JP4400290B2 - 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、前記基板上に所定のパターンを有するバンクを形成する工程と、前記バンク間の溝に、多孔体からなる受容膜を設ける工程と、前記受容膜上に前記機能液を配置する工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、第2機能液を溝に配置して所定の処理を行うことで、溝内に受容膜を円滑に形成することができる。
本発明によれば、所定条件のもとで第2機能液に対して熱処理を施すことで、受容膜を良好に形成することができる。
本発明によれば、簡単なプロセスで且つ材料の使用量を抑えて第2機能液を配置することができる。
本発明によれば、第1の溝に第2機能液を配置することで、その第1の溝に配置された第2機能液の自己流動(毛管現象)によって第2機能液を第2の溝に配置することができる。したがって、第2の溝にバンク上より第2機能液を配置し難い状況であっても、第2機能液を第2の溝に円滑に配置することができる。また、バンク上より第2機能液を配置しなくても第2の溝に第2機能液を配置できるので、バンク上面に第2機能液の残渣を存在させる不都合を防止することができる。
本発明によれば、狭い幅の第2の溝に対してバンク上より第2機能液を配置しなくても、広い幅の第1の溝に第2機能液を配置することで、第2の溝に第2機能液を円滑に配置することができる。また、第1の溝に対してバンク上より第2機能液を配置しても、この第1の溝は広い幅を有しているので、バンク上面に第2機能液がかかって残渣が設けられる不都合を回避できる。また、第2の溝の幅は狭いので、第2機能液は毛管現象によって第2の溝に円滑に配置される。そして、狭い幅の第2の溝に第2機能液を円滑に配置できるので、膜パターンの細線化(微細化)を実現することができる。
本発明によれば、第1の溝に第2機能液を配置することで、その第1の溝に対して延在方向が異なる第2の溝に自己流動によって第2機能液を配置することができる。
本発明によれば、受容膜が設けられた第1の溝に機能液を配置することで、その第1の溝に配置された機能液の自己流動(毛管現象)によって機能液を第2の溝に配置することができる。したがって、第2の溝にバンク上より機能液を配置し難い状況であっても、機能液を第2の溝に円滑に配置することができる。また、バンク上より機能液を配置しなくても第2の溝に機能液を配置できるので、バンク上面に機能液の残渣を存在させる不都合を防止することができる。また、狭い幅の第2の溝に対してバンク上より機能液を配置しなくても、広い幅の第1の溝に機能液を配置することで、第2の溝に機能液を円滑に配置することができる。また、第1の溝に対してバンク上より機能液を配置しても、この第1の溝は広い幅を有しているので、バンク上面に機能液がかかって残渣が設けられる不都合を回避できる。また、第2の溝の幅は狭いので、機能液は毛管現象によって第2の溝に円滑に配置される。そして、第1及び第2の溝には受容膜が設けられているため、機能液は受容膜に吸収されて良好に保持される。したがって、所望の形状を有する膜パターンを形成することができる。そして、狭い幅の第2の溝に機能液を円滑に配置できるので、膜パターンの細線化(微細化)を実現することができる。
本発明によれば、膜パターンを導線性を有する配線パターンとすることができ、各種デバイスに応用することができる。また、導電性微粒子等の他に有機EL等の発光素子形成材料やR・G・Bのインク材料を用いることで、有機EL装置やカラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用することができる。
本発明によれば、受容膜を形成するための第2機能液と膜パターンを形成するための機能液とを同じ液(組成、物性)で構成することで、第2機能液に基づく受容膜(多孔体)に機能液を吸収させることができ、緻密性の高い膜パターンを形成することができる。なお、ここでいう同じ液(組成、物性)とは、機能液より変換された膜パターンの機能(組成、物性)と第2機能液より変換された第2膜パターンの機能(組成、物性)とが同じ機能であることを含む。したがって、機能液に含まれる液体成分(溶媒)と第2機能液に含まれる液体成分(溶媒)とは同じ溶媒であってもよいし、異なる溶媒であってもよい。
本発明によれば、機能液の種類(組成、物性)に応じて、機能液に対する良好な受容性を有する第2機能液の種類(組成、物性)を適宜選択することができる。また、機能液及び第2機能液のそれぞれを適宜選択し、形成される膜パターンに機能液及び第2機能液それぞれの機能を持たせたり、形成される膜パターンの機能を制御(調整)することができるなど、様々な機能を有する膜パターンを形成することができる。なお、機能液に含まれる液体成分(溶媒)と第2機能液に含まれる液体成分(溶媒)とは同じ溶媒であってもよいし、異なる溶媒であってもよい。
本発明によれば、簡単なプロセスで且つ材料の使用量を抑えて機能液を配置することができる。
本発明によれば、第2機能液を変換して第1及び第2の溝に受容膜を設けることで、受容膜上に配置された第1機能液は受容膜に吸収され、良好に保持される。したがって、第1機能液をバンク間の溝に良好に配置でき、所望形状を有する膜パターンを形成できる。また、第1機能液を溝内に配置するときにその第1機能液の一部がバンク上面にかかった場合でも、受容膜が第1機能液を吸収することでバンク上面にかかった第1機能液を溝内に引き込むことができる。したがって、バンク上面に第1機能液の残渣を存在させる不都合を防止でき、残渣に起因するデバイス特性の劣化を防止できる。
本発明によれば、堤防部を設けたことにより、第1の溝のうち接続部と堤防部との間に配置された第2機能液(もしくは第1機能液)は、接続部側に流れる。したがって、第2機能液(もしくは第1機能液)は、その接続部を介して第2の溝に円滑に流れ込む。
本発明によれば、狭い幅の第2の溝に対してバンク上より機能液を配置しなくても、広い幅の第1の溝に機能液を配置することで、第2の溝に機能液を円滑に配置することができる。また、第1の溝に対してバンク上より機能液を配置しても、この第1の溝は広い幅を有しているので、バンク上面に機能液がかかって残渣が設けられる不都合を回避できる。また、第2の溝の幅は狭いので、機能液は毛管現象によって第2の溝に円滑に配置される。そして、狭い幅の第2の溝に機能液を円滑に配置できるので、膜パターンの細線化(微細化)を実現することができる。
本発明によれば、第1の溝に第2機能液を配置することで、その第1の溝に対して延在方向が異なる第2の溝に自己流動によって第2機能液を配置することができる。
本発明によれば、所望のパターン形状を有し、緻密性の高い膜パターンを有するデバイスを得ることができる。
まず、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出(滴下)することによりデバイスを製造する液滴吐出装置(インクジェット装置)が用いられる。
図1において、液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド1と、X軸方向駆動軸4と、Y軸方向ガイド軸5と、制御装置CONTと、ステージ7と、クリーニング機構8と、基台9と、ヒータ15とを備えている。
帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。
また、加圧振動方式は、材料に30kg/cm2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。
また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される機能液の一滴の量は例えば1〜300ナノグラムである。
図2において、機能液を収容する液体室21に隣接してピエゾ素子22が設置されている。液体室21には、機能液を収容する材料タンクを含む機能液供給系23を介して機能液が供給される。ピエゾ素子22は駆動回路24に接続されており、この駆動回路24を介してピエゾ素子22に電圧を印加し、ピエゾ素子22を変形させることにより、液体室21が変形し、吐出ノズル25から機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子22の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子22の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
次に、配線パターン形成用の機能液について説明する。
配線パターンを形成するための機能液としては、導電性微粒子を分散媒に分散した分散液、有機銀化合物、または酸化銀ナノ粒子等を溶媒(分散媒)に分散した溶液を用いることができる。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか1つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などを用いることができる。これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は1nm以上0.1μm以下であることが好ましい。0.1μmより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、1nmより小さいと導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
次に、本発明の配線パターンの形成方法の第1実施形態について図3、図4及び図5を参照しながら説明する。図3は本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図4及び図5は形成手順を示す模式図である。
まず、有機材料塗布前に表面改質処理として、基板Pに対してHMDS処理が施される。HMDS処理は、ヘキサメチルジシラサン((CH3)3SiNHSi(CH3)3)を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、図4(a)に示すように、バンクと基板Pとの密着性を向上する密着層としてのHMDS層32が基板P上に形成される。
基板P上にバンクB、Bが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば2.5%フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクB、B間のHMDS層32を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクB、Bがマスクとして機能し、バンクB、B間に形成された溝部34の底部35にある有機物であるHMDS層32が除去される。これにより残渣であるHMDSが除去される。
続いて、バンクBに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4プラズマ処理法)を採用することができる。CF4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが50〜1000W、4フッ化炭素ガス流量が50〜100mL/min、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が0.5〜1020mm/sec、基体温度が70〜90℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
次に、液滴吐出装置IJによる液滴吐出法を用いて、受容膜を形成するための機能液LQ1の液滴が基板P上のバンクB、B間の溝部34に配置される。第1材料配置工程では、図4(c)に示すように、液滴吐出ヘッド1から機能液LQ1を液滴にして吐出する。
基板P上の溝部34に機能液LQ1の液滴を配置した後、液体成分である分散媒の除去、及び受容膜の形成のため、所定条件下で乾燥処理(熱処理)を行う。乾燥処理は、例えば基板Pを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。本実施形態では、例えば180℃加熱を60分間程度行う。乾燥処理する雰囲気は大気中であっても大気中でなくてもよい。例えば窒素(N2)雰囲気下で行ってもよい。あるいは、ランプアニールによる光照射処理によって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W以上5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では100W以上1000W以下の範囲で十分である。
基板P上の機能液LQに対して所定条件で乾燥処理を行って受容膜36を形成した後、図5(b)に示すように、溝部34に設けられた受容膜36上に次の機能液LQ2の液滴が配置される。図5(c)に示すように、液滴吐出ヘッド1より吐出された機能液LQ2の液滴は、多孔体からなる受容膜36の空隙部に染み込み、受容膜36に吸収されて保持される。このように、先に基板P上に設けられた受容膜36を多孔体とすることで、次に配置する機能液LQ2の液滴第2の液滴は、前記多孔体からなる受容膜36に吸収されてバンクB、B間に良好に配置される。
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理あるいは光処理が施される。
受容膜36を形成するために、導電性微粒子を含む機能液LQ1を液滴吐出法に基づいて溝部34に配置し、その後、複数の乾燥条件の下で溝部34の機能液LQ1を乾燥し、乾燥条件の最適化を行った。乾燥条件としては、(1)自然放置24時間程度、(2)60℃加熱5分間程度、(3)120℃加熱5分間程度、(4)180℃加熱60分間程度、(5)200℃加熱60分間程度、(6)250℃加熱60分間程度とした。
図7において、上記条件(1)〜(4)で形成した受容膜36上に機能液LQ2を配置したとき、受容膜36にクラックが発生した。また、各条件(1)〜(6)で形成した受容膜36上に機能液LQ2を配置したときの、液体LQ2に対する受容膜36の濡れ性は、条件(3)の場合が最も良好であり、以下、条件(4)、(2)、(1)、(5)の順で劣化し、条件(6)の場合が最も劣化していた。また、各条件(1)〜(6)で形成した受容膜36上に機能液LQ2を配置したときの、液体LQ2に対する受容膜36の吸収性は、条件(3)の場合が最も良好であり、以下、条件(4)、(2)、(1)、(5)の順で劣化し、条件(6)の場合が最も劣化していた。なお、図7(b)の縦軸である「液滴延び」は、受容膜36上に機能液LQ2の液滴を所定径で配置したときの濡れ拡がり量を示しており、受容膜36の吸収性が高いほど、液滴延びの値は低くなっている。本実験結果より、クラックが発生しない条件等を考慮して、条件(4)が最適な乾燥条件であると判断することができる。
受容膜36を形成するための材料として多孔質シリカを用いた。また、配線パターン33を形成するための材料として有機銀化合物を用いた。多孔質シリカを含む機能液の液滴を液滴吐出ヘッド1より溝部34に吐出した後、300℃加熱60分間程度の熱処理を行った。なお、多孔質シリカを含む機能液の液滴を吐出するときの吐出条件は、液滴量4pL、液滴飛翔速度5〜7m/secとした。これにより、溝部34に多孔質シリカからなる受容膜36が形成された。そして、その受容膜36の上に、上記有機銀化合物を含む機能液の液滴を液滴吐出ヘッド1より吐出した後、200℃加熱60分間程度の熱処理を行った。これにより、溝部34内に配線パターン33を形成することができた。
次に、本発明の配線パターンの形成方法の第2実施形態について図8を参照しながら説明する。図8は本実施形態に係る配線パターンの形成方法を説明するための模式図である。ここで、以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
本発明の配線パターンの形成方法は、図19に示すようなスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)及びそれに接続する配線を形成するときに適用可能である。図19において、TFTを有するTFT基板P上には、ゲート配線40と、このゲート配線40に電気的に接続するゲート電極41と、ソース配線42と、このソース配線42に電気的に接続するソース電極43と、ドレイン電極44と、ドレイン電極44に電気的に接続する画素電極45とを備えている。ゲート配線40はX軸方向に延びるように形成され、ゲート電極41はY軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極41の幅H2はゲート配線40の幅H1よりも狭くなっている。これらゲート配線40及びゲート電極41を、本発明に係る配線パターンの形成方法で形成することができる。
本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図24は本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図25は図24のH−H’線に沿う断面図である。図26は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図27は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図28において、有機EL装置401は、基板411、回路素子部421、画素電極431、バンク部441、発光素子451、陰極461(対向電極)、および封止基板471から構成された有機EL素子402に、フレキシブル基板(図示略)の配線および駆動IC(図示略)を接続したものである。回路素子部421は、アクティブ素子であるTFT60が基板411上に形成され、複数の画素電極431が回路素子部421上に整列して構成されたものである。そして、TFT60を構成するゲート配線61が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
図29は、本実施形態のプラズマ型表示装置500の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置500は、互いに対向して配置された基板501、502、及びこれらの間に形成される放電表示部510を含んで構成される。
放電表示部510は、複数の放電室516が集合されたものである。複数の放電室516のうち、赤色放電室516(R)、緑色放電室516(G)、青色放電室516(B)の3つの放電室516が対になって1画素を構成するように配置されている。
また、隔壁515によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体517が配置されている。蛍光体517は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室516(R)の底部には赤色蛍光体517(R)が、緑色放電室516(G)の底部には緑色蛍光体517(G)が、青色放電室516(B)の底部には青色蛍光体517(B)が各々配置されている。
基板501と基板502とは、前記アドレス電極511…と表示電極512…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極511と表示電極512は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部510において蛍光体517が励起発光し、カラー表示が可能となる。
図30に示す液晶表示装置(電気光学装置)901は、大別するとカラーの液晶パネル(電気光学パネル)902と、液晶パネル902に接続される回路基板903とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル902に付設されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
本発明の電子機器の具体例について説明する。
図32(a)は携帯電話の一例を示した斜視図である。図32(a)において、1600は携帯電話本体を示し、1601は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図32(b)はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図32(b)において、1700は情報処理装置、1701はキーボードなどの入力部、1703は情報処理本体、1702は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図32(c)は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図32(c)において、1800は時計本体を示し、1801は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図32(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであり、所望の膜厚を有する配線パターンを有している。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
Claims (11)
- 第1機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に、第1の溝、及び溝の幅が前記第1の溝の幅よりも小さく、前記第1の溝に接続する第2の溝が形成されるように、所定のパターンを有するバンクを形成する工程と、
前記バンクの表面に撥液性を付与する工程と、
前記撥液性が付与された前記バンクによって形成された前記第1の溝に、液滴吐出ヘッドから吐出された第2機能液を配置するとともに、前記第2の溝に前記第1の溝に配置された前記第2の機能液の自己流動によって前記第2機能液を配置する工程と、
前記第1の溝及び前記第2の溝に配置された前記第2機能液に対して熱処理を行い、前記第2機能液を多孔体に変換して、前記第1の溝及び前記第2の溝に、前記多孔体からなる受容膜を設ける工程と、
前記第1の溝及び前記第2の溝に設けられた前記受容膜上に、液滴吐出ヘッドから吐出された前記第1機能液を配置する工程と、
前記受容膜上に配置された前記第1機能液に対して熱処理又は光処理を行い、分散媒を除去する工程と、を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。 - 前記第1の溝と前記第2の溝とは異なる幅であることを特徴とする請求項1記載の膜パターンの形成方法。
- 前記第2の溝の幅は前記第1の溝の幅以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の膜パターンの形成方法。
- 前記第1の溝と前記第2の溝とは互いに異なる方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
- 前記第1機能液には導電性微粒子が含まれることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
- 前記第1機能液には熱処理又は光処理により導電性を発現する材料が含まれることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
- 前記第1機能液及び前記第2機能液は同じ液であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
- 前記第1機能液及び前記第2機能液は互いに異なる液であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
- 前記第1の溝のうち該第1の溝と前記第2の溝とが接続する接続部以外の位置に堤防部を設け、前記接続部と前記堤防部との間に前記第2機能液を配置することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法。
- 基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、
請求項1〜請求項9のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。 - アクティブマトリクス基板の製造方法において、
基板上にゲート配線を形成する第1の工程と、
前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第3の工程と、
前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第4の工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第5の工程と、
前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する第6の工程と、を有し、
前記第1の工程及び前記第4の工程及び前記第6の工程の少なくとも一つの工程は、
前記基板上に、第1の溝、及び溝の幅が前記第1の溝の幅よりも小さく、前記第1の溝に接続する第2の溝が形成されるように、所定のパターンを有するバンクを形成する工程と、
前記バンクの表面に撥液性を付与する工程と、
前記撥液性が付与された前記バンクによって形成された第1の溝に、液滴吐出ヘッドから吐出された第2機能液を配置するとともに、前記第2の溝に前記第1の溝に配置された前記第2機能液の自己流動によって前記第2機能液を配置する工程と、
前記第1の溝及び前記第2の溝に配置された前記第2機能液に対して熱処理を行い、前記第2機能液を多孔体に変換して、前記第1の溝及び前記第2の溝に、前記多孔体からなる受容膜を設ける工程と、
前記第1の溝及び前記第2の溝に設けられた前記受容膜上に、液滴吐出ヘッドから吐出された第1機能液を配置する工程と、
前記受容膜上に配置された前記第1機能液に対して熱処理又は光処理を行い、分散媒を除去する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
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