DE102016224214B4 - Bearbeitungsverfahren für einen Wafer - Google Patents

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Abstract

Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Teilen eines Wafers in mehrere einzelne Bauelementchips entlang mehrerer, sich kreuzender Teilungslinien, die an einer vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind, wobei die vordere Seite des Wafers durch die Teilungslinien aufgeteilt ist, sodass mehrere getrennte Bereiche gebildet werden, an denen mehrere Bauelemente ausgebildet sind, wobei die einzelnen Bauelementchips den Bauelementen entsprechen, der Wafer ein gestapeltes Element daran ausgebildet aufweist, und das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer umfasst:einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement zum Anbringen eines Schutzelements an der vorderen Seite des Wafers;einen hinteren Schleifschritt zum Schleifen einer hinteren Seite des Wafers nach dem Durchführen des Anbringungsschritts für ein Schutzelement, wodurch die Dicke des Wafers auf eine vorbestimmte Dicke reduziert wird;einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, von der hinteren Seite davon entlang jeder Teilungslinie in dem Zustand, in dem der Fokuspunkt des Laserstrahls in dem Wafer gesetzt ist, nach dem Durchführen des hinteren Schleifschritts, wodurch eine modifizierte Schicht in dem Wafer entlang jeder Teilungslinie ausgebildet wird;einen Trägerschritt für einen Wafer zum Anbringen der hinteren Seite des Wafers an einem haftvermittelnden Band, das an seinem umfänglichen Abschnitt an einem ringförmigen Rahmen getragen wird, der eine innere Öffnung aufweist, die dazu geeignet ist, den Wafer aufzunehmen, nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für eine modifizierte Schicht, wodurch der Wafer durch das haftvermittelnde Band an dem ringförmigen Rahmen getragen wird, und als nächstes zum Ablösen des Schutzelements von der vorderen Seite des Wafers;einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Aufbringen eines wasserlöslichen Kunststoffs an der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Trägerschritts für einen Wafer, wodurch ein Schutzfilm aus dem wasserlöslichen Kunststoff ausgebildet wird;einen Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge in dem gestapelten Element aufweist, durch den Schutzfilm entlang jeder Teilungslinie nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für einen Schutzfilm, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, um das gestapelte Element, dass an jeder Teilungslinie vorliegt, zu entfernen;einen Teilungsschritt zum Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element, wodurch der Wafer in die einzelnen Bauelementchips entlang jeder Teilungslinie geteilt wird, wo die modifizierte Schicht ausgebildet ist;einen Entfernungsschritt für einen Schutzfilm zum Reinigen der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch der Schutzfilm von der vorderen Seite des Wafers entfernt wird; undeinen Plasmaätzschritt zum Zuführen eines Ätzgases in einem Plasmazustand zu dem Wafer von der vorderen Seite davon nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element oder nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch eine Beschädigung aufgrund der Ablation in dem Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element entfernt wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Teilen eines Wafers in mehrere Bauelementchips entlang mehrerer, sich kreuzender Teilungslinien, die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind, wobei die vordere Seite des Wafers durch die Teilungslinien aufgeteilt ist, sodass mehrere getrennte Bereiche gebildet werden, an denen mehrere Bauelemente ausgebildet sind.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • In einem Herstellungsprozess für ein Halbleiter-Bauelement sind mehrere, sich kreuzende Teilungslinien an der vorderen Seite eines im Wesentlichen scheibenförmigen Halbleiter-Wafers ausgebildet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche auszubilden, an denen mehrere Bauelemente wie integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrations (LSIs) ausgebildet sind. Der Halbleiter-Wafer wird entlang der Teilungslinien geschnitten, um dadurch die Bereiche voneinander zu teilen, an denen die Bauelemente ausgebildet sind, wodurch folglich einzelne Bauelementchips entsprechend den Bauelementen erhalten werden.
  • Als ein Verfahren zum Teilen eines Wafers wie einem Halbleiter-Wafer entlang der Teilungslinien wurde praktisch ein Laserbearbeitungsverfahren verwendet, dass internes Bearbeiten genannt wird, das einen gepulsten Laserstrahl verwendet, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, wobei der gepulste Laserstrahl in dem Zustand auf dem Wafer aufgebracht wird, indem der Fokuspunkt des gepulsten Laserstrahls in dem Wafer in einem Bereich gesetzt ist, der zu teilen ist. Ein Teilungsverfahren für einen Wafer, das dieses Laserbearbeitungsverfahren verwendet, beinhaltet die Schritte des Aufbringens eines gepulsten Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, auf dem Wafer von einer Seite davon, in dem Zustand, in dem der Fokuspunkt des gepulsten Laserstrahls in dem Wafer gesetzt ist, wodurch eine modifizierte Schicht kontinuierlich in dem Wafer entlang der Teilungslinien ausgebildet wird, und als nächstes Aufbringen einer externen Kraft an dem Wafer entlang jeder Teilungslinien, in welcher die Festigkeit durch das Ausbilden der modifizierten Schicht reduziert wurde, wodurch der Wafer entlang jeder Teilungslinien gebrochen wird, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen (siehe zum Beispiel die japanische Druckschrift JP 3 408 805 B2 .
  • Ferner wurde ein Halbleiter-Wafer, der dazu gedacht ist, die Bearbeitungsleistung der Halbleiter-Bauelemente wie ICs und LSIs zu verbessern, praktisch eingesetzt. Diese Halbleiter-Wafer ist aus einem Substrat wie einem Siliziumsubstrat und einer funktionalen Schicht hergestellt, die an der vorderen Seite des Substrats ausgebildet ist, wobei die funktionale Schicht aus einem Isolationsfilm mit geringer Permittivität (Film mit geringem k-Wert) und einem funktionalen Film, der auf dem Film mit geringem k-Wert ausgebildet ist, gebildet ist, wobei der funktionale Film mehrere Schaltkreise ausbildet. Folglich werden die Halbleiterbauelemente aus der funktionalen Schicht ausgebildet. Der Film mit geringem k-Wert wird aus einem anorganischen Film aus SiOF, BSG (SiOB) usw oder einem organischen Film wie einem Polymerfilm aus Polyimid, Parylen usw. ausgebildet. Jedoch ist der Film mit geringem K-Wert sehr spröde wie Glimmer. Entsprechend entsteht in dem Fall, dass ein solcher Wafer verwendet wird, der eine funktionale Schicht an der vorderen Seite eines Substrats wie einem Siliziumssubstrat ausgebildet aufweist, wobei die funktionale Schicht einen Film mit geringem k-Wert beinhaltet, und danach Ausbilden einer modifizierten Schicht innerhalb des Wafers (Substrat) entlang jeder Teilungslinien, um eine äußere Kraft an dem Wafer aufzubringen, wodurch der Wafer entlang jeder Teilungslinien geteilt wird, ein Problem, dass der Film mit geringem k-Wert getrennt wird und bei diesem Trennen (Delaminieren) die Bauelemente erreicht, und einen Schaden an den Bauelementen verursacht.
  • Ferner ist ein Wafer bekannt, der einem Metallfilm aufweist, der Testelementgruppe (TEG) genannt wird, zum Testen der Funktion von jedem Bauelemente, wobei der Metallfilm an einem Teil von jeder Teilungslinien ausgebildet ist. In dem Fall, dass eine modifizierte Schicht in einem solchen Wafer entlang jeder Teilungslinien ausgebildet und eine externe Kraft an dem Wafer aufgebracht wird, entsteht ein Problem, dass die Bauelemente, die so voneinander getrennt werden, durch den Metallfilm verbunden sind, sodass die einzelnen Bauelementchips nicht erhalten werden können.
  • Um diese Probleme zu lösen, wurde ein Bearbeitungsverfahren vorgeschlagen, bei dem ein Laserstrahl entlang jeder Teilungslinien aufgebracht wird, um eine Ablation an dem Film mit geringem k-Wert oder dem Metallfilm als ein gestapeltes Element, dass ein jeder Teilungslinien ausgebildet ist, aufzubringen, wodurch das gestapelte Element entfernt wird.
  • US 2010/0041210 A1 offenbart ein Verfahren zum Teilen eines Optikbauelementwafers in einzelne optische Bauelemente. Das Verfahren beinhaltet einen Laserstrahlbearbeitungsschritt zum Ausbilden von Bruchausgangspunkten entlang von Straßen, einen Schritt des Anbringens einer Schutzplatte an der Vorderseite des Wafers und einen Schritt des Schleifens der Rückseite des Wafers. Dieses Verfahren umfasst ferner, die an dem Wafer angebrachte Schutzplatte entlang der Straßen zu schneiden und eine äußere Kraft durch die Schutzplatte auf den Wafer auszuüben, sodass der Wafer entlang der Bruchausgangspunkte gebrochen wird, wodurch die einzelnen optischen Bauelemente erhalten werden.
  • US 2007/0298587 A1 offenbart ein Verfahren zum Trennen einer Materialschicht von einem Substrat durch Bestrahlen einer Grenzfläche zwischen der Materialschicht und dem Substrat mit einem Laserstrahl.
  • US 2003/0059540 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen von Substraten mit einer Schicht, wobei eine Beschichtungszusammensetzung auf das Substrat aufgebracht wird, die Nanopartikel und wasserlösliche organische Weichmacher beinhaltet.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • In dem Fall des Aufbringens eines Laserstrahls entlang jeder Teilungslinien, um das gestapelte Element, das in jeder Teilungslinie ausgebildet ist, durch Ablation wie oben genannt zu entfernen, können die obigen Probleme gelöst werden. Jedoch entsteht ein Problem, dass eine Beschädigung wie eine thermische Belastung oder Risse aufgrund der Ablation in dem Wafer überbleiben, was eine Reduktion der Festigkeit von jedem Bauelement verursacht.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitzustellen, welches den Wafer in einzelne Bauelementchips entlang jeder Teilungslinien teilen kann, ohne die Festigkeit von jedem Bauelemente zu reduzieren, wobei der Wafer ein gestapeltes Element an jeder Teilungslinien aufweist.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Teilen eines Wafers in mehrere einzelne Bauelementchips entlang mehrerer, sich kreuzenden Teilungslinien bereitgestellt, die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind, wobei die vordere Seite des Wafers durch die Teilungslinien geteilt wird, sodass mehrere getrennte Bereiche gebildet werden, an denen mehrere Bauelemente ausgebildet sind, wobei die einzelnen Bauelementchips den Bauelementen entsprechen, der Wafer ein gestapeltes Element aufweist, das an jeder Teilungslinie ausgebildet ist, das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement zum Anbringen eines Schutzelements an der vorderen Seite des Wafers; einen hinteren Schleifschritt zum Schleifen der hinteren Seite eines Wafers nach dem Durchführen des Anbringungsschritts für ein Schutzelement, wodurch die Dicke des Wafers auf eine vorbestimmte Dicke reduziert wird; einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, von der hinteren Seite davon entlang jeder Teilungslinien in dem Zustand, in dem der Fokuspunkt des Laserstrahls in dem Wafer gesetzt ist, nach dem Durchführen des hinteren Schleifschritts, wodurch eine modifizierte Schicht in dem Wafer entlang jeder Teilungslinie ausgebildet wird; einen Trägerschritt für einen Wafer zum Anbringen der hinteren Seite des Wafers an einem haftvermittelnden Band, das an seinem umfänglichen Abschnitt an einem ringförmigen Rahmen getragen wird, der eine Öffnung im Inneren aufweist, die dazu geeignet ist, den Wafer nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für die modifizierte Schicht aufzunehmen, wodurch der Wafer durch das haftvermittelnden Band an dem ringförmigen Rahmen getragen wird, und als nächstes Ablösen des Schutzelements von der vorderen Seite des Wafers; einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Aufbringen eines wasserlöslichen Kunststoffs an der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Trägerschritts für einen Wafer, wodurch ein Schutzfilm aus dem wasserlöslichen Kunststoff ausgebildet wird; einen Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge für das gestapelte Element aufweist, durch den Schutzfilm entlang jeder Teilungslinie nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für den Schutzfilm, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, um das gestapelte Element, das an jeder Teilungslinien vorliegt, zu entfernen; einen Teilungsschritt zum Aufbringen einer äußeren Kraft an dem Wafer nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für das gestapelte Element, wodurch der Wafer in die einzelnen Bauelementchips entlang jeder Teilungslinien geteilt wird, wo die modifizierte Schicht ausgebildet ist; einen Entfernungsschritt für einen Schutzfilm zum Reinigen der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch der Schutzfilm von der vorderen Seite des Wafers entfernt wird; und einen Plasmaätzschritt beinhaltet Zum Zuführen eines Ätzgases in einem Plasmazustand zu dem Wafer von der vorderen Seite davon nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element oder nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch eine Beschädigung aufgrund der Ablation in dem Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element entfernt wird.
  • Wie oben beschrieben beinhaltet das Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung den Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge in dem gestapelten Element aufweist, durch den Schutzfilm entlang jeder Teilungslinie, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, um das gestapelte Element, das an jeder Teilungslinien vorliegt, zu entfernen, den Teilungsschritt zum Aufbringen einer äußeren Kraft an dem Wafer, um dadurch den Wafer in einzelne Bauelementchips entlang jeder Teilungslinie zu teilen, wo die modifizierte Schicht vorher ausgebildet wurde, und den Plasmaätzschritt zum Zuführen eines Ätzgases in einem Plasmazustand zu dem Wafer von der vorderen Seite davon nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element oder nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch eine Beschädigung aufgrund der Ablation in dem Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element entfernt wird. Entsprechend ist es möglich, das Problem, dass die Festigkeit des Dies von jedem Bauelement durch die Beschädigung wie einer thermischen Belastung und Risse reduziert wird, die aufgrund der Ablation überbleiben, zu lösen.
  • Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise der Realisierung dieser wird klarer und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiter-Wafers;
    • 1B ist eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils des Halbleiter-Wafer, der in 1A gezeigt ist;
    • 2A und 2B perspektivische Ansichten zum Darstellen eines Anbringungsschritts für ein Schutzelement;
    • 3A und 3B sind Ansichten zum Darstellen eines hinteren Schleifschritts;
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht eines wesentlichen Teils einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen eines Ausbildungsschritts für eine modifizierte Schicht;
    • 5A bis 5C sind Ansichten zum Darstellen des Ausbildungsschritts für eine modifizierte Schicht;
    • 6 ist eine perspektivische Ansicht zum Darstellen eines Trägerschritts für einen Wafer;
    • 7A bis 7C sind Ansichten zum Darstellen eines Ausbildungsschritts für einen Schutzfilm;
    • 8 ist eine perspektivische Ansicht eines wesentlichen Teils einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen eines Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element;
    • 9A bis 9C sind Ansichten zum Darstellen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element;
    • 10A und 10B sind Ansichten zum Darstellen eines Plasmaätzschritts;
    • 11A ist eine perspektivische Ansicht einer Ausdehnungsvorrichtung für ein Band zum Durchführen eines Teilungsschritts;
    • 11B ist eine Schnittansicht der Ausdehnungsvorrichtung für ein Band, die in 11A gezeigt ist;
    • 12A und 12B sind Schnittansichten zum Darstellen des Teilungsschritts;
    • 13A und 13B sind Schnittansichten zum Darstellen eines Erhaltungsschritts für einen Bauelementabstand;
    • 14A und 14B sind Ansichten zum Darstellen eines Entfernungsschritts für einen Schutzfilm;
    • 15 ist eine perspektivische Ansicht eines Bauelementchips, der durch ein Durchführen eines Teilungsschritts entsprechend einer anderen bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erhalten wurde; und
    • 16 ist eine perspektivische Ansicht eines Bauelementchips nach dem Durchführen des Teilungsschritts, der in 15 gezeigt ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Eine bevorzugte Ausführungsform des Bearbeitungsverfahrens für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden detailliert mit Bezug zu den beigefügten Figuren beschrieben.
  • 1A ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiter-Wafers 2, der durch das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist, und 1B ist eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils des Halbleiter-Wafers 2, der in 1A gezeigt ist. Wie in 1A und 1B gezeigt, besteht der Halbleiter-Wafer 2 aus einem Substrat 20 wie einem Siliziumsubstrat und einer funktionalen Schicht 21 (gestapeltes Element), das an der vorderen Seite 20a des Substrats 20 ausgebildet ist. Zum Beispiel weist das Substrat 20 eine Dicke von 600 µm auf. Die funktionale Schicht 21 besteht aus einem Isolationsfilm und einem funktionalen Film, der an dem Isolationsfilm ausgebildet ist, wobei der funktionale Film mehrere Schaltkreise ausbildet. Mehrere sich kreuzende Teilungslinien 22 sind an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 ausgebildet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu bilden, in denen mehrere Bauelemente 23 wie ICs und LSIs ausgebildet sind. In dieser bevorzugten Ausführungsform ist der Isolationsfilm, der die funktionale Schicht 21 bildet, durch einen SiO2-Film oder einen Isolationsfilm mit geringer Permittivität (Film mit geringem k-Wert) bereitgestellt. Beispiele des Films mit geringem k-Wert beinhalten einen anorganischen Film aus SiOF, BSG (SiOB) usw. und einen organischen Film aus Polyimid, Parylen usw.. Zum Beispiel weist die funktionale Schicht 21 eine Dicke von 10 µm auf. Ferner sind mehrere Metallfilme 24 zum Testen der Funktion der Bauelemente 23 an einem Teil von jeder Teilungslinien 22 bereitgestellt. Die Metallfilme 24 werden TEG genannt und sind aus Kupfer (Cu) oder Aluminium (A1) ausgebildet. In dieser bevorzugten Ausführungsform sind die Metallfilme 24 in dem gestapelten Element enthalten.
  • Das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Teilen des Halbleiter-Wafers 2 in einzelne Bauelementchips entlang der Teilungslinien 22 wird nun beschrieben. Zuerst, wie in 2A und 2B gezeigt, ist ein Schutzband 3 als ein Schutzelement an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 angebracht, die an dem Substrat 20 des Halbleiter-Wafers 2 ausgebildet ist, um die Bauelemente 23 zu schützen (Anbringungsschritt für ein Schutzelement). In dieser bevorzugten Ausführungsform ist das Schutzband 3 aus einer Basisfolie und einer haftvermittelnden Schicht gebildet, die an der vorderen Seite der Basisfolie ausgebildet ist. Zum Beispiel ist die Basisfolie aus einem Polyvinylchlorid (PVC) ausgebildet und weist eine Dicke von 100 µm auf und die haftvermittelnde Schicht ist aus einem Acryl Kunststoff ausgebildet und weist eine Dicke von ungefähr 5 µm auf.
  • Nach dem Durchführen des Anbringungsschritts für ein Schutzelement, der oben genannt ist, wird ein hinterer Schleifschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass die hintere Seite 20b des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2 geschliffen wird, um die Dicke des Halbleiter-Wafers 2 auf eine vorbestimmte Dicke zu reduzieren. Dieser hintere Schleifschritt wird durch Verwenden einer Schleifvorrichtung 4, die in 3A gezeigt ist, durchgeführt. Die Schleifvorrichtung 4, die in 3A gezeigt ist, beinhaltet einen Einspanntisch 41 zum Halten eines Werkstücks und ein Schleifmittel 42 zum Schleifen des Werkstücks, das an dem Einspanntisch 41 gehalten wird. Der Einspanntisch 41 weist eine Oberfläche als eine Halteoberfläche zum Halten des Werkstücks daran unter einem Saugen auf. Der Einspanntisch 41 ist drehbar in der Richtung, die durch einen Pfeil 41a in 3A angedeutet ist, durch einen Dreh-Antriebsmechanismus (nicht dargestellt). Das Schleifmittel 42 beinhaltet ein Spindelgehäuse 421, eine Spindel 442, die drehbar in dem Spindelgehäuse 421 getragen wird und dazu angepasst ist, durch einen Dreh-Antriebsmechanismus (nicht dargestellt) gedreht zu werden, eine Montageeinrichtung 23, die an dem unteren Ende der Spindel 422 fixiert ist, und eine Schleifscheibe 424, die an der unteren Oberfläche der Montageeinrichtung 423 montiert ist. Die Schleifscheibe 424 ist aus einer ringförmigen Basis 425 und mehreren abrasiven Elementen 426, die an der unteren Oberfläche der ringförmigen Basis 425 fixiert sind, sodass sie ringförmig entlang des äußeren Umfang davons angeordnet sind, gebildet. Die ringförmige Basis 425 ist an der unteren Oberfläche der Montageeinrichtung 423 durch mehrere Befestigungsschrauben 427 montiert.
  • Beim Durchführen des hinteren Schleifschritts unter Verwendung der Schleifvorrichtung 4, die oben genannt ist, ist der Halbleiter-Wafer 2 an dem Einspanntisch 41 in dem Zustand platziert, indem das Schutzband 3, das an dem Halbleiter-Wafer 2 angebracht ist, in Kontakt mit der oberen Oberfläche (Halteoberfläche) des Einspanntischs 41, wie in 3A gezeigt, platziert ist. Danach wird ein Saugmittel (nicht gezeigt) betätigt, um den Halbleiter-Wafer 2 durch das Schutzband 3 an dem Einspanntisch 41 unter einem Saugen (Halteschritt für einen Wafer) zu halten. Entsprechend wird der Halbleiter-Wafer 2 durch das Schutzband 3 an dem Einspanntisch 41 unter einem Saugen in dem Zustand gehalten, in dem die hintere Seite 20b des Substrats 20 nach oben orientiert ist. Nach dem Halten des Halbleiter-Wafers 2 durch das Schutzband 3 an dem Einspanntisch 41 unter einem Saugen, wie oben beschrieben, wird der Einspanntisch 41 in der Richtung des Pfeils 41a in 3A bei 300 Umdrehungen/min zum Beispiel gedreht. Gleichzeitig wird die Schleifscheibe 424 des Schleifmittels 42 in der Richtung, die durch einen Pfeil 424a in 3A gezeigt ist, zum Beispiel bei 6000 Umdrehungen/min gedreht. Danach wird das Schleifmittel 42 abgesenkt, um die abrasiven Elemente 426 der Schleifscheibe 424 in Kontakt mit der hinteren Seite 20b (Arbeitsoberfläche) des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers bei, wie in 3B gezeigt, zu bringen. Danach wird die Schleifscheibe 424 in der Richtung, die durch einen Pfeil 424b in 3A und 3B gezeigt ist, (in der Richtung senkrecht zu der Halteoberfläche des Einspanntischs 41) um eine vorbestimmte Menge bei einer Zufuhrgeschwindigkeit von zum Beispiel 1 µm/s zugeführt (abgesenkt) . Als ein Ergebnis wird die hintere Seite 20b des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2 geschliffen, um die Dicke des Halbleiter-Wafers 2 auf eine vorbestimmte Dicke (zum Beispiel 100 µm) zu reduzieren.
  • Nach dem Durchführen des hinteren Schleifschritts, der oben beschrieben ist, wird ein Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht in einer solchen Weise durchgeführt, dass ein Laserstrahl, der eine Transmissionswellenlänge in dem Halbleiter-Wafer 2 aufweist (dem Substrat 20), auf dem Halbleiter-Wafer 2 von der hinteren Seite davon entlang jeder Teilungslinien 22 in dem Zustand aufgebracht wird, in dem der Fokuspunkt des Laserstrahls in dem Halbleiter-Wafer 2 (dem Substrat 20) gesetzt ist, wodurch eine modifizierte Schicht in dem Halbleiter-Wafer 2 (dem Substrat 20) entlang jeder Teilungslinien 22 ausgebildet wird. Dieser Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht wird unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 5, die in 4 gezeigt ist, durchgeführt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 5, die in 4 gezeigt ist, beinhaltet einen Einspanntisch 51 zum Halten eines Werkstücks, ein Aufbringungsmittel 52 für einen Laserstrahl zum Aufbringen eines Laserstrahls auf dem Werkstück, das an dem Einspanntisch 51 gehalten wird, und ein Bildgebungsmittel 53 zum Aufnehmen des Werkstücks, das an dem Einspanntisch 51 gehalten wird. Der Einspanntisch 51 weist eine obere Oberfläche als eine Halteoberfläche zum Halten des Werkstücks unter einem Saugen daran auf. Der Einspanntisch 51 ist in beide in der Zufuhrrichtung, die durch einen Pfeil X in 4 gezeigt ist, durch ein Zufuhrmittel (nicht gezeigt) und in der Index-Richtung, die durch einen Pfeil Y in 4 gezeigt ist, durch ein Index-Mittel (nicht gezeigt) bewegbar.
  • Das Aufbringungsmittel 52 für einen Laserstrahl beinhaltet ein zylindrisches Gehäuse 521, das sich im Wesentlichen in einer horizontalen Richtung erstreckt. Obwohl nicht dargestellt, beinhaltet das Gehäuse 521 ein Oszillatormittel für einen gepulsten Laserstrahl, das einen Oszillator für einen gepulsten Laserstrahl und ein Setzmittel für eine Repetitionsfrequenz beinhaltet. Das Aufbringungsmittel 52 für einen Laserstrahl beinhaltet ferner ein Fokusmittel 522, das an dem vorderen Ende des Gehäuses 521 zum Fokussieren eines gepulsten Laserstrahls, der durch das Oszillatormittel für einen gepulsten Laserstrahl oszilliert wird, montiert ist. Das Aufbringungsmittel 52 für einen Laserstrahl beinhaltet ferner ein Anpassungsmittel für eine Fokusposition (nicht dargestellt) zum Anpassen der Fokusposition des gepulsten Laserstrahls, der durch das Fokusmittel 522 zu fokussieren ist.
  • Das Bildgebungsmittel 53 ist an einem vorderen Endabschnitt des Gehäuses 521 montiert, welches das Aufbringungsmittel 52 für einen Laserstrahl gebildet. Das Bildgebungsmittel 53 beinhaltet eine gewöhnliche Bildgebungseinrichtung (ladungsgekoppeltes Bauelement (CCD)) zum Aufnehmen des Werkstücks unter Verwendung von sichtbarem Licht, ein Aufbringungsmittel für Infrarotlicht zum Aufbringen von Infrarotlicht auf dem Werkstück, ein optisches System zum Aufnehmen des Infrarotlichts, das auf dem Werkstück durch das Aufbringungsmittel für Infrarotlicht aufgebracht wurde und eine Bildgebungseinrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals, welches dem Infrarotlicht entspricht, das durch das optische System aufgenommen wurde. Ein Bildsignal, das von dem Bildgebungsmittel 53 ausgegeben wurde, wird zu einem Steuerungsmittel (nicht dargestellt) übertragen.
  • Der Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 5, die oben beschrieben ist, wird mit Bezug zu 4 und 5A bis 5C beschrieben. Der Halbleiter-Wafer 2, der durch den hinteren Schleifschritt bearbeitet wird, wird zuerst an dem Einspanntisch 51 der Laserbearbeitungsvorrichtung 5, die in 4 gezeigt ist, in dem Zustand platziert, in dem das Schutzband 3 an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2 in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Einspanntischs 51, wie in 4 gezeigt, ist. Danach wird ein Saugmittel (nicht dargestellt) betätigt, um den Halbleiter-Wafer 2 durch das Schutzband 3 an dem Einspanntisch 51 unter einem Saugen (Halteschritt für ein Wafer) zu halten. Entsprechend ist die hintere Seite 20b des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2, der an dem Einspanntisch 51 gehalten wird, nach oben orientiert. Danach wird der Einspanntisch 51, der den Halbleiter-Wafer 2 hält, zu einer Position unmittelbar unterhalb des Bildgebungsmittels 53 durch Betätigen des Zufuhr-Mittels (nicht dargestellt) bewegt.
  • In dem Zustand, in dem der Einspanntisch 51 unmittelbar unterhalb des Bildgebungsmittels 53 positioniert ist, wird eine Ausrichtungsbetätigung durch das Bildgebungsmittel 53 und das Steuerungsmittel (nicht dargestellt) durchgeführt, um einen Zielbereich des Halbleiter-Wafers 2 zu detektieren, der mit dem Laser zu bearbeiten ist. Insbesondere führen das Bildgebungsmittel 53 und das Steuerungsmittel eine Bildbearbeitung wie eine Mustererkennung zum Durchführen der Ausrichtung der Teilungslinien 22, die sich in der ersten Richtung erstrecken, und des Fokusmittels 522 des Aufbringungsmittels 52 für einen Laserstrahl zum Aufbringen des Laserstrahls auf dem Halbleiter-Wafer 2 entlang der Teilungslinien 22 von der hinteren Seite 20b des Substrats 20 aus, wodurch die Ausrichtung einer Aufbringungsposition für einen Laserstrahl durchgeführt wird (Ausrichtungsschritt). Ähnlich wird das Ausrichten einer Aufbringungsposition eines Laserstrahls für die anderen Teilungslinien 22, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung an dem Halbleiter-Wafer 2 erstrecken, durchgeführt. Obwohl die vordere Seite 21a der funktionalen Schicht 21, an der die Teilungslinien 22 ausgebildet sind, unterhalb des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2 vorliegen, der an dem Einspanntisch 51 gehalten wird, können die Teilungslinien 22 durch das Substrat 20 von der hinteren Seite 20b davon aufgenommen werden, weil das Bildgebungsmittel 53 das Aufbringungsmittel für Infrarotlicht zum Aufbringen von Infrarotlicht, das optische System zum Aufnehmen des Infrarotlichts und das Bildgebungsmittel (Infrarot CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals entsprechend dem Infrarotlicht beinhaltet.
  • Nach dem Durchführen des Ausrichtungsschritt, der oben beschrieben ist, um alle Teilungslinien 22 des Halbleiter-Wafers 2 zu erkennen, der an dem Einspanntisch 51 gehalten wird, wird der Einspanntisch 51 zu einem Aufbringungsbereich für einen Laserstrahl bewegt, in welchem das Fokusmittel 522 des Aufbringungsmittels 52 für einen Laserstrahl liegt, wie in 5A gezeigt, wodurch eine vorbestimmte der Teilungslinien 22, die sich in der ersten Richtung erstreckt, direkt unterhalb des Fokusmittels 22 positioniert wird. Zu diesem Zeitpunkt ist ein Ende (ein linkes Ende wie in 5A gezeigt) der vorbestimmten Teilungslinien 22 direkt unterhalb des Fokusmittels 522, wie in 5A gezeigt, positioniert.
  • An einem Ende der vorbestimmten Teilungslinie 22 ist das laterale Zentrum der vorbestimmten Teilungslinie 22 in der Breitenrichtung davon (in der Index-Richtung) direkt unterhalb des Fokusmittels 522 positioniert. Ferner wird der Fokuspunkt P eines gepulsten Laserstrahls, der von dem Fokusmittel 522 aufgebracht wird, an einer Zwischenposition in der Dickenrichtung des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2, wie in 5A gezeigt, positioniert. Danach wird der gepulsten Laserstrahl, der eine Transmissionswellenlänge in dem Substrat 20 aufweist, von dem Fokusmittel 522 auf dem Halbleiter-Wafer 2 aufgebracht und der Einspanntisch 51 wird in der Richtung, die durch einen Pfeil X1 in 5A gezeigt ist, mit einer vorbestimmten Zufuhrgeschwindigkeit bewegt. Wenn das andere Ende (rechtes Ende wie in 5B gezeigt) der vorbestimmten Teilungslinie 22 die Position unmittelbar unterhalb des Fokusmittels 522 erreicht, wird das Aufbringen des gepulsten Laserstrahls angehalten und die Bewegung des Einspanntischs 51 wird auch angehalten. Als ein Ergebnis ist eine modifizierte Schicht 25 in dem Substrat 20 des Halbleiter-Wafers 2 entlang der vorbestimmten Teilungslinie 22, wie in 5B und 5C gezeigt, ausgebildet.
  • Dieser Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht wird ähnlich entlang aller anderen Teilungslinien 22, die sich in der ersten Richtung an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2 erstrecken, durchgeführt. Danach wird der Einspanntisch 51 um 90° gedreht, um den Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht ähnlich entlang aller der Teilungslinien 22, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, die senkrecht zu der ersten Richtung ist, durchzuführen.
  • Zum Beispiel wird der Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht, der oben genannt ist, unter den folgenden Prozessbedingungen durchgeführt.
    Wellenlänge des Laserstrahls: 1064 nm
    Wiederholungsfrequenz: 40 kHz
    Leistung: 0,5 W
    Durchmesser des Fokuspunkts: 1 µm
    Arbeits-Zufuhrgeschwindigkeit: 400 mm/s
  • Nach dem Durchführen des Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht, wie oben beschrieben, wird ein Trägerschritt für einen Wafer in einer solchen Weise durchgeführt, dass die hintere Seite des Halbleiter-Wafers an einem haftvermittelnden Band angebracht wird, das an seinem umfänglichen Abschnitt an einem ringförmigen Rahmen getragen wird, der eine innere Öffnung aufweist, die dazu geeignet ist, den Halbleiter-Wafer 2 aufzunehmen, wodurch der Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnden Band an dem ringförmigen Rahmen getragen wird, und in einer solchen Weise, dass das Schutzelement (das Schutzband 3) als nächstes von der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 abgelöst wird. Insbesondere, wie in 6 gezeigt, wird ein haftvermittelndes Band T vorläufig an seinem umfänglichen Abschnitt an einem ringförmigen Rahmen F getragen, der eine Öffnung im Inneren aufweist, sodass die innere Öffnung des ringförmigen Rahmens 11 durch das haftvermittelnden Band T geschlossen ist. In diesem Zustand wird die hinteren Seite 20b des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2, das durch den Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht bearbeitet wurde, an der vorderen Seite (haftvermittelnden Seite) des haftvermittelnden Bands T angebracht, das zu der inneren Öffnung des ringförmigen Rahmens F freiliegt. Ferner wird das Schutzband 3 als nächstes von der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2 abgelöst. Während die hintere Seite 20b des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2, die an dem haftvermittelnden Band T angebracht ist, das vorläufig an seinem umfänglichen Abschnitt an dem ringförmigen Rahmen F in dieser bevorzugten Ausführungsform, die in 6 gezeigt ist, getragen wird, kann das haftvermittelnden Band T an der hinteren Seite 20b des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2 angebracht werden und gleichzeitig kann der umfängliche Abschnitt des haftvermittelnde Bands T an dem ringförmigen Rahmen F montiert werden.
  • Nach dem Durchführen des Trägerschritts für einen Wafer, wie oben beschrieben, wird ein Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm in einer solchen Weise durchgeführt, dass ein wasserlöslicher Kunststoff an der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 aufgebracht wird, um einen Schutzfilm aus dem wasserlösliche Kunststoff auszubilden. Dieser Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm wird unter Verwendung einer Ausbildungsvorrichtung 6 für einen Schutzfilm, die in 7A gezeigt ist, durchgeführt. Die Ausbildungsvorrichtung 6 für einen Schutzfilm beinhaltet einen Drehtisch 61 zum Halten des Halbleiter-Wafers 2 und ein Aufbringungsmittel 62 für flüssigen Kunststoff, das eine Düse 621 für flüssigen Kunststoff zum Zuführen eines wasserlöslichen flüssigen Kunststoff 60 auf der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 aufweist. Zuerst wird der Halbleiter-Wafer 2, der durch das haftvermittelnden Band T an dem ringförmigen Rahmen F getragen wird, an dem Drehtisch 61 in dem Zustand platziert, in dem das haftvermittelnde Band T in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Drehtischs 61 ist. Danach wird das Saugmittel (nicht dargestellt) betätigt, um den Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnden Band T an dem Drehtisch 61 unter einem Saugen zu halten. Entsprechend wird der Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnden Band T an dem Drehtisch 61 in dem Zustand gehalten, in dem die vordere Seite 21a der funktionalen Schicht 21 nach oben ausgerichtet ist. Danach wird der wasserlösliche Kunststoff 60 in einer vorbestimmten Menge von der Düse 621 für einen flüssigen Kunststoff des Zufuhrmittels 62 für flüssigen Kunststoff, die oberhalb des Einspanntischs 61 liegt, zu einem Zentrum der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2 aufgetropft. Beispiele eines wasserlöslichen Kunststoffs 60 beinhalten Polyvinylalkohol (PVA), Polyethylenglykol (PEG) und Polyethylenoxid (PEO). In dem Fall, dass der Durchmesser des Halbleiter-Wafers 2 200 mm ist, ist die Menge des wasserlöslichen flüssigen Kunststoff 60, der zuzuführen ist, auf ungefähr 10 ml bis 20 ml gesetzt.
  • Nach dem Auftropfen der vorbestimmten Menge des wasserlöslichen, flüssigen Kunststoffs 60 auf das Zentrum der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2, wie oben beschrieben, wird der Drehtisch 61 in der Richtung, die durch einen Pfeil 61a in 7B gezeigt ist, zum Beispiel bei 100 rpm für ungefähr 5 Sekunden gedreht. Als ein Ergebnis wird der wasserlösliche, flüssige Kunststoff 60, der auf dem Zentrum der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2 aufgebracht ist, auf die gesamte Fläche der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2 zu dem äußeren Umfang davon durch eine Zentrifugalkraft verteilt, wodurch ein Schutzfilm 600 ausgebildet wird, der eine Dicke von 0,2 µm bis 10 µm aus dem wasserlöslichen Kunststoff an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21, wie in 7B und 7C gezeigt, aufweist (Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm). Die Dicke des Schutzfilms 600 kann entsprechend der Menge des wasserlöslichen Kunststoff 60, der aufgebracht wird, angepasst werden, wobei die Drehgeschwindigkeit des Drehtischs 61 und die Drehzeit des Drehtischs 61 angepasst werden können.
  • Nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für einen Schutzfilm, der oben beschrieben ist, wird ein Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element in einer solchen Weise durchgeführt, dass ein Laserstrahl, der eine Absorptionswellenlänge in dem gestapelten Element aufweist, dass die funktionale Schicht 21 und die Metallfilme 24 beinhaltet, durch den Schutzfilm 600 auf dem Halbleiter-Wafer 2 entlang jeder Teilungslinie 22 aufgebracht wird, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, um das gestapelte Element, das an jeder Teilungslinie 22 vorliegt, zu entfernen. Dieser Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element wird unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 50, die in 8 gezeigt ist, durchgeführt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 50, die in 8 gezeigt ist, ist ähnlich zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 5, die in 4 gezeigt ist, aufgebaut. Entsprechend werden dieselben Teile durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und eine detaillierte Beschreibung davon wird hier ausgelassen.
  • Beim Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element unter Verwendung der Laservorrichtung 50 wird der Halbleiter-Wafer 2, der durch den Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm bearbeitet wurde, zuerst an einem Einspanntisch 51 der Laserbearbeitungsvorrichtung 50 in den Zustand platziert, in dem das haftvermittelnde Band T, das an der hinteren Seite 20b des Substrats 20 des Halbleiter-Wafers 2 angebracht ist, in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Einspanntischs 51, wie in 8 gezeigt, ist. Danach wird ein Saugmittel (nicht dargestellt) betätigt, um den Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnde Band T an dem Einspanntisch 51 unter einem Saugen zu halten (Halteschritt für einen Wafer). Entsprechend wird der Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnde Band T an dem Einspanntisch 51 in dem Zustand gehalten, in dem der Schutzfilm 600, der an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 ausgebildet ist, nach oben orientiert ist. Während der ringförmige Rahmen F, der den Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnde Band T trägt, in 8 nicht dargestellt ist, ist der ringförmigen Rahmen F durch Klemmen (nicht gezeigt), die an dem äußeren Umfang des Einspanntischs 51 bereitgestellt sind, fixiert. Danach wird der Einspanntisch 51, der den Halbleiter-Wafer 2 hält, zu einer Position direkt unterhalb des Bildgebungsmittels 53 der Laserbearbeitungsvorrichtung 50 durch ein Betätigen des Zufuhr-Mittels (nicht dargestellt) bewegt.
  • In dem Zustand, in dem der Einspanntisch 51 direkt unterhalb des Bildgebungsmittels 53 positioniert ist, wird eine Ausrichtungsbetätigung durch das Bildgebungsmittel 53 und das Steuerungsmittel (nicht dargestellt) durchgeführt, um einen Bereich des Halbleiter-Wafers 2 zu detektieren, der mit dem Laser zu bearbeiten ist. Insbesondere führen das Bildgebungsmittel 53 und das Steuerungsmittel eine Bildverarbeitung wie eine Mustererkennung durch, um die Ausrichtung der Teilungslinien 22, die sich in der ersten Richtung erstrecken, und dem Fokusmittel 522 des Aufbringungsmittels 52 für den Laserstrahl sicherzustellen, wodurch die Ausrichtung einer Ausgangsposition für einen Laserstrahl durchgeführt wird (Ausrichtungsschritt). Ähnlich wird das Ausrichten der Aufbringungsposition für einen Laserstrahl für die anderen Teilungslinien 22 durchgeführt, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken. In dem Fall, dass der Schutzfilm 600, der an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 ausgebildet ist, an welcher die Teilungslinien 22 ausgebildet sind, nicht transparent ist, können die Teilungslinien 22 unter Verwendung von Infrarotlicht an der oberen Seite des Schutzfilms 600 aufgenommen werden.
  • Nach dem Durchführen des Ausrichtungsschritts, wie oben beschrieben, wird der Einspanntisch 51 zu einem Aufbringungsbereich für einen Laserstrahl bewegt, in dem das Fokusmittel 522 des Aufbringungsmittels 52 für einen Laserstrahl, wie in 9A gezeigt, liegt, wodurch eine vorbestimmte der Teilungslinien 22, die sich in der ersten Richtung erstreckt, direkt unterhalb des Fokusmittels 522 positioniert wird. Zur diesem Zeitpunkt wird ein Ende (das linke Ende wie in 9A) der vorbestimmten Teilungslinie 22 direkt unterhalb des Fokusmittels 522, wie in 9A gezeigt, positioniert. An einem Ende der vorbestimmten Teilungslinie 22 wird das laterale Zentrum der vorbestimmten Teilungslinie 22 in der Breitenrichtung davon (in der Index-Richtung) direckt unterhalb des Fokusmittels 522 positioniert. Ferner wird der Fokuspunkt P des gepulsten Laserstrahls LB, der von dem Fokusmittel 522 aufgebracht wird, in die Nähe der vorderen Seite 21a (obere Oberfläche) der funktionalen Schicht 21 gesetzt, die an der vorbestimmten Teilungslinie 22, wie in 9A gezeigt, vorliegt. Danach wird der gepulste Laserstrahls LB, der eine Wellenlänge aufweist, die in dem gestapelten Element, das die funktionale Schicht 21 und die Metallfilme 24 beinhaltet, absorbiert wird, von im Fokusmittel 522 auf dem Halbleiter-Wafer 2 aufgebracht und der Einspanntisch 51 wird in der Richtung mit einer vorbestimmten Zufuhrgeschwindigkeit bewegt, die durch einen Pfeil X1 in 9A gezeigt ist. Wenn das andere Ende (rechtes Ende in 9B) der vorbestimmten Teilungslinie 22 die Position direkt unterhalb des Fokusmittels 522 erreicht, wird das Aufbringen des gepulsten Laserstrahls LB angehalten und die Bewegung des Einspanntischs 51 wird auch angehalten.
  • Als ein Ergebnis wird eine laserbearbeitete Nut 26, die eine Tiefe aufweist, die größer als die Dicke der funktionalen Schicht 21 ist, d. h. eine Tiefe aufweist, die das Substrat 20 erreicht, an der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 entlang der vorbestimmten Teilungslinie 22, wie in 9C gezeigt, ausgebildet. Entsprechend werden die Metallfilme 24 und die funktionale Schicht 41, die an der vorbestimmten Teilungslinie 22 vorliegen, geteilt und durch die laserbearbeitete Nut 26 entfernt (Entfernungsschritt für gestapeltes Element). Zu diesem Zeitpunkt, wie in 9C gezeigt, werden die funktionale Schicht 21 und die Metallfilme 24 geschmolzen und erstarren wieder, sodass Grate 27 ausgebildet werden, die von beiden Seitenwänden der laserbearbeiteten Nut 26 hervorstehen. Ferner bleiben Schäden sowie eine thermische Belastung und Risse aufgrund der Ablation an beiden Seitenwänden der laserbearbeiteten Nut 26 über. Die Höhe von jedem Grat 27 ist 5 µm bis 10 µm. Obwohl auch Verschmutzung generiert wird, die in in dem Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element verstreut wird, kann die verstreute Verschmutzung durch den Schutzfilm 600, der an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 ausgebildet ist, blockiert werden, wodurch verhindert wird, dass die Verschmutzung an den Bauelementen 23 anhaftet.
  • Dieser Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element wird ähnlich entlang aller anderen Teilungslinien 22 entfernt, die sich in der ersten Richtung an der vorderen Seite 21a der funktionalen Schicht 21 des Halbleiter-Wafers 2 erstrecken. Danach wird der Einspanntisch 51 um 90° gedreht, um ähnlich den Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element entlang allen anderen Teilungslinien 22 durchzuführen, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken.
  • Zum Beispiel wird der Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element, der oben beschrieben wird, unter Verwendung der folgenden Prozessbedingungen durchgeführt.
    Wellenlänge des Laserstrahls: 355 nm
    Wiederholungsfrequenz: 40 kHz
    durchschnittliche Leistung: 3 W
    Durchmesser des Fokuspunkts: 10 µm
    Arbeits-Zufuhrgeschwindigkeit: 100 mm/s
  • Nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element, wie oben beschrieben, wird ein Plasmaätzschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass ein Ätzgas in einem Plasmazustand zu dem Halbleiter-Wafer 2 von der Seite des Schutzfilms 600 d. h. zu der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 zugeführt wird, wodurch die Beschädigung aufgrund der Ablation in dem Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element entfernt wird. Dieser Plasmaätzschritt wird unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung 7, die in 10A gezeigt ist, durchgeführt. Die Plasmaätzvorrichtung 7, die in 10A gezeigt ist, beinhaltet ein Gehäuse 71, eine untere Elektrode 72, die in dem Gehäuse 71 bereitgestellt ist, und eine obere Elektrode 73, die in dem Gehäuse 71 bereitgestellt ist, sodass sie vertikal gegenüber der unteren Elektrode 72 ist. Die untere Elektrode 72 ist aus einem scheibenförmiger Halteabschnitt 721 für ein Werkstück und einem zylindrischen Trägerabschnitt 722 gebildet, der von dem Zentrum der unteren Oberfläche des Halteabschnitts 721 für ein Werkstück hervorsteht. Der Trägerabschnitt 722 ist mit dem ersten Radiofrequenz-(RF)-Leistungsaufbringungsmittel 741 verbunden.
  • Die obere Elektrode 73 ist aus einem plattenförmigen Gasauslassabschnitt 731 und einem zylindrischen Trägerabschnitt 732, der von dem Zentrum der oberen Oberfläche des Gasauslassabschnitts 731 hervorsteht, gebildet. Der Trägerabschnitt 732 ist mit dem zweiten RF-Leistungsaufbringungsmittel 742 verbunden. Der Gasauslassabschnitt 731 der oberen Elektrode 73 ist gegenüber dem Halteabschnitt 721 für ein Werkstück der unteren Elektrode 72. Der Gasauslassabschnitt 731 der oberen Elektrode 73 ist mit mehreren Auslassöffnungen 731a ausgebildet, die zu der unteren Oberfläche des Gasauslassabschnitts 731 freilegen. Die mehreren Auslassöffnungen 731a sind mit dem Gaszufuhrmittel 75 durch einen Durchgang 731b, der in dem Gasauslassabschnitt 731 ausgebildet ist, und einem Durchgang 732a verbunden, der in dem Trägerabschnitt 732 ausgebildet ist. Das Gaszufuhrmittel 75 dient dazu, ein Ätzgas zu der oberen Elektrode 73 zuzuführen, wobei das Ätzgas hauptsächlich ein Fluor basiertes Gas wie SF6 + C4F8 ist.
  • Beim Durchführen des Plasmaätzschritts unter Verwendung der Plasmaätzvorrichtung 7 wird der Halbleiter-Wafer 2, der durch den Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element bearbeitet wurde, an dem Halteabschnitt 721 für ein Werkstück der unteren Elektrode 72 in dem Zustand platziert, in dem der Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnde Band T an dem ringförmigen Rahmen F getragen wird und das haftvermittelnde Band T in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Halteabschnitt 721 für ein Werkstück ist. Entsprechend wird der Halbleiter-Wafer 2 an dem Halteabschnitt 721 für ein Werkstück in dem Zustand gehalten, in dem der Schutzfilm 600, der an der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 ausgebildet ist, nach oben orientiert ist.
  • Danach wird ein Evakuierungsmittel (nicht dargestellt) betätigt, um den Druck in dem Gehäuse 71 auf 20 Pa zu reduzieren, und das Gaszufuhrmittel 75 wird betätigt, um das Ätzgas zu der oberen Elektrode 73 zuzuführen. Das Ätzgas wird von dem Gaszufuhrmittel 75 durch den Durchgang 732a, der in dem Trägerabschnitt 732 ausgebildet ist, und dem Durchgang 731b, der in dem Gasauslassabschnitt 731 ausgebildet ist, zu den mehreren Auslassöffnungen 731a zugeführt. Danach wird das Ätzgas von den mehreren Auslassöffnungen 731a zu dem Halbleiter-Wafer 2, der an dem Halteabschnitt 721 für ein Werkstück der unteren Elektrode 72 gehalten wird, ausgelassen. In dem Zustand, in dem das Ätzgas in das Gehäuse 71 zugeführt wird, wird das erste RF-Leistungsaufbringungsmittel 741 betätigt, um eine RF-Leistung von 50 W bei 13,5 MHz an der unteren Elektrode 72 aufzubringen, und das zweite RF-Leistungsaufbringungsmittel 742 wird auch betätigt, um eine RF-Leistung von 3000 W bei 13,5 MHz an der oberen Elektrode 73 aufzubringen. Als ein Ergebnis wird das Ätzgas, das zugeführt wird, zersetzt, um ein Plasma in einem Raum zwischen der unteren Elektrode 72 und der oberen Elektrode 73 auszubilden. Das Plasma beinhaltet aktive Substanzen, die an der laserbearbeiteten Nut 26, die entlang jeder Teilungslinie 22 ausgebildet ist, und den Graten 27, die von beiden Seitenwänden von jeder laserbearbeiteten Nut 26 hervorstehenden, wie in 9C gezeigt, wirken. Als ein Ergebnis können die Grate 27 und die Schäden wie eine thermische Belastung und Risse, die an den Seitenwänden von jeder laserbearbeiteten Nut 26 aufgrund der Ablation überbleiben, durch die aktiven Substanzen, wie in 10B gezeigt, weggeätzt werden. Entsprechend ist es möglich das Problem zu lösen, dass die Festigkeit von jedem Bauelemente 23 durch die Schäden wie eine thermische Belastung und Risse, die aufgrund der Ablation überbleiben, reduziert ist. Da der Schutzfilm 600 aus einem wasserlöslichen Kunststoff an der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 ausgebildet ist, besteht keine Möglichkeit, dass die Bauelemente 23 geätzt werden.
  • Nach dem Durchführen des Plasmaätzschritts, der oben beschrieben ist, wird ein Teilungsschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass eine äußere Kraft auf dem Halbleiter-Wafer 2 aufgebracht wird, um dadurch den Halbleiter-Wafer 2 in einzelne Bauelementchips entlang jeder Teilungslinie 22 zu teilen, wo die modifizierte Schicht 25 ausgebildet ist. Dieser Teilungsschritt wird unter Verwendung einer Bandausdehnungsvorrichtung 8 durchgeführt, die in 11A und 11B gezeigt ist.
  • 11A ist eine perspektivische Ansicht einer Bandausdehnungsvorrichtung 8 und 11B ist eine Schnittansicht der Bandausdehnungsvorrichtung 8. Die Bandausdehnungsvorrichtung 8, die in 11A und 11B gezeigt ist, beinhaltet ein Rahmenhalteelement 81 zum Halten des ringförmigen Rahmens 11 und ein Aufbringungsmittel 82 für eine Streckkraft, um das haftvermittelnde Band T, das an dem ringförmigen Rahmen F getragen wird, auszudehnen. Das Rahmenhalteelement 81 beinhaltet ein Halteelement 811 für einen ringförmigen Rahmen und mehrere Klemmen 812 als ein Fixierungsmittel, die an dem äußeren Umfang des Rahmenhalteelements 811 bereitgestellt sind. Die obere Oberfläche des Rahmenhalteelements 811 dient als eine Montageoberfläche 811a zum Montieren des ringförmigen Rahmens F daran. Der ringförmigen Rahmen F, der an der Montageoberfläche 811a montiert ist, ist an dem Rahmenhalteelement 811 durch die Klemmen 812 fixiert.
  • Das Aufbringungsmittel 82 für eine Zugkraft beinhaltet eine Ausdehnungstrommel 821, die in dem Halteelement 811 für einen ringförmigen Rahmen bereitgestellt ist. Die Ausdehnungstrommel 821 weist einen äußeren Durchmesser, der kleiner als der innere Durchmesser des ringförmigen Rahmens 11 ist, und einen inneren Durchmesser auf, der größer als der äußere Durchmesser des Halbleiter-Wafers 3 ist, der an dem haftvermittelnden Band T, das durch den ringförmigen Rahmen F getragen wird, angebracht ist. Die Ausdehnungstrommel 821 weist einen Trägerflansch 822 an dem unteren Ende der Ausdehnungstrommel 821 auf. Das Aufbringungsmittel 82 für eine Zugkraft beinhaltet ferner ein Trägermittel 823, um das Halteelement 811 für einen ringförmigen Rahmen vertikal (axial) beweglich zu tragen. Das Trägermittel 823 ist aus mehreren (vier in dieser bevorzugten Ausführungsform) Luftzylindern 823a gebildet, die an dem Trägerflansch 822 bereitgestellt sind. Jeder Luftzylinder 823a ist mit einer Kolbenstange 823b bereitgestellt, die an der unteren Oberfläche des Halteelements 811 für einen ringförmigen Rahmen verbunden ist. Das Trägermittel 823, das aus diesen mehreren Luftzylindern 823a gebildet ist, dient dazu, dass Halteelement 811 für einen ringförmigen Rahmen vertikal zu bewegen, um selektiv eine Referenzposition einzunehmen, an welcher die Montageoberfläche 811a im Wesentlichen gleich der Höhe des oberen Endes der Ausdehnungstrommel 821 ist, und eine Ausdehnungsposition einzunehmen, in welcher die Montageoberfläche 811a tiefer in ihrer Höhe als das obere Ende der Ausdehnungstrommel 823 um eine vorbestimmte Menge ist.
  • Wie in 11B gezeigt, beinhaltet die Bandausdehnungsvorrichtung 8 eine ringförmige Infrarotheizung 83 als ein Heizungsmittel, die an der äußeren umfänglichen Oberfläche der Ausdehnungstrommel 821 in ihrem oberen Abschnitt montiert ist. Die Infrarotheizung 83 dient dazu, einen Schrumpfbereich zwischen dem inneren Umfang des ringförmigen Rahmens 11 und dem äußeren Umfang des Halbleiter-Wafers 2 in dem haftvermittelnden Band T zu heizen, das an dem ringförmigen Rahmen F durch das Haltemittel 81 für einen Rahmen getragen wird.
  • Der Teilungsschritt, der die Bandausdehnungsvorrichtung 8 verwendet, wird mit Bezug zu 12A und 12B im Folgenden beschrieben. Wie in 12A gezeigt ist der ringförmigen Rahmen F, der den Halbleiter-Wafer 2 durch das haftvermittelnden Band trägt, an der Montageoberfläche 811a des Rahmenhalteelements 811 des Rahmenhaltemittels 81 montiert und an dem Rahmenhalteelement 811 durch die Klemmen 812 fixiert. Zu diesem Zeitpunkt ist das Rahmenhalteelement 811 auf die Referenzposition, die in 12A gezeigt ist, gesetzt.
  • Danach werden die Luftzylinder 823a als die Trägermittel 823 des Aufbringungsmittels 82 für eine Zugkraft betätigt, um das Rahmenhalteelement 811 zu der Ausdehnungsposition, die in Fig. ein 2B gezeigt ist, abzusenken. Entsprechend wird der ringförmigen Rahmen F, der an der Montageoberfläche 811a des Rahmenhalteelements 811 montiert ist, auch abgesenkt, sodass das haftvermittelnden Band T, das an dem ringförmigen Rahmen F getragen wird, in Auflage gegen das obere Ende der Ausdehnungstrommel 821 kommt und, wie in Fig. ein 2b gezeigt, ausgedehnt wird. Als ein Ergebnis wird auch ein Bereich T-1 des haftvermittelnden Bands T, das an dem der Halbleiter-Wafer 2 angebracht ist, ausgedehnt, sodass eine Zugkraft an dem Halbleiter-Wafer 2 wird, der an dem haftvermittelnden Band T angebracht ist, in einer radialen Richtung des Halbleiter-Wafers 2 aufgebracht. Entsprechend wird der Halbleiter-Wafer 2 entlang jeder Teilungslinie 22 geteilt, wo die modifizierte Schicht 25 als ein Startpunkt für ein Teilen ausgebildet ist, wodurch einzelne Bauelementchips erhalten werden, welche den Bauelementen 23 entsprechen, und ein Abstand S zwischen zwei benachbarten der Bauelementchips ausgebildet wird (Teilungsschritt).
  • In dieser bevorzugten Ausführungsform beinhaltet der Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiter-Wafers 2 in die einzelnen Bauelementchips entlang jeder Teilungslinie 22, wo die modifizierte Schicht 25 ausgebildet ist, einen Erhaltungsschritt für einen Bauelementabstand zum Erhalten des Abstands S zwischen zwei benachbarten der Bauelementchips durch Heizen eines Schrumpfbereichs T-2, der zwischen dem inneren Umfang ringförmigen Rahmens 11 und dem Bereich T-1 gebildet ist, wo der Halbleiter-Wafer 2 angebracht ist, da das haftvermittelnden Band T an dem ringförmigen Rahmen F getragen wird, wodurch der Schrumpfbereich T-2 des haftvermittelnden Bands T geschrumpft wird. Dieser Erhaltungsschritt für einen Bauelementabstand wird durch ein Betätigen (Versorgen mit Energie) der Infrarotheizung 83 in dem Zustand durchgeführt, indem der Teilungsschritt abgeschlossen wurde, wie in 13A gezeigt. Als ein Ergebnis ist der Schrumpfbereich T-2 des haftvermittelnden Bands T zwischen dem inneren Umfang des ringförmigen Rahmens 11 und dem Bereich T-1, wo der Halbleiter-Wafer 2 angebracht ist, geheizt, um durch die Infrarotstrahlung, die durch die Infrarotheizung 83 aufgebracht wird, geschrumpft zu werden. Zusammen mit diesem Schrumpfen des Schrumpfbereichs T-2 werden die mehreren Luftzylinder 823a als die Trägermittel 823 des Aufbringungsmittels 82 für eine Zugkraft betätigt, um das Rahmenhalteelement 811 zu der Referenzposition, wie in 13 B gezeigt, anzuheben. Zum Beispiel wird das haftvermittelnde Band T durch die Infrarotheizung 83 auf 70 °C bis 100 °C fürs 5 Sekunden bis 10 Sekunden geheizt. In dieser Weise wird der Schrumpfbereich T-2 des haftvermittelnden Bands T geheizt, um geschrumpft zu werden, wodurch ein Durchhängen in dem haftvermittelnden Band T, das in dem Teilungsschritt ausgedehnt wird, entfernt wird. Entsprechend ist es möglich den Abstand S, der zwischen benachbarten der einzelnen Bauelementchips, die voneinander in dem Teilungsschritt geteilt wurden, ausgebildet ist, beizubehalten.
  • Nach dem Durchführen des oben genannten Teilungsschritts wird ein Entfernungsschritt für einen Schutzfilm in einer solchen Weise durchgeführt, dass die vordere Seite des Halbleiter-Wafers 2 gereinigt wird, um dadurch den Schutzfilm 600 von der vorderen Seite des Halbleiter-Wafers 2 (jedem Bauelement 23) zu entfernen. Dieser Entfernungsschritt für einen Schutzfilm wird unter Verwendung einer Reinigungsvorrichtung 9, die in 14A gezeigt ist, durchgeführt. Die Reinigungsvorrichtung 9, die in 14 A gezeigt ist, beinhaltet einen Haltetisch 91 zum Halten eines Werkstücks und eine Düse 92 für ein Reinigungswasser zum Zuführen eines Reinigungswassers zu dem Werkstück, das an dem Haltetisch 91 gehalten wird. Beim Durchführen des Entfernungsschritts für einen Schutzfilm durch Verwenden dieser Reinigungsvorrichtung 9 werden die einzelnen Bauelementchips, die an dem haftvermittelnden Band T angebracht sind, das an dem ringförmigen Rahmen F getragen wird, an dem Haltetisch 91 in dem Zustand platziert, in dem das haftvermittelnden Band in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Haltetisches 91 ist. Entsprechend ist der Schutzfilm 600, der an jedem Bauelementchips, die durch das haftvermittelnde Band T an dem Haltetisch 91 gehalten werden, nach oben orientiert. Danach wird ein Reinigungswasser von der Düse 92 für ein Reinigungswasser zu dem Schutzfilm 600 zugeführt, der an jedem Bauelementchip ausgebildet ist, der an dem haftvermittelnden Band T angebracht ist, dass durch den ringförmigen Rahmen F getragen wird. Als ein Ergebnis kann der Schutzfilm 600 aus wasserlöslichem Kunststoff einfach durch das Reinigungswasser, wie in 14B gezeigt, entfernt werden.
  • Wie oben beschrieben, ist der Schutzfilm 600 aus einem nicht giftigen, wasserlöslichen Kunststoff. Entsprechend ist es nicht möglich die Umwelt zu verschmutzen und keine getrennte Entsorgungsausstattung wird benötigt, um eine gute Wirtschaftlichkeit zu erreichen. Nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für einen Schutzfilm wird ein Aufnahmeschritt durchgeführt, um jeden Bauelementchip von dem haftvermittelnden Band abzulösen und aufzunehmen.
  • Eine andere bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird jetzt beschrieben. Während der Plasmaätzschritt nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element durchgeführt wurde und der Teilungsschritt nach dem Durchführen des Plasmaätzschritt in der obigen bevorzugten Ausführungsform durchgeführt wurde, kann der Teilungsschritt nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element durchgeführt werden und der Plasmaätzschritt kann nach dem Durchführen des Teilungsschritts durchgeführt werden. In diesem Fall kann der Teilungsschritt durchgeführt werden, indem die Bandausdehnungsvorrichtung 8, die in 11A und 11B gezeigt ist, in einer solchen Weise, wie in 12A des 13B gezeigt, verwendet wird. Ferner kann der Plasmaätzschritt unter Verwendung der Plasmaätzvorrichtung, die in 10A gezeigt ist, durchgeführt werden.
  • D. h., dass in dieser anderen bevorzugten Ausführungsform der Teilungsschritt durchgeführt wird, bevor der Plasmaätzschritt durchgeführt wird. In dem Teilungsschritt wird der Halbleiter-Wafer 2 in die einzelnen Bauelementchips entsprechend den Bauelementen 23 entlang jeder Teilungslinie 22 geteilt, wo die modifizierte Schicht 25 als ein Startpunkt für ein Teilen ausgebildet ist, wie in 12B gezeigt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Abstand es zwischen zwei benachbarten der Bauelementchips (Teilungsschritt) ausgebildet. Wie in 15 gezeigt, weist jeder Bauelementchip, der das Bauelement 23 beinhaltet die modifizierte Schicht 25 frei liegend zu jeder Seitenoberfläche auf und weist auch die Grate 27 auf, die an jeder Seitenoberfläche über geblieben sind. Ferner bleibt auch die Beschädigung wie eine thermische Belastung oder Risse aufgrund der Ablation an jeder Seitenoberfläche über. Der Plasmaätzschritt wird nach dem Durchführen dieses Teilungsschritts durchgeführt. Entsprechend wirken die aktiven Substanzen des Plasmas an der Seitenoberfläche von jedem Bauelementchip durch den Abstand S (siehe 13B), der zwischen benachbarten der Bauelementchips ausgebildet ist, wodurch die modifizierte Schicht 25, die Grate 27 (siehe 15) und die Beschädigung wie eine thermische Belastung und Risse aufgrund der Ablation, wie in 16 gezeigt, entfernt werden. Da der Schutzfilm 600 aus einem wasserlöslichen Kunststoff an der vorderen Seite von jedem Bauelementchip ausgebildet ist (jedes Bauelemente 23), wird keines der Bauelemente 23 geändert. In dieser Weise, entsprechend dieser anderen bevorzugten Ausführungsform, kann auch die modifizierte Schicht 25, die an der Seitenoberfläche von jedem Bauelementchips freiliegt, durch den Plasmaätzschritt entfernt werden, wodurch die Festigkeit von jedem Bauelementchips weiter verbessert wird.
  • Der Schutzfilm 600, der an der vorderen Seite von jedem Bauelementchip ausgebildet ist, wie in 16 gezeigt, kann durch ein Durchführen des Entfernungsschritts für einen Schutzfilm, der in 14A gezeigt ist, entfernt werden.
  • Während die speziellen, bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben wurden, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die obigen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt sondern verschiedenen Modifikationen können in dem Umfang der vorliegenden Erfindung gemacht werden. Zum Beispiel, während der Wafer, der in der obigen bevorzugten Ausführungsform verwendet wird, eine solche Konfiguration aufweist, dass eine funktionale Schicht (gestapeltes Element) an der vorderen Seite des Substrats und ein TEG (gestapeltes Element) an einem Teil von jeder Teilungslinie ausgebildet ist, sind die Wafer, bei denen diese Erfindung anwendbar ist, nicht beschränkt. Zum Beispiel kann ein Wafer, der in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, eine Konfiguration aufweisen, sodass eine funktionale Schicht an der vorderen Seite des Substrats und kein TEG an jeder Teilungslinie ausgebildet ist, oder kann eine Konfiguration haben sodass kein funktionale Schicht ein jeder Teilungslinie ausgebildet ist und ein TEG an jeder Teilungslinie ausgebildet ist. In beiden Fällen kann ein ähnlicher Effekt erhalten werden.

Claims (1)

  1. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Teilen eines Wafers in mehrere einzelne Bauelementchips entlang mehrerer, sich kreuzender Teilungslinien, die an einer vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind, wobei die vordere Seite des Wafers durch die Teilungslinien aufgeteilt ist, sodass mehrere getrennte Bereiche gebildet werden, an denen mehrere Bauelemente ausgebildet sind, wobei die einzelnen Bauelementchips den Bauelementen entsprechen, der Wafer ein gestapeltes Element daran ausgebildet aufweist, und das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer umfasst: einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement zum Anbringen eines Schutzelements an der vorderen Seite des Wafers; einen hinteren Schleifschritt zum Schleifen einer hinteren Seite des Wafers nach dem Durchführen des Anbringungsschritts für ein Schutzelement, wodurch die Dicke des Wafers auf eine vorbestimmte Dicke reduziert wird; einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, von der hinteren Seite davon entlang jeder Teilungslinie in dem Zustand, in dem der Fokuspunkt des Laserstrahls in dem Wafer gesetzt ist, nach dem Durchführen des hinteren Schleifschritts, wodurch eine modifizierte Schicht in dem Wafer entlang jeder Teilungslinie ausgebildet wird; einen Trägerschritt für einen Wafer zum Anbringen der hinteren Seite des Wafers an einem haftvermittelnden Band, das an seinem umfänglichen Abschnitt an einem ringförmigen Rahmen getragen wird, der eine innere Öffnung aufweist, die dazu geeignet ist, den Wafer aufzunehmen, nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für eine modifizierte Schicht, wodurch der Wafer durch das haftvermittelnde Band an dem ringförmigen Rahmen getragen wird, und als nächstes zum Ablösen des Schutzelements von der vorderen Seite des Wafers; einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Aufbringen eines wasserlöslichen Kunststoffs an der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Trägerschritts für einen Wafer, wodurch ein Schutzfilm aus dem wasserlöslichen Kunststoff ausgebildet wird; einen Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge in dem gestapelten Element aufweist, durch den Schutzfilm entlang jeder Teilungslinie nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für einen Schutzfilm, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, um das gestapelte Element, dass an jeder Teilungslinie vorliegt, zu entfernen; einen Teilungsschritt zum Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element, wodurch der Wafer in die einzelnen Bauelementchips entlang jeder Teilungslinie geteilt wird, wo die modifizierte Schicht ausgebildet ist; einen Entfernungsschritt für einen Schutzfilm zum Reinigen der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch der Schutzfilm von der vorderen Seite des Wafers entfernt wird; und einen Plasmaätzschritt zum Zuführen eines Ätzgases in einem Plasmazustand zu dem Wafer von der vorderen Seite davon nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element oder nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch eine Beschädigung aufgrund der Ablation in dem Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element entfernt wird.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6713212B2 (ja) * 2016-07-06 2020-06-24 株式会社ディスコ 半導体デバイスチップの製造方法
JP6934327B2 (ja) * 2017-06-07 2021-09-15 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法及び分割装置
JP7027137B2 (ja) * 2017-11-30 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置
JP7068028B2 (ja) * 2018-05-09 2022-05-16 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP7355618B2 (ja) * 2018-12-04 2023-10-03 株式会社ディスコ ウエーハ分割装置
JP7258416B2 (ja) * 2018-12-06 2023-04-17 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法、デバイスチップの製造方法
JP7266402B2 (ja) * 2018-12-28 2023-04-28 株式会社ディスコ チップの製造方法
DE102019204457B4 (de) * 2019-03-29 2024-01-25 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
JP2021027305A (ja) * 2019-08-09 2021-02-22 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
JP7292803B2 (ja) * 2019-09-12 2023-06-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7358193B2 (ja) * 2019-10-28 2023-10-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN111226313A (zh) * 2020-01-07 2020-06-02 长江存储科技有限责任公司 用于多晶圆堆叠和切割的方法
JP2021174920A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102020210104A1 (de) * 2020-08-10 2022-02-10 Disco Corporation Verfahren zum bearbeiten eines substrats

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030059540A1 (en) * 2000-04-14 2003-03-27 Anette Berni Substrate comprising a thick film consisting of an inorganic gel, glass, vitroceramic or ceramic material, a method for the production of the same and the use thereof
JP3408805B2 (ja) * 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
US20070298587A1 (en) * 2004-03-29 2007-12-27 J.P. Sercel Associates Inc. Method of separating layers of material
US20100041210A1 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 Disco Corporation Method of processing optical device wafer

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252126A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2006253402A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2009111147A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Denso Corp 半導体チップ及びその製造方法
JP2011224931A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Disco Corp 光デバイスウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
JP2013058536A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスウェーハの分割方法
JP5770677B2 (ja) * 2012-05-08 2015-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6166034B2 (ja) * 2012-11-22 2017-07-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US8927393B1 (en) * 2014-01-29 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film vacuum lamination for laser and plasma dicing
JP6560040B2 (ja) * 2015-07-06 2019-08-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030059540A1 (en) * 2000-04-14 2003-03-27 Anette Berni Substrate comprising a thick film consisting of an inorganic gel, glass, vitroceramic or ceramic material, a method for the production of the same and the use thereof
JP3408805B2 (ja) * 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
US20070298587A1 (en) * 2004-03-29 2007-12-27 J.P. Sercel Associates Inc. Method of separating layers of material
US20100041210A1 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 Disco Corporation Method of processing optical device wafer

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Publication number Publication date
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