JP2004349638A

JP2004349638A - パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器

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Publication number: JP2004349638A
Application number: JP2003148008A
Authority: JP
Inventors: Hironobu Hasei; 宏宣長谷井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-05-26
Filing date: 2003-05-26
Publication date: 2004-12-09

Abstract

【課題】液滴吐出法を用いる際、バルジの発生を抑えて所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板Ｐ上に配置することにより膜パターン３３を形成する方法であって、基板Ｐ上に膜パターンに応じたバンクＢを形成する工程と、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に複数の液滴を配置する工程とを有し、溝部３４に液滴を配置する際、最初に溝部３４の端部３６、３８以外の位置に液滴を配置する。
【選択図】図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路など微細な配線パターン（膜パターン）を有するデバイスの製造方法としてフォトリソグラフィ法が多用されているが、液滴吐出法を用いたデバイスの製造方法が注目されている。この液滴吐出法は機能液の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。下記特許文献には液滴吐出法に関する技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２１６３３０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、配線パターンについても更なる細線化、微細化が要求されているが、微細な配線パターンを形成しようとした場合、特にその線幅の精度を十分にだすのが難しい。そのため、基板上に仕切部材であるバンクを設け、このバンク間の溝部に機能液の液滴を配置する方法が提案されているが、バンク間の溝部に複数の液滴を順次配置する際、バルジ（液溜まり）の発生しやすさが液滴の配置順序により左右されることが解明されてきた。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液滴吐出法を用いて配線パターン等の膜パターンを形成する際、バルジの発生を抑えて所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法を提供することを目的とする。更に本発明は、所望のパターン形状で形成された膜パターンを有する電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、前記基板上に前記膜パターンに応じたバンクを形成する工程と、前記バンク間の溝部に複数の液滴を配置する工程とを有し、前記溝部に液滴を配置する際、最初に前記溝部の端部以外の位置に液滴を配置することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、バンク間の溝部に複数の液滴を順次配置する際、溝部の端部以外の位置、具体的には中央部に対して最初に液滴を配置するようにしたので、中央部に配置された液滴は配置位置に対して複数の方向に濡れ拡がることができるため、バルジ発生を抑制できる。すなわち、液滴を溝部の端部から配置すると、配置された液滴はバンクの存在により濡れ広がりを規制され、バルジの発生の原因となる。しかしながら、液滴を中央部から配置することにより液滴は円滑に濡れ拡がり、バルジの発生が抑制される。
【０００８】
本発明のパターンの形成方法において、前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程を有することを特徴とする。本発明によれば、バンク間の溝部に機能液の液滴を配置する際、吐出された機能液の液滴の一部がバンク上に乗っても、バンクに撥液性が付与されていることによりバンクからはじかれ、バンクを伝って溝部の底部に流れ落ちるようになる。したがって、吐出された機能液はバンク間の溝部に良好に配置される。ここで、撥液化処理工程としては四フッ化炭素（ＣＦ_４）を含む処理ガスを用いたプラズマ処理を用いることができる。これにより、バンクにフッ素基が導入され、バンクは機能液の溶媒に依存しない撥液性を有することになる。
【０００９】
本発明のパターンの形成方法において、前記溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程を有することを特徴とする。本発明によれば、溝部の底部に親液性を付与することにより、液滴は底部において良好に濡れ拡がる。ここで、親液化処理工程としては酸素（Ｏ_２）を含む処理ガスを用いたプラズマ処理、あるいは紫外線（ＵＶ）照射処理を用いることができる。
【００１０】
本発明のパターンの形成方法において、前記端部以外の位置に液滴を配置した後、複数の液滴を前記溝部の端部に向かって順次配置することを特徴とする。これにより、溝部に沿って液滴が順次配置されることになり、配線パターン等の線状膜パターンを良好に形成できる。
【００１１】
本発明のパターンの形成方法において、複数の液滴により前記膜パターンを形成する際、前記基板上で液滴どうしが重ならないように複数の液滴を配置する第１配置工程と、前記第１配置工程で前記基板上に配置された複数の液滴どうしの間に液滴を配置する第２配置工程とを有することを特徴とする。本発明によれば、複数の液滴を配置することで膜パターンを形成する際、第１配置工程で液滴どうしの間隔をあけて基板上に配置した後、この液滴どうしの間を埋めるように第２配置工程で液滴を配置するようにしたので、バルジの発生を抑えつつ膜パターンを複数の液滴で連続させることができる。すなわち、液滴を連続的に吐出して複数の液滴どうしをつなげるように配置するとバルジが発生しやすくなるが、配置動作（吐出動作）を複数回に分け、第１配置動作では液滴を間引いて配置し、第２配置動作で基板上の液滴どうしの間を補間することで、バルジの発生を抑えつつ膜パターンを複数の液滴で確実に連続させることができる。
【００１２】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記機能液には導電性材料が含まれることを特徴とする。更に、前記機能液は熱処理又は光処理により導電性を発現することを特徴とする。本発明によれば、薄膜パターンを配線パターンとすることができ、各種デバイスに応用することができる。また、導電性材料の他に有機ＥＬ等の発光素子形成材料やＲ・Ｇ・Ｂのインク材料を用いることで、有機ＥＬ装置やカラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用することができる。
【００１３】
本発明のパターン形成装置は、機能液の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により膜パターンを形成するパターン形成装置であって、前記液滴吐出装置は、前記基板上に前記膜パターンに応じて予め形成されたバンク間の溝部に複数の液滴を順次配置し、前記液滴を順次配置する際、最初に前記溝部の端部以外の位置に液滴を配置することを特徴とする。
本発明によれば、バンク間の溝部の端部以外の位置、例えば中央部に液滴を最初に配置することにより円滑に濡れ拡がらせることができ、バルジの発生を抑制された所望のパターン形状を有する膜パターンを形成することができる。
【００１４】
本発明のデバイスの製造方法は、基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、上記記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明によれば、バルジの発生を抑制され所望のパターン形状に形成された膜パターンを有するデバイスを製造することができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置は、上記記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。本発明によれば、バルジの発生が抑制され、電気伝導に有利な膜パターンを備えているので、良好な性能を発揮する電気光学装置及び電子機器を提供できる。
ここで、電気光学装置としては、例えば、プラズマ型表示装置、液晶表示装置、及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置等が挙げられる。
【００１６】
上記液滴吐出装置（インクジェット装置）の吐出方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料（機能液）の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される機能液（液体材料）の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
【００１７】
機能液を含む液体材料とは、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の吐出ノズルから吐出可能な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる材料は、溶媒中に微粒子として分散されたものの他に、融点以上に加熱されて溶解されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。また、基板はフラット基板のほか、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチック、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
＜パターンの形成方法＞
以下、本発明のパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図１は本発明のパターン形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
ここで、本実施形態ではガラス基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。また、導電膜配線パターンを形成するための機能液には、溶媒（分散媒）をジエチレングリコールジエチルエーテルとする有機銀化合物を用いる。
【００１９】
図１において、本実施形態に係るパターンの形成方法は、機能液の液滴が配置される基板上に配線パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程（ステップＳ１）と、バンク間の溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程（ステップＳ２）と、バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程（ステップＳ３）と、バンク間の溝部に液滴吐出法に基づいて機能液の液滴を複数配置して膜パターンを形成（描画）する材料配置工程（ステップＳ４）と、基板上に配置された機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する光・熱処理を含む中間乾燥工程（ステップＳ５）と、所定の膜パターンが形成された基板を焼成する焼成工程（ステップＳ７）とを有している。なお、中間乾燥工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
以下、各工程について説明する。
【００２０】
＜バンク形成工程＞
まず、図２（ａ）に示すように、表面改質処理として基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理はヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ_３）_３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ_３）_３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層３２が基板Ｐ上に形成される。バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図２（ｂ）に示すように、基板ＰのＨＭＤＳ層３２上にバンクの高さに合わせてバンク形成用材料である有機材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてレジスト以外の部分の有機材料３１を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンクを形成してもよい。これにより、図２（ｃ）に示すように、配線パターン形成予定領域の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが突設される。バンクを形成する有機材料としては、機能液（液体材料）に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するようにプラズマ処理による撥液化が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００２１】
基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３２が除去される。これにより、図２（ｄ）に示すように、残渣であるＨＭＤＳが除去される。
【００２２】
＜親液化処理工程＞
次に、溝部３４の底部３５に親液性を付与する親液化処理工程が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射することにより親液性を付与する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ_２プラズマ処理等を選択できる。ここではＯ_２プラズマ処理を実施する。
【００２３】
Ｏ_２プラズマ処理は、基板に対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ_２プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板の相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。そして、基板がガラス基板の場合、その表面は機能液に対して親液性を有しているが、本実施形態のようにＯ_２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクＢ、Ｂ間で露出する基板Ｐ表面（底部３５）の親液性を高めることができる。ここで、バンク間の底部３５の機能液に対する接触角が１５度以下となるように、Ｏ_２プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。
【００２４】
なお、Ｏ_２プラズマ処理や紫外線照射処理は、底部３５に存在する残渣の一部を構成するＨＭＤＳを除去する機能を有する。そのため、上述したフッ酸処理によりバンクＢ、Ｂ間の底部３５の有機物残渣（ＨＭＤＳ）が完全に除去されない場合が生じても、Ｏ_２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理を行うことによりこの残渣を除去できる。なおここでは、残渣処理の一部としてフッ酸処理を行うが、Ｏ_２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンク間の底部３５の残渣を十分に除去できるため、フッ酸処理は行わなくてもよい。またここでは、残渣処理としてＯ_２プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ_２プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。
【００２５】
＜撥液化処理工程＞
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、大気雰囲気中で四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ_４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ_４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、四フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、四フッ化炭素に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ_２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ_２プラズマによる前処理がなされた方がより撥液化（フッ素化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ_２プラズマ処理することが好ましい。
【００２６】
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の基板Ｐ露出部に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐの親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液化処理を省略するようにしてもよい。
【００２７】
＜材料配置工程＞
次に、本実施形態の材料配置工程について図３及び図４を参照しながら説明する。材料配置工程は、図３（ｅ）、（ｆ）に示すように、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１０より吐出してバンクＢ、Ｂ間の溝部３４に配置することにより基板Ｐ上に線状の膜パターン（配線パターン）を形成する工程であって、最初にバンクＢ、Ｂ間の溝部３４の端部以外の位置に液滴を配置する。本実施形態において、機能液は配線パターン形成用材料である銀を含む有機銀化合物をジエチレングリコールジエチルエーテルに分散したものである。
【００２８】
材料配置工程では、図４（ａ）に示す平面図のように、液滴吐出ヘッド１０から吐出される液滴３０は、最初に、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４の長手方向端部３６以外の位置、具体的には長手方向中央部に配置される。ここで、溝部３４は図中Ｙ軸方向を長手方向とする平面視矩形状であって、端部３６のうち底部３５とバンクＢ壁面との間には角部（隅部）３７が形成されている。バンクＢには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢの上に乗っても、バンクＢからはじかれ、バンクＢの表面を伝って溝部３４の底部３５に流れ落ちる。そして、底部３５は親液化されているので、底部３５に流れ落ちた液滴は配置位置に対して溝部３４の長手方向両側を含む複数の方向に良好に濡れ拡がる。
【００２９】
溝部３４のうち長手方向中央部に液滴が配置されたら、図４（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が基板Ｐに対してＹ軸方向に相対移動しつつ複数の液滴を順次吐出する。図４（ｂ）には、中央部に液滴を配置した後、複数の液滴を溝部３４の長手方向−Ｙ側端部３６に向かって順次配置する例が示されている。これにより、配線パターンの一部が良好に形成される。
【００３０】
このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間の溝部３４に流れ落ちるようになる。さらに、基板Ｐが露出している溝部３４の底部３５は親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部３５にてより拡がり易くなり、これにより機能液は所定位置内で均一に配置される。
【００３１】
そして、端部３６近傍に配置された液滴は角部３７まで良好に濡れ拡がる。ここで、角部３７まで液滴を濡れ拡がらせる際、液滴を端部３６に対して溝部３４の長手方向若干中央部寄りの位置に配置することが好ましい。例えば端部３６（角部３７）に対して液滴を直接吐出（配置）すると、バンクの存在により濡れ広がりを規制され、バルジの発生の原因となるが、端部３６（角部３７）に対して液滴を若干中央部寄りの位置に吐出（配置）することにより、溝部３４において液滴の均一な膜を形成できる。
【００３２】
なお、図４（ｂ）に示す例では、１つの液滴を基板Ｐ上に配置した後次の液滴を吐出する際、先に基板上に配置されている液滴の一部に次の液滴を重ねるように吐出する構成であるが、先の液滴を基板Ｐ上に配置してから次の液滴を吐出するまでの間に、基板上の液滴の液体成分（分散媒）の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。中間乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他にランプアニールを用いた光処理であってもよい。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が溝部３４の長手方向中央部に移動される。そして、先に形成されている配線パターンの一部と接続するように溝部３４の長手方向中央部に液滴が配置される。次いで、図４（ｄ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が基板Ｐに対してＹ軸方向に相対移動しつつ複数の液滴を順次吐出する。複数の液滴は溝部３４の＋Ｙ側端部３８に向かって順次配置され、これにより配線パターン（膜パターン）３３Ａが形成される。ここで、バンクＢには撥液性が付与されているため、液滴はバンクＢの壁面を伝って溝部３４の底部３５に流れ落ちる。そして、底部３５は親液化されているので、底部３５に流れ落ちた液滴は良好に濡れ拡がる。ここでも、端部３８の角部３９まで液滴を濡れ拡がらせる際、液滴を端部３８に対して若干中央部寄りの位置に配置することが好ましい。
【００３４】
なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００３５】
＜中間乾燥工程＞
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、図３（ｇ）に示すように、機能液の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン（膜パターン）３３Ａが形成される。
【００３６】
＜焼成工程＞
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。更に、機能液に有機銀化合物が含まれている場合、導電性を得るために、熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、例えば有機銀化合物の有機分を除去するためには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、図３（ｈ）に示すように、導電性膜（配線パターン）３３に変換される。
【００３７】
なお、焼成工程の後、基板Ｐ上に存在するバンクＢ、Ｂをアッシング剥離処理により除去することができる。アッシング処理としては、プラズマアッシングやオゾンアッシング等を採用できる。プラズマアッシングは、プラズマ化した酸素ガス等のガスとバンクとを反応させ、バンクを気化させて剥離・除去するものである。バンクは炭素、酸素、水素から構成される固体の物質であり、これが酸素プラズマと化学反応することでＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ、Ｏ_２となり、全て気体として剥離することができる。一方、オゾンアッシングの基本原理はプラズマアッシングと同じであり、Ｏ_３（オゾン）を分解して反応性ガスのＯ^＋（酸素ラジカル）に変え、このＯ^＋とバンクとを反応させる。Ｏ^＋と反応したバンクは、ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ、Ｏ_２となり、全て気体として剥離される。基板Ｐに対してアッシング剥離処理を施すことにより、基板Ｐからバンクが除去される。
【００３８】
次に、図５を参照しながら、配線パターン３３を形成する際の液滴配置手順の他の例について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から吐出した液滴Ｌ１が所定の間隔をあけて基板Ｐ上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド１０は基板Ｐ上で液滴Ｌ１どうしが重ならないように配置する（第１配置工程）。本例では、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板Ｐ上に配置された直後の液滴Ｌ１どうしは重ならずに（接触せずに）、液滴Ｌ１どうしが合体して基板Ｐ上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径の２倍以下となるように設定されている。ここで、基板Ｐ上に液滴Ｌ１を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）を行うことができる。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作が繰り返される。すなわち図５（ａ）に示した前回と同様に、液滴吐出ヘッド１０から機能液が液滴Ｌ２として吐出され、その液滴Ｌ２が一定距離ごとに基板Ｐに配置される。このとき、液滴Ｌ２の体積（１つの液滴あたりの機能液の量）、及びその配置ピッチＰ２は前回の液滴Ｌ１と同じである。そして、液滴Ｌ２の配置位置は前回の液滴Ｌ１から１／２ピッチだけシフトされ、基板Ｐ上に配置されている前回の液滴Ｌ１どうしの中間位置に今回の液滴Ｌ２が配置される（第２配置工程）。前述したように、基板Ｐ上の液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は、基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、その直径の２倍以下である。そのため、液滴Ｌ１の中間位置に液滴Ｌ２が配置されることにより、液滴Ｌ１に液滴Ｌ２が一部重なり、液滴Ｌ１どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板Ｐ上で拡がることは少ない。液滴Ｌ２を基板Ｐ上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて中間乾燥処理を行うことが可能である。
【００４０】
こうした一連の液滴の配置動作を複数回繰り返すことにより、基板Ｐ上に配置される液滴どうしの隙間が埋まり、図５（ｃ）に示すように、線状の連続した配線パターン３３が基板Ｐ上に形成される。この場合、液滴の配置動作の繰り返し回数を増やすことにより基板Ｐ上に液滴が順次重なり、配線パターン３３の膜厚が増す。
【００４１】
次に、図６を参照しながら機能液の液滴配置の他の例について説明する。図６に示すように、Ｙ軸方向を長手方向としＹ軸方向に複数並んだ吐出ノズルを有する液滴吐出ヘッド１０を用いて基板Ｐ上に液滴を配置する際、溝部３４の長手方向と液滴吐出ヘッド１０の長手方向とを一致させた状態で、図６（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０をＸ軸方向に走査しながら、液滴吐出ヘッド１０の複数の吐出ノズルのうち溝部３４の長手方向中央部に対応する吐出ノズルから液滴３０を選択的に吐出し、次いで、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、液滴３０を溝部３４の長手方向端部３６、３８に向かって順次配置するようにしてもよい。
【００４２】
なお、上記実施形態において、導電膜配線用の基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００４３】
導電膜配線用の機能液として、本例では有機銀化合物を含む導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液体材料）が用いられ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、炭素数５以上の炭化水素、アルコール、エーテル、エステル、ケトン、有機窒素化合物、有機珪素化合物、有機硫黄化合物、もしくはそれらの混合物等が挙げられる。
【００４４】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００４５】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００４６】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。本実施形態ではジエチレングリコールジエチルエーテルを用いているが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
【００４７】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
【００４８】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体材料を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液体材料のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
【００４９】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００５０】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が液体材料の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００５１】
＜パターン形成装置＞
次に、本発明のパターン形成装置の一例について図７を参照しながら説明する。図７は本実施形態に係るパターン形成装置の概略斜視図である。図７に示すように、パターン形成装置１００は、液滴吐出ヘッド１０、液滴吐出ヘッド１０をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸２、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３、基板Ｐを載置するための載置台４、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６、クリーニング機構部１４、ヒータ１５、及びこれらを統括的に制御する制御装置８等を備えている。Ｘ方向ガイド軸２及びＹ方向ガイド軸５はそれぞれ、基台７上に固定されている。なお、図７では、液滴吐出ヘッド１０は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１０の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１０の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００５２】
液滴吐出ヘッド１０は導電性微粒子や有機銀化合物を含有する分散液からなる機能液を吐出ノズル（吐出口）から吐出するものであり、Ｘ方向ガイド軸２に固定されている。Ｘ方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させる。Ｘ方向ガイド軸２の回転により、液滴吐出ヘッド１０が基台７に対してＸ軸方向に移動する。
【００５３】
液滴吐出方式としては、圧電体素子であるピエゾ素子を用いて機能液を吐出させるピエゾ方式、機能液を加熱し発生した泡（バブル）により機能液を吐出させるバブル方式など、公知の様々な技術を適用できる。このうちピエゾ方式は機能液に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。なお、本例では、液体材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。
【００５４】
載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させる。Ｙ方向ガイド軸５の回転により、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動する。クリーニング機構部１４は、液滴吐出ヘッド１０をクリーニングし、ノズルの目詰まりなどを防ぐものである。クリーニング機構部１４は、上記クリーニング時において、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動する。ヒータ１５は、ランプアニール等の加熱手段を用いて基板Ｐを熱処理するものであり、基板Ｐ上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行う。
【００５５】
本実施形態のパターン形成装置１００では、液滴吐出ヘッド１０から機能液を吐出しながら、Ｘ方向駆動モータ３及びＹ方向駆動モータ６を介して基板Ｐと液滴吐出ヘッド１０とを相対移動することにより基板Ｐ上に機能液を配置する。液滴吐出ヘッド１０の各ノズルからの液滴の吐出量は制御装置８から前記ピエゾ素子に供給される電圧により制御される。また、基板Ｐ上に配置される液滴のピッチは、上記相対移動の速度、及び液滴吐出ヘッド１０からの吐出周波数（ピエゾ素子への駆動電圧の周波数）によって制御される。また、基板Ｐ上に液滴を開始する位置は、上記相対移動の方向、及び上記相対移動時における液滴吐出ヘッド１０からの液滴の吐出開始のタイミング制御等によって制御される。これにより、基板Ｐ上に上述した配線パターン３３が形成される。
【００５６】
＜プラズマ処理装置＞
図８は上述した親液化処理（Ｏ_２プラズマ処理）あるいは撥液化処理（ＣＦ_４プラズマ処理）する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図８に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの表面全体が連続的に処理される。本実施形態では、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ_２）あるいは四フッ化炭素（ＣＦ_４）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスとを混合したものである。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、上述したように、親液化や有機物残渣の除去が行われ、処理ガスとして四フッ化炭素を用いることにより撥液化が行われる。また、このＯ_２プラズマ処理を例えば有機ＥＬ装置における電極に対して行うことにより、この電極の仕事関数を調整することができる。
【００５７】
＜電気光学装置＞
次に本発明の電気光学装置の一例としてプラズマ型表示装置について説明する。図９は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
【００５８】
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００５９】
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００６０】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、先の図７に示したパターン形成装置を用いて、先の図１〜図６に示したパターンの形成方法に基づいて形成されている。なお本実施形態では、バンクＢはアッシング処理により除去されている。
【００６１】
次に、本発明の電気光学装置の他の例として液晶装置について説明する。図１０は本実施形態に係る液晶装置の第１基板上の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実施形態に係る液晶装置は、この第１基板と、走査電極等が設けられた第２基板（図示せず）と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶（図示せず）とから概略構成されている。
【００６２】
図１０に示すように、第１基板３００上の画素領域３０３には、複数の信号電極３１０…が多重マトリクス状に設けられている。特に各信号電極３１０…は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分３１０ａ…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配線部分３１０ｂ…とから構成されており、Ｙ方向に伸延している。また、符号３５０は１チップ構造の液晶駆動回路で、この液晶駆動回路３５０と信号配線部分３１０ｂ…の一端側（図中下側）とが第１引き回し配線３３１…を介して接続されている。また、符号３４０…は上下導通端子で、この上下導通端子３４０…と、図示しない第２基板上に設けられた端子とが上下導通材３４１…によって接続されている。また、上下導通端子３４０…と液晶駆動回路３５０とが第２引き回し配線３３２…を介して接続されている。
【００６３】
本実施形態では、上記第１基板３００上に設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線３３１…、及び第２引き回し配線３３２…がそれぞれ、先の図７に示したパターン形成装置を用いて、先の図１〜図６を用いて説明したパターンの形成方法に基づいて形成されている。また、大型化した液晶用基板の製造に適用した場合においても、配線用材料を効率的に使用することができ、低コスト化が図れる。なお、本発明が適用できるデバイスは、これらの電気光学装置に限られず、例えば導電膜配線が形成される回路基板や、半導体の実装配線等、他のデバイス製造にも適用が可能である。
【００６４】
図１１は液晶表示装置の画素毎に設けられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ４００を示す図であって、基板Ｐには上記実施形態のパターンの形成方法によりゲート配線６１が基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に形成されている。ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述したパターン形成装置１００を用いて、有機銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【００６５】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の例について説明する。図１２は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した電気光学装置１１０６を備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、発光効率が高く明るい表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【００６６】
なお、上述した例に加えて、他の例として、携帯電話、腕時計型電子機器、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるもの、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００６７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図２】本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。
【図３】本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。
【図４】本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。
【図５】本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。
【図６】本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。
【図７】本発明のパターン形成装置の一実施形態を示す模式図である。
【図８】プラズマ処理装置の一例を示す模式図である。
【図９】本発明の電気光学装置の一例を示す図であってプラズマ型表示装置を示す模式図である。
【図１０】本発明の電気光学装置の一例を示す図であって液晶表示装置を示す模式図である。
【図１１】本発明のデバイスの製造方法により製造されたデバイスの一例を示す図であって薄膜トランジスタを示す模式図である。
【図１２】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
１０…液滴吐出ヘッド（液滴吐出装置）、３０…液滴、
３３…配線パターン（膜パターン）、３４…溝部、３５…底部、
３６、３８…端部、１００…パターン形成装置（液滴吐出装置）、
Ｂ…バンク、Ｐ…基板

Claims

機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
前記基板上に前記膜パターンに応じたバンクを形成する工程と、
前記バンク間の溝部に複数の液滴を配置する工程とを有し、
前記溝部に液滴を配置する際、最初に前記溝部の端部以外の位置に液滴を配置することを特徴とするパターンの形成方法。
前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程を有することを特徴とする請求項１記載のパターンの形成方法。
前記溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載のパターンの形成方法。
前記端部以外の位置に液滴を配置した後、複数の液滴を前記溝部の端部に向かって順次配置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
複数の液滴により前記膜パターンを形成する際、
前記基板上で液滴どうしが重ならないように複数の液滴を配置する第１配置工程と、
前記第１配置工程で前記基板上に配置された複数の液滴どうしの間に液滴を配置する第２配置工程とを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
前記機能液には導電性材料が含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
機能液の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により膜パターンを形成するパターン形成装置であって、
前記液滴吐出装置は、前記基板上に前記膜パターンに応じて予め形成されたバンク間の溝部に複数の液滴を順次配置し、
前記液滴を順次配置する際、最初に前記溝部の端部以外の位置に液滴を配置することを特徴とするパターン形成装置。
基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、
請求項１〜請求項６のいずれか一項記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
請求項８記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
請求項９記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。