JP2006100398A - パターン形成方法、配線基板の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 断線や短絡等の欠陥の発生を抑止しつつ微細なパターンを正確に形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、複数のノズルから液体材料を吐出可能な吐出ヘッドを用いたパターン形成方法であって、基体上に機能材料を含む液体材料を配置してパターンを形成するパターン形成工程と、乾燥固化した前記パターンの形状を検査する検査工程と、前記検査工程において検出された前記パターンの形状不良部位に対して、前記パターン形成工程で当該不良部位に前記液体材料を吐出したノズルとは異なるノズルを用いて液体材料を配置するリペア工程とを有している。
【選択図】 なし

Description

本発明は、パターン形成方法、配線基板の製造方法、及び電子機器に関するものである。

電子回路又は集積回路などに使われる配線又は絶縁膜などの製造には、例えば、フォトリソグラフィ法が用いられている。フォトリソグラフィ法は、真空装置などの大がかりな設備と複雑な工程を必要とする。また、フォトリソグラフィ法は、材料使用効率も数％程度であり、その材料のほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。そこで、フォトリソグラフィ法に代わるプロセスとして、機能性材料を含む液体をインクジェットにより基材に直接パターニングする方法（液滴吐出方式）が検討されている。例えば、導電性微粒子を分散させた液体を液滴吐出方式にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理及びレーザー照射を行って導電膜パターンに変換する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
米国特許第５１３２２４８号明細書

インクジェット法によるパターニング法を用いて欠陥のないパターンを安定に形成するためには、吐出ヘッドから吐出される液滴を基板上に正確に着弾させる必要があり、形成するパターンが微細になるほど高い着弾精度が要求される。しかしながら、上記従来技術文献に記載の技術は、係る着弾位置の制御に関して考慮したものではないため、パターンの微細化が進んだ場合にまで対応可能な技術であるとは言い難い。

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、断線や短絡等の欠陥の発生を抑止しつつ微細なパターンを正確に形成する方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するために、複数のノズルから液体材料を吐出可能な吐出ヘッドを用いたパターン形成方法であって、基体上に機能材料を含む液体材料を配置してパターンを形成するパターン形成工程と、乾燥固化した前記パターンの形状を検査する検査工程と、前記検査工程において検出された前記パターンの形状不良部位に対して、前記パターン形成工程で当該不良部位に前記液体材料を吐出したノズルとは異なるノズルを用いて液体材料を配置するリペア工程とを有することを特徴とするパターン形成方法を提供する。
このパターン形成方法によれば、上記パターン形成工程で、前記基体上にパターンを形成した後、検査工程において前記パターンの形状検査を行い、同検査で発見された形状不良部位に対して、再度液滴を吐出することで、パターンの修繕を行うことができる。そして、前記リペア工程における液滴の再吐出に際して、前記形状不良部位の原因となったノズルとは異なるノズルを用いて液滴の吐出配置を行うので、形状不良部位の修繕を正確に行うことができる。これにより、欠陥のない正確な形状を具備したパターンを基体上に形成することができ、また高歩留まりに機能性材料のパターンを形成することができる。

本発明のパターン形成方法では、前記リペア工程において、前記パターン形成工程で形成したパターン上に、平面視略同一形状のパターンを積層形成することもできる。このようなパターン形成方法であっても、パターン形成工程で生じた形状不良部位を修繕することができ、正確な形状を具備したパターンを得られる形成方法となる。

本発明のパターン形成方法では、前記検査工程とリペア工程との間に、前記パターンを含む基体表面の領域を親液化する工程を有していてもよい。上記パターン形成工程において基体上に液体材料を配し、係る液体材料を乾燥固化させてパターンを形成すると、この基体上のパターンの表面が撥液性になる場合がある。そこで本形成方法のようにリペア工程に先立ってパターンを含む基体表面の領域を親液化する工程を有するものとすれば、リペア工程で前記パターン上に液滴を再配置する際に液滴がパターンに弾かれるのを防止でき、効果的に形状不良部位の修繕を行うことができる。

本発明の配線基板の製造方法は、複数のノズルから液体材料を吐出可能な吐出ヘッドを用いた液滴吐出法による配線基板の製造方法であって、基体上に配線層又は絶縁膜を前記液滴吐出法により形成する成膜工程と、前記基体上に形成された配線層又は絶縁膜の形状を検査する検査工程と、前記検査工程において検出された前記配線層又は絶縁膜の形状不良部位に対して、前記成膜工程で当該不良部位に前記液体材料を吐出したノズルとは異なるノズルを用いて液体材料を配置するリペア工程とを有することを特徴とする。
この製造方法によれば、基体上に形成された配線層を有する配線基板を製造するに際して、配線層又は配線層とともに基体上に形成される絶縁膜を形成する工程が、先に記載の本発明のパターン形成方法と同等の形成方法を用いて形成する工程とされているので、基体上に形成される配線層又は絶縁膜が、正確な形状を有して形成され、電気的信頼性に優れた配線層、あるいは絶縁膜を有する配線基板を製造することができる。また、配線基板の歩留まり向上にも寄与する。

本発明の配線基板の製造方法では、基体上に２層以上の配線層と該配線層に挟持された絶縁膜とが設けられた多層配線構造を有する配線基板の製造方法であって、前記配線層及び／又は絶縁膜を形成する工程が、上記構成の各工程（成膜工程、検査工程、及びリペア工程）を含む工程であってもよい。すなわち、本発明の配線基板の製造方法は、多層配線構造を具備した配線基板の製造にも適用することができ、配線層又は絶縁膜、あるいはそれらの双方で優れた電気的信頼性を得ることができる。

本発明の配線基板の製造方法では、前記基体上に配線層を形成した後、該配線層上に液滴吐出法を用いて導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、前記導体ポスト以外の前記基体表面の領域に液滴吐出法を用いて前記絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、を有する製造方法とすることもできる。すなわち本発明の配線基板の製造方法は、絶縁膜により電気的絶縁状態に保持された配線層間の電気的導通をとるための導体ポストを形成する工程を含むことができる。

また本発明の配線基板の製造方法では、前記成膜工程が、前記基体上に前記配線層を構成する配線パターンを形成するための液体材料を配した後、該液体材料を仮乾燥して仮乾燥体を形成する工程であり、前記検査工程が、前記仮乾燥体の形状検査を行う工程であり、前記リペア工程が、前記仮乾燥体の形状不良部位に対して前記液体材料を配する工程であり、前記各工程を経た後、前記仮乾燥体を焼成して前記基体上に配線パターンを形成する焼成工程を含む製造方法とすることもできる。
前記「仮乾燥する」とは、基体上に配された液体材料をその表面が乾燥する程度に乾燥させることを指し、「仮乾燥体」は、基体上に配された液体材料であって、その溶媒が完全に除去されていないものを指す。このように配線層を構成する配線パターンを形成するに際して、成膜工程では液体材料を仮乾燥しておき、リペア工程後に焼成して配線パターンとする製造方法を採用することで、成膜工程で基体上に配された液体材料からなるパターンと、リペア工程で前記パターン上に配された液体材料とを一体化することができ、配線パターンの修繕部位で導通性が低下する等の不具合が生じるのを効果的に防止することができ、電気的信頼性に優れた配線層を得ることができる。

また本発明の配線基板の製造方法では、前記基体上に前記配線層を構成する配線パターンを形成するための液体材料を配した後、該液体材料を仮乾燥して仮乾燥体を形成する工程を含み、前記導体ポスト形成工程において、前記導体ポストを形成するための液体材料を前記仮乾燥体上に配し、その後焼成して前記配線パターン及び前記導体ポストを形成する製造方法とすることもできる。このような製造方法とすれば、前記配線パターンとその表面に突設される導体ポストとを一体化することができ、配線パターンと導体ポストとの間の電気的導通を良好なものとすることができる。

本発明の配線基板は、先に記載の本発明のパターン形成方法を用いて基体上に形成された配線層又は絶縁膜を備えたことを特徴とする。この構成によれば、電気的信頼性に優れた配線基板が提供される。

本発明の電子機器は、先に記載の本発明に係る製造方法により得られた配線基板、又は先に記載の本発明の配線基板を具備したことを特徴とする。この構成によれば、電気的信頼性に優れた配線基板を具備した高信頼性の電子機器が提供される。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明で参照する各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺等を適宜変更して表示している。

（液滴吐出装置）
まず、本実施形態のパターン形成方法に用いられる液滴吐出装置について説明する。図１は、液滴吐出装置の一例を示す斜視構成図である。図１に示す液滴吐出装置２０は、基板（基体）１１に対して機能材料を含む液体材料を液滴状にして吐出し配置するものであり、１つ又は複数の吐出ヘッドを具備したキャリッジ１と、キャリッジ１をＸ方向に移動自在に支持するＸ方向ガイド軸２と、Ｘ方向ガイド軸２を回転駆動するＸ方向駆動モータ３とを備えている。基板１１を載置するための載置台４と、載置台４をＹ方向に移動自在に支持するＹ方向ガイド軸５と、Ｙ方向ガイド軸５を回転駆動するＹ方向駆動モータ６とを備えている。前記Ｘ方向ガイド軸２及びＹ方向ガイド軸５は、基台７の所定位置にそれぞれ固定され、基台７の下部には、制御装置８が配設されている。さらに、クリーニング機構部１４及びヒータ１５を備えたものとなっている。

キャリッジ１は、導電性微粒子を含有する分散液等の液体材料をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔で基板に付与することができる複数の吐出ヘッド（吐出ヘッド）を備えている。これら複数の吐出ヘッドの各々から、制御装置８から供給される吐出電圧に応じて個別に前記液体材料を吐出できるようになっている。
キャリッジ１はＸ方向ガイド軸２に固定され、Ｘ方向ガイド軸２には、Ｘ方向駆動モータ３が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転駆動する。そして、Ｘ方向ガイド軸２の回転動作に伴いキャリッジ１が基台７に対してＸ軸方向に移動するようになっている。

ここで、キャリッジ１に装着される吐出ヘッドの詳細について説明する。図２は、吐出ヘッド３０を示す図であり、（ａ）は吐出ヘッド３０の要部を分解的に示す斜視構成図、（ｂ）は吐出ヘッド３０の部分断面構成図である。
吐出ヘッド３０は、図２（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート３２と振動板３３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）３４を介して接合したものである。ノズルプレート３２と振動板３３との間には、仕切部材３４によって複数のキャビティ３５とリザーバ３６とが形成されている。各キャビティ３５とリザーバ３６の内部は液体材料で満たされ、各キャビティ３５は、供給口３７を介してリザーバ３６と連通している。また、ノズルプレート３２には、キャビティ３５から外部へ液体材料を噴射するためのノズル孔３８が縦横に配列されている。一方、振動板３３には、リザーバ３６に液体材料を供給するための導入口３９が形成されている。

また、振動板３３のキャビティ３５に対向する面と反対側の面上には、図２（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）４０が接合されている。この圧電素子４０は、一対の電極４１に挟まれた状態で配設されており、これらの電極４１，４１に通電することで外側（図示上側）に突出するように弾性変形するようになっている。このような構成のもと、圧電素子４０が接合された振動板３３は、圧電素子４０の変形により、圧電素子４０と一体に外側へ撓曲するようになっており、この変形に伴いキャビティ３５の容積が増大する。したがって、キャビティ３５内の容積の増大分に相当する液体材料が、リザーバ３６から供給口３７を介してキャビティ３５に流入する。そして、圧電素子４０への通電を解除すると、圧電素子４０及び振動板３３が元の形状に戻る際の圧力によってキャビティ３５内部の液体材料がノズル孔３８側へ押圧され、ノズル孔３８から基板に向けて液体材料の液滴４２が吐出される。

なお、上記構成を備えた吐出ヘッド３０は、その底面形状が略矩形状のもので、図３に示すようにノズルＮ（ノズル孔３８）が縦に等間隔で整列した状態で矩形状に配置されたものである。そして、本例では、これら各ノズルＮ（Ｎ１，Ｎ２，…）には、それぞれに対応して独立の圧電素子４０が設けられ、各圧電素子４０への制御信号により各ノズルに係る吐出動作をそれぞれ独立に制御できるようになっている。すなわち、このような圧電素子４０に送る電気信号としての吐出波形を制御することにより、各ノズルＮからの液滴の吐出量を調整し、変化させることができるようになっている。ここで、前記吐出波形の制御は制御装置８によるものとすることができ、制御装置８は各ノズルＮからの液滴吐出量を変化させる吐出量調整手段としても機能するようになっている。
なお、吐出ヘッド３０の方式としては、前記の圧電素子４０を用いたピエゾジェット方式に限定されるものではなく、例えばサーマル方式を採用することもでき、その場合には加熱時間の長短を変化させる等の手段により液体材料の吐出量を変化させることができる。

図１に戻り、載置台４は、この液滴吐出装置２０を用いた液滴吐出法に供される基板１１を載置固定するもので、載置された基板１１を所定位置に固定する機構を備えている。載置台４はＹ方向ガイド軸５に支持され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されるとＹ方向ガイド軸５を回転駆動する。そして、Ｙ方向ガイド軸５の回転に伴い、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動するようになっている。

クリーニング機構部１４は、キャリッジ１の吐出ヘッド３０クリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部１４は、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動するようになっている。クリーニング機構部１４の移動も、制御装置８によって制御されている。

ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板１１を熱処理する手段であり、基板上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行うようになっている。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置８によって制御されるようになっている。

本実施形態の液滴吐出装置２０において、所定の配線形成領域に分散液を吐出するためには、制御装置８から所定の駆動パルス信号をＸ方向駆動モータ３及び／又はＹ方向駆動モータ６とに供給し、キャリッジ１及び／又は載置台４を移動させることにより、キャリッジ１と基板１１（載置台４）とを相対移動させる。そして、この相対移動の間にキャリッジ１における所定の吐出ヘッド３０に制御装置８から吐出電圧を供給し、当該吐出ヘッド３０から分散液を吐出させる。

本実施形態の液滴吐出装置２０において、キャリッジ１の各吐出ヘッド３０からの液滴の吐出量は、制御装置８から供給される吐出電圧の大きさによって調整できる。また、基板１１に吐出される液滴のピッチは、キャリッジ１と基板１１（載置台４）との相対移動速度、及び吐出ヘッド３０における吐出周波数（吐出電圧供給の周波数）によって決定される。

（パターン形成方法）
次に、図４から図６を参照つつ、本発明に係るパターン形成方法の一実施の形態について、配線基板の導電配線等の配線パターンを形成する方法を例示して説明する。図４から図６は、本実施形態の配線パターン形成方法に含まれる各工程を説明するための図である。

本実施形態の配線パターン形成方法は、先に記載の複数のノズルＮを有する吐出ヘッド３０から、配線を形成するための導電材料の微粒子等を含む液体材料を基体上に吐出配置し、この基体上で前記液体材料を乾燥固化することで当該基体上に所望の配線パターンを形成するものである。そして、ノズルＮから吐出されて基板１１上に配置される液滴の着弾位置が、図４に示すように一部ずれている場合に適用することで、着弾位置のずれによるパターンの断線等の不良を修復できるようにするパターン形成方法である。

図４は、本実施形態の配線パターン形成方法のうち、パターン形成工程を示す平面構成図である。同図に示すように、まず、吐出ヘッド３０を図示下方向に移動させながらノズルＮ１〜Ｎ９（Ｎ）から、導電性微粒子を含む液体材料の液滴５１を吐出し基体上に配置することで、図示左右方向に延びる直線状の液状体パターンを形成する。なお、本実施形態では、吐出ヘッド３０の図示を簡略化して９個のノズルＮ１〜Ｎ９のみを示しているが、実際の吐出ヘッド３０にはさらに多数のノズルＮが設けられている。

図４に示す第１列〜第３列は、このようにして順次基体上に配置された液体材料を示している。基体上に着弾した直後の液滴５１…は、図４の第３列に示すように液滴の形状を保持しているが、時間の経過とともに第２列、第１列に示すように、隣接する液滴５１同士が集合し、第１列に示すような直線状の液状体パターン５２が形成される。

このとき、吐出ヘッド３０の各ノズルＮ１〜Ｎ９が意図した位置に液滴５１を着弾させることができていれば、基体上の液状体パターン５２は連続する１本の直線状パターンを形成するはずであるが、ノズルＮ５から吐出された液滴５１ａの着弾位置が、図４に示すように、例えば右側へずれている場合、形成される液状体パターン５２には、ノズルＮ５に対応する位置に断線部（形状不良部位）５２ｄが生じることとなる。そして、これらの液状体パターン５２を乾燥し固化させることで、図５（ａ）に示すような配線パターン５３が得られるが、上記断線部５２ｄに対応する部位は断線部（形状不良部位）５３ｄとなって配線パターン５３に残ることになる。

そこで本実施形態では、図５（ｂ）に示す検査工程によって、まず光学顕微鏡やＣＣＤカメラを備えた撮像装置等の検査手段５９により基体１１上の配線パターン５３を検査し、配線パターン５３の形状不良部位である断線部５３ｄの位置を特定する。
次いで、図６に示すリペア工程において、基体上の配線パターン５３上に、吐出ヘッド３０のノズルＮから液滴５４を吐出して配置し、配線パターン５３上にさらに液状体パターン５５を形成することで、断線部５３ａの領域にパターンを形成し、一本の直線状の配線パターンを形成する。
なお、先のパターン形成工程において、液状体パターン５２を乾燥固化することで形成された配線パターン５３の表面が、液体材料をさらに重ねて配置するのに不適な状態（撥液性）になっている場合もある。その場合には、図６に示すリペア工程に先立って、配線パターン５３を含む基体表面を親液化する処理（例えばＵＶ照射やオゾン処理）を実行するのがよい。

そして本実施形態の配線パターン形成方法は、この液状体パターン５５の形成に際して、図６に示すように、吐出ヘッド３０の位置を、ノズルＮの１ピッチ分だけ図示右側へずらし、断線部５３ａに対して、ノズルＮ４から吐出された液滴が配置されるようになっている。このようにして液滴５４を吐出配置すれば、図６の第２列及び第１列に示すように、断線部５３ａ上にも液体材料が配され、第１列に示すような１本の直線状の液状体パターンを形成することができる。その後、この液状体パターンを乾燥、固化することで不良部位の無い直線状の配線パターンを得ることができる。
このように断線部５３ａが生じる原因となったノズルＮ５とは異なるノズルＮ４を用いて断線部５３ａの修繕を行うようになっているので、容易かつ正確に断線部５３ａを修復することができ、正確な平面形状と良好な導電性とを具備した配線パターンを得ることができる。

なお、上記実施の形態では、吐出ヘッド３０のノズルＮ５における着弾位置のずれによって配線パターン５３に断線部５３ａが生じる場合について説明したが、上記着弾位置のずれにより配線パターン５３が一部細くなったり、蛇行して生じた形状不良部位についても、本発明のパターン形成方法は有効であり、同形成方法のリペア工程によって正確に形状不良部位を修復でき、正確な平面形状と良好な導電性を具備した配線パターンを得ることができる。

また本実施形態では、吐出ヘッド３０の異なるノズルＮを用いて断線部５３ａの修復を行うに際して、ノズルＮ５に隣接するノズルＮ４を用いて液滴５４を吐出配置しているが、ノズルＮ５以外のノズルであれば、ノズルＮ４に限らず用いることができるのは勿論であり、液滴吐出装置２０が複数の吐出ヘッド３０を具備した構成であれば、断線部５３ａの原因となったノズルＮ５を有する吐出ヘッド３０とは異なる吐出ヘッドを用いて上記リペア工程を行ってもよい。

また本実施形態では、形状不良部位である断線部５３ｄの修繕を行うために吐出ヘッド３０から液滴５４を再吐出する場合について説明したが、上記リペア工程では、前段のパターン形成工程で形成した配線パターン５３に重なるように、同一平面形状の液状体パターンを再描画することもできる。この場合にも、形状不良部位の原因となったノズルとは異なるノズルを用いて形状不良部位に対する液滴の再吐出が行われる。

さらに、配線パターンの形成方法の形態としては、図４に示したパターン形成工程の後、液状体パターン５２を焼成するのではなく、液状体パターン５２の表面を乾燥させる程度の仮乾燥を行う形態であってもよい。この場合には、次の検査工程で仮乾燥後の液状体パターン５２の形状検査を行い、続くリペア工程で、検査工程にて検出された形状不良部位に対して液滴５４を吐出配置して液状体パターンの修繕を行う。そして、リペア後の液状体パターンを焼成することで、配線パターンを得る。
このようにパターン形成工程では液状体パターンを仮乾燥させ、リペア工程の後に一括して焼成を行うようにすれば、パターン形成工程から検査工程、リペア工程までの一連の工程を迅速に行うことができ、効率よく配線パターンを形成することができる。

また上記の実施の形態では、線状の配線パターンを形成する工程に本発明を適用した例を示して説明したが、本発明は、液滴吐出法を用いて基体上にパターンを形成する工程の全般に適用することができ、例えば基体上に平面ベタ状の導電膜や絶縁膜を形成する工程に適用してもよいのは勿論である。例えば、液滴吐出法を用いて形成された絶縁膜では、上述した着弾位置のずれが生じていたとすると、部分的に絶縁膜が薄くなり、絶縁膜を挟んで積層された配線層間で電流リークを生じる原因となることが考えられるが、上記実施形態のパターン形成方法を適用して上記不良部位を修繕することで、電流リーク等の不具合を防止して、電気的信頼性に優れた絶縁膜を得ることができる。

（配線基板の製造方法）
次に、上記実施形態の配線パターンの形成方法を適用した配線基板の製造方法について、図７及び図８、並びに表１を参照して詳細に説明する。図７及び図８は、実施形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面工程図であり、図８には、図７に続く製造工程が示されている。また表１は、同配線基板の製造方法の工程表である。以下には、表１の左端欄のステップ番号の順に、各工程を説明する。
本実施形態は、図８（ｅ）に示すように、フィルム基板（基体）１１上に下地絶縁膜１１０を介して複数層の配線パターン１１６，１１８が積層された多層配線構造を備える配線基板の製造方法である。また本実施形態の配線基板の製造方法は、後述するように、下地形成工程、配線形成工程、導体ポスト形成工程、層内絶縁膜形成工程、及び層間絶縁膜形成工程を有するものである。

＜下地形成工程＞
まず、図７（ａ）に示すフィルム基板１１の表面（成膜面）を洗浄する（ステップ１）。具体的には、波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを、フィルム基板１１の表面に３００秒程度照射する。なお、水などの洗浄液を用いてフィルム基板１１を洗浄してもよく、その際超音波を併用することもできる。

次に、フィルム基板１１の表面に下地絶縁膜１１０を形成する前提として、下地絶縁膜１１０の位置制御を行うための枠状絶縁膜１１０ａを描画形成する（ステップ２）。この描画は、液滴吐出方式（インクジェット方式）によって行う。すなわち、先の液滴吐出装置２０を用いて、下地絶縁膜１１０の形成材料である硬化前の樹脂材料を、下地絶縁膜１１０の形成領域の周縁部に沿う枠状に塗布形成する。
次に、フィルム基板１１上に塗布された前記枠状絶縁膜１１０ａを構成する樹脂材料を硬化させる（ステップ３）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを４秒程度照射して、枠状絶縁膜の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、下地絶縁膜１１０が形成されるフィルム基板１１上の領域を取り囲む枠状絶縁膜（堰）１１０ａが形成される。

次に、図７（ｂ）に示すように、フィルム基板１１上に形成された枠状絶縁膜１１０ａの内側に下地絶縁膜１１０を描画形成する（ステップ４）。この描画も、液滴吐出方式によって行う。具体的には、液滴吐出装置２０の吐出ヘッド３０を枠状絶縁膜に囲まれた領域の内側全体に走査させつつ、吐出ヘッド３０のノズルＮから下地絶縁膜１１０の形成材料である硬化前の樹脂材料を吐出する。ここで、吐出された樹脂材料が流動しても、周縁部に設けられた枠状絶縁膜によって堰き止められるので、下地絶縁膜１１０の形成領域を越えて濡れ広がらないようになっている。
次に、吐出された樹脂材料を硬化させる（ステップ５）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを６０秒程度照射して、下地絶縁膜１１０の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、図７（ｂ）に示すように、フィルム基板１１の表面に下地絶縁膜１１０が形成される。

次に、下地絶縁膜１１０の表面に配線パターンを形成する前提として、下地絶縁膜１１０の表面の接触角を調整する（ステップ６）。次述するように、配線パターンの形成材料を含む液滴を吐出した場合に、下地絶縁膜１１０の表面の接触角が大きすぎると、吐出された液滴が玉状になって所定位置に所定形状の電気配線を形成することが困難になる。一方、下地絶縁膜１１０の表面の接触角が小さすぎると、吐出された液滴が濡れ広がって配線パターンの微細化が困難になる。なお、硬化した下地絶縁膜１１０の表面は撥液性を呈するので、その表面に波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを１５秒程度照射することにより、下地絶縁膜１１０の表面の接触角を調整する。撥液性の緩和の程度は、紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することもできる。なお、親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理や、基板をオゾン雰囲気に曝す処理が挙げられる。

＜配線形成工程（パターン形成工程）＞
次に、図７（ｃ）に示すように、下地絶縁膜１１０の表面に配線パターンを形成するための液状体パターン１１１を描画形成する（ステップ７）。なお、図７（ｃ）以降の断面工程図では、下地絶縁膜１１０を取り囲む枠状絶縁膜１１０ａは図示を省略している。
上記液状体パターン１１１の描画は、液滴吐出装置２０を用いた液滴吐出方式によって行う。ここで吐出するのは、配線の形成材料である導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。その導電性微粒子として、銀が好適に用いられる。その他にも、金、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などを用いることができる。

導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えば立体障害や静電反発を誘発するようなポリマーが挙げられる。また、導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上、０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、ノズルの目詰まりが起こりやすく、吐出ヘッド３０による吐出が困難になるからである。また５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。

使用する分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、又はエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また、液滴吐出方式への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、特に好ましい分散媒としては水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。

導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上、２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるためである。
また、分散媒の蒸気圧は、０．００１ｍｍＨｇ以上、５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、液滴吐出方式で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くなり膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱及び／または光処理後に良質の導電膜が得られにくい。

上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は、１質量％以上、８０質量％以下であり、導電膜の所望膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくい。

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ以上、０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入ることが好ましい。液滴吐出方式にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、吐出に供される液体材料のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。

表面張力を調整するため、上記分散液には、下地絶縁膜１１０との接触角を過度に低下させない範囲で、フッ素系、シリコン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、下地絶縁膜１１０への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、塗膜表面での突起物の発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいても差し支えない。

上記分散液の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上、５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
液滴吐出方式にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には、ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また、粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。

本実施形態では、上記分散液の液滴を吐出ヘッド３０から吐出して、配線パターンを形成すべき位置に滴下する。このとき、液だまり（バルジ）が生じないように、続けて吐出する液滴の重なり程度を調整することが望ましい。
以上により、下地絶縁膜１１０の表面に液状体パターン１１１が形成される。

次に、液状体パターン１１１を仮乾燥させて、図７（ｃ）に示すような液状体パターンの仮乾燥体１１２を得る（ステップ８）。この仮乾燥は、少なくとも液状体パターン１１１の表面を乾燥させる程度に行う。具体的には、湿度が低い空気や不活性ガス等のドライエアを、液状体パターン１１１に向かって吹き付ける。ドライエアの温度は、常温（約２５℃）であっても、高温であってもよい。また、ドライエアを吹き付ける代わりに、先の液滴吐出装置２０に設けられた赤外線ランプ等からなるヒータ１５を用いて、赤外線を液状体パターン１１１に対して照射してもよい。このように、仮乾燥の具体的な方法としてドライエアの吹き付けや赤外線の照射を採用することにより、簡単な製造設備及び製造工程によって仮乾燥を行うことができるので、設備コスト及び製造コストの上昇を抑制することができる。また、仮乾燥のため一時的に温度が上昇しても、直ちに常温に戻すことができるので、製造時間を短縮することができる。

次に、上記ステップ８にて得られた仮乾燥体１１２を光学顕微鏡等を備えた検査手段を用いて検査する。この検査工程において、仮乾燥体１１２に断線やくびれ、蛇行等の形状不良部位が発見された場合、当該形状不良部位を修繕するためのリペア工程（ステップ１０）を実行する。すなわち、液状体パターン１１１を形成するステップ７から、仮乾燥体１１２の検査を行うステップ９、及びパターンの修繕を行うステップ１０が、先の実施形態で図４から図６を参照して説明したパターン形成工程、検査工程、及びリペア工程に対応している。したがって、本実施形態においても、リペア工程であるステップ１０においては、先の形状不良部位に対して吐出ヘッド３０から液滴５１を再度吐出し、同位置に液状体パターンを形成するが、この液滴の再吐出を行うノズルＮとして、上記形状不良部位の原因となったノズルとは異なるノズルが使用される。これにより、仮乾燥体１１２の修繕を正確に行うことができ、正確な平面形状を有する液状体パターンを得ることができる。
上記リペア工程（ステップ１０）が終了したならば、リペア工程で基板１１上に再吐出した液体材料の仮乾燥を行い、平面形状を修正された仮乾燥体１１２を得る（ステップ１１）。

＜導体ポスト形成工程＞
次に、図７（ｄ）に示すように、リペア工程を経て正確な形状となった仮乾燥体１１２上の一部に、導体ポストとなる液状サブポスト１１３を描画形成する（ステップ１２）。この描画も、ステップ７の液状体パターン１１１の描画と同様に、液滴吐出装置２０を用いた液滴吐出方式によって行う。ここで吐出するのは、導体ポストの形成材料である導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液であり、具体的には液状体パターン１１１の描画に用いる液体材料と同じものである。すなわち、液状体パターン１１１を描画した後に、同じ液滴吐出ヘッドを用いて、導体ポストの形成位置に液体材料を吐出すればよい。

上記導体ポストは、層間絶縁膜を介した配線層間の電気的接続に用いられるので、相応の高さに形成する必要がある。そのためには、液滴吐出方式により多数の液滴を同位置に吐出配置して相当高さの液状ポストを形成する必要がある。ところが、一度に多数の液滴を吐出配置しても、液状ポストの高さを確保することは困難であり、逆にフィルム基板１１上で液状ポストが濡れ広がり、隣接する配線や導体ポストと短絡するおそれがある。そこで、液滴の吐出を複数回に分けて行う。そして、その一回の液滴吐出では、必要な液状ポストの高さより低い液状サブポストを形成する。例えば、一回に１０滴程度の液滴を吐出して、まず第１層の液状サブポスト１１３ｓを描画形成する。

次に、液状サブポスト１１３ｓを仮乾燥させる（ステップ１３）。この仮乾燥は、少なくとも液状サブポスト１１３ｓの表面が乾燥するように行う。その具体的な方法として、ステップ８で液状体パターン１１１を仮乾燥させるのに用いた方法と同様に、ドライエアの吹き付けや赤外線の照射を採用することが望ましい。

その後、ステップ１２及びステップ１３を繰り返して行う（ステップ１４）。上記のように第１層の液状サブポスト１１３ｓは仮乾燥されているので、その表面に新たな液滴を吐出しても、下地絶縁膜１１０の表面に広がることはない。そこで、新たに１０滴程度の液滴を吐出すれば、図７（ｆ）に示すように、第１層の液状サブポスト１１３ｓの上に第２層の液状サブポスト１１３ｓを積層することができる。このように、ステップ１２及びステップ１３を繰り返して行うことにより、複数（図示では２層）の液状サブポスト１１３ｓがフィルム基板１１上に積層され、相当高さの液状ポスト１１３を得ることができる。

次に、液状体パターンの仮乾燥体１１２と液状ポスト１１３との本焼成を行う（ステップ１５）。上記した各工程により、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３がいずれも仮乾燥された状態で形成されているので、これらの全体を一括して本焼成する。具体的には、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３が形成されたフィルム基板１１を、１５０℃のホットプレートで３０分程度加熱する。

本焼成は、通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。なお、本焼成の処理温度を１５０℃としたが、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３に含まれる分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して、適当に設定することが望ましい。

このような焼成処理は、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上、５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、１００Ｗ以上、１０００Ｗ以下の範囲で十分である。

このような本焼成により、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３に含まれる分散媒が揮発し、金属微粒子間の電気的接触が確保される。これにより、図８（ａ）に示すように、配線パターン１１６及び導体ポスト１１７が下地絶縁膜１１０上に形成される。

＜層内絶縁膜工程＞
次に、配線パターン１１６の形成層に層内絶縁膜１１４（図８（ｂ）参照）を形成する前提として、下地絶縁膜１１０の表面の接触角を調整する（ステップ１６）。硬化した下地絶縁膜１１０の表面は撥液性を示すことから、その表面に親液性を付与するため、波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを照射する。
続いて、図８（ｂ）に示すように、配線パターン１１６の周囲に層内絶縁膜１１４を描画形成する（ステップ１７）。この描画も、下地絶縁膜１１０の描画と同様に、液滴吐出装置を用いて行う。ここで、層内絶縁膜の形成材料である樹脂材料を、導体ポスト１１７と接触するように吐出すると、樹脂材料が導体ポスト１１７の上端に濡れ上がって、上層の配線パターンとの接続部において導通不良を生じるおそれがある。そこで、導体ポスト１１７及び配線パターン１１６の周囲に隙間を空けて、その外側に樹脂材料を吐出する。

次に、導体ポスト１１６及び配線パターン１１７の周囲の隙間に、波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを照射して、親液処理を施す（ステップ１８）。これにより、導体ポスト１１７及び配線パターン１１６の周囲の隙間に親液性が付与される結果、その隙間に前記樹脂材料が流動して配線パターン１１６と接触する。この場合、樹脂材料が配線パターン１１６の表面に一部濡れ上がる場合もあるが、配線パターン１１６上に突設された導体ポスト１１７の上端にまで達することはない。したがって、導体ポスト１１７と、後段の工程で形成される上層の配線パターンとの導通を確保することができる。
そして、吐出された樹脂材料を硬化させる（ステップ１９）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを４秒程度照射して、層内絶縁膜の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、層内絶縁膜が形成される。

＜層間絶縁膜形成工程＞
次に、図８（ｃ）に示すように、配線パターン１１６及び層内絶縁膜１１４を覆うように、層間絶縁膜１１５を描画する（ステップ２０）。この描画も、下地絶縁膜１１０の描画と同様に、液滴吐出装置を用いて行う。ここでも、導体ポスト１１７の周囲に隙間を空けて、樹脂材料を吐出することが望ましい。
次に、吐出された樹脂材料を硬化させる（ステップ２１）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを６０秒程度照射して、層間絶縁膜の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、層間絶縁膜１１５が形成される。

次に、図８（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１１５の表面に、上層の配線パターン１１８を形成する。その具体的な方法は、下層の配線パターン１１６を形成するためのステップ６から１０の一連の工程と同様である。
次に、図８（ｅ）に示すように、上層側の配線パターン１１８の形成層に層内絶縁膜１１９を形成する。その具体的な方法は、配線パターン１１６の形成層に層内絶縁膜を形成するためのステップ１７から１９の一連の工程と同様である。さらに、ステップ２０及びステップ２１を行うことで、図８（ｅ）に示すように、上層側の配線パターン１１８の表面に層間絶縁膜１２０を形成することができる。

このように、ステップ６から２１の一連の工程を繰り返すことにより、配線パターンをフィルム基板１１上に積層配置することができる。なお、最上層の電気配線の表面には、ステップ２０及びステップ２１と同様の方法により、保護膜を形成すればよい。
以上の工程により、多層配線構造を具備した配線基板を製造することができる。

上述したように、本実施形態の配線基板の製造方法は、液滴吐出方式により液状体パターン１１１を描画形成する工程と（ステップ７）、液状体パターン１１１を仮乾燥して仮焼成体１１２とする工程（ステップ８）と、液状体パターンの仮乾燥体１１２を検査する工程（ステップ９）と、検査工程で発見された形状不良部位を修繕するリペア工程（ステップ１０）と、を有している。これにより、配線基板の各配線層を構成する配線パターン１１６を、正確な形状と良好な導通性を有するものとすることができ、電気的信頼性に優れた配線基板を製造することができる。

また、フィルム基板１１上に形成した液状体パターン１１１を仮乾燥した後、続けて液滴吐出方式により液状ラインの一部に液状ポスト１１３を描画形成する工程（ステップ１２〜１４）と、液状体パターンの仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３を本焼成する工程（ステップ１５）とを行うようになっている。すなわち、仮乾燥状態の液状体パターンの表面に液状ポストを描画形成するので、両者を界面において融合させることができる。そして、液状体パターン及び液状ポストを一括して本焼成することにより、配線パターンと導体ポストとを一体的に形成することができる。これにより、配線パターン１１６と導体ポスト１１７との界面におけるクラックの発生を防止することができ、導通接続の信頼性に優れた配線パターンを具備した配線基板を得ることができる。

また、本実施形態の配線基板の製造方法では、配線パターンや導体ポスト、各種絶縁膜の形成に液滴吐出方式を採用しているので、材料使用効率を向上させることが可能になり、製造コストを低減することができる。さらに、配線パターンの多層化及び微細化が可能になる。一例を挙げれば、複数の配線パターンのライン×スペースの幅を、従来の５０μｍ×５０μｍから、３０μｍ×３０μｍ程度に微細化することができる。これにより、配線基板の小型化、高集積化を実現でき、その配線基板を採用した電子機器の小型化に寄与する。

なお、本実施形態では多層配線構造の配線基板の製造方法を例示して説明したが、硬質の基板における配線パターン（回路配線）の形成方法として本発明を適用することも可能である。また、本実施形態では配線パターン上に導体ポストを形成する場合について説明したが、配線パターンの電極ランド上に導体ポストを形成する場合も本発明の技術的範囲に含まれる。

また、前記実施形態では、製造する配線基板を、基板１１上に下層側配線パターン１１６と上層側配線パターン１１８と、これら配線間を導通させる導体ポスト１１７とを有した２層構造のものとしたが、本発明はこれに限定されることなく、３層構造、あるいは４層以上の構造を有する多層配線構造の配線基板の製造にも適用することができる。
また、このような配線基板の製造方法によって得られた配線基板は、例えば半導体素子等を備えて構成される各種の電子機器に用いられるが、このような多層配線基板を備えた各種の電子機器は、全て本発明の電子機器となる。

（電気光学装置）
上記実施の形態では、積層された配線パターンを具備した配線基板を例示して説明した。そこで、図９を参照して、上記実施形態の配線基板が採用された電気光学装置の一例である液晶モジュールについて説明する。

図９は、ＣＯＦ（Chip On Film）構造の回路基板を具備した液晶モジュールの分解斜視図である。液晶モジュール９０１は、大別すると、カラー表示用の液晶パネル９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３と、回路基板９０３に実装される液晶駆動用ＩＣ９００とを備えて構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置やその他の付帯機器が、液晶パネル９０２に付設される。

液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、所謂セルギャップに液晶が封入される。つまり、液晶は基板９０５ａと基板９０５ｂとによって挟持されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には、例えばガラス、合成樹脂等の透光性材料により形成される。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａが貼り付けられている。

また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ，９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等の透光性導電材料によって形成されている。基板９０５ａは基板９０５ｂに対して面方向に一部張り出して配置されており、この張り出し部に形成された複数の端子９０８を有している。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成する際に電極９０７ａとともに形成されるものである。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されたものとなっている。これらの端子９０８には、電極９０７ａを基板端部まで延出して形成されたものや、他の導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されたものが含まれる。

一方、回路基板９０３には、先の実施形態の製造方法により得られた配線基板が用いられており、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣ９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、液晶駆動用ＩＣ９００が実装された領域以外の部位には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品を実装することもできる。配線基板９０９は、ポリイミド等の可撓性を有するフィルム基板９１１上に、銀等を用いて形成された配線パターン９１２を形成したものとなっている。

また、基板の２短辺端から延びる配線パターン９１２，９１２の端部が配された液晶駆動用ＩＣ９００の実装領域において、各配線パターン９１２の端部には図示略の電極パッドが形成されている。そして、複数の電極パッドに対して、液晶駆動用ＩＣ９００の能動面に形成された複数のバンプ電極が、図示略のＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して電気的に接続されている。この上記ＡＣＦは、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させたものであり、実装された液晶駆動用ＩＣ９００のバンプ電極と配線パターン９１２の電極パッドとの間に介在する上記導電性粒子により両者を電気的に接続するようになっている。

そして、液晶駆動用ＩＣ９００が実装された回路基板９０３が、液晶パネル９０２の基板９０５ａに接続されている。具体的には、回路基板９０３の配線パターン９１２が、図示略のＡＣＦを介して、基板９０５ａの端子９０８と電気的に接続されている。なお、回路基板９０３は可撓性を有するので、自在に折りたたんで省スペース化を実現しうるようになっている。

上記のように構成された液晶モジュール９０１では、回路基板９０３の外側に延びる配線パターン９１２を介して、液晶駆動用ＩＣ９００に信号が入力され、液晶駆動用ＩＣ９００から出力された駆動信号が、液晶パネル側に延びる配線パターン９１２を介して液晶パネル９０２に入力され、液晶パネル９０２の表示駆動が行われるようになっている。

なお、本発明の電気光学装置には、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有する装置の他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換する装置等も含まれている。すなわち、本発明は、上記した液晶表示装置だけでなく、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置や無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの発光装置等に対しても、広く適用することが可能である。例えば、上記実施形態の配線基板を用いた回路基板を有機ＥＬパネルに接続して、有機ＥＬモジュールを構成することも可能である。

（電子機器）
次に、本実施形態の膜形成方法を使用して製造した電子機器につき、図１０を用いて説明する。図１０は、携帯電話の斜視図である。図１０において符号１０００は携帯電話を示し、符号１００１は表示部を示している。この携帯電話１０００の表示部１００１には、先の実施形態の配線基板を備えた電気光学装置が採用されている。したがって、電気的接続の信頼性に優れた小型の携帯電話１０００を提供することができる。
本発明は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の電子機器の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合でも、電気的接続の信頼性に優れた小型の電子機器を提供することができる。

なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。

液滴吐出装置の斜視構成図。 同、吐出ヘッドの分解斜視構成図（ａ）、断面構成図（ｂ）。 同、吐出ヘッドの部分平面構成図。 実施形態に係るパターン形成工程を示す平面構成図。 同、検査工程を示す平面構成図（ａ）、及び側面構成図（ｂ）。 同、リペア工程を示す平面構成図。 実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面工程図。 同、図７に続く工程を示す断面工程図。 配線基板を具備した電気光学装置の一例を示す斜視構成図。 電子機器の一例を示す斜視構成図。

符号の説明

１１…基板（フィルム基板、基体）、５１，５４…液滴（液体材料）、５２，５５…液状体パターン、５３…配線パターン、５２ｄ，５３ｄ…断線部（形状不良部位）、１１１…液状体パターン、１１２…仮乾燥体、１１４，１１９…層内絶縁膜、１１５，１２０…層間絶縁膜、１１６，１１９…配線パターン、１１７…導体ポスト

Claims (7)

1. 複数のノズルから液体材料を吐出可能な吐出ヘッドを用いたパターン形成方法であって、
   基体上に機能材料を含む液体材料を配置してパターンを形成するパターン形成工程と、
   乾燥固化した前記パターンの形状を検査する検査工程と、
   前記検査工程において検出された前記パターンの形状不良部位に対して、前記パターン形成工程で当該不良部位に前記液体材料を吐出したノズルとは異なるノズルを用いて液体材料を配置するリペア工程と
   を有することを特徴とするパターン形成方法。
2. 前記リペア工程において、
   前記パターン形成工程で形成したパターン上に、平面視略同一形状のパターンを積層形成することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
3. 前記検査工程とリペア工程との間に、前記パターンを含む基体表面の領域を親液化する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
4. 複数のノズルから液体材料を吐出可能な吐出ヘッドを用いた液滴吐出法による配線基板の製造方法であって、
   基体上に配線層又は絶縁膜を前記液滴吐出法により形成する成膜工程と、
   前記基体上に形成された配線層又は絶縁膜の形状を検査する検査工程と、
   前記検査工程において検出された前記配線層又は絶縁膜の形状不良部位に対して、前記成膜工程で当該不良部位に前記液体材料を吐出したノズルとは異なるノズルを用いて液体材料を配置するリペア工程と
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
5. 基体上に２層以上の配線層と該配線層に挟持された絶縁膜とが設けられた多層配線構造を有する配線基板の製造方法であって、
   前記配線層及び／又は絶縁膜を形成する工程が、請求項４に記載の各工程を含む工程であることを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 前記基体上に配線層を形成した後、該配線層上に液滴吐出法を用いて導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
   前記導体ポスト以外の前記基体表面の領域に液滴吐出法を用いて前記絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
   を有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
7. 請求項４から６のいずれか１項に記載の製造方法により得られた配線基板を具備したことを特徴とする電子機器。

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