JP4123172B2 - 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
配線パターンを形成するために基板上に機能液を配置する際、基板上に残渣があると、基板上に機能液を均一に配置できなくなる場合があり、液溜まり(バルジ)や断線等の不都合の発生の原因となる。
本発明の薄膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、前記基板上に前記薄膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、前記バンク間の残渣を除去する残渣処理工程と、前記残渣が除去された前記バンク間に前記機能液を配置する材料配置工程とを有することを特徴とする。この場合において、前記残渣処理工程は、前記バンク間の底部の残渣を除去する工程を有することを特徴とする。
図3に示すように、本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターン形成用インクを基板上に配置し、基板上に導電膜配線パターンを形成するものであって、基板上に配線パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程S1と、バンク間の残渣を除去する残渣処理工程S2(S2−1、S2−2)と、バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程S3と、残渣を除去されたバンク間にインクを配置する材料配置工程S4と、インクの液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程S5と、焼成工程S6とを有している。
以下、各工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Pとしてガラス基板が用いられる。
まず、図4(a)に示すように、有機材料塗布前に表面改質処理として、基板Pに対してHMDS処理が施される。HMDS処理は、ヘキサメチルジシラサン((CH3)3SiNHSi(CH3)3)を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクと基板Pとの密着性を向上する密着層としてのHMDS層32が基板P上に形成される。
基板P上にバンクB、Bが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば2.5%フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクB、B間のHMDS層32を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクB、Bがマスクとして機能し、バンクB、B間に形成された溝部34の底部35にある有機物であるHMDS層32が除去される。これにより、図4(d)に示すように、残渣であるHMDSが除去される。
続いて、バンクBに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4プラズマ処理法)を採用することができる。CF4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが100〜800W、4フッ化炭素ガス流量が50〜100ml/min、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が0.5〜1020mm/sec、基体温度が70〜90℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
ここで、フッ酸処理ではバンクB、B間の底部35のHMDS(有機物)が完全に除去されない場合がある。あるいは、バンクB、B間の底部35にバンク形成時のレジスト(有機物)が残っている場合もある。そこで、次に、バンクB、B間の底部35におけるバンク形成時の有機物(レジスト)残渣を除去するために、基板Pに対して残渣処理を再度施す。
続いて、バンクBに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4プラズマ処理法)を採用することができる。CF4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが100〜800W、4フッ化炭素ガス流量が50〜100ml/min、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が0.5〜1020mm/sec、基体温度が70〜90℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
次に、液滴吐出装置IJによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成用インクの液滴が基板P上のバンクB、B間に配置される。なお、ここでは、導電性材料として有機銀化合物を用い、溶媒(分散媒)はジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた有機銀化合物からなるインク(機能液)を吐出する。材料配置工程では、図5(a)に示すように、液滴吐出ヘッド1から配線パターン形成用材料を含むインクを液滴にして吐出する。吐出された液滴は、図5(b)に示すように、基板P上のバンクB、B間の溝部34に配置される。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量4ng/dot、インク速度(吐出速度)5〜7m/secで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度60℃以下、湿度80%以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド1の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
基板Pに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Pを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W以上5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では100W以上1000W以下の範囲で十分である。そして、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、図5(c)に示すように、液体材料の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン(薄膜パターン)33Aが形成される。
吐出工程後の導電性材料は、例えば、有機銀化合物の場合、導電性を得るために、熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び/又は光処理が施される。
基板P上にHMDS層32を形成し、その上にバンクBを形成した後、フッ酸処理を行わずに、基板Pに対して上記プラズマ処理装置を用いてO2プラズマ処理を施した。処理条件は、プラズマパワー550W、酸素ガス流量100〔mL/min〕、Heガス流量10〔L/min〕とした。そして、上記プラズマ処理装置の試料テーブル40の移動速度を、1mm/sec、2mm/sec、5mm/secと順次変更し、O2 プラズマ処理後のバンク間の底部35(基板Pの露出部)と純水との接触角を測定した。その結果、テーブル移動速度が1mm/secの場合、O2 プラズマ処理前では接触角約59度であったものがO2 プラズマ処理後では接触角10度以下となった。同様に、テーブル移動速度が2mm/sec、及び5mm/secの場合にも、O2 プラズマ処理後の接触角は10度以下であった。以上の実験により、フッ酸処理を行わずにO2 プラズマ処理のみを施すことによって残渣が十分に除去され、しかも基板P(底部35)に対して均一な親液性が付与されることを確認できた。
本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図7は本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図8は図7のH−H’線に沿う断面図である。図9は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図10は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図11において、有機EL装置301は、基板311、回路素子部321、画素電極331、バンク部341、発光素子351、陰極361(対向電極)、および封止基板371から構成された有機EL素子302に、フレキシブル基板(図示略)の配線および駆動IC(図示略)を接続したものである。回路素子部321は、アクティブ素子であるTFT30が基板311上に形成され、複数の画素電極331が回路素子部321上に整列して構成されたものである。そして、TFT30を構成するゲート配線61が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
図16に示す液晶表示装置(電気光学装置)901は、大別するとカラーの液晶パネル(電気光学パネル)902と、液晶パネル902に接続される回路基板903とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル902に付設されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
本発明の電子機器の具体例について説明する。
図18(a)は携帯電話の一例を示した斜視図である。図18(a)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図18(b)はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図18(b)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図18(c)は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図18(c)において、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図18(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであり、配線の断線等の不都合の発生が抑制されている。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
400…非接触型カード媒体(電子機器)、B…バンク、P…基板
Claims (6)
- 機能液をガラスの基板上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記薄膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、
前記バンク間の底部の残渣を除去する第1の残渣処理工程と、
前記第1の残渣処理工程の後、前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程と、
前記撥液化処理工程の後、前記バンク間の底部の残渣を除去する第2の残渣処理工程と、
前記第2の残渣処理工程の後、前記バンク間に前記機能液を配置する材料配置工程とを有し、
前記第1、第2の残渣処理工程では、フッ酸で残渣をエッチングするフッ酸処理が実行されることを特徴とする薄膜パターンの形成方法。 - 前記材料配置工程の後に、前記機能液で前記バンク間に形成された機能層の残渣を除去する残渣処理工程を再度行うことを特徴とする請求項1記載の薄膜パターンの形成方法。
- 前記機能液は熱処理又は光処理により導電性を発現することを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜パターンの形成方法。
- 前記機能液には導電性微粒子が含まれることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の薄膜パターンの形成方法。
- ガラスの基板上に薄膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、
請求項1〜請求項4のいずれか一項記載の薄膜パターンの形成方法により、前記基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。 - アクティブマトリクス基板の製造方法において、
ガラスの基板上にゲート配線を形成する第1の工程と、
前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第3の工程と、
前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第4の工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第5の工程と、
前記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第6の工程と、を有し、
前記第1の工程及び前記第4の工程及び前記第6の工程の少なくとも一つの工程は、
形成パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、
前記バンク間の底部の残渣を除去する第1の残渣処理工程と、
前記第1の残渣処理工程の後、前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程と、
前記撥液化処理工程の後、前記バンク間の底部の残渣を除去する第2の残渣処理工程と、
前記第2の残渣処理工程の後、前記バンク間に前記機能液を液滴吐出装置によって吐出することによって配置される材料配置工程と、を有し、
前記第1、第2の残渣処理工程では、フッ酸で残渣をエッチングするフッ酸処理が実行されることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
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