JP2005013986A - デバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 膜厚ムラを生じさせず、電気特性の不均一性を解消する。
【解決手段】 基板Ｐ上の所定のパターン形成領域ＰＩにバンクが形成され、バンク間の溝内に液滴吐出により導電性膜ＥＰが形成される。基板Ｐ上の所定のパターン形成領域ＰＩの外側に液滴を吐出して、導電性膜ＥＰと電気的に分離された第２導電性膜ＤＰを配線する工程を有する
【選択図】 図３

Description

本発明は、デバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関するものである。

従来より、半導体集積回路などの微細な配線パターンの製造方法としては、フォトリソグラフィー法が多用されている。一方、特許文献１、特許文献２などには、液滴吐出方式を用いた方法が開示されている。これら公報に開示されている技術は、パターン形成用材料を含んだ機能液を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置（塗布）して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であるなど大変有効であるとされている。

ところで、近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例えば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。
しかしながら、このような微細な配線パターンを前記の液滴吐出方式による方法によって形成しようとした場合、特にその配線幅の精度を十分にだすのが難しい。そこで、特許文献３及び特許文献４には、基板上に仕切部材であるバンクを設けるとともに、バンクの上部を撥液性にし、それ以外の部分が親液性となるように表面処理を施す技術が記載されている。
この技術を用いることにより、細線であっても配線パターンの幅をバンク間の幅で規定して細線を形成することができる。
特開平１１−２７４６７１号公報 特開２０００−２１６３３０号公報 特開平９−２０３８０３号公報 特開平９−２３０１２９号公報

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
液滴吐出方式によるインク塗布は、直径がμｍオーダの液滴を高解像度で吐出、塗布することが可能である。ところが、基板上に塗布された微小液体の乾燥は極めて速く、さらに、基板上の塗布領域における端（上端、下端、右端、左端）では、微小液体から蒸発した溶媒分子分圧（溶媒蒸気濃度）が低いため、一般的に速く乾きはじめる。
このように基板上に塗布された液状体の乾燥時間の差は、導電膜配線の膜厚ムラを引き起こす。そして、この膜厚ムラは、導電性等、電気特性の不均一という不具合を招いてしまう。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、膜厚ムラを生じさせず、電気特性の不均一性を解消できるデバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のデバイスは、基板上にバンクが形成され、前記バンク間の溝内の所定のパターン形成領域に液滴吐出により導電性膜が形成されたデバイスであって、前記基板上の前記パターン形成領域の外側に、前記導電性膜と電気的に分離された第２導電性膜が液滴吐出により形成されていることを特徴とするものである。

従って、本発明のデバイスでは、乾燥が速い基板端部においてダミー配線としての第２導電性膜の乾燥が進むものの、実際に配線として用いる配線パターン領域においては第２導電性膜の存在により溶媒蒸気濃度（雰囲気）が均一になり、導電性膜の乾燥、焼成雰囲気を均一にして膜厚を一定にすることが可能になる。そのため、本発明では、膜厚ムラ等に起因する導電性等、電気特性の不均一性を解消することができる。
また、吐出する液滴としては、金属微粒子を含むものを採用することができる。第２導電性膜を単にダミー配線として用いる以外にも、接続端子として用いる構成も好適である。
さらに、液滴としては、加熱または光照射により導電性を発現する材料を含むものを選択することも可能である。

第２導電性膜としては、前記パターン形成領域の外側に形成された第２バンクの間の溝内に形成する構成も採用可能である。
前記バンクと前記第２バンクとの少なくとも一方は、それぞれの間の溝よりも高い撥液性を有することが好ましい。
これにより本発明では、吐出された液滴の一部がバンク上にのっても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクからはじかれ、バンク間の溝に流れ落ちやすくなる。

第２導電性膜としては、前記導電性膜と同一の材料で形成されていることが好ましい。これにより本発明では、液状体を交換することなく連続的に吐出することができるため、液状体交換に伴う作業を省くことが可能になり生産効率を向上させることができる。
また、第２導電性膜としては、前記導電性膜と略同一の配列（配列諸元）で、且つ連続的に形成されることが好ましい。例えば、配列ピッチ、配線幅等の配線諸元を導電性膜と同一とし、また、導電性膜と連続的に配列することで、液滴吐出時のドットパターン（ビットマップ）等を個別に作成する必要がなくなり作業性を向上させることができる。

導電性膜が互いに異なる複数のピッチで配列された場合には、第２導電性膜が前記複数のピッチを平均したピッチで配列される構成も好適である。
この場合、導電性膜間で溶媒蒸気濃度差が不均一になることを防止することができる。
また、第２導電性膜は、前記導電性膜の長さ方向について該導電性膜の両端よりもそれぞれ突出する長さで形成される構成も好適である。
この場合、導電性膜の長さ方向に関しても、導電性膜の乾燥の不均一性を緩和して膜厚を一定にすることが可能になる。

そして、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを備えることを特徴としている。
これにより本発明では、均一な膜厚で配線パターンが形成されるため、配線の膜厚ムラ等に起因する電気特性の不均一性が解消された高品質の電気光学装置を得ることができる。

また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これにより本発明では、均一な膜厚で配線パターンが形成されるため、配線の膜厚ムラ等に起因する電気特性の不均一性が解消された高品質の電子機器を得ることができる。

一方、本発明のデバイス製造方法は、基板上のパターン形成領域にバンクが形成され、前記バンク間の溝内に液滴吐出により導電性膜が配線されたデバイスの製造方法であって、前記基板上の前記パターン形成領域の外側に液滴を吐出して、前記導電性膜と電気的に分離された第２導電性膜を形成する工程を有することを特徴としている。
これにより本発明では、乾燥が速い基板端部においてダミー配線としての第２導電性膜の乾燥が進むものの、実際に配線として用いる配線パターン領域においては第２導電性膜の存在により溶媒蒸気濃度（雰囲気）が均一になり、導電性膜の乾燥、焼成雰囲気を均一にして膜厚を一定にすることが可能になる。そのため、本発明では、膜厚ムラ等に起因する導電性等、電気特性の不均一性を解消することができる。

また、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、前記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、前記第１の工程及び前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも一つの工程では、上記のデバイス製造方法を用いることを特徴とする。
本発明によれば、ゲート配線、ソース電極及びドレイン電極、画素電極に、膜厚ムラ等に起因する導電性等、電気特性の不均一性が解消され、細線の薄膜パターンが形成された薄型のアクティブマトリクス基板を得ることが可能になる。

以下、本発明のデバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器の実施の形態を、図１ないし図２０を参照して説明する。
（第１実施形態）
本実施の形態では、液滴吐出法によって液体吐出ヘッドのノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（薄膜パターン）用インク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に導電性膜で形成された配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。

この配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散媒）に分散させた溶液からなるものである。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。

配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。

ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。

次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。

図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。

液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。

Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。

制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。

図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を所定の駆動波形で変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。

次に、本発明の配線パターン形成方法（薄膜パターン形成方法）の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図３乃至図７を参照して説明する。
本実施の形態では、図３（ａ）に示すように、基板Ｐ上の略中央部に位置する配線パターン領域（パターン形成領域）ＰＩに電極パターン（導電性膜）ＥＰを形成し、配線パターン領域ＰＩの外側（周囲）のダミー領域ＰＯに電極パターンＥＰとは電気的に分離して配線されるダミーパターン（第２導電性膜）ＤＰを形成する。
電極パターンＥＰは、ここではライン幅１２０μｍ、ラインスペース２４０μｍの配列ピッチ３６０μｍで配線される。ダミーパターンＤＰは、電極パターンＥＰと同一の材料で形成され、電極パターンＥＰと同一の配列（ライン幅１２０μｍ、ラインスペース２４０μｍの配列ピッチ３６０μｍ）で、且つ連続的に配列されるように、配線パターン領域ＰＩとダミー領域ＰＯとの境界で隣り合う電極パターンＥＰとのラインスペースも２４０μｍで配線される。

本実施形態に係る配線パターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板Ｐ上に配置し、その基板Ｐ上に配線用の導電膜パターン（電極パターンＥＰ及びダミーパターンＤＰ）を形成するものであり、バンク形成工程、残渣処理工程、撥液化処理工程、材料配置工程及び中間乾燥工程、焼成工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。

（バンク形成工程）
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせて有機系感光性材料を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（電極パターンＥＰ及びダミーパターンＤＰ）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。
また、下層が無機物または有機物で機能液に対し親液性を示す材料で、上層が有機物で撥液性を示す材料で構成された２層以上でバンク（凸部）を形成してもよい。

これにより、図４（ａ）に示されるように、配線パターン領域ＰＩにおける電極パターンＥＰを形成すべき領域である溝３１を囲むように例えば１０μｍ幅でバンクＢ、Ｂが突設される。なお、ダミー領域ＰＯにおいても、ダミーパターンＤＰを形成すべき溝の外側にはバンク（第２バンク）Ｂ２、Ｂ２が形成されるが、断面形状については双方とも同一であるので、図４においては、電極パターンＥＰ及びダミーパターンＤＰの双方を図示するものとする。
なお、基板Ｐに対しては、有機材料塗布前に表面改質処理として、ＨＭＤＳ処理（(ＣＨ_３)_３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ_３)_３を蒸気状にして塗布する方法）が施されているが、図４ではその図示を省略している。

バンクを形成する有機材料としては、液体材料に対してもともと撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。

（残渣処理工程（親液化処理工程））
次に、バンク間におけるバンク形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ_２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ_２プラズマ処理を実施する。

具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ_２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。

なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ_２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、溝３１の親液性を高めることができる。本実施の形態では、配線パターン形成材料として用いる有機銀化合物（後述）に対する溝３１の接触角が１０°以下となるようにプラズマ処理条件を調整した（例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする）。

（撥液化処理工程）
続いて、バンクＢ、Ｂ２に対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ_４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ_４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。本実施の形態では、配線パターン形成材料として用いる有機銀化合物に対するバンクＢの接触角が６０°以上になるようにプラズマ処理条件を調整した（例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする）。

このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂ２にはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、溝部３１に対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ_２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ_２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢ、Ｂ２を形成した後にＯ_２プラズマ処理することが好ましい。

なお、バンクＢ、Ｂ２に対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。
これらバンク形成工程、残渣処理工程及び撥液化処理工程により、薄膜パターニング用基板が形成される。

（材料配置工程及び中間乾燥工程）
次に、液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料を基板Ｐ上の溝３１に塗布する。なお、ここでは、導電性微粒子として銀を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いたインク（分散液）を吐出するものとして説明する。

すなわち、材料配置工程では、図示しないフラッシング領域に対して予備吐出を行った後に、バンク間の溝に液滴を吐出することにより、ダミー領域ＰＯ（例えば図３（ａ）中、左側のダミー領域）におけるダミーパターンＤＰ、配線パターン領域ＰＩにおける電極パターンＥＰ、ダミー領域ＰＯ（例えば図３（ａ）中、右側のダミー領域）におけるダミーパターンＤＰを順次形成する。
これを詳述すると、上述した液滴吐出装置ＩＪの液滴吐出ヘッド１と基板Ｐとを相対移動させながら、図４（ｂ）に示すように、液体吐出ヘッド１から配線パターン形成材料を含む液体材料を液滴３２として吐出し、その液滴３２を基板Ｐ上の溝３１に配置する。具体的には、溝３１の長さ方向（配線パターンの形成方向）に沿って、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐとを相対移動させつつ、所定のピッチで液滴３２を複数吐出することで、後述するように線状の配線パターンを形成する。
なお、本例では、液滴３２の直径ＤがバンクＢ、Ｂ２による溝部３１の幅Ｗ（本例では溝部３１の開口部における幅）より大きいものとする。

ここで、液滴吐出装置ＩＪの制御装置ＣＯＮＴは、図５に示すように、基板Ｐ上に格子状の複数のビット（単位格子）からなるビットマップを設定し、基板Ｐ上に設定したビットマップに基づいて、基板Ｐに対してＸ軸方向に走査しつつ、ビットマップにおける複数のビットのうち、所定のビット（電極パターン３１及びダミーパターン３２を形成するビット）に対する液滴の吐出動作を行うことで、基板Ｐ上には電極パターンＥＰ及びダミーパターンＤＰが同じ工程内で連続的に形成される。

このとき、液滴３２を液滴吐出ヘッド１から吐出し、溝部３１内に液状体を配すと、バンクＢ、Ｂ２の表面が撥液性となっておりしかもテーパ状になっていることから、これらバンクＢ、Ｂ２上にのった液滴３２部分がバンクＢ、Ｂ２からはじかれ、さらには溝３１の毛細管現象によって該溝３１内に流れ落ちる。
ところが、液滴３２はその直径Ｄが溝部３１の幅Ｗより大きいことから、図６（ａ）に示す（図４（ｃ）中二点鎖線で示す）ように、吐出された液状体（符号３２ａで示す）の一部が溢れてバンクＢ、Ｂ２上に残ることがある。

そして、続いてピッチＬ離れた溝３１内の位置に液滴３２を吐出するが、この吐出ピッチＬは溝３１内に吐出された液状体（液滴）が塗れ拡がったときに、ピッチＬ離間して吐出された隣り合う液状体とつながる大きさに設定されており、予め実験等により求められているものである。
すなわち、図６（ｂ）に示されるように、液状体３２ａに対して距離Ｌ離間して吐出された液状体（符号３２ｂで示す）は、塗れ拡がることで、先に吐出された液状体３２ａとつながる。このとき、液状体３２ｂにおいても、その一部が溢れてバンクＢ、Ｂ２上に残る可能性があるが、液状体３２ａ、３２ｂがつながったときに接触部が引き合うことにより、バンクＢ、Ｂ２に残った液状体が図中矢印で示すように、溝３１内に引き込まれる。その結果、図４（ｃ）及び図６（ｃ）に符号３２ｃで示すように、液状体はバンクＢ、Ｂ２に溢れることなく溝３１内に入り込んで線状に形成される。

また、溝３１内に吐出され、あるいはバンクＢ、Ｂ２から流れ落ちた液状体３２ａ、３２ｂは、基板Ｐが親液処理されていることからより広がり易くなっており、これによって液状体３２ａ、３２ｂはより均一に溝３１内を埋め込むようになる。したがって、溝３１の幅Ｗが液滴３２の直径Ｄより狭い（小さい）にもかかわらず、溝３１内に向けて吐出された液滴３２（液状体３２ａ、３２ｂ）は、バンクＢ、Ｂ２上に残留することなく、溝３１内に良好に入り込んでこれを均一に埋め込むようになる。

（中間乾燥工程）
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理（中間乾燥）をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。本実施形態では、例えば１８０℃加熱を６０分間程度行う。この加熱はＮ_２雰囲気下など、必ずしも大気中で行う必要はない。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行なうこともできる。
ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、配線パターンを所望の膜厚に形成することができる。

（焼成工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。

熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
たとえば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換されることで、図４（ｄ）に示すように、線状に連続した膜としての導電性パターン、すなわち電極パターンＥＰ（またはダミーパターンＤＰ）を得る。

ここで、熱処理時における基板上のパターンの位置と溶媒蒸気圧濃度との関係を図７に示す。
この図に示すように、ダミーパターンＤＰが配線された基板の端部においては、パターン（機能液）から蒸発した溶媒蒸気濃度が低く、乾燥が速く進行するのに対して、電極パターンＥＰが配線された基板内側においては、ダミーパターンＤＰの存在により溶媒蒸気濃度が外側に比較して高い値で一定となっている。すなわち、焼成状態が不良となる虞のある領域（分散媒除去、コーティング剤の均一除去）が配線パターン領域ＰＩの外側のダミー領域ＰＯとなり、表示に使用される領域に配線された電極パターンＥＰは良好な焼成状態となる。
以上説明した一連の工程により、基板上に線状の導電膜パターン（導電膜配線）が形成される。

このように、本実施の形態では、液滴吐出により配線パターン領域ＰＩの外側にダミーパターンＤＰを配線したので、乾燥・焼成時に溶媒蒸気濃度の分布が生じても、電極パターンＥＰに関しては良好な焼成状態を容易に得ることができ、膜厚ムラの発生を抑制することが可能になる。そのため、従来では、重ね塗りされた導電膜パターン同士が乾燥状態の不均一により線幅や膜厚が揃わなかったりすることを防止でき、線幅、膜厚にバラツキが生じないように重ねてパターン形成することができる。従って、膜厚ムラに起因する導電性等、電気特性の不均一が生じることを防止でき、高品質のデバイスを製造することが可能になる。

また、本実施の形態では、電極パターンＥＰとダミーパターンＤＰとを同一の材料で形成しているので、同一の吐出処理工程（材料配置工程）で両パターンＥＰ、ＤＰを形成することができ、液状体交換に要する時間を削減して生産効率を向上させることが可能になる。さらに、本実施の形態では、電極パターンＥＰとダミーパターンＤＰとを同一の配列（諸元）で配置し、連続的に液滴吐出処理を行っているので、液滴吐出時のビットマップ（ドットパターン）を個別に作成する必要がなくなり、ビットマップ作成に要する時間も短縮することができる。

しかも、本実施の形態では、バンクＢ、Ｂ２に溝３１よりも高い撥液性を付与しているので、吐出された液滴の一部がバンクＢ、Ｂ２上に乗った場合でも、撥液性により液滴をはじいて溝３１に流れ落とさせることで液状体をより均一に塗布することができ、一様な膜厚を有する電極パターンＥＰを得ることが可能になる。加えて、本実施の形態では溝３１の幅が液滴３２の直径よりも小さい場合でも、溝３１内を液状体で埋めることができるので、より細線の配線パターンが形成された小型のデバイスを得ることが可能であるとともに、短絡等の不良が生じない高品質のデバイスを得ることが可能である。
さらに、抵抗チェック等、電極パターンＥＰに対する導通試験や密着性試験等の品質検査をダミーパターンＤＰを用いて行うことで、電極パターンＥＰに傷が付いたりすることも防止でき、またダミーパターンＤＰが端部に配置されていることで、電極パターンＥＰに比較して試験時のアクセスが容易になるという効果も得られる。

（第２実施形態）
第２実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図８は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図９は図８のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１０は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１１は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図８及び図９において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。

シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。

なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１０に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図９に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。

図１１（ａ）は、ボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐ上には、バンク６７、６７が突設されており、バンク６７、６７間の溝６８内には上記第１実施形態の配線パターン形成方法によりゲート配線６１が形成されている。なお、本実施の形態では、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約３５０℃まで加熱されるため、その温度に耐えられる材料として無機質のバンク６７を用いている。

ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ+型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。

さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。

なお、図１１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜６２に凹部を設けて、この凹部内にゲート絶縁膜６２の表面と略面一に半導体層６３を形成し、その上に接合層６４ａ、６４ｂ、画素電極１９、エッチストップ膜６５を形成することもできる。この場合、バンク６６間の溝底部をフラットにすることで、これら各層及びソース線、ドレイン線を断面的に屈曲させないで、平坦性に優れ高特性のＴＦＴとすることができる。
上記構成のＴＦＴでは、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、例えば銀化合物の液滴を吐出することでゲート線、ソース線、ドレイン線等を形成することができるため、細線化による小型・薄型化が実現され、電気特性の不均一が生じない高品質の液晶表示装置を得ることができる。

（第３実施形態）
上記実施の形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。
本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものであり、小型・薄型化が実現され、電気特性の不均一が生じない高品質の有機ＥＬデバイスを得ることができる。

図１２は、前記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図１２を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１２において、有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ３０が基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ３０を構成するゲート配線６１が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。

各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。なお、発光素子３５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置３０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。

有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。

発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための液状体材料を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための液状体材料を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層３５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。

（第４実施形態）
上述した実施形態においては、本発明に係るパターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図１３〜図１６を参照しながら説明する。

図１３に示すように、まず、洗浄したガラス基板５１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝５１１ａを設けるための第１層目のバンク５１１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。このバンク５１１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。

この形成後のバンク５１１に撥液性を持たせるために、ＣＦ_４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク５１１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ_４プラズマ処理等を省略することができる。

以上のようにして撥液化されたバンク５１１の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上、またガラス面の接触角としては、１０°以下を確保することが好ましい。すなわち、本発明者らが試験により確認した結果、例えば導電性微粒子（テトラデカン溶媒）に対する処理後の接触角は、バンク５１１の素材としてアクリル樹脂系を採用した場合には約５４．０°（未処理の場合には１０°以下）を確保することができる。なお、これら接触角は、プラズマパワー５５０Ｗのもと、４フッ化メタンガスを０．１Ｌ／ｍｉｎで供給する処理条件下で得たものである。

上記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程（第１回目の導電性パターン形成工程）では、バンク５１１で区画された描画領域である前記溝５１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することでゲート走査電極５１２を形成する。そして、ゲート走査電極５１２を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。

この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極５１２は、バンク５１１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝５１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。

以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１１とゲート走査電極５１２からなる平坦な上面を備えた銀（Ａｇ）からなる第１の導電層Ａ１が形成される。

また、溝５１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図１３に示すように、この溝５１１ａの形状として準テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。

次に、図１４に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜５１３、活性層５１０、コンタクト層５０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜５１３として窒化シリコン膜、活性層５１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層５０９としてｎ＋シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。

上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１５に示すように、ゲート絶縁膜５１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記溝５１１ａと交差する溝５１４ａを設けるための２層目のバンク５１４を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンク５１４としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。

この形成後のバンク５１４に撥液性を持たせるためにＣＦ_４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク５１４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ_４プラズマ処理等を省略することができる。

以上のようにして撥液化されたバンク５１４の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上を確保することが好ましい。

上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程（第２回目の導電性パターン形成工程）では、バンク５１４で区画された描画領域である前記溝５１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図１６に示すように、前記ゲート走査電極５１２に対して交差するソース電極５１５及びソース電極５１６が形成される。そして、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を形成するときに、本発明に係るデバイス製造方法が適用される。

この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極５１５及びドレイン電極５１６は、バンク５１４に十分な撥液性が予め与えられているので、溝５１４ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。

また、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を配置した溝５１４ａを埋めるように絶縁材料５１７が配置される。以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１４と絶縁材料５１７からなる平坦な上面５２０が形成される。

そして、絶縁材料５１７にコンタクトホール５１９を形成するとともに、上面５２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）５１８を形成し、コンタクトホール５１９を介してドレイン電極５１６と画素電極５１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。

（第５実施形態）
図１７は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図１７に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。

液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図１７においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。

また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。

回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するフィルム状のベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。

本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、小型化、薄型化が実現され、電気特性の不均一が生じない高品質の液晶表示装置を得ることができる。

なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。

（第６実施形態）
次に、第６実施形態として、本発明の電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について説明する。
図１８は、本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。

基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。
また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。

一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。

本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、上述したデバイス製造方法に基づいて形成されているため、小型・薄型化が実現され、電気特性の不均一が生じない高品質のプラズマ型表示装置を得ることができる。

（第７実施形態）
続いて、第７実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図１９に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。

本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係るデバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の非接触型カード媒体によれば、小型・薄型化が実現され、電気特性の不均一が生じない高品質の非接触型カード媒体を得ることができる。
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。

（第８実施形態）
第８実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２０（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２０（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２０（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態では、ダミーパターンＤＰがバンクＢ２の間に形成される構成としたが、これに限定されるものではなく、ダミー領域ＰＯにバンクＢ２を形成することなくダミーパターンＤＰを配線する構成としてもよく、さらにダミーパターンを一体の線状で配線する必要もなく、間隔をあけて配置された複数の点からなるパターンであってもよい。
また、上記実施の形態では、電極パターンＥＰの配列諸元に沿ってダミーパターンＤＰを形成する構成としたが、これに限られず、別の配列諸元でダミーパターンＤＰを形成を形成してもよい。そして、上記実施形態、例えば図３（ａ）においては、電極パターンＥＰとダミーパターンＤＰとを同じ長さで形成するものとして示されているが、これに限定されず、ダミーパターンＤＰに関しては、図３（ｂ）に示すように、長さ方向について電極パターンＥＰの両端よりもそれぞれ突出する長さで形成する構成も好ましい。
この場合、電極パターンの長さ方向に関しても、電極パターンの乾燥の不均一性を緩和して膜厚を一定にすることが可能になる。

さらに、上記実施の形態では、電極パターンＥＰが一定のピッチで配列される構成として説明したが、互いに異なる複数のピッチで配列される構成としてもよい。この場合、これら複数のピッチを平均したピッチでダミーパターンＤＰを形成することが好ましい。これにより、電極パターン間で溶媒蒸気濃度差が不均一になることを防止することができる。
また、上記実施の形態で形成した第２導電性膜はダミーパターンであるとして説明したが、これに限定されるものではなく、端部に接続端子を設けることで電極パターンとは異なる接続配線として用いることが可能である。
さらに、導電性膜と第２導電性膜とは、必ずしも同一材料で形成される必要はなく、異なる材料で形成する構成であってもよい。

また、上記実施の形態では、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる機能液を用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えばパターン形成後に加熱等の熱処理または光照射等の光処理により導電性を発現させる材料を用いてもよい。

液滴吐出装置の概略斜視図である。 ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。 パターンを形成する基板の平面図である。 配線パターン形成する手順を示す図である。 配線の一部を示した拡大模式図である。 吐出された液状体の挙動を説明するための図である。 パターンの位置と溶媒蒸気圧濃度との関係を示す図である。 液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。 図８のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。 液晶表示装置の等価回路図である。 液晶表示装置の部分拡大断面図である。 有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 液晶表示装置の別形態を示す図である。 プラズマ型表示装置の分解斜視図である。 非接触型カード媒体の分解斜視図である。 本発明の電子機器の具体例を示す図である。

符号の説明

Ｂ…バンク、Ｂ２…バンク（第２バンク）、ＤＰ…ダミーパターン（第２導電性膜）、ＥＰ…電極パターン（導電性膜）、Ｌ…ピッチ、Ｐ 基板、ＰＩ…配線パターン領域（パターン形成領域）、ＰＯ…ダミー領域、３１…溝、３２…液滴（機能液）、３２ａ〜３２ｃ…液状体（機能液）、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、４００…非接触型カード媒体（電子機器）、５００…プラズマ型表示装置（電気光学装置）、６００…携帯電話本体（電子機器）、７００…情報処理装置（電子機器）、８００…時計本体（電子機器）

Claims (14)

1. 基板上の所定のパターン形成領域にバンクが形成され、前記バンク間の溝内に液滴吐出により導電性膜が形成されたデバイスの製造方法であって、
   前記基板上の前記所定のパターン形成領域の外側に液滴を吐出して、前記導電性膜と電気的に分離された第２導電性膜を配線する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
2. 基板上にバンクが形成され、前記バンク間の溝内の所定のパターン形成領域に液滴吐出により導電性膜が形成されたデバイスであって、
   前記基板上の前記パターン形成領域の外側に、前記導電性膜と電気的に分離された第２導電性膜が液滴吐出により形成されていることを特徴とするデバイス。
3. 請求項２記載のデバイスにおいて、
   前記第２導電性膜は、前記パターン形成領域の外側に形成された第２バンクの間の溝内に形成されることを特徴とするデバイス。
4. 請求項３記載のデバイスにおいて、
   前記バンクと前記第２バンクとの少なくとも一方は、それぞれの間の溝よりも高い撥液性を有することを特徴とするデバイス。
5. 請求項２から４のいずれかに記載のデバイスにおいて、
   前記第２導電性膜は、前記導電性膜と同一の材料で形成されていることを特徴とするデバイス。
6. 請求項２から５のいずれかに記載のデバイスにおいて、
   前記第２導電性膜は、前記導電性膜と略同一の配列で、且つ連続的に形成されることを特徴とするデバイス。
7. 請求項２から５のいずれかに記載のデバイスにおいて、
   前記導電性膜は、互いに異なる複数のピッチで配列され、
   前記第２導電性膜は、前記複数のピッチを平均したピッチで配列されることを特徴とするデバイス。
8. 請求項２から７のいずれかに記載のデバイスにおいて、
   前記第２導電性膜は、前記導電性膜の長さ方向について該導電性膜の両端よりもそれぞれ突出する長さで形成されることを特徴とするデバイス。
9. 請求項２から８のいずれかに記載のデバイスにおいて、
   前記第２導電性膜の端部が接続端子であることを特徴とするデバイス。
10. 請求項２から９のいずれかに記載のデバイスにおいて、
    前記液滴は、金属微粒子を含むことを特徴とするデバイス。
11. 請求項２から９のいずれかに記載のデバイスにおいて、
    前記液滴は、加熱または光照射により導電性を発現する材料を含むことを特徴とするデバイス。
12. 請求項２から１１のいずれかに記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１２記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
14. アクティブマトリクス基板の製造方法において、
    基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、
    前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
    前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、
    前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、
    前記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、
    前記第１の工程及び前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも一つの工程では、請求項１に記載のデバイス製造方法を用いることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
    

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