JP2003133691A - 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 - Google Patents

膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

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JP2003133691A
JP2003133691A JP2001323701A JP2001323701A JP2003133691A JP 2003133691 A JP2003133691 A JP 2003133691A JP 2001323701 A JP2001323701 A JP 2001323701A JP 2001323701 A JP2001323701 A JP 2001323701A JP 2003133691 A JP2003133691 A JP 2003133691A
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substrate
forming
film pattern
liquid
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Takashi Hashimoto
貴志 橋本
Masahiro Furusawa
昌宏 古沢
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】インクジェット法による膜パターンの形成方法
を改善し、簡単な工程で効率よく厚膜化を達成し、細線
化の要請も満たし、しかも、導電膜とした場合に断線や
短絡等の問題を生じない膜パターンの形成方法を提供す
る。 【解決手段】第１吐出工程では、液滴を配線形成領域全
体に前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きい
ピッチで吐出する。第２吐出工程では、前記液滴を前記
配線形成領域全体の前記第１吐出工程における吐出位置
と異なる位置に前記第１吐出工程と同じピッチで吐出す
る。第３吐出工程では、前記液滴を配線形成領域全体に
前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで
吐出する。前記基板は、予め前記液滴との接触角が６０
［ｄｅｇ］以上となるように処理をしておく。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極、アンテナ、
電子回路、集積回路などの配線に使われる導電膜配線
や、シリコン膜パターン等の膜パターンの形成方法及び
形成装置に関する。また、本発明は、導電膜配線、電気
光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子回路または集積回路などに使われる
配線の製造には、例えばリソグラフィー法が用いられて
いる。このリソグラフィー法は、予め導電膜を塗布した
基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パタ
ーンを照射して現像し、レジストパターンに応じて導電
膜をエッチングすることで配線を形成するものである。
このリソグラフィー法は真空装置などの大掛かりな設備
と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度
でそのほとんどを捨ててしまわざるを得ず、製造コスト
が高かった。
【０００３】これに対して、米国特許５１３２２４８号
では、導電性微粒子を分散させた液体をインクジェット
法にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレー
ザー照射を行って導電膜パターンに変換する方法が提案
されている。この方法によれば、フォトリソグラフィー
が不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになると共
に、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがあ
る。
【０００４】しかしながら、配線として使用するために
は、導電性微粒子がある程度重なって厚膜化されて形成
されることが必要である。すなわち、導電性微粒子が重
なっていないと、導電性微粒子が互いに接触していない
部分が断線等の原因となってしまう。また、厚膜化が不
十分であると電気抵抗が高くなり、伝導性に劣る配線と
なってしまう。ところが、導電性微粒子を分散させた液
体をインクジェット法にて基板に直接パターン塗布する
方法では、導電性微粒子を分散させた液体を用いるた
め、一定量の液体の吐出で塗布できる導電性微粒子の量
には吐出時の粘度等の点から限界がある。一方、一度に
多量の液体を吐出しようとすると、配線の形成位置の制
御が難しくなると共に、配線の線幅が太くなり電子回路
等の集積化の要請に反してしまう。
【０００５】そこで、インクジェット法による導電膜配
線を適切に行うために、特開昭５９−７５２０５に開示
されているように、基板上にバンク（隔壁）を設けて、
吐出された液滴の位置を制御する方法が提案されてい
る。バンクを用いると、ある程度まとまった吐出量で吐
出しても、基板上に吐出された液滴はバンクとバンクと
の間に留まり、線幅３０μｍ程度の配線を１μｍ程度の
位置精度で形成することが可能である。しかしながら、
このようなバンクはフォトリソグラフィーを用いて形成
する必要があるため、コスト高につながってしまう。
【０００６】また、予め撥液部と親液部のパターンを形
成した基板の親液部に、インクジェット法により選択的
に液体材料を吐出することも提案されている。この場
合、導電性微粒子を分散させた液体は、親液部に留まり
易いため、バンクを形成することなく、位置精度を保っ
て配線を形成することが可能である。しかしながら、こ
の方法ではマスク等を用いた親液部、撥液部のパターン
形成の工程が必要であると共に、親液パターン上に正確
に塗布するためのアライメントマークを設ける工程も必
要となりプロセスが煩雑となる。また、親液部への吐出
であるため液滴が濡れ広がり、膜厚の厚い導電膜の形成
が困難となる。そこで、膜厚を厚くするために、吐出回
数を多くすることも考えられるが、液体に対する撥液部
の撥液性を相当に高くしないと、液体を親液部内に収め
ることが困難となる。さらに、形成される配線の線幅
は、基板の親液部の幅に限定される。
【０００７】また、バンク形成も、撥液部と親液部のパ
ターン形成も、いずれも必要としない方法として、本発
明者らは、先に導電性微粒子を分散させた液体と基板と
の接触角を３０［ｄｅｇ］以上６０［ｄｅｇ］以下に制
御する方法を提案した（特願２００１−１９３６７
９）。この発明は、接触角を３０［ｄｅｇ］以上とする
ことにより、基板着弾後の液体の濡れ広がりを抑えて厚
膜化を可能とすると共に、接触角を６０［ｄｅｇ］以下
とすることにより、基板上に着弾した液滴が既に基板上
にある液滴と合体して液だまり（バルジ）を生じ、断
線、短絡等の問題を引き起こすことを防ぐものである。
本発明者らは、上記出願において、バルジの発生を一層
回避するため、吐出する液滴と液滴との重なりが、液滴
の直径の１〜１０％となるように、吐出間隔を制御する
ことも提案した。さらに、吐出された液体を乾燥後、そ
の上に重ね塗りをすることも提案した。この場合、液体
が乾燥した部分は親液性を有するので、後から吐出する
液体が、液体が乾燥した部分に留まりやすく、一層の厚
膜化が可能となるものである。
【０００８】ここで、バルジと断線、短絡との関係につ
いて説明する。図１３は、導電膜配線Ａ１〜Ａ４におい
て、バルジＢ１、Ｂ２、Ｂ３が発生した状態を示すもの
である。図１３に示すように、導電膜配線Ａ１上におい
て発生したバルジＢ１が隣の導電膜配線Ａ２に接触する
ことにより、導電膜配線Ａ１と導電膜配線Ａ２とがＸ１
において短絡している。また、バルジＢ１は、周囲の液
滴が引き寄せられて発生するため、導電膜配線Ａ１に
は、Ｘ２において断線が発生している。このように、バ
ルジの発生は、導電膜配線の性能上、致命的な欠陥を招
くものである。
【０００９】しかしながら、上記特願２００１−１９３
６７９に係る方法は、バルジの発生は抑制されるもの
の、基板の撥液性が６０［ｄｅｇ］以下とあまり大きく
ないため、導電性微粒子を分散させた液体が基板着弾後
に濡れ広がることを抑える効果が充分でなかった。その
ため、厚膜化、細線化の要請を満たすために、一層の改
善が求められていた。また、液体を乾燥後に重ね塗りを
する場合も、基板の撥液性が６０［ｄｅｇ］以下とあま
り大きくないため、液体を乾燥して親液性となった部分
との撥水性の差が充分でなかった。そのため、重ね塗る
ときの液量が多すぎると、先に液体を乾燥した部分に留
まらず、液体が基板上に流れ落ちてしまいやすく、線幅
が太くなってしまうという問題があった。
【００１０】次に、集積回路、薄膜トランジスタに応用
されるシリコン薄膜のパターン形成は、熱ＣＶＤ法、プ
ラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などにより基板全面にアモ
ルファスやポリシリコンの膜を形成した後、フォトリソ
グラフィーにて不要なシリコン膜部分を除去することに
よって行われるのが一般的である。
【００１１】しかしこれらのＣＶＤ法とフォトリソグラ
フィーによるシリコン薄膜パターンの形成においては、
プロセス面では以下の点で更なる改良が待たれていた。 気相反応を用いるため気相でシリコンの粒子が発生す
るため装置の汚染や異物の発生による生産歩留まりが低
い。 原料がガス状であるため、表面に凹凸のある基板上に
は均一膜厚のものが得られにくい。 膜の形成速度が遅いため生産性が低い。 プラズマＣＶＤ法においては複雑で高価な高周波発生
装置や真空装置などが必要である。 フォトリソグラフィーはプロセスが複雑であり、原料
の使用効率も低く、レジストやエッチング液などの大量
の廃棄物が発生する。
【００１２】また、材料面では毒性、反応性の高いガス
状の水素化ケイ素を用いるため取り扱いに難点があるの
みでなく、ガス状であるため密閉状の真空装置が必要で
ある。一般にこれらの装置は大掛かりなもので装置自体
が高価であるのみでなく、真空系やプラズマ系に多大の
エネルギーを消費するため製品のコスト高に繋がってい
る。
【００１３】これに対して、あらかじめ撥液部と親液部
のパターンを形成した基板上に、有機ケイ素化合物を含
有した液体をインクジェット法によって親液部のみに選
択的に液体を塗布し、その後の熱処理などによってシリ
コン膜パターンに変換することによって、簡単な工程で
精度よくシリコン膜パターンを形成する方法も提案され
ている。しかしながら、この方法ではマスク等を用いた
親液部、撥液部のパターン形成の工程が必要であると共
に、親液パターン上に正確に塗布するためのアライメン
トマークを設ける工程も必要となりプロセスが煩雑とな
る。また、シリコン膜パターンも、膜の一様性を保つた
めある程度の膜厚が必要であるが、親液部への吐出であ
るため液滴が濡れ広がり、膜厚を厚くすることが困難と
なる。そこで、吐出回数を多くすることも考えられる
が、液体に対する撥液部の撥液性を相当に高くしない
と、液体を親液部内に収めることが困難となる。さら
に、形成されるシリコーン膜パターンの幅は、基板の親
液部の幅に限定される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、インクジェット法による膜パター
ンの形成方法を改善し、簡単な工程で効率よく厚膜化を
達成し、細線化の要請も満たし、しかも、導電膜とした
場合に断線や短絡等の問題を生じない膜パターンの形成
方法及び形成装置を提供することを課題とする。また、
膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生
じにくく、しかも微細に形成可能な導電膜配線を提供す
ることを課題とする。さらに、配線部の断線や短絡等の
不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な電
気光学装置及びこれを用いた電子機器並びに非接触型カ
ード媒体を提供することを課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の膜パターンの形
成方法は、膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、
基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成
する膜パターンの形成方法であって、複数の液滴を、前
記膜形成領域全体に、前記基板上に着弾した後の液滴の
直径よりも大きいピッチで吐出する第１吐出工程と、複
数の液滴を、前記膜形成領域全体の前記第１吐出工程に
おける吐出位置と異なる位置に、前記基板上に着弾した
後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第２
吐出工程とを有することを特徴とする。
【００１６】ここで「膜形成領域」とは膜パターンを形
成すべき領域のことで、主として単一又は複数の直線で
構成される。また、「前記膜形成領域全体」とは、膜形
成領域の全面を意味するものではなく、膜形成領域の特
定領域（例えば、左右に引かれた直線の右半分等）のみ
に偏らない全体を意味する。また、「前記基板上に着弾
した後の液滴の直径」とは、吐出された液滴が基板上に
着弾した後に自然に広がり、その後乾燥に伴って縮小す
る間の最大直径をいう。すなわち、「前記基板上に着弾
した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する」こ
とにより、続けて吐出する液滴が、着弾後に自然に広が
った後も、互いに離間して接しないように吐出すること
を意味する。また、「異なる位置」とは、液滴の中心位
置が異なることを意味し、第１工程によって吐出される
液滴と第２工程によって吐出される液滴とは、互いに部
分的に重なるか、あるいは完全に重ならないものであ
る。
【００１７】本発明によれば、第１吐出工程において
も、第２吐出工程においても、液滴と液滴とが基板上の
膜形成領域に互いに離間して吐出される。そのため、液
滴が互いに合体してバルジを生じることがない。また、
第１吐出工程と第２吐出工程とで吐出位置が異なるた
め、第１吐出工程による液滴の間隙を第２吐出工程によ
り埋めていくことができる。なお、第２吐出工程におい
て吐出される液滴が第１吐出工程において吐出された液
滴と部分的に重なることは差し支えない。すなわち、第
１吐出工程において吐出された液滴は、ある程度、又は
完全に乾燥が進行しているので、両工程の液滴が互いに
合体してバルジを生じる危険性が、同一の工程で重なり
合う液滴を続けて吐出する場合と比較して低くなるから
である。本発明によれば、バルジが生じる危険性が軽減
されるので、基板の撥液性を高め、基板と液体との接触
角を大きくすることができる。そのため、細線化、厚膜
化が可能となる。また、インクジェット法によるため、
基板が平坦でなく凹凸のあるものであっても膜を形成す
ることができる。そのため、例えば、段差のある箇所を
またいで配線等の膜を形成することも可能である。
【００１８】本発明において、前記第２吐出工程におけ
るピッチは、前記第１吐出工程におけるピッチと略同一
であることが好ましい。これにより、工程を簡略化し、
作業効率を向上させることができる。ただし、前記第２
吐出工程におけるピッチを、前記第１吐出工程における
ピッチと略同一とすることは絶対的な要件ではない。た
とえば、第２吐出工程におけるピッチを第１吐出工程に
おけるピッチの略２倍としたり、１／２倍としたりする
ことも可能である。
【００１９】本発明において、前記第１吐出工程におけ
るピッチは、前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２
倍以下であることが好ましい。この場合、第１吐出工程
と第２吐出工程のみで、連続した線状の膜パターンを形
成できるので、工程を簡略化し、作業効率を向上させる
ことができる。なお、前記第１吐出工程におけるピッチ
が、前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２倍を越え
る場合には、第２吐出工程の後に、さらに、別の吐出工
程を１回以上行うことによって、連続した線状の膜パタ
ーンを形成することができる。
【００２０】本発明において、前記第１吐出工程におけ
るピッチが、前記基板上に着弾した後の液滴の直径より
も１０μｍ以上大きいことが好ましい。これにより、液
滴の着弾位置の誤差を考慮しても、続けて吐出する液滴
が互いに離間して接しないように吐出することを確実に
行うことができる。
【００２１】本発明において、前記第２吐出工程の後
に、前記液体の複数の液滴を、前記膜形成領域全体に、
前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで
吐出する第３吐出工程を有することが好ましい。第１吐
出工程及び第２吐出工程により吐出した液滴が完全に、
又はある程度乾燥した部分は親液性が付与されており、
第３吐出工程により吐出される液体がなじみやすい。そ
のため、本発明によれば、第３吐出工程により吐出され
る液滴を膜形成領域に留めることが容易になる。したが
って、第３吐出工程におけるピッチは、第１吐出工程に
おけるピッチよりも小さいピッチで吐出することが可能
となり、厚膜化を効率的に進めることが可能となるもの
である。特に、前記第３吐出工程におけるピッチは、前
記基板上に着弾した後の液滴の直径以下とすることが好
ましい。すなわち、第３吐出工程における液滴は、着弾
後互いに接触するようなピッチとすることが好ましい。
これにより、厚膜化を効率的に進めることが可能となる
ものである。
【００２２】なお、第３吐出工程は、第１吐出工程及び
第２吐出工程による液滴ができるだけ乾燥した後に行う
ことが好ましいが、完全に乾燥するまで待つ必要はな
い。完全でなくともある程度乾燥が進行していれば、異
なる吐出工程間の液滴が互いに合体してバルジを生じる
危険性が、同一の工程で重なり合う液滴を続けて吐出す
る場合と比較して低くなるからである。また、第３吐出
工程は、第１吐出工程及び第２吐出工程によって、ある
いは第１吐出工程及び第２吐出工程の後に、さらに別の
吐出工程を１回以上行うことによって、連続した線状の
膜パターンが形成されてから行うことが好ましい。これ
により、第３吐出工程により吐出される液滴を膜形成領
域に留めることがより容易になる。また、第３吐出工程
は、１回だけでなく複数回行うことが好ましい。これに
より、一層の厚膜化が達成できる。
【００２３】本発明において、前記基板と前記液体との
接触角が６０［ｄｅｇ］以上であることが好ましい。こ
れにより、第１吐出工程及び第２吐出工程においては、
着弾した液滴の濡れ広がりを抑えることができる。ま
た、第３吐出工程においては、第１吐出工程及び第２吐
出工程により吐出した液滴が完全に、又はある程度乾燥
した部分の親液性と、基板の撥水性との親液度の差が大
きくなり、第３吐出工程により吐出される液滴を膜形成
領域に留めることがより容易になる。したがって、細線
化、厚膜化が可能となる。なお、より好ましい接触角は
９０［ｄｅｇ］以上である。これにより、一層の細線
化、厚膜化が可能となる。また、好ましい接触角の上限
は１１０［ｄｅｇ］である。１１０［ｄｅｇ］を越える
と、吐出された液滴が、着弾軌道に留まらず、基板上を
移動する可能性があるからである。
【００２４】本発明において、前記基板は、前記第１吐
出工程に先立ち、前記液体に対する接触角が６０［ｄｅ
ｇ］以上となるように表面処理されていることが好まし
い。これにより、第１吐出工程及び第２吐出工程におい
ては、着弾した液滴の濡れ広がりを抑えることができ
る。また、第３吐出工程においては、第１吐出工程及び
第２吐出工程により吐出した液滴が完全に、又はある程
度乾燥した部分の親液性と、基板の撥水性との親液度の
差が大きくなり、第３吐出工程により吐出される液滴を
膜形成領域に留めることがより容易になる。したがっ
て、細線化、厚膜化が可能となる。なお、より好ましい
接触角は９０［ｄｅｇ］以上である。これにより、一層
の細線化、厚膜化が可能となる。また、好ましい接触角
の上限は１１０［ｄｅｇ］である。１１０［ｄｅｇ］を
越えると、着弾軌道に留まらず、基板上を移動する可能
性があるからである。なお、接触角は、基板側と液体側
の相互関係によって決まるため、液体側の性状にも依存
する。しかし、インクジェット法により吐出する液体の
性状には表面張力や粘度等に制限があるため、液体の性
状のみを調整して接触角を調整することは事実上困難で
ある。したがって、基板側の表面処理により接触角を調
整することが適当である。
【００２５】本発明は、前記膜形成成分が導電性微粒子
を含有する場合に好適に適用できる。本発明によれば、
膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生
じにくく、しかも微細に形成可能な導電膜配線を形成す
ることができる。この場合、前記膜形成成分を、熱処理
又は光処理によって導電膜に変換する工程を有すること
が好ましい。これにより、導電性微粒子の導電性を発現
させて、導電性を有する膜とすることができる。この熱
処理又は光処理は、各吐出工程の後にその都度行っても
良いし、すべての吐出工程が終了してから、まとめて一
度に行ってもよい。なお、本発明は、シリコン膜パター
ンの形成や、ポリイミド等の絶縁膜パターンの形成、レ
ジスト膜パターンの形成等にも好適に使用できる。
【００２６】また、本発明の膜パターン形成装置は、膜
形成成分を含有した液体を、基板上の所定の膜形成領域
にインクジェット法により吐出して膜パターンを形成す
る膜パターン形成装置であって、上記何れかの発明に係
る膜パターンの形成方法によって膜パターンを形成する
ことを特徴とする。本発明によれば、簡単な工程で効率
よく厚膜化を達成し、細線化の要請も満たし、しかも、
導電膜とした場合に断線や短絡等の問題を生じない膜パ
ターン形成装置とすることができる。
【００２７】本発明は、前記膜形成成分が導電性微粒子
を含有する場合に好適に適用できる。本発明によれば、
膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生
じにくく、しかも微細に形成可能な導電膜配線を形成す
ることができる。この場合、前記膜形成成分を導電膜に
変換する熱処理手段又は光処理手段を備えることが好ま
しい。これにより、導電性微粒子の導電性を発現させ
て、導電性を有する膜とすることができる。
【００２８】また、本発明の導電膜配線は、上記何れか
の発明に係る膜パターンの形成方法によって形成された
ことを特徴とする。本発明によれば、膜厚が厚く電気伝
導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも
微細に形成可能な導電膜配線とすることができる。
【００２９】また、本発明の電気光学装置は、上記発明
に係る導電膜配線を備えることを特徴とする。本発明の
電気光学装置としては、例えば液晶表示装置、有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等
を挙げることができる。また、本発明に係る電子機器
は、本発明に係る電気光学装置を備えることを特徴とす
る。また、本発明の非接触型カード媒体は、上記発明に
係る導電膜配線をアンテナ回路として備えることを特徴
とする。これらの発明によれば、配線部やアンテナの断
線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型
化が可能な電気光学装置及びこれを用いた電子機器並び
に非接触型カード媒体を提供することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。 ［第１実施形態］第１実施形態として、本発明の膜パタ
ーン形成方法の一例である配線形成方法について説明す
る。本実施形態に係る配線形成方法は、表面処理工程と
吐出工程と熱処理／光処理工程とから構成される。この
内吐出工程は、分散液調製工程、第１吐出工程、第２吐
出工程、第３吐出工程から構成される。以下、各工程に
ついて説明する。
【００３１】（表面処理工程）導電膜配線を形成すべき
基板としては、Ｓｉウエハー、石英ガラス、ガラス、プ
ラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いるこ
とができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導
体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形
成されたものを導電膜配線を形成すべき基板として用い
てもよい。この導電膜配線を形成すべき基板の表面を、
導電性微粒子を含有した液体に対する所定の接触角が、
６０［ｄｅｇ］以上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上１
１０［ｄｅｇ］以下となるように表面処理を施す。この
ように表面の撥液性（濡れ性）を制御するためには、以
下に説明する種々の表面処理方法が採用できる。
【００３２】表面処理の方法の一つとして、導電膜配線
を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自
己組織化膜を形成する方法が挙げられる。基板表面を処
理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基
と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の
表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基
と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐
した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化し
て分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００３３】自己組織化膜とは基板など下地層等構成原
子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とか
らなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性
を有する化合物を、配向させて形成された膜である。こ
の自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されている
ので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子
レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が
位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や
親液性を付与することができる。
【００３４】上記の高い配向性を有する化合物として、
例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の
表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が
配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に
均一な撥液性が付与される。
【００３５】このような自己組織化膜を形成する化合物
としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラ
ヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ
−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラ
ン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロ
デシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，
２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリ
デカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルト
リメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２
テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロ
プロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラ
ン（以下「ＦＡＳ」という）を挙げることができる。使
用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好まし
いが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明
の所期の目的を損なわなければ制限されない。また、本
発明においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物
として、前記ＦＡＳを用いるのが、基板との密着性及び
良好な撥液性を付与する上で好ましい。
【００３６】ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ
(4-n)で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表
し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの
加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であ
り、（ＣＦ3）（ＣＦ2）ｘ（ＣＨ2）yの（ここでｘは０
以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表
す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合してい
る場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良い
し、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加
水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シ
リコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサ
ン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ3）
等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れ
ない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００３７】有機分子膜などからなる自己組織化膜は、
上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れて
おき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板上
に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持す
ることにより、３時間程度で基板上に形成される。以上
に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも
自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を
含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板
上に自己組織化膜が得られる。なお、自己組織化膜を形
成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒によ
り洗浄したりして、前処理を施すことが望ましい。
【００３８】表面処理の他の方法として、常圧又は真空
中でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理
に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面
材質等を考慮して種々選択できる。たとえば、４フッ化
メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等
を処理ガスとして使用できる。
【００３９】 表面処理は、所望の撥液性を有するフィ
ルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフ
ィルム等を基板表面に貼着することによっても行うこと
ができる。なお、ポリイミドフィルムをそのまま基板と
して用いてもよい。また、基板表面が所望の撥液性より
も高い撥液性を有する場合、それを親液化する方法とし
て、１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法や、基
板をオゾン雰囲気に曝す方法が挙げられる。
【００４０】（分散液調製工程）次に、表面処理後の基
板上に吐出する導電性微粒子を含有する液体について説
明する。導電性微粒子を含有する液体としては、導電性
微粒子を分散媒に分散させた分散液を用いる。ここで用
いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニ
ッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリ
マーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導
電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物
などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒
子の表面にコーティングするコーティング材としては、
例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が
挙げられる。導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μ
ｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きい
と、ノズルの目詰まりが起こりやすく、インクジェット
法による吐出が困難になるからである。また、５ｎｍよ
り小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体
積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多
となるからである。
【００４１】導電性微粒子を含有する液体の分散媒とし
ては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００
ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以
下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇよ
り高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしま
い、良好な膜を形成することが困難となるためである。
また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍ
ｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）
であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより
高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に
乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困
難となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００
１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くなり膜中
に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／また
は光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００４２】使用する分散媒としては、上記の導電性微
粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれ
ば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、
ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシ
レン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テト
ラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘ
キシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレン
グリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエ
チルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコール
メチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビ
ス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンな
どのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、
γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘ
キサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これ
らのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またイン
クジェット法への適用のし易さの点で、水、アルコール
類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、
更に好ましい分散媒としては水、炭化水素系化合物を挙
げることができる。これらの分散媒は、単独でも、ある
いは２種以上の混合物としても使用できる。
【００４３】上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合
の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所
望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０
質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が
得にくい。
【００４４】上記導電性微粒子の分散液の表面張力は
０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入るこ
とが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する
際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組
成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲り
が生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端
でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タ
イミングの制御が困難になるためである。
【００４５】表面張力を調整するため、上記分散液に
は、基板との接触角を不当に低下させない範囲で、フッ
素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤
を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節
剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリン
グ性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生な
どの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応
じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有
機化合物を含んでいても差し支えない。
【００４６】上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０
ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット
法にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合
にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやす
く、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズ
ル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困
難となるためである。
【００４７】（第１吐出工程）本実施形態では、配線形
成領域が直線である場合について説明する。まず、上記
分散液の液滴Ｌ1をインクジェットヘッドＨから吐出し
て基板Ｗ上の配線形成領域に滴下する。図１に示すよう
に、液滴Ｌ1は、液滴Ｌ1が基板Ｗ上に着弾した後の直径
よりも大きいピッチで吐出する。すなわち、液滴Ｌ1が
基板Ｗ上で互いに接しないように、一定の間隔をおいて
吐出する。
【００４８】液滴Ｌ1を配線形成領域全体に吐出した
後、分散媒の除去を行うため、必要に応じて乾燥処理を
する。乾燥処理は、例えば基板Ｗを加熱する通常のホッ
トプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニー
ルによって行なうこともできる。ランプアニールに使用
する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ラ
ンプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレー
ザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢ
ｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシ
マレーザーなどを光源として使用することができる。こ
れらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下
の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ
以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００４９】なお、この際、分散媒の除去だけでなく、
分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合い
を高めても差し支えない。しかし、導電膜の変換は、す
べての吐出工程が終了してから熱処理／光処理工程にお
いてまとめて行えば良いので、第１吐出工程では、分散
媒をある程度除去できれば十分である。したがって、熱
処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えば十
分である。また、乾燥処理は吐出と平行して同時に進行
させることも可能である。例えば、加熱した基板Ｗに吐
出したり、インクジェットヘッドＨを冷却して、沸点の
低い分散媒を使用したりすることにより、基板Ｗ着弾直
後から乾燥を進行させることができる。乾燥後、液滴Ｌ
1は乾燥膜Ｓ1となる。図２に示すように乾燥膜Ｓ1の体
積は分散媒の除去により著しく減少しており、粘度も上
昇して配線形成領域の所定の位置に固定されやすくなっ
ている。
【００５０】（第２吐出工程）次に、上記分散液の液滴
Ｌ2をインクジェットヘッドＨから吐出して基板Ｗ上の
配線形成領域に滴下する。なお、液滴Ｌ2は液滴Ｌ1と同
じ分散液の液滴であって、体積も同じである。図３に示
すように、液滴Ｌ2は、液滴Ｌ1と液滴Ｌ1との略中央に
滴下する。すなわち、液滴Ｌ2と液滴Ｌ1とのピッチは同
じであって、液滴Ｌ2も基板Ｗ上に着弾した後の直径よ
りも大きいピッチで吐出する。したがって、液滴Ｌ2も
基板Ｗ上で互いに接しないようになる。このとき、液滴
Ｌ2と乾燥膜Ｓ1とが接するが、乾燥膜Ｓ1は既に分散媒
が完全に又はある程度除去されているので、両者が引き
合ってバルジを生じさせることはない。なお、図３で
は、液滴Ｌ2の滴下開始位置を液滴Ｌ1と同じ図面左側か
らとしたが、逆方向（図面右側）から滴下を開始しても
よい。この場合、インクジェットヘッドＨと基板Ｗとの
相対移動を一往復することにより、第１吐出工程と第２
吐出工程とを行うことができる。
【００５１】液滴Ｌ2を配線形成領域全体に吐出した
後、分散媒の除去を行うため、第１吐出工程と同様に、
必要に応じて乾燥処理をする。この場合も、分散媒の除
去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や
光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をあ
る程度除去できれば十分である。乾燥処理を吐出と平行
して同時に進行させ得ることも第１吐出工程と同様であ
る。乾燥後、液滴Ｌ2は乾燥膜Ｓ2となる。図４に示すよ
うに乾燥膜Ｓ2の体積は分散媒の除去により著しく減少
しており、粘度も上昇して配線形成領域の所定の位置に
固定されやすくなっている。これにより、乾燥膜Ｓ1と
乾燥膜Ｓ2とが連続した線状の乾燥膜パターンが形成さ
れる。
【００５２】ここで、第１吐出工程と第２吐出工程にお
ける吐出位置について、図５の平面図を用いてより詳細
に説明する。図５に示すように、液滴Ｌ1のピッチＰ
1は、液滴Ｌ1の基板Ｗ上に着弾した後の直径Ｒ1より大
きく、液滴Ｌ1は間隔ｄ1（ｄ1＝Ｐ1−Ｒ1）をおいて吐
出される。また、液滴Ｌ2のピッチＰ2は、液滴Ｌ2の基
板Ｗ上に着弾した後の直径Ｒ2より大きく、液滴Ｌ2は間
隔ｄ2（ｄ2＝Ｐ2−Ｒ2）をおいて吐出される。ここで、
液滴Ｌ1と液滴Ｌ2との体積は等しくされており、ほぼＲ
1＝Ｒ2の関係にあるが、第２吐出工程の際は、乾燥膜Ｓ
1上は基板Ｗ上より親液性が増しているので、Ｒ2はＲ1
と比較して、長さ方向に若干大きくなる。また、ピッチ
Ｐ1とピッチＰ2とは等しくされており、ほぼｄ1＝ｄ2の
関係となっているが、Ｒ2がＲ1と比較して、長さ方向に
若干大きくなるため、ｄ2はｄ1と比較して若干小さくな
る。また、ｄ1は１０μｍ以上とすることが好ましい。
これにより、液滴の着弾位置の誤差やＲ2が若干大きく
なることを考慮しても、続けて吐出する液滴が互いに離
間して接しないように吐出することを確実に行うことが
できる。
【００５３】（第３吐出工程）次に、上記分散液の液滴
Ｌ3をインクジェットヘッドＨから吐出して基板Ｗ上の
配線形成領域における乾燥膜Ｓ1と液滴乾燥膜Ｓ2の上に
滴下する。なお、液滴Ｌ3も液滴Ｌ1や液滴Ｌ2と同じ分
散液の液滴であって、体積も同じである。図６に示すよ
うに、液滴Ｌ3のピッチＰ3は、ピッチＰ1やピッチＰ2よ
り小さく、かつ液滴Ｌ3の基板Ｗ上に着弾した後の直径
Ｒ3よりも小さい。したがって、液滴Ｌ3は基板Ｗ上で互
いに重なるようになる。このとき液滴Ｌ3が着弾する基
板Ｗは、乾燥膜Ｓ1及び乾燥膜Ｓ2に接するが、乾燥膜Ｓ
1及び乾燥膜Ｓ2は既に分散媒が完全に又はある程度除去
されているので、これらの乾燥膜と液滴Ｌ3とが両者が
引き合ってバルジを生じさせることはない。また、液滴
Ｌ3は互いに重なるが、配線形成領域は乾燥膜Ｓ1及び乾
燥膜Ｓ2によって親液化されているので、液滴Ｌ3が配線
形成領域をはずれて、接触角が６０［ｄｅｇ］以上、好
ましくは９０［ｄｅｇ］以上に処理された配線形成領域
外に流れ出ることがない。したがって、液滴Ｌ3は配線
形成領域内に留まり易く、互いに引き合ってバルジを生
じることもなく、線幅も増加することがない。なお、液
滴Ｌ3と液滴Ｌ3との重りｄ3はＲ3の２０〜５０％とする
ことが好ましい。これにより、効果的に膜厚を増加させ
ることができ、かつ、液量が過多になって配線形成領域
外にあふれるのを防止することができる。
【００５４】液滴Ｌ3を配線形成領域全体に吐出する工
程は、複数回繰り返すことができる。これにより、所望
の膜厚の配線を得ることができる。この場合、各吐出す
る工程の後に、分散媒の除去を行うため、第１吐出工程
や第２吐出工程と同様に、必要に応じて乾燥処理をす
る。この場合も、分散媒の除去だけでなく、分散液を導
電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても
差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分で
ある。乾燥処理を吐出と平行して同時に進行させ得るこ
とも第１吐出工程や第２吐出工程と同様である。乾燥
後、液滴Ｌ3は乾燥膜Ｓ3（図示せず）となる。乾燥膜Ｓ
3の体積は分散媒の除去により著しく減少しており、粘
度も上昇して配線形成領域の所定の位置に固定されやす
くなっている。そのため、複数回液滴Ｌ3を配線形成領
域全体に吐出する工程を繰り返しても、各々の工程間の
液滴が互いに引き合ってバルジを生じることがない。ま
た、先に液滴が滴下された部分は親液化されているの
で、液滴Ｌ3が配線形成領域外に流れ出ることがない。
したがって、液滴Ｌ3は繰り返し吐出しても配線形成領
域内に留まり易く、互いに引き合ってバルジを生じるこ
ともなく、線幅も増加することがない。以上の工程によ
り、ほぼ液滴の直径と等しい線幅を保ちながら、所望の
厚さの乾燥膜層を形成することができる。
【００５５】（熱処理／光処理工程）吐出工程後の乾燥
膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒
を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表
面に分散性を向上させるために有機物などのコーティン
グ材がコーティングされている場合には、このコーティ
ング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の
基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００５６】熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行
なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウム
などの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処
理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気
圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化
性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐
熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機
物からなるコーティング材を除去するためには、約３０
０℃で焼成することが必要である。また、プラスチック
などの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下
で行なうことが好ましい。
【００５７】熱処理及び／又は光処理は通常のホットプ
レート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールに
よって行なうこともできる。ランプアニールに使用する
光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ラン
プ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザ
ー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、
ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレ
ーザーなどを光源として使用することができる。これら
の光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範
囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上
１０００Ｗ以下の範囲で十分である。以上の工程により
吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保さ
れ、導電膜に変換される。
【００５８】本実施形態により形成される導電膜は、分
散液一滴の基板上に着弾後の直径とほぼ同等の幅で形成
することが可能である。また、第３吐出工程を繰り返す
ことにより、この線幅を維持したまま所望の膜厚を得る
ことが可能である。すなわち、本実施形態によれば、バ
ルジを生じさせることなく細線化、厚膜化を達成するこ
とができる。したがって、本実施形態によれば、膜厚が
厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにく
く、しかも微細に形成可能な導電膜配線を形成すること
ができる。
【００５９】［第２実施形態］第２実施形態として、本
発明の膜パターン形成装置の一例として、上記第１実施
形態の配線形成方法を実施するための配線形成装置につ
いて説明する。図７は、本実施形態に係る配線形成装置
の概略斜視図である。図７に示すように、配線形成装置
１００は、インクジェットヘッド群１と、インクジェッ
トヘッド群１をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸
２と、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ
３とを備えている。また、基板Ｗを載置するための載置
台４と、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイ
ド軸５と、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モ
ータ６とを備えている。また、Ｘ方向ガイド軸２とＹ方
向ガイド軸５とが、各々所定の位置に固定される基台７
を備え、その基台７の下部には、制御装置８を備えてい
る。さらに、クリーニング機構部１４およびヒータ１５
とを備えている。
【００６０】インクジェットヘッド群１は、導電性微粒
子を含有する分散液をノズル（吐出口）から吐出して所
定間隔で基板に付与する複数のインクジェットヘッドを
備えている。そして、これら複数のインクジェットヘッ
ド各々から、制御装置８から供給される吐出電圧に応じ
て個別に分散液を吐出できるようになっている。インク
ジェットヘッド群１はＸ方向ガイド軸２に固定され、Ｘ
方向ガイド軸２には、Ｘ方向駆動モータ３が接続されて
いる。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等で
あり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給
されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるようになって
いる。そして、Ｘ方向ガイド軸２が回転させられると、
インクジェットヘッド群１が基台７に対してＸ軸方向に
移動するようになっている。
【００６１】載置台４は、この配線形成装置１００によ
って分散液を付与される基板Ｗを載置させるもので、こ
の基板Ｗを基準位置に固定する機構を備えている。載置
台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５
には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ
方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であ
り、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給さ
れると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるようになってい
る。そして、Ｙ方向ガイド軸５が回転させられると、載
置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動するようになっ
ている。
【００６２】クリーニング機構部１４は、インクジェッ
トヘッド群１をクリーニングする機構を備えている。ク
リーニング機構部１４は、Ｙ方向の駆動モータ１６によ
ってＹ方向ガイド軸５に沿って移動するようになってい
る。クリーニング機構部１４の移動も、制御装置８によ
って制御されている。
【００６３】ヒータ１５は、ここではランプアニールに
より基板Ｗを熱処理する手段であり、基板上に吐出され
た液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するた
めの熱処理を行うようになっている。このヒータ１５の
電源の投入及び遮断も制御装置８によって制御されるよ
うになっている。
【００６４】本実施形態の配線形成装置１００におい
て、所定の配線形成領域に分散液を吐出するためには、
制御装置８から所定の駆動パルス信号をＸ方向駆動モー
タ３及び／又はＹ方向駆動モータ６とに供給し、インク
ジェットヘッド群１及び／又は載置台４を移動させるこ
とにより、インクジェットヘッド群１と基板Ｗ（載置台
４）とを相対移動させる。そして、この相対移動の間に
インクジェットヘッド群１における所定のインクジェッ
トヘッドに制御装置８から吐出電圧を供給し、当該イン
クジェットヘッドから分散液を吐出させる。
【００６５】本実施形態の配線形成装置１００におい
て、インクジェットヘッド群１の各ヘッドからの液滴の
吐出量は、制御装置８から供給される吐出電圧の大きさ
によって調整できる。また、基板Ｗに吐出される液滴の
ピッチは、インクジェットヘッド群１と基板Ｗ（載置台
４）との相対移動速度及びインクジェットヘッド群１か
らの吐出周波数（吐出電圧供給の周波数）によって決定
される。
【００６６】本実施形態において、第１吐出工程と第２
吐出工程では、同一の配線形成領域に分散液を同一のピ
ッチで吐出するが、第２吐出工程の吐出開始位置は図５
に示すように、第１吐出工程における１滴目と２滴目と
の中間、又は最後から１滴目と２滴目との中間とする。
また、第３吐出工程では、第１吐出工程と第２吐出工程
と同一の配線形成領域に第１吐出工程とほぼ同じ位置、
又は終端から分散液を吐出するが、そのピッチは、第１
吐出工程及び第２吐出工程よりも狭いものとする。
【００６７】本実施形態の配線形成装置１００によれ
ば、分散液一滴の基板上に着弾後の直径とほぼ同等の幅
で形成することが可能である。また、第３吐出工程を繰
り返すことにより、この線幅を維持したまま所望の膜厚
を得ることが可能である。すなわち、本実施形態によれ
ば、バルジを生じさせることなく細線化、厚膜化を達成
することができる。したがって、本実施形態によれば、
膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生
じにくく、しかも微細に形成可能な導電膜配線を形成す
ることができる。
【００６８】［第３実施形態］第３実施形態として、本
発明の膜パターン形成方法の一例であるシリコン膜パタ
ーン形成方法について説明する。本実施形態に係るシリ
コン膜パターン形成方法は、表面処理工程と吐出工程と
熱処理／光処理工程とから構成される。この内吐出工程
は、溶液調製工程、第１吐出工程、第２吐出工程、第３
吐出工程から構成される。以下、各工程について説明す
る。
【００６９】（表面処理工程）シリコン薄膜パターンを
形成すべき基板としては、Ｓｉウエハー、石英ガラス、
ガラス、プラスチックフィルム、金属板など各種のもの
を用いることができる。また、これら各種の素材基板の
表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地
層として形成されたものをシリコン薄膜パターンを形成
すべき基板として用いてもよい。このシリコン薄膜パタ
ーンを形成すべき基板の表面を、有機ケイ素化合物を含
有した液体に対する所定の接触角が、６０［ｄｅｇ］以
上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上１１０［ｄｅｇ］以
下となるように表面処理を施す。このように表面の撥液
性（濡れ性）を制御する方法は第１実施形態と同様なの
で、その説明を省略する。
【００７０】（溶液調製工程）次に、表面処理後の基板
上に吐出する有機ケイ素化合物を含有する液体について
説明する。有機ケイ素化合物を含有する液体としては、
有機ケイ素化合物を溶媒に溶解させた溶液を用いる。こ
こで用いられる有機ケイ素化合物は、一般式ＳｉnＸ
m（ここで、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子
を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｍはｎまたは２ｎ−
２または２ｎまはた２ｎ＋２の整数を表す）で表される
環系を有するシラン化合物であることを特徴とする。こ
こでｎは３以上であるが、熱力学的安定性、溶解性、精
製の容易性などの点でｎは５〜２０程度、特に５あるい
は６の環状シラン化合物が好ましい。５より小さい場合
にはシラン化合物自体が環による歪みにより不安定にな
るため取り扱いに難点が生じる。またｎが２０より大き
い場合にはシラン化合物の凝集力に起因する溶解性の低
下が認められ使用する溶媒の選択が狭まる。また、本発
明に使用するシラン化合物の一般式ＳｉnＸm中のＸは水
素原子および／またはハロゲン原子である。これらのシ
ラン化合物はシリコン膜への前駆体化合物であるため、
熱処理および／または光処理で最終的にはアモルファス
或いは多結晶状シリコンにする必要があり、ケイ素−水
素結合、ケイ素−ハロゲン結合は上記の処理で開裂し新
たにケイ素−ケイ素結合が生じ最終的にシリコンへと変
化されるものである。ハロゲン原子としては、通常フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子であり、上記結
合開裂の点で塩素、臭素が好ましい。Ｘは水素原子単独
またはハロゲン原子単独でもよいし、水素原子とハロゲ
ン原子の総和がｍとなるような部分ハロゲン化シラン化
合物でもよい。
【００７１】さらに、これらのシラン化合物は必要に応
じてホウ素やリンなどの第三族あるいは第五族の元素で
変性した化合物を使用することもできる。変性シラン化
合物の具体例としては、炭素原子を含まないものが好ま
しく、一般式ＳｉaＸbＹc（ここで、Ｘは水素原子およ
び／またはハロゲン原子を表し、Ｙはホウ素原子または
リン原子を表し、ａは３以上の整数を表し、ｂはａ以上
で２ａ＋ｃ＋２以下の整数を表し、ｃは１以上でａ以下
の整数を表す）で表される変性シラン化合物が挙げられ
る。ここで、熱力学的安定性、溶解性、精製の容易性な
どの点でａとｃの和が５〜２０程度、特に５あるいは６
の変性シラン化合物が好ましい。ａ＋ｃが５より小さい
場合には変性シラン化合物自体が環による歪みにより不
安定になるため取り扱いに難点が生じる。またａ＋ｃが
２０より大きい場合には変性シラン化合物の凝集力に起
因する溶解性の低下が認められ使用する溶媒の選択が狭
まる。また、上記変性シラン化合物の一般式ＳｉaＸbＹ
c中のＸは、上記のＳｉnＸmで表される無変性のシラン
化合物の一般式中におけるＸと同様に水素原子および／
またはハロゲン原子であり、通常フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子であり、上記結合開裂の点で塩
素、臭素が好ましい。Ｘは水素原子単独またはハロゲン
原子単独でもよいし、水素原子とハロゲン原子の総和が
ｂとなるような部分ハロゲン化シラン化合物でもよい。
【００７２】有機ケイ素化合物を含有する液体の溶媒と
しては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２０
０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ
以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇ
より高い場合には、吐出後に溶媒が急激に蒸発してしま
い、良好な膜を形成することが困難となるためである。
また、溶媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍ
Ｈｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）で
あることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高
い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾
燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難
となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００１
ｍｍＨｇより低い溶媒の場合、乾燥が遅くなり膜中に溶
媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／または光処
理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００７３】使用する溶媒としては、上記の有機ケイ素
化合物を溶解できるものであれば特に限定されないが、
ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシ
レン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テト
ラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロへ
キシルベンゼンなどの炭化水素系溶媒の他、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチ
ルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコール
メチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビ
ス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンな
どのエーテル系溶、さらにプロピレンカーボネート、γ
−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキ
サノンなどの極性溶媒を挙げることができる。これらの
内、有機ケイ素化合物の溶解性と該溶液の安定性の点で
炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく、さらに好
ましい溶媒としては炭化水素系溶媒を挙げることができ
る。これらの溶媒は、単独でも、或いは２種以上の混合
物としても使用できる。
【００７４】上記有機ケイ素化合物を溶媒に溶解する場
合の溶解質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、
所望のシリコン膜厚に応じて調整することができる。８
０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜
が得にくい。
【００７５】上記有機ケイ素化合物の溶液の表面張力は
０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入るこ
とが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する
際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組
成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲り
が生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端
でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タ
イミングの制御が困難になるためである。
【００７６】表面張力を調整するため、上記溶液には、
基板との接触角を不当に低下させない範囲で、フッ素
系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を
微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤
は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリング
性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生など
の防止に役立つものである。上記溶液には、必要に応じ
て、アルコール、エーテル、ケトン等の有機化合物等を
含んでいても差し支えない。
【００７７】上記溶液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍ
Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法
にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合に
はノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、
また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔
での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難と
なるためである。
【００７８】（第１吐出工程〜第３吐出工程）第１実施
形態と同様に、図１〜４に示すように第１吐出工程から
第３吐出工程を行う。なお、各吐出工程は、一般に室温
以上１００℃以下の温度で行われる。室温以下の温度で
は有機ケイ素化合物の溶解性が低下し一部析出する場合
があるからである。また吐出する場合の雰囲気は、窒
素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス中で行うこと
が好ましい。さらに必要に応じて水素などの還元性ガス
を混入したものが好ましい。また、各吐出工程間の乾燥
処理の方法や条件は、不活性ガス雰囲気中で行うことが
望ましいという以外は、第１実施形態と同様なのでその
説明を省略する。
【００７９】（熱処理／光処理工程）吐出工程後の溶液
は、溶媒を除去すると共に有機ケイ素化合物をアモルフ
ァスあるいは多結晶シリコンに変換する必要がある。そ
のため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理
が施される。
【００８０】熱処理及び／又は光処理は、窒素、アルゴ
ン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうことも
できる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒
の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の
分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や
量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。通
常アルゴン雰囲気中あるいは水素を含有したアルゴン中
で１００〜８００℃程度で、好ましくは２００〜６００
℃程度で、さらに好ましくは３００℃〜５００℃程度で
処理され、一般に到達温度が約５５０℃以下の温度では
アモルファス状、それ以上の温度では多結晶状のシリコ
ン膜が得られる。到達温度が３００℃未満の場合は、有
機ケイ素化合物の熱分解が十分に進行せず、十分な厚さ
のシリコン膜を形成できない場合がある。多結晶状のシ
リコン膜を得たい場合は、上記で得られたアモルファス
状シリコン膜のレーザーアニールによって多結晶シリコ
ン膜に変換することができる。上記レーザーアニールを
行う場合の雰囲気も、ヘリウム、アルゴンなどの不活性
ガス、もしくはそれらに水素などの還元性ガスを混入し
たものが好ましい。
【００８１】熱処理及び／又は光処理は通常のホットプ
レート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールに
よって行なうこともできる。ランプアニールに使用する
光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ラン
プ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザ
ー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、
ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレ
ーザーなどを光源として使用することができる。これら
の光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範
囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上
１０００Ｗ以下の範囲で十分である。以上の工程により
吐出工程後の溶液はアモルファスあるいは多結晶のシリ
コン膜に変換される。
【００８２】本実施形態により形成されるシリコン膜パ
ターンは、溶液一滴の基板上に着弾後の直径とほぼ同等
の幅で形成することが可能である。また、第３吐出工程
を繰り返すことにより、この線幅を維持したまま所望の
膜厚を得ることが可能である。すなわち、本実施形態に
よれば、バルジを生じさせることなく細線化、厚膜化を
達成することができるので、微細なパターン形成が可能
となる。
【００８３】［第４実施形態］第４実施形態として、本
発明の電気光学装置の一例である液晶装置について説明
する。図８は、本実施形態に係る液晶装置の第１基板上
の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実
施形態に係る液晶装置は、この第１基板と、走査電極等
が設けられた第２基板（図示せず）と、第１基板と第２
基板との間に封入された液晶（図示せず）とから概略構
成されている。
【００８４】図８に示すように、第１基板３００上の画
素領域３０３には、複数の信号電極３１０…が多重マト
リクス状に設けられている。特に各信号電極３１０…
は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分３
１０ａ…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配
線部分３１０ｂ…とから構成されており、Ｙ方向に伸延
している。また、符号３５０は１チップ構造の液晶駆動
回路で、この液晶駆動回路３５０と信号配線部分３１０
ｂ…の一端側（図中下側）とが第１引き回し配線３３１
…を介して接続されている。また、符号３４０…は上下
導通端子で、この上下導通端子３４０…と、図示しない
第２基板上に設けられた端子とが上下導通材３４１…に
よって接続されている。また、上下導通端子３４０…と
液晶駆動回路３５０とが第２引き回し配線３３２…を介
して接続されている。
【００８５】本実施形態では、上記第１基板３００上に
設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線
３３１…、第２引き回し配線３３２…が、各々第２実施
形態に係る配線形成装置を用いて、第１実施形態に係る
配線形成方法によって形成されている。本実施形態の液
晶装置によれば、上記各配線類の断線や短絡等の不良が
生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な液晶装置
とすることができる。
【００８６】［第５実施形態］第５実施形態として、本
発明の電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置に
ついて説明する。図９は本実施形態のプラズマ型表示装
置５００の分解斜視図を示す。この実施形態のプラズマ
型表示装置５００は、互いに対向して配置されたガラス
基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成さ
れた放電表示部５１０とから概略構成される。放電表示
部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複
数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑
色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つ
の放電室５１６が対になって１画素を構成するように配
置されている。前記（ガラス）基板５０１の上面には所
定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成さ
れ、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを
覆うように誘電体層５１９が形成され、更に誘電体層５
１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置し
て各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成
されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向
の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向
にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的に
はアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁
と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔
壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら
長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成さ
れ、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構
成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領
域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５
１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、
赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７
（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光
体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には
青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００８７】次に、前記ガラス基板５０２側には、先の
アドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５
１２がストライプ状に所定の間隔で形成され、これらを
覆って誘電体層５１３が形成され、更にＭｇＯなどから
なる保護膜５１４が形成されている。そして、前記基板
５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電
極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるよう
に対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５
１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１
４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入するこ
とで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板
５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６
に対して２本ずつ配置されるように形成されている。上
記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流
電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の
放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させ
て、カラー表示ができるようになっている。
【００８８】本実施形態では、上記アドレス電極５１１
と表示電極５１２が、各々第２実施形態に係る配線形成
装置を用いて、第１実施形態に係る配線形成方法によっ
て形成されている。本実施形態の液晶装置によれば、上
記各電極の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、
小型化、薄型化が可能なプラズマ型表示装置とすること
ができる。
【００８９】［第６実施形態］第６実施形態として、本
発明の電子機器の具体例について説明する。図１０
（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１
０（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０
１は第４実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示し
ている。図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携
帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０
（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキー
ボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は
第４実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示してい
る。図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図１１（ｃ）において、８００は時計本
体を示し、８０１は第４実施形態の液晶装置を備えた液
晶表示部を示している。図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電
子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものである
ので、配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しか
も、小型化、薄型化が可能となる。なお、本実施形態の
電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレク
トロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、
他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもでき
る。
【００９０】［第７実施形態］第５実施形態として、本
発明の非接触型カード媒体の実施形態について説明す
る。本実施形態に係る非接触型カード媒体は図１１に示
すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体４００
は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐
体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４
１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波ま
たは静電容量結合の少なくとも一方により電力供給ある
いはデータ授受の少なくとも一方を行うようになってい
る。
【００９１】本実施形態では、上記アンテナ回路４１２
が、第２実施形態に係る配線形成装置を用いて、第１実
施形態に係る配線形成方法によって形成されている。本
実施形態の非接触型カード媒体によれば、上記アンテナ
回路４１２の断線や短絡等の不良が生じにくく、しか
も、小型化、薄型化が可能な非接触型カード媒体とする
ことができる。
【００９２】
【実施例】［実施例１］直径１０nmの金微粒子がトルエ
ン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名
「パーフェクトゴールド」）にキシレンを添加し、その粘
度を８cp、表面張力を２４Ｎ／ｍとした液体を、インク
ジェット装置により所定のピッチで吐出し、導電膜ライ
ンを形成した。インクジェットヘッドとしては市販のプ
リンター（商品名「MJ９３０C」）のヘッドを使用した。
ただし、インク吸入部がプラスチック製であるため、有
機溶剤に対して溶解しないよう吸入部を金属製の治具に
変更したものを用いた。基板とインクジェットヘッドと
の相対移動速度は一定とし、ピッチの変更は吐出周波数
のみを調整することで行った。基板には４フッ化エチレ
ン加工が施されたポリイミドフィルムをガラス基板に貼
り付けたものを用いた。この基板に対する金微粒子分散
液の接触角はおよそ６０[deg]であった。吐出は、一つ
のノズルのみを用いて行い、全吐出工程を通じて吐出電
圧１５Vで吐出した。その際の液滴の基板着弾後の直径
はおよそ５５μmであった。まず、第１吐出工程とし
て、液滴が互いに繋がらないよう、ピッチを７０μm、
液滴間の距離を１５μmとして一直線上に吐出した。そ
の後、乾燥機を用いて１００℃で５分間の乾燥工程を施
した。次に、第２吐出工程として、第１吐出工程と同様
にピッチを７０μm、液滴間の距離を１５μmとして一直
線上に吐出した。第２吐出工程において吐出する液滴
は、第１吐出工程において吐出した液体のほぼ中間に着
弾するように吐出した。その後、乾燥機を用いて１００
℃で５分間の乾燥工程を施した。これにより、液滴間の
断線の無いラインを形成した。さらに、第３工程とし
て、ピッチを３０μm、液滴間の重なりを２５μmとして
第１吐出工程と第２吐出工程で形成されたライン上に吐
出する工程を、１００℃で５分間の乾燥工程を挟みなが
ら３回繰り返した。その結果、重ね塗りの度に線幅が広
がるということがなく、液滴の直径と同じ線幅５５μm
を維持したまま、形状が良好なラインを得た。それを、
３００℃で３０分間焼成し、金光沢を有する金ラインを
得た。膜厚は１μmで、比抵抗は５×１０-6Ωｃｍであ
った。
【００９３】［実施例２］銀微粒子分散液を基板上にイ
ンクジェット吐出した。銀微粒子分散液は次のようにし
て調整した。まず、硝酸銀９０ｍｇを水５００ミリリッ
トルに溶解し１００℃に加熱し、攪拌しながら更に１％
濃度のクエン酸ナトリウム水溶液１０ミリリットルを加
えそのまま８０分間沸騰させた。これによって凝集を防
止するためのクエン酸で周囲を覆われた銀コロイドが、
水溶液中に分散した液体が得られた。この銀コロイドの
平均粒径は３０nmであった。この液体を遠心分離で濃縮
した後、再び水と表面張力調整剤を加えてインク化し、
粘度を２ｃｐに、表面張力を２８Ｎ／ｍに調整し、イン
クジェットヘッドで吐出できるようにした。このように
調整した銀微粒子分散液を、実施例１と同じプリンター
をインクジェットヘッドとして吐出し、導電膜ラインを
形成した。基板には実施例１と同様４フッ化エチレン加
工が施されたポリイミドフィルムを用いた。フィルムに
対する銀微粒子分散液の接触角はおよそ９０[deg]であ
った。吐出は、一つのノズルのみを用いて行い、全吐出
工程を通じて吐出電圧１５Vで吐出した。その際の液滴
の基板着弾後の直径はおよそ４０μmであった。まず、
第１吐出工程として、液滴が互いに繋がらないよう、ピ
ッチを５０μm、液滴間の距離を１０μmとして一直線上
に吐出した。その後、乾燥機を用いて１００℃で５分間
の乾燥工程を施した。次に、第２吐出工程として、第１
吐出工程と同様にピッチを５０μm、液滴間の距離を１
０μmとして一直線上に吐出した。第２吐出工程におい
て吐出する液滴は、第１吐出工程において吐出した液体
のほぼ中間に着弾するように吐出した。その後、乾燥機
を用いて１００℃で５分間の乾燥工程を施した。これに
より、液滴間の断線の無いラインを形成した。さらに、
第３工程として、ピッチを２０μm、液滴間の重なりを
２０μmとして第１吐出工程と第２吐出工程で形成され
たライン上に吐出する工程を、１００℃で５分間の乾燥
工程を挟みながら３回繰り返した。その結果、重ね塗り
の度に線幅が広がるということがなく、液滴の直径と同
じ線幅４０μmを維持したまま、形状が良好なラインを
得た。それを、３００℃で３０分間焼成し、銀光沢を有
する銀ラインを得た。膜厚は１．５μmで、比抵抗は４
×１０-6Ωｃｍであった。
【００９４】［実施例３］実施例１と同じ金微粒子分散
液、インクジェットヘッドを用いてライン形成を行っ
た。基板には、市販のスライドガラスに、プラズマ重合
処理で撥液化処理を施したものを用いた。金微粒子分散
液の、この基板に対する接触角は４０[deg]であった。
吐出は、一つのノズルのみを用いて行い、全吐出工程を
通じて吐出電圧１５Vで吐出した。その際の液滴の基板
着弾後の直径はおよそ６５μmであった。まず、第１吐
出工程として、液滴が互いに繋がらないよう、ピッチを
７５μm、液滴間の距離を１０μmとして一直線上に吐出
した。その後、乾燥機を用いて１００℃で５分間の乾燥
工程を施した。次に、第２吐出工程として、第１吐出工
程と同様にピッチを７５μm、液滴間の距離を１０μmと
して一直線上に吐出した。第２吐出工程において吐出す
る液滴は、第１吐出工程において吐出した液体のほぼ中
間に着弾するように吐出した。その後、乾燥機を用いて
１００℃で５分間の乾燥工程を施した。これにより、液
滴間の断線の無いラインを形成した。さらに、第３工程
として、ピッチを４０μm、液滴間の重なりを２５μmと
して第１吐出工程と第２吐出工程で形成されたライン上
に吐出する工程を、１００℃で５分間の乾燥工程を挟み
ながら３回繰り返した。その結果、バルジは発生しなか
ったが重ね塗りの度に線幅が広がってしまい、最終的に
は線幅が１０５μmまで広がってしまった。これは、基
板の撥液化が不十分であったためと考えられる。
【００９５】［比較例１］実施例２と同じ銀微粒子分散
液、インクジェットヘッド、基板を用いてライン形成を
行った。吐出は、一つのノズルのみを用いて、第１吐出
工程を吐出電圧１５Vで、吐出液滴間の間隔を空けず
に、初めから液滴が重なるように行った。すなわち、ピ
ッチは３５μmとし、液滴が互いに５μmの重なりを生じ
るように吐出した。その結果、複数の液滴が集合してで
きる大きな液滴が、ある間隔で形成されるのみであっ
た。すなわち、ラインは全く形成されなかった。したが
って、実施例２のように、接触角が９０[deg]という撥
液性の高い条件では、本発明に係る形成方法によらなけ
れば、良好な配線が形成できないことが確認された。
【００９６】［実施例４］実施例１と同じ金微粒子分散
液、インクジェットヘッドを用いてライン形成を行っ
た。基板には、市販のスライドガラスにプラズマ重合処
理により撥液化処理を施した後で、波長172nmの紫外光
を10mW/cm2で照射して親液化処理を行ったものを用い
た。紫外光の照射時間の長さを変えることで基板の親液
性、撥液性の度合を調整し、表１に示すように金微粒子
分散液の接触角の大きさが異なる基板を複数作製し、そ
れぞれにラインの形成を行った。吐出は、一つのノズル
のみを用いて行い、全吐出工程を通じて吐出電圧１５V
で吐出した。その際の液滴の基板着弾後の直径Ｒは表１
に示すとおりであった。すべての基板に置いて、まず、
第１吐出工程として、液滴が互いに繋がらないよう、液
滴間の距離を１０μmとなるピッチで一直線上に吐出し
た。その後、乾燥機を用いて１００℃で５分間の乾燥工
程を施した。次に、第２吐出工程として、第１吐出工程
と同様に、液滴間の距離を１０μmとして一直線上に吐
出した。第２吐出工程において吐出する液滴は、第１吐
出工程において吐出した液体のほぼ中間に着弾するよう
に吐出した。その後、乾燥機を用いて１００℃で５分間
の乾燥工程を施した。これにより、液滴間の断線の無い
ラインを形成した。この時の線幅Ｗ２を表１は表１に示
すとおりであった。さらに、すべての基板において、第
３工程として、液滴間の重なりが２０μmとなるような
ピッチで、第１吐出工程と第２吐出工程で形成されたラ
イン上に吐出する工程を、１００℃で５分間の乾燥工程
を挟みながら３回繰り返した。この時の線幅Ｗ５は表１
に示すとおりであった。その結果、表１及び図１２に示
すように、Ｗ２とＷ５との差ΔＷは、接触角が６０〜７
０[deg]では０μmであったが、接触角が６０[deg]より
も小さくなるにつれ、大きくなることが認められた。し
たがって、接触角を６０[deg]以上とすべきことが確認
された。
【００９７】 ［表１］ 接触角 Ｒ Ｗ５ ΔＷ Ｗ２ [deg] [μm] [μm] [μm] [μm] 実施例４−１ ７０ ４９ ４９ ４９ ０ 実施例４−２ ６５ ５２ ５２ ５２ ０ 実施例４−３ ６０ ５５ ５５ ５５ ０ 実施例４−４ ５５ ５７ ５７ ６４ ７ 実施例４−５ ５０ ６０ ６０ ７５ １５ 実施例４−６ ４５ ６２ ６２ ８４ ２２ 実施例４−７ ４０ ６５ ６５ ９５ ３０
【００９８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の膜パター
ンの形成方法によれば、バルジが生じる危険性が軽減さ
れるので、基板の撥液性を高め、基板と液体との接触角
を大きくすることができる。そのため、細線化、厚膜化
が可能となる。また、インクジェット法によるため、基
板が平坦でなく凹凸のあるものであっても膜を形成する
ことができる。そのため、例えば、段差のある箇所をま
たいで配線等の膜を形成することも可能である。また、
本発明の膜パターン形成装置によれば、簡単な工程で効
率よく厚膜化を達成し、細線化の要請も満たし、しか
も、導電膜とした場合に断線や短絡等の問題を生じない
膜パターン形成装置とすることができる。また、本発明
の導電膜配線によれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、
断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも微細に形成可
能な導電膜配線とすることができる。また、発明によれ
ば、配線部やアンテナの断線や短絡等の不良が生じにく
く、しかも、小型化、薄型化が可能な電気光学装置、及
びこれを用いた電子機器、並びに非接触型カード媒体を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１実施形態に係る膜パターン形成方法の工
程図である。
【図２】 第１実施形態に係る膜パターン形成方法の工
程図である。
【図３】 第１実施形態に係る膜パターン形成方法の工
程図である。
【図４】 第１実施形態に係る膜パターン形成方法の工
程図である。
【図５】 第１実施形態に係る膜パターン形成方法の説
明図である。
【図６】 第１実施形態に係る膜パターン形成方法の説
明図である。
【図７】 第２実施形態に係る膜パターン形成装置の斜
視図である。
【図８】 第４実施形態に係る液晶装置の第１基板上の
平面図である。
【図９】 第５実施形態に係るプラズマ型表示装置の分
解斜視図である。
【図１０】 第６実施形態に係る電子機器で（ａ）は、
第４実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電話の一例を
示す図、（ｂ）は、第４実施形態の液晶表示装置を備え
た携帯型情報処理装置の一例を示す図、（ｃ）は、第４
実施形態の液晶表示装置を備えた腕時計型電子機器の一
例を示す図である。
【図１１】 第７実施形態に係る非接触型カード媒体の
分解斜視図である。
【図１２】 接触角と線幅の増加との関係を示すグラフ
である。
【図１３】 バルジと断線、短絡との関係について説明
する図である。
【符号の説明】
Ｌ1〜Ｌ2 液滴 Ｓ1〜Ｓ2 乾燥膜 Ｈ インクジェットヘッド Ｗ 基板 １００ 配線形成装置 １ インクジェットヘッド群 ４ 載置台 １５ ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C056 FA15 FB02 FB04 FB05 FB10 FD10 HA46 5E343 AA12 AA18 AA22 AA26 BB23 BB24 BB25 BB44 BB48 BB72 CC25 CC26 DD15 DD18 EE36 EE37 ER33 ER35 ER44 ER45 FF05 GG08

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 膜形成成分を含有した液体からなる液
    滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターン
    を形成する膜パターンの形成方法であって、 複数の液滴を、前記膜形成領域全体に、前記基板上に着
    弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第
    １吐出工程と、 複数の液滴を、前記膜形成領域全体の前記第１吐出工程
    における吐出位置と異なる位置に、前記基板上に着弾し
    た後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する第
    ２吐出工程とを有することを特徴とする膜パターンの形
    成方法。
  2. 【請求項２】 前記第２吐出工程におけるピッチが、
    前記第１吐出工程におけるピッチと略同一であることを
    特徴とする請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
  3. 【請求項３】 前記第１吐出工程におけるピッチが、
    前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２倍以下である
    ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の膜パタ
    ーンの形成方法。
  4. 【請求項４】 前記第１吐出工程におけるピッチが、
    前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも１０μｍ以
    上大きいことを特徴とする請求項１から請求項３の何れ
    かに記載の膜パターンの形成方法。
  5. 【請求項５】 前記第２吐出工程の後に、前記液体の
    複数の液滴を、前記膜形成領域全体に、前記第１吐出工
    程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する第３吐
    出工程を有することを特徴とする請求項１から請求項４
    の何れかに記載の膜パターンの形成方法。
  6. 【請求項６】 前記第３吐出工程におけるピッチが、
    前記基板上に着弾した後の前記液滴の直径以下であるこ
    とを特徴とする請求項５に記載の膜パターンの形成方
    法。
  7. 【請求項７】 前記基板と前記液体との接触角が６０
    ［ｄｅｇ］以上であることを特徴とする請求項１から請
    求項６の何れかに記載の膜パターンの形成方法。
  8. 【請求項８】 前記基板が、前記第１吐出工程に先立
    ち、前記液体に対する接触角が６０［ｄｅｇ］以上とな
    るように表面処理されていることを特徴とする請求項１
    から請求項７の何れかに記載の膜パターンの形成方法。
  9. 【請求項９】 前記膜形成成分が導電性微粒子を含有
    することを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに
    記載の膜パターンの形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記膜形成成分を、熱処理又は光処
    理によって導電膜に変換する工程を有することを特徴と
    する請求項９に記載の膜パターンの形成方法。
  11. 【請求項１１】 膜形成成分を含有した液体を、基板
    上の所定の膜形成領域にインクジェット法により吐出し
    て膜パターンを形成する膜パターン形成装置であって、 請求項１から請求項１０の何れかに記載の膜パターンの
    形成方法によって膜パターンを形成することを特徴とす
    る膜パターン形成装置。
  12. 【請求項１２】 前記膜形成成分が導電性微粒子であ
    ることを特徴とする請求項１１に記載の膜パターン形成
    装置。
  13. 【請求項１３】 前記基板上に吐出された液体を、導
    電膜に変換する熱処理手段又は光処理手段を備えること
    を特徴とする請求項１２に記載の膜パターンの形成装
    置。
  14. 【請求項１４】 請求項９又は請求項１０に記載の膜
    パターンの形成方法によって形成されたことを特徴とす
    る導電膜配線。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載された導電膜配線
    を備えることを特徴とする電気光学装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載された電気光学装
    置を備えることを特徴とする電子機器。
  17. 【請求項１７】 請求項１４に記載された導電膜配線
    をアンテナ回路として備えることを特徴とする非接触型
    カード媒体。
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Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6810814B2 (en) 2002-04-16 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Method for fabricating pattern, apparatus for fabricating pattern, conductive film wiring, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
JP2004356320A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Seiko Epson Corp 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP2005085877A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
JP2005190992A (ja) * 2003-11-14 2005-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2005203763A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体集積回路、並びに半導体装置、及び該半導体集積回路の作製方法
JP2005228507A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Seiko Epson Corp 燃料電池の製造方法
JP2005229098A (ja) * 2003-12-12 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2006100398A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Seiko Epson Corp パターン形成方法、配線基板の製造方法、及び電子機器
JP2006159094A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Rorze Corp 塗布膜、膜形成方法及び膜形成装置
JP2006237587A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP2006237586A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、電子機器、半導体装置の作製方法
US7138304B2 (en) 2003-05-16 2006-11-21 Seiko Epson Corporation Method for forming thin film pattern, device and production method therefor, electro-optical apparatus and electronic apparatus, and production method for active matrix substrate
US7192859B2 (en) 2003-05-16 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device and display device
JP2007073976A (ja) * 2005-01-28 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US7215406B2 (en) 2003-05-20 2007-05-08 Seiko Epson Corporation Device for arranging liquid drops, electro-optical panel, electro-optical device, electronic apparatus, method of arranging liquid drops, method of manufacturing electro-optical panel, and method of manufacturing electronic apparatus
US7223641B2 (en) 2004-03-26 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television
US7226819B2 (en) 2003-10-28 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
JP2007142061A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置およびその製造方法
US7235415B2 (en) 2003-05-28 2007-06-26 Seiko Epson Corporation Film pattern formation method, device and method for manufacturing the same, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate
JP2007189234A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Icf Technology Co Ltd 基板構造及び該基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法
KR100770286B1 (ko) * 2004-09-28 2007-10-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 배선 기판의 제조 방법
JP2007311096A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Seiko Epson Corp 二次電池、二次電池の製造方法、電子機器
US7365805B2 (en) 2004-01-26 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
US7371625B2 (en) 2004-02-13 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
US7374977B2 (en) 2003-12-17 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet discharge device, and method for forming pattern, and method for manufacturing display device
EP1737285A3 (en) * 2005-06-22 2008-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Circuit pattern forming method and circuit pattern forming device
JP2008130866A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Seiko Epson Corp 表面改質方法およびパターン形成方法
US7393553B2 (en) 2003-07-11 2008-07-01 Seiko Epson Corporation Droplet information measuring method and apparatus therefor, film pattern forming method, device manufacturing method, droplet discharge apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7635889B2 (en) 2005-01-28 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
JP2010082581A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Ulvac Japan Ltd 微粒子塗布方法
JP2010082562A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp パターン形成方法、デバイスおよび電子機器
US7772622B2 (en) 2006-04-26 2010-08-10 Hitachi, Ltd. Field effect transistor and manufacturing method thereof
JP2010234354A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Fujifilm Corp ラインパターン形成方法
US7859187B2 (en) 2003-11-14 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for fabricating the same
US7868957B2 (en) 2003-12-02 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2011016223A (ja) * 2010-08-19 2011-01-27 Allied Material Corp 電着砥石の製造方法
US7939132B2 (en) 2005-02-01 2011-05-10 Seiko Epson Corporation Film pattern forming method for forming a margin band and filling the margin band
US7968461B2 (en) 2003-10-28 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US8263983B2 (en) 2003-10-28 2012-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring substrate and semiconductor device
US8289164B2 (en) 2003-12-12 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101205191B1 (ko) * 2003-12-19 2012-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
JP2012532243A (ja) * 2009-07-03 2012-12-13 ドゥサン コーポレーション 炭化水素系粘着剤組成物及びこれを用いた基板の表面処理方法
JP2012256756A (ja) * 2011-06-09 2012-12-27 Ricoh Co Ltd 電気−機械変換膜の形成方法、電気−機械変換膜、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッドおよび画像形成装置
CN103389600A (zh) * 2012-05-07 2013-11-13 塔工程有限公司 检测液晶的错误排出的方法
JP2015009183A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 株式会社タムラ製作所 インクジェット法を用いたライン形成方法
JP2015178214A (ja) * 2014-03-19 2015-10-08 セイコーエプソン株式会社 印刷装置
WO2019098195A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 日立化成株式会社 物品及びその製造方法
JP2020199725A (ja) * 2019-06-12 2020-12-17 株式会社ウイル 高速タグ発行装置及びタグ製造方法

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0030095D0 (en) * 2000-12-09 2001-01-24 Xaar Technology Ltd Method of ink jet printing
JP4149161B2 (ja) * 2001-12-06 2008-09-10 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法およびパターン製造装置
US7147310B2 (en) * 2002-01-30 2006-12-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printing-fluid container
JP3823870B2 (ja) * 2002-04-22 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 配線板の製造方法、および電子機器の製造方法
KR20030086168A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2004146796A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
KR100618577B1 (ko) * 2002-11-13 2006-08-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널의 디스펜서 및 이를 이용한 디스펜싱 방법
KR100724476B1 (ko) * 2002-11-13 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널의 디스펜서 및 이를 이용한 디스펜싱물질의 잔여량 검출방법
KR100618576B1 (ko) * 2002-11-13 2006-08-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널의 디스펜서 및 이를 이용한 디스펜싱 방법
JP4253178B2 (ja) * 2002-12-02 2009-04-08 アークレイ株式会社 分析用具の製造方法
KR101115291B1 (ko) 2003-04-25 2012-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액적 토출 장치, 패턴의 형성 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101167534B1 (ko) * 2003-04-25 2012-07-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 패턴의 제작방법 및 액적 토출장치
JP2004363560A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP4742487B2 (ja) * 2003-05-09 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 膜パターン形成方法
JP3823981B2 (ja) * 2003-05-12 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 パターンと配線パターン形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法
JP4629997B2 (ja) * 2003-06-02 2011-02-09 株式会社リコー 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ
US7393081B2 (en) * 2003-06-30 2008-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet jetting device and method of manufacturing pattern
DE602004027852D1 (de) * 2003-09-02 2010-08-05 Pixdro Ltd System zur Schaffung feiner Linien mittels Tintenstrahltechnologie
KR100689313B1 (ko) * 2003-11-22 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 은-실런트 복합화 디스펜서 및 이를 이용한액정표시패널의 디스펜싱 방법
US7130234B2 (en) * 2003-12-12 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7405665B2 (en) * 2003-12-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RFID tag and label-like object
US7508305B2 (en) * 2003-12-26 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Packing material, tag, certificate, paper money, and securities
US7273773B2 (en) * 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing thereof, and television device
WO2005077549A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and display device, and method for manufacturing thereof
US7462514B2 (en) * 2004-03-03 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television
US20050196710A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television apparatus
US7642038B2 (en) * 2004-03-24 2010-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus
US7531294B2 (en) * 2004-03-25 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming film pattern, method for manufacturing semiconductor device, liquid crystal television, and EL television
US20050276933A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Ravi Prasad Method to form a conductive structure
US7494923B2 (en) 2004-06-14 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of wiring substrate and semiconductor device
US8158517B2 (en) * 2004-06-28 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device
US7547647B2 (en) * 2004-07-06 2009-06-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making a structure
US7557369B2 (en) * 2004-07-29 2009-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display and method for manufacturing the same
JP4051631B2 (ja) * 2004-08-20 2008-02-27 セイコーエプソン株式会社 エッチング方法、微細構造体の製造方法、導電線の形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び電子機器の製造方法
JP4628040B2 (ja) * 2004-08-20 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子を備えた表示装置の製造方法
US7582904B2 (en) 2004-11-26 2009-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device
US20060135028A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-22 Andreas Klyszcz Substrate for a display and method for manufacturing the same
WO2006076606A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Optimized multi-layer printing of electronics and displays
US20060158497A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Karel Vanheusden Ink-jet printing of compositionally non-uniform features
WO2006076604A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Processes for planarizing substrates and encapsulating printable electronic features
US8167393B2 (en) 2005-01-14 2012-05-01 Cabot Corporation Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same
US7824466B2 (en) 2005-01-14 2010-11-02 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles
US20060189113A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-24 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
WO2006076607A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Ink-jet printing of passive electricalcomponents
US20060158478A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Howarth James J Circuit modeling and selective deposition
US8383014B2 (en) 2010-06-15 2013-02-26 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
JP2006195863A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Fujitsu Ten Ltd エラー検出装置
US7354794B2 (en) * 2005-02-18 2008-04-08 Lexmark International, Inc. Printed conductive connectors
JP4297106B2 (ja) * 2005-02-23 2009-07-15 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
DE602005014933D1 (de) 2005-02-28 2009-07-30 Samsung Sdi Germany Gmbh Metallische Tinte und Substrat für eine Anzeige und deren Fertigungsmethode
US20060192183A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Andreas Klyszcz Metal ink, method of preparing the metal ink, substrate for display, and method of manufacturing the substrate
JP2006247489A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Seiko Epson Corp パターン形成方法、識別コード形成方法、液滴吐出装置
JP4458075B2 (ja) * 2005-08-26 2010-04-28 セイコーエプソン株式会社 層形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および多層配線基板の製造方法
JP4487889B2 (ja) * 2005-09-12 2010-06-23 セイコーエプソン株式会社 層形成方法
CN101304813B (zh) * 2005-11-11 2011-08-17 日立化成研究中心公司 通过采用微滴图案形成的微构造提高弹性体材料生物相容性的方法
GB2433646A (en) * 2005-12-14 2007-06-27 Seiko Epson Corp Printing ferroelectric devices
US7569406B2 (en) * 2006-01-09 2009-08-04 Cree, Inc. Method for coating semiconductor device using droplet deposition
US20070241966A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Yung-Shun Chen Conductive antenna structure and method for making the same
US8796125B2 (en) * 2006-06-12 2014-08-05 Kovio, Inc. Printed, self-aligned, top gate thin film transistor
US9196641B2 (en) 2006-08-15 2015-11-24 Thin Film Electronics Asa Printed dopant layers
US7767520B2 (en) * 2006-08-15 2010-08-03 Kovio, Inc. Printed dopant layers
US7709307B2 (en) * 2006-08-24 2010-05-04 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
JP5138439B2 (ja) * 2008-03-28 2013-02-06 富士フイルム株式会社 液体塗布方法、液体塗布装置及び放射線検出器製造方法
TW201005813A (en) 2008-05-15 2010-02-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
US8153905B2 (en) * 2009-02-27 2012-04-10 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board
CN102318040B (zh) 2009-03-06 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
JP5701782B2 (ja) 2009-03-09 2015-04-15 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 電気活性層の形成方法
KR20110139253A (ko) 2009-03-09 2011-12-28 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 층을 형성하기 위한 방법
JP5099061B2 (ja) * 2009-03-26 2012-12-12 セイコーエプソン株式会社 塗膜形成方法および圧電素子の製造方法
JP2012091454A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Canon Inc 転写型インクジェット記録方法
JP2013166271A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Mimaki Engineering Co Ltd インクジェット印刷方法及びインクジェット印刷装置
JP2014027125A (ja) * 2012-07-27 2014-02-06 Ibiden Co Ltd プリント配線板の製造方法
KR20170026957A (ko) * 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법
DE102019106546A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5975205A (ja) 1982-10-25 1984-04-27 Seiko Epson Corp カラ−フイルタの製造方法
US5132248A (en) 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
US6260938B1 (en) * 1996-04-23 2001-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Ink-jet printing method and apparatus for printing with inks of different densities

Cited By (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6810814B2 (en) 2002-04-16 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Method for fabricating pattern, apparatus for fabricating pattern, conductive film wiring, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US7146910B2 (en) 2002-04-16 2006-12-12 Seiko Epson Corporation Method for fabricating pattern, apparatus for fabricating pattern, conductive film wiring, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US7575993B2 (en) 2003-05-16 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device and display device
US7192859B2 (en) 2003-05-16 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device and display device
US7138304B2 (en) 2003-05-16 2006-11-21 Seiko Epson Corporation Method for forming thin film pattern, device and production method therefor, electro-optical apparatus and electronic apparatus, and production method for active matrix substrate
US7215406B2 (en) 2003-05-20 2007-05-08 Seiko Epson Corporation Device for arranging liquid drops, electro-optical panel, electro-optical device, electronic apparatus, method of arranging liquid drops, method of manufacturing electro-optical panel, and method of manufacturing electronic apparatus
CN1314537C (zh) * 2003-05-20 2007-05-09 精工爱普生株式会社 液滴配置装置及配置方法、电光面板及其制造方法
US7235415B2 (en) 2003-05-28 2007-06-26 Seiko Epson Corporation Film pattern formation method, device and method for manufacturing the same, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate
JP2004356320A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Seiko Epson Corp 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4539032B2 (ja) * 2003-05-28 2010-09-08 セイコーエプソン株式会社 膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法
US7438944B2 (en) 2003-07-11 2008-10-21 Seiko Epson Corporation Droplet information measuring method and apparatus therefor, film pattern forming method, device manufacturing method, droplet discharge apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US7883165B2 (en) 2003-07-11 2011-02-08 Seiko Epson Corporation Droplet information measuring method and apparatus therefor, film pattern forming method, device manufacturing method, droplet discharge apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US7393553B2 (en) 2003-07-11 2008-07-01 Seiko Epson Corporation Droplet information measuring method and apparatus therefor, film pattern forming method, device manufacturing method, droplet discharge apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
JP2005085877A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
US7875542B2 (en) 2003-10-28 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US8278204B2 (en) 2003-10-28 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US7226819B2 (en) 2003-10-28 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US9237657B2 (en) 2003-10-28 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Wiring substrate, semiconductor device, and method for manufacturing thereof
US7968461B2 (en) 2003-10-28 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US8263983B2 (en) 2003-10-28 2012-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring substrate and semiconductor device
JP2005190992A (ja) * 2003-11-14 2005-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
US7859187B2 (en) 2003-11-14 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for fabricating the same
US8228453B2 (en) 2003-12-02 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US7868957B2 (en) 2003-12-02 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8619219B2 (en) 2003-12-02 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device and liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8289164B2 (en) 2003-12-12 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2005229098A (ja) * 2003-12-12 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US7374977B2 (en) 2003-12-17 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet discharge device, and method for forming pattern, and method for manufacturing display device
KR101205191B1 (ko) * 2003-12-19 2012-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
KR101298962B1 (ko) * 2003-12-19 2013-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제조하는 방법
JP2005203763A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体集積回路、並びに半導体装置、及び該半導体集積回路の作製方法
US7993993B2 (en) 2004-01-26 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
US7365805B2 (en) 2004-01-26 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
US7732818B2 (en) 2004-01-26 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
JP2005228507A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Seiko Epson Corp 燃料電池の製造方法
US7776667B2 (en) 2004-02-13 2010-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
US7371625B2 (en) 2004-02-13 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
US7223641B2 (en) 2004-03-26 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television
KR100770286B1 (ko) * 2004-09-28 2007-10-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 배선 기판의 제조 방법
JP2006100398A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Seiko Epson Corp パターン形成方法、配線基板の製造方法、及び電子機器
JP4506384B2 (ja) * 2004-09-28 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、配線基板の製造方法、及び電子機器
US7538031B2 (en) 2004-09-28 2009-05-26 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a wiring substrate and an electronic instrument
JP2006159094A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Rorze Corp 塗布膜、膜形成方法及び膜形成装置
JP4759258B2 (ja) * 2004-12-07 2011-08-31 ローツェ株式会社 塗布膜、膜形成方法及び膜形成装置
US8324018B2 (en) 2005-01-28 2012-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
KR101251311B1 (ko) 2005-01-28 2013-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 서적
US9356152B2 (en) 2005-01-28 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
JP2006237587A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、電子機器、及び半導体装置の作製方法
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI472037B (zh) * 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US8648346B2 (en) 2005-01-28 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
JP2006237586A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、電子機器、半導体装置の作製方法
US7635889B2 (en) 2005-01-28 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
KR101139714B1 (ko) * 2005-01-28 2012-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법, 다이오드 및 표시 장치
KR101165582B1 (ko) 2005-01-28 2012-07-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제조하는 방법
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
JP2007073976A (ja) * 2005-01-28 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8487436B2 (en) 2005-01-28 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7939132B2 (en) 2005-02-01 2011-05-10 Seiko Epson Corporation Film pattern forming method for forming a margin band and filling the margin band
EP1737285A3 (en) * 2005-06-22 2008-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Circuit pattern forming method and circuit pattern forming device
US7867561B2 (en) 2005-06-22 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Circuit pattern forming method and circuit pattern forming device
JP2007142061A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2007189234A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Icf Technology Co Ltd 基板構造及び該基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法
US7772622B2 (en) 2006-04-26 2010-08-10 Hitachi, Ltd. Field effect transistor and manufacturing method thereof
JP2007311096A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Seiko Epson Corp 二次電池、二次電池の製造方法、電子機器
JP2008130866A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Seiko Epson Corp 表面改質方法およびパターン形成方法
JP2010082562A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp パターン形成方法、デバイスおよび電子機器
JP2010082581A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Ulvac Japan Ltd 微粒子塗布方法
JP2010234354A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Fujifilm Corp ラインパターン形成方法
JP2012532243A (ja) * 2009-07-03 2012-12-13 ドゥサン コーポレーション 炭化水素系粘着剤組成物及びこれを用いた基板の表面処理方法
JP2011016223A (ja) * 2010-08-19 2011-01-27 Allied Material Corp 電着砥石の製造方法
JP2012256756A (ja) * 2011-06-09 2012-12-27 Ricoh Co Ltd 電気−機械変換膜の形成方法、電気−機械変換膜、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッドおよび画像形成装置
US9085145B2 (en) 2011-06-09 2015-07-21 Ricoh Company, Ltd. Method of forming electromechanical transducer film, electromechanical transducer film, electromechanical transducer element, and liquid discharge head
CN103389600A (zh) * 2012-05-07 2013-11-13 塔工程有限公司 检测液晶的错误排出的方法
CN103389600B (zh) * 2012-05-07 2018-01-09 塔工程有限公司 检测液晶的错误排出的方法
JP2015009183A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 株式会社タムラ製作所 インクジェット法を用いたライン形成方法
JP2015178214A (ja) * 2014-03-19 2015-10-08 セイコーエプソン株式会社 印刷装置
WO2019098195A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 日立化成株式会社 物品及びその製造方法
JPWO2019098195A1 (ja) * 2017-11-14 2020-11-19 日立化成株式会社 物品及びその製造方法
JP2020199725A (ja) * 2019-06-12 2020-12-17 株式会社ウイル 高速タグ発行装置及びタグ製造方法
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