JP4531475B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本発明のレジスト組成物は、水溶性単独重合体と、水、若しくは水と相溶性があり水溶性単独重合体が可溶な溶剤とを含む。
これは、ポリビニルアルコールが、半導体装置製造工程における乾式エッチング時の保護膜として適した物質である為である。
本発明のレジスト組成物は、半導体装置作製工程における様々な加工工程で使用できる。例えば、描画手段を用いて本発明のレジスト組成物を吐出し形成した保護膜は、エッチング工程におけるマスクや、不純物添加工程におけるマスクとして用いることができる。
11 半導体膜
12 保護膜
13 半導体膜
14 ゲート絶縁膜
15 導電膜
16 保護膜
17a 高濃度不純物領域
17b 高濃度不純物領域
18 ゲート電極
19 層間絶縁膜
20a 配線
20b 配線
30 基板
31 導電膜
32 保護膜
33 ゲート電極
34 ゲート絶縁膜
35 半導体膜
36 半導体膜
37 導電膜
38 保護膜
39 電極
40 配線
901 TFTアレイ基板
902 対向基板
903a 配向膜
903b 配向膜
906 遮光膜
905 対向電極
906a 配向膜
906b 配向膜
907 基板
908 液晶層
909 TFT
911 TFTアレイ基板
912 対向基板
913a 配向膜
913b 配向膜
916 遮光膜
915 対向電極
916a 配向膜
916b 配向膜
917 基板
918 液晶層
919 TFT
1001 画素部
1002 接続配線群
1003 外部入出力端子
1004 シール材
1005 フレキシブルプリント配線板
1006 TFTアレイ基板
1007 対向基板
5501 筐体
5502 支持台
5503 表示部
5511 本体
5512 表示部
5513 音声入力
5514 操作スイッチ
5515 バッテリー
5516 受像部
5521 本体
5522 筐体
5523 表示部
5524 キーボード
5531 本体
5533 表示部
5535 外部インターフェイス
5534 操作ボタン
5532 スタイラス
5551 本体
5552 表示部(A)
5553 接眼部
5554 操作スイッチ
5555 表示部(B)
5556 バッテリー
5561 本体
5564 表示部
5562 音声出力部
5565 操作スイッチ
5566 アンテナ
Claims (4)
- 半導体膜を形成し、
描画手段を用いて非感光性レジスト組成物を吐出することにより前記半導体膜上に保護膜を形成し、
加熱処理により前記保護膜に含まれる溶剤を除去し、
前記保護膜をマスクとして前記半導体膜をエッチングし、
水によって前記保護膜を除去し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記非感光性レジスト組成物は、ポリビニルアルコールと水とを含み、
前記エッチングは、四フッ化炭素と酸素とを含む雰囲気中のプラズマ処理によってなされることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記非感光性レジスト組成物は、粘度が7〜20mPa・sであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または2において、
前記非感光性レジスト組成物は、平均重合度500のポリビニルアルコールを5〜10重量%、水を90〜95重量%含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記加熱処理を減圧下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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