DE102019204974A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Yoshiteru Nishida
Hidekazu Iida
Susumu Yokoo
Hiroyuki Takahashi
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Abstract

Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, in dem Muster, die eine Metallschicht enthalten, an Straßen ausgebildet sind. Das Verfahren beinhaltet: eine Schritt zum Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Straßen, die mit den Mustern ausgebildet sind, um laserbearbeitete Nuten auszubilden, während die Muster entfernt werden; einen Schritt zum Ausbilden geschnittenen Nuten, die eine Tiefe tiefer als eine fertige Dicke des Wafers aufweisen, in den laserbearbeiteten Nuten; einen Schritt zum Schleifen der hinteren Oberflächenseite des Wafers, um den Wafer auf eine fertige Dicke dünn auszugestalten und die geschnittenen Nuten an der hinteren Oberfläche des Wafers freizulegen, wodurch der Wafer in mehrere Bauelementchips geteilt wird; einen Schritt zum Entfernen einer beschädigten Schicht, die an der hinteren Oberflächenseite des Wafers ausgebildet ist; und einen Schritt zum Ausbilden einer verformten Schicht an der hinteren Oberflächenseite des Wafers durch eine Plasmabearbeitung unter Verwendung eines Intergases.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, bei dem Muster, die eine Metallschicht beinhalten, an Straßen ausgebildet sind.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Ein Wafer, der mit Bauelementen wie integrierten Schaltungen (ICs) an der vorderen Oberfläche ausgebildet ist, wird entlang Straßen (Teilungslinie) geteilt, wodurch mehrere Bauelementchips, die jeweils die Bauelemente beinhalten, erhalten werden. Die Teilung des Wafers wird zum Beispiel unter Verwendung einer Schneidvorrichtung durchgeführt, bei der eine ringförmige Schneidklinge zum Schneiden des Wafers befestigt ist. Die Schneidklinge wird gedreht und in Kontakt mit dem Wafer entlang der Straßen gebracht, wodurch der Wafer geschnitten und geteilt wird.
  • Die Bauelementchips, die durch Teilen des Wafers erhalten werden, werden in verschiedenen elektronischen Vorrichtungen eingebaut; in den vergangenen Jahren wurde auf die Reduzierung der Größe und Dicke der elektronischen Vorrichtungen Wert gelegt, sodass die Verringerung der Größe und Dicke der Bauelementchips auch verlangt wurde. Im Hinblick darauf wurde eine Technik zum Schleifen der hinteren Oberfläche des Wafers durch einen Schleifstein, um die Bauelementchips dünn auszugestalten, verwendet. Wenn die hintere Oberfläche des Wafers durch den Schleifstein geschliffen wird, werden kleine Unebenheiten (kleine Vorsprünge und Rücksprünge) und Risse in dem geschliffenen Bereich ausgebildet. Da das Vorhandensein der Bereiche, die mit den Unebenheiten und Rissen (beschädigte Schicht) ausgebildet sind, die Festigkeit der Wafer senken würde, wird die beschädigte Schicht durch Polieren mit einer Polierscheibe oder Trockenätzen oder dergleichen nach dem Schleifen entfernt.
  • Andererseits ist bekannt, dass, wenn die beschädigte Schicht an dem Wafer überbleibt, ein Gettereffekt erhalten wird, durch den metallische Elemente wie Kupfer, die in dem Inneren des Wafers enthalten sind, in der beschädigten Schicht aufgenommen werden. Darum, wenn die beschädigte Schicht an der hinteren Oberflächenseite des Wafers ausgebildet ist, werden die metallischen Elemente an der hinteren Oberflächenseite des Wafers aufgenommen, wodurch die metallischen Elemente daran gehindert werden können, sich in die Bauelemente, die an der vorderen Oberflächenseite des Wafers ausgebildet sind, zu bewegen. Als ein Ergebnis kann das Auftreten von Defekten (Stromleck oder dergleichen) in den Bauelementen aufgrund der metallischen Elemente in dem Wafer verhindert werden. Wenn die beschädigte Schicht zum Verbessern der Festigkeit des Wafers entfernt wird, geht der Gettereffekt verloren. Deswegen wurde ein Verfahren vorgeschlagen, in dem kleine Unebenheiten oder Risse (Belastung) feiner als die der beschädigten Schicht an der hinteren Oberfläche des Wafers nach dem Entfernen der beschädigten Schicht ausgebildet werden und metallische Elemente in dem Bereich, der mit dieser Verformung (verformte Schicht) ausgebildet wurde, aufgenommen werden. Dadurch kann ein Gettereffekt bei den metallischen Elementen erhalten bleiben, ohne dass die Festigkeit des Dies des Wafers gesenkt wird. Die japanische Offenlegungsschrift Nummer 2010-177430 offenbart eine Technik, bei welcher, nachdem eine beschädigte Schicht, die durch Schleifen der hinteren Oberfläche des Wafers ausgebildet wurde, durch eine Plasmaätzbehandlung entfernt wurde, ein zum Plasma ausgebildetes Inertgas an der hinteren Oberfläche des Wafers aufgebracht wird, um eine verformte Schicht (Getterschicht) auszubilden.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Muster, die eine Metallschicht beinhalten, die keine Elemente der Bauelemente ausbildet, wie eine Testelementgruppe (TEG) zur Bewertung von Bauelementen und säulenförmige metallische Muster (Stutzen) zum Tragen eines Isolationsfilms oder dergleichen an den Straßen, die zum Zeitpunkt des Herstellens der Bauelemente ausgebildet werden, werden oftmals an den Straßen, welche die Bauelemente, die an dem Wafer ausgebildet sind, teilen, ausgebildet. Da die Muster (Testmuster) die Benutzung der Bauelementchips, die durch Teilen der Wafer erhalten werden, nicht betrifft, werden diese zusammen mit dem Wafer zum Zeitpunkt des Schneidens des Wafers durch eine Schneidklinge geschnitten und entfernt. Jedoch, wenn die Testmuster, welche die Metallschicht enthalten, durch die Schneidklinge geschnitten werden, berühren sich die Schneidklinge und die Metallschicht und Vorsprünge (Grate) des Metalls werden generiert. Wenn die Plasmabearbeitung zum Ausbilden der vorgenannten verformten Schicht oder dergleichen auf dem Wafer, der mit Graten ausgebildet ist, aufgebracht wird, kann eine elektrische Entladung in dem Bereich auftreten, der mit den Graten ausgebildet ist, wodurch es möglich wird, dass die Bauelemente beschädigt werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde unter Beachtung des oben genannten Problems gemacht. Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, durch welches das Auftreten einer elektrischen Entladung zum Zeitpunkt der Plasmabearbeitung eines Wafers unterdrückt werden kann und eine Beschädigung der Bauelemente verhindert werden kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereitgestellt, bei dem Bauelemente jeweils in Bereichen an einer vorderen Oberflächenseite ausgebildet sind, die durch mehrere Straßen aufgeteilt ist, und bei dem Muster, die eine Metallschicht beinhalten, an den Straßen ausgebildet sind, wobei das Verfahren beinhaltet: einen Laserbearbeitungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Wafer entlang der Straßen, die mit den Mustern ausgebildet sind, absorbiert werden kann, um laserbearbeitete Nuten auszubilden, während die Muster entfernt werden; einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut zum Ausbilden geschnittener Nuten, die eine Tiefe aufweisen, die tiefer als eine fertige Dicke des Wafers ist, in den laserbearbeiteten Nuten durch eine Schneidklinge, die dünner als eine Breite der laserbearbeiteten Nuten ist; einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement zum Anbringen eines Schutzelements an der vorderen Oberflächenseite des Wafers, die mit den geschnittenen Nuten ausgebildet ist; einen Schleifschritt zum Halten des Wafers durch einen Einspanntisch durch das Schutzelement, Schleifen einer hinteren Oberflachenseite des Wafers, um den Wafer auf eine fertige Dicke dünn auszugestalten und die geschnittenen Nuten an der hinteren Oberflächenseite des Wafers freizulegen, wodurch der Wafer in mehrere Bauelementchips geteilt wird; einen Entfernungsschritt zum Entfernen einer beschädigten Schicht, die an der hintere Oberflächenseite des Wafers durch das Schleifen des Wafers ausgebildet wird; und einen Ausbildungsschritt für eine verformte Schicht zum Ausbilden einer verformten Schicht an der hinteren Oberflächenseite des Wafers, an der die beschädigte Schicht entfernt wurde, durch eine Plasmabearbeitung unter Verwendung eines Inertgases.
  • Beachte, dass vorzugsweise in dem Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht die beschädigte Schicht durch Polieren mit einer Polierscheibe entfernt wird. Darüber hinaus wird in dem Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht die beschädigte Schicht vorzugsweise durch ein Plasmaätzen unter Verwendung eines halogenenthaltenen Gases entfernt. Zusätzlich beinhaltet das Verfahren zum Bearbeiten des Wafers ferner bevorzugt einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Ausbilden eines wasserlöslichen Schutzfilms an der vorderen Oberflächenseite des Wafers vor dem Laserbearbeitungsschritt und einen Entfernungsschritt für einen Schutzfilm zum Entfernen des Schutzfilms von der vorderen Oberflächenseite des Wafers nach dem Laserbearbeitungsschritt.
  • In dem Verfahren zum Bearbeiten des Wafers entsprechend dem beschriebenen Aspekt der vorliegenden Erfindung nachdem die Testmuster, die eine Metallschicht beinhalten, die an den Straßen des Wafers ausgebildet sind, durch Aufbringen des Laserstrahls entfernt wurden, wird der Wafer entlang der Straßen geschnitten. Dadurch wird ein Schneiden der Testmuster durch die Schneidklinge verhindert und ein Auftreten von Metallgraten zu dem Zeitpunkt des Schneidens des Wafers wird unterdrückt. Darum, zum Zeitpunkt des Aufbringens des Plasmaätzens auf dem Wafer, um die verformte Schicht an der hinteren Oberfläche des Wafers auszubilden, wird ein Auftreten von elektrischer Entladung verhindert und ein Beschädigen der Bauelemente wird verhindert.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Aufsicht, die ein Konfigurationsbeispiel eines Wafers darstellt;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht des Wafers in dem Zustand, in dem dieser durch einen ringförmigen Rahmen getragen ist;
    • 3 ist eine seitliche Schnittansicht teilweise im Querschnitt, welche die Weise darstellt, in welcher der Schutzfilm an dem Wafer aufgebracht ist;
    • 4A ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, welche die Weise darstellt, in welcher ein Laserstrahl auf dem Wafer aufgebracht wird;
    • 4B ist eine vergrößerte Aufsicht einer Straße, die mit Mustern, die eine Metallschicht beinhalten, ausgebildet ist;
    • 4C ist eine vergrößerte Aufsicht einer Straße, von der Muster, die eine Metallschicht beinhalten, entfernt wurden, und in welcher eine laserbearbeitete Nut ausgebildet wurde;
    • 5 ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, welche die Weise darstellt, in welcher ein Schutzfilm an dem Wafer entfernt wird;
    • 6A ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, welche die Weise darstellt, in welcher eine geschnittene Nut an dem Wafer ausgebildet wird;
    • 6B ist eine vergrößerte Aufsicht der Straße, die mit der geschnittenen Nut versehen ist;
    • 7A ist eine perspektivische Ansicht, welche die Weise darstellt, in welcher ein Schutzelement an dem Wafer angebracht wird;
    • 7B ist eine perspektivische Ansicht des Wafers, an welchem das Schutzelement angebracht wurde;
    • 8 ist eine seitliche Ansicht, die eine Weise darstellt, in welcher die hintere Oberflächenseite des Wafers geschliffen wird;
    • 9 ist eine seitliche Ansicht, welche die Weise darstellt, in welcher die hintere Oberflächenseite des Wafers poliert wird;
    • 10 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer Plasmabearbeitungsvorrichtung darstellt; und
    • 11 ist eine vergrößerte Schnittansicht des Wafers in dem Zustand, in dem dieser mit einer verformten Schicht ausgebildet ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden mit Bezug zu den angehängten Figuren beschrieben. Zuerst wird ein Beispiel eines Wafers, der durch das Waferbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform bearbeitet werden soll, beschrieben. 1 ist eine Aufsicht, die ein Konfigurationsbeispiel eines Wafers 11 darstellt.
  • Der Wafer 11 ist in einer Scheibenform aus einem Material wie Silizium ausgebildet und in mehrere Bereiche durch mehrere Straßen (Teilungslinie) 13, die in einem Gittermuster angeordnet sind, aufgeteilt. Zusätzlich ist ein Bauelement 15, das einen IC oder dergleichen beinhaltet, in jedem der Bereiche, die durch die Straßen 13 aufgeteilt sind, an der vorderen Oberflächenseite des Wafers 11 ausgebildet. Beachte, dass während der scheibenförmige Wafer 11, der aus einem Material wie Silizium ausgebildet ist, in der vorliegenden Ausführungsform verwendet wird, das Material, die Form, die Struktur, die Größe und der gleichen des Wafers 11 nicht beschrankt sind. Zum Beispiel kann der Wafer 11, der aus einem Material wie einem anderen Halbleiter als Silizium, einer Keramik, einem Kunststoff oder einem Metall ausgebildet ist, auch verwendet werden. Ähnlich sind die Art, die Anzahl, die Form, die Struktur, die Größe, das Layout und dergleichen der Bauelemente 15 nicht beschränkt.
  • Zusätzlich sind zumindest ein Teil der Straßen 13 mit Mustern 17 ausgebildet, die eine Metallschicht beinhalten. Die Muster 17 sind Muster (Testmuster) die eine Metallschicht beinhalten, die kein ausbildendes Material der Bauelemente 15 ist und zum Beispiel aus einer TEG für eine Bauelementbewertung oder säulenförmigen Metallmustern (Stützen) zum Tragen eines Isolationsfilms, der zum Zeitpunkt des Herstellens der Bauelemente ausgebildet wird, oder dergleichen an den Straßen 13 ausgebildet ist. Beachte, dass ein Beispiel, in dem die Muster 17 an einem Teil der Straßen 13 ausgebildet sind, in 1 dargestellt ist, wobei die Muster 17 an all den Straßen 13 angeordnet sein können.
  • Durch Teilen des Wafers 11 entlang der Straßen 13 werden mehrere Bauelementchips, die jeweils die Bauelemente 15 beinhalten, erhalten. In der vorliegenden Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, in dem Nuten, die eine Tiefe geringer als die Dicke des Wafers 11 aufweisen, zuerst ausgebildet (halb geschnitten) an der vorderen Oberflächenseite des Wafers 11 und danach wird die hintere Oberflächenseite des Wafers 11 durch einen Schleifstein geschliffen, um dadurch den Wafer 11 in mehrere Bauelementchips zu teilen.
  • Zum Zeitpunkt des Ausbildens der Nuten an der vorderen Oberflächenseite des Wafers 11 kann zum Beispiel eine Schneidvorrichtung verwendet werden, die mit einer ringförmigen Schneidklinge ausgestattet ist. In dem Fall des Verwendens der Schneidvorrichtung wird die Schneidklinge gedreht und in Kontakt mit dem Wafer 11 gebracht, um dadurch die Nuten in dem Wafer 11 auszubilden. Es sei jedoch angemerkt, dass, da zumindest ein Teil der Straßen 13 mit den Mustern 17 ausgebildet sind, welche die Metallschicht beinhalten, das Ausbilden der Nuten entlang der Straßen 13 durch dieses Verfahren in Mustern 17 resultiert, die durch die Schneidklinge geschnitten werden. Die Muster 17 beinhalten die Metallschicht, sodass, wenn die Metallschicht durch die Schneidklinge geschnitten wird, die Metallschicht durch die Schneidklinge ausgedehnt wird, sodass Metallvorsprünge (Grate) ausgebildet werden. Wo die Grate an dem Wafer 11 überbleiben, wenn eine Plasmabearbeitung in einem späteren Schritt durchgeführt wird (zum Beispiel in einem Ausbildungsschritt für eine verformte Schicht, die später beschrieben wird), kann eine elektrische Entladung in den Bereichen auftreten, in denen die Grate ausgebildet sind, was möglicherweise zu einem Beschädigen des Bauelements 15 führt.
  • Im Hinblick darauf wird in dem Waferbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform vor dem Schneiden des Wafers 11 mit der Schneidklinge ein Laserstrahl auf dem Wafer 11 aufgebracht, um die Muster 17 zu entfernen. Dadurch kann das Schneiden der Muster 17 durch die Schneidklinge vermieden werden, wodurch das Auftreten von Graten verhindert werden kann und das Auftreten einer elektrischen Entladung zum Zeitpunkt der Plasmabearbeitung kann unterdrückt werden. Das Waferbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Ausfuhrungsform wird detailliert im Folgenden beschrieben.
  • Zuerst, um den Wafer 11 an jeder der verschiedenen Bearbeitungsvorrichtungen wie einer Schneidvorrichtung und einer Laserbearbeitungsvorrichtung zu halten, wird der Wafer 11 durch einen ringförmigen Rahmen getragen. 2 ist eine perspektivische Ansicht des Wafers 11 in dem Zustand, in dem er durch den ringförmigen Rahmen 21 getragen ist. Beachte, dass die Muster 17 in der Darstellung in 2 ausgelassen sind. Der ringförmige Rahmen 21 wird entlang eines äußeren Umfangs eines scheibenförmigen haftvermittelnden Bands 19 angebracht, das aus einem Kunststoff oder dergleichen ausgebildet ist, und eine hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 wird an einem haftvermittelnden Band 19 angebracht. Als ein Ergebnis wird der Wafer 11 an dem ringförmigen Rahmen 21 in dem Zustand getragen, in dem seine vordere Oberfläche 11a nach oben frei liegt.
  • Als nächstes wird ein wasserlöslicher Schutzfilm an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 ausgebildet (Ausbildungsschritt für Schutzfilme). 3 ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, die eine Weise darstellt, in welcher der wasserlösliche Schutzfilm 23 an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist. Der Schutzfilm 23 kann unter Verwendung eines Drehbeschichters 2 zum Beispiel ausgebildet werden. Der Drehbeschichter 2 beinhaltet einen Drehtisch 4, der den Wafer 11 trägt, mehrere Klemmen 6, welche den ringförmigen Rahmen 21, der den Wafer 11 trägt, fixieren, und eine Düse 8a zum Ausstoßen eines Materials für den Schutzfilm 23 zu dem Wafer 11, welches einen wasserlöslichen Kunststoff oder dergleichen beinhaltet.
  • Zuerst wird der Wafer 11 an dem Drehtisch 4 angeordnet und der ringförmige Rahmen 21 wird durch die Klemmen 6 fixiert. Ein Teil der oberen Oberfläche des Drehtischs 4 bildet eine Halteoberfläche 4a zum saugenden Halten des Wafers 11 durch das haftvermittelnde Band 19. Die Halteoberfläche 4a ist mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Saugdurchgang (nicht dargestellt) oder dergleichen verbunden, die in dem Drehtisch 4 ausgebildet ist. Ein negativer Druck der Saugquelle wird dazu gebracht, an der Halteoberfläche 4a zu wirken, wodurch der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Drehtisch 4 gehalten ist. Beachte, dass ein Einspanntisch zum Halten des Wafers 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen anstelle des Drehtischs 4 verwendet werden kann.
  • Dann, während der Drehtisch 4, der den Wafer 11 saugend durch die Halteoberfläche 4a hält, um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung gedreht wird, wird ein wasserlöslicher Kunststoff wie Polyvinylalkohol (PVA) oder Polyethylenglycol (PEG) von der Düse 8a, die an der oberen Seite des Drehtischs 4 angeordnet ist, ausgestoßen. Als ein Ergebnis fließt der wasserlösliche Kunststoff, der an dem Wafer 11 angebracht ist, zu einem äußeren umfänglichen Abschnitt des Wafers 11 unter einer Zentrifugalkraft, wodurch der wasserlösliche Schutzfilm 23 an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 ausgebildet wird. Der Schutzfilm 23 dient zum Verhindern, dass Partikel (Verschmutzungen), die von einem Bearbeitungsbereich zum Zeitpunkt des Aufbringens des Laserstrahls von der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 in einem späteren Schritt gestreut werden, an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 anhaften. Es sei jedoch angemerkt, dass der Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm nicht notwendigerweise ausgeführt werden muss und der Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Beispiel ausgelassen werden kann, in dem Fall in dem das Aufbringen des Laserstrahls unter solchen Bearbeitungsbedingungen durchgeführt wird, dass die Verschmutzung kaum auftritt oder in dem Fall, in dem das Anhaften von Verschmutzung wahrscheinlich kein Problem darstellt.
  • Darauf folgend wird ein Laserstrahl mit einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Wafer 11 absorbiert wird, entlang der Straßen 13, die mit den Mustern 17 ausgebildet sind, aufgebracht, um laserbearbeitete Nuten auszubilden, während die Muster 17 entfernt werden (Laserbearbeitungsschritt). Das Aufbringen des Laserstrahls auf dem Wafer 11 wird unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung durchgeführt. 4A ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, welche die Weise darstellt, in welcher der Laserstrahl auf dem Wafer 11 aufgebracht wird.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 beinhaltet einen Einspanntisch 12, der den Wafer 11 unter einem Saugen hält, eine Laserausbildungseinheit 14, die den Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Wafer 11 absorbiert wird, aufbringt, und mehrere Klemmen 16, die den ringförmigen Rahmen 21, der den Wafer 11 trägt, fixieren.
  • Zuerst wird der Wafer 11 an dem Einspanntisch 12 angeordnet und der ringförmige Rahmen 21 wird durch die Klemmen 16 fixiert. Ein Teil der oberen Oberfläche des Einspanntischs 12 bildet eine Halteoberfläche 12a, die den Wafer 11 durch das haftvermittelnde Band 19 unter einem Saugen hält. Die Halteoberfläche 12a ist mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Saugdurchgang (nicht dargestellt) oder dergleichen, die in dem Einspanntisch 12 ausgebildet sind, verbunden. Beachte, dass ein Einspanntisch zum Halten des Wafers 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen anstelle des Einspanntischs 12 verwendet werden kann. In einem Zustand, in dem der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 durch das haftvermittelnde Band 19 angeordnet ist, wird ein negativer Druck der Saugquelle dazu gebracht, an der Halteoberfläche 12a zu wirken, wodurch der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Einspanntisch 12 gehalten wird. Dann wird der Einspanntisch 12 mit dem Wafer 11 daran gehalten zu einer Position unterhalb der Aufbringungseinheit 14 für einen Laser bewegt.
  • Als nächstes wird der Laserstrahl von der Aufbringungseinheit 14 für einen Laser auf dem Wafer 11 aufgebracht. Die Aufbringungseinheit 14 für einen Laser weist eine Funktion zum Aufbringen eines gepulsten Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass sie in dem Wafer 11 absorbiert werden kann, auf. Beachte, dass in dem Fall, in dem der Schutzfilm 23 an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 aufgebracht ist, der Laserstrahl auf dem Wafer 11 durch den Schutzfilm 23 aufgebracht wird. Wahrend des Aufbringens des Laserstrahls von der Aufbringungseinheit 14 für einen Laser auf dem Wafer 11 wird der Einspanntisch 12 entlang der Längsrichtung der Straßen 13 bewegt, sodass der Laserstrahl entlang der Straßen 13 aufgebracht wird. Dadurch wird der Wafer 11 einer Ablationsbearbeitung ausgesetzt und eine geradlinige laserbearbeitete Nut 11c ist entlang der Straße 13 an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 ausgebildet.
  • Zusätzlich, wenn der Laserstrahl auf der Straße 13, die mit dem Muster 17 ausgebildet ist, aufgebracht wird, werden die Muster 17 durch das Aufbringen des Laserstrahls entfernt. 4B ist eine vergrößerte Aufsicht der Straße 13, die mit den Mustern 17 ausgebildet ist. 4B stellt ein Beispiel dar, in dem TEG 25 für eine Bauteilbewertung und Säulen 27 als säulenförmige Metallmuster zum Tragen eines Isolationsfilms oder dergleichen an der Straße, die zum Zeitpunkt des Ausbildens der Bauelemente 15 ausgebildet sind, als die Muster 17 ausgebildet sind. Beachte, dass in 4B die Bereiche, an denen die TEG 25 und die Säulen 27 ausgebildet sind, schraffiert sind.
  • Wenn der Laserstrahl entlang der Straße 13 aufgebracht wird, wird der Laser auch an der TEG 25 und den Säulen 27 aufgebracht, wodurch die TEG 25 und die Säulen 27 entfernt werden. 4C ist eine vergrößerte Aufsicht der Straße 13, von der die TEG 25 und die Säulen 27 entfernt wurden und in der die laserbearbeitete Nut 11c ausgebildet wurde. In 4C ist der Bereich, in dem die laserbearbeitete Nut 11c ausgebildet wurde, schraffiert. Beachte, dass die Muster 17 hauptsächlich in dem Produktionsprozess der Bauelemente 15 verwendet werden und die Betätigung der Bauelementchips, die durch Teilen des Wafers 11 erhalten werden, nicht betreffen, sodass ein Entfernen der Muster 17 nicht die Funktion der Bauelementchips beeinträchtigt. Aufbringungsbedingungen für den Laserstrahl (die Leistung, Strahldurchmesser und Wiederholungsfrequenz des Laserstrahls usw.) sind in einer solchen Weise gesetzt, dass die laserbearbeiteten Nuten 11c in dem Wafer 11 ausgebildet werden und die Muster 17 entfernt werden können.
  • Beachte, dass in dem Laserbearbeitungsschritt der Laserstrahl entlang der gleichen Straßen 13 mehrfach aufgebracht werden kann. In diesem Fall, wenn die Aufbringposition des Laserstrahls stufenweise in der Breitenrichtung der Straße 13 geändert wird, kann die Breite der laserbearbeiteten Nut 11c, die entlang der Straße 13 ausgebildet ist, gesteuert werden. Zusätzlich ist es nicht notwendig, die Muster 17 vollständig durch das Aufbringen des Laserstrahls zu entfernen, und es reicht aus, den Laserstrahl in einer solchen Weise aufzubringen, dass zumindest die Breite der laserbearbeiteten Nut 11c größer als die Breite der Schneidklinge ist, die zum Schneiden des Wafers 11 in einem späteren Schritt verwendet wird. 4C zeigt ein Beispiel, in dem ein Teil der Säulen 27 an den Straßen 13 überbleiben. Darüber hinaus kann das Aufbringen des Laserstrahls in dem Laserbearbeitungsschritt für alle Straßen 13 oder nur an den Straßen 13 durchgeführt werden, die mit dem Muster 17 versehen sind. In dem Fall, in dem das Aufbringen des Laserstrahls nur für die Straßen 13 durchgeführt wird, an denen Muster 17 ausgebildet sind, werden die Straßen 13, die mit den Mustern 17 ausgebildet sind, vorher erkannt.
  • Darauf folgend wird der Schutzfilm 23 von der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 (Entfernungsschritt für einen Schutzfilm) entfernt. 5 ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, welche die Weise darstellt, in welcher der wasserlösliche Schutzfilm 23, der an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist, entfernt wird.
  • Zuerst wird in dem Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Drehtisch 4 gehalten. Dann, während der Drehtisch 4 mit dem Wafer 11, der unter einem Saugen durch die Halteoberfläche 4a gehalten ist, um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung gedreht wird, wird reines Wasser aus der Düse 8b ausgestoßen, die an der oberen Seite des Drehtischs 4 liegt. Dadurch wird der wasserlösliche Schutzfilm 23, der an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist, zusammen mit der Verschmutzung, die an dem Wafer 11 abgeschieden ist, entfernt. Folglich, da der Schutzfilm 23 unter Verwendung eines wasserlöslichen Kunststoffs (Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm) ausgebildet wurde, kann dieser durch reines Wasser weggewaschen werden. Darum kann der Schutzfilm 23 sehr einfach entfernt werden. Beachte, dass das Entfernen des Schutzfilms 23 durch Ausstoßen des Wafers 11 eines gemischten Fluides aus reinem Wasser mit einem Gas (zum Beispiel Luft usw.) durchgeführt werden kann. Beachte, dass in dem Fall, in dem der Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm nicht durchgeführt wird und kein Schutzfilm an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildet ist, es nicht notwendig ist, den Entfernungsschritt für einen Schutzfilm durchzuführen.
  • Als nächstes unter Verwendung einer Schneidklinge, die dünner als die Breite der laserbearbeiteten Nuten 11c, die in dem Laserbearbeitungsschritt ausgebildet wurden, ist, werden geschnittene Nuten in den laserbearbeiteten Nuten 11c ausgebildet, die eine Tiefe tiefer als eine fertige Dicke des Wafers 11 aufweisen (Ausbildungsschritt für geschnittene Nut) . 6A ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, welche die Weise zeigt, in welcher die geschnittene Nut 11d in dem Wafer 11 ausgebildet wird.
  • In dem Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut werden geschnittenen Nuten unter Verwendung einer Schneidvorrichtung 18 ausgebildet. Wie in 6A dargestellt, beinhaltet die Schneidvorrichtung 18 einen Einspanntisch 20, der den Wafer 11 unter einem Saugen hält, eine Schneideinheit 22, die das Werkstück schneidet, das durch den Einspanntisch 20 gehalten ist, und mehrere Klemmen 24, die den ringförmigen Rahmen 21 fixieren, der den Wafer 11 trägt.
  • Zuerst wird der Wafer 11 an einem Einspanntisch 20 angeordnet und der ringförmige Rahmen 21 wird durch die Klemmen 24 fixiert. Ein Teil einer oberen Oberfläche des Einspanntischs 20 bildet eine Halteoberfläche 20a zum saugenden Halten des Wafers 11 durch das haftvermittelnde Band 19. Die Halteoberfläche 20a ist mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Saugdurchgang (nicht dargestellt) oder dergleichen verbunden, der in dem Einspanntisch 20 ausgebildet ist. Ein negativer Druck der Saugquelle wird dazu gebracht, an der Halteoberfläche 20a zu wirken, wodurch der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Einspanntisch 20 gehalten ist. Beachte, dass der Einspanntisch zum Halten des Wafers 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen anstelle des Einspanntischs 20 verwendet werden kann.
  • Die Schneideinheit 22 zum Schneiden des Wafers 11 ist an der oberen Seite des Einspanntischs 20 angeordnet. Die Schneideinheit 22 beinhaltet eine Spindel 26, die eine Achse in einer Richtung im Wesentlichen parallel zu der Halteoberfläche 20a aufweist, und eine ringförmige Schneidklinge 28 ist an einem Spitzenendabschnitt der Spindel 26 befestigt. Die Schneidklinge 28 ist zum Beispiel aus einem galvanisch abgeschiedenen Schleifstein ausgebildet, bei dem abrasive Körner durch eine Nickelplattierung gebunden sind. Zusätzlich ist die Spindel 26 mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden und die Schneidklinge 28, die an der Spindel 26 befestigt ist, wird durch eine Kraft gedreht, die von der Drehantriebsquelle übertragen wird.
  • In dem Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut wird zuerst der Wafer 11 an der Halteoberfläche 20a des Einspanntischs 20 durch das haftvermittelnde Band 19 angeordnet und ein negativer Druck der Saugquelle wird dazu gebracht, zu wirken. Als ein Ergebnis wird der Wafer 11 durch den Einspanntisch 20 in einem Zustand gehalten, in dem die vordere Oberflächenseite 11a davon nach oben frei liegt.
  • Als nächstes wird die Spindel 26 gedreht, die Schneidklinge 28 dazu gebracht, in den unteren Abschnitt der laserbearbeiteten Nut 11c von der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 entlang der Straße 13 zu schneiden und der Einspanntisch 20 wird in einer Bearbeitungszufuhrrichtung, nämlich einer Richtung, die im Wesentlichen parallel zu der Halteoberfläche 20a im Wesentlichen senkrecht zu der Achse der Spindel 26 ist, geschnitten. Als ein Ergebnis wird eine geradlinig geschnittene Nut 11d in dem unteren Abschnitt der laserbearbeiteten Nut 11c entlang der Straße 13 ausgebildet. Zu dem Zeitpunkt, zu dem die Schneidklinge 28 dazu gebracht wird, den Wafer 11 zu schneiden, ist der Abstand von der unteren Oberfläche 11a des Wafers 11 zu einem unteren Ende der Schneidklinge 28 auf einen Wert gesetzt, der weniger als die Dicke des Wafers 11 ist und eine fertige Dicke des Wafers 11 übersteigt. Die fertige Dicke 11 entspricht der Dicke der Bauelementchips wenn der Wafer 11 schließlich zu den Bauelementchips verarbeitet wird.
  • Beachte, dass die Breite der Schneidklinge 28 kleiner als die Breite der laserbearbeiteten Nuten 11c ist, die in dem Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Nut ausgebildet werden. In dem Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut wird die Schneidklinge 28 dazu gebracht, in einen Teil des unteren Abschnitts der laserbearbeiteten Nut 11 zu schneiden. Darum wird die geschnittene Nut 11d in dem Inneren der laserbearbeiteten Nut 11c ausgebildet. 6B ist eine vergrößerte Aufsicht der Straße 13, die mit der geschnittenen Nut 11d ausgebildet ist. Die geschnittene Nut 11d weist eine engere Breite als die Breite der laserbearbeiteten Nut 11c auf und ist in einem Bereich in der laserbearbeiteten Nut 11c in einer Aufsicht ausgebildet. Beachte, dass in 6B der Bereich, der mit der geschnittenen Nut 11d ausgebildet ist, schraffiert ist.
  • Der untere Abschnitt der laserbearbeiteten Nut 13c, die in dem Laserbearbeitungsschritt ausgebildet wurde, ist ein Bereich, in dem die Muster 17 entfernt wurden und keine Metallschicht übergeblieben ist. In dem Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut wird der untere Abschnitt der laserbearbeiteten Nut 13c durch die Schneidklinge 28 geschnitten. Darum tritt ein Schneiden der Muster 17 durch die Schneidklinge 28 nicht auf, sodass ein Ausbilden von Graten aufgrund des Schneidens der Metallschicht verhindert werden kann.
  • Darauf folgend wird ein Schutzelement an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 (Anbringungsschritt für ein Schutzelement) angebracht. 7A ist eine perspektivische Ansicht, welche die Weise darstellt, in welcher das Schutzelement 29 an dem Wafer 11 angebracht wird. Wie in 7A dargestellt, ist das Schutzelement 29 ein scheibenförmiges Element, das an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 angebracht ist, sodass die Bauelemente 15 bedeckt werden. Als das Schutzelement 29 kann zum Beispiel ein Band verwendet werden, das aus einem flexiblen Kunststoff oder dergleichen ausgebildet ist. 7B ist eine perspektivische Ansicht, die den Wafer 11 darstellt, an welchem das Schutzelement 29 angebracht wurde. Das Schutzelement 29, die Bauelemente 15, die an der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 ausgebildet sind, werden in späteren Schritten (Schleifschritt, ein Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht und ein Ausbildungsschritt für eine verformte Schicht) geschützt. Beachte, dass 7B einen Zustand darstellt, in dem der Wafer 11 von dem haftvermittelnden Band 19 abgelöst wurde und von dem ringförmigen Rahmen 21 gelöst wurde.
  • Als nächstes wird die hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 geschliffen, um den Wafer 11 auf eine fertige Dicke dünn auszugestalten und die geschnittenen Nuten 11d an der hinteren Oberfläche 11b freizulegen, wodurch der Wafer 11 in mehrere Bauelementchips geteilt wird (Schleifschritt). 8 ist eine seitliche Ansicht, welche die Weise darstellt, in welcher die hintere Oberflächenseite 111b des Wafers 11 geschliffen wird.
  • Das Schleifen des Wafers 11 wird zum Beispiel unter Verwendung einer Schleifvorrichtung 30 durchgeführt, die in 8 dargestellt ist. Die Schleifvorrichtung 30 beinhaltet einen Einspanntisch 32 zum saugenden Halten des Wafers 11. Der Einspanntisch 32 ist mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden und wird um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung gedreht. Zusätzlich ist ein Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) unter dem Einspanntisch 32 bereitgestellt und der Bewegungsmechanismus weist eine Funktion zum Bewegen des Einspanntischs 32 in einer horizontalen Richtung auf.
  • Eine obere Oberfläche des Einspanntischs 32 bildet eine Halteoberfläche 32a zum saugenden Halten des Wafers 11 aus. Die Halteoberfläche 32a ist mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Saugdurchgang (nicht dargestellt) oder dergleichen verbunden, der in dem Einspanntisch 32 ausgebildet ist. In dem Zustand, in dem der Wafer 11 an der Halteoberfläche 32a durch das Schutzelement 29 angeordnet ist, wird ein negativer Druck der Saugquelle dazu gebracht, an der Halteoberfläche 32a zu wirken, wodurch der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Einspanntisch 32 gehalten wird. Beachte, dass ein Einspanntisch zum Halten des Wafers 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen anstelle des Einspanntischs 32 verwendet werden kann.
  • Eine Schleifeinheit 34 ist an der oberen Seite des Einspanntischs 32 angeordnet. Die Schleifeinheit 34 beinhaltet ein Spindelgehäuse (nicht dargestellt), das durch einen Hebemechanismus (nicht dargestellt) getragen ist. Eine Spindel 36 ist in dem Spindelgehäuse aufgenommen und eine scheibenförmige Befestigung 38 ist an einem unteren Endabschnitt der Spindel 36 befestigt. Eine Schleifscheibe 40, die im Wesentlichen einen gleichen Durchmesser wie die Befestigung 38 aufweist, ist an einer unteren Oberfläche der Befestigung 38 befestigt. Die Schleifscheibe 40 beinhaltet eine Scheibenbasis 42, die aus einem metallischen Material wie Edelstahl oder Aluminium ausgebildet ist. Mehrere Schleifsteine 44 sind an einer unteren Oberfläche der Scheibenbasis 42 angeordnet. Eine Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie ein Motor ist mit der oberen Endseite (Basisendseite) der Spindel 36 verbunden und die Schleifscheibe 40 wird um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung durch eine Kraft gedreht, die durch die Drehantriebsquelle generiert wird. In dem Inneren oder der Nähe der Schleifeinheit 34 ist eine Düse (nicht dargestellt) zum Zuführen einer Schleifflüssigkeit wie reinem Wasser zu dem Wafer 11 und dergleichen bereitgestellt.
  • Zum Zeitpunkt des Schleifens des Wafers 11 wird zuerst in einem Zustand, in dem der Wafer 11 an der Halteoberfläche 32a durch ein Schutzelement 29 gehalten ist, ein negativer Druck der Saugquelle dazu gebracht, an der Halteoberfläche 32a zu wirken. Als ein Ergebnis wird der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Einspanntisch 32 in dem Zustand gehalten, in dem die hintere Oberflächenseite 11b nach oben frei liegt.
  • Darauf folgend wird der Einspanntisch 32 zu einer Position unterhalb der Schleifeinheit 34 bewegt. Dann, während der Einspanntisch 32 und die Schleifscheibe 40 jeweils gedreht werden und während die Schleifflüssigkeit zu der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 zugefuhrt wird, wird die Spindel 36 abgesenkt. Beachte, dass die Position und die Absenkgeschwindigkeit der Spindel 36 in einer solchen Weise angepasst werden, dass die untere Oberfläche der Schleifsteine 44 gegen die hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 mit einer geeigneten Kraft gedrückt werden. Dadurch wird die hintere Oberflächenseite 11b geschliffen und der Wafer 11 wird dünn ausgestaltet. Wenn der Wafer 11 dünn ausgestaltet wird und die geschnittenen Nuten 11d zur hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 freiliegen, wird der Wafer 11 in die mehreren Bauelementchips geteilt, die jeweils die Bauelemente 15 beinhalten. Dann, wenn der Wafer 11 auf die fertige Dicke dünn ausgestaltet ist, ist das Schleifen abgeschlossen. Beachte, dass der Wafer 11 unter Verwendung eines Satzes einer Schleifeinheit in der vorliegenden Ausführungsform geschliffen wird, der Wafer 11 jedoch durch die Verwendung von zwei oder mehr Sätzen Schleifeinheit geschliffen werden kann. In dem Fall wird zum Beispiel ein grobes Schleifen unter Verwendung von Schleifsteinen durchgeführt, die abrasive Körner aufweisen, die einen größeren Durchmesser aufweisen, und ein abschließendes Schleifen wird unter Verwendung von Schleifsteinen durchgeführt, die abrasive Körner mit kleineren Durchmesser enthalten, wodurch die ebene Ausgestaltung der hinteren Oberfläche 11b verbessert werden kann, ohne die Zeit zu verlängern, die für das Schleifen benötigt wird.
  • Wenn die hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 durch die Schleifsteine geschliffen wird, werden kleine Unebenheiten (kleine Vorsprünge und Rücksprunge) oder Risse an der hinteren Oberflächenseite 11b des Wafers 11 ausgebildet. Das Vorhandensein eines Bereichs (beschädigte Schicht), an welchem die Festigkeit oder Risse ausgebildet sind, führt zu einem Absenken der Festigkeit der Bauelementchips, die durch Teilen des Wafers 11 erhalten werden. Darum wird die beschädigte Schicht, die an der hinteren Oberflächenseite 11b des Wafers 11 ausgebildet ist, entfernt (Entfernungsschritt für beschädigte Schicht). Die beschädigte Schicht kann zum Beispiel durch ein Polieren entfernt werden, das unter Verwendung einer Polierscheibe durchgeführt wird. 9 ist eine seitliche Ansicht, welche die Weise darstellt, in der die hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 durch eine Polierscheibe poliert wird.
  • Das Polieren des Wafers 11 wird zum Beispiel unter Verwendung einer Poliervorrichtung 46 durchgeführt, die in 9 dargestellt ist. Die Poliervorrichtung 46 beinhaltet einen Einspanntisch 48 zum saugenden Halten des Wafers 11. Der Einspanntisch 48 ist mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden und wird um eine Drehachse gedreht, die im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung ist. Zusätzlich ist ein Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) unter dem Einspanntisch 48 bereitgestellt und der Bewegungsmechanismus weist eine Funktion zum Bewegen des Einspanntischs 48 in einer horizontalen Richtung auf. Eine obere Oberfläche des Einspanntischs 48 bildet eine Halteoberfläche 48a zum saugenden Halten des Wafers. Die Halteoberfläche 48a ist mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Saugdurchgang (nicht dargestellt) oder dergleichen, die in dem Einspanntisch 48 ausgebildet ist, verbunden. In dem Zustand, in dem der Wafer 11 an der Halteoberfläche 48a durch das Schutzelement 29 gehalten ist, wird ein negativer Druck der Saugquelle dazu gebracht, an der Halteoberfläche 48a zu wirken, wodurch der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Einspanntisch 48 gehalten wird. Beachte, dass ein Einspanntisch zum Halten des Wafers 11 durch ein mechanisches Verfahren, ein elektrisches Verfahren oder dergleichen anstelle des Einspanntischs 48 verwendet werden kann.
  • Eine Poliereinheit 50 ist an der oberen Seite des Einspanntischs 48 angeordnet. Die Poliereinheit 50 beinhaltet ein Spindelgehäuse (nicht dargestellt), das durch einen Hebemechanismus (nicht dargestellt) getragen ist. Eine Spindel 52 ist in dem Spindelgehäuse aufgenommen und eine scheibenförmige Befestigung 54 ist an einem unteren Endabschnitt der Spindel 52 fixiert. Eine Polierscheibe 56 ist an einer unteren Oberfläche der Befestigung 54 befestigt. Die Polierscheibe 56 beinhaltet einen Polierstoff, der aus einem nicht-gewebten Stoff, einem Polyurethanschaumstoff oder dergleichen ausgebildet ist. Eine Drehantriebsquelle (nicht dargestellt), die einen Motor oder dergleichen beinhaltet, ist mit der oberen Endseite (Basisendseite) der Spindel 52 verbunden und die Polierscheibe 56 wird um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung durch eine Kraft gedreht, die durch die Drehantriebsquelle generiert wird. Beachte, dass die Poliereinheit 50 mit einem Zufuhrdurchgang (nicht dargestellt) zum Zuführen einer Polierflüssigkeit zu dem Wafer 11, der an dem Einspanntisch 48 gehalten ist, ausgebildet sein kann. Zum Beispiel kann eine Suspension, die abrasive Körner enthalt, die in einer Flüssigkeit dispergiert sind, die mit dem Wafer 11 reagiert, als die Polierflüssigkeit zu dem Wafer 11 durch den Zufuhrdurchgang zugeführt werden.
  • In dem Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht wird zuerst das Schutzelement 29 in Kontakt mit der Halteoberfläche 48a des Einspanntischs 48 gebracht und der negative Druck der Saugquelle wird dazu gebracht, daran zu wirken. Als ein Ergebnis wird der Wafer 11 unter einem Saugen durch den Einspanntisch 48 in dem Zustand gehalten, in dem die hintere Oberflächenseite 11b davon nach oben frei liegt. Beachte, dass der Wafer 11 in mehrere Bauelementchips 31 durch den Schleif schritt geteilt wurde. Als nächstes wird der Einspanntisch 48 zu einer Position unterhalb der Poliereinheit 50 bewegt. Dann, während die Polierflüssigkeit zu der hinteren Oberflächenseite 11b des Wafers 11 zugeführt wird, werden der Einspanntisch 48 und die Polierscheibe 56 jeweils gedreht und die Spindel 52 wird abgesenkt. Beachte, dass die Absenkmenge der Spindel 52 in einem solchen Maß angepasst wird, dass eine untere Oberfläche (Polieroberfläche) der Polierscheibe 56 gegen die hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 gedrückt wird. In dieser Weise wird die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 poliert, wodurch die beschädigte Schicht, die an der hinteren Oberflächenseite 11b des Wafers 11 durch das Schleifen in dem Schleifschritt ausgebildet wurde, entfernt wird. Durch das Entfernen der beschädigten Schicht, kann die Festigkeit der Bauelementchips 31 verbessert werden.
  • Beachte, dass während ein nasses Polieren, in dem die Polierflüssigkeit zu dem Wafer 11 zugeführt wird, oben beschrieben wurde, ein Trockenpolieren, in dem die Polierflussigkeit nicht verwendet wird, auch zum Polieren des Wafers 11 eingesetzt werden kann. Zusätzlich ist das Verfahren zum Entfernen der beschädigten Schicht nicht auf das Polieren durch die Polierscheibe 56 beschränkt. Zum Beispiel kann ein Plasmaätzen unter Verwendung eines Halogengases verwendet werden, um die beschädigte Schicht zu entfernen. Die Details des Plasmaatzens werden später beschrieben.
  • Als nächstes werden unter Verwendung eines Plasmaätzens, das ein Inertgas verwendet, Verformungen, kleine Unebenheiten (kleine Vorsprünge und Vertiefungen) oder Risse an der hinteren Oberflächenseite 11b des Wafers 11 ausgebildet (Ausbildungsschritt für verformte Schicht). Zum Ausbilden der Verformung kann eine Plasmabehandlungsvorrichtung verwendet werden. 10 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer Plasmabehandlungsvorrichtung 60 darstellt, die zum Ausbilden der Verformung verwendet werden kann.
  • Die Plasmabehandlungsvorrichtung 60 beinhaltet eine Vakuumkammer 64, die einen Behandlungsraum 62 ausbildet. Die Vakuumkammer 64 ist in einer rechteckigen Parallelepiped-Form, die eine untere Wand 64a, eine obere Wand 64b, eine erste Seitenwand 64c, eine zweite Seitenwand 64d, eine dritte Seitenwand 64e und eine vierte Seitenwand (nicht dargestellt) beinhaltet, wobei die zweite Seitenwand 64b mit einer Öffnung 66 zum Herausnehmen und Einführen des Wafers 11 versehen ist, ausgebildet. An dem Äußeren der Öffnung 66 ist eine Klappe 68 zum Schließen und Öffnen der Öffnung 66 vorgesehen. Die Klappe 68 wird nach oben und nach unten durch einen Öffnungs-/Schließmechanismus 70 bewegt. Der Öffnungs-/Schließmechanismus 70 beinhaltet einen Luftzylinder 72 und eine Kolbenstange 74. Der Luftzylinder 72 ist an der unteren Wand 64a der Vakuumkammer 64 durch eine Klammer 76 fixiert und eine Spitze der Kolbenstange 74 ist mit einem unteren Abschnitt der Klappe 68 verbunden. Wenn die Klappe 68 durch den Öffnungs-/Schließmechanismus 70 geöffnet ist, kann der Wafer in den Behandlungsraum 62 der Vakuumkammer 64 durch die Öffnung 66 eingeführt werden oder der Wafer 11 kann aus dem Behandlungsraum 62 der Vakuumkammer 64 herausgenommen werden. Eine Ausstoßöffnung 78 ist in der unteren Wand 64a der Vakuumkammer 64 ausgebildet. Die Ausstoßöffnung 78 ist mit einem Ausstoßmechanismus 80 wie einer Vakuumpumpe verbunden.
  • Eine untere Elektrode 82 und eine obere Elektrode 84 sind einander gegenüber in dem Behandlungsraum 62 der Vakuumkammer 64 angeordnet. Die untere Elektrode 82 ist aus einem leitenden Material ausgebildet und beinhaltet einen scheibenförmigen Halteabschnitt 86 und einen zylindrischen Trägerabschnitt 88, der von dem Zentrum der unteren Oberfläche des Halteabschnitts 86 hervorsteht. Der Trägerabschnitt 88 ist in eine Öffnung 90 eingeführt, die in der unteren Wand 64a der Vakuumkammer 64 ausgebildet ist. In der Öffnung 90 ist ein ringförmiges Isolationselement 92 zwischen der unteren Wand 64a und dem Trägerabschnitt 88 ausgebildet, wodurch die Vakuumkammer 64 und die untere Elektrode voneinander isoliert werden. Die untere Elektrode 82 ist mit einer Hochfrequenzleistungsquelle 94 außerhalb der Vakuumkammer 64 verbunden.
  • Eine obere Oberfläche des Halteabschnitts 86 ist mit einer Vertiefung ausgebildet und ein Tisch 96, an dem der Wafer 11 platziert werden soll, ist mit in der Vertiefung bereitgestellt. Der Tisch 96 ist darin mit einem Saugdurchgang (nicht dargestellt) ausgebildet, der mit einer Saugquelle 100 durch einen Flusspfad 98, der in der unteren Elektrode 82 ausgebildet ist, verbunden ist. Zusatzlich ist der Halteabschnitt 86 darin mit einem Kühlungsflusspfad 102 ausgebildet. Ein Ende des Kühlungsflusspfads 102 ist mit einem Kühlmittelkreislaufmechanismus 106 durch einen Kühlmitteleinführdurchgang 104 verbunden, der in dem Trägerabschnitt 88 ausgebildet ist, wohingegen das andere Ende des Kühlungsflusspfades 102 mit einem Kühlmittelkreislaufmechanismus 106 durch einen Kühlmittelauslassdurchgang 108 verbunden ist, der in dem Trägerabschnitt 88 ausgebildet ist. Wenn der Kühlmittelkreislaufmechanismus 106 betätigt wird, fließt ein Kühlmittel durch den Kühlmitteleinführdurchgang 104, den Kühlmittelflusspfad 102 und den Kühlmittelauslassdurchgang 108 in dieser Reihenfolge, um die untere Elektrode 82 zu kühlen.
  • Die obere Elektrode 84 ist aus einem leitenden Material ausgebildet und beinhaltet einen scheibenförmigen Gasausstoßabschnitt 110 und einen zylindrischen Trägerabschnitt 112, der von dem Zentrum einer oberen Oberfläche des Gasausstoßabschnitts 110 hervorsteht. Der Trägerabschnitt 112 ist in eine Öffnung 114 eingeführt, die in der oberen Wand 64b der Vakuumkammer 64 ausgebildet ist. In der Öffnung 114 ist ein ringförmiges Isolationselement 116 zwischen der oberen Wand 64b und dem Trägerabschnitt 112 angeordnet, wodurch die Vakuumkammer 64 und die obere Elektrode 84 voneinander isoliert sind. Die obere Elektrode 84 ist mit einer Hochfrequenzleistungsquelle 118 außerhalb der Vakuumkammer 64 verbunden. Zusätzlich ist ein Trägerarm 122, der mit einem Hebemechanismus 120 verbunden ist, an einem oberen Endabschnitt des Trägerabschnitts 112 angebracht und die obere Elektrode 84 wird nach oben und unten durch den Hebemechanismus 120 und den Trägerarm 122 bewegt. Eine untere Oberfläche des Gasausstoßabschnitts 110 ist mit mehreren Auslassöffnungen 124 versehen. Die Auslassöffnungen 124 sind mit einer ersten Gaszufuhrquelle 130 und einer zweiten Gaszufuhrquelle 132 durch einen Flusspfad 126 verbunden, der in dem Gasausstoßabschnitt 110 ausgebildet ist, und einem Flusspfad 128 verbunden, der in dem Trägerabschnitt 112 ausgebildet ist. Die erste Gaszufuhrquelle 130, die zweite Gaszufuhrquelle 132, der Flusspfad 126 und 128 und die Ausstoßöffnungen 124 bilden einen Gaseinführabschnitt zum Einführen des Gases in die Vakuumkammer 64.
  • Der Öffnungs-/Schließmechanismus 70, der Ausstoßmechanismus 80, die Hochfrequenzleistungsquelle 94, die Saugquelle 100, der Kühlmittelkreislaufmechanismus 106, die Hochfrequenzleistungsquelle 118, der Hebemechanismus 120, die erste Gaszufuhrquelle 130, die zweite Gaszufuhrquelle 132 und dergleichen sind mit einer Steuerungseinrichtung 134 verbunden. Informationen über den Druck in dem Behandlungsraum 62 wird von dem Ausstoßmechanismus 80 an die Steuerungseinrichtung 134 eingegeben. Zusätzlich wird eine Information über die Temperatur des Kühlmittels oder eine Information über die Temperatur der unteren Elektrode 82 von dem Kühlmittelkreislaufmechanismus 106 zu der Steuerungseinrichtung 134 eingegeben. Ferner wird eine Information über die Flussraten des Gases von der ersten Gaszufuhrquelle 130 und der zweiten Gaszufuhrquelle 132 zu der Steuerungseinrichtung 134 eingegeben. Basierend auf diesen Informationen und anderen Informationen, die von einem Bediener oder dergleichen eingegeben werden, gibt die Steuerungseinrichtung 134 Steuerungssignale zum Steuern der vorgenannten Komponenten der Plasmabehandlungsvorrichtung 60 aus.
  • In dem Ausbildungsschritt für eine verformte Schicht wird zuerst die Klappe 68 der Plasmabehandlungsvorrichtung 60 durch den Öffnungs-/Schließmechanismus 70 abgesenkt. Als nächstes wird der Wafer durch die Öffnung 66 in den Behandlungsraum 62 der Vakuumkammer 64 eingeführt und an dem Tisch 96 der unteren Elektrode 82 platziert, wobei seine hintere Oberflächenseite 11b nach oben frei liegt. Beachte, dass es zu dem Zeitpunkt des Einführens des Wafers 11 bevorzugt ist, die obere Elektrode 84 durch den Hebemechanismus 120 vorläufig anzuheben, um den Raum zwischen der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 vorlaufig zu vergrößern. Danach wird ein negativer Druck der Saugquelle 100 dazu gebracht, zu wirken, wodurch der Wafer 11 an dem Tisch 96 fixiert wird. Darüber hinaus wird die Klappe 68 durch den Öffnungs-/Schließmechanismus 70 angehoben, um den Behandlungsraum 62 hermetisch zu schließen. Ferner wird die Höhenposition der oberen Elektrode 84 durch den Hebemechanismus 120 in einer solchen Weise angepasst, dass die obere Elektrode 84 und die untere Elektrode 82 in eine vorbestimmte Positionsbeziehung für eine Plasmabearbeitung geeignet gebracht werden. Zusätzlich wird der Ausstoßmechanismus 80 betätigt, um ein Vakuum (einen geringen Druck) in dem Behandlungsraum 62 auszubilden. Beachte, dass in dem Fall, in dem es schwierig ist, den Wafer durch den negativen Druck der Saugquelle 100 zu halten, nachdem der Druck in dem Behandlungsraum 62 abgesenkt wurde, der Wafer an dem Tisch 96 durch eine elektrische Kraft (typischerweise eine elektrostatische Kraft oder dergleichen) gehalten ist. Zum Beispiel durch Einbetten von Elektroden in dem Tisch 96 und durch Versorgen der Elektroden mit einer elektrischen Leistung kann eine elektrische Kraft dazu gebracht werden, zwischen dem Einspanntisch 96 und dem Wafer 11 zu wirken.
  • In diesem Zustand, während ein Gas für eine Plasmabearbeitung mit einer vorbestimmten Flussrate zugeführt wird, wird eine vorbestimmte Hochfrequenzleistung zu der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 zugeführt. In dem Ausbildungsschritt für eine verformte Schicht entsprechend der vorliegenden Ausführungsform, während ein vorbestimmter Druck (zum Beispiel ein Druck von 5 bis 50 Pa) in dem Behandlungsraum 62 beibehalten wird, wird eine vorbestimmte elektrische Hochfrequenzleistung (zum Beispiel 1000-3000 W) zu der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 zugeführt, während ein Inertgas wie ein Edelgas mit einer vorbestimmten Flussrate von der ersten Gaszufuhrquelle 130 zugeführt wird. Als ein Ergebnis wird ein Plasma zwischen der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 generiert, Ionen, die von dem als Plasma ausgebildeten Inertgas generiert werden, werden zu der unteren Elektrodenseite 82 angezogen und an der hinteren Oberflache 11b des Wafers 11 aufgebracht. Dann wird die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 gesputtert, wodurch kleine Unebenheiten (kleine Vorsprünge und Rücksprünge oder Risse (Verformungen)) an der hinteren Oberfläche 11b ausgebildet werden. Der Bereich, der mit der Verformung (verformte Schicht) versehen ist, dient als eine Getterschicht zum Aufnehmen metallischer Elemente, die in dem Wafer 11 enthalten sind.
  • 11 ist eine vergrößerte Schnittansicht des Wafers 11 in dem Zustand, in dem dieser mit einer verformten Schicht 33 ausgebildet wurde. Der Wafer 11, der in die mehreren Bauelementchips 31 durch den Schleifschritt geteilt wurde, ist an dem Tisch 96 durch das Schutzelement 29 angeordnet und die hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 liegt zur oberen Elektrode 84 (siehe 10) frei. Wenn die Plasmabearbeitung unter Verwendung des Inertgases an dem Wafer 11 angewendet wird, wird die verformte Schicht 33 an der hinteren Oberflachenseite 11b des Wafers 11 ausgebildet. In dem Ausbildungsschritt für eine verformte Schicht wird eine Plasmabearbeitung an dem Wafer 11 angewendet, der einer Entfernung der Muster 17 (siehe 1 usw.) durch Aufbringen des Laserstrahls und dann Schneiden durch eine Schneidklinge (Laserbearbeitungsschritt, der Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut) ausgesetzt wurde und bei dem ein Auftreten von Graten unterdrückt wurde. Darum wird ein Auftreten einer elektrischen Entlandung zum Zeitpunkt der Plasmabearbeitung unterdrückt und eine Beschädigen der Bauelemente 15 wird verhindert. Durch das Ausbilden der verformten Schicht 33 kann ein Gettereffekt erhalten werden, wodurch metallische Elemente, die in dem Inneren des Wafers 11 enthalten sind, an der hinteren Oberflächenseite 11b des Wafers 11 angesammelt werden. Beachte, dass die verformte Schicht 33, die durch die Plasmabearbeitung ausgebildet wurde, eine extrem kleine Dicke im Vergleich zu der beschädigten Schicht, die durch den Schleifschritt ausgebildet wurde, aufweist (zum Beispiel 1/10 davon oder weniger). Darum führt das Ausbilden einer verformten Schicht 33 nicht zu einer deutlichen Reduzierung der Festigkeit des Wafers 11.
  • Wie oben beschrieben wurde, wird in dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Ausführungsform der Wafer 11 entlang der Straßen 13 geschnitten, nachdem die Muster 17, die an den Straßen 13 des Wafers 11 ausgebildet wurden, durch ein Aufbringen des Laserstrahls entfernt wurden. Als ein Ergebnis wird ein Schneiden der Muster 17 durch die Schneidklinge 28 verhindert und ein Auftreten von Graten zum Zeitpunkt des Schneidens des Wafers 11 wird unterdrückt. Darum kann zum Zeitpunkt des Aufbringens der Plasmabearbeitung auf dem Wafer 11, um die verformte Schicht 33 an der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 auszubilden, welche die Bauelemente aufgrund einer elektrischen Entladung an den Graten beschädigen, verhindert werden.
  • Beachte, dass während der Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht zum Entfernen der beschädigten Schicht durch Polieren mit der Polierscheibe 56 in der vorliegenden Ausführungsform beschrieben wurde (siehe 9), kann die beschädigte Schicht auch durch ein Plasmaätzen unter Verwendung der Plasmabehandlungsvorrichtung 60, die in 10 in dem Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht dargestellt ist, entfernt werden. In dem Fall des Entfernens der beschädigten Schicht durch das Plasmaätzen wird der Wafer 11, der in mehrere Bauelementchips 31 geteilt wurde, an dem Tisch 96 der Plasmabehandlungsvorrichtung 60 durch das Schutzelement 29 wie in 11 angeordnet. In diesem Zustand wird eine elektrische Hochfrequenzleistung zu der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 zugefuhrt, während ein Gas zum Ätzen zugeführt wird. Insbesondere wird das Innere des Behandlungsraums 62 bei einem vorbestimmten Druck (zum Beispiel 50 bis 300 Pa) gehalten und eine vorbestimmte elektrische Hochfrequenzleistung (2000 bis 3000 W) wird zu der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 zugeführt, während ein halogenenthaltenes Gas wie SF6 von der zweiten Gaszufuhrquelle 132 mit einer vorbestimmten Flussrate zugeführt wird. Beachte, dass der Abstand zwischen der unteren Elektrode 82 und der oberen Elektrode 84 größer als der Abstand zum Zeitpunkt des Durchfuhrens des Ausbildungsschritts für eine verformte Schicht gesetzt wird. Dadurch kann die Spannung, die an dem Wafer 11 angelegt wird, im Vergleich zum Zeitpunkt des Durchführens des Ausbildungsschritts für eine verformte Schicht abgesenkt werden.
  • Durch den oben genannten Schritt wird ein Plasma zwischen der unteren Elektrode 82 der oberen Elektrode 84 generiert und eine aktive Substanz, die durch das Plasma generiert wird, wirkt an der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11, wodurch die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 geätzt wird. In dieser Weise wird die beschädigte Schicht, die an der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 ausgebildet ist, entfernt. Dieses Plasmaätzen wird auch an dem Wafer 11 durchgeführt, welcher dem Laserbearbeitungsschritt und dem Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut ausgesetzt wurde, bei dem das Auftreten von Graten unterdrückt wurde. Darum kann auch in dem Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht eine elektrische Entladung unterdruckt werden und ein Beschädigen der Bauelemente 15 wird verhindert.
  • Anders als im vorgenannten können Strukturen, Verfahren oder dergleichen entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wie notwendig beim Ausführen der vorliegenden Erfindung in dem Umfang des Ziels der Erfindung modifiziert werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikation, die in das Äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010177430 [0004]

Claims (4)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, bei dem Bauelemente jeweils in Bereichen einer vorderen Oberflachenseite ausgebildet sind, die durch mehrere Straßen aufgeteilt ist, und bei dem Muster, die eine Metallschicht beinhalten, an den Straßen ausgebildet sind, wobei das Verfahren umfasst: einen Laserbearbeitungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Wafer absorbiert wird, entlang der Straßen, die mit den Mustern versehen sind, um laserbearbeitete Nuten auszubilden, während die Muster entfernt werden; einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut zum Ausbilden geschnittener Nuten, die eine Tiefe aufweisen, die tiefer als eine fertige Dicke des Wafers ist, in den laserbearbeitete Nuten durch eine Schneidklinge, die dünner als eine Breite der laserbearbeiteten Nuten ist; einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement zum Anbringen eines Schutzelements an der vorderen Oberflächenseite des Wafers, der mit den geschnittenen Nuten ausgebildet ist; einen Schleifschritt zum Halten des Wafers durch einen Einspanntisch durch ein Schutzelement, Schleifen einer hinteren Oberflächenseite des Wafers, um den Wafer auf eine fertige Dicke dünn auszugestalten und die geschnittenen Nuten an der hinteren Oberfläche des Wafers freizulegen, wodurch der Wafer in mehrere Bauelementchips geteilt wird; einen Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht zum Entfernen einer beschädigten Schicht, die an der hinteren Oberflächenseite des Wafers durch das Schleifen des Wafers ausgebildet wurde; und einen Ausbildungsschritt für eine verformte Schicht zum Ausbilden einer verformten Schicht an der hinteren Oberflächenseite des Wafers, von dem die beschädigte Schicht entfernt wurde, durch eine Plasmabearbeitung unter Verwendung eines Intergases.
  2. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers nach Anspruch 1, wobei in dem Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht die beschädigte Schicht durch Polieren mit einer Polierscheibe entfernt wird.
  3. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers nach Anspruch 1, wobei in dem Entfernungsschritt für eine beschädigte Schicht die beschädigte Schicht durch Plasmaatzen unter Verwendung eines halogenenthaltenden Gases entfernt wird.
  4. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Ausbilden eines wasserlöslichen Schutzfilms an der vorderen Oberflächenseite des Wafers vor dem Laserbearbeitungsschritt und einen Entfernungsschritt für einen Schutzfilm zum Entfernen des Schutzfilms von der vorderen Oberflächenseite des Wafers nach dem Laserbearbeitungsschritt.
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