JPH05211381A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents

混成集積回路の製造方法

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JPH05211381A
JPH05211381A JP3295354A JP29535491A JPH05211381A JP H05211381 A JPH05211381 A JP H05211381A JP 3295354 A JP3295354 A JP 3295354A JP 29535491 A JP29535491 A JP 29535491A JP H05211381 A JPH05211381 A JP H05211381A
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ceramic
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Nobuo Fukuda
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Abstract

(57)【要約】 【構成】回路パターン形成後、ポリビニルアルコールを
主成分とする水溶液をセラミック基板１全面に塗布，乾
燥して保護膜４とする工程と、レーザービームを照射し
てレーザースクライブ加工溝５加工後に水で保護膜を除
去する工程とを含む。 【効果】回路の損傷やくずの付着が防止できるととも
に、レーザービーム照射により黒化した部分も含め保護
膜が水中浸漬で容易に除去できる。保護膜は、基板全面
に塗布する作業だけで形成できるという利点が有る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路の製造方法
に関し、特にレーザースクライブ加工工程を含む混成集
積回路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より混成集積回路のレーザースクラ
イブ加工は、例えば、図２に示す様に、セラミック基板
１上に薄膜抵抗体２や薄膜容量体を形成した後、セラミ
ック基板１にレーザービームを照射してセラミック基板
１の分割のための溝入れ加工を行いレーザースクライブ
加工溝５を形成している。この時、薄膜抵抗体２や薄膜
容量体の表面は、回路形成時の最終ホトレジスト塗布状
態で部分的保護膜７を形成して行なわれていた。
【０００３】尚、基板がセラミック基板のときは、所定
の深さのレーザー加工溝５を入れた後、機械的な力を加
えてセラミック基板を分割していた。一方、基板が金属
基板の場合は、裏面まで溝が貫通する様にレーザービー
ムを照射して個片に分割していた。このとき、個々の金
属基板は、空気圧で吹き飛ばされない様治具等で固定さ
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のレーザ
ースクライブ加工方法では、レジスト膜による保護状態
が不完全であり、レーザー加工熱により溶けた基板切削
くず粒子が飛散し、回路上及び基板上へ付着、或いは、
回路の薄膜抵抗体や薄膜容量体の一部の保護の無い部分
へ付着し回路の薄膜抵抗体や薄膜容量体を破壊するとい
う問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、基板切削くず粒子が回路
の薄膜抵抗体や薄膜容量体へ付着し破壊するのを防止で
きる混成集積回路の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、混成集積回路
用基板のレーザースクライブ加工工程を含む混成集積回
路の製造方法において、前記混成集積回路用基板全面に
ポリビニルアルコールを主成分とする樹脂保護膜を形成
する工程と、前記樹脂保護膜を通してレーザービームを
照射する工程と、水により前記保護膜を除去する工程と
を含む。
【０００７】
【作用】上述した従来のレーザースクライブ加工時の混
成集積回路の保護膜の構成に対し、本発明は、ポリビニ
ルアルコールを主成分とする樹脂膜を基板全面に形成し
て構成されている。ポリビニルアルコールを主成分とす
る保護膜は、レーザースクライブ用のレーザーのパワー
では部分的に炭化する事が有る程度で後で容易に除去で
きるので、レーザー照射部の保護膜を除去する工程が不
要となる。
【０００８】部分的に炭化した部分は、水中浸漬するだ
けで容易に除去できるので、特殊な薬品を必要としない
利点も有る。
【０００９】また、レーザー照射時の飛散物で保護膜が
損傷を受ける事や基板へ付着する事を防ぐ事もできる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【００１１】図１は本発明の第１の実施例を説明する保
護膜の構成を示す断面図である。
【００１２】第１の実施例は、図１に示すように、基板
にセラミック基板を用いた例てある。
【００１３】まず、回路形成時のホトレジストを除去し
てポリビニルアルコールを主成分とする水溶液をスピン
塗布した後、１４０℃で３０分間熱風乾燥して保護膜４
とする。
【００１４】次に、セラミック基板１の部品搭載面全面
に保護膜４を形成後、パワー１００ＷのＣＯ2 レーザー
ビームを照射してレーザースクライブ加工溝５を加工し
たが、加工時に発生したセラミック切削くず粒子の飛散
による薄膜抵抗体２及び薄膜容量体、更には、薄膜導体
３の破壊や、セラミック粒子の付着は防止された。保護
膜４は、切削部において飛散し、多少の黒化部６が見ら
れたが、２５℃の水に６０秒以上浸漬する事で容易に除
去できた。
【００１５】第２の実施例は、基板に金属基板を用いた
例である。
【００１６】まず、０．３ｍｍ厚のＳＵＳ３０４ステン
レス基板上に絶縁膜を付着して、その上に薄膜回路を形
成した後、第１の実施例と同様に保護膜を形成する。
【００１７】次に、６０ＷのＹＡＧレーザービームを照
射して、ステンレス基板を個片に分割した後、第１の実
施例と同様に保護膜を水中に浸漬したところ、薄膜回路
の損傷，付着物の付着は防止されていた。また、保護膜
も容易に除去されていた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、レーザース
クライブ加工時に飛散する基板のくずに対し、ポリビニ
ルアルコールを主成分とする保護膜を基板全面に形成す
る事により、薄膜抵抗体や薄膜容量体、更には薄膜導体
の破壊、或いは、くずの付着を防止するという効果があ
る。
【００１９】更に、本発明の保護膜は、レーザースクラ
イブで使用する程度のパワーのレーザービームで炭化固
着する事なく、水で容易に除去できるので基板全面に塗
布する作業だけで、保護膜の形成ができるという効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を説明する保護膜の構成
を示す断面図である。
【図２】従来の混成集積回路の製造方法を説明する保護
膜の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ セラミック基板 ２ 薄膜抵抗体 ３ 薄膜導体 ４ 保護膜 ５ レーザースクライブ加工溝 ６ 黒化部 ７ レジスト膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 混成集積回路用基板のレーザースクライ
    ブ加工工程を含む混成集積回路の製造方法において、前
    記混成集積回路用基板全面にポリビニルアルコールを主
    成分とする樹脂保護膜を形成する工程と、前記樹脂保護
    膜を通してレーザービームを照射する工程と、水により
    前記保護膜を除去する工程とを含む事を特徴とする混成
    集積回路の製造方法。
JP3295354A 1991-11-12 1991-11-12 混成集積回路の製造方法 Withdrawn JPH05211381A (ja)

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