RU2469433C1 - Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) - Google Patents

Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2469433C1
RU2469433C1 RU2011129184/28A RU2011129184A RU2469433C1 RU 2469433 C1 RU2469433 C1 RU 2469433C1 RU 2011129184/28 A RU2011129184/28 A RU 2011129184/28A RU 2011129184 A RU2011129184 A RU 2011129184A RU 2469433 C1 RU2469433 C1 RU 2469433C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
epitaxial
film
epitaxial film
laser
substrate
Prior art date
Application number
RU2011129184/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Георгиевич Шретер
Юрий Тоомасович Ребане
Алексей Владимирович Миронов
Original Assignee
Юрий Георгиевич Шретер
Юрий Тоомасович Ребане
Алексей Владимирович Миронов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юрий Георгиевич Шретер, Юрий Тоомасович Ребане, Алексей Владимирович Миронов filed Critical Юрий Георгиевич Шретер
Priority to RU2011129184/28A priority Critical patent/RU2469433C1/ru
Priority to CN201280034747.8A priority patent/CN103703552B/zh
Priority to JP2014520160A priority patent/JP6193228B2/ja
Priority to US14/129,594 priority patent/US9337025B2/en
Priority to EP12781183.4A priority patent/EP2732461B1/en
Priority to PCT/RU2012/000588 priority patent/WO2013009222A1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2469433C1 publication Critical patent/RU2469433C1/ru
Priority to US14/907,189 priority patent/US9966296B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02634—Homoepitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Abstract

Изобретение относится к области лазерной обработки твердых материалов, в частности к способу отделения поверхностных слоев полупроводниковых кристаллов с помощью лазерного излучения. Способ лазерного отделения основан на использовании селективного легирования подложки и эпитаксиальной пленки мелкими донорными или акцепторными примесями. При селективном легировании концентрации свободных носителей в эпитаксиальной пленке и подложке могут существенно отличаться, и это может приводить к сильному отличию коэффициентов поглощения света в инфракрасной области вблизи области остаточных лучей, где существенны вклады в инфракрасное поглощение оптических фононов, свободных носителей и фонон-плазмонного взаимодействия оптических фононов со свободными носителями. Соответствующим подбором уровней легирования и частоты инфракрасного лазерного излучения можно добиться того, чтобы лазерное излучение поглощалось в основном в области сильного легирования вблизи границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка. При сканировании границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка сфокусированным лазерным лучем достаточной мощности происходит термическое разложение полупроводникового кристалла с последующим отделением гомоэпитаксиальной пленки. Изобретение обеспечивает возможность отделять эпитаксиальные пленки от подложек, выполненных из того же самого кристаллического материала, что и эпитаксиальная пленка. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Группа изобретений относится к области лазерной обработки твердых материалов, в частности к способу отделения поверхностных слоев полупроводниковых кристаллов с помощью лазерного излучения, а именно к лазерному отделению эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Лазерное отделение эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов от ростовых подложек с переносом их на неростовые подложки широко применяется в настоящее время при изготовлении светодиодов (патенты US 7241667, US 7202141) и лазерных диодов (US 6365429) по технологии флип-чип.
Впервые лазерное отделение слоев нитрида галлия от прозрачных ростовых подложек сапфира было предложено в работе Kelly et al Physica Status Solidi(a) vol. 159, pp.R3, R4, (1997). В этой работе использовался ультрафиолетовый эксимерный лазер с длиной волны λ=355 нм, удовлетворяющей соотношению 2пħc/Eg1<λ<2пħc/Eg2, для которой энергия кванта находится внутри запрещенной зоны подложки Eg1, сделанной из сапфира, но превышает ширину запрещенной зоны эпитаксиальной пленки Eg2, состоящей из нитрида галлия.
Впоследствии способ лазерного отделения, основанный на различии ширин запрещенных зон ростовой подложки и эпитаксиальной пленки, был усовершенствован. В частности, для улучшения качества отделенной эпитаксиальной пленки и подавления ее растрескивания было предложено использовать добавочный жертвенный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенных зон ростовой подложки и эпитаксиальной пленки, а также применять сканирование лазерным лучом гетероэпитаксиальной границы раздела между ростовой подложкой и эпитаксиальной пленкой (патенты US 6071795, US 6365429).
Общая схема способов лазерного отделения, основанных на различии ширин запрещенных зон ростовой подложки и эпитаксиальной пленки, показана на Фиг.1.
При облучении ультрафиолетовым светом со стороны подложки гетероэпитаксиальной полупроводниковой пленки 102 нитрида галлия, выращенной на подложке 101 из сапфира, имеющего ширину запрещенной зоны, большую, чем энергия кванта света, ультрафиолетовое лазерное излучение проходит сквозь сапфир и поглощается в тонком слое нитрида галлия вблизи гетероэпитаксиальной границы раздела 105 нитрид галлия - сапфир. Под воздействием ультрафиолетового лазерного излучения, нитрид галлия в области 104, определяемой пересечением ультрафиолетового лазерного луча 103 с гетероэпитаксиальной границей раздела 105, нагревается до температуры T1, превышающей температуру разложения T0~900°C, и разлагается на газообразный азот и жидкий галлий, и в результате эпитаксиальная пленка нитрида галлия отделяется от сапфира.
Все предложенные ранее способы лазерного отделения эпитаксиальных пленок от ростовых подложек основаны на различии ширин запрещенных зон эпитаксиальной пленки Eg2 и подложки Eg1. Эти способы могут успешно применяться для отделения эпитаксиальных пленок, полученных с использованием метода гетероэпитаксии, т.е. технологии наращивания эпитаксиальной пленки на ростовой подложке, выполненной из материала, отличного от материала эпитаксиальной пленки.
Однако для получения высококачественных эпитаксиальных пленок, без встроенных механических напряжений, часто бывает необходимо использовать метод гомоэпитаксии, который предполагает наращивание эпитаксиальной пленки на ростовой подложке из того же самого материала, что и эпитаксиальная пленка. В этом случае ростовая подложка и эпитаксиальная пленка имеют одинаковую ширину запрещенной зоны, и обычный метод лазерного отделения, описанный выше, становится неприменимым.
Задачей настоящего изобретения является расширение области применения способа, а именно обеспечение возможности отделять эпитаксиальные пленки от подложек, выполненных из того же самого кристаллического материала, что и эпитаксиальная пленка.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Для решения этой задачи предлагается два варианта способа лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры.
В первом варианте способа при выращивании эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки используют селективное легирование мелкими донорными или акцепторными примесями некоторых областей эпитаксиальной структуры, так что результирующая концентрация мелких примесей в селективно легированных областях существенно превосходит фоновую концентрацию в нелегированных областях. Затем направляют сфокусированный лазерный луч на эпитаксиальную структуру, состоящую из подложки и эпитаксиальной пленки, так, что фокус луча расположен в селективно легированных областях кристаллической структуры, в которых происходит поглощение лазерного излучения. Лазерный луч перемещают с осуществлением сканирования фокусом луча селективно легированных областей эпитаксиальной структуры с частичным термическим разложением селективно легированных областей и уменьшением их механической прочности. После лазерного сканирования эпитаксиальную структуру наклеивают на временную подложку и отделяют эпитаксиальную пленку или слой эпитаксиальной пленки от ростовой подложки или ростовой подложки с частью эпитаксиальной пленки посредством приложения механического или термомеханического напряжения.
Второй вариант способа характеризуется теми же признаками, а отличается от первого тем, что эпитаксиальную структуру наклеивают на временную подложку перед лазерным сканированием, затем проводят лазерное сканирование эпитаксиальной структуры, наклеенной на временную подложку, и после лазерного сканирования отделяют эпитаксиальную пленку или слой эпитаксиальной пленки от ростовой подложки или ростовой подложки с частью эпитаксиальной пленки посредством приложения механического или термомеханического напряжения.
Предпочтительно, эпитаксиальная пленка или слой эпитаксиальной пленки выращена методом гомоэпитаксии.
Предпочтительно, селективно легированной областью является подложка или поверхностный слой подложки.
Предпочтительно, селективно легированной областью является эпитаксиальная пленка или нижний слой эпитаксиальной пленки.
Предпочтительно, материалом кристаллической структуры, состоящей из подложки и эпитаксиальной пленки, является полупроводник из элементов четвертой группы, или полупроводниковое соединение из элементов четвертой группы, или полупроводниковое соединение из элементов третьей и пятой групп, или полупроводниковое соединение из элементов второй и шестой групп периодической таблицы элементов.
Предпочтительно, длина волны лазера для отделения гомоэпитаксиальных пленок от ростовой подложки лежит в следующих диапазонах длин волн: для полупроводников кремния, германия и арсенида галлия в диапазоне 6 мкм ≤ λ ≤ 48 мкм, для нитрида галлия в диапазоне 4 мкм ≤ λ ≤ 32 мкм, для карбида кремния 3 мкм ≤ λ ≤ 24 мкм, для нитрида алюминия в диапазоне 2,5 мкм ≤ λ ≤ 20 мкм, и для алмаза - 2 мкм ≤ λ ≤ 16 мкм.
Предпочтительно, в качестве лазера используется инфракрасный газовый лазер с импульсной накачкой на двуокиси углерода CO2 или монооксиде углерода CO.
Предложенные варианты способа лазерного отделения позволяют отделять гомоэпитаксиальные пленки от подложек, выполненных из того же самого кристаллического материала, что и эпитаксиальная пленка. Этот новый способ лазерного отделения основан на использовании селективного легирования подложки и эпитаксиальной пленки мелкими донорными или акцепторными примесями. При селективном легировании концентрации свободных носителей в эпитаксиальной пленке и подложке могут существенно отличаться, и это может приводить к сильному отличию коэффициентов поглощения света в инфракрасной области вблизи области остаточных лучей, где существенны вклады в инфракрасное поглощение оптических фононов, свободных носителей и фонон-плазмонного взаимодействия оптических фононов со свободными носителями.
Соответствующим подбором уровней легирования и частоты инфракрасного лазерного излучения можно добиться того, чтобы лазерное излучение поглощалось в основном в области сильного легирования вблизи границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка. При сканировании границы раздела подложка - гомоэпитаксиальная пленка сфокусированным лазерным лучем достаточной мощности происходит термическое разложение полупроводникового кристалла с последующим отделением гомоэпитаксиальной пленки.
Для осуществления предложенного способа лазерного отделения предпочтительно использовать лазерное излучение с длиной волны λ, лежащей в инфракрасной области относительной прозрачности нелегированного полупроводника, а именно вблизи края области остаточных лучей, где невозможно сильное поглощение света за счет одно- и двухфононных процессов, но может присутствовать относительно слабое поглощение за счет трех- и более фононных процессов.
Предпочтительно, длина волны λ лазерного луча заключена в интервале c/4ν0≤λ≤2c/ν0, где ν0 - частота LO-оптического фонона для полупроводникового материала ростовой подложки, c - скорость света.
Из приведенного выше неравенства следует, что предпочтительная длина волны лазера для отделения гомоэпитаксиальных пленок от ростовой подложки лежит в следующих диапазонах длин волн: для полупроводников кремния, германия и арсенида галлия в диапазоне 6 мкм ≤ λ ≤ 48 мкм, для нитрида галлия в диапазоне 4 мкм ≤ λ ≤ 32 мкм, для карбида кремния - 3 мкм ≤ λ ≤ 24 мкм, для нитрида алюминия в диапазоне 2,5 мкм ≤ λ ≤ 20 мкм, и для алмаза - 2 мкм ≤ λ ≤ 16 мкм.
Технический результат предложенного изобретения состоит в предложении нового по сравнению с ранее известными способа лазерного отделения эпитаксиальных пленок, который позволяет отделять от подложек гомоэпитаксиальные пленки, т.е. эпитаксиальные пленки, имеющие ту же ширину запрещенной зоны, что и исходная полупроводниковая подложка. Также предложенный способ позволяет использовать для отделения эпитаксиальных пленок высокоэффективные и недорогие инфракрасные газовые лазеры на двуокиси углерода CO2 или монооксиде углерода СО.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Настоящее изобретение иллюстрируется чертежами, на которых представлен известный уровень техники, Фиг.1, схемы, иллюстрирующие реализацию настоящего изобретения, Фиг.2-5, и расчетные спектральные зависимости коэффициента поглощения света в нитриде галлия при различных уровнях легирования мелкими донорными примесями, Фиг.6.
На Фиг.1 представлена схема известного из уровня техники способа лазерного отделения гетероэпитаксиальной пленки полупроводникового кристалла от инородной ростовой подложки с использованием сфокусированного лазерного излучения, с длиной волны λ, для которой энергия кванта света находится внутри запрещенной зоны подложки Eg1 и превышает ширину запрещенной зоны материала эпитаксиальной пленки Eg2.
На Фиг.2 представлена схема, иллюстрирующая предложенный способ лазерного отделения гомоэпитаксиальной пленки от полупроводниковой подложки, состоящей из того же самого полупроводникового материала, что и гомоэпитаксиальная пленка. Схема иллюстрирует лазерное отделение для случая селективного легирования подложки и гомоэпитаксиальной пленки мелкими донорными или акцепторными примесями, когда уровень легирования в гомоэпитаксиальной пленке превышает уровень легирования в полупроводниковой подложке.
На Фиг.3 представлена схема, иллюстрирующая предложенный способ лазерного отделения гомоэпитаксиальной пленки от полупроводниковой подложки, состоящей из того же самого полупроводникового материала, что и гомоэпитаксиальная пленка. Схема иллюстрирует лазерное отделение для случая селективного легирования подложки и гомоэпитаксиальной пленки мелкими донорными или акцепторными примесями, когда уровень легирования в полупроводниковой подложке превышает уровень легирования в гомоэпитаксиальной пленке.
На Фиг.4 представлена схема, иллюстрирующая предложенный способ лазерного отделения нелегированного верхнего слоя гомоэпитаксиальной пленки от нелегированной полупроводниковой подложки с помощью лазерного луча, проходящего сквозь подложку и поглощающегося в нижнем слое гомоэпитаксиальной пленки, легированном мелкими донорными или акцепторными примесями.
На Фиг.5 представлена схема, иллюстрирующая предложенный способ лазерного отделения нелегированного верхнего слоя гомоэпитаксиальной пленки от нелегированной полупроводниковой подложки с помощью лазерного луча, проходящего сквозь верхний нелегированный слой и поглощающегося в нижнем слое гомоэпитаксиальной пленки, легированном мелкими донорными или акцепторными примесями.
На Фиг.6 представлены рассчитанные спектральные зависимости коэффициента поглощения света вблизи области остаточных лучей для полупроводникового кристалла нитрида галлия при различных уровнях легирования мелкими донорными примесями. Зависимости 601, 602 и 603 относятся к уровням легирования 1017, 1018 и 5·1019 см-3 соответственно.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение будет прояснено ниже на нескольких примерах его осуществления. Следует отметить, что последующее описание этих примеров осуществления является лишь иллюстративным и не является исчерпывающим.
Пример 1. Отделение гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, легированной мелкими донорными примесями, от нелегированной полупроводниковой подложки нитрида галлия с помощью лазерного луча, проходящего сквозь подложку.
На Фиг.2 представлена схема лазерного отделения гомоэпитаксиальной пленки 202 нитрида галлия, толщиной 50 мкм от полупроводниковой подложки 101 нитрида галлия, толщиной 200 мкм. Уровень легирования мелкими донорными примесями кремния в гомоэпитаксиальной пленке 202 составляет 5·1019 см-3 и превышает фоновую концентрацию мелких доноров кислорода и кремния в полупроводниковой подложке 101, равный 1017 см-3.
Для отделения гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия используется CO2 лазер, работающий в режиме импульсной накачки на длине волны λ=10,6 мкм и генерирующий импульсы с энергией 0,1 Дж, длительностью 50 нс и частотой повторения 100 герц.
Коэффициент поглощения лазерного излучения с длиной волны λ=10 мкм в гомоэпитаксиальной пленке 202 нитрида галлия, легированной мелкими донорными примесями кремния с концентрацией 5·1019 см-3, равен 4·104 с-1, тогда как коэффициент поглощения этого излучения в нелегированной полупроводниковой подложке 101 нитрида галлия, с фоновой концентрацией мелких доноров кислорода и кремния, равной 1017 см-3, составляет 5·1019 см-1.
Соответствующие спектральные зависимости коэффициента поглощения света вблизи области остаточных лучей, рассчитанные нами для полупроводниковых кристаллов нитрида галлия с различными уровнями легирования мелкими донорными примесями, приведены на Фиг.6. Кривые 601, 602 и 603 относятся к уровням легирования 1017, 1018 и 5·1019 см-3 соответственно.
Как видно из схемы на Фиг.2, инфракрасный лазерный луч 203 проходит сквозь подложку 101 и фокусируется в пятно диаметром 1 мм, что обеспечивает плотность энергии 10 Дж/см2. Под действием сфокусированного в пятно диаметром 1 мм инфракрасного лазерного луча 203, импульсного CO2 лазера с длиной волны λ=10 мкм, слабо поглощающегося в нелегированной полупроводниковой подложке 101 нитрида галлия и сильно поглощающегося в легированной мелкими донорными примесями гомоэпитаксиальной пленке 202 нитрида галлия, происходит локальный нагрев гомоэпитаксиальной пленки 202 в области 204, определяемой пересечением инфракрасного лазерного луча 203 с гомоэпитаксиальной границей раздела 205 между нелегированной полупроводниковой подложкой 101 и легированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Локальный нагрев до температуры выше 900°C приводит к химическому разложению кристалла нитрида галлия на газообразный азот и жидкий галлий в области 204. Перемещение фокуса лазерного луча 203 со скоростью 10 см/с в горизонтальной плоскости, параллельной гомоэпитаксиальной границе раздела 205, приводит к последовательному разложению нитрида галлия в наборе областей 204 и ослаблению гомоэпитаксиальной границы раздела 205 между нелегированной полупроводниковой подложкой 101 и легированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Наклеивая затем гомоэпитаксиальную пленку 202 на временную металлическую, керамическую или пластиковую подложку и прилагая небольшое механическое или термомеханическое напряжение, можно отделить эпитаксиальную пленку 202 от подложки 101.
Пример 2. Отделение нелегированной гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия от легированной мелкими донорными примесями полупроводниковой подложки нитрида галлия с помощью лазерного луча, проходящего сквозь гомоэпитаксиальную пленку.
На Фиг.3 представлена схема лазерного отделения нелегированной гомоэпитаксиальной пленки 202 нитрида галлия, толщиной 100 мкм, от полупроводниковой подложки 101 нитрида галлия, толщиной 1 мм. Фоновая концентрация мелких доноров кислорода и кремния в гомоэпитаксиальной пленке 202 составляет 1017 см-3 и существенно меньше концентрации мелких донорных примесей кремния в легированной полупроводниковой подложке 101, равной 5·1019 см-3.
Для отделения гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия используется CO2 лазер, работающий в режиме импульсной накачки на длине волны λ=10,6 мкм и генерирующий импульсы с энергией 0,1 Дж, длительностью 50 нс и частотой повторения 100 герц. Коэффициент поглощения лазерного излучения с длиной волны λ=10 мкм в нелегированной гомоэпитаксиальной пленке 202 нитрида галлия, с фоновой концентрацией мелких доноров кислорода и кремния, равной 1017 см-3, составляет 5·101 см-1, тогда как коэффициент поглощения этого излучения в полупроводниковой подложке 101 нитрида галлия, легированной мелкими донорными примесями кремния с концентрацией 5·1019 см-3, равен 4·104 см-1. Соответствующие спектральные зависимости коэффициента поглощения света вблизи области остаточных лучей, рассчитанные нами для полупроводниковых кристаллов нитрида галлия с различными уровнями легирования мелкими донорными примесями, приведены на Фиг.6. Кривые 601, 602 и 603 относятся к уровням легирования 1017, 1018 и 5·1019 см-3 соответственно.
Как видно из схемы на Фиг.3, инфракрасный лазерный луч 203 проходит сквозь гомоэпитаксиальную пленку 202 и фокусируется в пятно диаметром 1 мм, что обеспечивает плотность энергии 10 Дж/см2.
Под действием сфокусированного в пятно диаметром 1 мм инфракрасного лазерного луча 203, импульсного CO2 лазера с длиной волны λ=10,6 мкм, слабо поглощающегося в нелегированной гомоэпитаксиальной пленке 202 нитрида галлия и сильно поглощающегося в легированной мелкими донорными примесями полупроводниковой подложке 101 нитрида галлия, происходит локальный нагрев подложки 101 в области 204, определяемой пересечением инфракрасного лазерного луча 203 с гомоэпитаксиальной границей раздела 205 раздела между легированной полупроводниковой подложкой 101 и нелегированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Локальный нагрев до температуры выше 900°C приводит к химическому разложению кристалла нитрида галлия на газообразный азот и жидкий галлий в области 204. Перемещение фокуса лазерного луча 203 со скоростью 10 см/с в горизонтальной плоскости, параллельной гомоэпитаксиальной границе раздела 205, приводит к последовательному разложению нитрида галлия в наборе областей 204 и ослаблению гомоэпитаксиальной границы раздела 205 между легированной полупроводниковой подложкой 101 и нелегированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Наклеивая затем гомоэпитаксиальную пленку 202 на временную металлическую, керамическую или пластиковую подложку и прилагая небольшое механическое или термомеханическое напряжение, можно отделить гомоэпитаксиальную пленку 202 от подложки 101.
Пример 3. Отделение нелегированного верхнего слоя гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия от нелегированной полупроводниковой подложки нитрида галлия с помощью лазерного луча, проходящего сквозь подложку и поглощающегося в нижнем слое гомоэпитаксиальной пленки, легированном мелкими донорными примесями. На Фиг.4 представлена схема лазерного отделения нелегированной гомоэпитаксиальной пленки 202 нитрида галлия, толщиной 50 мкм, от нелегированной полупроводниковой подложки 101 нитрида галлия, толщиной 200 мкм, с использованием легированного нижнего слоя 406 омоэпитаксиальной пленки, толщиной 1 мкм. Уровень легирования мелкими донорными примесями кремния в нижнем слое 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия составляет 5·1019 см-3 и превышает фоновую концентрацию мелких доноров кислорода и кремния в полупроводниковой подложке 101, и верхнем слое гомоэпитаксиальной пленки 202, равный 1017 см-3.
Для отделения гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия используется CO2 лазер, работающий в режиме импульсной накачки на длине волны λ=10,6 мкм и генерирующий импульсы с энергией 0,1 Дж, длительностью 50 нс и частотой повторения 100 герц.
Коэффициент поглощения лазерного излучения с длиной волны λ=10,6 мкм в нижнем слое 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, легированном мелкими донорными примесями кремния с концентрацией 5·1019 см-3, равен 4·104 см-1, тогда как коэффициент поглощения этого излучения в нелегированной полупроводниковой подложке 101 нитрида галлия и в нелегированном верхнем слое 402 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, с фоновыми концентрациями мелких доноров кислорода и кремния, равными 1017 см-3, равен 5·101 см-1.
Соответствующие спектральные зависимости коэффициента поглощения света вблизи области остаточных лучей, рассчитанные нами для полупроводниковых кристаллов нитрида галлия с различными уровнями легирования мелкими донорными примесями, приведены на Фиг.6. Кривые 601, 602 и 603 относятся к уровням легирования 1017, 1018 и 5·1019 см-3 соответственно.
Как видно из схемы на Фиг.4, лазерный луч 203 проходит сквозь подложку 101 и фокусируется в пятно диаметром 1 мм, что обеспечивает плотность энергии 10 Дж/см2. Под действием сфокусированного в пятно диаметром 1 мм инфракрасного лазерного луча 203, импульсного СО2 лазера с длиной волны λ=10 мкм, слабо поглощающегося в нелегированной полупроводниковой подложке 101 нитрида галлия и сильно поглощающегося в легированном мелкими донорными примесями нижнем слое 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, происходит локальный нагрев нижнего слоя 406 гомоэпитаксиальной пленки в области 404, определяемой пересечением инфракрасного лазерного луча 203 с границей раздела 405 между нелегированной полупроводниковой подложкой 101 и легированным нижним слоем 406 гомоэпитаксиальной пленки. Локальный нагрев до температуры выше 900°C приводит к химическому разложению кристалла нитрида галлия на газообразный азот и жидкий галлий в области 404. Перемещение фокуса лазерного луча 203 со скоростью 10 см/с в горизонтальной плоскости, параллельной границе раздела 405, приводит к последовательному разложению нитрида галлия в наборе областей 404 и ослаблению границы раздела 405 между нелегированной полупроводниковой подложкой 101 и легированным нижним 406 слоем гомоэпитаксиальной пленки. Наклеивая затем нелегированный верхний слой гомоэпитаксиальной пленки 402 на временную металлическую, керамическую или пластиковую подложку и прилагая небольшое механическое или термомеханическое напряжение, можно отделить нелегированный верхний слой гомоэпитаксиальной пленки 402 с неиспарившейся частью нижнего легированного слоя 406 от подложки 101.
Пример 4. Отделение нелегированного верхнего слоя гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия от нелегированной полупроводниковой подложки нитрида галлия с помощью лазерного луча, проходящего сквозь верхний слой гомоэпитаксиальной пленки, и поглощающегося в нижнем слое гомоэпитаксиальной пленки легированном мелкими донорными примесями.
На Фиг.5 представлена схема лазерного отделения нелегированного слоя гомоэпитаксиальной пленки 202 нитрида галлия, толщиной 100 мкм, от нелегированной полупроводниковой подложки 101 нитрида галлия, толщиной 2 мкм, с использованием легированного нижнего слоя 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, толщиной 1 мкм. Уровень легирования мелкими донорными примесями кремния в нижнем слое 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия составляет 5·1019 см-3 и превышает фоновую концентрацию мелких доноров кислорода и кремния в полупроводниковой подложке 101 и верхнем слое 402 гомоэпитаксиальной пленки, равный 1017 см-3.
Для отделения гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия используется CO2 лазер, работающий в режиме импульсной накачки на длине волны λ=10,6 мкм и генерирующий импульсы с энергией 0,1 Дж, длительностью 50 нс и частотой повторения 100 герц.
Коэффициент поглощения лазерного излучения с длиной волны λ=10,6 мкм в нижнем слое 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, легированном мелкими донорными примесями кремния с концентрацией 5·1019 см-3, равен 4·104 см-1, тогда как коэффициент поглощения этого излучения в нелегированной полупроводниковой подложке 101 нитрида галлия и в нелегированном верхнем слое 402 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, с фоновыми концентрациями мелких доноров кислорода и кремния, равными 1017 см-3, равен 5·101 см-1.
Соответствующие спектральные зависимости коэффициента поглощения света вблизи области остаточных лучей, рассчитанные нами для полупроводниковых кристаллов нитрида галлия с различными уровнями легирования мелкими донорными примесями, приведены на Фиг.6. Кривые 601, 602 и 603 относятся к уровням легирования 1017, 1018 и 5·1019 см-3 соответственно.
Как видно из схемы на Фиг.5, лазерный луч 203 проходит сквозь нелегированный верхний слой 402 эпитаксиальной пленки и фокусируется в пятно диаметром 1 мм, что обеспечивает плотность энергии 10 Дж/см2. Под действием сфокусированного в пятно диаметром 1 мм инфракрасного лазерного луча 203, импульсного CO2 лазера с длиной волны λ=10,6 мкм, слабо поглощающегося в нелегированном верхнем слое 402 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия и сильно поглощающегося в легированном мелкими донорными примесями нижнем слое 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия, происходит локальный нагрев нижнего слоя 406 гомоэпитаксиальной пленки в области 404, определяемой пересечением инфракрасного лазерного луча 203 с границей раздела 505 между нелегированным верхним слоем 402 и легированным нижнем слоем 406 гомоэпитаксиальной пленки нитрида галлия. Локальный нагрев до температуры выше 900°C приводит к химическому разложению кристалла нитрида галлия на газообразный азот и жидкий галлий в области 404. Перемещение фокуса лазерного луча 203 со скоростью 10 см/с в горизонтальной плоскости, параллельной границе раздела 405, приводит к последовательному разложению нитрида галлия в наборе областей 404 и ослаблению границы раздела 506 между нелегированным верхним слоем 402 и легированным нижним слоем 406 гомоэпитаксиальной пленки. Наклеивая затем нелегированный верхний слой 402 гомоэпитаксиальной пленки на временную металлическую, керамическую или пластиковую подложку и прилагая небольшое механическое или термомеханическое напряжение, можно отделить нелегированный верхний слой 402 гомоэпитаксиальной пленки от неиспарившейся части нижнего слоя 406 и подложки 101.
Пример 5. Отделение нелегированной гомоэпитаксиальной пленки карбида кремния 4H-SiC от легированной мелкими донорными примесями полупроводниковой подложки карбида кремния 4H-SiC с помощью лазерного луча, проходящего сквозь гомоэпитаксиальную пленку.
На Фиг.3 представлена схема, лазерного отделения нелегированной гомоэпитаксиальной пленки 202 карбида кремния 6Н-SiC, толщиной 100 мкм, от полупроводниковой подложки 101 карбида кремния 6H-SiC, толщиной 400 мкм. Фоновая концентрация мелких доноров в эпитаксиальной пленке 202 меньше чем 1017 см-3 и существенно меньше концентрации мелких донорных примесей азота в легированной полупроводниковой подложке 101, равной 5·1019 см-3.
Для отделения гомоэпитаксиальной пленки карбида кремния 6Н-SiC используется лазер на монооксиде углерода CO, работающий в режиме импульсной накачки на длине волны λ=5,2 мкм и генерирующий импульсы с энергией 0,4 Дж, длительностью 50 нс и частотой повторения 10 герц. Коэффициент поглощения лазерного излучения с длиной волны λ=5,2 мкм в нелегированной гомоэпитаксиальной пленке 202 карбида кремния 6H-SiC, с фоновой концентрацией мелких доноров, меньшей чем 1017 см-3, составляет 10 см-1 (А.М.Hofmeister, K.М.Pitman, A.F.Goncharov, and А.K.Speck The Astrophysical Journal, 696:1502-1516, 2009 May 10), тогда как коэффициент поглощения этого излучения в полупроводниковой подложке 101 карбида кремния 6H-SiC, легированной мелкими донорными примесями азота с концентрацией 5·1019 см-3, превосходит 104 см-1.
Как видно из схемы на Фиг.3, лазерный луч 203 проходит сквозь гомоэпитаксиальную пленку 202 и фокусируется в пятно диаметром 1 мм, что обеспечивает плотность энергии 50 Дж/см2.
Под действием сфокусированного в пятно диаметром 1 мм инфракрасного лазерного луча 203, импульсного лазера на монооксиде углерода CO с длиной волны λ=5,2 мкм, слабо поглощающегося в нелегированной гомоэпитаксиальной пленке 202 карбида кремния 6Н-SiC и сильно поглощающегося в легированной мелкими донорными примесями полупроводниковой подложке 101 карбида кремния 6H-SiC, происходит локальный нагрев подложки 101 в области 204, определяемой пересечением инфракрасного лазерного луча 203 с границей раздела 205 между легированной полупроводниковой подложкой 101 и нелегированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Локальный нагрев до температуры выше 2800°C приводит к химическому разложению карбида кремния 4H-SiC кристалла нитрида галлия на кремний и углерод в области 204. Перемещение фокуса лазерного луча 203 со скоростью 2 см/с в горизонтальной плоскости, параллельной границе 205 раздела, приводит к последовательному разложению карбида кремния 4H-SiC в наборе областей 204 и ослаблению границы 205 раздела между легированной полупроводниковой подложкой 101 и нелегированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Наклеивая затем эпитаксиальную пленку 202 на временную металлическую, керамическую или пластиковую подложку и прилагая небольшое механическое или термомеханическое напряжение, можно отделить эпитаксиальную пленку 202 от подложки 101.
Пример 6. Отделение слабо легированной гомоэпитаксиальной пленки кремния от сильно легированной мелкими акцепторными примесями бора полупроводниковой подложки кремния с помощью лазерного луча, проходящего сквозь гомоэпитаксиальную пленку.
На Фиг.3 представлена схема лазерного отделения слабо легированной гомоэпитаксиальной пленки 202 кремния, толщиной 50 мкм, от полупроводниковой подложки 101 кремния, толщиной 700 мкм. Концентрация мелких акцепторных примесей бора в гомоэпитаксиальной пленке 202 равна 1017 см-3 и существенно меньше концентрации мелких акцепторных примесей бора в легированной полупроводниковой подложке 101, равной 1019 см-3.
Для отделения гомоэпитаксиальной пленки кремния используется CO2 лазер, работающий в режиме импульсной накачки на длине волны λ=10,6 мкм и генерирующий импульсы с энергией 0,1 Дж, длительностью 50 нс и частотой повторения 100 герц.
Коэффициент поглощения лазерного излучения с длиной волны λ=10, 6 мкм в слабо легированной гомоэпитаксиальной пленке 202 кремния, с концентрацией мелких акцепторов, равной 1017 см-3, составляет 12 см-1 (Hara, H. and Y.Nishi, J. Phys. Soc. Jpn 21, 6, 1222, 1966), тогда как коэффициент поглощения этого излучения в полупроводниковой подложке 101 кремния, легированной мелкими акцепторными примесями бора с концентрацией 1019 см-3, равен 3000 см-1.
Как видно из схемы на Фиг.3, инфракрасный лазерный луч 203 проходит сквозь гомоэпитаксиальную пленку 202 и фокусируется в пятно диаметром 0,5 мм, что обеспечивает плотность энергии 40 Дж/см2.
Под действием сфокусированного в пятно диаметром 0,5 мм инфракрасного лазерного луча 203, импульсного CO2 лазера с длиной волны λ=10,6 мкм, слабо поглощающегося в нелегированной гомоэпитаксиальной пленке 202 кремния и сильно поглощающегося в легированной мелкими акцепторными примесями бора полупроводниковой подложке 101 кремния, происходит локальный нагрев подложки 101 в области 204, определяемой пересечением инфракрасного лазерного луча 203 с границей раздела 205 между сильно легированной полупроводниковой подложкой 101 и слабо легированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Локальный нагрев до температуры выше 1400°C приводит к частичному расплавлению и аморфизации кристалла кремния области 204. Перемещение фокуса лазерного луча 203 со скоростью 20 см/с в горизонтальной плоскости, параллельной границе раздела 205, приводит к последовательному расплавлению и аморфизации кристалла кремния в наборе областей 204 и ослаблению границы раздела 205 между сильно легированной полупроводниковой подложкой 101 и слабо легированной гомоэпитаксиальной пленкой 202. Наклеивая затем гомоэпитаксиальную пленку 202 на временную металлическую, керамическую или пластиковую подложку и прилагая небольшое механическое или термомеханическое напряжение, можно отделить эпитаксиальную пленку 202 от подложки 101.
Несмотря на то что настоящее изобретение было описано и проиллюстрировано примерами вариантов осуществления изобретения, необходимо отметить, что настоящее изобретение ни в коем случае не ограничено приведенными примерами.

Claims (20)

1. Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры, характеризующийся тем, что:
- при выращивании эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки используют селективное легирование мелкими донорными или акцепторными примесями некоторых областей эпитаксиальной структуры, так что результирующая концентрация мелких примесей в селективно легированных областях существенно превосходит фоновую концентрацию в нелегированных областях,
- направляют сфокусированный лазерный луч на эпитаксиальную структуру так, что фокус луча расположен в селективно легированных областях эпитаксиальной структуры, в которых происходит поглощение лазерного излучения,
- перемещают лазерный луч с осуществлением сканирования фокусом луча селективно легированных областей эпитаксиальной структуры с частичным термическим разложением селективно легированных областей и уменьшением их механической прочности,
- после лазерного сканирования эпитаксиальную структуру наклеивают на временную подложку и отделяют эпитаксиальную пленку или слой эпитаксиальной пленки от ростовой подложки или ростовой подложки с частью эпитаксиальной пленки посредством приложения механического или термомеханического напряжения.
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что эпитаксиальная пленка или слой эпитаксиальной пленки выращены методом гомоэпитаксии.
3. Способ по п.1, характеризующийся тем, что селективно легированной областью является подложка или поверхностный слой подложки.
4. Способ по п.1, характеризующийся тем, что селективно легированной областью является эпитаксиальная пленка или нижний слой эпитаксиальной пленки.
5. Способ по п.1, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводник из элемента четвертой группы Периодической таблицы элементов.
6. Способ по п.1, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводниковое соединение из элементов четвертой группы Периодической таблицы элементов.
7. Способ по п.1, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводниковое соединение из элементов третьей и пятой групп Периодической таблицы элементов.
8. Способ по п.1, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводниковое соединение из элементов второй и шестой групп Периодической таблицы элементов.
9. Способ по п.1, характеризующийся тем, что для отделения гомоэпитаксиальных пленок от ростовой подложки используют лазер с длиной волны, которая лежит в следующих диапазонах длин волн: для полупроводников кремния, германия и арсенида галлия в диапазоне 6 мкм ≤ λ ≤ 48 мкм, для нитрида галлия в диапазоне 4 мкм ≤ λ ≤ 32 мкм, для карбида кремния 3 мкм ≤ λ ≤ 24 мкм, для нитрида алюминия в диапазоне 2,5 мкм ≤ k ≤ 20 мкм и для алмаза 2 мкм ≤ λ ≤ 16 мкм.
10. Способ по п.1, характеризующийся тем, что в качестве лазера используют инфракрасный газовый лазер с импульсной накачкой на двуокиси углерода СО2 или монооксиде углерода СО.
11. Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры, характеризующийся тем, что:
- при выращивании эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки используют селективное легирование мелкими донорными или акцепторными примесями некоторых областей эпитаксиальной структуры, так что результирующая концентрация мелких примесей в селективно легированных областях существенно превосходит фоновую концентрацию в нелегированных областях,
- наклеивают эпитаксиальную структуру на временную подложку,
- направляют сфокусированный лазерный луч на эпитаксиальную структуру так, что фокус луча расположен в селективно легированных областях эпитаксиальной структуры, в которых происходит поглощение лазерного излучения,
- перемещают лазерный луч с осуществлением сканирования фокусом луча селективно легированных областей эпитаксиальной структуры с частичным термическим разложением селективно легированных областей и уменьшением их механической прочности,
- отделяют эпитаксиальную пленку или слой эпитаксиальной пленки от ростовой подложки или ростовой подложки с частью эпитаксиальной пленки посредством приложения механического или термомеханического напряжения.
12. Способ по п.11, характеризующийся тем, что эпитаксиальная пленка или слой эпитаксиальной пленки выращены методом гомоэпитаксии.
13. Способ по п.11, характеризующийся тем, что селективно легированной областью является подложка или поверхностный слой подложки.
14. Способ по п.11, характеризующийся тем, что селективно легированной областью является эпитаксиальная пленка или нижний слой эпитаксиальной пленки.
15. Способ по п.11, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводник из элемента четвертой группы Периодической таблицы элементов.
16. Способ по п.11, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводниковое соединение из элементов четвертой группы Периодической таблицы элементов.
17. Способ по п.11, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводниковое соединение из элементов третьей и пятой групп Периодической таблицы элементов.
18. Способ по п.11, характеризующийся тем, что материалом эпитаксиальной структуры является полупроводниковое соединение из элементов второй и шестой групп Периодической таблицы элементов.
19. Способ по п.11, характеризующийся тем, что для отделения гомоэпитаксиальных пленок от ростовой подложки используют лазер с длиной волны, которая лежит в следующих диапазонах длин волн: для полупроводников кремния, германия и арсенида галлия в диапазоне 6 мкм ≤ λ ≤ 48 мкм, для нитрида галлия в диапазоне 4 мкм ≤ λ ≤ 32 мкм, для карбида кремния 3 мкм ≤ λ ≤ 24 мкм, для нитрида алюминия в диапазоне 2,5 мкм ≤ λ ≤ 20 мкм и для алмаза 2 мкм ≤ λ ≤ 16 мкм.
20. Способ по п.11, характеризующийся тем, что в качестве лазера используют инфракрасный газовый лазер с импульсной накачкой на двуокиси углерода СО2 или монооксиде углерода СО.
RU2011129184/28A 2011-07-13 2011-07-13 Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) RU2469433C1 (ru)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011129184/28A RU2469433C1 (ru) 2011-07-13 2011-07-13 Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
CN201280034747.8A CN103703552B (zh) 2011-07-13 2012-07-13 从外延半导体结构的生长基底激光分离外延膜或外延膜层的方法（变体）
JP2014520160A JP6193228B2 (ja) 2011-07-13 2012-07-13 エピタキシャル半導体構造の成長基板からエピタキシャル膜又はエピタキシャル膜層をレーザ分離する方法
US14/129,594 US9337025B2 (en) 2011-07-13 2012-07-13 Method of laser separation of the epitaxial film or of the epitaxial film layer from the growth substrate of the epitaxial semiconductor structure (variations)
EP12781183.4A EP2732461B1 (en) 2011-07-13 2012-07-13 Method of laser separation of the epitaxial film or of the epitaxial film layer from the growth substrate of the epitaxial semiconductor structure (variations)
PCT/RU2012/000588 WO2013009222A1 (en) 2011-07-13 2012-07-13 Method of laser separation of the epitaxial film or of the epitaxial film layer from the growth substrate of the epitaxial semiconductor structure (variations)
US14/907,189 US9966296B2 (en) 2011-07-13 2016-01-22 Method of laser separation of the epitaxial film or the epitaxial film layer from the growth substrate of the epitaxial semiconductor structure (variations)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011129184/28A RU2469433C1 (ru) 2011-07-13 2011-07-13 Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2469433C1 true RU2469433C1 (ru) 2012-12-10

Family

ID=47138136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011129184/28A RU2469433C1 (ru) 2011-07-13 2011-07-13 Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9337025B2 (ru)
EP (1) EP2732461B1 (ru)
JP (1) JP6193228B2 (ru)
CN (1) CN103703552B (ru)
RU (1) RU2469433C1 (ru)
WO (1) WO2013009222A1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2543215C2 (ru) * 2013-07-08 2015-02-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре
RU2645895C2 (ru) * 2013-03-29 2018-02-28 Соитек Способ изготовления композитной структуры
CN114290698A (zh) * 2021-12-24 2022-04-08 华中科技大学 高分子薄膜大深宽比激光加工方法
RU2814063C1 (ru) * 2023-11-13 2024-02-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Способ выращивания полупроводниковой пленки

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
US11407066B2 (en) * 2014-01-15 2022-08-09 Siltectra Gmbh Splitting of a solid using conversion of material
JP2016015463A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法及びＳｉＣ材料
US10930560B2 (en) 2014-11-27 2021-02-23 Siltectra Gmbh Laser-based separation method
CN104630899B (zh) * 2015-01-17 2017-09-22 王宏兴 金刚石层的分离方法
TW201705244A (zh) * 2015-03-04 2017-02-01 康寧公司 用於控制並啓動基材自載體脫結之方法與設備
US11130200B2 (en) 2016-03-22 2021-09-28 Siltectra Gmbh Combined laser treatment of a solid body to be split
CN106271089B (zh) * 2016-09-30 2019-01-25 英诺激光科技股份有限公司 一种激光薄膜刻蚀装置及方法
WO2018108938A1 (de) 2016-12-12 2018-06-21 Siltectra Gmbh Verfahren zum dünnen von mit bauteilen versehenen festkörperschichten
JP7084573B2 (ja) * 2017-05-29 2022-06-15 住友化学株式会社 結晶積層体、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
FR3079657B1 (fr) * 2018-03-29 2024-03-15 Soitec Silicon On Insulator Structure composite demontable par application d'un flux lumineux, et procede de separation d'une telle structure
CN110392184B (zh) * 2018-04-16 2020-09-29 宁波飞芯电子科技有限公司 基于静态门限电压的像素单元与光电调制方法及其应用
JP7327920B2 (ja) * 2018-09-28 2023-08-16 株式会社ディスコ ダイヤモンド基板生成方法
JP7262027B2 (ja) * 2019-05-17 2023-04-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
CN114068783A (zh) * 2020-07-30 2022-02-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 衬底结构、片上结构及片上结构的制作方法
WO2022021230A1 (zh) * 2020-07-30 2022-02-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 衬底结构、片上结构及片上结构的制作方法
CN114242854B (zh) * 2022-02-23 2022-05-17 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种同质外延结构，其制备方法及剥离方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6365429B1 (en) * 1998-12-30 2002-04-02 Xerox Corporation Method for nitride based laser diode with growth substrate removed using an intermediate substrate
US20020070125A1 (en) * 2000-12-13 2002-06-13 Nova Crystals, Inc. Method for lift-off of epitaxially grown semiconductors by electrochemical anodic etching
RU2260874C2 (ru) * 2002-10-31 2005-09-20 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
WO2009094558A2 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5961920A (ja) * 1982-10-01 1984-04-09 Agency Of Ind Science & Technol 薄膜製造方法およびその装置
DE69739368D1 (de) * 1996-08-27 2009-05-28 Seiko Epson Corp Trennverfahren und Verfahren zur Übertragung eines Dünnfilmbauelements
SG63832A1 (en) * 1997-03-26 1999-03-30 Canon Kk Substrate and production method thereof
FR2773261B1 (fr) * 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
JP3809733B2 (ja) * 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
US6858080B2 (en) * 1998-05-15 2005-02-22 Apollo Diamond, Inc. Tunable CVD diamond structures
US6881644B2 (en) * 1999-04-21 2005-04-19 Silicon Genesis Corporation Smoothing method for cleaved films made using a release layer
JP2001019599A (ja) * 1999-07-02 2001-01-23 Sumitomo Electric Ind Ltd ＺｎＳｅ基板及びその製造方法、並びに発光素子
US6323108B1 (en) * 1999-07-27 2001-11-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fabrication ultra-thin bonded semiconductor layers
TW452866B (en) * 2000-02-25 2001-09-01 Lee Tien Hsi Manufacturing method of thin film on a substrate
AU2001254866A1 (en) * 2000-04-14 2001-10-30 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for cutting out at least a thin layer in a substrate or ingot, in particular made of semiconductor material(s)
JP2004507084A (ja) * 2000-08-16 2004-03-04 マサチューセッツ　インスティテュート　オブ　テクノロジー グレーデッドエピタキシャル成長を用いた半導体品の製造プロセス
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
FR2816445B1 (fr) * 2000-11-06 2003-07-25 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure empilee comprenant une couche mince adherant a un substrat cible
FR2817395B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
FR2894990B1 (fr) * 2005-12-21 2008-02-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede
FR2835096B1 (fr) * 2002-01-22 2005-02-18 Procede de fabrication d'un substrat auto-porte en materiau semi-conducteur monocristallin
FR2817394B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
US7045878B2 (en) * 2001-05-18 2006-05-16 Reveo, Inc. Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices
JP4027740B2 (ja) * 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4472238B2 (ja) * 2001-08-10 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法および半導体装置の作製方法
JP4295489B2 (ja) * 2001-11-13 2009-07-15 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法
JP3856750B2 (ja) * 2001-11-13 2006-12-13 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP2272618B1 (en) * 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
CN100355032C (zh) * 2002-03-12 2007-12-12 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
FR2845523B1 (fr) * 2002-10-07 2005-10-28 Procede pour realiser un substrat par transfert d'une plaquette donneuse comportant des especes etrangeres, et plaquette donneuse associee
JP2004247610A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Canon Inc 基板の製造方法
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US7018909B2 (en) * 2003-02-28 2006-03-28 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Forming structures that include a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate
EP1482548B1 (en) * 2003-05-26 2016-04-13 Soitec A method of manufacturing a wafer
US6911375B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-28 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding at low temperature
EP1484794A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-08 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. A method for fabricating a carrier substrate
US7261777B2 (en) * 2003-06-06 2007-08-28 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for fabricating an epitaxial substrate
FR2857982B1 (fr) * 2003-07-24 2007-05-18 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une couche epitaxiee
US7538010B2 (en) * 2003-07-24 2009-05-26 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method of fabricating an epitaxially grown layer
FR2857983B1 (fr) * 2003-07-24 2005-09-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une couche epitaxiee
KR20060085247A (ko) * 2003-09-24 2006-07-26 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 불순물 도입 방법, 불순물 도입 장치 및 이들을 이용하여형성한 전자 소자
FR2867310B1 (fr) * 2004-03-05 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Technique d'amelioration de la qualite d'une couche mince prelevee
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
FR2870988B1 (fr) * 2004-06-01 2006-08-11 Michel Bruel Procede de realisation d'une structure multi-couches comportant, en profondeur, une couche de separation
JP4771510B2 (ja) * 2004-06-23 2011-09-14 キヤノン株式会社 半導体層の製造方法及び基板の製造方法
US7608471B2 (en) * 2005-08-09 2009-10-27 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for integrating III-V semiconductor devices into silicon processes
DE102005052357A1 (de) * 2005-09-01 2007-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers und optoelektronisches Bauelement
JP4529846B2 (ja) * 2005-09-06 2010-08-25 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法
EP2007933B1 (en) * 2006-03-30 2017-05-10 Crystal Is, Inc. Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals
FR2902233B1 (fr) 2006-06-09 2008-10-17 Soitec Silicon On Insulator Procede de limitation de diffusion en mode lacunaire dans une heterostructure
JP4858491B2 (ja) * 2007-06-18 2012-01-18 セイコーエプソン株式会社 シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス
US20090278233A1 (en) 2007-07-26 2009-11-12 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
FR2920589B1 (fr) * 2007-09-04 2010-12-03 Soitec Silicon On Insulator "procede d'obtention d'un substrat hybride comprenant au moins une couche d'un materiau nitrure"
JP2010042950A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Sumitomo Electric Ind Ltd ＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法
JP5389627B2 (ja) * 2008-12-11 2014-01-15 信越化学工業株式会社 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法
JP5802106B2 (ja) * 2010-11-15 2015-10-28 東京応化工業株式会社 積層体、および分離方法
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
JP2015516672A (ja) * 2012-02-26 2015-06-11 ソレクセル、インコーポレイテッド レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法
KR101337515B1 (ko) * 2012-06-13 2013-12-05 한국과학기술연구원 레이저 리프트 오프 방법을 이용한 산화물 박막 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 산화물 박막 소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6365429B1 (en) * 1998-12-30 2002-04-02 Xerox Corporation Method for nitride based laser diode with growth substrate removed using an intermediate substrate
US20020070125A1 (en) * 2000-12-13 2002-06-13 Nova Crystals, Inc. Method for lift-off of epitaxially grown semiconductors by electrochemical anodic etching
RU2260874C2 (ru) * 2002-10-31 2005-09-20 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)
WO2009094558A2 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2645895C2 (ru) * 2013-03-29 2018-02-28 Соитек Способ изготовления композитной структуры
RU2543215C2 (ru) * 2013-07-08 2015-02-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре
CN114290698A (zh) * 2021-12-24 2022-04-08 华中科技大学 高分子薄膜大深宽比激光加工方法
RU2814063C1 (ru) * 2023-11-13 2024-02-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Способ выращивания полупроводниковой пленки

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014527709A (ja) 2014-10-16
JP6193228B2 (ja) 2017-09-06
US9966296B2 (en) 2018-05-08
CN103703552A (zh) 2014-04-02
CN103703552B (zh) 2018-04-24
WO2013009222A1 (en) 2013-01-17
EP2732461B1 (en) 2019-02-20
US20160172228A1 (en) 2016-06-16
US20140206178A1 (en) 2014-07-24
US9337025B2 (en) 2016-05-10
EP2732461A1 (en) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2469433C1 (ru) Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
RU2459691C2 (ru) Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
TWI524405B (zh) 切割晶圓基板之方法
TWI527099B (zh) 用於回收基材之方法
Kim et al. 4H-SiC wafer slicing by using femtosecond laser double-pulses
JP5802943B2 (ja) エピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法および多層膜付き内部改質基板の製造方法
AU2005256723B8 (en) Method for producing a multilayer structure comprising a separating layer
JP2011040564A (ja) 半導体素子の製造方法および製造装置
CN106057737A (zh) 薄板的分离方法
JP2010165817A (ja) エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
US20140190399A1 (en) REDUCTION OF BASAL PLANE DISLOCATIONS IN EPITAXIAL SiC USING AN IN-SITU ETCH PROCESS
JP2023126228A (ja) Ｉｉｉ族窒化物単結晶の切断方法
La Via et al. 3C-SiC bulk growth: Effect of growth rate and doping on defects and stress
RU2546858C1 (ru) Способ изготовления полупроводниковых приборных структур, основанный на клонировании исходных подложек (варианты)
RU2543215C2 (ru) Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре
Hu et al. High‐Quality GaN Crystal Grown on Laser Decomposed GaN–Sapphire Substrate and Its Application in Photodetector
Xiaoying et al. GaN/metal/Si heterostructure fabricated by metal bonding and laser lift-off
KR101055763B1 (ko) 이온주입층을 사용하여 기판에서 질화물 반도체층을분리하는 방법
CN109166788A (zh) 一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法
Okamoto et al. Investigation of separation method for gallium nitride with internal modified layer by ultrashort pulsed laser
Okada et al. Photoluminescence study of GaAs films on Si (100) grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Wen et al. Growth of III-nitrides on Si (111) and its application to photodiodes.
Constantino et al. Observation of stress effects on GaAs at the interface of molecular beam epitaxy grown ZnSe/GaAs (100) heterostructures
Kim et al. Laser Lift-Off (LLO) Process for Micro-LED Fabrication
Ohmachi et al. GaAs/Ge Crystal Growth on Si and SiO2/Si Substrates