JP4742487B2

JP4742487B2 - 膜パターン形成方法

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Publication number: JP4742487B2
Application number: JP2003131598A
Authority: JP
Inventors: 実小山; 保範山崎
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-05-09
Filing date: 2003-05-09
Publication date: 2011-08-10
Anticipated expiration: 2023-05-09
Also published as: JP2004335849A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極、アンテナ、電子回路、集積回路などの配線に使われる導電膜配線や、シリコン膜パターン等の膜パターンの形成方法、膜パターンの形成装置に関する。また、本発明は、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子回路または集積回路などに使われる配線の製造には、例えばリソグラフィー法が用いられている。このリソグラフィー法は、予め導電膜を塗布した基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パターンを照射して現像し、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで配線を形成するものである。このリソグラフィー法は真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを捨ててしまわざるを得ず、製造コストが高かった。
【０００３】
これに対して、導電性微粒子を分散させた液体をインクジェット法にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザー照射を行って導電膜パターンに変換する方法が提案されている（特許文献１）。この方法によれば、フォトリソグラフィーが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになると共に、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
【０００４】
【特許文献１】
米国特許５１３２２４８号
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記特許文献１にかかる従来のインクジェット法において行われる金属配線等では、図１３に示すように、略円形の液滴（ドット）を繋げていくので、凝固した後の膜パターンは液晶１０１同士の重なり凹部分１０２がなす角度（θ）が鋭角（例えば６０〜８０度）となる。このため、このような鋭角部分を含む配線を有する回路基板に動作の速い信号を流すと、高周波が放射ノイズとなって発生するという問題がある。
ここで、「放射ノイズ」とは、電子機器は回路や配線から構成されており、夫々の線中を電子が移動する（電気が流れる）と磁界が発生するが、このとき、電磁波が発生し、エネルギーが大きければＦＭ波やＴＶ，無線に影響を与える周波数帯である３０〜１０００ＭＨｚのノイズをいう。
【０００６】
本発明は、前記問題に鑑み、従来技術の配線で発生する放射ノイズの低減を図り、電気特性が良好で信頼性が向上する膜パターンの形成方法、膜パターンの形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の膜パターンの形成方法は、膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、所定液滴径で描画してなる配線の凹部分を埋めるように小径の液滴を吐出することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、配線部を形成するエッジ部分に鋭角な部分がなくなり、高周波ノイズの発生を低減することができる。
【０００９】
また、第２の膜パターンの形成方法は、膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、複数の液滴を、前記膜形成領域全体に、所定間隔を持って吐出する第１吐出工程と、複数の液滴を、前記膜形成領域全体の前記第１吐出工程における吐出位置と異なる位置に、所定間隔をもって吐出する第２吐出工程と、第１吐出液滴と第２吐出液滴よりも小径の液滴を、第１吐出液滴と第２吐出液滴とから形成される配線の凹部分を埋めるように吐出する第３吐出工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
ここで「膜形成領域」とは膜パターンを形成すべき領域のことで、主として単一又は複数の直線で構成される。また、「前記膜形成領域全体」とは、膜形成領域の全面を意味するものではなく、膜形成領域の特定領域（例えば、左右に引かれた直線の右半分等）のみに偏らない全体を意味する。
また、「前記基板上に着弾した後の液滴の直径」とは、吐出された液滴が基板上に着弾した後に自然に広がり、その後乾燥に伴って縮小する間の最大直径をいう。すなわち、「前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する」ことにより、続けて吐出する液滴が、着弾後に自然に広がった後も、互いに離間して接しないように吐出することを意味する。
また、「異なる位置」とは、液滴の中心位置が異なることを意味し、第１工程によって吐出される液滴と第２工程によって吐出される液滴とは、互いに部分的に重なるか、あるいは完全に重ならないものである。
【００１１】
本発明によれば、第３工程により凹部を埋めることで、配線を形成するエッジ部分に鋭角な部分がなくなり、高周波ノイズの発生を低減することができると共に、第１吐出工程においても、第２吐出工程においても、液滴と液滴とが基板上の膜形成領域に互いに離間して吐出される。
【００１２】
また、前記凹部分が複数の隣接する液滴同士が重なる交差部である場合には、鋭角な部分がなくなり、形成された配線からの高周波ノイズの発生が低減される。
【００１３】
上記第１吐出工程が前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチであると共に、第２吐出工程が複数の液滴を、前記膜形成領域全体の前記第１吐出工程における吐出位置と異なる位置に、前記基板上に着弾した後の前記液滴の直径よりも大きいピッチで吐出することを特徴とする。
また、第１吐出工程と第２吐出工程とで吐出位置が異なるため、第１吐出工程による液滴の間隙を第２吐出工程により埋めていくことができる。
【００１４】
なお、第２吐出工程において吐出される液滴が第１吐出工程において吐出された液滴と部分的に重なることは差し支えない。すなわち、第１吐出工程において吐出された液滴は、ある程度、又は完全に乾燥が進行しているので、両工程の液滴が互いに合体してバルジを生じる危険性が、同一の工程で重なり合う液滴を続けて吐出する場合と比較して低くなるからである。
本発明によれば、バルジが生じる危険性が軽減されるので、基板の撥液性を高め、基板と液体との接触角を大きくすることができる。そのため、細線化、厚膜化が可能となる。
【００１５】
また、インクジェット法によるため、基板が平坦でなく凹凸のあるものであっても膜を形成することができる。そのため、例えば、段差のある箇所をまたいで配線等の膜を形成することも可能である。
【００１６】
本発明において、前記第２吐出工程におけるピッチは、前記第１吐出工程におけるピッチと略同一であることが好ましい。これにより、工程を簡略化し、作業効率を向上させることができる。
ただし、前記第２吐出工程におけるピッチを、前記第１吐出工程におけるピッチと略同一とすることは絶対的な要件ではない。たとえば、第２吐出工程におけるピッチを第１吐出工程におけるピッチの略２倍としたり、１／２倍としたりすることも可能である。
【００１７】
本発明において、前記第１吐出工程におけるピッチは、前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２倍以下であることが好ましい。この場合、第１吐出工程と第２吐出工程のみで、連続した線状の膜パターンを形成できるので、工程を簡略化し、作業効率を向上させることができる。
なお、前記第１吐出工程におけるピッチが、前記基板上に着弾した後の液滴の直径の２倍を越える場合には、第２吐出工程の後に、さらに、別の吐出工程を１回以上行うことによって、連続した線状の膜パターンを形成することができる。
【００１８】
本発明において、前記第１吐出工程におけるピッチが、前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも１０μｍ以上大きいことが好ましい。これにより、液滴の着弾位置の誤差を考慮しても、続けて吐出する液滴が互いに離間して接しないように吐出することを確実に行うことができる。
【００１９】
本発明において、前記第２吐出工程の後に、前記液体の複数の液滴を、前記膜形成領域全体に、前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する第４吐出工程を有することが好ましい。
第１吐出工程及び第２吐出工程により吐出した液滴が完全に、又はある程度乾燥した部分は親液性が付与されており、第４吐出工程により吐出される液体がなじみやすい。そのため、本発明によれば、第４吐出工程により吐出される液滴を膜形成領域に留めることが容易になる。したがって、第４吐出工程におけるピッチは、第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出することが可能となり、厚膜化を効率的に進めることが可能となるものである。
【００２０】
特に、前記第４吐出工程におけるピッチは、前記基板上に着弾した後の液滴の直径以下とすることが好ましい。すなわち、第４吐出工程における液滴は、着弾後互いに接触するようなピッチとすることが好ましい。これにより、厚膜化を効率的に進めることが可能となるものである。
【００２１】
なお、第４吐出工程は、第１吐出工程及び第２吐出工程による液滴ができるだけ乾燥した後に行うことが好ましいが、完全に乾燥するまで待つ必要はない。完全でなくともある程度乾燥が進行していれば、異なる吐出工程間の液滴が互いに合体してバルジを生じる危険性が、同一の工程で重なり合う液滴を続けて吐出する場合と比較して低くなるからである。
また、第４吐出工程は、第１吐出工程及び第２吐出工程によって、あるいは第１吐出工程及び第２吐出工程の後に、さらに別の吐出工程を１回以上行うことによって、連続した線状の膜パターンが形成されてから行うことが好ましい。これにより、第４吐出工程により吐出される液滴を膜形成領域に留めることがより容易になる。
また、第４吐出工程は、１回だけでなく複数回行うことが好ましい。これにより、一層の厚膜化が達成できる。
【００２２】
本発明は、前記膜形成成分が導電性微粒子を含有する場合に好適に適用できる。本発明によれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも微細に形成可能な導電膜配線を形成することができる。
この場合、前記膜形成成分を、熱処理又は光処理によって導電膜に変換する工程を有することが好ましい。これにより、導電性微粒子の導電性を発現させて、導電性を有する膜とすることができる。この熱処理又は光処理は、各吐出工程の後にその都度行っても良いし、すべての吐出工程が終了してから、まとめて一度に行ってもよい。
なお、本発明は、シリコン膜パターンの形成や、ポリイミド等の絶縁膜パターンの形成、レジスト膜パターンの形成等にも好適に使用できる。
【００２３】
特に、レジスト膜パターンの場合には、例えば銅箔等の導電性層を施した基板にレジストの膜パターンを形成し、該樹脂が硬化した後に残った銅箔を除去し、その後上記レジストを剥離するようにすればよい。
【００２４】
また、本発明の膜パターンの形成装置は、膜形成成分を含有した液体を、基板上の所定の膜形成領域にインクジェット法により吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成装置であって、上記何れかの発明に係る膜パターンの形成方法によって膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明によれば、簡単な工程で効率よく厚膜化を達成し、細線化の要請も満たし、しかも、導電膜とした場合に断線や短絡等の問題を生じない膜パターンの形成装置とすることができる。
【００２５】
本発明は、前記膜形成成分が導電性微粒子を含有する場合に好適に適用できる。本発明によれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも微細に形成可能な導電膜配線を形成することができる。
この場合、前記膜形成成分を導電膜に変換する熱処理手段又は光処理手段を備えることが好ましい。これにより、導電性微粒子の導電性を発現させて、導電性を有する膜とすることができる。
【００２６】
また、本発明の導電膜配線は、上記何れかの発明に係る膜パターンの形成方法によって形成されたことを特徴とする。
本発明によれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも微細に形成可能な導電膜配線とすることができる。
【００２７】
また、本発明の電気光学装置は、上記発明に係る導電膜配線を備えることを特徴とする。本発明の電気光学装置としては、例えば液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等を挙げることができる。
また、本発明に係る電子機器は、本発明に係る電気光学装置を備えることを特徴とする。
また、本発明の非接触型カード媒体は、上記発明に係る導電膜配線をアンテナ回路として備えることを特徴とする。
これらの発明によれば、配線部やアンテナの断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な電気光学装置及びこれを用いた電子機器並びに非接触型カード媒体を提供することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の内容を発明の実施形態により詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】
図１乃至図２は第１実施形態に係る描画パターンの概略図である。図３乃至図７は第２実施形態に係る描画パターンの概略図、図８は第３実施形態に係る膜形成装置の概略図である。図９は第４実施形態に係る液晶装置の第１基板上の平面図である。図１０は第５実施形態に係るプラズマ型表示装置の分解斜視図である。図１１は第６実施形態に係る電子機器であり、（ａ）は、第４実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電話の一例を示す図、（ｂ）は、第４実施形態の液晶表示装置を備えた携帯型情報処理装置の一例を示す図、（ｃ）は、第４実施形態の液晶表示装置を備えた腕時計型電子機器の一例を示す図である。図１２は第７実施形態に係る非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【００３０】
［第１実施形態］
本実施形態に係る膜パターンの形成方法は、膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、所定の粒径を有する液滴（標準液滴）１００で連続して描画してなる配線１０１の凹部分（窪み部分）１０２を埋めるように小径の液滴１０３を吐出し（図１（ａ））、なめらかな配線（図１（ｂ））を構成するものである。
【００３１】
この結果図１（ｂ）に示すように、配線１０１を形成するエッジ部分において、従来のような鋭角な部分がなくなり、線幅が均一化され、高周波ノイズの発生を低減することができる。
【００３２】
ここで、標準液滴１００の液径は描画する配線パターンにより、適宜設定することができるが、例えば２０〜６０μｍとするのが、好ましい。また、小径の液滴１０３の液径は標準液滴の約半分以下とするのが好ましい。よって、例えば標準液滴１００の液径が５０μｍの場合には、小径の液滴径は２０〜２５μｍとするのがよく、例えば標準液滴１００の液径が２０μｍの場合には、小径の液滴径は１０μｍ前後とするのがよい。
また、小径液滴の吐出量は標準液滴の約半分程度とすればよい。例えば、標準液滴が１０ｐｌの場合に、小径液滴が５ｐｌ以下とすればよい。
この際、標準液滴１００の中心をなす線と、小径液滴１０３の中心をなす線とをずらして並行となるようにしている。
なお、液滴の吐出は、１つのヘッドで複数のサイズの液滴を吐出するようにしてもよいし、複数のヘッドを有し、異なるサイズの液滴を吐出するようにしてもよい。また、標準液滴と小径液滴の形成はどちらが先であってもよい。
また、標準液滴の溶媒が揮発して半乾きの状態としてから小径液滴を吐出するようにすると好ましい。
【００３３】
標準液滴の吐出パターンの一例を図２に示す。吐出パターンは図２（ａ）に示すように、標準液滴１００が重なる場合や、図２（ｂ）に示すように、標準液滴１００が接する場合や、図２（ｃ）に示すように、標準液滴１００１が接しない場合等があるが、隣接する液滴同士が形成する凹部分１０２を埋めるような標準液滴よりも小さな径の液滴１０３を滴下することにより、配線部分に鋭角部分が無くなり、高周波ノイズの発生を低減することができる。
図２（ａ）に示す場合では、隣接する標準液滴１００の重複部が少し盛り上がることになる。
図２（ｂ）あるいは図２（ｃ）に示す場合では、標準液滴１００を離すことにより小径液滴の粒径を大きくすることができる。
【００３４】
また液滴は溶剤の濡れ性によりなじむことになり、例えば凹部１０２を埋めた小径の液滴１０３と標準液滴１００とが接触する結果、交差する角度（α）がさらに広がるようになり、鋭角部分の存在がなくなることになる。
【００３５】
［第２実施形態］
第２実施形態として、本発明の膜パターンの形成方法の具体的な配線形成方法について説明する。本実施形態に係る配線形成方法は、表面処理工程と吐出工程と熱処理／光処理工程とから構成される。この内吐出工程は、分散液調製工程、第１吐出工程、第２吐出工程、第３吐出工程、第４工程から構成される。以下、各工程について説明する。
【００３６】
（表面処理工程）
導電膜配線を形成すべき基板としては、Ｓｉウエハー、セラミックス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものを用いて導電膜配線を形成すべき基板としてもよい。
この導電膜配線を形成すべき基板の表面を、導電性微粒子を含有した液体に対する所定の接触角が、６０［ｄｅｇ］以上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上１１０［ｄｅｇ］以下となるように表面処理を施すようにすればよい。
このように表面の撥液性（濡れ性）を制御するためには、以下に説明する種々の表面処理方法が採用できる。
【００３７】
表面処理の方法の一つとして、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する方法が挙げられる。
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００３８】
自己組織化膜とは基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００３９】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００４０】
このような自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明の所期の目的を損なわなければ制限されない。また、本発明においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物として、前記ＦＡＳを用いるのが、基板との密着性及び良好な撥液性を付与する上で好ましい。
【００４１】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ_(4-n)で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ₃）（ＣＦ₂）ｘ（ＣＨ₂）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ3）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００４２】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が得られる。
なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、前処理を施すことが望ましい。
【００４３】
表面処理の他の方法として、常圧又は真空中でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。
たとえば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を処理ガスとして使用できる。
【００４４】
表面処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行うことができる。なお、ポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
また、基板表面が所望の撥液性よりも高い撥液性を有する場合、それを親液化する方法として、１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法や、基板をオゾン雰囲気に曝す方法が挙げられる。
【００４５】
（分散液調製工程）
次に、表面処理後の基板上に吐出する導電性微粒子を含有する液体について説明する。
導電性微粒子を含有する液体としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液を用いる。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、ノズルの目詰まりが起こりやすく、インクジェット法による吐出が困難になるからである。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。
【００４６】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるためである。
また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるためである。
一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くなり膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／または光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００４７】
使用する分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、更に好ましい分散媒としては水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。
【００４８】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくい。
【００４９】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入ることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
【００５０】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を不当に低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいても差し支えない。
【００５１】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
【００５２】
（第１吐出工程）
本実施形態では、配線形成領域が直線である場合について説明する。まず、上記分散液の液滴Ｌ₁をインクジェットヘッドＨから吐出して基板Ｗ上の配線形成領域に滴下する。図３（ａ）に示すように、液滴Ｌ₁は、液滴Ｌ₁が基板Ｗ上に着弾した後の直径よりも大きいピッチで吐出する。すなわち、液滴Ｌ₁が基板Ｗ上で互いに接しないように、一定の間隔をおいて吐出する。
【００５３】
液滴Ｌ₁を配線形成領域全体に吐出した後、分散媒の除去を行うため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｗを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００５４】
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。しかし、導電膜の変換は、すべての吐出工程が終了してから熱処理／光処理工程においてまとめて行えば良いので、第１吐出工程では、分散媒をある程度除去できれば十分である。したがって、熱処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えば十分である。
また、乾燥処理は吐出と平行して同時に進行させることも可能である。例えば、加熱した基板Ｗに吐出したり、インクジェットヘッドＨを冷却して、沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板Ｗ着弾直後から乾燥を進行させることができる。
乾燥後、液滴Ｌ₁は乾燥膜Ｓ₁となる。図３（ｂ）に示すように乾燥膜Ｓ₁の体積は分散媒の除去により著しく減少しており、粘度も上昇して配線形成領域の所定の位置に固定されやすくなっている。
【００５５】
（第２吐出工程）
次に、上記分散液の液滴Ｌ₂をインクジェットヘッドＨから吐出して基板Ｗ上の配線形成領域に滴下する。なお、液滴Ｌ₂は液滴Ｌ₁と同じ分散液の液滴であって、体積も同じである。図４（ａ）に示すように、液滴Ｌ₂は、液滴Ｌ₁と液滴Ｌ₁との略中央に滴下する。すなわち、液滴Ｌ₂と液滴Ｌ₁とのピッチは同じであって、液滴Ｌ₂も基板Ｗ上に着弾した後の直径よりも大きいピッチで吐出する。したがって、液滴Ｌ₂も基板Ｗ上で互いに接しないようになる。
このとき、液滴Ｌ₂と乾燥膜Ｓ₁とが接するが、乾燥膜Ｓ₁は既に分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が引き合ってバルジを生じさせることはない。
なお、図４（ａ）では、液滴Ｌ₂の滴下開始位置を液滴Ｌ₁と同じ図面左側からとしたが、逆方向（図面右側）から滴下を開始してもよい。この場合、インクジェットヘッドＨと基板Ｗとの相対移動を一往復することにより、第１吐出工程と第２吐出工程とを行うことができる。
【００５６】
液滴Ｌ₂を配線形成領域全体に吐出した後、分散媒の除去を行うため、第１吐出工程と同様に、必要に応じて乾燥処理をする。この場合も、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分である。乾燥処理を吐出と平行して同時に進行させ得ることも第１吐出工程と同様である。
乾燥後、液滴Ｌ₂は乾燥膜Ｓ₂となる。図４（ｂ）に示すように乾燥膜Ｓ₂の体積は分散媒の除去により著しく減少しており、粘度も上昇して配線形成領域の所定の位置に固定されやすくなっている。
これにより、乾燥膜Ｓ₁と乾燥膜Ｓ₂とが連続した線状の乾燥膜パターンが形成される。
【００５７】
ここで、第１吐出工程と第２吐出工程における吐出位置について、図５の平面図を用いてより詳細に説明する。
図５に示すように、液滴Ｌ₁のピッチＰ₁は、液滴Ｌ₁の基板Ｗ上に着弾した後の直径Ｒ₁より大きく、液滴Ｌ₁は間隔ｄ₁（ｄ₁＝Ｐ₁−Ｒ₁）をおいて吐出される。また、液滴Ｌ₂のピッチＰ₂は、液滴Ｌ₂の基板Ｗ上に着弾した後の直径Ｒ₂より大きく、液滴Ｌ₂は間隔ｄ₂（ｄ₂＝Ｐ₂−Ｒ₂）をおいて吐出される。ここで、液滴Ｌ₁と液滴Ｌ₂との体積は等しくされており、ほぼＲ₁＝Ｒ₂の関係にあるが、第２吐出工程の際は、乾燥膜Ｓ1上は基板Ｗ上より親液性が増しているので、Ｒ₂はＲ₁と比較して、長さ方向に若干大きくなる。また、ピッチＰ₁とピッチＰ₂とは等しくされており、ほぼｄ₁＝ｄ₂の関係となっているが、Ｒ₂がＲ₁と比較して、長さ方向に若干大きくなるため、ｄ₂はｄ₁と比較して若干小さくなる。
また、ｄ₁は１０μｍ以上とすることが好ましい。これにより、液滴の着弾位置の誤差やＲ₂が若干大きくなることを考慮しても、続けて吐出する液滴が互いに離間して接しないように吐出することを確実に行うことができる。
【００５８】
（第３吐出工程）
次に、上記分散液の液滴Ｌ₃をインクジェットヘッドＨから吐出して基板Ｗ上の配線形成領域における乾燥膜Ｓ₁と液滴乾燥膜Ｓ₂との交差する凹部上に滴下する。これにより、図６に示すように液滴Ｌ₃が凹部を埋めることになり、配線に鋭角部が形成することが防止されるので、放射ノイズの発生が低減される。
【００５９】
（第４吐出工程）
次に、上記分散液の液滴Ｌ₄をインクジェットヘッドＨから吐出して基板Ｗ上の配線形成領域における乾燥膜Ｓ₁と液滴乾燥膜Ｓ₂の上に滴下する。なお、液滴Ｌ₄も液滴Ｌ₁や液滴Ｌ₂と同じ分散液の液滴であって、体積も同じである。図７に示すように、液滴Ｌ₄のピッチＰ₄は、ピッチＰ₁やピッチＰ₂より小さく、かつ液滴Ｌ₄の基板Ｗ上に着弾した後の直径Ｒ₄よりも小さい。したがって、液滴Ｌ₄は基板Ｗ上で互いに重なるようになる。
このとき液滴Ｌ₄が着弾する基板Ｗは、乾燥膜Ｓ₁及び乾燥膜Ｓ₂に接するが、乾燥膜Ｓ₁及び乾燥膜Ｓ₂は既に分散媒が完全に又はある程度除去されているので、これらの乾燥膜と液滴Ｌ₄とが両者が引き合ってバルジを生じさせることはない。
また、液滴Ｌ₄は互いに重なるが、配線形成領域は乾燥膜Ｓ₁及び乾燥膜Ｓ₂によって親液化されているので、液滴Ｌ₄が配線形成領域をはずれて、接触角が６０［ｄｅｇ］以上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上に処理された配線形成領域外に流れ出ることがない。したがって、液滴Ｌ₄は配線形成領域内に留まり易く、互いに引き合ってバルジを生じることもなく、線幅も増加することがない。
なお、液滴Ｌ₄と液滴Ｌ₄との重なりｄ₄はＲ₄の２０〜５０％とすることが好ましい。これにより、効果的に膜厚を増加させることができ、かつ、液量が過多になって配線形成領域外にあふれるのを防止することができる。
【００６０】
液滴Ｌ₄を配線形成領域全体に吐出する工程は、複数回繰り返すことができる。これにより、所望の膜厚の配線を得ることができる。
この場合、各吐出する工程の後に、分散媒の除去を行うため、第１吐出工程や第２吐出工程と同様に、必要に応じて乾燥処理をする。この場合も、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分である。乾燥処理を吐出と平行して同時に進行させ得ることも第１吐出工程や第２吐出工程と同様である。
乾燥後、液滴Ｌ₄は乾燥膜Ｓ₄（図示せず）となる。乾燥膜Ｓ₄の体積は分散媒の除去により著しく減少しており、粘度も上昇して配線形成領域の所定の位置に固定されやすくなっている。そのため、複数回液滴Ｌ₄を配線形成領域全体に吐出する工程を繰り返しても、各々の工程間の液滴が互いに引き合ってバルジを生じることがない。
また、先に液滴が滴下された部分は親液化されているので、液滴Ｌ₄が配線形成領域外に流れ出ることがない。したがって、液滴Ｌ₄は繰り返し吐出しても配線形成領域内に留まり易く、互いに引き合ってバルジを生じることもなく、線幅も増加することがない。
以上の工程により、ほぼ液滴の直径と等しい線幅を保ちながら、所望の厚さの乾燥膜層を形成することができる。
【００６１】
（熱処理／光処理工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００６２】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
たとえば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【００６３】
熱処理及び／又は光処理は通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【００６４】
本実施形態により形成される導電膜は、分散液一滴の基板上に着弾後の直径とほぼ同等の幅で形成することが可能である。また、第４吐出工程を繰り返すことにより、この線幅を維持したまま所望の膜厚を得ることが可能である。すなわち、本実施形態によれば、バルジを生じさせることなく細線化、厚膜化を達成することができる。
したがって、本実施形態によれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくく、微細に形成可能な導電膜配線を形成することができ、しかも放射ノイズの低減を図る配線となる。
【００６５】
また、吐出液にレジストを用い、基板の上に形成した銅箔の上にレジストで配線を形成し、その後、レジストを硬化させて、エッチングにより銅箔を除去し、次いでレジストを剥離することにより、銅配線を形成することができる。
この際においても、上述したのと同様に、第３吐出工程において配線の凹部を埋めるように小径の液滴を吐出し、配線に鋭角部分の形成をなくすことにより、放射ノイズの低減又は解消を図ることができる。
【００６６】
［第３実施形態］
第３実施形態として、本発明の膜パターンの形成装置の一例として、上記第１実施形態の配線形成方法を実施するための配線形成装置について説明する。
図８は、本実施形態に係る配線形成装置の概略斜視図である。図８に示すように、配線形成装置１０は、インクジェットヘッド群１と、インクジェットヘッド群１をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸２と、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３とを備えている。
また、基板Ｗを載置するための載置台４と、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５と、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６とを備えている。
また、Ｘ方向ガイド軸２とＹ方向ガイド軸５とが、各々所定の位置に固定される基台７を備え、その基台７の下部には、制御装置８を備えている。
さらに、クリーニング機構部１４およびヒータ１５とを備えている。
【００６７】
インクジェットヘッド群１は、導電性微粒子を含有する分散液をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔で基板に付与する複数のインクジェットヘッドを備えている。そして、これら複数のインクジェットヘッド各々から、制御装置８から供給される吐出電圧に応じて個別に分散液を吐出できるようになっている。
インクジェットヘッド群１はＸ方向ガイド軸２に固定され、Ｘ方向ガイド軸２には、Ｘ方向駆動モータ３が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるようになっている。そして、Ｘ方向ガイド軸２が回転させられると、インクジェットヘッド群１が基台７に対してＸ軸方向に移動するようになっている。
【００６８】
載置台４は、この配線形成装置１０によって分散液を付与される基板Ｗを載置させるもので、この基板Ｗを基準位置に固定する機構を備えている。
載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるようになっている。そして、Ｙ方向ガイド軸５が回転させられると、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動するようになっている。
【００６９】
クリーニング機構部１４は、インクジェットヘッド群１をクリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部１４は、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動するようになっている。クリーニング機構部１４の移動も、制御装置によって制御されている。
【００７０】
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｗを熱処理する手段であり、基板上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行うようになっている。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置によって制御されるようになっている。
【００７１】
本実施形態の配線形成装置１０において、所定の配線形成領域に分散液を吐出するためには、制御装置から所定の駆動パルス信号をＸ方向駆動モータ３及び／又はＹ方向駆動モータ６に供給し、インクジェットヘッド群１及び／又は載置台４を移動させることにより、インクジェットヘッド群１と基板Ｗ（載置台４）とを相対移動させる。そして、この相対移動の間にインクジェットヘッド群１における所定のインクジェットヘッドに制御装置から吐出電圧を供給し、当該インクジェットヘッドから分散液を吐出させる。
【００７２】
本実施形態の配線形成装置１０において、インクジェットヘッド群１の各ヘッドからの液滴の吐出量は、制御装置から供給される吐出駆動波形の大きさによって調整できる。
また、基板Ｗに吐出される液滴のピッチは、インクジェットヘッド群１と基板Ｗ（載置台４）との相対移動速度及びインクジェットヘッド群１からの吐出周波数（吐出電圧供給の周波数）によって決定される。
さらに、第３吐出工程における小径の液滴を吐出するノズルを備えるようにしている。
【００７３】
本実施形態において、第１吐出工程と第２吐出工程では、同一の配線形成領域に分散液を同一のピッチで吐出するが、第２吐出工程の吐出開始位置は図５に示すように、第１吐出工程における１滴目と２滴目との中間、又は最後から１滴目と２滴目との中間とする。
また、第３吐出工程では、第１工程の液滴と第２工程液滴との交差部の凹部にインクジェットヘッド群の小径ノズルから分散液を吐出する。
また、第４吐出工程では、第１吐出工程と第２吐出工程と同一の配線形成領域に第１吐出工程とほぼ同じ位置、又は終端から分散液を吐出するが、そのピッチは、第１吐出工程及び第２吐出工程よりも狭いものとする。
【００７４】
本実施形態の配線形成装置１０によれば、分散液一滴の基板上に着弾後の直径とほぼ同等の幅で形成することが可能である。また、第４吐出工程を繰り返すことにより、この線幅を維持したまま所望の膜厚を得ることが可能である。すなわち、本実施形態によれば、バルジを生じさせることなく細線化、厚膜化を達成することができる。
したがって、本実施形態によれば、膜厚が厚く電気伝導に有利で、断線や短絡等の不良が生じにくく、微細に形成可能でしかも放射ノイズの低減した導電膜配線を形成することができる。
【００７５】
［第４実施形態］
第４実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶装置について説明する。図９は、本実施形態に係る液晶装置の第１基板上の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実施形態に係る液晶装置は、この第１基板と、走査電極等が設けられた第２基板（図示せず）と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶（図示せず）とから概略構成されている。
【００７６】
図９に示すように、第１基板３００上の画素領域３０３には、複数の信号電極３１０…が多重マトリクス状に設けられている。特に各信号電極３１０…は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分３１０ａ…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配線部分３１０ｂ…とから構成されており、Ｙ方向に伸延している。
また、符号３５０は１チップ構造の液晶駆動回路で、この液晶駆動回路３５０と信号配線部分３１０ｂ…の一端側（図中下側）とが第１引き回し配線３３１…を介して接続されている。
また、符号３４０…は上下導通端子で、この上下導通端子３４０…と、図示しない第２基板上に設けられた端子とが上下導通材３４１…によって接続されている。また、上下導通端子３４０…と液晶駆動回路３５０とが第２引き回し配線３３２…を介して接続されている。
【００７７】
本実施形態では、上記第１基板３００上に設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線３３１…、第２引き回し配線３３２…が、各々第２実施形態に係る配線形成装置を用いて、第１実施形態に係る配線形成方法によって形成されている。
本実施形態の液晶装置によれば、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、放射ノイズの低減を図り、しかも、小型化、薄型化が可能な液晶装置とすることができる。
【００７８】
［第５実施形態］
第５実施形態として、本発明の電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について説明する。図１０は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示す。
この実施形態のプラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成される。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、更に誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００７９】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成され、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、更にＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。
上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００８０】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１と表示電極５１２が、各々第２実施形態に係る配線形成装置を用いて、第１実施形態に係る配線形成方法によって形成されている。
本実施形態の液晶装置によれば、上記各電極の断線や短絡等の不良が生じにくく、放射ノイズの低減を図り、しかも、小型化、薄型化が可能なプラズマ型表示装置とすることができる。
【００８１】
［第６実施形態］
第６実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は第４実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理部本体、７０２は第４実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は第４実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００８２】
［第７実施形態］
第７実施形態として、本発明の非接触型カード媒体の実施形態について説明する。本実施形態に係る非接触型カード媒体は図１２に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体４００は、カード基板４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【００８３】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、第２実施形態に係る配線形成装置を用いて、第１実施形態に係る配線形成方法によって形成されている。
本実施形態の非接触型カード媒体によれば、上記アンテナ回路４１２の断線や短絡等の不良が生じにくく、放射ノイズの低減を図り、しかも、小型化、薄型化が可能な非接触型カード媒体とすることができる。
【００８４】
なお、本発明に係る液晶表示パネルを適用可能な電子機器としては、図１１に示したパーソナルコンピュータや携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられ、上記三例に特に限定されるものではない。
【００８５】
また、上述した実施形態では、電気光学装置として、液晶装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る描画パターンの概略図である。
【図２】第１実施形態に係る他の描画パターンの概略図である。
【図３】第２実施形態に係る描画パターンの概略図である。
【図４】第２実施形態に係る描画パターンの概略図である。
【図５】第２実施形態に係る描画パターンの概略図である。
【図６】第２実施形態に係る描画パターンの概略図である。
【図７】第２実施形態に係る描画パターンの概略図である。
【図８】第３の実施形態の膜形成装置の概略図である。
【図９】第４実施形態に係る液晶装置の第１基板上の平面図である。
【図１０】第５実施形態に係るプラズマ型表示装置の分解斜視図である。
【図１１】第６実施形態に係る電子機器であり、（ａ）は、第４実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電話の一例を示す図、（ｂ）は、第４実施形態の液晶表示装置を備えた携帯型情報処理装置の一例を示す図、（ｃ）は、第４実施形態の液晶表示装置を備えた腕時計型電子機器の一例を示す図である。
【図１２】第７実施形態に係る非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図１３】従来の液滴の様子を示す概略図である。
【符号の説明】
Ｌ₁〜Ｌ₄・・・液滴、Ｓ₁〜Ｓ₂・・・乾燥膜、Ｈ・・・インクジェットヘッド、Ｗ・・・基板、１０・・・配線形成装置、１・・・インクジェットヘッド群、４・・・載置台、１５・・・ヒータ、１００・・・標準液滴、１０１・・・配線、１０２・・・凹部、１０３・・・小径液滴

Claims

基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、
膜形成成分を含有した液体からなる複数の第１の液滴を所定液滴径で前記膜形成領域に吐出し、
隣り合う前記第１の液滴同士が形成する凹部分を埋めるように、膜形成成分を含有した液体からなる複数の第２の液滴を、前記第１の液滴より小径の液滴径で吐出することを特徴とする膜パターンの形成方法。
基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、
膜形成成分を含有した液体からなる複数の第１の液滴を、前記膜形成領域に所定間隔をもって吐出する第１吐出工程と、
膜形成成分を含有した液体からなる複数の第２の液滴を、前記第１吐出工程で吐出した前記第１の液敵間の略中央に吐出する第２吐出工程と、
膜形成成分を含有した液体からなる複数の第３の液滴を、前記第１の液滴と前記第２の液滴よりも小径の液滴径で、前記第１の液滴と前記第２の液滴間が形成する凹部分を埋めるように吐出する第３吐出工程とを有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
請求項２において、
前記第２の液滴を、前記第１の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出することを特徴とする膜パターンの形成方法。
請求項２又は３において、
前記第２吐出工程におけるピッチが、前記第１吐出工程におけるピッチと略同一であることを特徴とする膜パターンの形成方法。
請求項３乃至４のいずれか１つにおいて、
前記第２吐出工程の後に、前記液体の複数の液滴を、前記膜形成領域に、前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する第４吐出工程を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
請求項５において、
前記第４吐出工程におけるピッチが、前記基板上に着弾した後の前記液滴の直径以下であることを特徴とする膜パターンの形成方法。
請求項１乃至６のいずれか１つにおいて、
前記膜形成成分が導電性微粒子を含有することを特徴とする膜パターンの形成方法。
請求項７において、
前記膜形成成分を、熱処理又は光処理によって導電膜に変換する工程を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。