DE102019214897A1 - Diamantsubstratherstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Ein Diamantsubstratherstellungsverfahren schließt einen Schritt zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht mit einem Aufbringen eines Laserstrahls auf einen Diamantingot bei einem relativ zueinander Bewegen des Diamantingots und eines Brennpunkts des Laserstrahls in einer [110]-Richtung senkrecht zu einer (110)-Ebene, um dadurch eine bandförmige Trennschicht auszubilden, die sich im Inneren des Diamantingots in der [110]-Richtung erstreckt, einen Einteilungsschritt mit einem relativ zueinander Bewegen des Diamantingots und des Brennpunkts in einer Einteilungsrichtung parallel zu einer (001)-Ebene und senkrecht zu der [110]-Richtung, einen Schritt zum Ausbilden einer planaren Trennschicht mit einem Wiederholen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht und des Einteilungsschritts, um dadurch im Inneren des Diamantingots parallel zu der (001)-Ebene eine planare Trennschicht auszubilden, wobei die planare Trennschicht aus mehreren bandförmigen Trennschichten, die Seite an Seite in der Einteilungsrichtung angeordnet sind, aufgebaut ist, und einen Trennschritt mit einem Trennen eines Diamantsubstrats entlang der planaren Trennschicht von dem Diamantingot ein.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Diamantsubstratherstellungsverfahren zum Herstellen eines Diamantsubstrats aus einem Diamantingot, der eine auf einer (001)-Ebene als eine Kristallebene ausgebildete flache Fläche aufweist.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Es werden eine Vielzahl von Bauelementen, wie zum Beispiel integrierte Schaltkreise (ICs - Integrated Circuits) und Large-Scale Integrated Circuits (LSIs) durch Ausbilden einer Funktionsschicht an der oberen Fläche eines waferförmigen Halbleitersubstrats, das zum Beispiel aus Silizium (Si) ausgebildet ist, und Aufteilen der Funktionsschicht in eine Vielzahl getrennter Bereiche entlang einer Vielzahl sich schneidender Trennlinien ausgebildet. Der Halbleiterwafer, der die Vielzahl an Bauelementen aufweist, wird durch Verwendung einer Trennvorrichtung oder einer Laserbearbeitungsvorrichtung entlang der Trennlinien geteilt, um jeweils einzelne Bauelementchips zu erhalten, die der Vielzahl von Bauelementen entsprechen. Die so erhaltenen Bauelementchips werden in elektrischer Ausrüstung, wie zum Beispiel Mobiltelefonen und Personal Computern erhalten.
  • In den vergangenen Jahren wurde die Aufmerksamkeit auf die Verwendung von Diamant als Material für ein Halbleitersubstrat fokussiert, da Diamant in Bezug auf die dielektrische Spannung, thermische Leitfähigkeit und physikalischen Eigenschaften überlegen ist (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent mit der Nummer 2008-78611 und das japanische offengelegte Patent mit der Nummer 2015-57824 ).
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Allerdings ist eine Technik zum effizienten Herstellen eines Diamantsubstrats aus einem Diamantingot weiter in der Entwicklung, und das Diamantsubstrat ist teuer und unwirtschaftlich.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Diamantsubstratherstellungsverfahren bereitzustellen, dass ein Diamantsubstrat aus einem Diamantingot auf effiziente Weise kostengünstig herstellen kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Diamantsubstratherstellungsverfahren zum Herstellen eines Diamantsubstrats aus einem Diamantingot, der eine an einer (001)-Ebene als eine Kristallebene ausgebildete flache Fläche aufweist, bereitgestellt, wobei das Diamantsubstratherstellungsverfahren einschließt: einen Brennpunkteinstellschritt mit einem Einstellen eines Brennpunkts von einem Laserstrahl, der eine Transmissionswellenlänge für Diamant aufweist, auf eine von der flachen Fläche des Diamantingots aus vorbestimmte Tiefe im Inneren des Diamantingots, wobei die vorbestimmte Tiefe mit einer Dicke des herzustellenden Diamantsubstrats korrespondiert; nach dem Ausführen des Brennpunkteinstellschritts einen Schritt zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht mit einem Aufbringen des Laserstrahls auf den Diamantingot mit einem relativen Bewegen des Diamantingots und des Brennpunkts zueinander in einer [110]-Richtung senkrecht zu einer (110)-Ebene als eine weitere Kristallebene, um dadurch eine bandförmige Trennschicht auszubilden, die sich im Inneren des Diamantingots auf der vorbestimmten Tiefe in der [110]-Richtung erstreckt; nach dem Ausführen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht einen Einteilungsschritt mit einem relativen Bewegen des Diamantingots und des Brennpunkts zueinander in einer Einteilungsrichtung parallel zu der (001)-Ebene und senkrecht zu der [110]-Richtung; einen Schritt zum Ausbilden einer planaren Trennschicht mit einem Wiederholen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht und des Einteilungsschritts, um dadurch im Inneren des Diamantingots parallel zu der (001)-Ebene eine planare Trennschicht auszubilden, wobei die planare Trennschicht aus einer Vielzahl bandförmiger Trennschichten aufgebaut ist, die in der Einteilungsrichtung Seite an Seite angeordnet sind; und einen Trennschritt mit einem Abtrennen des Diamantsubstrats entlang der planaren Trennschicht von dem Diamantingot nach dem Ausführen des Schritts zum Ausbilden einer planaren Trennschicht.
  • Vorzugsweise schließt der Einteilungsschritt den Schritt eines relativ zueinander Bewegens des Diamantingots und des Brennpunkts in der Einteilungsrichtung um einen voreingestellten Einteilungsbetrag ein, sodass beliebige benachbarte der mehreren bandförmigen Trennschichten miteinander in Kontakt kommen.
  • In Übereinstimmung mit dem Diamantsubstratherstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung kann das Diamantsubstrat effizient zu niedrigen Kosten aus dem Diamantingot hergestellt werden.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Diamantingots;
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht darstellt;
    • 2B ist eine Seitenansicht, die den in 2A dargestellten Schritt zum Ausbilden der bandförmigen Trennschicht darstellt;
    • 2C ist eine Schnittansicht des Diamantingots in dem Zustand, in dem mehrere bandförmige Trennschichten ausgebildet werden, um im Inneren des Diamantingots eine planare Trennschicht auszubilden;
    • 3A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand darstellt, in dem der Diamantingot unter einer Trennvorrichtung positioniert ist;
    • 3B ist eine perspektivische Ansicht, die einen Trennschritt unter Verwendung der in 3A dargestellten Trennvorrichtung darstellt; und
    • 3C ist eine perspektivische Ansicht, die ein Diamantsubstrat darstellt, das von dem Diamantingot getrennt worden ist, und zudem einen verbleibenden Diamantingot darstellt, der durch den Trennschritt erhalten wird.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Es wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine bevorzugte Ausführungsform des Diamantsubstratherstellungsverfahrens in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung beschrieben. 1 stellt einen Diamantingot 2 dar, an dem das Diamantsubstratherstellungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung anwendbar ist. Wie in 1 dargestellt, weist der Diamantingot 2 eine im Wesentlichen zylindrische Form auf. Das heißt, dass der Diamantingot 2 eine im Wesentlichen kreisförmige erste Endfläche 4 als eine flache Fläche, die auf einer (001)-Ebene als eine Kristallebene ausgebildet ist, eine im Wesentlichen kreisförmige zweite Endfläche 6, die der ersten Endfläche 4 gegenüberliegt, und eine im Wesentlichen zylindrische Fläche 8 aufweist, welche so ausgebildet ist, dass sie die erste Endfläche 4 und die zweite Endfläche 6 verbindet. Die zylindrische Fläche 8 des Diamantingots 2 ist mit einer Ausrichtungsebene 10 ausgebildet, die von der Seite gesehen eine rechtwinklige Form aufweist. Die Ausrichtungsebene 10 ist parallel zu einer (110)-Ebene als weitere Kristallebene. In 1 kennzeichnet ein Pfeil P eine [110]-Richtung senkrecht zu der (110)-Ebene.
  • Bei der bevorzugten Ausführungsform wird als Erstes ein Brennpunkteinstellschritt ausgeführt, um den Brennpunkt eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge für Diamant aufweist, im Inneren des Diamantingots 2 auf eine von der flachen Fläche (Das heißt bei der bevorzugten Ausführungsform der ersten Endfläche 4) des Diamantingots 2 aus vorbestimmte Tiefe einzustellen, wobei die vorbestimmte Tiefe mit der Dicke eines herzustellenden Diamantsubstrats korrespondiert. Der Brennpunkteinstellschritt kann durch Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 12 ausgeführt werden, von der ein Teil in 2A dargestellt ist.
  • Wie in 2A dargestellt, schließt die Laserbearbeitungsvorrichtung 12 einen Haltetisch 14 zum Halten des Diamantingots 2 und ein Fokussiermittel oder einen Kondensor 16 auf, der einen gepulsten Laserstrahl LB auf den an dem Haltetisch 14 gehaltenen Diamantingot 2 aufbringt, wobei der gepulste Laserstrahl LB eine Transmissionswellenlänge für Diamant aufweist. Der Haltetisch 14 ist um seine vertikale Achse drehbar. Der Haltetisch 14 ist zudem sowohl in der durch einen Pfeil X in 2A dargestellten X-Richtung als auch in der durch einen Pfeil Y in 2A dargestellten Y-Richtung hin und her bewegbar, wobei die Y-Richtung in einer XY-Ebene senkrecht zu der X-Richtung ist. Die durch die X-Richtung und die Y-Richtung definierte XY-Ebene ist eine im Wesentlichen horizontale Ebene. Der Haltetisch 14 ist von einem Bearbeitungsbereich in der Laserbearbeitungsvorrichtung 12 zu einer Trennvorrichtung 26 (siehe 3A) bewegbar, die hiernach beschrieben wird.
  • Beim Ausführen des Brennpunkteinstellschritts wird der Diamantingot 2 durch Verwendung eines geeigneten Haftmittels (zum Beispiel eines Epoxidharzhaftmittels) in dem Zustand an der oberen Fläche des Haltetischs 14 befestigt, in dem die erste Endfläche 4 des Diamantingots 2 nach oben gerichtet ist. Das heißt, dass das Haftmittel zwischen der zweiten Endfläche 6 des Diamantingots 2 und der oberen Fläche des Haltetischs 14 eingefügt ist. Als Abwandlung können mehrere Sauglöcher an der oberen Fläche des Haltetischs 14 ausgebildet sein, und eine Saugkraft kann über die Sauglöcher auf die Oberfläche des Haltetischs 14 aufgebracht werden, um dadurch den Diamantingot 2 unter einem Unterdruck zu halten. Danach wird eine zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 12 gehörende, nicht dargestellte Abbildungseinheit betätigt, um die Oberfläche des an dem Haltetisch 14 gehaltenen Diamantingots 2 abzubilden. In Übereinstimmung mit einem Bild des Diamantingots 2, wie es durch die Abbildungseinheit erfasst wird, wird der Haltetisch 14 gedreht und bewegt, um die Ausrichtung des Diamantingots 2 auf eine vorbestimmte Ausrichtung und zudem die Position des Diamantingots 2 auf der XY-Ebene relativ zu dem Fokussiermittel 16 einzustellen. Durch Einstellen der Ausrichtung des Diamantingots 2 auf die vorbestimmte Ausrichtung, wird die Ausrichtungsebene 10, wie in 2A dargestellt, parallel zu der Y-Richtung angeordnet, sodass die [110]-Richtung senkrecht zu der (110)-Ebene parallel zu der X-Richtung angeordnet wird. Danach wird ein zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 12 gehörendes, nicht dargestelltes Brennpunktpositionseinstellmittel betätigt, um das Fokussiermittel 16 in vertikaler Richtung zu bewegen, wodurch der Brennpunkt FP des gepulsten Laserstrahls LB im Inneren des Diamantingots 2, wie in 2B dargestellt, auf eine von der ersten Endfläche 4 als eine flache Fläche aus vorbestimmte Tiefe (zum Beispiel 200 µm) eingestellt, wobei die vorbestimmte Tiefe mit der Dicke eines herzustellenden Diamantsubstrats korrespondiert. Wie oben beschrieben, weist der gepulsten Laserstrahl LB eine Transmissionswellenlänge für Diamant auf.
  • Nach dem Ausführen des Brennpunkteinstellschritts wird ein Schritt zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht ausgeführt, um durch Aufbringen des Laserstrahls LB auf den Diamantingot 2 bei einem relativen Bewegen des Diamantingots 2 und des Brennpunkts FP in der [110]-Richtung senkrecht zu der (110)-Ebene zueinander eine bandförmige Trennschicht auszubilden.
  • Während des Ausführens des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht wird der Haltetisch 14, der den Diamantingot 2 hält, bei der bevorzugten Ausführungsform mit einer vorbestimmten Zuführgeschwindigkeit in der X-Richtung parallel zu der [110]-Richtung bewegt, die senkrecht zu der (110)-Ebene ist. Gleichzeitig wird der gepulste Laserstrahl LB, der eine Transmissionswellenlänge für Diamant aufweist, von dem Fokussiermittel 16 aus auf den Diamantingot 2 aufgebracht. Als Ergebnis ist, wie in 2C dargestellt, eine bandförmige Trennschicht 22 so in der vorbestimmten Tiefe im Inneren des Diamantingots 2 ausgebildet, dass sie sich in der X-Richtung, dass heißt in der [110]-Richtung, erstreckt, in welcher die bandförmige Trennschicht 22 aus einem modifizierten Abschnitt 18, wo die Kristallstruktur durch das Aufbringen des gepulsten Laserstrahls LB zerbrochen ist, und mehreren Rissen 20 aufgebaut ist, die sich isotropisch von dem modifizierten Abschnitt 18 erstrecken. Während der Haltetisch 14, wie oben erwähnt, während des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht relativ zu dem Fokussiermittel 16 in der X-Richtung bewegt wird, kann das Fokussiermittel 16 in der X-Richtung relativ zu dem Haltetisch 14 bewegt werden.
  • Nach dem Ausführen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht wird ein Einteilungsschritt ausgeführt, um den Diamantingot 2 und den Brennpunkt FP in einer Einteilungsrichtung parallel zu der (001)-Ebene und senkrecht zu der [110]-Richtung relativ zueinander zu bewegen. Bei der bevorzugten Ausführungsform wird der Haltetisch 14 um einen vorbestimmten Einteilungsbetrag Li in der Y-Richtung senkrecht zu der [110]-Richtung bewegt. Als Abwandlung kann das Fokussiermittel 16 in der Y-Richtung relativ zu dem Haltetisch 14 bewegt werden.
  • Danach wird ein Schritt zum Ausbilden einer planaren Trennschicht ausgeführt, um im Inneren des Diamantingots 2 durch mehrfaches Wiederholen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht und des Einteilungsschritts parallel zu der (001)-Ebene eine planare Trennschicht auszubilden. Das heißt, dass durch Wiederholen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht und des Einteilungsschritts mehrere ähnliche bandförmige Trennschichten 22 so ausgebildet werden, dass sie in der Y-Richtung Seite an Seite angeordnet sind, um dadurch eine planare Trennschicht 24 auszubilden, die, wie in 2C dargestellt, aus den mehreren bandförmigen Trennschichten 22 aufgebaut ist, wobei die planare Trennschicht 24, die im Inneren des Diamantingots 2 ausgebildet ist, eine verminderte Festigkeit aufweist. Während die Risse 20, wie in 2C dargestellt, von beliebigen benachbarten der mehreren bandförmigen Trennschichten 22 voneinander beabstandet sind, wird der Einteilungsbetrag Li bei dem Einteilungsschritt vorzugsweise so eingestellt, dass die Risse 20 der benachbarten bandförmigen Trennschichten 22 miteinander in Kontakt kommen. In diesem Fall können die benachbarten bandförmigen Trennschichten 22 miteinander verbunden werden, sodass die Festigkeit der planaren Trennschicht 24 weiter vermindert werden kann. Als Ergebnis kann die Trennung eines Diamantsubstrats von dem Diamantingot 2 während eines nachfolgenden Trennschritts erleichtert werden.
  • Zum Beispiel kann der Schritt zum Ausbilden einer planaren Trennschicht unter den folgenden Bearbeitungsbedingungen ausgeführt werden, bei denen der Punkt „Anzahl der Durchgänge“ die Anzahl von Wiederholungen mit einem Aufbringen des gepulsten Laserstrahls LB in dem Diamantingot 2 auf die gleiche Position bedeutet.
    • Wellenlänge des gepulsten Laserstrahls: 1064 nm
    • Durchschnittliche Leistung: 1,0 W
    • Wiederholfrequenz: 30 kHz
    • Zuführgeschwindigkeit: 350 mm/s
    • Anzahl der Durchgänge: 2
    • Einteilungsbetrag: 50 µm
  • Nach dem Ausführen des Schritts zum Ausbilden einer planaren Trennschicht wird ein Trennschritt ausgeführt, um ein Diamantsubstrat entlang der planaren Trennschicht 24 von dem Diamantingot 2 abzutrennen. Der Trennschritt kann durch Verwendung einer Trennvorrichtung 26 ausgeführt werden, von der ein Teil in 3A dargestellt wird. Die Trennvorrichtung 26 schließt einen Arm 28, der sich in einer im Wesentlichen horizontalen Richtung erstreckt, und einen Motor 30 ein, der mit dem vorderen Ende des Arms 28 verbunden ist. Der Arm 28 ist in vertikaler Richtung bewegbar. Ein scheibenförmiges Saugelement 32 ist mit der unteren Fläche des Motors 30 verbunden, sodass es um dessen vertikale Achse drehbar ist. Das heißt, dass das Saugelement 32 eingerichtet ist, durch den Motor 30 um seine vertikale Achse gedreht zu werden. Das Saugelement 32 weist eine untere Fläche als eine Saughaltefläche zum Halten eines Werkstücks unter einem Unterdruck auf. Ferner enthält das Saugelement 32 ein nicht dargestelltes Ultraschallschwingungsaufbringmittel zum Aufbringen einer Ultraschallschwingung auf die untere Fläche des Saugelements 32.
  • Es wird nunmehr der Trennschritt unter Bezugnahme auf die 3A bis 3C auf detailliertere Weise beschrieben. Beim Ausführen des Trennschritts wird der Haltetisch 14, der den Diamantingot 2 hält, als Erstes zu der Position unter dem Saugelement 32 der Trennvorrichtung 26 bewegt. Danach wird der Arm 28 abgesenkt, um dadurch die untere Fläche des Saugelements 32 mit der ersten Endfläche 4 des Diamantingots 2, das heißt die zu der planaren Trennschicht 24, die im Inneren des Diamantingots 2 ausgebildet ist, nähere Oberfläche, in Kontakt zu bringen. Dementsprechend wird die erste Endfläche 4 des Diamantingots 2 über einen Unterdruck von der unteren Fläche des Saugelements 32 angezogen. Danach wird das Ultraschallschwingungsaufbringmittel betätigt, um eine Ultraschallschwingung auf die untere Fläche des Saugelements 32 aufzubringen. Gleichzeitig wird der Motor 30 betätigt, um das Saugelement 32 zu drehen. Als Ergebnis kann ein herzustellendes Diamantsubstrat 34, wie in 3C dargestellt, entlang der planaren Trennschicht 24 von dem Diamantingot 2 getrennt werden. Das Diamantsubstrat 34 weist eine Trennfläche 36 mit einer Rauigkeit auf. Die Trennfläche 36 des Diamantsubstrats 34 wird durch Verwendung einer geeigneten Abflachungsvorrichtung abgeflacht.
  • Der Diamantingot 2 weist zudem nach dem Abtrennen des Diamantsubstrats 34 eine Trennfläche 38 mit einer Rauheit auf. Die Trennfläche 38 des Diamantingots 2 wird auch abgeflacht, um eine flache Fläche zu erhalten. Danach können der Brennpunkteinstellschritt, der Schritt zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht, der Einteilungsschritt, der Schritt zum Ausbilden einer planaren Trennschicht und der Trennschritt auf ähnliche Weise wiederholt werden, um dadurch aus dem Diamantingot 2 mehrere ähnliche Diamantsubstrate 34 herzustellen. Dementsprechend kann das Diamantsubstrat 34 auf effiziente Weise zu niedrigen Kosten aus dem Diamantingot 2 hergestellt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 200878611 [0003]
    • JP 201557824 [0003]

Claims (2)

  1. Diamantsubstratherstellungsverfahren zum Herstellen eines Diamantsubstrats aus einem Diamantingot, der eine auf einer (001)-Ebene als eine Kristallebene ausgebildete flache Fläche aufweist, wobei das Diamantsubstratherstellungsverfahren umfasst: einen Brennpunkteinstellschritt mit einem Einstellen eines Brennpunkts eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge für Diamant aufweist, auf eine von der flachen Fläche des Diamantingots aus vorbestimmte Tiefe im Inneren des Diamantingots, wobei die vorbestimmte Tiefe mit einer Dicke des herzustellenden Diamantsubstrats korrespondiert; nach dem Ausführen des Brennpunkteinstellschritts einen Schritt zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht mit einem Aufbringen des Laserstrahls auf den Diamantingot während eines relativen Bewegens des Diamantingots und des Brennpunkts zueinander in einer [110]-Richtung senkrecht zu einer (110)-Ebene als eine weitere Kristallebene, um dadurch eine bandförmige Trennschicht, die sich in der [110]-Richtung erstreckt, im Inneren des Diamantingots in der vorbestimmten Tiefe auszubilden; nach dem Ausführen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht einen Einteilungsschritt mit einem relativen Bewegen des Diamantingots und des Brennpunkts zueinander in einer Einteilungsrichtung parallel zu der (001)-Ebene und senkrecht zu der [110]-Richtung; einen Schritt zum Ausbilden einer planaren Trennschicht mit einem Wiederholen des Schritts zum Ausbilden einer bandförmigen Trennschicht und des Einteilungsschritts, um dadurch parallel zu der (001)-Ebene im Inneren des Diamantingots eine planare Trennschicht auszubilden, wobei die planare Trennschicht mit mehreren bandförmigen Trennschichten aufgebaut ist, die in der Einteilungsrichtung Seite an Seite angeordnet sind; und nach dem Ausführen des Schritts zum Ausbilden einer planaren Trennschicht ein Trennschritt mit einem Abtrennen des Diamantsubstrats entlang der planaren Trennschicht von dem Diamantingot.
  2. Diamantsubstratherstellungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Einteilungsschritt einen Schritt mit einem relativen Bewegen des Diamantingots und des Brennpunkts zueinander in der Einteilungsrichtung um einen voreingestellten Einteilungsbetrag einschließt, sodass beliebige benachbarte der mehreren bandförmigen Schichten miteinander in Kontakt kommen.
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