JP4103830B2 - パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents

パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4103830B2
JP4103830B2 JP2004095976A JP2004095976A JP4103830B2 JP 4103830 B2 JP4103830 B2 JP 4103830B2 JP 2004095976 A JP2004095976 A JP 2004095976A JP 2004095976 A JP2004095976 A JP 2004095976A JP 4103830 B2 JP4103830 B2 JP 4103830B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
droplets
droplet
pattern
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004095976A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005005676A (ja
Inventor
宏宣 長谷井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004095976A priority Critical patent/JP4103830B2/ja
Priority to US10/843,418 priority patent/US7008809B2/en
Priority to KR1020040033687A priority patent/KR100569692B1/ko
Priority to CNB200410043331XA priority patent/CN1331191C/zh
Priority to TW093113722A priority patent/TWI263465B/zh
Publication of JP2005005676A publication Critical patent/JP2005005676A/ja
Priority to US11/302,147 priority patent/US20060099759A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4103830B2 publication Critical patent/JP4103830B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

本発明は機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。
従来より、半導体集積回路など微細な配線パターン（膜パターン）を有するデバイスの製造方法としてフォトリソグラフィ法が多用されているが、液滴吐出法を用いたデバイスの製造方法が注目されている。この液滴吐出法は機能液の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。下記特許文献には液滴吐出法に関する技術が開示されている。
特開平１１−２７４６７１号公報 特開２０００−２１６３３０号公報
ところで、近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、配線パターンについても更なる細線化、微細化が要求されているが、微細な配線パターンを形成しようとした場合、特にその線幅の精度を十分にだすのが難しい。そのため、基板上に仕切部材であるバンクを設け、このバンク間の溝部に機能液の液滴を配置する方法が提案されている。ところが、バンク間の溝部に液滴を配置した際、溝部のうち特に端部で液滴が十分に濡れ拡がらない場合が生じるということが解明されてきた。
一方、上記バンクはフォトリソグラフィ法を用いて形成されるためコストアップにつながる可能性がある。そこで、基板上に撥液領域と親液領域とを予めパターニングしておき、液滴を親液領域に選択的に配置する方法も提案されている。この方法によれば、液滴は親液領域に円滑に配置されバンクを形成することなく高い位置精度で基板上に配置可能となる。ところが、基板上に撥液領域と親液領域とを予めパターニングしておき、液滴を親液領域に選択的に配置する方法において、形成される膜パターンのパターン形状や外観が液滴の配置順序により左右されるということが解明されてきた。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液滴吐出法を用いて配線パターン等の膜パターンを形成する際、バンク間の溝部の端部においても液滴を円滑に配置でき、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法を提供することを目的とする。更に本発明は、所望のパターン形状で形成された膜パターンを有するアクティブマトリクス基板の製造方法を提供することを目的とする。
また本発明は、液滴吐出法を用いて配線パターン等の膜パターンを形成する際、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法を提供することを目的とする。更に本発明は、所望のパターン形状で形成された膜パターンを有するアクティブマトリクス基板の製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、前記基板上に所定のパターン形状でバンクを形成する工程と、前記バンク間の溝部の端部に液滴を配置する工程と、前記端部に液滴を配置した後、前記溝部のうち前記端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、バンク間の溝部に液滴を配置する際、最初に溝部の端部に液滴を配置するようにしたので、液滴はバンクの側面を伝って流れ落ち、バンク側面と溝部底部との間の角部に対して円滑に配置される。したがって、膜パターンを所望のパターン形状に形成できる。そして、最初に溝部の中央部に対して液滴を配置した後この液滴に連続するように端部に対して液滴を配置しようとすると、端部に対して配置された液滴は先に配置されている液滴の影響によりバンク間（溝部）から溢れ出る可能性があるが、最初に端部に対して液滴を配置することで、この液滴に連続するように端部以外の位置に液滴を配置しても、バンク間（溝部）から液滴が溢れ出るおそれが抑制される。
本発明のパターンの形成方法において、前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程を有することを特徴とする。本発明によれば、バンク間の溝部に機能液の液滴を配置する際、吐出された機能液の液滴の一部がバンク上に乗っても、バンクに撥液性が付与されていることによりバンクからはじかれ、バンクを伝って溝部の底部に流れ落ちるようになる。したがって、吐出された機能液はバンク間の溝部に良好に配置される。ここで、撥液化処理工程としては四フッ化炭素（ＣＦ４）を含む処理ガスを用いたプラズマ処理を用いることができる。これにより、バンクにフッ素基が導入され、バンクは機能液の溶媒に依存しない撥液性を有することになる。
本発明のパターンの形成方法において、前記溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程を有することを特徴とする。本発明によれば、溝部の底部に親液性を付与することにより、液滴は底部において良好に濡れ拡がる。ここで、親液化処理工程としては酸素（Ｏ２）を含む処理ガスを用いたプラズマ処理、あるいは紫外線（ＵＶ）照射処理を用いることができる。
本発明のパターンの形成方法において、前記端部に液滴を配置した後、複数の液滴を前記溝部の中央部に向かって順次配置することを特徴とする。これにより、溝部に沿って液滴が順次配置されることになり、配線パターン等の線状膜パターンを良好に形成できる。
なお、本発明のパターンの形成方法において、液滴を連続的に配置してもパターンを形成することができるが、バルジが発生する可能性もあるので、第１配置工程で液滴どうしの間隔をあけて基板上に配置した後、この液滴どうしの間を埋めるように第２配置工程で液滴を配置することが好ましい。
本発明の膜パターンの形成方法において、前記機能液には導電性材料が含まれることを特徴とする。更に、前記機能液は熱処理又は光処理により導電性を発現することを特徴とする。本発明によれば、薄膜パターンを配線パターンとすることができ、各種デバイスに応用することができる。また、導電性材料の他に有機ＥＬ等の発光素子形成材料やＲ・Ｇ・Ｂのインク材料を用いることで、有機ＥＬ装置やカラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用することができる。
本発明のパターン形成装置は、機能液の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により膜パターンを形成するパターン形成装置であって、前記液滴吐出装置は、前記基板上に所定のパターンに応じて予め形成されたバンク間の溝部に複数の液滴を順次配置し、前記液滴を順次配置する際、前記溝部の端部に液滴を配置した後、該溝部のうち前記端部以外の位置に液滴を配置することを特徴とする。
本発明によれば、バンク間の溝部の端部にまで液滴を円滑に配置することができ、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成することができる。
本発明のデバイスの製造方法は、基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、上記記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明によれば、端部まで良好に形成された膜パターンを有するデバイスを製造することができる。
本発明の電気光学装置は、上記記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。本発明によれば、端部まで良好に形成され、電気伝導に有利な膜パターンを備えているので、良好な性能を発揮する電気光学装置及び電子機器を提供できる。
ここで、電気光学装置としては、例えば、プラズマ型表示装置、液晶表示装置、及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置等が挙げられる。
本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、前記基板上に設定された所定のパターンを形成するパターン形成領域を囲む領域に撥液性膜を設ける工程と、前記パターン形成領域の端部に液滴を配置する工程と、前記端部に液滴を配置した後、前記パターン形成領域の前記端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、膜パターンを形成するパターン形成領域を囲むように撥液性膜を設けたので、吐出された液滴はパターン形成領域に円滑に配置される。そして、パターン形成領域に液滴を配置する際、最初にパターン形成領域の端部に液滴を配置するようにしたので、液滴はパターン形成領域の端部に円滑に配置されるので、膜パターンを所望のパターン形状に形成できる。そして、最初にパターン形成領域の中央部に対して液滴を配置した後この液滴に連続するように端部に対して液滴を配置しようとすると、端部に対して配置された液滴は先に配置されている液滴の影響によりパターン形成領域から溢れ出る可能性があるが、最初に端部に対して液滴を配置することで、この液滴に連続するように端部以外の位置に液滴を配置しても、パターン形成領域から液滴が溢れ出るおそれが抑制される。
本発明のパターンの形成方法において、前記撥液性膜は前記基板の表面に形成された単分子膜であることを特徴とする。そして、この前記単分子膜は有機分子からなる自己組織化膜であることを特徴とする。これにより、撥液性膜を容易に形成できる。自己組織化膜としては、フルオロアルキルシランからなる自己組織化膜が挙げられる。
また、前記撥液性膜はフッ化重合膜であってもよい。フッ化重合膜は、例えばフルオロカーボン系化合物を反応ガスとするプラズマ処理により容易に形成できる。
本発明のパターンの形成方法において、前記パターン形成領域に親液性を付与する親液化処理工程を有することを特徴とする。本発明によれば、パターン形成領域に親液性を付与することにより、液滴はパターン形成領域において良好に濡れ拡がる。ここで、親液化処理工程としては紫外線（ＵＶ）照射処理を用いることができる。これにより、撥液性膜が破壊され、紫外線を照射するだけといった簡易な構成で親液性を付与できる。そして、紫外線照射時間や照射する紫外線パワーを調整するだけといった簡易な構成で、所望の親液性に調整できる。
あるいは、基板をオゾン雰囲気に曝すことにより親液性を付与することができる。
本発明のパターンの形成方法において、前記端部に液滴を配置した後、複数の液滴を前記パターン形成領域の中央部に向かって順次配置することを特徴とする。これにより、パターン形成領域に沿って液滴が順次配置されることになり、配線パターン等の線状膜パターンを良好に形成できる。
本発明のパターンの形成方法において、複数の液滴により前記膜パターンを形成する際、前記基板上で液滴どうしが重ならないように複数の液滴を配置する第１配置工程と、前記第１配置工程で前記基板上に配置された複数の液滴どうしの間に液滴を配置する第２配置工程とを有することを特徴とする。本発明によれば、複数の液滴を配置することで膜パターンを形成する際、第１配置工程で液滴どうしの間隔をあけて基板上に配置した後、この液滴どうしの間を埋めるように第２配置工程で液滴を配置するようにしたので、バルジの発生を抑えつつ膜パターンを複数の液滴で連続させることができる。すなわち、液滴を連続的に吐出して複数の液滴どうしをつなげるように配置するとバルジが発生しやすくなるが、配置動作（吐出動作）を複数回に分け、第１配置動作では液滴を間引いて配置し、第２配置動作で基板上の液滴どうしの間を補間することで、バルジの発生を抑えつつ膜パターンを複数の液滴で確実に連続させることができる。
本発明の膜パターンの形成方法において、前記機能液には導電性材料が含まれることを特徴とする。更に、前記機能液は熱処理又は光処理により導電性を発現することを特徴とする。本発明によれば、薄膜パターンを配線パターンとすることができ、各種デバイスに応用することができる。また、導電性材料の他に有機ＥＬ等の発光素子形成材料やＲ・Ｇ・Ｂのインク材料を用いることで、有機ＥＬ装置やカラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用することができる。
本発明のパターン形成装置は、機能液の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により膜パターンを形成するパターン形成装置であって、前記基板上には所定のパターンを形成するパターン形成領域を囲む領域に撥液性膜が予め設けられており、前記液滴吐出装置は、前記パターン形成領域に複数の液滴を順次配置し、前記液滴を順次配置する際、前記パターン形成領域の端部に液滴を配置した後、該パターン形成領域のうち前記端部以外の位置に液滴を配置することを特徴とする。
本発明によれば、パターン形成領域の端部にまで液滴を円滑に配置することができ、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成することができる。
本発明のデバイスの製造方法は、基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、上記記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とする。
本発明によれば、端部まで良好に形成された膜パターンを有するデバイスを製造することができる。
本発明の電気光学装置は、上記記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。本発明によれば、端部まで良好に形成され、電気伝導に有利な膜パターンを備えているので、良好な性能を発揮する電気光学装置及び電子機器を提供できる。
ここで、電気光学装置としては、例えば、プラズマ型表示装置、液晶表示装置、及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置等が挙げられる。
本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する第６の工程と、を有し、前記第１の工程及び前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも一つの工程は、前記基板上に所定のパターンに応じたバンクを形成する工程と、前記バンク間の溝部の端部に液滴を配置する工程と、前記端部に液滴を配置した後、前記溝部のうち前記端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、バンク間の溝部の端部においても液滴を円滑に配置でき、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるので、所望性能を有するアクティブマトリクス基板を製造することができる。
本発明のアクティブマトリクスの製造方法は、アクティブマトリクス基板の製造方法において、基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する第６の工程と、を有し、前記第１の工程及び前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも一つの工程は、前記基板上に設定された所定のパターンを形成するパターン形成領域を囲む領域に撥液性膜を設ける工程と、前記パターン形成領域の端部に液滴を配置する工程と、前記端部に液滴を配置した後、前記パターン形成領域の前記端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるので、所望性能を有するアクティブマトリクス基板を製造することができる。
上記液滴吐出装置（インクジェット装置）の吐出方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料（機能液）の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される機能液（液体材料）の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
機能液を含む液体材料とは、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の吐出ノズルから吐出可能な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる材料は、溶媒中に微粒子として分散されたものの他に、融点以上に加熱されて溶解されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。また、基板はフラット基板のほか、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチック、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。
第１実施形態
＜パターンの形成方法＞
以下、本発明のパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図１は本発明のパターン形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
ここで、本実施形態ではガラス基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。また、導電膜配線パターンを形成するための機能液には、溶媒（分散媒）をジエチレングリコールジエチルエーテルとする有機銀化合物を用いる。
図１において、本実施形態に係るパターンの形成方法は、機能液の液滴が配置される基板上に配線パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程（ステップＳＡ１）と、バンク間の溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程（ステップＳＡ２）と、バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程（ステップＳＡ３）と、バンク間の溝部に液滴吐出法に基づいて機能液の液滴を配置して膜パターンを形成（描画）する材料配置工程（ステップＳＡ４）と、基板上に配置された機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する光・熱処理を含む中間乾燥工程（ステップＳＡ５）と、所定の膜パターンが形成された基板を焼成する焼成工程（ステップＳＡ７）とを有している。なお、中間乾燥工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳＡ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
以下、各工程について説明する。
＜バンク形成工程＞
まず、図２（ａ）に示すように、表面改質処理として基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理はヘキサメチルジシラサン（(ＣＨ３)３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ３)３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層３２が基板Ｐ上に形成される。バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図２（ｂ）に示すように、基板ＰのＨＭＤＳ層３２上にバンクの高さに合わせてバンク形成用材料である有機材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてレジスト以外の部分の有機材料３１を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンクを形成してもよい。これにより、図２（ｃ）に示すように、配線パターン形成予定領域の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが突設される。バンクを形成する有機材料としては、機能液（液体材料）に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するようにプラズマ処理による撥液化が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３２が除去される。これにより、図２（ｄ）に示すように、残渣であるＨＭＤＳが除去される。
＜親液化処理工程＞
次に、溝部３４の底部３５に親液性を付与する親液化処理工程が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射することにより親液性を付与する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できる。ここではＯ２プラズマ処理を実施する。
Ｏ２プラズマ処理は、基板に対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ２プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板の相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。そして、基板がガラス基板の場合、その表面は機能液に対して親液性を有しているが、本実施形態のようにＯ２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクＢ、Ｂ間で露出する基板Ｐ表面（底部３５）の親液性を高めることができる。ここで、バンク間の底部３５の機能液に対する接触角が１５度以下となるように、Ｏ２プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。
なお、Ｏ２プラズマ処理や紫外線照射処理は、底部３５に存在する残渣の一部を構成するＨＭＤＳを除去する機能を有する。そのため、上述したフッ酸処理によりバンクＢ、Ｂ間の底部３５の有機物残渣（ＨＭＤＳ）が完全に除去されない場合が生じても、Ｏ２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理を行うことによりこの残渣を除去できる。なおここでは、残渣処理の一部としてフッ酸処理を行うが、Ｏ２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンク間の底部３５の残渣を十分に除去できるため、フッ酸処理は行わなくてもよい。またここでは、残渣処理としてＯ２プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ２プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。
＜撥液化処理工程＞
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、大気雰囲気中で四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、四フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、四フッ化炭素に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ２プラズマによる前処理がなされた方がより撥液化（フッ素化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ２プラズマ処理することが好ましい。
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の基板Ｐ露出部に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐの親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液化処理を省略するようにしてもよい。
＜材料配置工程＞
次に、本実施形態の材料配置工程について図３及び図４を参照しながら説明する。材料配置工程は、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１０より吐出してバンクＢ、Ｂ間の溝部３４に配置することにより基板Ｐ上に線状の膜パターン（配線パターン）を形成する工程であって、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４の端部に液滴を配置する第１の工程と、端部に液滴を配置した後、溝部３４のうち端部以外の位置に液滴を配置する第２の工程とを有している。本実施形態において、機能液は配線パターン形成用材料である銀を含む有機銀化合物をジエチレングリコールジエチルエーテルに分散したものである。
材料配置工程のうち第１の工程では、図４（ａ）に示す平面図のように、液滴吐出ヘッド１０から吐出される液滴３０は、最初に、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４の長手方向端部３６に配置される。ここで、溝部３４は図中Ｙ軸方向を長手方向とする平面視矩形状であって、端部３６のうち底部３５とバンクＢ壁面との間には角部（隅部）３７が形成されている。端部３６に対して吐出された液滴３０は、バンクＢの壁面を伝って流れ落ち、バンクＢと溝部３４の底部３５との間の角部３７に対して円滑に配置される。ここで、バンクＢには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢの上に乗っても、バンクＢからはじかれ、バンクＢの壁面を伝って溝部３４の底部３５に流れ落ちる。そして、底部３５は親液化されているので、底部３５に流れ落ちた液滴は良好に濡れ拡がる。
溝部３４のうち長手方向端部３６に液滴が配置されたら、図４（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が基板Ｐに対してＹ軸方向に相対移動しつつ複数の液滴を順次吐出する。液滴吐出ヘッド１０から吐出される液滴は、溝部３４のうち端部３６以外の位置に配置される。図４（ｂ）には、端部３６に液滴を配置した後、複数の液滴を溝部３４の長手方向中央部に向かって順次配置する例が示されている。これにより、配線パターンの一部が良好に形成される。
このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間の溝部３４に流れ落ちるようになる。さらに、基板Ｐが露出している溝部３４の底部３５は親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部３５にてより拡がり易くなり、これにより機能液は所定位置内で均一に配置される。
なお、図４（ｂ）に示す例では、１つの液滴を基板Ｐ上に配置した後次の液滴を吐出する際、先に基板上に配置されている液滴の一部に次の液滴を重ねるように吐出する構成であるが、先の液滴を基板Ｐ上に配置してから次の液滴を吐出するまでの間に、基板上の液滴の液体成分（分散媒）の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳＡ５）が行われる。中間乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他にランプアニールを用いた光処理であってもよい。
次に、図４（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が溝部３４の長手方向のもう一方の端部３８に移動される。そして、液滴吐出ヘッド１０から端部３８に対して液滴３０が吐出される。端部３８に対して吐出された液滴は、バンクＢの壁面を伝って流れ落ち、バンクＢと溝部３４の底部３５との間の角部３９に対して円滑に配置される。ここで、バンクＢには撥液性が付与されているため、液滴はバンクＢの壁面を伝って溝部３４の底部３５に流れ落ちる。そして、底部３５は親液化されているので、底部３５に流れ落ちた液滴は良好に濡れ拡がる。
溝部３４のうち長手方向端部３８に液滴が配置されたら、図４（ｄ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が基板Ｐに対してＹ軸方向に相対移動しつつ複数の液滴を順次吐出する。複数の液滴は溝部３４の長手方向中央部に向かって順次配置され、先に形成されている配線パターンの一部と接続され、これにより配線パターン（膜パターン）３３Ａが形成される。
なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
＜中間乾燥工程＞
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、図３（ｇ）に示すように、機能液の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン（膜パターン）３３Ａが形成される。
＜焼成工程＞
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。更に、機能液に有機銀化合物が含まれている場合、導電性を得るために、熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、例えば有機銀化合物の有機分を除去するためには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の導電性材料（有機銀化合物）は微粒子間の電気的接触が確保され、図３（ｈ）に示すように、導電性膜（配線パターン）３３に変換される。
なお、焼成工程の後、基板Ｐ上に存在するバンクＢ、Ｂをアッシング剥離処理により除去することができる。アッシング処理としては、プラズマアッシングやオゾンアッシング等を採用できる。プラズマアッシングは、プラズマ化した酸素ガス等のガスとバンクとを反応させ、バンクを気化させて剥離・除去するものである。バンクは炭素、酸素、水素から構成される固体の物質であり、これが酸素プラズマと化学反応することでＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離することができる。一方、オゾンアッシングの基本原理はプラズマアッシングと同じであり、Ｏ３（オゾン）を分解して反応性ガスのＯ・（酸素ラジカル）に変え、このＯ・とバンクとを反応させる。Ｏ・と反応したバンクは、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離される。基板Ｐに対してアッシング剥離処理を施すことにより、基板Ｐからバンクが除去される。
次に、図５を参照しながら、配線パターン３３を形成する際の液滴配置手順の他の例について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から吐出した液滴Ｌ１が所定の間隔をあけて基板Ｐ上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド１０は基板Ｐ上で液滴Ｌ１どうしが重ならないように配置する（第１配置工程）。本例では、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板Ｐ上に配置された直後の液滴Ｌ１どうしは重ならずに（接触せずに）、液滴Ｌ１どうしが合体して基板Ｐ上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径の２倍以下となるように設定されている。ここで、基板Ｐ上に液滴Ｌ１を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳＡ５）を行うことができる。
次に、図５（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作が繰り返される。すなわち図５（ａ）に示した前回と同様に、液滴吐出ヘッド１０から機能液が液滴Ｌ２として吐出され、その液滴Ｌ２が一定距離ごとに基板Ｐに配置される。このとき、液滴Ｌ２の体積（１つの液滴あたりの機能液の量）、及びその配置ピッチＰ２は前回の液滴Ｌ１と同じである。そして、液滴Ｌ２の配置位置は前回の液滴Ｌ１から１／２ピッチだけシフトされ、基板Ｐ上に配置されている前回の液滴Ｌ１どうしの中間位置に今回の液滴Ｌ２が配置される（第２配置工程）。前述したように、基板Ｐ上の液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は、基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、その直径の２倍以下である。そのため、液滴Ｌ１の中間位置に液滴Ｌ２が配置されることにより、液滴Ｌ１に液滴Ｌ２が一部重なり、液滴Ｌ１どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板Ｐ上で拡がることは少ない。液滴Ｌ２を基板Ｐ上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて中間乾燥処理を行うことが可能である。
こうした一連の液滴の配置動作を複数回繰り返すことにより、基板Ｐ上に配置される液滴どうしの隙間が埋まり、図５（ｃ）に示すように、線状の連続した配線パターン３３が基板Ｐ上に形成される。この場合、液滴の配置動作の繰り返し回数を増やすことにより基板Ｐ上に液滴が順次重なり、配線パターン３３の膜厚が増す。
なお、図５（ｂ）では、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を前回と同じ側（図５（ａ）に示す左側）としているが逆側（右側）としてもよい。往復動作の各方向への移動時に液滴の吐出を行うことにより、液滴吐出ヘッド１０と基板Ｐとの相対移動の距離を少なくできる。
次に、図６及び図７を参照しながら機能液の液滴の配置順序の他の例について説明する。ここで、図６及び図７を用いた説明において、１番目に基板Ｐ上（溝部３４）に配置された液滴には「１」を付し、２番目、３番目…、ｎ番目に配置された液滴には「２」、「３」、…「ｎ」を付している。
図６に示すように、溝部３４のうち長手方向一方の端部３６に対して１番目の液滴を配置し、次いで、長手方向他方の端部３８に対して２番目の液滴を配置し、その後、中央部に向かって順次液滴を配置する構成とすることが可能である。
また、図７に示すように、複数（ここでは３本）の線状パターンを合わせて幅広の配線パターン３３を形成する場合には、一方の端部３６及び他方の端部３８のそれぞれに交互に液滴を配置する構成であってもよい。
また、図８に示すように、Ｙ軸方向を長手方向としＹ軸方向に複数並んだ吐出ノズルを有する液滴吐出ヘッド１０を用いて基板Ｐ上に液滴を配置する際、溝部３４の長手方向と液滴吐出ヘッド１０の長手方向とを一致させた状態で、図８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０をＸ軸方向に走査しながら、液滴吐出ヘッド１０の複数の吐出ノズルのうち端部３６、３８に対応する吐出ノズルから液滴３０を選択的に吐出し、次いで、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、液滴３０を溝部３４の長手方向中央部に向かって順次配置するようにしてもよい。
なお、上記実施形態において、導電膜配線用の基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
導電膜配線用の機能液として、本例では有機銀化合物を含む導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液体材料）が用いられ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、炭素数５以上の炭化水素、アルコール、エーテル、エステル、ケトン、有機窒素化合物、有機珪素化合物、有機硫黄化合物、もしくはそれらの混合物等が挙げられる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。本実施形態ではジエチレングリコールジエチルエーテルを用いているが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体材料を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液体材料のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が液体材料の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
第２実施形態
＜パターンの形成方法＞
以下、本発明のパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図９は本発明のパターン形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
ここで、本実施形態ではガラス基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。また、導電膜配線パターンを形成するための機能液には、溶媒（分散媒）をジエチレングリコールジエチルエーテルとする有機銀化合物を用いる。
図９において、本実施形態に係るパターンの形成方法は、機能液の液滴が配置される基板を所定の溶媒等を用いて洗浄する基板洗浄工程（ステップＳＢ１）と、基板表面に撥液性膜を設けることにより基板に撥液性を付与する撥液化処理工程（ステップＳＢ２）と、撥液化処理された基板表面のうち配線パターンが形成されるパターン形成領域に親液性を付与する親液化処理工程（ステップＳＢ３）と、基板上のパターン形成領域に液滴吐出法に基づいて機能液の液滴を配置して膜パターンを形成（描画）する材料配置工程（ステップＳＢ４）と、基板上に配置された機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する熱・光処理を含む中間乾燥処理工程（ステップＳＢ５）と、所定の膜パターンが描画された基板を焼成する焼成工程（ステップＳＢ７）とを有している。なお、中間乾燥処理工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳＢ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
以下、各工程について説明する。
＜基板洗浄工程＞
まず、所定の溶剤等を用いて基板が洗浄される。これにより基板上の有機物残渣等が除去される。なお、基板表面に紫外光を照射することでも有機物残渣を除去できる。
＜撥液化処理工程＞
次に、配線パターンを形成する基板表面が機能液に対して撥液性に加工される。具体的には、機能液に対する所定の接触角が、６０［ｄｅｇ］以上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上１１０［ｄｅｇ］以下となるように基板に対して表面処理を施す。撥液性（濡れ性）を付与する方法としては、基板表面に撥液性膜を設ける方法を採用できる。ここでは基板表面に撥液性を有する自己組織化膜を形成する。
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
ここで、自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡＭ（Self Assembled Monolayer））とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシラン（以下、適宜「ＦＡＳ」と称する）を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。このような自己組織化膜を形成する化合物であるＦＡＳとしては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン等が挙げられる。これらの化合物は単独で使用してもよく２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
ＦＡＳは、一般的に構造式Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
図１０は、基板Ｐ上にＦＡＳからなる自己組織化膜（ＦＡＳ膜）を形成するＦＡＳ処理装置２０の概略構成図である。ＦＡＳ処理装置２０は基板ＰにＦＡＳからなる自己組織化膜を形成し、撥液性を付与する。図１０に示すように、ＦＡＳ処理装置２０は、チャンバ２１と、チャンバ２１内に設けられ、基板Ｐを保持する基板ホルダ２２と、液相状態のＦＡＳ（液体ＦＡＳ）を収容する容器２３とを備えている。そして、室温環境下で、チャンバ２１内に基板Ｐと液体ＦＡＳを収容した容器２３とを放置しておくことにより、容器２３内の液体ＦＡＳが容器２３の開口部２３ａからチャンバ２１に気相となって放出され、例えば２〜３日程度で、基板Ｐ上にＦＡＳからなる自己組織化膜が成膜される。また、チャンバ２１全体を１００℃程度に維持することにより、３時間程度で基板Ｐ上に自己組織化膜が成膜される。
なおここでは気相からの形成法を説明したが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。
なお、撥液性膜としてはプラズマ処理法により形成したフッ化重合膜であってもよい。プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板に対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、配線パターンを形成すべき基板Ｐの表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を例示できる。
なお、基板Ｐの表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
＜親液化処理工程＞
基板ＰにＦＡＳ処理を施した後、基板表面のうち配線パターンを形成するパターン形成領域に親液性を付与する親液化処理が行われる。親液性を付与する処理としては波長１７０〜４００ｎｍ程度の紫外線（ＵＶ）照射処理が挙げられる。所定のパワーの紫外光を所定時間だけ基板Ｐのパターン形成領域に照射することで、ＦＡＳ処理された基板のパターン形成領域の撥液性が低下され、パターン形成領域は所望の親液性を有するようになる。
図１１は、ＦＡＳ処理が施された基板Ｐに対して紫外光を照射する紫外線照射装置２４を示す模式図である。図１１に示すように、紫外線照射装置２４は、所定の波長を有する紫外光（ＵＶ）を射出可能な紫外線射出部２５と、基板Ｐを支持するステージ２６と、基板Ｐを支持したステージ２６を所定方向に走査するステージ駆動部２７とを備えている。紫外線照射装置２４は、所定方向に基板Ｐを走査しつつ紫外線射出部２５から紫外光を射出することにより基板Ｐに対して紫外光を照射する。基板Ｐが小さい場合は、基板Ｐを走査せずに紫外光を照射してもよい。もちろん、紫外線射出部２５を移動しつつ基板Ｐに紫外光を照射してもよい。紫外光を照射されることにより基板Ｐ上のＦＡＳ膜が破壊され、基板Ｐのうち紫外光を照射された領域が親液化（撥液性低下化）される。
ここで、紫外線照射装置２４は、基板上のパターン形成領域に応じたパターンを有するマスクＭを介して基板Ｐに紫外光を照射する。紫外線照射装置２４はマスクＭを介して基板Ｐに紫外光を照射することによりＦＡＳ膜を選択的に破壊し、これにより基板Ｐのパターン形成領域が親液化される。こうして、パターン形成領域を囲む領域にＦＡＳ膜が設けられたことになる。本実施形態ではマスクＭの下面に酸化チタン層２８が設けられており、この酸化チタン層２８と基板Ｐ表面とを接触した状態で紫外光が照射される。ＦＡＳ膜に対して酸化チタンが接触した状態で紫外光が照射されることにより、酸化チタンの光触媒効果により親液化（ＦＡＳ膜の破壊）を短時間で行うことができる。なお、マスクＭの下面に酸化チタン層２８を設けなくても基板のパターン形成領域を親液化できるし、マスクＭと基板Ｐとを離間した状態で紫外光を照射しても基板のパターン形成領域を親液化できる。
紫外線照射装置２４の照射動作は不図示の制御装置により制御される。制御装置は紫外線照射条件を設定し、この設定条件に基づいて紫外線照射装置２４の照射動作を制御する。ここで、設定可能な紫外線照射条件は、基板Ｐに対する紫外光の照射時間、基板Ｐの単位面積当たりに対する照射量（光量）、及び照射する紫外光の波長のうち少なくとも１つであり、制御装置はこれらの条件のうち少なくとも１つに基づいて照射動作を制御する。これにより、基板Ｐのパターン形成領域は所望の親液性（機能液に対する接触角）を有することになる。
なおここでは、親液化処理として紫外線照射処理が行われるが、基板をオゾン雰囲気に曝すことにより基板の撥液性を低下することもできる。
＜材料配置工程＞
次に、本実施形態の材料配置工程について図１２を参照しながら説明する。材料配置工程は、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１０より吐出してパターン形成領域７４に配置することにより基板Ｐ上に線状の膜パターン（配線パターン）を形成する工程であって、パターン形成領域７４の端部に液滴を配置する第１の工程と、端部に液滴を配置した後、パターン形成領域７４のうち端部以外の位置に液滴を配置する第２の工程とを有している。本実施形態において、機能液は配線パターン形成用材料である銀を含む有機銀化合物をジエチレングリコールジエチルエーテルに分散したものである。
材料配置工程のうち第１の工程では、図１２（ａ）に示す平面図のように、液滴吐出ヘッド１０から吐出される液滴３０は、最初に、パターン形成領域７４の長手方向端部７６に配置される。ここで、パターン形成領域７４を囲むように撥液領域であるＦＡＳ膜領域（撥液性膜領域）Ｆが形成されている。パターン形成領域７４は図中Ｙ軸方向を長手方向とする平面視矩形状である。端部７６に対して吐出された液滴３０は端部７６に円滑に配置される。ここで、撥液領域Ｆは撥液性であるため、吐出された液滴の一部が撥液領域Ｆにかかっても、撥液領域Ｆからはじかれ、パターン形成領域７４に円滑に配置される。そして、パターン形成領域７４は親液化されているので、パターン形成領域７４に配置された液滴は良好に濡れ拡がる。
パターン形成領域７４のうち長手方向端部７６に液滴が配置されたら、図１２（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が基板Ｐに対してＹ軸方向に相対移動しつつ複数の液滴を順次吐出する。液滴吐出ヘッド１０から吐出される液滴は、パターン形成領域７４のうち端部７６以外の位置に配置される。図１２（ｂ）には、端部７６に液滴を配置した後、複数の液滴をパターン形成領域７４の長手方向中央部に向かって順次配置する例が示されている。これにより、配線パターンの一部が良好に形成される。
このとき、液滴が吐出されるパターン形成領域７４は撥液領域Ｆに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、吐出された液滴の一部が撥液領域Ｆにかかっても、撥液性となっていることにより撥液領域Ｆからはじかれ、パターン形成領域７４に配置される。さらに、基板Ｐのパターン形成領域７４は親液性を付与されているため、吐出された液滴がパターン形成領域７４にてより拡がり易くなり、これにより機能液は所定位置内で均一に配置される。
なお、図１２（ｂ）に示す例では、１つの液滴を基板Ｐ上に配置した後次の液滴を吐出する際、先に基板上に配置されている液滴の一部に次の液滴を重ねるように吐出する構成であるが、先の液滴を基板Ｐ上に配置してから次の液滴を吐出するまでの間に、基板上の液滴の液体成分（分散媒）の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳＢ５）が行われる。中間乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他にランプアニールを用いた光処理であってもよい。
次に、図１２（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０がパターン形成領域７４の長手方向のもう一方の端部７８に移動される。そして、液滴吐出ヘッド１０から端部７８に対して液滴３０が吐出される。端部７８に対して吐出された液滴は、パターン形成領域７４の端部７８に対して円滑に配置される。パターン形成領域７４は親液化されているので、液滴は良好に濡れ拡がる。
パターン形成領域７４のうち長手方向端部７８に液滴が配置されたら、図１２（ｄ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０が基板Ｐに対してＹ軸方向に相対移動しつつ複数の液滴を順次吐出する。複数の液滴はパターン形成領域７４の長手方向中央部に向かって順次配置され、先に形成されている配線パターンの一部と接続され、これにより配線パターン（膜パターン）７３が形成される。
なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
＜中間乾燥工程＞
基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、機能液の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン（膜パターン）が形成される。
＜焼成工程＞
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。更に、機能液に有機銀化合物が含まれている場合、導電性を得るために、熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、例えば有機銀化合物の有機分を除去するためには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜（配線パターン）７３に変換される。
次に、図１３を参照しながら、配線パターン７３を形成する際の液滴配置手順の他の例について説明する。
まず、図１３（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から吐出した液滴Ｌ１が所定の間隔をあけて基板Ｐ上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド１０は基板Ｐ上で液滴Ｌ１どうしが重ならないように配置する（第１配置工程）。本例では、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板Ｐ上に配置された直後の液滴Ｌ１どうしは重ならずに（接触せずに）、液滴Ｌ１どうしが合体して基板Ｐ上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径の２倍以下となるように設定されている。ここで、基板Ｐ上に液滴Ｌ１を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳＢ５）を行うことができる。
次に、図１３（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作が繰り返される。すなわち図１３（ａ）に示した前回と同様に、液滴吐出ヘッド１０から機能液が液滴Ｌ２として吐出され、その液滴Ｌ２が一定距離ごとに基板Ｐに配置される。このとき、液滴Ｌ２の体積（１つの液滴あたりの機能液の量）、及びその配置ピッチＰ２は前回の液滴Ｌ１と同じである。そして、液滴Ｌ２の配置位置は前回の液滴Ｌ１から１／２ピッチだけシフトされ、基板Ｐ上に配置されている前回の液滴Ｌ１どうしの中間位置に今回の液滴Ｌ２が配置される（第２配置工程）。前述したように、基板Ｐ上の液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は、基板Ｐ上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、その直径の２倍以下である。そのため、液滴Ｌ１の中間位置に液滴Ｌ２が配置されることにより、液滴Ｌ１に液滴Ｌ２が一部重なり、液滴Ｌ１どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板Ｐ上で拡がることは少ない。液滴Ｌ２を基板Ｐ上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて中間乾燥処理を行うことが可能である。
こうした一連の液滴の配置動作を複数回繰り返すことにより、基板Ｐ上に配置される液滴どうしの隙間が埋まり、図１３（ｃ）に示すように、線状の連続した配線パターン７３が基板Ｐ上に形成される。この場合、液滴の配置動作の繰り返し回数を増やすことにより基板Ｐ上に液滴が順次重なり、配線パターン７３の膜厚が増す。
なお、図１３（ｂ）では、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を前回と同じ側（図１３（ａ）に示す左側）としているが逆側（右側）としてもよい。往復動作の各方向への移動時に液滴の吐出を行うことにより、液滴吐出ヘッド１０と基板Ｐとの相対移動の距離を少なくできる。
次に、図１４及び図１５を参照しながら機能液の液滴の配置順序の他の例について説明する。ここで、図１４及び図１５を用いた説明において、１番目に基板Ｐ上（パターン形成領域７４）に配置された液滴には「１」を付し、２番目、３番目…、ｎ番目に配置された液滴には「２」、「３」、…「ｎ」を付している。
図１４に示すように、パターン形成領域７４のうち長手方向一方の端部７６に対して１番目の液滴を配置し、次いで、長手方向他方の端部７８に対して２番目の液滴を配置し、その後、中央部に向かって順次液滴を配置する構成とすることが可能である。
また、図１５に示すように、複数（ここでは３本）の線状パターンを合わせて幅広の配線パターン７３を形成する場合には、一方の端部７６及び他方の端部７８のそれぞれに交互に液滴を配置する構成であってもよい。
また、図１６に示すように、Ｙ軸方向を長手方向としＹ軸方向に複数並んだ吐出ノズルを有する液滴吐出ヘッド１０を用いて基板Ｐ上に液滴を配置する際、パターン形成領域７４の長手方向と液滴吐出ヘッド１０の長手方向とを一致させた状態で、図１６（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０をＸ軸方向に走査しながら、液滴吐出ヘッド１０の複数の吐出ノズルのうち端部７６、７８に対応する吐出ノズルから液滴３０を選択的に吐出し、次いで、図１６（ｂ）及び図１６（ｃ）に示すように、液滴３０をパターン形成領域７４の長手方向中央部に向かって順次配置するようにしてもよい。
なお、上記実施形態において、導電膜配線用の基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
導電膜配線用の機能液として、本例では有機銀化合物を含む導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液体材料）が用いられ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、炭素数５以上の炭化水素、アルコール、エーテル、エステル、ケトン、有機窒素化合物、有機珪素化合物、有機硫黄化合物、もしくはそれらの混合物等が挙げられる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。本実施形態ではジエチレングリコールジエチルエーテルを用いているが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
上記導電性材料の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体材料を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液体材料のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が液体材料の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
＜パターン形成装置＞
次に、本発明のパターン形成装置の一例について図１７を参照しながら説明する。図１７は本実施形態に係るパターン形成装置の概略斜視図である。図１７に示すように、パターン形成装置１００は、液滴吐出ヘッド１０、液滴吐出ヘッド１０をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸２、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３、基板Ｐを載置するための載置台４、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６、クリーニング機構部１４、ヒータ１５、及びこれらを統括的に制御する制御装置８等を備えている。Ｘ方向ガイド軸２及びＹ方向ガイド軸５はそれぞれ、基台７上に固定されている。なお、図１７では、液滴吐出ヘッド１０は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１０の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１０の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
液滴吐出ヘッド１０は導電性微粒子や有機銀化合物を含有する分散液からなる機能液を吐出ノズル（吐出口）から吐出するものであり、Ｘ方向ガイド軸２に固定されている。Ｘ方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させる。Ｘ方向ガイド軸２の回転により、液滴吐出ヘッド１０が基台７に対してＸ軸方向に移動する。
液滴吐出方式としては、圧電体素子であるピエゾ素子を用いて機能液を吐出させるピエゾ方式、機能液を加熱し発生した泡（バブル）により機能液を吐出させるバブル方式など、公知の様々な技術を適用できる。このうちピエゾ方式は機能液に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。なお、本例では、液体材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。
載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させる。Ｙ方向ガイド軸５の回転により、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動する。クリーニング機構部１４は、液滴吐出ヘッド１０をクリーニングし、ノズルの目詰まりなどを防ぐものである。クリーニング機構部１４は、上記クリーニング時において、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動する。ヒータ１５は、ランプアニール等の加熱手段を用いて基板Ｐを熱処理するものであり、基板Ｐ上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行う。
本実施形態のパターン形成装置１００では、液滴吐出ヘッド１０から機能液を吐出しながら、Ｘ方向駆動モータ３及びＹ方向駆動モータ６を介して基板Ｐと液滴吐出ヘッド１０とを相対移動することにより基板Ｐ上に機能液を配置する。液滴吐出ヘッド１０の各ノズルからの液滴の吐出量は制御装置８から前記ピエゾ素子に供給される電圧により制御される。また、基板Ｐ上に配置される液滴のピッチは、上記相対移動の速度、及び液滴吐出ヘッド１０からの吐出周波数（ピエゾ素子への駆動電圧の周波数）によって制御される。また、基板Ｐ上に液滴を開始する位置は、上記相対移動の方向、及び上記相対移動時における液滴吐出ヘッド１０からの液滴の吐出開始のタイミング制御等によって制御される。これにより、基板Ｐ上に上述した配線パターン３３が形成される。
＜プラズマ処理装置＞
図１８は上述した親液化処理（Ｏ２プラズマ処理）あるいは撥液化処理（ＣＦ４プラズマ処理）する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図１８に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの表面全体が連続的に処理される。本実施形態では、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ２）あるいは四フッ化炭素（ＣＦ４）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ２）等の不活性ガスとを混合したものである。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、上述したように、親液化や有機物残渣の除去が行われ、処理ガスとして四フッ化炭素を用いることにより撥液化が行われる。また、このＯ２プラズマ処理を例えば有機ＥＬ装置における電極に対して行うことにより、この電極の仕事関数を調整することができる。
＜電気光学装置＞
次に、本発明の電気光学装置の一例としてプラズマ型表示装置について説明する。図１９は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、先の図９に示したパターン形成装置を用いて、先の図１〜図１６に示したパターンの形成方法に基づいて形成されている。なおバンクを使った実施形態では、バンクＢはアッシング処理により除去されている。
次に、本発明の電気光学装置の他の例として液晶装置について説明する。図２０は本実施形態に係る液晶装置の第１基板上の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実施形態に係る液晶装置は、この第１基板と、走査電極等が設けられた第２基板（図示せず）と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶（図示せず）とから概略構成されている。
図２０に示すように、第１基板３００上の画素領域３０３には、複数の信号電極３１０…が多重マトリクス状に設けられている。特に各信号電極３１０…は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分３１０ａ…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配線部分３１０ｂ…とから構成されており、Ｙ方向に伸延している。また、符号３５０は１チップ構造の液晶駆動回路で、この液晶駆動回路３５０と信号配線部分３１０ｂ…の一端側（図中下側）とが第１引き回し配線３３１…を介して接続されている。また、符号３４０…は上下導通端子で、この上下導通端子３４０…と、図示しない第２基板上に設けられた端子とが上下導通材３４１…によって接続されている。また、上下導通端子３４０…と液晶駆動回路３５０とが第２引き回し配線３３２…を介して接続されている。
本実施形態では、上記第１基板３００上に設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線３３１…、及び第２引き回し配線３３２…がそれぞれ、先の図１７に示したパターン形成装置を用いて、先の図１〜図１６を用いて説明したパターンの形成方法に基づいて形成されている。また、大型化した液晶用基板の製造に適用した場合においても、配線用材料を効率的に使用することができ、低コスト化が図れる。なお、本発明が適用できるデバイスは、これらの電気光学装置に限られず、例えば導電膜配線が形成される回路基板や、半導体の実装配線等、他のデバイス製造にも適用が可能である。
図２１は液晶表示装置の画素毎に設けられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ６０を示す図であって、基板Ｐには上記実施形態のパターンの形成方法によりゲート配線６１が基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に形成されている。ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ+型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極６９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極６９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述したパターン形成装置１００を用いて、有機銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
図２２は、前記液滴吐出装置１００により一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図２２を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図２２において、有機ＥＬ装置４０１は、基板４１１、回路素子部４２１、画素電極４３１、バンク部４４１、発光素子４５１、陰極４６１（対向電極）、および封止基板４７１から構成された有機ＥＬ素子４０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部４２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ６０が基板４１１上に形成され、複数の画素電極４３１が回路素子部４２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ６０を構成するゲート配線６１が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
各画素電極４３１間にはバンク部４４１が格子状に形成されており、バンク部４４１により生じた凹部開口４４４に、発光素子４５１が形成されている。なお、発光素子４５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置４０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極４６１は、バンク部４４１および発光素子４５１の上部全面に形成され、陰極４６１の上には封止用基板４７１が積層されている。
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置４０１の製造プロセスは、バンク部４４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子４５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子４５１を形成する発光素子形成工程と、陰極４６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板４７１を陰極４６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
発光素子形成工程は、凹部開口４４４、すなわち画素電極４３１上に正孔注入層４５２および発光層４５３を形成することにより発光素子４５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層４５２を形成するための液状体材料を各画素電極４３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層４５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層４５３を形成するための液状体材料を正孔注入層４５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層４５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層４５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記の液滴吐出装置１００を用いることができる。
また、上述した実施形態においては、本発明に係るパターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図２３〜図２６を参照しながら説明する。
図２３に示すように、まず、洗浄したガラス基板６１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝６１１ａを設けるための第１層目のバンク６１１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。このバンク６１１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。
この形成後のバンク６１１に撥液性を持たせるために、ＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク６１１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
以上のようにして撥液化されたバンク６１１の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上、またガラス面の接触角としては、１０°以下を確保することが好ましい。すなわち、本発明者らが試験により確認した結果、例えば導電性微粒子（テトラデカン溶媒）に対する処理後の接触角は、バンク６１１の素材としてアクリル樹脂系を採用した場合には約５４．０°（未処理の場合には１０°以下）を確保することができる。なお、これら接触角は、プラズマパワー５５０Ｗのもと、４フッ化メタンガスを０．１Ｌ／ｍｉｎで供給する処理条件下で得たものである。
上記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程（第１回目の導電性パターン形成工程）では、バンク６１１で区画された描画領域である前記溝６１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することでゲート走査電極６１２を形成する。そして、ゲート走査電極６１２を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極６１２は、バンク６１１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１１とゲート走査電極６１２からなる平坦な上面を備えた第１の導電層Ａ１が形成される。
また、溝６１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図２３に示すように、この溝６１１ａの形状として準テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
次に、図２４に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜６１３、活性層６１０、コンタクト層６０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜６１３として窒化シリコン膜、活性層６１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層６０９としてｎ＋シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図２５に示すように、ゲート絶縁膜６１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記溝６１１ａと交差する溝６１４ａを設けるための２層目のバンク６１４を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンク６１４としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。
この形成後のバンク６１４に撥液性を持たせるためにＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク６１４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
以上のようにして撥液化されたバンク６１４の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上を確保することが好ましい。
上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程（第２回目の導電性パターン形成工程）では、バンク６１４で区画された描画領域である前記溝６１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図２６に示すように、前記ゲート走査電極６１２に対して交差するソース電極６１５及びソース電極６１６が形成される。そして、ソース電極６１５及びドレイン電極６１６を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極６１５及びドレイン電極６１６は、バンク６１４に十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１４ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
また、ソース電極６１５及びドレイン電極６１６を配置した溝６１４ａを埋めるように絶縁材料６１７が配置される。以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１４と絶縁材料６１７からなる平坦な上面６２０が形成される。
そして、絶縁材料６１７にコンタクトホール６１９を形成するとともに、上面６２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）６１８を形成し、コンタクトホール６１９を介してドレイン電極６１６と画素電極６１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
図２７は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図２７に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図２７においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の例について説明する。図２８は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した電気光学装置１１０６を備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、発光効率が高く明るい表示部を備えた電子機器を提供することができる。
なお、上述した例に加えて、他の例として、携帯電話、腕時計型電子機器、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるもの、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターンの形成手順の一例を示す模式図である。 本発明のパターン形成装置の一実施形態を示す模式図である。 プラズマ処理装置の一例を示す模式図である。 本発明の電気光学装置の一例を示す図であってプラズマ型表示装置を示す模式図である。 本発明の電気光学装置の一例を示す図であって液晶表示装置を示す模式図である。 本発明のデバイスの製造方法により製造されたデバイスの一例を示す図であって薄膜トランジスタを示す模式図である。 有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。 液晶表示装置の別形態を示す図である。 本発明の電子機器の具体例を示す図である。
符号の説明
１０…液滴吐出ヘッド（液滴吐出装置）、３０…液滴、
３３…配線パターン（膜パターン）、３４…溝部、３５…底部、３６、３８…端部、
７３…配線パターン（膜パターン）、７４…パターン形成領域、７６、７８…端部、
１００…パターン形成装置（液滴吐出装置）、Ｂ…バンク、
Ｆ…撥液領域（撥液性膜領域）、Ｐ…基板

Claims (19)

  1. 機能液の液滴を基板上に配置することにより、前記基板の表面と平行な所定面内の所定方向に長い線状の膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
    前記基板上に前記所定方向に長い溝部が形成されるようにバンクを形成する工程と、
    前記溝部の一方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方の端部に液滴を配置した後、少なくとも前記溝部の他方の端部と中央部との間に液滴が配置される前に、前記溝部の他方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方及び他方の端部に液滴を配置した後、前記溝部のうち前記一方及び他方の端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
  2. 前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程を有することを特徴とする請求項１記載のパターンの形成方法。
  3. 前記溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載のパターンの形成方法。
  4. 前記一方の端部に液滴を配置した後、前記他方の端部に液滴を配置する前に、複数の液滴を前記溝部の前記一方の端部から中央部に向かって、前記中央部まで順次配置する工程と、
    前記他方の端部に液滴を配置した後、複数の液滴を前記溝部の前記他方の端部から前記中央部に向かって順次配置する工程とを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
  5. 前記機能液には導電性材料が含まれることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
  6. 機能液の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により所定面内の所定方向に長い線状の膜パターンを形成するパターン形成装置であって、
    前記液滴を吐出する吐出口を有する液滴吐出ヘッドと、
    前記基板の表面が前記所定面と平行になるように前記基板を載置する載置台と、
    前記液滴吐出ヘッドを前記所定面内で移動する第１駆動装置と、
    前記載置台を前記所定面内で移動する第２駆動装置と、
    前記基板上に前記膜パターンに応じて予め形成されたバンク間の前記所定方向に長い溝部に複数の液滴を順次配置するように、前記液滴吐出ヘッド、前記第１駆動装置、及び前記第２駆動装置を制御する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記液滴を順次配置する際、前記溝部の一方の端部に液滴を配置し、前記一方の端部に液滴を配置した後、少なくとも前記溝部の他方の端部と中央部との間に液滴が配置される前に、前記溝部の他方の端部に液滴を配置し、前記他方の端部に前記液滴を配置した後、該溝部のうち前記一方及び他方の端部以外の位置に液滴を配置するように前記制御することを特徴とするパターン形成装置。
  7. 基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、
    請求項１〜請求項５のいずれか一項記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
  8. 機能液の液滴を基板上に配置することにより、前記基板の表面と平行な所定面内の所定方向に長い線状の膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
    前記基板上に設定された前記膜パターンを形成するための前記所定方向に長いパターン形成領域を囲む領域に撥液性膜を設ける工程と、
    前記パターン形成領域の一方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方の端部に液滴を配置した後、少なくとも前記パターン形成領域の他方の端部と中央部との間に液滴が配置される前に、前記パターン形成領域の他方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方及び他方の端部に液滴を配置した後、前記パターン形成領域の前記一方及び他方の端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
  9. 前記撥液性膜は前記基板の表面に形成された単分子膜であることを特徴とする請求項８記載のパターンの形成方法。
  10. 前記単分子膜は有機分子からなる自己組織化膜であることを特徴とする請求項９記載のパターンの形成方法。
  11. 前記撥液性膜はフッ化重合膜であることを特徴とする請求項１０記載のパターンの形成方法。
  12. 前記パターン形成領域に親液性を付与する親液化処理工程を有することを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
  13. 前記一方の端部に液滴を配置した後、前記他方の端部に液滴を配置する前に、複数の液滴を前記パターン形成領域の前記一方の端部から中央部に向かって、前記中央部まで順次配置する工程と、
    前記他方の端部に液滴を配置した後、複数の液滴を前記パターン形成領域の前記他方の端部から前記中央部に向かって順次配置する工程とを有することを特徴とする請求項８〜１２のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
  14. 複数の液滴により前記膜パターンを形成する際、
    前記基板上で液滴どうしが重ならないように複数の液滴を配置する第１配置工程と、
    前記第１配置工程で前記基板上に配置された複数の液滴どうしの間に液滴を配置する第２配置工程とを有することを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
  15. 前記機能液には導電性材料が含まれることを特徴とする請求項８〜１４のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
  16. 機能液の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により所定面内の所定方向に長い線状の膜パターンを形成するパターン形成装置であって、
    前記液滴を吐出する吐出口を有する液滴吐出ヘッドと、
    前記基板の表面が前記所定面と平行になるように前記基板を載置する載置台と、
    前記液滴吐出ヘッドを前記所定面内で移動する第１駆動装置と、
    前記載置台を前記所定面内で移動する第２駆動装置と、
    前記基板上に前記膜パターンに応じて予め形成された、撥液性膜に囲まれた前記所定方向に長いパターン形成領域に複数の液滴を順次配置するように、前記液滴吐出ヘッド、前記第１駆動装置、及び前記第２駆動装置を制御する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記液滴を順次配置する際、前記パターン形成領域の一方の端部に液滴を配置し、前記一方の端部に液滴を配置した後、少なくとも前記パターン形成領域の他方の端部と中央部との間に液滴が配置される前に、前記パターン形成領域の他方の端部に液滴を配置し、前記他方の端部に液滴を配置した後、該パターン形成領域のうち前記一方及び他方の端部以外の位置に液滴を配置するように前記制御することを特徴とするパターン形成装置。
  17. 基板上に膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、
    請求項８〜請求項１５のいずれか一項記載のパターンの形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
  18. アクティブマトリクス基板の製造方法において、
    基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、
    前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
    前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、
    前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、
    前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する第６の工程と、を有し、
    前記第１の工程及び前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも一つの工程は、
    前記基板上に該基板の表面と平行な所定面内の前記所定方向に長い溝部が形成されるようにバンクを形成する工程と、
    前記溝部の一方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方の端部に液滴を配置した後、少なくとも前記溝部の他方の端部と中央部との間に液滴が配置される前に、前記溝部の他方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方及び他方の端部に液滴を配置した後、前記溝部のうち前記一方及び他方の端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
  19. アクティブマトリクス基板の製造方法において、
    基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、
    前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
    前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、
    前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、
    前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、
    前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する第６の工程と、を有し、
    前記第１の工程及び前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも一つの工程は、
    前記基板上に設定された該基板の表面と平行な所定面内の所定方向に長いパターン形成領域を囲む領域に撥液性膜を設ける工程と、
    前記パターン形成領域の一方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方の端部に液滴を配置した後、少なくとも前記パターン形成領域の他方の端部と中央部との間に液滴が配置される前に、前記パターン形成領域の他方の端部に液滴を配置する工程と、
    前記一方及び他方の端部に液滴を配置した後、前記パターン形成領域の前記一方及び他方の端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
JP2004095976A 2003-05-16 2004-03-29 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 Expired - Fee Related JP4103830B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004095976A JP4103830B2 (ja) 2003-05-16 2004-03-29 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法
US10/843,418 US7008809B2 (en) 2003-05-16 2004-05-12 Pattern formation method and pattern formation apparatus, method for manufacturing device, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate
KR1020040033687A KR100569692B1 (ko) 2003-05-16 2004-05-13 패턴의 형성 방법, 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조방법, 전기 광학 장치, 전자 기기, 및 액티브 매트릭기판의 제조 방법
CNB200410043331XA CN1331191C (zh) 2003-05-16 2004-05-14 图案的形成方法及其装置、器件的制造方法、电光学装置
TW093113722A TWI263465B (en) 2003-05-16 2004-05-14 Pattern formation method and pattern formation apparatus, method for manufacturing device, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate
US11/302,147 US20060099759A1 (en) 2003-05-16 2005-12-14 Pattern formation method and pattern formation apparatus, method for manufacturing device, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003139192 2003-05-16
JP2003139191 2003-05-16
JP2004095976A JP4103830B2 (ja) 2003-05-16 2004-03-29 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005005676A JP2005005676A (ja) 2005-01-06
JP4103830B2 true JP4103830B2 (ja) 2008-06-18

Family

ID=33568336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004095976A Expired - Fee Related JP4103830B2 (ja) 2003-05-16 2004-03-29 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7008809B2 (ja)
JP (1) JP4103830B2 (ja)
KR (1) KR100569692B1 (ja)
CN (1) CN1331191C (ja)
TW (1) TWI263465B (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4123172B2 (ja) * 2003-04-01 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP3788467B2 (ja) * 2003-05-28 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
JP4052295B2 (ja) * 2004-08-25 2008-02-27 セイコーエプソン株式会社 多層配線基板の製造方法、電子デバイス及び電子機器
JP3807425B2 (ja) * 2004-08-27 2006-08-09 セイコーエプソン株式会社 配線パターン形成方法およびｔｆｔ用ゲート電極の形成方法
KR100671813B1 (ko) * 2004-10-15 2007-01-19 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막 패턴 형성 방법, 반도체 장치, 전기 광학 장치, 및전자 기기
JP4309331B2 (ja) * 2004-11-26 2009-08-05 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 表示装置の製造方法及びパターン形成方法
WO2006076608A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation A system and process for manufacturing custom electronics by combining traditional electronics with printable electronics
WO2006076610A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
US20060160373A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Processes for planarizing substrates and encapsulating printable electronic features
US20060176350A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-10 Howarth James J Replacement of passive electrical components
WO2006076606A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Optimized multi-layer printing of electronics and displays
US20060158497A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Karel Vanheusden Ink-jet printing of compositionally non-uniform features
JP4179288B2 (ja) 2005-02-01 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 膜パターン形成方法
JP2006313652A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Casio Comput Co Ltd 表示装置の製造方法
JP4345710B2 (ja) * 2005-05-11 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法
KR100833017B1 (ko) * 2005-05-12 2008-05-27 주식회사 엘지화학 직접 패턴법을 이용한 고해상도 패턴형성방법
JP4785447B2 (ja) * 2005-07-15 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4458075B2 (ja) * 2005-08-26 2010-04-28 セイコーエプソン株式会社 層形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および多層配線基板の製造方法
TWI334649B (en) 2005-09-27 2010-12-11 Lg Chemical Ltd Method for forming buried contact electrode of semiconductor device having pn junction and optoelectronic semiconductor device using the same
KR100786970B1 (ko) * 2005-09-27 2007-12-17 주식회사 엘지화학 ｐ-ｎ 접합 반도체 소자의 매립 접촉전극 형성 방법 및이를 이용한 광전자 반도체 소자
JP4424304B2 (ja) * 2005-12-07 2010-03-03 セイコーエプソン株式会社 ディスプレイの製造方法、ディスプレイおよび電子機器
JP4331167B2 (ja) 2006-01-19 2009-09-16 株式会社フューチャービジョン パターン形成方法及びその装置
JP2007311377A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびに表示装置
US20080102253A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Icf Technology Limited. Patterned thin-film layer and method for manufacturing same
JP5082706B2 (ja) * 2007-09-18 2012-11-28 セイコーエプソン株式会社 プリント配線基板の製造方法
JP5157582B2 (ja) * 2008-03-28 2013-03-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法
GB2462845B (en) * 2008-08-21 2011-07-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
KR101182226B1 (ko) * 2009-10-28 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 도포 장치, 이의 도포 방법 및 이를 이용한 유기막 형성 방법
US9603257B2 (en) * 2010-10-22 2017-03-21 Sony Corporation Pattern substrate, method of producing the same, information input apparatus, and display apparatus
JP5575309B1 (ja) * 2013-08-05 2014-08-20 有限会社 ナプラ 集積回路装置
CN104679343B (zh) * 2015-03-26 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示装置、触摸面板、导电搭桥方法及搭桥结构
WO2018179133A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置、コントローラ
CN109119550B (zh) * 2018-09-11 2021-02-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 喷墨打印的方法、像素结构、oled基板、显示装置
JP2020167023A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 住友化学株式会社 有機ｅｌデバイス用隔壁付基板の製造方法及び有機ｅｌデバイスの製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0417294A4 (en) * 1989-03-23 1991-12-27 Kirill Petrovich Zybin Method and device for making integrated circuits
JP3025091B2 (ja) * 1992-02-14 2000-03-27 キヤノン株式会社 有機薄膜及びその製造方法
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP1027723B1 (en) * 1997-10-14 2009-06-17 Patterning Technologies Limited Method of forming an electric capacitor
CN100530760C (zh) * 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
JP4741045B2 (ja) 1998-03-25 2011-08-03 セイコーエプソン株式会社 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
JP2000216330A (ja) 1999-01-26 2000-08-04 Seiko Epson Corp 積層型半導体装置およびその製造方法
KR20010066444A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 이경수 금속배선 형성방법
KR100403714B1 (ko) * 2000-06-10 2003-11-01 씨씨알 주식회사 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법
GB2373095A (en) * 2001-03-09 2002-09-11 Seiko Epson Corp Patterning substrates with evaporation residues
JP2003177232A (ja) * 2001-10-02 2003-06-27 Seiko Epson Corp カラーフィルタ及びその製造方法及び表示装置並びに電子機器
JP2003115464A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Seiko Epson Corp パターン形成方法およびパターン形成用マスク並びにパターン形成装置
JP2003159786A (ja) * 2001-11-28 2003-06-03 Seiko Epson Corp 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置
JP2003159787A (ja) * 2001-11-28 2003-06-03 Seiko Epson Corp 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置
JP4168788B2 (ja) * 2003-03-06 2008-10-22 セイコーエプソン株式会社 成膜方法、カラーフィルタ基板の製造方法、エレクトロルミネッセンス装置用基板の製造方法、表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100569692B1 (ko) 2006-04-11
US20060099759A1 (en) 2006-05-11
TWI263465B (en) 2006-10-01
US7008809B2 (en) 2006-03-07
KR20040099135A (ko) 2004-11-26
TW200505311A (en) 2005-02-01
CN1574201A (zh) 2005-02-02
CN1331191C (zh) 2007-08-08
JP2005005676A (ja) 2005-01-06
US20050009230A1 (en) 2005-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4103830B2 (ja) パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法
JP3966292B2 (ja) パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
TWI236325B (en) Thin-film pattern formation method, manufacturing method of thin-film pattern forming device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4604743B2 (ja) 機能性基板の製造方法、機能性基板、微細パターンの形成方法、導電膜配線、電子光学装置および電子機器
JP2005012173A (ja) 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP2005019955A (ja) 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2004146796A (ja) 膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP3966293B2 (ja) パターンの形成方法及びデバイスの製造方法
JP3966294B2 (ja) パターンの形成方法及びデバイスの製造方法
TW200422431A (en) Surface treatment method, surface treatment device, surface treated plate, photoelectric device, electronic machine
US20060183036A1 (en) Method of forming film pattern, method of manufacturing device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4120455B2 (ja) パターンの形成方法及びデバイスの製造方法
JP2004349640A (ja) パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器
JP2005268693A (ja) パターン形成方法、回路基板および電子機器
JP2004305990A (ja) パターン形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4539032B2 (ja) 膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法
JP3951792B2 (ja) 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP2007049186A (ja) 配線形成方法
JP4955919B2 (ja) 配線形成方法
JP2004349638A (ja) パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2004127676A (ja) 配線パターン用インク、配線パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP3821079B2 (ja) 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器並びに非接触型カード媒体
JP2004296668A (ja) パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP2004349639A (ja) パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2005052835A (ja) 膜パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、及び薄膜トランジスタ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees