JP2004356321A - 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】バンクから溢れることなく均一な膜厚で厚膜化も可能な配線を形成する。
【解決手段】バンクＢ、Ｂ間に形成された溝３１内に機能液の液滴を吐出して薄膜パターンを形成する。溝３１内に間隔をあけて液滴３２ａを複数吐出する第１吐出工程と、第１吐出工程とは吐出位置をずらせて溝３１内に液滴３２ｂを吐出する第２吐出工程とを有する。
【選択図】 図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路などの微細な配線パターンの製造方法としては、フォトリソグラフィー法が多用されている。一方、特許文献１、特許文献２などには、液滴吐出方式を用いた方法が開示されている。これら公報に開示されている技術は、パターン形成用材料を含んだ機能液を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置（塗布）して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であるなど大変有効であるとされている。
【０００３】
ところで、近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例えば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。
しかしながら、このような微細な配線パターンを前記の液滴吐出方式による方法によって形成しようとした場合、特にその配線幅の精度を十分にだすのが難しい。そこで、特許文献３及び特許文献４には、基板上に仕切部材であるバンクを設けるとともに、バンクの上部を撥液性にし、それ以外の部分が親液性となるように表面処理を施す技術が記載されている。
この技術を用いることにより、細線であっても配線パターンの幅をバンク間の幅で規定して細線を形成することができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２１６３３０号公報
【特許文献３】
特開平９−２０３８０３号公報
【特許文献４】
特開平９−２３０１２９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。バンク間の溝内に配線方向に沿って液滴を複数吐出しても、着弾した液状体同士がつながらず配線として機能しない場合がある。そこで、上記液滴の吐出を複数回実施することも考えられるが、同じ箇所に液滴が着弾した場合、液状体がバンクから溢れてしまう可能性がある。
また、液滴を吐出して液状体同士がつながった場合でも、部分的に膜厚が薄くなると抵抗が高くなり、厚膜化の効果が薄れ配線として適切でなくなるという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、バンクから溢れることなく均一な膜厚で厚膜化も可能な配線を形成できる薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の薄膜パターン形成方法は、バンク間に形成された溝内に機能液の液滴を吐出して薄膜パターンを形成する方法であって、前記溝内に間隔をあけて前記液滴を複数吐出する第１吐出工程と、前記第１吐出工程とは吐出位置をずらせて前記溝内に前記液滴を吐出する第２吐出工程とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明の薄膜パターン形成方法では、第１吐出工程で吐出した隣り合う液滴同士が溝内でつながらない場合でも、第２吐出工程で第１吐出工程とは吐出位置をずらせて液滴を吐出することで溝内で液滴をつなげて配線として機能させることが可能となる。また、本発明では、第２吐出工程で吐出位置をずらせることで、溝内に着弾した液状体（機能液）が飛散してバンクから溢れることを防止できるとともに、第１吐出工程で形成された配線の薄い部分、または配線が形成されていない部分に機能液を塗布することになるので、配線としての膜厚を均一化でき、抵抗が部分的に高くなってしまうことを防止できる。
【０００９】
このように、第２吐出工程では、第１吐出工程で吐出した機能液を補完して配線として形成するため、第１吐出工程で吐出された隣り合う液滴同士の略中間部に吐出することが好ましい。
また、第１吐出工程では、隣り合う液滴同士がつながらない間隔で前記液滴を吐出することが好ましい。
この場合、第２吐出工程で吐出した液滴が着弾によりバンクから溢れてしまう可能性を減らすことができる。
【００１０】
また、バンクに対しては、前記溝よりも高い撥液性を付与することが好ましい。この場合、吐出された液滴の一部がバンク上にのっても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクからはじかれ、バンク間の溝に流れ落ちやすくなる。
【００１１】
なお、機能液に導電性微粒子が含まれる場合には、薄膜パターンを配線パターンとすることができ、各種デバイスに応用することができる。また導電性微粒子の他に、有機ＥＬ等の発光素子形成材料やＲ・Ｇ・Ｂのインク材料を用いることで有機ＥＬ装置や、カラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用することができる。さらに、機能液としては、加熱または光照射により導電性を発生するものを選択することも可能である。
【００１２】
一方、本発明のデバイス製造方法は、基板に薄膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、上記の薄膜パターン形成方法により、前記基板に前記薄膜パターンを形成することを特徴とするものである。
また、本発明のデバイスは、基板に薄膜パターンが形成されてなるデバイスであって、上記の薄膜パターン形成方法により、前記基板に前記薄膜パターンが形成されていることを特徴とするものである。
これにより本発明では、機能液が溢れて短絡を生じさせたり、抵抗が部分的に高くなることがない、所望の機能を有する配線を形成することが可能になる。
特に、薄膜パターンが前記基板上に設けられたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子の一部を構成する場合には、短絡等が生じず所望の機能を発現する高品質のスイッチング素子を得ることができる。
【００１３】
そして、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを備えることを特徴としている。
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これにより、本発明では、短絡等の品質低下が生じない所望機能を発現できる電気光学装置及び電子機器を得ることが可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器の実施の形態を、図１ないし図１４を参照して説明する。
（第１実施形態）
本実施の形態では、液滴吐出法によって液体吐出ヘッドのノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（薄膜パターン）用インク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に導電性膜で形成された配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。
【００１５】
この配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００１６】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００１７】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００１８】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００１９】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００２０】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００２１】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２２】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００２３】
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２４】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００２５】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００２６】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２７】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００２８】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００２９】
次に、本発明の配線パターン形成方法（薄膜パターン形成方法）の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図３乃至図６を参照して説明する。本実施形態に係る配線パターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板Ｐ上に配置し、その基板Ｐ上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、バンク形成工程、残渣処理工程、撥液化処理工程、材料配置工程及び中間乾燥工程、焼成工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００３０】
（バンク形成工程）
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせて有機系感光性材料を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンク（凸部）を形成してもよい。
【００３１】
これにより、図３（ａ）に示されるように、配線パターンを形成すべき領域である溝３１を囲むように、例えば幅１０μｍ、高さ（深さ）２μｍでバンクＢ、Ｂが突設される。
なお、基板Ｐに対しては、有機材料塗布前に表面改質処理として、ＨＭＤＳ処理（（ＣＨ_３）_３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ_３）_３を蒸気状にして塗布する方法）が施されているが、図３ではその図示を省略している。
【００３２】
バンクを形成する有機材料としては、液体材料に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００３３】
（残渣処理工程（親液化処理工程））
次に、バンク間におけるバンク形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ_２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ_２プラズマ処理を実施する。
【００３４】
具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ_２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
【００３５】
なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ_２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、溝３１の親液性を高めることができる。本実施の形態では、配線パターン形成材料として用いる有機銀化合物（後述）に対する溝３１の接触角が１０°以下となるようにプラズマ処理条件を調整した（例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする）。
【００３６】
（撥液化処理工程）
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ_４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ_４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。本実施の形態では、配線パターン形成材料として用いる有機銀化合物に対するバンクＢの接触角が、例えば６０°以上となるようにプラズマ処理条件を調整した（例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする）。
【００３７】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、溝部３１に対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ_２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ_２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ_２プラズマ処理することが好ましい。
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。
これらバンク形成工程、残渣処理工程及び撥液化処理工程により、薄膜パターニング用基板が形成される。
【００３８】
（材料配置工程及び中間乾燥工程）
次に、液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料を基板Ｐ上の溝３１に塗布する。なお、ここでは、機能液（配線パターン用インク）として、導電性微粒子を溶媒（分散媒）に分散させた分散液を吐出する。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００３９】
すなわち、材料配置工程では、上述した液滴吐出装置ＩＪの液滴吐出ヘッド１と基板Ｐとを相対移動させながら、図３（ｂ）に示すように、液体吐出ヘッド１から配線パターン形成材料を含む液体材料を液滴３２として吐出し、その液滴３２を基板Ｐ上の溝３１に配置する。具体的には、溝３１の長さ方向（配線パターンの形成方向）に沿って、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐとを相対移動させつつ、所定のピッチで液滴３２を複数吐出することで、後述するように線状の配線パターンを形成する。
なお、本例では、液滴３２の直径ＤがバンクＢ、Ｂによる溝部３１の幅Ｗ（本例では溝部３１の開口部における幅）より大きいものとする。具体的には、溝部３１の開口部における幅Ｗが１０μｍ以下程度であり、液滴３２の直径Ｄが１５〜２０μｍ程度であるものとする。
【００４０】
このような液滴３２を液滴吐出ヘッド１から吐出し、溝部３１内に液状体を塗布する。本実施の形態では、１回目の相対移動（スキャン）動作で、図４（ａ）に示すように、隣り合う液滴（液状体；符号３２ａで示す）同士がつながらないピッチ（間隔）Ｌで溝３１内に液滴を吐出する（第１吐出工程）。
次に、２回目のスキャン動作で、図４（ｂ）に示すように、１回目のスキャン動作とは吐出位置を半ピッチ（Ｌ／２）ずらせて、塗布された液状体３２ａ、３２ａの略中間部に液滴（液状体；符号３２ｂで示す）を吐出することで（第２吐出工程）、図４（ｃ）に示すように、液状体３２ａ、３２ｂ、３２ａを溝３１内でつながらせる。
【００４１】
ここで、液滴３２（３２ａ、３２ｂ）を溝３１に向けて吐出した際には、バンクＢ、Ｂの表面が撥液性となっておりしかもテーパ状になっていることから、これらバンクＢ、Ｂ上にのった液滴３２部分がバンクＢ、Ｂからはじかれ、さらには溝３１の毛細管現象によって該溝３１内に流れ落ちるが、液滴３２の直径Ｄが溝部３１の幅Ｗより大きいことから、図４（ａ）に示す（図３（ｃ）中二点鎖線で示す）ように、吐出された液状体（符号３２ａで示す）の一部が溢れてバンクＢ、Ｂ上に残ることがある。
【００４２】
このとき、２回目のスキャン動作で塗布された液状体３２ｂが塗れ拡がることで、先に吐出された液状体３２ａとつながり、液状体３２ａ、３２ｂの接触部が引き合うことにより、バンクＢに残った液状体が溝３１内に引き込まれる。その結果、図３（ｃ）及び図４（ｃ）に符号３２ｃで示すように、液状体はバンクＢに溢れることなく溝３１内に入り込んで線状に形成される。
【００４３】
また、溝３１内に吐出され、あるいはバンクＢ、Ｂから流れ落ちた液状体３２ａ、３２ｂは、基板Ｐが親液処理されていることからより広がり易くなっており、これによって液状体３２ａ、３２ｂはより均一に溝３１内を埋め込むようになる。したがって、溝３１の幅Ｗが液滴３２の直径Ｄより狭い（小さい）にもかかわらず、溝３１内に向けて吐出された液滴３２（液状体３２ａ、３２ｂ）は、バンクＢ上に残留することなく、溝３１内に良好に入り込んでこれを均一に埋め込むようになる。
【００４４】
（中間乾燥工程）
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理（中間乾燥）をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、所望の膜厚に形成することができる。
【００４５】
（焼成工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００４６】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
たとえば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換されることで、図３（ｄ）に示すように、線状に連続した膜としての導電性パターン、すなわち配線パターン（薄膜パターン）３３を得る。
【００４７】
（実施例）
バンクが形成されたガラス基板を、プラズマパワーが５５０Ｗ、４フッ化メタンガス流量が１００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｈｅガス流量が１０Ｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が２ｍｍ／ｓｅｃの条件で実施した所、有機銀化合物（ジエチレングリコールジメチルエーテル溶媒）に対する接触角は、撥液化処理前のバンクＢが１０°以下であったのに対し、撥液化処理後のバンクＢが５４．０°になった。また、純水に対する接触角は撥液化処理前のバンクＢが６９．３°であったのに対し、撥液化処理後のバンクＢが１０４．１°になった。なお、いずれの場合もガラス基板の溝部３１における接触角は１５°以下であった。
【００４８】
そして、このガラス基板に対して、液滴直径Ｄ≒２０μｍ（重量約７．０ｎｇ／ｄｏｔ）、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃ、ピッチＬが６０μｍで吐出したところ、１回目のスキャン動作では、図４（ａ）に示すように、液状体３２ａ、３２ａがつながらなかった。そして、２回目のスキャン動作では、１回目のスキャン動作に対して吐出位置を半ピッチ（３０μｍ）ずらし、且つピッチＬが６０μｍで液滴吐出を行ったところ、図４（ｂ）に示すように、塗布した液状体３２ｂは先に塗布した液状体３２ａとつながり、図４（ｃ）に示すように、バンクＢに溢れることなく、且つ分断されることなく溝３１内で線上の配線パターンを得ることができた。
【００４９】
このように、本実施の形態では、１回目のスキャン動作と２回目のスキャン動作とで吐出位置をずらせて液滴を吐出することで、着弾した液状体３２ａ、３２ｂをつなげることができるので、配線パターンとしての機能を維持・発現させることが可能になる。また、本実施の形態では吐出位置をずらせることで、同じ位置に着弾させた場合のように液滴が飛散してバンクＢから溢れてしまうことも防止可能である。
特に、本実施の形態では吐出位置を半ピッチずらせて、溝３１内の液状体３２ａ、３２ａの略中間部に液状体３２ｂを配置しているので、液状体３２ｂの着弾位置における液状体３２ａの量が少ない、または液状体３２ａが存在しない状態となるため、着弾時の液滴の飛散をより抑制することができる。
【００５０】
しかも、本実施の形態では、バンクＢに溝３１よりも高い撥液性を付与しているので、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗った場合でも、撥液性により液滴をはじいて溝３１に流れ落とさせることで液状体をより均一に塗布することができ、一様な膜厚を有する配線パターン３３を得ることが可能になる。加えて、本実施の形態では溝３１の幅が液滴３２の直径よりも小さい場合でも、溝３１内を液状体で埋めることができるので、より細線の配線パターンが形成された小型のデバイスを得ることが可能であるとともに、短絡等の不良が生じない高品質のデバイスを得ることが可能である。
【００５１】
なお、１回目のスキャン動作で液状体３２ａ、３２ａが、溝３１内で必ずしもつながらないピッチで吐出する必要はない。例えば１回目のスキャン動作で吐出ピッチＬを５０μｍとしたときには、図５（ａ）に示すように、液状体３２ａ、３２ａを溝３１内でつながらせることができた。ところが、この場合、図５（ｂ）に位置と膜厚との関係図として示すように、配線としてはつながっているものの、液滴が着弾したところは厚く、つながっているところは薄くなって、膜厚が不均一になってしまう。そこで、このような場合でも、図６（ａ）に示すように、２回目のスキャン動作で液状体３２ａ、３２ａの略中間部に液状体３２ｂを塗布することで、図６（ｂ）に示すように、膜厚が均一な配線パターンを得ることができた。
【００５２】
（第２実施形態）
第２実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図７は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図８は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図９は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１０は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００５３】
図７及び図８において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００５４】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００５５】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００５６】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図９に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００５７】
画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図８に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００５８】
図１０は、ボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐ上には、バンク６７、６７が突設されており、バンク６７、６７間の溝６８内には上記第１実施形態の配線パターン形成方法によりゲート配線６１が形成されている。なお、本実施の形態では、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約３５０℃まで加熱されるため、その温度に耐えられる材料として無機質のバンク６７を用いている。
【００５９】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【００６０】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【００６１】
なお、図１１に示すように、ゲート絶縁膜６２に凹部を設けて、この凹部内にゲート絶縁膜６２の表面と略面一に半導体層６３を形成し、その上に接合層６４ａ、６４ｂ、画素電極１９、エッチストップ膜６５を形成することもできる。この場合、バンク６６間の溝底部をフラットにすることで、これら各層及びソース線、ドレイン線を断面的に屈曲させないで、平坦性に優れ高特性のＴＦＴとすることができる。
このように、本実施形態では、高品質で薄型、高集積化が可能な液晶表示装置１００を得ることができる。
上記構成のＴＦＴでは、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、例えば銀化合物の液滴を吐出することでゲート線、ソース線、ドレイン線等を形成することができるため、所望の特性が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の液晶表示装置を得ることができる。
【００６２】
（第３実施形態）
上記実施の形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。
本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものであり、所望の特性が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の有機ＥＬデバイスを得ることができる。
【００６３】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態として、本発明の電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について説明する。
図１２は、本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
【００６４】
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。
【００６５】
また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６６】
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００６７】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、上述した配線パターン形成方法に基づいて形成されているため、所望の特性が実現され、短絡等の不良が生じない高品質のプラズマ型表示装置を得ることができる。
【００６８】
（第５実施形態）
続いて、第５実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図１３に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【００６９】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。
本実施形態の非接触型カード媒体によれば、所望の特性が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の非接触型カード媒体を得ることができる。
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００７０】
（第６実施形態）
第６実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１４（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１４（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１４（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００７２】
例えば、上記実施の形態では２回のスキャン動作で配線パターンを形成する構成としたが、３回以上のスキャン動作で配線パターンを形成してもよい。
また、上記実施の形態では、溝３１の幅が液滴の直径Ｄよりも小さい例を用いて説明したが、これに限られることなく、例えば溝幅と液滴径とが略同一の場合や、溝幅が液滴径よりも大きい場合であっても適用可能である。
さらに、上記実施形態では、バンクに撥液性を付与するためにプラズマ処理を行ったが、上述したように、フッ素またはフッ素化合物を含有する材料にてバンクを形成する構成としてもよい。また、プラズマ処理以外の処理を行う構成とすることもできる。
また、上記実施の形態では、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる機能液を用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えばパターン形成後に加熱（熱処理）または光照射（光処理）により導電性を発現させる材料を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図２】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図３】配線パターン形成する手順を示す図である。
【図４】吐出された液状体を説明するための図である。
【図５】吐出された液状体を説明するための図である。
【図６】吐出された液状体を説明するための図である。
【図７】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図８】図７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図９】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１０】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１１】別形態の液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１２】プラズマ型表示装置の分解斜視図である。
【図１３】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図１４】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
Ｂ、６７ バンク、Ｐ 基板、３１、６８ 溝、３２ 液滴、３２ａ〜３２ｃ液状体（機能液）、３３ 配線パターン（薄膜パターン）、１００ 液晶表示装置（電気光学装置）、４００ 非接触型カード媒体（電子機器）、５００ プラズマ型表示装置（電気光学装置）、６００ 携帯電話本体（電子機器）、７００ 情報処理装置（電子機器）、８００ 時計本体（電子機器）

Claims (11)

1. バンク間に形成された溝内に機能液の液滴を吐出して薄膜パターンを形成する方法であって、
   前記溝内に間隔をあけて前記液滴を複数吐出する第１吐出工程と、
   前記第１吐出工程とは吐出位置をずらせて前記溝内に前記液滴を吐出する第２吐出工程とを有することを特徴とする薄膜パターン形成方法。
2. 請求項１記載の薄膜パターン形成方法において、
   前記第２吐出工程では、前記第１吐出工程で吐出された隣り合う液滴同士の略中間部に吐出することを特徴とする薄膜パターン形成方法。
3. 請求項１または２記載の薄膜パターン形成方法において、
   前記第１吐出工程では、隣り合う液滴同士がつながらない間隔で前記液滴を吐出することを特徴とする薄膜パターン形成方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
   前記バンクに前記溝よりも高い撥液性を付与することを特徴とする薄膜パターン形成方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
   前記機能液には、導電性微粒子が含まれることを特徴とする薄膜パターン形成方法。
6. 請求項１から４のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
   前記機能液には、熱処理または光処理により導電性を発現する材料が含まれることを特徴とする薄膜パターン形成方法。
7. 基板に薄膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、
   請求項１から６のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法により、前記基板に前記薄膜パターンを形成することを特徴とするデバイス製造方法。
8. 請求項７記載のデバイス製造方法において、
   前記薄膜パターンは、前記基板上に設けられたスイッチング素子の一部を構成することを特徴とするデバイス製造方法。
9. 基板に薄膜パターンが形成されてなるデバイスであって、
   請求項１から６のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法により、前記薄膜パターンが形成されていることを特徴とするデバイス。
10. 請求項９記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１０記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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