KR100847933B1 - 스크라이빙 동안의 보호층 - Google Patents
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Abstract
회로 기판의 표면 상의 복수의 노출된 접촉점 위에 화학적 가용성 코팅을 형성하는 단계, 스크라이빙 영역을 따라 상기 기판의 상기 표면을 스크라이빙하는 단계, 및 스크라이빙 후 상기 코팅의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 방법을 개시한다. 또한, 표면 상에 복수의 노출된 접촉점을 포함하는 회로 구조를 형성하는 단계(상기 노출된 접촉점의 위치는 복수의 스크라이빙 스트리트에 의하여 정의됨), 상기 노출된 접촉점 상에 화학적 가용성 물질을 포함하는 코팅을 형성하는 단계, 상기 스크라이빙 스트리트를 따라 상기 기판의 상기 표면을 스크라이빙하는 단계, 및 스크라이빙 후 상기 코팅을 제거하는 단계를 포함하는 방법을 개시한다. 또한, 화학적 가용성 물질로 복수의 노출된 접촉점을 포함하는 회로 기판의 표면을 코팅하는 단계, 스크라이빙 영역을 따라 상기 기판의 상기 표면을 스크라이빙하는 단계, 상기 코팅을 제거하는 단계, 및 상기 스크라이빙 영역 내에서 상기 기판을 절단하는 단계를 포함하는 방법을 개시한다.
회로 제조, 회로 기판, 화학적 가용성 코팅, 스크라이빙
Description
회로 제조.
스크라이빙 공정(scribe process)은 기판(substrate)을 각각의 칩이나 다이로 절단(saw)하기 전에 회로 기판(예컨대, 웨이퍼)에 선을 긋는데 사용된다. 현재 기술에 따르면, 스크라이빙 공정은, 절단 동작 전에 기판에 선을 긋기 위하여 자외선 레이저{전형적으로 이트륨 알루미늄 가넷(YAG) 레이저}를 사용한다. 절단하기 전의 스크라이빙에 의하여, 기판을 분할 또는 분리하기 위하여 스크라이빙 영역을 통해 절단하는 절단 공정(sawing process)은 일반적으로 기판 상의 박막(전형적으로 유전체 박막)을 손상시키지 않아도 된다. 스크라이빙 공정 동안, 기판(예컨대, 실리콘 기판)에서의 금속층 또는 유전층(예컨대, 낮은 유전 상수의 유전층)을 제거함으로써 지정된 영역 또는 스트리트(street)에 스크라이빙이 생성된다. 전형적으로 레이저 스크라이빙 공정은 제거된 물질(주로 약간의 탄소를 가지는 실리콘)을 파편으로 발생시킨다. 이 파편은 기판의 표면에 떨어지기 쉽다. 일반적으로 기판의 표면은 표면 상에 다수의 노출된 접촉점(예컨대, 범프 접촉점)을 가진다. 따라서, 파편은 접촉점 위에 떨어지기 쉬우며, 접촉면에 들러붙을 수 있다. 접촉면의 이러한 오염은 패키징(packaging) 동안 접촉점이 후속적인 접촉점과 결합되는 것을 막으며, 이는 논 웨트 결함(non-wet defect)이라 불리는 특징을 이끌어낸다.
이하의 상세한 설명, 첨부된 청구범위, 및 첨부된 도면으로부터 실시예의 특징 및 장점들이 더 명백해질 것이다.
도 1은 스크라이빙 스트리트(scribe street)에 의하여 분리되어 형성된 다수의 분리된 회로 구조를 가지는 웨이퍼의 일부 평면도.
도 2는 도 1의 구조의 A-A' 선에 따른 일부 단면도.
도 3a는 한 실시예에 따라 구조의 표면에 화학적 가용성 코팅을 도입한 후 도 2의 구조를 나타낸 도면.
도 3b는 다른 실시예에 따라 구조의 표면에 화학적 가용성 코팅을 도입한 후 도 2의 구조를 나타낸 도면.
도 4는 도 3a의 구조 및 스크라이빙 공정을 나타낸 도면.
도 5는 습식 절단 공정 동안 도 4의 구조를 나타낸 도면.
도 6은 습식 절단 공정 후 도 5의 구조를 나타낸 도면.
도 7은 패키지에 연결된 다이 또는 칩의 측면도.
도 1은 그 안에 또는 그 위에 다수의 분리된 회로 구조를 가진 웨이퍼와 같은 기판의 일부의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 구조의 A-A' 선에 따른 단면도이다. 도 1 및 도 2에 따르면, 구조(100)는 예컨대 유리와 같은 절연체 위의 반도체층 또는 실리콘과 같은 반도체 물질의 기판(105)을 포함한다. 구조(100)는, 이 점에서 연결되고 개별적으로 나타나는 다수의 회로 구조(다이 또는 칩)를 가진 웨이퍼 수준에서의 구조의 일부이다. 각각의 회로 구조{예컨대, 다이 또는 칩(110A, ..., 110I)}는, 회로 구조를 기판으로부터 각각의 다이 또는 칩으로 분리하기 위하여 분리 영역(singulation area)으로 사용되는 스크라이빙 스트리트(120)에 의하여 기판(105) 상에서 분리된다. 도 1은 다이 또는 칩(110A, 110B, 110C, 110D, 110E, 110F, 110G, 110H, 및 110I)을 도시하고 있다. 각 회로 구조{예컨대, 다이 또는 칩(110A, ..., 110I)}는 기판(105) 내 및 기판(105) 상에서 형성된 다수의 회로 장치와, 기판(105) 상에서 형성되고 각각의 다이 또는 칩 상의 장치와 연결하는 하나 이상의 상호 접속층(interconnection layer)을 가질 수 있다. 각 회로 구조의 상부 표면은 다수의 접촉점을 포함할 수 있는데, 이 예에 따르면 접촉점은 다이 또는 칩과 무관한 신호를 송신 또는 수신하기 위하여 땜납 또는 유사한 도전성 물질 범프(bump)를 포함한다. 도 2에서 도시된 바와 같이, 범프(115)는 각각의 다이 또는 칩의 표면으로부터 돌출하며, 각각의 다이 또는 칩의 표면 상에 노출된다. 도 2에서 도시된 바와 같이, 각각의 범프는 기판의 표면으로부터, 75 마이크론 정도의 높이 T1 만큼 돌출한다. 각각의 범프(115)는, 다른 경우라면 기판(100)의 표면을 덮는 유전 물질에 의하여 둘러싸일 수 있다.
도 3a는 구조(100)의 표면에 화학적 가용성 코팅을 도입한 후 도 2의 구조를 도시하고 있다. 한 실시예에 따르면, 화학적 가용성 코팅(130)은, 기판의 표면으로부터의 범프(115)의 돌출 높이 T1보다 큰 두께 T2로 증착된다. 이러한 방식으로, 화학적 가용성 코팅(130)은 (도시된 바와 같이) 범프(115) 위를 덮는다(overlie). 다른 실시예에 따르면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 화학적 가용성 코팅(130)은 비교적 합치하는(conformal) 코팅으로 증착되는데, 구조(100)의 표면과 위를 덮는 범프(115)에 합치한다. 화학적 가용성 코팅(130)의 전형적인 두께는 5 내지 35 마이크론(㎛) 정도이고, 이 실시예에 따르면, 범프(115)를 덮을 만큼 충분히 두껍지만 화학적 가용성 코팅(130)이 적당한 시간 내에 후속적으로 제거될 수 없을 정도로 두껍지는 않다. 도시된 바와 같이, 화학적 가용성 코팅(130)은 스크라이빙 스트리트(120) 뿐만 아니라 구조의 각 회로 구조(110)도 덮는다.
한 실시예에 따르면, 화학적 가용성 코팅(130)의 물질은 기판 표면으로부터 후속적으로 제거될 수 있는 물질이다. 자외선 레이저 스크라이빙 공정이 구조(100)를 스크라이빙 하기 위하여 사용되는 경우, 화학적 가용성 코팅(130) 물질은, 후속적인 스크라이빙 공정(예컨대, YAG 레이저 스크라이빙 공정)을 막지 않도록, 자외선에 대하여 투명하여야 한다. 마지막으로, 한 실시예에 따르면, 화학적 가용성 코팅(130) 물질은, 제거하는 동안 추가적인 주의 조치를 취할 필요가 없도록 환경적으로 무독성 무해하여야 한다. 적절한 화학적 가용성 코팅 물질(130)에는 메틸셀룰로오스(methyl cellulose), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 및 수지 플럭스(resin flux)와 같은 친수성 코팅을 포함하는 유기 코팅이 포함된다. 이러한 물질들은 자외선에 대하여 투명하고, 물로 제거될 수 있으며, 환경적으로 무독 무해하다. 한 실시예에 따르면, 메틸셀룰로오스, 폴리비닐알코올, 또는 수지 플럭스와 같은 물질의 화학적 가용성 코팅(130)은 방사(spinning), 정전 분무(electrostatic spraying) 등을 포함하는 다양한 코팅 기술로 기판 표면에 가해질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
도 4는 도 3a의 구조 및 스크라이빙 스트리트(120)에서의 스크라이빙 공정을 도시하고 있다. 한 실시예에 따르면, 기판(105)을 스크라이빙 하는데 YAG 레이저가 사용되는 레이저 스크라이빙 공정이 사용된다. 스크라이빙 공정은, 기판이 제거됨에 따라 화학적 가용성 코팅(130) 상에 떨어지는, 주로 실리콘과 탄소인 파편을 발생시키는 경향이 있다.
도 5는 도 4의 구조 및 절단 공정(sawing process)을 도시하고 있다. 한 실시예에 따르면, 절단 공정은 톱(saw; 140)과 물(145)을 사용한다(습식 절단 공정). 톱(140)은 회로 구조{예컨대, 다이 또는 칩(110A, ..., 110I)}를 분리하기 위하여 기판(105)을 절단한다. 한 실시예에 따르면, 화학적 가용성 코팅이 수용성인 경우, 절단 공정에서 사용되는 물은 화학적 가용성 코팅(130) 물질을 제거하는 데에도 사용될 수 있다. 이와 달리, 화학적 가용성 코팅(130)은 절단 공정 전 또는 후에 물 또는 기타 용제로 헹굼으로써 제거될 수 있다.
도 6은 각각의 회로 구조의 분리 후 도 5의 구조를 도시하고 있다. 다이 또는 칩(110A), 다이 또는 칩(110B), 및 다이 또는 칩(110C)이 도 6에서 도시되고 있다. 또한 도 6은 화학적 가용성 코팅(130) 제거 후의 각 회로 구조를 도시하고 있다. 이러한 방식으로, 접촉점{범프(115)}이 노출된다. 스크라이빙 공정 동안 발생된 모든 파편은 화학적 가용성 코팅(130)이 제거될 때 함께 제거된다.
도 7은 패키지(150) 상에 마운팅된 다이 또는 칩(110A)을 도시하고 있다. 이 실시예에 따르면, 마운팅 방법은 다이 또는 칩(110A)의 범프(115)를 대응하는 패키지(150)의 범프(155) 또는 접촉점과 접촉하는 단계를 포함한다. 접촉점 사이의 접촉이 이루어지면, 리플로우 공정(reflow process)이 다이 또는 칩(110A)을 패키지(150)에 결합시키는데 사용될 수 있다. 스크라이빙 공정 동안 화학적 가용성 코팅(130)을 사용함으로써, 접촉점 또는 범프(115)에 떨어지는 제거된 물질의 능력이 최소화된다. 따라서, 예를 들면, 다이 또는 칩이 패키지에 연결될 때 결함이 발생할 확률이 최소화된다(예컨대, 논 웨트의 수가 최소화됨).
이상에서 구체적인 실시예가 기술되었다. 그러나, 청구범위의 넓은 범위 및 의도를 떠나지 않고도 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있다는 점이 명백할 것이다. 따라서, 발명의 상세한 설명 및 도면은 한정적인 의미라기 보다는 예시적인 의미로 간주될 것이다.
Claims (18)
- 회로 기판의 표면 상의 복수의 노출된 접촉점 위와 상기 표면 상에 상기 복수의 접촉점의 일부의 표면 돌출 거리보다 더 큰 두께로 화학적 가용성 코팅(chemically soluble coating)을 형성하는 단계;스크라이빙 영역(scribe areas)을 따라 상기 기판을 통과하여 스크라이빙하는 단계 - 상기 스크라이빙 단계는 레이저를 이용하는 단계 및 상기 코팅 위에 파편을 생성하는 단계를 포함함 -; 및스크라이빙 후, 상기 파편을 제거하고 상기 복수의 접촉점 및 상기 표면을 노출시키기 위해 용해 과정(dissolution process)에 의해 상기 코팅을 제거하는 단계와, 상기 코팅을 제거하는 단계 이전 또는 그와 동시에 상기 스크라이빙 영역을 따라 톱으로 상기 기판을 완전히 절단하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 접촉점의 일부는 각각 상기 표면 상에 돌출한 범프(bump)를 포함하는 방법.
- 제2항에 있어서,상기 코팅은 5 내지 35 마이크론의 두께를 가지는 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 기판을 절단하는 단계와 상기 코팅을 제거하는 단계는 동시에 이루어지는 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 화학적 가용성 코팅의 물질은 메틸셀룰로오스, 폴리비닐알코올, 및 수지 플럭스로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 기판의 표면 상에 복수의 노출된 접촉점을 포함하는 회로 구조를 형성하는 단계 - 상기 노출된 접촉점의 위치는 복수의 스크라이빙 스트리트(scribe street)에 의하여 정의됨 -;상기 노출된 접촉점 위와 상기 표면 상에 상기 복수의 접촉점의 일부의 표면 돌출 거리보다 더 큰 두께로 화학적 가용성 물질을 포함하는 코팅을 형성하는 단계;레이저를 이용하여 상기 스크라이빙 스트리트를 따라 상기 기판을 통과하여 스크라이빙하는 단계; 및스크라이빙 후, 액체 용해 과정(water dissolution process)에 의하여 상기 접촉점 상의 영역에서 상기 코팅을 제거하고 상기 표면으로부터 상기 코팅 두께를 제거하며, 상기 접촉점 상의 영역에서 상기 코팅을 제거하고 상기 표면으로부터 상기 코팅 두께를 제거하기 이전 또는 그와 동시에 상기 스크라이빙 스트리트를 따라 상기 기판을 톱으로 완전히 절단하는 단계를 포함하는 방법.
- 삭제
- 제9항에 있어서,상기 기판의 절단과, 상기 접촉점 상의 영역에서 상기 코팅의 제거 및 상기 표면으로부터의 상기 코팅 두께의 제거가 동시에 이루어지는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 접촉점 상의 영역에서의 상기 코팅의 제거 및 상기 표면으로부터의 상기 코팅 두께의 제거는 전체 코팅을 제거하는 단계를 포함하는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 코팅의 상기 물질은 메틸셀룰로오스, 폴리비닐알코올, 및 수지 플럭스로 구성된 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 화학적 가용성 물질로 복수의 노출된 접촉점을 포함하는 회로 기판의 표면을 코팅하는 단계;스크라이빙 영역을 따라 상기 기판의 상기 표면을 스크라이빙하는 단계 - 상기 스크라이빙 단계는 레이저를 이용하는 단계 및 상기 코팅 위에 파편을 생성하는 단계를 포함함 -;용해 과정 중 상기 코팅 전체를 제거함으로써 상기 파편을 제거하고 상기 복수의 접촉점을 노출하기 위해 상기 코팅을 제거하는 단계; 및상기 스크라이빙 영역 내에서 상기 기판을 완전히 절단하는 단계 - 상기 절단 단계는 상기 코팅을 제거하는 단계 이전 또는 그와 동시에 톱을 이용하여 수행됨 -를 포함하는 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 코팅 물질은 유기 코팅인 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절단 단계는 상기 코팅을 제거하는 단계 이전에 상기 스크라이빙 영역을 따라 상기 기판을 톱으로 완전히 절단하는 단계를 포함하는 방법.
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US8236592B2 (en) * | 2007-01-12 | 2012-08-07 | Globalfoundries Inc. | Method of forming semiconductor device |
US7858493B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Cleaving edge-emitting lasers from a wafer cell |
US7749809B2 (en) * | 2007-12-17 | 2010-07-06 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits |
US8048781B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-11-01 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits |
US20100015329A1 (en) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts |
US8609512B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-12-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates |
US8524537B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-09-03 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming protective coating material over semiconductor wafer to reduce lamination tape residue |
JP5589576B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-09-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体基板 |
US9082633B2 (en) * | 2011-10-13 | 2015-07-14 | Xilinx, Inc. | Multi-die integrated circuit structure with heat sink |
US20150037915A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Wei-Sheng Lei | Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process |
US9917011B2 (en) * | 2014-05-19 | 2018-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor wafer, semiconductor device diced from semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05211381A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-08-20 | Nec Corp | 混成集積回路の製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615951A (en) * | 1969-06-20 | 1971-10-26 | Ibm | Method for etching copper |
US4842662A (en) * | 1988-06-01 | 1989-06-27 | Hewlett-Packard Company | Process for bonding integrated circuit components |
JP2644069B2 (ja) | 1990-07-09 | 1997-08-25 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5286343A (en) | 1992-07-24 | 1994-02-15 | Regents Of The University Of California | Method for protecting chip corners in wet chemical etching of wafers |
US5543365A (en) | 1994-12-02 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon |
US5597767A (en) * | 1995-01-06 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Separation of wafer into die with wafer-level processing |
US5641416A (en) | 1995-10-25 | 1997-06-24 | Micron Display Technology, Inc. | Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies |
JPH1027971A (ja) | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Nec Corp | 有機薄膜多層配線基板の切断方法 |
US6465329B1 (en) * | 1999-01-20 | 2002-10-15 | Amkor Technology, Inc. | Microcircuit die-sawing protector and method |
US6420245B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for singulating semiconductor wafers |
JP3610887B2 (ja) * | 2000-07-03 | 2005-01-19 | 富士通株式会社 | ウエハレベル半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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US6506681B2 (en) * | 2000-12-06 | 2003-01-14 | Micron Technology, Inc. | Thin flip—chip method |
JP4856328B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-01-18 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
SG139508A1 (en) * | 2001-09-10 | 2008-02-29 | Micron Technology Inc | Wafer dicing device and method |
US6838299B2 (en) * | 2001-11-28 | 2005-01-04 | Intel Corporation | Forming defect prevention trenches in dicing streets |
US6746890B2 (en) * | 2002-07-17 | 2004-06-08 | Tini Alloy Company | Three dimensional thin film devices and methods of fabrication |
US6919420B2 (en) * | 2002-12-05 | 2005-07-19 | International Business Machines Corporation | Acid-cleavable acetal and ketal based epoxy oligomers |
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