DE10356766A1 - Laserbearbeitungsverfahren - Google Patents

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DE10356766A1
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laser processing
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Abstract

Ein Laserbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks durch Anwenden eines Laserstrahls an diesem weist auf: einen Schutzfilm-Beschichtungsschritt zum Beschichten einer zu bearbeitenden Fläche des Werkstücks mit einem Schutzfilm; einen Laserstrahl-Bestrahlungsschritt zum Anwenden eines Laserstrahls an dem Werkstück durch den Schutzfilm hindurch; und einen Schutzfilm-Beseitigungsschritt zum Beseitigen des Schutzfilms nach Beendigung des Laserstrahl-Bestrahlungsschritts.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf ein Laserbearbeitungsverfahren zum Anwenden eines Laserstrahls an einer vorbestimmten Region eines Werkstücks, um eine vorbestimmte Bearbeitung auszuführen.
  • Bei einem Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren, wie es unter Fachleuten wohlbekannt ist, wird eine Vielzahl bzw. Mehrzahl von Regionen durch Straßen (Schneidlinien) demarkiert bzw. abgegrenzt, die in einem Gittermuster an der Fläche eines beinahe scheibenförmigen Halbleiter-Wafers angeordnet sind, und es wird eine Schaltung bzw. Schaltkreis, zum Beispiel ein IC oder LSI oder dergleichen, in jeder der abgegrenzten Regionen gebildet. Dieser Halbleiter-Wafer wird entlang der Straßen geschnitten, um ihn in die entsprechenden Schaltungen zu unterteilen, wodurch einzelne Halbleiterchips hergestellt werden. Ein Schneiden entlang der Straßen des Halbleiter-Wafers wird normalerweise mittels einer Schneidvorrichtung ausgeführt, die als ein Substratzerteiler ("dicer") bezeichnet wird. Diese Schneidvorrichtung weist einen Spann- bzw. Einspanntisch zum Halten des Halbleiter-Wafers, welcher das Werkstück ist, ein Schneidmittel bzw. -einrichtung zum Schneiden des durch den Spanntisch gehaltenen Halbleiter-Wafers und ein Bewegungsmittel bzw. -einrichtung zum Bewegen des Spanntischs und des Schneidmittels relativ zueinander auf. Das Schneidmittel weist eine rotier- bzw. drehbare Spindel, welche mit einer hohen Geschwindigkeit zu drehen ist, und eine an der Spindel angebrachte Schneidklinge bzw. -messer auf. Die Schneidklinge weist eine scheibenförmige Basis und eine ringförmige Schneidkante auf, die an einem Außenumfangsbereich der Seitenfläche der Basis angebracht ist. Die Schneidkante weist Diamantschleifkörner auf (zum Beispiel etwa 3 μm in der Teilchengröße), welche durch Elektroformen bzw. Galvanoformen fixiert sind, und ist so ausgebildet, um eine Dicke von etwa 20 μm aufzuweisen. Wenn der Halbleiter-Wafer mittels einer derartigen Schneidklinge geschnitten wird, tritt ein Bruch oder Riss an der Schnittfläche des abgeschnittenen Halbleiterchips auf. Daher wird unter Berücksichtigung des Einflusses des Bruches oder Risses die Breite bzw. Weite der Straße auf etwa 50 μm eingestellt. Wenn jedoch der Halbleiterchip kleiner gemacht wird, nimmt die Proportion bzw. der Anteil der Straße bei dem Halbleiterchip zu, um eine Verminderung in der Produktivität zu verursachen. Darüber hinaus ergibt Schneiden durch die Schneidklinge insofern Schwierigkeiten bzw. Probleme, als die Zuführgeschwindigkeit begrenzt ist und die Halbleiterchips mit Spänen verunreinigt werden.
  • In jüngster Zeit sind die folgenden Halbleiter-Wafer für eine feinere bzw. elegantere Herstellung von Schaltungen bzw. Schaltkreisen, zum Beispiel IC und LSI bzw. hochintegrierten Schaltkreisen, zur praktischen Verwendung gebracht worden: Halbleiter-Wafer, bei denen ein eine niedrige Dielektrizitätskonstante aufweisender Isolator (Niedrig-k-Film), welcher einen Film aus einem anorganischen Material bzw. Werkstoff, zum Beispiel SiOF oder BSG (SiOB), oder einen Film aus einem organischen Material bzw. Werkstoff, zum Beispiel einen Polymerfilm auf Polyimid-Basis oder Parylen-Basis aufweist, an der Seite bzw. Fläche eines Halbleiter-Waferkörpers, zum Beispiel eines Silicium-Wafers, laminiert worden ist und Halbleiter-Wafer mit einem als eine Testelementgruppe (Teg) bezeichneten, metallischen Muster, das auf diese aufgebracht ist. Die Halbleiter-Wafer mit dem eine niedrige Dielektrizitätskonstante aufweisenden Isolator (Niedrig-k-Film), welcher hierauf laminiert ist, involvieren eine Schwierigkeit insofern, als wenn sie entlang der Straße durch eine Schneidklinge geschnitten werden, sich der eine niedrige Dielektrizitätskonstante aufweisende Isolator abschält bzw. ablöst. Die Halbleiter-Wafer mit einem als die Testelementgruppe (Teg) bezeichneten, metallischen Muster, das auf diese aufgebracht ist, ergeben eine Schwierigkeit insofern, als, wenn sie entlang der Straße durch eine Schneidklinge geschnitten werden, Grate auftreten, weil das metallische Muster aus einem klebrigen Metall, zum Beispiel Kupfer oder der dergleichen, gebildet ist.
  • Ein Bearbeitungsverfahren, bei dem ein Laserstrahl entlang der Straße eines Halbleiter-Wafers gestrahlt wird, um den Halbleiter-Wafer zu schneiden, ist ebenfalls versucht worden. Dieses Verfahren ist in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nummer 1994-120334 offenbart.
  • Dieses Verfahren zum Schneiden durch Strahlen eines Laserstrahls ist von der Art, um den Halbleiter-Wafer entlang der Straße durch Verwendung des Laserstrahls zu teilen. Dementsprechend kann dieses Verfahren das Problem des Abschälens bzw. Ablösens der Isolatorschicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante lösen und kann ebenfalls das Problem des Auftretens des Grates lösen.
  • Jedoch schafft dieses Verfahren ein neues Problem insofern, als, wenn ein Laserstrahl entlang der Straße des Halbleiter-Wafers gestrahlt wird, sich thermische Energie in der bestrahlten Region konzentriert, um Überbleibsel bzw. Trümmer zu verursachen; und die Überbleibsel haften an Kontaktflächen usw. an, welche mit der Schaltung verbunden sind, wodurch die Qualität der Halbleiterchips verschlechtert wird.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Laserbearbeitungsverfahren zu schaffen, welches den Einfluss von Überbleibseln bzw. Trümmern verhindern kann, die bei Anwenden eines Laserstrahls an einem Werkstück erzeugt werden.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist, um die obige Aufgabe zu lösen, ein Laserbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks durch Anwenden eines Laserstrahls an diesem vorgesehen, wobei das Verfahren aufweist: einen Schutzfilm-Beschichtungsschritt zum Beschichten einer zu bearbeitenden Fläche des Werkstücks mit einem Schutzfilm; einen Laserstrahl-Bestrahlungsschritt zum Anwenden eines Laserstrahls an dem Werkstück durch den Schutzfilm hindurch; und einen Schutzfilm-Entfernungs- bzw. Beseitigungsschritt zum Entfernen bzw. Beseitigen des Schutzfilms nach Beendigung des Laserstrahl-Bestrahlungsschritts.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist ferner ein Laserbearbeitungsverfahren zum Schneiden eines Werkstücks durch Bewegen des Werkstücks relativ zu einem Laserstrahl-Bestrahlungsmittel bzw. -einrichtung vorgesehen, während ein Laserstrahl an dem Werkstück durch das Laserstrahl-Bestrahlungsmittel angewendet wird, wobei das Verfahren aufweist: einen Schutzfilm-Beschichtungsschritt zum Beschichten einer zu bearbeitenden Fläche des Werkstücks mit einem Schutzfilm; einen Laserstrahl-Bestrahlungsschritt zum Anwenden eines Laserstrahls an dem Werkstück durch den Schutzfilm hindurch; und einen Schutzfilm-Entfernungs- bzw. Beseitigungsschritt zum Entfernen bzw. Beseitigen des Schutzfilms nach Beendigung des Laserstrahl-Bestrahlungsschritts.
  • Der Schutzfilm kann dadurch gebildet werden, dass die zu bearbeitende Fläche mit einem flüssigen Harz beschichtet wird und dass es der resultierenden Beschichtung ermöglicht wird, mit dem Vergehen der Zeit gehärtet bzw. ausgehärtet zu werden. Alternativ kann der Schutzfilm durch Ankleben eines Folien- bzw. Blatt- bzw. Schichtelements an der zu bearbeitenden Fläche gebildet werden. Dieses flüssige Harz oder Folienelement ist erwünschter Weise wasserlöslich.
  • Andere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung offensichtlich.
    •
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Ausführen des Laserbearbeitungsverfahrens entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist ein Blockschaltbild, welches die Ausbildung eines Laserbearbeitungsmittels bzw. -einrichtung schematisch veranschaulicht, die in der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung vorgesehen ist.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiter-Wafers als ein Werkstück, das durch das Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist.
  • 4 ist eine zur Erläuterung dienende Zeichnung, welche eine Ausführungsform eines Schutzfilm-Beschichtungsschritts bei dem Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • 5 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils eines Halbleiter-Wafers als ein Werkstück, das mit einem Schutzfilm durch den in 4 veranschaulichten Schutzfilm-Beschichtungsschritt beschichtet worden ist.
  • 6 ist eine zur Erläuterung dienende Zeichnung, welche eine andere Ausführungsform des Schutzfilm-Beschichtungsschritts bei dem Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht zur Veranschaulichung eines Zustands, in dem der Halbleiter-Wafer als das Werkstück, das mit dem Schutzfilm beschichtet ist, durch einen ringförmigen Rahmen mittels eines Schutzbandes bzw. -streifens getragen bzw. abgestützt ist.
  • 8 ist eine zur Erläuterung dienende Zeichnung zur Veranschaulichung eines Laserstrahl-Bestrahlungsschritts bei dem Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • 9 ist eine vergrößerte Schnittansicht des wesentlichen Teils des Halbleiter-Wafers als das Werkstück, das durch das Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung bearbeitet ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Das Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung wird nunmehr in größeren Einzelheiten unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung, welche einen Laserstrahl an einem Werkstück, zum Beispiel einem Halbleiter-Wafer oder dergleichen, bei dem Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung anwendet. Die in 1 gezeigte Laserbearbeitungsvorrichtung weist auf: eine stationäre Basis 2; einen Futter- bzw. Spanntischmechanismus 3, der an der stationären Basis so angeordnet ist, um in einer Richtung bewegbar zu sein, die durch Pfeile X angegeben ist, und der ein Werkstück hält; einen Laserstrahl-Bestrahlungseinheit-Trag- bzw. Stützmechanismus 4, der an der stationären Basis 2 so angeordnet ist, um in einer Richtung bewegbar zu sein, die durch Pfeile Y angegeben und zu der durch die Pfeile X angegeben Richtung rechtwinklig ist; und eine Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5, die an dem Laserstrahl-Bestrahlungseinheit-Stützmechanismus so angeordnet ist, um in einer Richtung bewegbar zu sein, die durch Pfeile Z angegeben ist.
  • Der Spanntischmechanismus 3 weist auf: ein Paar von Führungsschienen 31, 31, welche an der stationären Basis 2 entlang der durch die Pfeile X angegebenen Richtung parallel angeordnet sind; einen ersten Gleitblock 32, der an den Führungsschienen 31, 31 so angeordnet ist, um in der durch die Pfeile X angegebenen Richtung bewegbar zu sein; einen zweiten Gleitblock 33, der an dem ersten Gleitblock 32 so angeordnet ist, um in der durch die Pfeile Y angegebenen Richtung bewegbar zu sein; einen Trag- bzw. Stütztisch 35, der an dem zweiten Gleitblock 33 durch ein zylindrisches Element 34 getragen bzw. abgestützt ist; und einen Spanntisch 36 als ein Werkstückhaltemittel bzw. -einrichtung. Dieser Spanntisch 36 weist ein Adsorptionsfutter bzw. -spannfutter 361 auf, das aus einem porösen Material gebildet ist, und ist so ausgebildet, um beispielsweise einen scheibenförmigen Halbleiter-Wafer, der ein Werkstück ist, an dem Adsorptionsfutter 361 mittels eines (nicht gezeigten) Saugmittels bzw. -einrichtung zu halten. Der Spanntisch 36 wird mittels eines (nicht gezeigten) Schrittmotors gedreht, der innerhalb des zylindrischen Elements 34 angeordnet ist.
  • Der erste Gleitblock 32 weist an seiner unteren Fläche ein Paar von zu führenden Nuten 321, 321 auf, die an dem Paar von Führungsschienen 31, 31 anzubringen sind, und weist an seiner oberen Fläche ein Paar von Führungsschienen 322, 322 auf, die parallel entlang der durch die Pfeile Y angegebenen Richtung gebildet sind. Der so ausgebildete, erste Gleitblock 32 ist so ausgebildet, um entlang des Paares der Führungsschienen 31, 31 in der durch die Pfeile X angegebenen Richtung durch Anbringen bzw. Einpassen der zu führenden Nuten 321, 321 in bzw. an dem Paar von Führungsschienen 31, 31 bewegbar zu sein. Der Spanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel bzw. -einrichtung 37 auf, um den ersten Gleitblock 32 entlang des Paares der Führungsschienen 31, 31 in der durch die Pfeile X angegebenen Richtung zu bewegen. Dieses Bewegungsmittel 37 weist eine mit Außengewinde versehene Stange bzw. Stab 371, der zwischen dem Paar von Führungsschienen 31 und 31 und parallel zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, zum Beispiel einen Schrittmotor 372 auf, um die mit Außengewinde versehene Stange 371 dreh- bzw. rotierbar anzutreiben. Die mit Außengewinde versehene Stange 371 ist an ihrem einen Ende durch einen Lagerblock 373 drehbar gelagert bzw. abgestützt, der an der stationären Basis 2 befestigt ist, und ist an dem anderen Ende mit einer Ausgangswelle des Schrittmotors 372 mittels eines (nicht gezeigten) Untersetzungsgetriebes antriebsübertragungsgekoppelt. Die mit Außengewinde versehene Stange 371 ist in ein mit Innengewinde versehenes Durchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) Innengewindeblock gebildet ist, der an der unteren Fläche eines zentralen Bereichs des ersten Gleitblocks 32 vorstehend bzw. vorspringend vorgesehen ist. Folglich wird die mit Außengewinde versehene Stange 371 durch den Schrittmotor 372 normal und umgekehrt drehbar angetrieben, wodurch der erste Gleitblock 32 entlang der Führungsschienen 31, 31 in der Richtung der Pfeile X bewegt wird.
  • Der zweite Gleitblock 33 weist an seiner unteren Fläche ein Paar von zu führenden Nuten 331, 331 auf, die an bzw. in dem Paar von Führungsschienen 322, 322 anzubringen bzw. einzupassen sind, welche an der oberen Fläche des ersten Gleitblocks 32 vorgesehen sind. Der zweite Gleitblock 33 ist so ausgebildet, um in der durch die Pfeile Y angegebenen Richtung dadurch bewegbar zu sein, dass die zu führenden Nuten 331, 331 an bzw. in dem Paar von Führungsschienen 322, 322 angebracht bzw. eingepasst werden. Der Spanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel bzw. -einrichtung 38 auf, um den zweiten Gleitblock 33 entlang des Paares der Führungsschienen 322, 322, die an dem ersten Gleitblock 32 vorgesehen sind, in der durch die Pfeile Y angegebenen Richtung zu bewegen. Das Bewegungsmittel 38 weist eine mit Außengewinde versehene Stange 381, die zwischen dem Paar von Führungsschienen 322 und 322 und parallel zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, zum Beispiel einen Schrittmotor 382, auf, um die mit Außengewinde versehene Stange 381 dreh- bzw. rotierbar anzutreiben. Die mit Außengewinde versehene Stange 381 ist an einem Ende durch einen Lagerblock 383 dreh- bzw. rotierbar gelagert, welcher an der oberen Fläche des ersten Gleitblocks 32 befestigt ist, und ist an dem anderen Ende mit einer Ausgangswelle des Schrittmotors 382 mittels eines (nicht gezeigten) Untersetzungsgetriebes antriebsübertragungsgekoppelt. Die mit Außengewinde versehene Stange 381 ist in ein mit Innengewinde versehenes Durchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) Innengewindeblock gebildet ist, der an der unteren Fläche eines zentralen Bereichs des zweiten Gleitblocks 33 vorstehend bzw. vorspringend vorgesehen ist. Folglich wird die mit Außengewinde versehene Stange 381 normal und umgekehrt durch den Schrittmotor 382 dreh- bzw. rotierbar angetrieben, wodurch der zweite Gleitblock 33 entlang der Führungsschienen 322, 322 in der Richtung der Pfeile Y bewegt wird.
  • Der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit-Stützmechanismus 4 weist ein Paar von Führungsschienen 41, 41, die entlang einer Indexzuführrichtung, die durch die Pfeile Y angegeben ist, an der stationären Basis 2 parallel angeordnet sind, und eine sich bewegende Trag- bzw. Stützbasis 42 auf, die an den Führungsschienen 41, 41 so angeordnet ist, um in der durch die Pfeile Y angegebenen Richtung bewegbar zu sein. Die sich bewegende Stützbasis 42 weist einen sich bewegenden Stützbereich 421, der an den Führungsschienen 41, 41 bewegbar angeordnet ist, und einen Anbringungs- bzw. Befestigungsbereich 422 auf, welcher an dem sich bewegenden Stützbereich 421 angebracht ist. Der Befestigungsbereich 422 weist an seiner Seitenfläche ein Paar von Führungsschienen 423, 423 auf, die parallel und sich in der durch die Pfeile Z angegebenen Richtung erstreckend vorgesehen sind. Der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit-Stützmechanismus 4 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel bzw. -einrichtung 43 zum Bewegen der bewegbaren Stützbasis 42 entlang des Paares von Führungsschienen 41, 41 in der durch die Pfeile Y angegebenen Richtung auf, welche die Indexzuführrichtung ist. Das Bewegungsmittel 43 weist eine mit Außengewinde versehene Stange bzw. Stab 431, der zwischen dem Paar von Führungsschienen 41, 41 und parallel zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, zum Beispiel einen Schrittmotor 432, zum dreh- bzw. rotierbaren Antreiben der mit Außengewinde versehenen Stange 431 auf. Die mit Außengewinde versehene Stange 431 ist an einem Ende an einem (nicht gezeigten) Lagerblock rotier- bzw. drehbar gelagert, welcher an der stationären Basis 2 befestigt ist, und sie ist an dem anderen Ende mit einer Ausgangswelle des Schrittmotors 432 mittels eines (nicht gezeigten) Untersetzungsgetriebes antriebsübertragungsgekoppelt. Die mit Außengewinde versehene Stange 431 ist in ein mit Innengewinde versehenes Loch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) Innengewindeblock gebildet ist, der an der unteren Fläche eines mittleren Bereichs des bewegbaren Stützbereichs 421 vorstehend bzw. vorspringend vorgesehen ist, welcher die bewegbare Stützbasis 42 bildet. Folglich wird die mit Außengewinde versehene Stange 431 normal und umgekehrt rotier- bzw. drehbar durch den Schrittmotor 432 angetrieben, wodurch die bewegbare Stützbasis 42 entlang den Führungsschienen 41, 41 in der durch die Pfeile Y angegebenen Indexzuführrichtung bewegt wird.
  • Die Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5 bei der veranschaulichten Ausführungsform ist mit einem Einheithalter 51 und einem Laserstrahl-Bestrahlungsmittel bzw. – einrichtung 52 ausgerüstet, welche an dem Einheithalter 51 angebracht ist. Der Einheithalter 51 weist ein Paar von zu führenden Nuten 511, 511 auf, die an bzw. in dem Paar von Führungsschienen 423, 423 gleit- bzw. verschiebbar anzubringen bzw. einzupassen sind, welche an dem Befestigungsbereich 422 vorgesehen sind. Die zu führenden Nuten 511, 511 sind an dem Paar von Führungsschienen 423, 423 angebracht, wodurch der Einheithalter 51 so getragen bzw. abgestützt ist, um in der durch die Pfeile Z angegebenen Richtung bewegbar zu sein.
  • Das veranschaulichte Laserstrahl-Bestrahlungsmittel 52 weist ein zylindrisch geformtes Gehäuse 521 auf, das an dem Einheithalter 51 befestigt ist und sich im Wesentlichen horizontal erstreckt. Innerhalb des Gehäuses 521 sind ein Laserstrahl-Oszillationsmittel bzw. -einrichtung 522 und ein Laserstrahl-Modulationsmittel- bzw. einrichtung 523 angeordnet, wie in 2 gezeigt. Als das Laserstrahl-Oszillationsmittel 522 kann ein YAG-Laser-Oszillator oder ein YV04-Laser-Oszillator verwendet werden. Das Laserstrahl-Modulationsmittel 523 weist ein Impulsfolgefrequenz-Einstellmittel bzw. -einrichtung 523a, ein Laserstrahlimpulsbreiten-Einstellmittel bzw. -einrichtung 523b und ein Laserstrahlwellenlängen-Einstellmittel bzw. -einrichtung 523c auf. Das Impulsfolgefrequenz-Einstellmittel 523a, das Laserstrahlimpulsbreiten-Einstellmittel 523b und das Laserstrahlwellenlängen-Einstellmittel 523c, welche das Laserstrahl-Modulationsmittel 523 bilden, können von den Arten sein, die unter Fachleuten wohlbekannt sind und folglich werden detaillierte Erläuterungen bezüglich ihrer Ausbildungen hier weggelassen. Ein optischer Kondensor 524, welcher von einer an sich wohlbekannten Art sein kann, ist an dem vorderen Ende des Gehäuses 521 angebracht.
  • Ein Laserstrahl, der durch das Laserstrahl-Oszillationsmittel 522 oszilliert wird, kommt bei dem optischen Kondensor 524 mittels des Laserstrahl-Modulationsmittels 523 an. In dem Laserstrahl-Modulationsmittel 523 wandelt das Impulsfolgefrequenz-Einstellmittel 523a den Laserstrahl in einen Impulslaserstrahl mit einer vorbestimmten Impulsfolgefrequenz um, das Laserstrahlimpulsbreiten-Einstellmittel 523b stellt die Impulsbreite des Impulslaserstrahls auf eine vorbestimmte Breite ein und das Laserstrahlwellenlängen-Einstellmittel 523c stellt die Wellenlänge des Impulslaserstrahls auf einen vorbestimmten Wert ein.
  • Ein Abbildungsmittel bzw. -einrichtung 6 ist an einem vorderen Endbereich des Gehäuses 521 angeordnet, welches das Laserstrahl-Bestrahlungsmittel 52 bilden. Bei der veranschaulichten Ausführungsform ist das Abbildungsmittel 6 durch eine gewöhnliche Abbildungsvorrichtung (CCD) zum Abbilden durch Verwendung von sichtbarem Licht und eine Infrarot-CCD gebildet, die zum Abbilden unter Verwendung von Infrarotstrahlung befähigt ist, wobei eine von ihnen gewählt werden kann, um in geeigneter Weise verwendet zu werden. Zusätzlich zu dieser Ausgestaltung ist das Abbildungsmittel 6 durch ein Beleuchtungsmittel bzw. -einrichtung zum Beleuchten des Werkstücks, ein optisches System zum Einfangen bzw. Erfassen einer durch das Beleuchtungsmittel beleuchteten Region und ein Mittel bzw. Einrichtung gebildet, um das durch das optische System erfasste Bild zu der Abbildungsvorrichtung (CCD oder Infrarot-CCD) zu übertragen und um das Bild in elektrische Bildsignale umzuwandeln, und sodann werden die Bildsignale zu einem (nicht gezeigten) Steuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung geschickt.
  • Die Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel 53 zum Bewegen des Einheithalters 51 entlang des Paares der Führungsschienen 423, 423 in der durch die Pfeile Z angegebenen Richtung auf. Das Bewegungsmittel 53, ähnlich zu dem oben erwähnten entsprechenden Bewegungsmittel, weist eine (nicht gezeigte) mit Außengewinde versehene Stange bzw. Stab und eine Antriebsquelle, zum Beispiel einen Schrittmotor 523 oder dergleichen auf, um die mit Außengewinde versehene Stange rotier- bzw. drehbar anzutreiben, welche zwischen dem Paar von Führungsschienen 423 und 423 angeordnet ist. Die (nicht gezeigte) mit Außengewinde versehene Stange wird durch den Schrittmotor 532 normal und umgekehrt drehbar angetrieben, wodurch der Einheithalter 51 und das Laserstrahl-Bestrahlungsmittel 52 entlang den Führungsschienen 423 , 423 in der durch die Pfeile Z angegebenen Richtung bewegt werden.
  • Als Nächstes folgt eine Erläuterung bezüglich eines Bearbeitungsverfahrens zum Teilen eines Halbleiter-Wafers als ein Werkstück in einzelne Halbleiterchips durch Verwendung der oben beschriebenen Laserbearbeitungsvorrichtung.
  • 3 zeigt einen Halbleiter-Wafer, der in einzelne Halbleiterchips durch das Laserbearbeitungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung zu unterteilen ist. Ein in 3 gezeigter Halbleiter-Wafer 10 weist eine Mehrzahl von Regionen auf, die durch eine Mehrzahl von Straßen (Schneidlinien) 101 abgegrenzt sind, die in einem Gittermuster an einer Fläche 10a angeordnet sind, und es ist eine Schaltung bzw. Schaltkreis 102, zum Beispiel IC, LSI oder dergleichen, in jeder der abgegrenzten Regionen gebildet. Um den Halbleiter-Wafer 10 in einzelne Halbleiterchips durch die Verwendung der oben beschriebenen Laserbearbeitungsvorrichtung zu unterteilen, besteht der erste Schritt darin, einen Schutzfilm auf eine Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 zu schichten bzw. aufzutragen, wobei diese Fläche 10a die zu bearbeitende Fläche ist (Schutzfilm-Beschichtungsschritt). Im Spezifischen wird die Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 mit einem Harz mittels einer Schleuderbeschichtungsvorrichtung 7 beschichtet, wie in 4 gezeigt. Das heißt, die Schleuderbeschichtungsvorrichtung 7 weist einen Spanntisch 71 mit einem Saug-Haltemittel bzw. -einrichtung und einer Düse 72 auf, die oberhalb eines mittleren Bereichs des Spanntischs 71 angeordnet ist. Der Halbleiter-Wafer 10 ist an dem Spanntisch 71 der Schleuderbeschichtungsvorrichtung 7 platziert, wobei die Fläche 10a nach oben weist. Ein flüssiges Harz wird von der Düse 72 auf einen mittleren Bereich der Fläche des Halbleiter-Wafers 10 tropfen bzw. herablaufen gelassen, während der Spanntisch 71 gedreht wird, wodurch das flüssige Harz aufgrund einer Zentrifugalkraft bis zu einem äußeren Umfangsbereich des Halbleiter-Wafers fließt, um die Fläche des Halbleiter-Wafers 10 zu beschichten. Dieses flüssige Harz wird mit dem Vergehen der Zeit gehärtet bzw. ausgehärtet, um einen Schutzfilm 11 an der Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 zu bilden, wie in 5 gezeigt. Ein wasserlöslicher Resist bzw. Abdecklack ist als das Harz wünschenswert, das auf die Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 zu schichten ist. Zum Beispiel wird TPF (Marke), welches von TOKYO OHKA KOGYO K. K. geliefert wird, bevorzugt verwendet. Als eine andere Ausführungsform der Bildung des Schutzfilms 11 an der Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 kann ein Folien- bzw. Blatt- bzw. Schichtelement 11a an die Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 geklebt werden, wie in 6 gezeigt. Dieses Folienelement 11a ist in erwünschter Weise aus einem wasserlöslichen Harz gebildet.
  • Wenn der Schutzfilm 11 an der Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 durch den oben erwähnten Schutzfilm-Beschichtungsschritt gebildet worden ist, wird ein Schutzband 13, das an einem ringförmigen Rahmen 12 angebracht ist, auf eine rückseitige Fläche des Halbleiter-Wafers 10 geklebt, wie in 7 gezeigt. Der an dem ringförmigen Rahmen 12 mittels des Schutzbandes 13 getragene Halbleiter-Wafer 10 wird zu dem Adsorptionsfutter 361 des Spanntischs 36 befördert, welcher das Spanntischmittel 3 der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung bildet, wobei die Fläche 10a mit dem an ihr gebildeten Schutzfilm 11 nach oben weist. Dieser Halbleiter-Wafer 10 wird durch das Adsorptionsfutter 361 durch Saugen bzw. Ansaugen gehalten. Der Spanntisch 36, welcher folglich den Halbleiter-Wafer 10 an ihm durch Saugen hält, wird entlang der Führungsschienen 31, 31 durch die Wirkung des Bewegungsmittels 37 bewegt und wird unter dem Abbildungsmittel 6 richtig positioniert, das an der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5 angeordnet ist.
  • Wenn der Spanntisch 36 rechts unter dem Abbildungsmittel 6 richtig positioniert worden ist, werden Abbildungsverfahren, zum Beispiel "Pattern Matching" bzw. Mustervergleich usw. durch das Abbildungsmittel 6 und ein (nicht gezeigtes) Steuer- bzw. Regelmittel ausgeführt, um eine Straße 101, die in einer vorbestimmten Richtung an dem Halbleiter-Wafer 10 gebildet ist, in Ausrichtung mit dem optischen Kondensor 524 der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5 zu bringen, welche einen Laserstrahl entlang der Straße 101 strahlt, wodurch die Ausrichtung der Laserstrahlbestrahlungsposition ausgeführt ist. Für die Straße 101, die an den Halbleiter-Wafer 10 gebildet ist und sich rechtwinklig zu der obigen vorbestimmten Richtung erstreckt, wird die Ausrichtung der Laserstrahlbestrahlungsposition ebenfalls in ähnlicher Weise ausgeführt. Zu diesem Zeitpunkt wird, wenn der an der Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 gebildete Schutzfilm 11, wobei diese Fläche 10a die an ihr gebildeten Straßen 101 aufweist, nicht transparent bzw. lichtdurchlässig ist, wird ein Abbilden unter Verwendung von Infrarotstrahlen ausgeführt, wodurch eine Ausrichtung von der Fläche ausgeführt werden kann.
  • Wenn die in dem Halbleiter-Wafer 10, der an dem Spanntisch 36 gehalten ist, gebildete Straße 101 detektiert bzw. festgestellt worden ist und die Ausrichtung der Laserstrahl-Bestrahlungsposition in der vorhergehenden Art und Weise ausgeführt worden ist, wird der Spanntisch 36 zu einem Laserstrahl-Bestrahlungsbereich bewegt, wo der optische Kondensor 524 der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5 zum Strahlen eines Laserstrahls angeordnet ist. In diesem Laserstrahl-Bestrahlungsbereich wird ein Laserstrahl durch den Schutzfilm 11 hindurch, entlang der Straße 101 des Halbleiter-Wafers 10 durch den optischen Kondensor 524 der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5 gestrahlt (Laserstrahl-Bestrahlungsschritt).
  • Der Laserstrahl-Bestrahlungsschritt wird nunmehr beschrieben.
  • Bei dem Laserstrahl-Bestrahlungsschritt wird der Spanntisch 36, das heißt, der hieran gehaltene Halbleiter-Wafer 10, dazu veranlasst, sich mit einer vorbestimmten Zuführgeschwindigkeit (zum Beispiel 100 mm/Sekunde) in der durch die Pfeile X angegebenen Richtung zu bewegen, während ein Impulslaserstrahl in Richtung zu der vorbestimmten Straße 101 durch den Schutzfilm 11 hindurch, von der Seite des Halbleiter-Wafers 10, welche die zu bearbeitende Fläche ist, von dem optischen Kondensor 524 der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 5 zum Strahlen des Laserstrahls gerichtet wird, wie in 8 gezeigt. Bei dem Laserstrahl-Bestrahlungsschritt können ein Ultraviolett-Laserstrahl und ein Infrarot-Laserstrahl verwendet werden, wie unten angegeben:
    • (1) Ultraviolett-Laserstrahl Lichtquelle: YAG-Laser oder YV04-Laser Wellenlänge: 355 nm Ausgang: 3,0 W Impulsfolgefrequenz: 20 kHz Impulsbreite: 0,1 ns Durchmesser des fokussierenden Lichtflecks bzw. Lichtpunkts: ⌀ 0,5 μm
    • (2) Infrarot-Laserstrahl Lichtquelle: YAG-Laser oder YV04-Laser Wellenlänge: 1064 nm Ausgang: 5,1 W Impulsfolgefrequenz: 100 kHz Impulsbreite: 20 ns
  • Durchmesser des fokussierenden Lichtflecks bzw. Lichtpunkts: ⌀ 1 μm Durch Ausführen des oben beschriebenen Laserstrahl-Bestrahlungsschritts wird der Halbleiter-Wafer 10 entlang der Straße 101 geteilt. Zu diesem Zeitpunkt werden, selbst wenn Trümmer bzw. Überbleibsel 100 zu dem Zeitpunkt des Anwendens des Laserstrahls erzeugt werden, wie in 8 gezeigt, diese Überbleibsel 100 durch den Schutzfilm 11 abgesperrt bzw. abgeschirmt und haften nicht an der Schaltung 102, den Anschlussflächen und dergleichen an.
  • Nachdem der Laserstrahl-Bestrahlungsschritt entlang der vorbestimmten Straße in der obigen Art und Weise ausgeführt worden ist, wird der Spanntisch 36, das heißt, der hieran gehaltene Halbleiter-Wafer 10, um einen Abstand bzw. Beabstandung zwischen den Straßen in der durch die Pfeile Y angegebenen Richtung index-bewegt bzw. intermittierend bewegt (Weiterschalt- bzw. intermittierender Bewegungs-Schritt) und sodann wird der oben erwähnte Laserstrahl-Bestrahlungsschritt ausgeführt. Nach Beendigung des Laserstrahl-Bestrahlungsschritts und des Weiterschalt-Schritts entlang sämtlicher sich in der vorbestimmten Richtung erstreckender Straßen, wird der Spanntisch 36, das heißt, der hieran gehaltene Halbleiter-Wafer 10, um 90 Grad gedreht. Sodann werden der oben beschriebene Laserstrahl-Bestrahlungsschritt und der Weiterschalt-Schritt entlang der sich rechtwinklig zu der oben erwähnten, vorbestimmten Richtung erstreckenden Straßen ausgeführt. Folglich wird der Halbleiter-Wafer 10 in einzelne Halbleiterchips geteilt. Nachdem der Halbleiter-Wafer 10 in die einzelnen Halbleiterchips geteilt worden ist, wie oben beschrieben, wird der den Halbleiter-Wafer 10 haltende Spanntisch 36 zu der Position zurückgebracht, wo der Spanntisch 36 anfänglich den Halbleiter-Wafer 10 durch Saugung hält. An dieser Position gibt der Spanntisch 36 die Saughaltung des Halbleiter-Wafers 10 frei. Sodann wird der Halbleiter-Wafer 10 zu einem nachfolgenden Schritt durch ein (nicht gezeigtes) Beförderungsmittel bzw. – einrichtung befördert.
  • Sodann wird ein Schutzfilm-Entfernungs- bzw. -Beseitigungsschritt zum Beseitigen des Schutzfilms 11 ausgeführt, der an der Fläche 10a des Halbleiter-Wafers 10 geschichtet ist, der an das Schutzband 13 geklebt ist, das an dem ringförmigen Rahmen 12 angebracht ist. Bei diesem Schutzfilm-Beseitigungsschritt kann der Schutzfilm 11 durch Wasser weggewaschen werden, weil der Schutzfilm 11 aus dem wasserlöslichen Harz gebildet ist, wie zuvor festgestellt. Zu diesem Zeitpunkt werden die Überbleibsel 100, die während des vorerwähnten Laserstrahl-Bestrahlungsschritts erzeugt worden sind, ebenfalls zusammen mit dem Schutzfilm 11 heraus- bzw. abgewaschen. In Folge dessen ist der Halbleiter-Wafer 10 in die einzelnen Halbleiterchips entlang der Straßen 101 geteilt, wie in 9 gezeigt. Bei der veranschaulichten Ausführungsform, wie hier beschrieben, kann der Schutzfilm 11 durch Wasser weggewaschen werden, da er aus dem wasserlöslichen Harz gebildet ist. Folglich ist die Beseitigung des Schutzfilms 11 sehr leicht.
  • Wie oben erwähnt, ist die vorliegende Erfindung beruhend auf den Ausführungsformen zum Teilen des Halbleiter-Wafers beschrieben worden, jedoch kann diese Erfindung bei verschiedenen Arten von Laserbearbeitung für andere Werkstücke angewendet werden.
  • Entsprechend dem Laserbearbeitungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung wird die zu bearbeitende Fläche des Werkstücks mit dem Schutzfilm beschichtet und ein Laserstrahl wird bei dem Werkstück durch den Schutzfilm hindurch angewendet. Daher werden durch Anwendung des Laserstrahls erzeugte Trümmer bzw. Überbleibsel durch den Schutzfilm abgesperrt bzw. abgeschirmt. Weil die Überbleibsel zusammen mit dem Schutzfilm beseitigt werden, kann der Einfluss der Überbleibsel, die durch Strahlen des Laserstrahls erzeugt werden, verhindert werden.

Claims (12)

  1. Laserbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks durch Anwendung eines Laserstrahls an diesem, wobei das Verfahren aufweist: einen Schutzfilm-Beschichtungsschritt zum Beschichten einer zu bearbeitenden Fläche des Werkstücks mit einem Schutzfilm; einen Laserstrahl-Bestrahlungsschritt zum Anwenden eines Laserstrahls an dem Werkstück durch den Schutzfilm hindurch; und einen Schutzfilm-Beseitigungsschritt zum Beseitigen des Schutzfilms nach Beendigung des Laserstrahl-Bestrahlungsschritts.
  2. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schutzfilm dadurch gebildet wird, dass die zu bearbeitende Fläche mit einem flüssigen Harz beschichtet wird und es der resultierenden Beschichtung ermöglicht wird, mit dem Vergehen der Zeit gehärtet bzw. ausgehärtet zu werden.
  3. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 2, bei dem das flüssige Harz wasserlöslich ist.
  4. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schutzfilm durch Auf- bzw. Ankleben eines Folien -bzw. Blattelements an der zu bearbeitenden Fläche gebildet wird.
  5. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 4, bei dem das Folienelement wasserlöslich ist.
  6. Laserbearbeitungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Werkstück ein Halbleiter-Wafer ist.
  7. Laserbearbeitungsverfahren zum Schneiden eines Werkstücks durch Bewegen des Werkstücks relativ zu einem Laserstrahl-Bestrahlungsmittel, während ein Laserstrahl an dem Werkstück durch das Laserstrahl-Bestrahlungsmittel angewendet wird, wobei das Verfahren aufweist: einen Schutzfilm-Beschichtungsschritt zum Beschichten einer zu bearbeitenden Fläche des Werkstücks mit einem Schutzfilm; einen Laserstrahl-Bestrahlungsschritt zum Anwenden eines Laserstrahls an dem Werkstück durch den Schutzfilm hindurch; und einen Schutzfilm-Beseitigungsschritt zum Beseitigen des Schutzfilms nach Beendigung des Laserstrahl-Bestrahlungsschritts.
  8. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 7, bei dem der Schutzfilm dadurch gebildet wird, dass die zu bearbeitende Fläche mit einem flüssigen Harz beschichtet wird und es der resultierenden Beschichtung ermöglicht wird, mit dem Vergehen der Zeit gehärtet bzw. ausgehärtet zu werden.
  9. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 8, bei dem das flüssige Harz wasserlöslich ist.
  10. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 7, bei dem der Schutzfilm durch Auf- bzw. Ankleben eines Folien- bzw. Blattelements an der zu bearbeitenden Fläche gebildet wird.
  11. Laserbearbeitungsverfahren nach Anspruch 10, bei dem das Folienelement wasserlöslich ist.
  12. Laserbearbeitungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem das Werkstück ein Halbleiter-Wafer ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015118991A1 (de) * 2015-11-05 2017-05-11 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur Behandlung von Millimeter- und/oder Mikrometer- und/oder Nanometerstrukturen an einer Oberfläche eines Substrats

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9533376B2 (en) 2013-01-15 2017-01-03 Microfabrica Inc. Methods of forming parts using laser machining
US20060246279A1 (en) 2003-04-25 2006-11-02 Masakatsu Urairi Method of producing laser-processed product and adhesive sheet, for laser processing used therefor
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
EP1633521B1 (de) * 2003-06-06 2012-04-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laserbearbeitung mit hilfe eines tensidfilms
US7265032B2 (en) * 2003-09-30 2007-09-04 Intel Corporation Protective layer during scribing
JP4471632B2 (ja) * 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US6974726B2 (en) * 2003-12-30 2005-12-13 Intel Corporation Silicon wafer with soluble protective coating
JP4854059B2 (ja) * 2004-07-27 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザー加工用保護シートを用いたレーザー加工品の製造方法
KR101109860B1 (ko) * 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
US20060097430A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Li Xiaochun UV pulsed laser machining apparatus and method
CN100363144C (zh) * 2004-11-05 2008-01-23 中国航空工业第一集团公司北京航空制造工程研究所 一种用于钛合金激光焊接的活性剂使用方法
JP4571850B2 (ja) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP4854060B2 (ja) * 2004-12-24 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザー加工用保護シートを用いたレーザー加工品の製造方法
JP2006176719A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート
JP4873863B2 (ja) 2005-01-14 2012-02-08 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート
JP4854061B2 (ja) 2005-01-14 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP2006253402A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2006269897A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP4648056B2 (ja) * 2005-03-31 2011-03-09 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
US20060289966A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Dani Ashay A Silicon wafer with non-soluble protective coating
JP4777783B2 (ja) * 2006-01-26 2011-09-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP4652986B2 (ja) * 2006-02-08 2011-03-16 株式会社ディスコ 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置
JP4776431B2 (ja) * 2006-05-17 2011-09-21 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置
SG138540A1 (en) * 2006-06-08 2008-01-28 Apic Yamada Corp Semiconductor cutting device, semiconductor cutting method, semiconductor cutting system, laser cutting device and laser cutting method
JP4979291B2 (ja) * 2006-07-25 2012-07-18 アピックヤマダ株式会社 レーザ切断装置
JP4903523B2 (ja) * 2006-09-25 2012-03-28 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法
JP2008084918A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Casio Comput Co Ltd 半導体装置のマーク形成方法
JP4977432B2 (ja) 2006-10-17 2012-07-18 株式会社ディスコ ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法
JP5009179B2 (ja) * 2008-01-25 2012-08-22 株式会社ディスコ ウェーハ搬送装置およびウェーハ加工装置
JP2009231632A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
US20100078418A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Electro Scientific Industries, Inc. Method of laser micro-machining stainless steel with high cosmetic quality
JP5324180B2 (ja) * 2008-10-07 2013-10-23 株式会社ディスコ レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US8609512B2 (en) * 2009-03-27 2013-12-17 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates
JP5436917B2 (ja) * 2009-04-23 2014-03-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN102639280A (zh) * 2009-12-07 2012-08-15 Jp赛席尔联合股份有限公司 激光加工及切割系统与方法
US20130256286A1 (en) * 2009-12-07 2013-10-03 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
CN102248309B (zh) * 2010-05-17 2014-04-02 苏州天弘激光股份有限公司 Ccd装置辅助定位的晶圆激光划片方法
JP5589576B2 (ja) 2010-06-10 2014-09-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体基板
JP5687862B2 (ja) 2010-08-06 2015-03-25 東京応化工業株式会社 洗浄装置、洗浄方法及び組成物
JP5715859B2 (ja) * 2011-03-18 2015-05-13 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法及び保護膜被覆装置
JP2013021210A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2013021209A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US8361828B1 (en) * 2011-08-31 2013-01-29 Alta Devices, Inc. Aligned frontside backside laser dicing of semiconductor films
US8399281B1 (en) * 2011-08-31 2013-03-19 Alta Devices, Inc. Two beam backside laser dicing of semiconductor films
JP2013058536A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスウェーハの分割方法
JP5839923B2 (ja) * 2011-10-06 2016-01-06 株式会社ディスコ パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法
JP5839390B2 (ja) * 2011-10-06 2016-01-06 株式会社ディスコ アブレーション加工方法
JP5888927B2 (ja) 2011-10-06 2016-03-22 株式会社ディスコ ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法
US9352542B2 (en) 2012-02-07 2016-05-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Processing method and processing apparatus
JP2013207170A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスウェーハの分割方法
JP6029334B2 (ja) 2012-06-07 2016-11-24 株式会社ディスコ 分割装置
JP6137798B2 (ja) * 2012-09-26 2017-05-31 株式会社ディスコ レーザー加工装置及び保護膜被覆方法
JP2014079794A (ja) * 2012-10-18 2014-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工方法
JP6276947B2 (ja) * 2013-09-02 2018-02-07 株式会社ディスコ 加工方法
JP6113299B2 (ja) * 2013-11-14 2017-04-12 三菱電機株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP6328522B2 (ja) 2014-08-21 2018-05-23 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法および保護膜被覆装置
JP6411142B2 (ja) 2014-09-09 2018-10-24 株式会社ディスコ 保護被膜の被覆方法
CN105489472B (zh) * 2014-09-16 2019-03-15 长春石油化学股份有限公司 前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法
TWI522372B (zh) 2014-09-16 2016-02-21 長春石油化學股份有限公司 前切割保護液及使用此保護液的晶圓加工方法
JP6399923B2 (ja) 2014-12-24 2018-10-03 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法
JP6438304B2 (ja) * 2015-01-09 2018-12-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP2016171214A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
CN104760144B (zh) * 2015-03-31 2017-03-15 蓝思科技股份有限公司 一种蓝宝石镜头基片制作方法
JP6570910B2 (ja) * 2015-07-24 2019-09-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6625854B2 (ja) * 2015-10-06 2019-12-25 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
US10535572B2 (en) * 2016-04-15 2020-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device arrangement structure assembly and test method
JP2018014370A (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6837709B2 (ja) * 2016-10-14 2021-03-03 株式会社ディスコ デバイスウェーハのレーザ加工方法
CN106849899A (zh) * 2017-01-05 2017-06-13 东南大学 微单壳体谐振器
JP6831246B2 (ja) 2017-01-11 2021-02-17 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7023629B2 (ja) 2017-07-07 2022-02-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN107363424A (zh) * 2017-09-06 2017-11-21 青岛科捷机器人有限公司 一种用于激光切割头定位的随动式扫描定位装置及方法
CN107414318A (zh) * 2017-09-06 2017-12-01 青岛科捷机器人有限公司 一种用于激光切割头定位的固定式扫描定位装置及方法
JP2019069465A (ja) 2017-10-11 2019-05-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6965094B2 (ja) 2017-10-17 2021-11-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6907091B2 (ja) 2017-10-19 2021-07-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6907093B2 (ja) 2017-10-24 2021-07-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6968659B2 (ja) 2017-10-25 2021-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6985102B2 (ja) 2017-10-31 2021-12-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6998177B2 (ja) 2017-11-02 2022-01-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6998178B2 (ja) 2017-11-07 2022-01-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2019130552A (ja) 2018-01-30 2019-08-08 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP7123643B2 (ja) 2018-06-11 2022-08-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7201343B2 (ja) 2018-06-19 2023-01-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
DE102018123363B4 (de) * 2018-09-24 2021-01-07 Bystronic Laser Ag Verfahren zur Kollisionsvermeidung und Laserbearbeitungsmaschine
JP7328020B2 (ja) * 2019-06-21 2023-08-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2021041502A (ja) 2019-09-12 2021-03-18 株式会社ディスコ 切削ブレード、切削ブレードの製造方法、及び、ウェーハの切削方法
JP7408332B2 (ja) 2019-09-27 2024-01-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2021070039A (ja) 2019-10-30 2021-05-06 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2021178338A (ja) 2020-05-12 2021-11-18 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2022065451A (ja) 2020-10-15 2022-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2022148506A (ja) 2021-03-24 2022-10-06 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2023013390A (ja) 2021-07-16 2023-01-26 株式会社ディスコ ウエーハの処理方法
JP2023015593A (ja) 2021-07-20 2023-02-01 株式会社ディスコ ウエーハの処理方法
JP2023046922A (ja) 2021-09-24 2023-04-05 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP2023047440A (ja) 2021-09-27 2023-04-06 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP2023069381A (ja) 2021-11-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2023069380A (ja) 2021-11-05 2023-05-18 株式会社ディスコ 加工方法
JP2023070909A (ja) 2021-11-10 2023-05-22 株式会社ディスコ 乾燥検出方法及び乾燥検出装置
JP2023154537A (ja) 2022-04-07 2023-10-20 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4806504A (en) * 1986-09-11 1989-02-21 Fairchild Semiconductor Corporation Planarization method
US4805795A (en) * 1986-12-27 1989-02-21 Toyo Seikan Kaisha Ltd. Butt-welded cans and process for manufacturing the same
JPH05211381A (ja) * 1991-11-12 1993-08-20 Nec Corp 混成集積回路の製造方法
US5359176A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
WO2001051580A1 (fr) * 2000-01-13 2001-07-19 Nitto Denko Corporation Feuille adhesive poreuse, plaquette a semi-conducteurs munie de la feuille adhesive poreuse, et procede de fabrication associe
JP2001241934A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Toshiba Corp 異物検出方法及びプリンタへッドの製造方法
CN100484718C (zh) * 2000-12-01 2009-05-06 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫用缓冲层
JP4302335B2 (ja) * 2001-05-22 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 太陽電池の作製方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015118991A1 (de) * 2015-11-05 2017-05-11 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur Behandlung von Millimeter- und/oder Mikrometer- und/oder Nanometerstrukturen an einer Oberfläche eines Substrats
US11027481B2 (en) 2015-11-05 2021-06-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Method for treating millimetre and/or micrometre and/or nanometre structures on a surface of a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004188475A (ja) 2004-07-08
US20040112880A1 (en) 2004-06-17
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SG111172A1 (en) 2005-05-30

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