Oberfläche des Leadframes 11 im Wesentlichen plan ab. Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, dass auf die dem Hilfsträger 2 gegenüberliegenden Oberfläche des Leadframes 11 ein Werkzeug aufgesetzt wird, und Bereiche zwischen den Segmenten des Leadframes bzw. zwischen den ersten und zweiten elektrischen Kontakten 11.1, 11.2 mit dem weiteren Vergussmaterial hinterfüllt werden. Das Aufsetzen des Werkzeugs auf die dem Hilfsträger 2 gegenüberliegenden Oberfläche des Leadframes 11 kann dazu führen, dass der Grat 14, wie in der Figur dargestellt, verformt wird oder sogar abbricht.
  • Anschließend wird in einem weiteren Schritt auf jedem der Segmente des Leadframes 11 ein Halbleiterbauteil 5 angeordnet. Im vorliegenden Fall wird je ein Halbleiterbauteil 5 auf einer dem Hilfsträger 2 gegenüberliegenden Oberfläche des ersten elektrischen Kontakts 11.1 des Leadframes 11 angeordnet. Das Halbleiterbauteil kann beispielsweise aufgeklebt oder gelötet werden. In einem weiteren Schritt wird jedes der Halbleiterbauteile 5 mittels eines Drahtbondprozesses mit dem zugehörigen zweiten elektrischen Kontakt 11.2 über einen Draht 8 elektrisch verbunden.
  • Dann werden die Halbleiterbauteile 5 mit einem Vergussmaterial 6 in lateraler Richtung umschlossen. Dazu wird wie auch im vorangegangen Vergussprozess ein Werkzeug auf den Leadframe 11 beziehungsweise das weitere Vergussmaterial 7 aufgesetzt und die Halbleiterbauteile 5 mit dem Vergussmaterial 6 eingehaust. Das Vergussmaterial 6 wird derart angeordnet, dass die Halbleiterbauteile 5 zumindest in Umfangsrichtung von dem Vergussmaterial 6 umgeben sind. Zusätzlich wird eine Schicht des Vergussmaterials über den Halbleiterbauteilen 5 aufgebracht und auch der Draht 8 wird in dem Vergussmaterial 6 vergossen.
  • Von dem Halbleiterträgersystem 10 wird anschließend der Hilfsträger 2 bzw. die Elastomer Schicht 3 abgelöst, indem eine Zugkraft in laterale Richtung in einem Randbereich der Elastomer Schicht 3 aufgebracht wird. Aufgrund der Zugkraft dehnt sich die Elastomer Schicht 3 in laterale Richtung und gleichzeitig verjüngt sich die Dicke der Elastomer Schicht im Bereich zwischen dem Hilfsträger 2 und dem Leadframe 11, sodass sich diese vom Hilfsträger 2 und dem Leadframe 11 abschert. Um zu verhindern, dass das Halbleiterträgersystem 10 in Richtung der Zugkraft verschoben wird und dadurch die Zugkraft keine Dehnung in der Elastomer Schicht verursachen kann, kann beispielsweise der Hilfsträger festgehalten werden und dadurch entsprechend eine Kraft entgegen der Zugkraft auf das Halbleiterträgersystem 10 ausgeübt werden. Diese Kraft kann beispielsweise auch dadurch aufgebracht werden, dass nicht der Hilfsträger 2, sondern beispielsweise der vergossenen Leadframe 11 während des Schrittes des Trennens des vergossenen Leadframes 11 von dem Hilfsträger 2 festgehalten bzw. fixiert wird und somit eine Kraft entgegen der Zugkraft ausgeübt wird.
  • Nachdem der vergossene Leadframe 11 von dem Hilfsträger 2 und der Elastomer Schicht 3 abgelöst ist, kann dieser in nachfolgenden Schritten weiter- bzw. nachbearbeitet werden. Im vorliegenden Fall, dargestellt in 2F, wird der vergossen Leadframe 11 mit den darauf angeordneten Halbleiterbauteilen 5 vereinzelt, sodass sich mehrere Halbleitervorrichtungen 1 mit je einem Halbleiterbauteil 5 ergeben. Der Schritt des Vereinzelns kann beispielsweise mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfolgen.
  • Aufgrund des in 2C dargestellten vorangegangenen Schrittes des Trennens des Leadframes 11 in zumindest zwei Segmente ist es möglich den vergossenen Leadframe 11 derart zu vereinzeln, dass das Material des Leadframes dabei nicht erneut durchtrennt werden muss. Vielmehr werden bei dem Schritt des Vereinzelns nur die beiden Vergussmaterialien, aber kein weiteres Material durchtrennt. Dadurch kann insbesondere der Trennvorgang erleichtert werden. Im Ergebnis ergeben sich durch den Vereinzelungsprozess mehrere Halbleitervorrichtungen 1, deren seitliche Außenflächen 9 nur durch die beiden Vergussmaterialien 6, 7 gebildet sind.
  • Als seitliche Außenflächen 9 der Halbleitervorrichtungen 1 können insbesondere die Flächen der Halbleitervorrichtungen 1 verstanden werden, die die Halbleitervorrichtungen 1 jeweils in Umfangsrichtung begrenzen.
  • 3A und 3B zeigen eine Draufsicht sowie eine Schnittansicht mehrerer durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellter Halbleitervorrichtungen 1. Exemplarisch sind in 3A vier nebeneinander angeordnete Halbleitervorrichtungen 1 dargestellt. Dies soll jedoch nicht einschränkend verstanden werden, sondern mittels des Verfahrens können ebenfalls mehr oder auch weniger als vier nebeneinander angeordnete Halbleitervorrichtungen 1 hergestellt werden.
  • Entsprechend 3A umfasst jede Halbleitervorrichtung 1 einen Leadframe 11, insbesondere ein Leadframe Segment, welches einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt 11.1, 11.2 aufweist. In den Randbereichen der ersten und zweiten elektrischen Kontakte 11.1, 11.2 sind jeweils Überresten von Stützstreben 11.3 ausgebildet, die in Richtung der Außenflächen 9 der Halbleitervorrichtungen 1 weisen. Die Stützstreben 11.3 können, wie in der Figur dargestellt, an deren Außenkante jeweils einen Grat 14 aufweisen, der beispielsweise durch ein Trennen einer Leadframe Platte in mehrere Leadframe Segmente entstehen kann.
  • Auf der Oberseite jedes ersten elektrischen Kontakts 11.1 ist ein Halbleiterbauteil 5 angeordnet, und über einen Draht mit dem zweiten elektrischen Kontakt 11.2 elektrisch verbunden. Jedes Leadframe Segment bzw. je ein erster und ein zweiter elektrischer Kontakt 11.1, 11.2 ist von einem Vergussmaterial 7 umgeben und bildet zumindest zum Teil die Außenflächen 9 der Halbleitervorrichtungen 1.
  • In 3A ist ferner zu erkennen, dass der in 2F beschriebene Vereinzelungsprozess mehrere Halbleitervorrichtungen 1 eine geringere Breite beim Vereinzeln der Halbleitervorrichtungen 1 aufweist als der in 2C dargestellte Schritt des Trennens des Leadframes 11 in Segmente. Beim Trennen des Leadframes 11 in Segmente wird mit anderen Worten im Sinne der Breite der Trennlinie mehr Material des Leadframes entfernt als Material der Vergussmaterialien beim Vereinzeln der Halbleitervorrichtungen 1 entfernt wird. Dadurch ergibt sich wiederum, dass beim Vereinzeln der Halbleitervorrichtungen 1 nur die beiden Vergussmaterialien 6, 7 durchtrennt werden, da die Stützstreben 11.3 bereits in einem vorangegangenen Schritt in dem entsprechenden Bereich durchtrennt wurden.
  • 3B zeigt eine Schnittansicht durch die in 3A. dargestellten Halbleitervorrichtungen 1 entlang der Schnittlinie A-A'. Die Figur entspricht den in 2F dargestellten Halbleitervorrichtungen 1, die als Produkt aus dem in den 2A bis 2F beschrieben Verfahrens resultieren.
  • 4A bis 4J zeigen jeweils eine Draufsicht sowie eine Schnittansicht verschiedener Ausführungsbeispiele eines Halbleiterträgersystems 10. Jedes der Halbleiterträgersysteme 10 umfasst einen Hilfsträger 2, eine auf dem Hilfsträger 2 aufgebrachte Elastomer Schicht 3 und zumindest ein auf die Elastomer Schicht 3 aufgebrachtes Werkstück 4. Das Werkstück 4 kann beispielsweise einen Leadframe umfassen und entsprechend einem der vorangegangenen Ausführungsbeispiele ausgebildet bzw. bearbeitet worden sein.
  • 4A zeigt eine Elastomer Schicht 3, die in der Draufsicht gesehen im Wesentlichen die gleiche Grundfläche aufweist wie der Hilfsträger 2. Jedoch überragt die Elastomer Schicht 3 das Werkstück 4 entlang einer Seitenkante des Werkstücks 4. Dadurch ist ein Randbereich der Elastomer Schicht 3 nicht von dem Werkstück 4 bedeckt, sodass in diesem Bereich die durch den Pfeil dargestellte Zugkraft Z auf die Elastomer Schicht zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 aufgebracht werden kann.
  • Zur besseren Zugänglichkeit des in 4A dargestellten Randbereichs der Elastomer Schicht 3 kann, wie in 4B dargestellt, auch die Grundfläche des Hilfsträgers 2 kleiner als die Grundfläche der Elastomer Schicht 3 sein, sodass der Randbereich der Elastomer Schicht 3 sowohl auf dessen Oberseite als auch auf dessen Unterseite nicht von dem Hilfsträger 2 und dem Werkstück 4 bedeckt ist. Dadurch kann beispielsweise die Zugkraft Z in vereinfachter Weise auf die Elastomer Schicht 3 aufgebracht werden.
  • Die Elastomer Schicht 3 des in 4C dargestellte Halbleiterträgersystem 10 ragt im Vergleich zu dem in 4B dargestellten Halbleiterträgersystems 10 nicht nur entlang einer Seitenkante des Werkstücks 4 über das Werkstück 4 und den Hilfsträger 2 hinaus, sondern entlang zweier, gegenüberliegender Seitenkanten des Werkstücks 4. In diesen beiden überstehenden Bereichen ist die Elastomer Schicht 3 sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite nicht von dem Hilfsträger 2 und dem Werkstück 4 bedeckt. Zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 wird auf diese beiden Bereiche jeweils die durch den Pfeil dargestellte Zugkraft Z auf die Elastomer Schicht ausgeübt. Die beiden, durch die Pfeile dargestellten, Zugkräfte wirken in entgegengesetzte Richtung sodass sich deren Kraftvektoren im Wesentlichen gegenseitig aufheben. Dadurch wird erreicht, dass keine weitere Kraft zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 auf den Hilfsträger und/oder das Werkstück ausgeübt werden muss.
  • 4D zeigt eine Elastomer Schicht 3, die entlang ihres gesamten Umfangs, also im Vergleich zu der in 4C dargestellten Elastomer Schicht 3 entlang aller vier Seitenkanten der Grundfläche der Elastomer Schicht 3, über das Werkstück 4 und den Hilfsträger 2 hinausragt. An den jeweils gegenüberliegenden Seitenkanten werden zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 jeweils die durch den Pfeil dargestellte entgegengesetzt zueinander wirkende Zugkräfte Z auf die Elastomer Schicht angesetzt. Die an den jeweils gegenüberliegenden Seitenkanten, durch die Pfeile dargestellten, Zugkräfte wirken in entgegengesetzte Richtung, sodass sich deren Kraftvektoren im Wesentlichen gegenseitig aufheben. Dadurch wird erreicht, dass keine weitere Kraft zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 auf den Hilfsträger und/oder das Werkstück ausgeübt werden muss.
  • Die Elastomer Schicht 3 in 4E weist im Vergleich zu der Elastomer Schicht in 4D in dem über den Hilfsträger 2 und das Werkstück 4 hinausragenden Bereich eine größere Dicke auf als in einem Bereich zwischen dem Hilfsträger 2 und dem Werkstück 4. Der dickere Bereich bildet sozusagen einen Rand, an dem die Zugkräfte Z verbessert auf die Elastomer Schicht 3 aufgebracht werden können.
  • 4F zeigt im Vergleich zu dem in 4D dargestellten Halbleiterträgersystem 10 mehrere Werkstücke 4, die auf der Elastomer Schicht 3 angeordnet sind. Im vorliegenden Beispiel sind drei Werkstücke 4a, 4b und 4c nebeneinander und beabstandet zueinander auf der Elastomer Schicht 3 angeordnet. Das Anordnen von mehreren kleineren Werkstücken im Vergleich zu einem größeren Werkstück kann insbesondere von Vorteil sein, wenn für Vorgänger- oder Nachfolgeprozesse kleinere Werkstücke beispielsweise zur besseren Handhabung erforderlich sind.
  • Die Elastomer Schicht 3 kann, wie in 4G und 4J dargestellt, mehrere Segmente bzw. Streifen 3a bis n umfassen, die nebeneinander angeordnet sind. Der Indizes „a bis n“ gibt dabei die Anzahl der Streifen an, die nebeneinander angeordnet sind. Im vorliegenden Beispiel sind exemplarisch sechs nebeneinander angeordnete Streifen dargestellt, jedoch kann die Anzahl der Streifen frei gewählt sein und größer oder kleiner als sechs betragen. Die Streifen ragen entlang ihren gegenüberliegenden kurzen Seitenkanten über das Werkstück 4 und den Hilfsträger 2 hinaus und an den jeweils gegenüberliegenden Seitenkanten werden zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 jeweils die durch den Pfeil dargestellte entgegengesetzt zueinander wirkende Zugkräfte Z auf die Segmente der Elastomer Schicht aufgebracht.
  • Der Spalt zwischen den einzelnen Streifen der Elastomer Schicht kann entsprechend 4G breiter oder wie in 4J dargestellt möglichst schmal ausgeführt sein. In einigen Ausführungsformen kann es beispielsweise bevorzugt sein, dass der Spalt zwischen den einzelnen Streifen der Elastomer Schicht nur wenige µm breit ist. Dadurch kann beispielsweise eine möglichst ebene Fläche der Elastomer Schicht 3 bereitgestellt werden und die Streifen trotzdem einzeln mit einer Zugkraft Z beaufschlagt werden um das Rissrisiko der Elastomer Schicht zu reduzieren.
  • Die 4H und 4I zeigen ein Trägersystem, das mehrere Werkstücke 4, im dargestellten Fall vier Werkstücke 4, umfasst, die auf der Elastomer Schicht 3 in Form einer m x n Matrix bzw. im dargestellten Fall in Form einer 2 x 2 Matrix angeordnet sind. Ferner umfasst die Elastomer Schicht 3 mehrere Segmente die ebenfalls in Form einer m x n Matrix auf dem Hilfsträger angeordnet sind. Jeweils drei Segmente der Elastomer Schicht sind exemplarisch zwischen dem Hilfsträger 2 und jedem Werkstück 4 nebeneinander derart angeordnet, dass pro Segment ein Randbereich des Segmentes über das zugehörige Werkstück hinausragt.
  • Die Segmente der Elastomer Schicht 3 der 4H ragen ferner auch über den Hilfsträger 2 hinaus und die Zugkraft Z zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 wird in den jeweiligen überstehenden Bereichen auf die Segmente der Elastomer Schicht 3 ausgeübt. Die Zugkräfte können insbesondere derart an den Segmenten der Elastomer Schicht 3 angesetzt sein, dass sich die Kraftvektoren aller Zugkräfte Z in Summe im Wesentlichen gegenseitig aufheben.
  • Um zu verhindern, dass die Elastomer Schicht über den Hilfsträger 2 hinausragt und gleichzeitig eine gute Zugänglichkeit der Elastomer Schicht zum Aufbringen der Zugkraft auf die Elastomer Schicht zu ermöglichen, sind in dem Hilfsträger des in 4I dargestellten Halbleiterträgersystems 10 Öffnungen 15 ausgebildet in die die Segmente der Elastomer Schicht 3 hineinragen. Durch die Öffnungen 15 ist es beispielsweise möglich, die Segmente der Elastomer Schicht mit einem Werkzeug zu greifen und die Zugkraft Z auf die Elastomer Schicht zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 aufzubringen.
  • 5A, 5B und 5C zeigen ein Halbleiterträgersystem 10 bei dem zumindest das Werkstück 4 in Form einer Scheibe bzw. in Form eines Wafers ausgebildet ist.
  • Die Elastomer Schicht 3 in 5A ist ebenfalls in Form einer Scheibe ausgebildet, die konzentrisch zu dem Werkstück angeordnet ist und entlang ihres gesamten Umfangs über das Werkstück 4 und den Hilfsträger 2 hinausragt.
  • Die Elastomer Schicht 3 in 5B hingegen ist in Form von Kuchensegmenten ausgebildet, die beabstandet zueinander auf dem Hilfsträger angeordnet sind. Im vorliegenden Fall sind exemplarisch vier Kuchensegmente dargestellt, die punktsymmetrisch zum Zentrum des Werkstücks 4 um das Zentrum des Werkstücks 4 auf dem Hilfsträger angeordnet sind. Die Anzahl der Kuchensegmente kann jedoch auch abweichen und größer oder kleiner als vier betragen.
  • 5C zeigt ein Halbleiterträgersystem 10 umfassend einen rechteckigen Hilfsträger 2 auf dem zwei scheiben- bzw. waferförmige Werkstücke 4a, 4b nebeneinander angeordnet sind. Zwischen den Werkstücken und dem Hilfsträger 2 ist die Elastomer Schicht 3 angeordnet, die in Form von Kuchensegmenten 3a bis h ausgebildet ist. Je vier Segmente sind dabei punktsymmetrisch zum Zentrum der beiden Werkstücke 4 um das Zentrum des entsprechenden Werkstücks 4 auf dem Hilfsträger angeordnet.
  • 6A bis 6F zeigen die Schritte eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Das Verfahren entspricht dabei weiterstgehend dem in den 2A bis 2F beschriebenen Verfahren. Ein Unterschied besteht jedoch darin, dass das Werkstück 4 einen Leadframe 11 umfasst der in einem in 6A gezeigtem Schritt auf eine Trägerfolie 16 laminiert wird. Durch die Verwendung der Trägerfolie 16 kann beispielsweise die Haftung des Leadframes 11 auf der Elastomer Schicht 3 verbessert sein, sodass die Gefahr reduziert ist, dass bei dem in 6C gezeigten Schritt des Trennens des Leadframes in Segmente die Segmente des Leadframes verschoben werden. Die weiteren Bearbeitungsschritte des in 2E gezeigten Halbleiterträgersystems 10 entsprechen im Wesentlichen denen die bereits in den 2C bis 2E beschrieben wurden.
  • Von dem in 6E dargestellten Halbleiterträgersystem 10 wird in einem Trennschritt der Leadframe 11 inklusive der Trägerfolie 16 und den darauf angeordneten und vergossenen Halbleiterbauteilen 5 von dem Hilfsträger 2 abgelöst. Das entsprechende Zwischenprodukt ist in 6F dargestellt und kann in einem weiteren Schritt in einzelne Halbleitervorrichtungen 1 vereinzelt werden. Die Trägerfolie 16 kann sowohl auf dem finalen Produkt verbleiben kann jedoch auch von den Halbleitervorrichtungen abgelöst werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleitervorrichtung
    2
    Hilfsträger
    3
    Elastomer Schicht
    4
    Werkstück
    4.1
    bearbeitetes Werkstück
    5
    Halbleiterbauteil
    6
    Vergussmaterial
    7
    weiteres Vergussmaterial
    8
    Draht
    9
    Außenfläche
    10
    Halbleiterträgersystem
    11
    Leadframe
    11.1
    erster elektrischer Kontakt
    11.2
    zweiter elektrischer Kontakt
    11.3
    Stützstrebe
    12
    Beschichtung
    13
    Sägeblatt
    14
    Grat
    15
    Öffnung
    16
    Trägerfolie
    Z
    Zugkraft
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2007145555 A1 [0005]
    • US 2011024906 A1 [0006]

Claims (30)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1) umfassend die Schritte: Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); Anordnen einer Elastomer Schicht (3) auf dem Hilfsträger (2); Anordnen zumindest eines Werkstücks (4), insbesondere eines Leadframes (11), auf einer dem Hilfsträger (2) gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht (3); Anordnen zumindest eines Halbleiterbauteils (5) auf einer dem Hilfsträger (2) gegenüberliegenden Seite des Werkstücks (4); Vergießen des zumindest einen Halbleiterbauteils (2) mit einem Vergussmaterial (6) derart, dass das wenigstens eine Halbleiterbauteil (5) von dem Vergussmaterial (6) in lateraler Richtung umschlossen ist; und Trennen des zumindest einen Werkstücks (4) mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil (5) von dem Hilfsträger (2), indem die Elastomer Schicht (3) in zumindest einem ersten Bereich in laterale Richtung mit einer Zugkraft (Z) beaufschlagt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Hilfsträger (2) und das zumindest eine Werkstück (4) durch die Elastomer Schicht (3) unter Einwirkung von Druck und Temperatur laminiert werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Schritt des Anordnens des zumindest einen Werkstücks (4) ein Trennen des Werkstücks in zumindest zwei Segmente umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Schritt des Vergießens des zumindest einen Halbleiterbauteils (5) ein Trennen des Werkstücks (4) in zumindest zwei Segmente umfasst.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Schritt des Anordnens des zumindest einen Werkstücks (4) ein Vergießen des Werkstücks, insbesondere der zumindest zwei Segmente, mit einem weiteren Vergussmaterial (7) umfasst, derart, dass das Werkstück (4), insbesondere die zumindest zwei Segmente, von dem weiteren Vergussmaterial (7) in lateraler Richtung umschlossen ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das weitere Vergussmaterial 7) im Wesentlichen mit einer dem Hilfsträger (2) gegenüberliegenden Oberfläche des zumindest einen Werkstücks (4) plan abschließt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Schritt des Anordnens zumindest eines Halbleiterbauteils (5) auf dem Werkstück (4) ein elektrisches Verbinden, insbesondere Löten, Sintern oder Kleben, des zumindest einen Halbleiterbauteils (5) mit dem Werkstück (4) umfasst.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei zumindest zwei Halbleiterbauteile (5) auf einer dem Hilfsträger (2) gegenüberliegenden Seite des zumindest einen Werkstücks (4) angeordnet werden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, weiter umfassend den Schritt eines: Vereinzelns des zumindest einen Werkstücks (4) mit den darauf angeordneten zumindest zwei Halbleiterbauteilen (5) in zumindest zwei Halbleitervorrichtungen (1), derart, dass jede Halbleitervorrichtung (1) eines der zumindest zwei Halbleiterbauteil (5) umfasst.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei eine Kraft entgegen der Zugkraft (Z) auf wenigstens einen aus dem Hilfsträger (2) und dem vergossenen Werkstück (4) während des Schrittes des Trennens des zumindest einen Werkstücks (4) mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil (5) von dem Hilfsträger (2), ausgeübt wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Elastomer Schicht (3) in einem ersten Bereich in laterale Richtung mit einer ersten Zugkraft beaufschlagt wird und in einem zweiten, dem ersten Bereich gegenüberliegendem Bereich mit einer zweiten, zur ersten Zugkraft im Wesentlichen entgegengesetzt wirkenden Zugkraft beaufschlagt wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Elastomer Schicht (3) in dem zumindest einem ersten Bereich lateral über den Hilfsträger (2) und/oder das Werkstück (4) hinausragt.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Elastomer Schicht (3) eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten, insbesondere Streifen, umfasst.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Elastomer Schicht (3) zumindest eines aus den Materialen PDMS, Silikon, Gummi, Fluorelastomer, Viton und Polyurethan umfasst.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die Elastomer Schicht (3) ein Elastizitätsmodul von größer 50 MPa und/oder eine Bruchdehnung von größer 50% aufweist.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei der Hilfsträger (2) in laterale Richtung gesehen eine rechteckige, quadratische oder runde Form aufweist.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei der Hilfsträger (2) Öffnungen (15) aufweist und die Elastomer Schicht (3) lateral in die Öffnungen (15) hineinragt.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei das Werkstück (4) eine Trägerfolie (16) und einen auf die Trägerfolie aufgebrachten Leadframe (11) umfasst.
  19. Halbleiterträgersystem (10) umfassend: einen Hilfsträger (2), auf dem eine Elastomer Schicht (3) angeordnet ist; zumindest ein Werkstück (4), insbesondere Leadframe (11), auf dessen Oberseite zumindest ein Halbleiterbauteil (5) angeordnet ist, wobei das Werkstück (4) auf einer dem Hilfsträger (2) gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht (3) angeordnet ist; und ein Vergussmaterial (6) das das Halbleiterbauteil (5) in lateraler Richtung umschließt.
  20. Halbleiterträgersystem (10) nach Anspruch 19, wobei das zumindest eine Werkstück (4) zumindest zwei voneinander getrennte Segmente umfasst.
  21. Halbleiterträgersystem (10) nach Anspruch 20, wobei die zumindest zwei Segmente jeweils entlang einer zwischen den beiden Segmenten verlaufenden Trennlinie einen Grat (14) aufweisen.
  22. Halbleiterträgersystem (10) nach einem der Ansprüche 19 bis 21, wobei ein weiteres Vergussmaterial (7) das zumindest eine Werkstück (7), insbesondere die zumindest zwei Segmente, in lateraler Richtung umschließt.
  23. Halbleiterträgersystem (10) nach Anspruch 22, wobei das weitere Vergussmaterial (7) im Wesentlichen mit einer dem Hilfsträger (2) gegenüberliegenden Oberfläche des zumindest einen Werkstücks (4) plan abschließt.
  24. Halbleiterträgersystem (10) nach einem der Ansprüche 19 bis 23, wobei die Elastomer Schicht (3) in zumindest einem ersten Bereich lateral über den Hilfsträger (2) und/oder das Werkstück (4) hinausragt.
  25. Halbleiterträgersystem (10) nach einem der Ansprüche 19 bis 24, wobei die Elastomer Schicht (3) in zumindest dem ersten Bereich eine größere Dicke aufweist als in einem Bereich zwischen dem Hilfsträger (2) und dem Werkstück (4).
  26. Halbleiterträgersystem (10) nach einem der Ansprüche 19 bis 25, wobei die Elastomer Schicht (3) eine Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten, insbesondere Streifen, umfasst.
  27. Halbleiterträgersystem (10) nach Anspruch 26, wobei jeweils zumindest ein Randbereich der Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten der Elastomer Schicht (3) über den Hilfsträger (2) und/oder das Werkstück (4) hinausragt.
  28. Halbleiterträgersystem (10) nach einem der Ansprüche 19 bis 27, wobei der Hilfsträger (2) Öffnungen (15) aufweist und die Elastomer Schicht (3) lateral in die Öffnungen (15) hineinragt.
  29. Halbleiterträgersystem (10) nach einem der Ansprüche 19 bis 28, wobei zumindest zwei Werkstücke (4), insbesondere Leadframes (11), auf einer dem Hilfsträger (2) gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht (3) nebeneinander angeordnet sind.
  30. Halbleitervorrichtung (1) umfassend: einen Leadframe (11), auf dessen Oberseite ein Halbleiterbauteil (5) angeordnet ist; ein Vergussmaterial (6), dass das Halbleiterbauteil (5) in lateraler Richtung umschließt; und ein weiteres Vergussmaterial (7), dass den Leadframe (11) in lateraler Richtung umschließt und im Wesentlichen plan mit der Oberseite des Leadframes (11) abschließt; wobei seitliche Außenflächen (9) der Halbleitervorrichtung (1) nur durch die beiden Vergussmaterialien (6, 7) gebildet sind.
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