JP2006147827A - 配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の材料を積層して配線パターンを形成するときに、クラックや断線などの品質問題を減少させることができる配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターン７９を形成する方法であって、基板Ｐ上にバンクＢを突設するバンク形成工程と、基板Ｐに親液性を付与する工程と、バンクＢに撥液性を付与する工程とを有している。また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。そして、これら下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７とで構成された配線パターン７９を一括で焼成する工程を有する。
【選択図】 図７

Description

本発明は、配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器に関する。

電子回路または集積回路などに使われる配線を有するデバイス製造には、例えば、フォトリソグラフィ法が用いられている。このフォトリソグラフィ法は、予め導電膜を形成した基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パターンに光を照射して露光〜現像し、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで薄膜の配線パターンを形成するものである。このフォトリソグラフィ法は真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。

例えば、特許文献１に開示されているように、液滴吐出ヘッドから液体材料である機能液を液滴状に吐出する液滴吐出法を用いて基板上に線パターンを形成する方法が提案されている。この方法では、金属微粒子等の導電性微粒子を分散させた配線パターン用機能液を基板に直接パターンの形成領域に配置し、その後、熱処理やレーザー照射を行って薄膜の導電膜パターンに変換する。この方法によれば、フォトリソグラフィが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある（例えば、特許文献１参照）。

米国特許５１３２２４８号

ところが、上記従来の配線パターンの形成方法を用いて複数の材料を積層した配線パターンを形成する場合、例えば、２種類の材料を使用して２層構造の積層膜の配線パターンを製造する場合、第１の機能液を配置してから、この第１の機能液を焼成して第１層目の配線パターンを得る。次に、この第１層目の配線パターン上に、第２の機能液を配置してから、この第２の機能液を焼成して第２層目の配線パターンを得る。このようにして、２層構造の積層膜の配線パターンを形成していた。第２層目の配線パターンを焼成するときには、第１層目の配線パターンも焼成されてしまった。つまり、第１層目と第２層目との配線パターンには熱履歴に差があった。この熱履歴の差によって、第１層目の内部にボイド（空隙）が発生してしまう傾向にあった。このボイドの影響で金属粒子が均一に粒成長しなくなり、結果的には第１層目の配線パターンが凹凸になってしまった。この凹凸の影響を受けて、第２層目の配線パターン焼成後に得られた積層膜の膜厚分布が不均一になり、積層膜の配線パターンの平坦性を確保することができなかった。そして、クラックや断線などの品質問題が発生するという恐れがあった。また、例えば、３種類の材料を使用して３層構造の積層膜の配線パターンを形成する場合でも同様な傾向であった。その結果、３層構造の積層膜の膜厚分布が不均一になり、配線パターンの平坦性を確保することがより困難であった。つまり、積層する膜が多層膜になればなるほど、積層膜の膜厚分布が不均一になる傾向であった。

本発明の目的は、複数の材料を積層して配線パターンを形成するときに、クラックや断線などの品質問題を減少させることができる配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供することである。

本発明の配線パターン形成方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、前記基板上の前記所定の領域を囲むバンクを形成する工程と、前記バンクで囲まれた領域に前記配線パターンの材料を含む第１の機能液を吐出して第１の配線パターンを形成する工程と、前記第１の配線パターンの上に第２の機能液を吐出して第２の配線パターンを形成する工程と、前記第１の配線パターンと、前記第２の配線パターンとを含む複数層の前記配線パターンを一括焼成する工程と、を有することを特徴とする。

この発明によれば、バンクによって区画形成された所定の領域に第１の機能液と第２の機能液とを塗布して、第１の配線パターンと第２の配線パターンとを形成する。そして、これら積層された配線パターンを同時にしかも一括で焼成処理するから、加熱回数が一回で済むので、作業が簡略化できる。一括焼成によって、ボイド（空隙）の発生を抑えることができるので、各層の金属粒子が成長するときに、粒成長の均一化が図られることになり、凹凸の少ない膜が形成できる。凹凸の少ない膜ができるから、積層膜の膜厚の均一性が向上する。しかも、凹凸によって生じるクラックや断線などの不良が発生しにくくなる。また、３層や４層などを含む複数層の積層膜にしても、クラックや断線などの不具合の少ない配線パターンを形成できる。

本発明の配線パターン形成方法は、前記第１の配線パターンを形成する工程は、前記第１の機能液を吐出した後に、前記第１の配線パターンをプレベークする工程を含み
前記第２の配線パターンを形成する工程では、前記プレベークされた前記第１の配線パターン上に、前記第２の機能液を吐出して前記第２の配線パターンを形成することが望ましい。

この発明によれば、第１の機能液を吐出した後に、プレベークする工程があるから、第１の配線パターンが、ある程度固化している。第２の機能液を吐出して積層膜を形成するときに、第１の配線パターンがある程度固まっているので、第１の機能液と第２の機能液とが混入しにくくなる。

本発明の配線パターン形成方法は、前記第２の配線パターンを形成する工程では、前記第２の機能液を吐出する前に、前記バンクに撥液性を与える工程と、を含むことが望ましい。

この発明によれば、中間乾燥して機能液中の分散媒を蒸発したときに、バンクも乾燥されてしまうため、バンク表面の撥液性が低下する傾向になるが、バンクに撥液性を与える工程があるから、バンクの撥液性を回復することができる。バンクの撥液性を回復できれば、描画時に、バンクで囲まれた領域より大きさの大きい機能液が領域に着弾しても、バンクに機能液がはじかれて、バンクで囲まれた領域に機能液が収納されやすくなる。したがって、バンクで囲まれた領域に機能液が精度良く満たされるので、凹凸の少ない配線パターンが形成できる。

本発明の配線パターン形成方法は、前記第２の配線パターンを形成する工程の後であって、前記一括焼成する工程の前に、前記第２の配線パターンの上に第３の機能液を吐出して第３の配線パターンを形成する工程を更に備え、前記複数層の前記配線パターンを一括焼成する工程では、前記基板上に積層された、前記第１の配線パターンとしての下地層と、前記第２の配線パターンとしての導電層と、前記第３の配線パターンとしての拡散防止層とを一括焼成することが望ましい。

この発明によれば、下地層と、導電層と、拡散防止層とを有する三層の配線パターンが容易にできる。しかも、断線などの品質問題が減少しているので、性能劣化の少ない配線パターンが形成できる。そして、基板には下地層が形成されているから基板と導電層との密着性を高めることができるので剥がれにくい。導電性を有する導電層が、通電可能なので、回路配線として使用できるから、各種のデバイスを製造できる。しかも、拡散防止層が導電層の上に形成されているから、絶縁膜などに導電層が拡散して起因する性能劣化などの不具合を少なくできる。

本発明のデバイスの製造方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンが形成されたデバイスの製造方法であって、前記基板上に、前述の前記配線パターン形成方法を用いて前記配線パターンを形成することを特徴とする。

この発明によれば、前述のように凹凸の少ない配線パターンが得られるので、クラックや断線などの品質問題の少ないデバイスを製造できる。例えば、スイッチング素子のような配線パターンを有するデバイスを容易に製造することが可能となる。

本発明のデバイスの製造方法は、前記基板上に、前記配線パターンとしてゲート電極及びゲート配線のうち少なくともいずれか一方を形成することが望ましい。

この発明によれば、クラックや断線などの品質問題の少ないゲート電極及びゲート配線などが形成できる。例えば、ゲート電極及びゲート配線などが形成されたＴＦＴデバイスを提供できる。

本発明のデバイスの製造方法は、前記基板上に、前記配線パターンとしてソース及びソース配線のうち少なくともいずれか一方を形成することが望ましい。

この発明によれば、クラックや断線などの品質問題の少ないソース及びソース配線などが形成できる。例えば、ソース及びソース配線などが形成されたＴＦＴデバイスを提供できる。

本発明のデバイスは、前述のデバイスの製造方法を用いて形成されていることを特徴とするデバイス。

この発明によれば、前述のようなクラックや断線などの品質問題を低減することが可能で、より高精細なデバイスを提供できる。

本発明の電気光学装置は、前述のデバイスを備えていることを特徴とする。

この発明によれば、クラックや断線などの品質問題を低減することが可能なデバイスを有しているので、クラックや断線などによる性能劣化が少なくて、信頼性の高い電気光学装置を提供できる。

本発明の電子機器は、前述の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

この発明によれば、クラックや断線などによる性能劣化が少なくて、信頼性の高い電気光学装置を有しているので、高精度で小型化が可能な電子機器を提供できる。

以下、本発明の配線パターンの形成方法、デバイス、デバイスの製造方法及び電気光学装置並びに電子機器について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。

（第１実施形態）
本実施形態では、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線パターン用機能液Ｘを液滴状に吐出し、基板上に配線パターンに応じて形成されたバンクの間に複数の導電膜からなる配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。ここで、本発明の特徴的な構成及び方法について説明する前に、まず、液滴吐出方法で用いられる配線パターン用機能液、基板、液滴吐出方法、液滴吐出装置について順次説明する。
＜配線パターン用機能液について＞

配線パターン用機能液Ｘは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、機能液組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
＜基板について＞

配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
＜液滴吐出法について＞

ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。

次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバイスを製造する液滴吐出装置が用いられる。
＜液滴吐出法装置について＞

図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。

ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより機能液を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。

液滴吐出ヘッド１は複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微 粒子を含む機能液が吐出される。

Ｘ軸方向駆動軸４にはＸ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。

Ｙ軸方向ガイド軸５は基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。

制御装置ＣＯＮＴは液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、Ｘ軸方向駆動モータ２に対して液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給するとともに、Ｙ軸方向駆動モータ３に対してステージ７のＹ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給する。

クリーニング機構８は液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであって、図示しないＹ軸方向駆動モータを備えている。このＹ軸方向駆動モータの駆動により、クリーニング機構８はＹ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

ヒータ１５はここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された機能液に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｙ軸方向を走査方向、Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することでノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節可能としてもよい。

図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。図２において、液体材料（配線パターン用機能液Ｘ）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が液滴Ｌとして吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。

次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて製造される装置の一例である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ・Ｆｉｌｍ・Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））について説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ１個を含む一部分の概略構成を示した平面図である。図４（ａ）は、ＴＦＴの断面図であり、図４（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図である。

図３に示すように、ＴＦＴ３０を有するＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート配線１２と、ソース配線１６と、ドレイン電極１４と、ドレイン電極１４に電気的に接続する画素電極１９とを備えている。ゲート配線１２はＸ軸方向に延びるように形成され、その一部がＹ軸方向に延びるように形成されている。そして、Ｙ軸方向に伸びるゲート配線１２の一部がゲート電極１１として用いられている。なお、ゲート電極１１の幅はゲート配線１２の幅よりも狭くなっている。そして、このゲート配線１２が、本実施形態の配線パターン形成方法で形成される。また、Ｙ軸方向に伸びるように形成されたソース配線１６の一部は幅広に形成されており、このソース配線１６の一部がソース電極１７として用いられている。

図４に示すように、ゲート配線１２は、基板Ｐの上に設けられたバンクＢの間に形成されている。ゲート配線１２及びバンクＢは、絶縁膜２８に覆われており、絶縁膜２８の上に、ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４と、バンクＢ１とが形成されている。ゲート配線１２は、絶縁膜２８によって、ソース配線１６と絶縁されており、ゲート電極１１は、絶縁膜２８によって、ソース電極１７及びドレイン電極１４と絶縁されている。ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４とは、絶縁膜２９で覆われている。

次に、本実施形態の配線パターンの形成方法について説明する。図５は、本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。図６（ａ）〜（ｅ）及び図７（ｆ）〜（ｊ）は、バンクを形成する手順の製造工程を示す工程断面図である。

本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターン用機能液Ｘを基板上に配置し、基板上に配線膜を形成して、配線パターン７９を形成するものである。

図５に示すように、ステップＳ１は、基板Ｐ上に配線パターン７９の形状に応じた凹部を形成するようにバンクＢを突設するバンク形成工程であり、次のステップＳ２は、基板Ｐに親液性を付与する親液化処理工程であり、次のステップＳ３は、バンクＢに撥液性を付与する撥液化処理工程である。また、次のステップＳ４は、撥液性を付与されたバンク間に、第１層目の配線パターンとしての下地膜７１を形成するための配線パターン用機能液Ｘ１を配置する第１機能液配置工程である。次のステップＳ５は、第１機能液を乾燥させて分散媒を除去するための中間乾燥工程である。次のステップＳ６は、第１層目の配線パターンの上に、第２層目の配線パターンとしての導電膜７３を形成するための配線パターン用機能液Ｘ２を配置する第２機能液配置工程である。次のステップＳ７は、第２機能液を乾燥させて分散媒を除去するための中間乾燥工程である。次のステップＳ８は、第２層目の配線パターンの上に、第３層目の配線パターンとしての拡散防止膜７７を形成するための配線パターン用機能液Ｘ３を配置する第３機能液配置工程である。そして、最後のステップＳ９は、これら、下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７とで構成された配線パターン７９を一括で焼成する焼成工程である。

以下、各ステップの工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。最初に、ステップＳ１のバンク形成工程について説明する。図６（ａ）に示すように、このバンク形成工程では、まず、バンクＢの形成材料を塗布する前に表面改質処理として、基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ_３）_３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ_３）_３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクＢと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層３２が基板Ｐ上に形成される。

バンクＢは仕切部材として機能する部材であり、バンクＢの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板ＰのＨＭＤＳ層３２上にバンクＢの高さに合わせてバンクＢの形成材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンクＢの形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンクＢの形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンクＢの形成材料を除去する。

図６（ｂ）に示すように、配線パターン形成予定領域の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが突設される。なお、このようにして形成されるバンクＢ、Ｂとしては、その上部側の幅が狭く、底部側の幅が広いテーパ状とするのが、後述するようにバンクＢ、Ｂ間の溝部に機能液の液滴が流れ込みやすくなるため好ましい。

本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料として、無機質の材料が用いられる。無機質の材料によってバンクＢを形成する方法としては、例えば、各種コート法やＣＶＤ法（化学的気相成長法）等を用いて基板Ｐ上に無機質の材料からなる層を形成した後、エッチングやアッシング等によりパターニングして所定の形状のバンクＢを得ることができる。なお、基板Ｐとは別の物体上でバンクＢを形成し、それを基板Ｐ上に配置してもよい。

バンクＢの形成材料としては、機能液に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。無機質のバンクＢの形成材料としては、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、無機質のバンクＢの形成材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。

なお、バンクＢの形成材料として、有機質の材料を用いることもできる。バンクＢを形成する有機材料としては、機能液に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。あるいは、無機骨格（シロキサン結合）を主鎖に有機基を持った材料でもよい。

基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、図６（ｃ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３２が除去され、基板Ｐが露出する。

次に、ステップＳ２の親液化処理工程について説明する。この親液化処理工程では、バンクＢ、Ｂ間の底部３５（基板Ｐの露出部）に親液性を付与する親液化処理が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ_２プラズマ処理等を選択できる。本実施形態ではＯ_２プラズマ処理を実施する。

Ｏ_２プラズマ処理は、基板Ｐに対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ_２プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。

そして、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン用機能液Ｘに対して親液性を有しているが、本実施形態のようにＯ_２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクＢ、Ｂ間で露出する基板Ｐ表面（底部３５）の親液性を更に高めることができる。ここで、バンクＢ、Ｂ間の底部３５の機能液に対する接触角が１５度以下となるように、Ｏ_２プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。

図９は、Ｏ_２プラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図９に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。

ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの表面全体が連続的に処理される。

本実施形態では、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ_２）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスとを混合したものである。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、バンクＢ、Ｂ間の底部３５におけるバンクＢ形成時の有機物（レジストやＨＭＤＳ）残渣を除去できる。すなわち、上記フッ酸処理ではバンクＢ、Ｂ間の底部３５のＨＭＤＳ（有機物）が完全に除去されない場合がある。あるいは、バンクＢ、Ｂ間の底部３５にバンクＢ形成時のレジスト（有機物）が残っている場合もある。そこで、Ｏ_２プラズマ処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂ間の底部３５の残渣が除去される。

なお、ここでは、フッ酸処理を行うことでＨＭＤＳ層３２を除去するように説明したが、Ｏ_２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンクＢ、Ｂ間の底部３５のＨＭＤＳ層３２を十分に除去できるため、フッ酸処理は行わなくてもよい。また、ここでは、親液化処理としてＯ_２プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ_２プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。

次に、ステップＳ３の撥液化処理工程について説明する。この撥液化処理工程では、バンクＢに対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ_４プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ_４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ６やＳＦ５ＣＦ３などのガスも用いることができる。ＣＦ_４プラズマ処理には、図９を参照して説明したプラズマ処理装置を用いることができる。

このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、バンクＢ、Ｂに対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ_２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、Ｏ_２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ_２プラズマ処理することが好ましい。

なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンクＢ、Ｂ間の基板Ｐ露出部に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。

上述した親液化処理工程及び撥液化処理工程により、バンクＢの撥液性がバンクＢ、Ｂ間の底部３５の撥液性より高くなるように表面改質処理されたことになる。なお、ここでは親液化処理としてＯ_２プラズマ処理を行っているが、上述したように、基板Ｐがガラス等からなる場合には撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、Ｏ_２プラズマ処理を行わずにＣＦ_４プラズマ処理のみを行うことによっても、バンクＢの撥液性をバンクＢ、Ｂ間の底部３５より高くすることができる。

次に、ステップＳ４の第１機能液配置工程について説明する。この第１機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン用機能液Ｘ１の液滴Ｌが基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。図６（ｄ）に示すように、第１機能液配置工程では、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用機能液Ｘ１を吐出する。液滴吐出ヘッド１は、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に向け、配線パターン用機能液Ｘ１を吐出して溝部３４内に配線パターン用機能液Ｘ１を配置する。このとき、液滴Ｌが吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴Ｌが所定位置以外に拡がることを阻止できる。

本実施形態では、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４の幅Ｗ（ここでは、溝部３４の開口部における幅）は機能液の液滴Ｌの直径Ｄとほぼ同等に設定されている。なお、液滴Ｌを吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズル２５が目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。

このような液滴Ｌを液滴吐出ヘッド１から吐出し、溝部３４内に配置すると、液滴Ｌはその直径Ｄが溝部３４の幅Ｗとほぼ同等であることから、図６（ｅ）に二点鎖線で示すようにその一部がバンクＢ、Ｂ上に乗ることがある。ところが、バンクＢ、Ｂの表面が撥液性となっておりしかもテーパ状になっていることから、これらバンクＢ、Ｂ上に乗った液滴部分がバンクＢ、Ｂからはじかれ、更には毛細管現象によって溝部３４内に流れ落ちることにより、図６（ｅ）の実線で示すように配線パターン用機能液Ｘ１の殆どが溝部３４内に入り込む。

また、溝部３４内に吐出され、あるいはバンクＢ、Ｂから流れ落ちた配線パターン用機能液Ｘは、基板Ｐ（底部３５）が親液化処理されていることから濡れ拡がり易くなっており、これによって配線パターン用機能液Ｘは、より均一に溝部３４内を埋め込むようになる。

上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン用機能液Ｘ１が、図６（ｅ）に示すように、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。そして、図７（ｆ）に示すように、下地膜７１が形成される。この下地膜７１は、次にバンクＢ、Ｂ間の凹部に配置される配線パターン用機能液Ｘ１に対する親液性を有する薄膜である。なお、下地膜７１を形成するための配線パターン用機能液Ｘ１は、下地膜７１を形成する原料としてマンガンを用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いている。

次に、ステップＳ５の中間乾燥工程について説明する。この中間乾燥工程では、基板Ｐに所定量の配線パターン用機能液Ｘ１を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして、この乾燥処理によって配線パターン用機能液Ｘ１は、自らの上に配置される他の種類の、例えば、配線パターン用機能液Ｘ２と混じり合わない程度に固化される。この乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などよる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、この中間乾燥工程によって、図７（ｆ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間３４の基板Ｐ上には、Ｍｎを導電性微粒子として含む配線パターン用機能液Ｘ１の下地膜７１が形成される。なお、形成される下地膜７１の膜厚は約７０ｎｍである。

次に、ステップＳ６の第２機能液配置工程について説明する。この第２機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン用機能液Ｘ２が、図７（ｇ）に示すように、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。そして、図７（ｈ）に示すように、導電膜７３が形成される。この導電膜７３は、導電性を有する薄膜である。なお、導電膜７３を形成するための配線パターン用機能液Ｘ２は、導電膜７３を形成する原料として導電性材料である有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いている。

次に、ステップＳ７の中間乾燥工程について説明する。この中間乾燥工程では、第２機能液をプレベークするもので、前述のステップＳ５と同様である。そして、この中間乾燥工程によって、図７（ｈ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間３４の基板Ｐ上には、Ａｇを導電性微粒子として含む配線パターン用機能液Ｘ２の導電膜７３が形成される。なお、形成される導電膜７３の膜厚は約２００ｎｍである。

次に、ステップＳ８の第３機能液配置工程について説明する。この第３機能液配置工程では、配線膜上に拡散防止膜７７を形成するための配線パターン用機能液Ｘ３を配置する。第３機能液配置工程では、第１及び第２機能液配置工程と同様に、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン用機能液Ｘ３が、図７（ｉ）に示すように、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。そして、図７（ｊ）に示すように、拡散防止膜７７が形成される。この拡散防止膜７７は、導電膜７３の拡散を防止するための薄膜である。なお、拡散防止膜７７を形成するための配線パターン用機能液Ｘ３は、拡散防止膜７７を形成する原料としてニッケルを用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いている。

次に、ステップＳ９の焼成工程について説明する。この焼成工程では、第１、第２及び第３の配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）の中の分散媒の除去及び各々の膜厚確保のための熱処理を行う。また、金属微粒子の表面には分散性を向上させるために有機物などのコーティングがされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。特に、第２の配線パターン用機能液Ｘ２が有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。なお、この際に、第１、第２及び第３配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）の熱処理は同時に一括して行う。そして、図７（ｊ）に示すように、下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７の三層が積層した積層膜が形成される。なお、形成される拡散防止膜７７の膜厚は約５００ｎｍである。

熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、パターンを形成した機能液に対して、大気中クリーンオーブンにて２８０〜３００℃で３００分間の焼成工程が行われる。なお、例えば、有機銀化合物の有機分を除去するには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上２５０℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜７３に変換される。

以上のような第１実施形態では、次のような効果が得られる。

（１）積層膜を一括焼成することで、熱履歴によって生じるボイドの発生を抑えることができるので、金属粒子の粒成長の均一化が図られる。金属粒子の粒成長の均一化が図られるので、凹凸の少ない膜が形成されることになる。結果的に、第１の配線パターンとしての下地膜７１、第２の配線パターンとしての導電膜７３、第３の配線パターンとしての拡散防止膜７７を形成して得られる積層膜の配線パターン７９は、平坦性を有する膜にできる。
（２）積層膜の配線パターン７９が平坦性を有しているので、クラックや断線などの品質問題の少ないデバイスを提供できる。
（３）積層膜を一括焼成することで、焼成工程が一回で済むので、作業が簡略化でき、効率的である。
（４）機能液配置工程の後に中間乾燥工程（プレベーク）があるので、配線パターン用機能液Ｘの中の分散媒を積極的に除去できるから、バンクＢで囲まれた領域に、次の配線パターン用機能液Ｘをよりすばやく配置することができるので、効率的である。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、前述の第１実施形態において、各機能液を中間乾燥した後に、バンクＢに撥液性を与えるための撥液化処理工程を有していることが異なるものである。なお、前述の第１実施形態と同じ部品及び同様な機能を有する部品には同一記号を付し、同様な工程についても、説明を省略する。

図８に示すように、ステップＳ５と、ステップＳ８との中間乾燥工程の後に、ステップＳ６と、ステップＳ９の撥液化処理工程を追加した。なお、これらステップＳ６と、ステップＳ９の撥液化処理工程は、バンクＢに撥液性を与えるためのものであって、この撥液化処理工程における撥液化処理条件は、ステップＳ３と同一であるので、説明を省略する。

バンクＢに対して撥液化処理を行うことにより、バンクＢにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、バンクＢは高い撥液性が付与される。

以上のような第２実施形態では、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる他に以下の効果が得られる。

（５）第１機能液配置工程や、第２機能液配置工程の後に、分散媒を除去するための中間乾燥工程を設け、配線パターン用機能液Ｘの中に含まれる分散媒の除去をするときに、バンクＢの表面も同様に乾燥される。特に、配線パターン用機能液Ｘ１、Ｘ２を配置するたびに乾燥することになる（この場合２回）。バンクＢが複数回乾燥されるので、バンクＢの表面の撥液性が低下する傾向にあった。本実施形態は、この中間乾燥後に撥液化処理工程を追加することによって、バンクＢの表面の撥液性を元の状態に回復することができる。そして、バンクＢの表面の撥液性を元の状態に回復できれば、描画時に、バンクＢで囲まれた領域より大きさの大きい配線パターン用機能液Ｘが領域に着弾しても、特に、配線パターン用機能液Ｘ２、Ｘ３がバンクＢにはじかれて、バンクＢで囲まれた領域に収納されやすくなる。したがって、バンクＢで囲まれた領域に配線パターン用機能液Ｘが精度良く満たされるので、結果的に、第１の配線パターンとしての下地膜７１、第２の配線パターンとしての導電膜７３、第３の配線パターンとしての拡散防止膜７７を形成して得られる三層の配線パターン７９は、より平坦性を有する膜にできる。
＜表示装置（電気光学装置）及びその製造方法＞

次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置１００について説明する。本実施形態の液晶表示装置１００は、第１の実施形態で説明した回路配線形成方法を用いて形成された回路配線を有するＴＦＴを備えている。

図１０は、本実施形態に係る液晶表示装置１００について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図である。図１１は、図１０のＨ−Ｈ'線に沿う断面図である。

図１０及び図１１において、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。

シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。

なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Ｔａｐｅ・Ａｕｔｏｍａｔｅｄ・Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ・Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ・Ｔｗｉｓｔｅｄ・Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

図１２は、液晶表示装置１００の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図１３は、液晶表示装置１００の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図１２に示すように、このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

図１３に示すように、画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１１に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。

図１３は、ボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記実施形態の回路配線の形成方法によりゲート配線６１がガラス基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に形成されている。

ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。

さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ・Ｔｈｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）からなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６を突設し、これらバンク６６間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。

なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置１００以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機及び有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子及び正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑及び青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料を機能液とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。

図１４は、非接触型カード媒体である。本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。

なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
＜電子機器＞

次に、本発明に係る液晶表示装置１００を備えた電子機器について説明する。

図１５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１５において、携帯電話本体６００を示し、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部６０１を示している。

図１６は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１６において、情報処理装置７００、キーボードなどの入力部７０１、情報処理本体７０３、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部７０２を示している。

図１７は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１７において、腕時計本体８００を示し、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部８０１を示している。

図１５、図１６，図１７に示す電子機器は、前記した実施形態の液晶表示装置１００を備えたものであり、バンクＢと回路配線膜との段差が小さい、バンクＢ上への回路配線膜のはみ出しが少ない、周囲のバンクＢ上の導電材料の残渣が少ない配線パターン７９を有している。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。

以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造及び形状に設定できる。

（変形例１）前述の第１実施形態で、機能液配置工程の後に、中間乾燥工程を設けたが、これに限定されない。例えば、中間乾燥工程がなくても良い。このようにすれば、第１実施形態及び第２実施形態と同様な効果が得られる他に、各機能液が液状状態であるので、層間にボイドが発生しにくくなり、より積層膜の平坦性が向上する。また、中間乾燥工程が不要になるので効率的である。

（変形例２）前述の第２実施形態で、中間乾燥工程後に、撥液化処理工程を設けバンクＢに撥液性を回復させてから配線パターン７９を形成したが、これに限定されない。例えば、中間乾燥工程後に親液化処理工程を設け、バンクＢ以外の下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７を親液化処理をしても良い。このようにすれば、第１実施形態及び第２実施形態と同様な効果が得られる他に、下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７の各層の親液性が向上する。バンクＢで囲まれた領域内に、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）をそれぞれ配置するときに、各層の親液性が向上しているので、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）を、領域内に収納しやすくできる。

（変形例３）前述の第１実施形態及び第２実施形態で、配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）を使用して、これら３種類の配線パターン用機能液Ｘを一括焼成することによって、配線パターン７９を形成したが、これに限定されない。例えば、４種類の配線パターン用機能液Ｘを使用して一括焼成しても良い。このようにすれば、４層の積層膜が形成できる。なお、一括焼成ができない場合は、予め２種類の配線パターン用機能液Ｘを配置してから、これら２種類の配線パターン用機能液Ｘを一括焼成して積層膜を形成しておく。次に、この積層膜の上にさらに２種類の配線パターン用機能液Ｘを配置してから一括焼成する。このようにすれば、各層ごとに焼成するよりは、層間のボイドの発生による影響が相対的に少なくなるので、凹凸の少ない膜が形成できる。つまり、４層の積層膜になった配線パターン７９の平坦性が向上する。また、配線パターン用機能液Ｘの種類をさらに多くすれば、平坦性を有する多層膜が形成できる。

（変形例４）前述の第１実施形態で、３種類の配線パターン用機能液Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）を用いて、下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７の各層を形成したが、これに限定されない。例えば、配線パターン用機能液Ｘ２のみを用いて、導電膜７３を三層に積層した積層構造にしても良い（同一材料のみによる積層膜の形成）。このようにすれば、第１実施形態及び第２実施形態と同様な効果が得られる他に、導電性材料のみによる積層膜ができる。

第１実施形態の液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図。 ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明する模式断面図。 ＴＦＴアレイ基板の要部の概略構成を示した平面図。 （ａ）は、ＴＦＴの断面図。（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図。 配線パターンの形成方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｅ）は、バンクを形成する手順の製造工程を示す工程断面図。 （ｆ）〜（ｊ）は、バンクを形成する手順の製造工程を示す工程断面図。 第２実施形態の配線パターンの形成方法を示すフローチャート。 プラズマ処理装置の概略構成図。 液晶表示装置の対向基板側から見た平面図。 図１０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。 液晶表示装置の等価回路図。 液晶表示装置の部分拡大断面図。 非接触型カード媒体の分解斜視図。 携帯電話の斜視図。 情報処理装置の斜視図。 腕時計の斜視図。

符号の説明

１…液滴吐出ヘッド、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…ゲート電極、１２…ゲート配線、１４…ドレイン電極、１６…ソース配線、１７…ソース電極、１９…画素電極、２８…絶縁膜、２９…絶縁膜、３０…デバイスとしてのＴＦＴ、３１…形成材料、３２…ＨＭＤＳ層、３４…バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部、３５…バンクＢ、Ｂ間に形成された底部、７１…第１の配線パターンとしての下地膜、７３…第２の配線パターンとしての導電膜、７７…第３の配線パターンとしての拡散防止膜、７９…配線パターン、１００…電気光学装置としての液晶表示装置、６００…電子機器としての携帯電話、７００…電子機器としての情報処理装置、８００…電子機器としての腕時計、Ｂ…バンク、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｌ…液滴、Ｐ…基板、Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）…配線パターン用機能液。

Claims (10)

1. 基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
   前記基板上の前記所定の領域を囲むバンクを形成する工程と、
   前記バンクで囲まれた領域に前記配線パターンの材料を含む第１の機能液を吐出して第１の配線パターンを形成する工程と、
   前記第１の配線パターンの上に第２の機能液を吐出して第２の配線パターンを形成する工程と、
   前記第１の配線パターンと、前記第２の配線パターンとを含む複数層の前記配線パターンを一括焼成する工程と、
   を有することを特徴とする配線パターン形成方法。
2. 請求項１に記載の配線パターンの形成方法において、
   前記第１の配線パターンを形成する工程は、前記第１の機能液を吐出した後に、前記第１の配線パターンをプレベークする工程を含み
   前記第２の配線パターンを形成する工程では、前記プレベークされた前記第１の配線パターン上に、前記第２の機能液を吐出して前記第２の配線パターンを形成することを特徴とする配線パターン形成方法。
3. 請求項２に記載の配線パターンの形成方法において、
   前記第２の配線パターンを形成する工程では、前記第２の機能液を吐出する前に、前記バンクに撥液性を与える工程と、を含む
   ことを特徴とする配線パターン形成方法。
4. 請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線パターン形成方法において、
   前記第２の配線パターンを形成する工程の後であって、前記一括焼成する工程の前に、
   前記第２の配線パターンの上に第３の機能液を吐出して第３の配線パターンを形成する工程を更に備え、
   前記複数層の前記配線パターンを一括焼成する工程では、
   前記基板上に積層された、前記第１の配線パターンとしての下地層と、前記第２の配線パターンとしての導電層と、前記第３の配線パターンとしての拡散防止層とを一括焼成することを特徴とする配線パターン形成方法。
5. 基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンが形成されたデバイスの製造方法であって、
   前記基板上に、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の前記配線パターン形成方法を用いて前記配線パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
6. 請求項５に記載のデバイスの製造方法において、
   前記基板上に、前記配線パターンとしてゲート電極及びゲート配線のうち少なくともいずれか一方を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
7. 請求項５に記載のデバイスの製造方法において、
   前記基板上に、前記配線パターンとしてソース及びソース配線のうち少なくともいずれか一方を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
8. 請求項５〜請求項７のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法を用いて形成されていることを特徴とするデバイス。
9. 請求項８に記載のデバイスを備えていることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項９に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
    

Images