CN1331191C - 图案的形成方法及其装置、器件的制造方法、电光学装置 - Google Patents
图案的形成方法及其装置、器件的制造方法、电光学装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1331191C CN1331191C CNB200410043331XA CN200410043331A CN1331191C CN 1331191 C CN1331191 C CN 1331191C CN B200410043331X A CNB200410043331X A CN B200410043331XA CN 200410043331 A CN200410043331 A CN 200410043331A CN 1331191 C CN1331191 C CN 1331191C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- drop
- film
- configuration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
提供一种在贮存格端部也能顺利配置液滴,形成具有所需形状的膜图案的图案形成方法。本发明的图案形成方法,是通过在基板上配置功能液的液滴形成膜图案(33)的方法,其中具有在基板上形成与膜图案(33)对应的贮存格B的工序;在贮存格B、B间沟槽部(34)的端部(36)、(38)配置液滴的工序;和在端部(36)、(38)配置液滴后,在沟槽部(34)中端部(36)、(38)以外位置上配置液滴的工序。
Description
技术领域
本发明涉及在基板上设置功能液滴形成图案的图案形成方法和图案形成装置、器件及其制造方法、电光学装置及电子仪器、以及有源矩阵基板的制造方法。
背景技术
作为过去半导体集成电路等具有微细配线图案(膜图案)的器件的制造方法虽然大多采用光刻法,但是采用液滴喷出法的区间制造方法却备受注目。这种液滴喷出法具有在功能液的消耗上浪费少、容易控制在基板上设置的功能液的量或位置等优点。在以下专利文献中公开了有关液滴喷出法的技术。
专利文献1:特开平11-274671号公报
专利文献2:特开2000-216330号公报
然而近年来,构成器件的电路逐渐推进高密度化,关于配线图案进一步要求微细化和细线化,但是要形成微细配线图案的情况下,特别是要保证配线线宽的精度极为困难。因此有人提出,在基板上设置作隔离部件用的贮存格,在此贮存格间的沟槽部配置功能液的方案。然而据查明,在贮存格间的沟槽部配置液滴时,在沟槽部,特别是在端部液滴往往不能充分湿润扩展。
另一方面,采用光刻法形成上述贮存格成本虽高但却是可能。所以也有人提出事先将在基板上形成的疏液区域和亲液区域图案化,将液滴选择性地配置在亲液区域的方法。采用这种方法,有可能使液滴顺利地配置在亲液区域,在不形成贮存格的情况下以高位置精度将液滴配置在基板上。然而据查明,事先在基板上使疏液区域和亲液区域图案化,将液滴选择性配置在亲液区域的方法中,所形成膜图案的图案形状和外观被液滴的配置顺序所左右。
发明内容
本发明正是鉴于上述情况而提出的,目的在于提供一种在采用液滴喷出法形成配线图案等膜图案时,还能将液滴顺利地配置在贮存格的端部,形成具有所需图案形状的膜图案的图案形成方法和图案形成装置、以及器件的制造方法。本发明目的还在于提供一种具有以所需图案形状形成的膜图案的电光学装置和电子仪器。
此外,本发明目的也在于提供一种在用液滴喷出法形成配线图案等膜图案时,能形成具有所需图案形状的膜图案的图案形成方法和图案形成装置、以及器件的制造方法。本发明目的还在于提供一种具有以所需图案形状形成的膜图案的电光学装置和电子仪器。
为了解决上述课题,本发明的图案形成方法,是通过在基板上配置功能液的液滴形成膜图案的图案形成方法,其特征在于,具有:在所述的基板上以所定图案形状形成贮存格的工序,在所述的贮存格间的沟槽部端部配置液滴的工序,在所述的端部配置液滴后在所述的沟槽部中所述的端部以外的位置上配置液滴的工序。
根据本发明,在贮存格间的沟槽部配置液滴时,由于使液滴最初配置在沟槽部的端部,所以液滴穿过贮存格的侧面流下,可以将其顺利地配置在贮存格侧面与沟槽部底部之间的角落部分。因而能够将膜图案形成所需的形状。而且一旦最初将液滴配置在沟槽部中央后再将这种液滴对着端部连续配置,被配置在端部的液滴就会受在先配置液滴的影响,有可能从贮存格间(沟槽部)溢出,而最初将液滴配置在端部的情况下,即使将此液滴连续配置在端部以外的位置上,也可以抑制液滴从贮存格间(沟槽部)溢出。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,具有对所述的贮存格赋予疏液性的疏液化处理工序。根据本发明,将功能液液滴配置在贮存格间沟槽部时,即使一部分被喷出的功能液液滴落在贮存格上,因贮存格被赋予疏液性而从贮存格离开(不沾),就会经过贮存格落入沟槽部的底部。因而能将被喷出的功能液良好地配置在贮存格间的底部。这里作为疏液化处理工序,可以采用使用含有四氟化碳(CF4)的处理气体的等离子体处理。这样能够在贮存格导入含氟基团,使贮存格变成具有不依赖于功能液溶剂的疏液性。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,具有对所述的沟槽部的底部赋予亲液性的亲液化处理工序。根据本发明,通过对沟槽的底部赋予亲液性,将使液滴在底部能良好地湿润扩展。这里作为亲液化工序,可以采用使用含氧(O2)处理气体的等离子体处理,或者采用紫外线(UV)照射处理。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,在所述的端部配置液滴后,依次向所述的沟槽部的中央部分配置多个液滴。这样液滴能够沿着沟槽部依次配置,能够很好地形成配线图案等线状膜图案。
而且本发明的图案形成方法中,其特征在于,虽然连续配置液滴也能形成贮存格,但是由于有可能产生隆起(bulge),所以优选在第一配置工序中以液滴间的间隔在基板上配置后,在第二配置工序中将液滴配置得将此液滴之间填埋。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,在所述的功能液中含有导电性材料。而且其特征在于,所述的功能液通过热处理或光处理而呈现导电性。根据本发明,能够将薄膜图案制成配线图案,能够应用于各种器件中。而且除导电性材料之外,使用有机EL等发光元件形成材料和R·G·B油墨材料的情况下,还能用于带有有机EL装置或彩色滤光片的液晶显示装置等的制造之中。
本发明的图案形成装置,是备有在基板上配置功能液液滴的液滴喷出装置,用所述的液滴形成膜图案的图案形成装置,其特征在于,所述的液滴喷出装置在所述的基板上根据所定图案事先形成的贮存格间沟槽部上依次配置多个液滴,依次配置所述的液滴时,在所述沟槽部端部配置液滴后,在该沟槽部中所述的端部以外位置上配置液滴。
根据本发明,能将液滴顺利地配置在贮存格间沟槽部的端部,形成具有所需图案形状的膜图案。
本发明的器件的制造方法,其特征在于,在具有在基板上形成膜图案工序的器件的制造方法中,利用上述的图案形成方法在所述的基板上形成膜图案。
根据本发明,能够制造直至端部都具有良好地形成的膜图案的器件。
本发明的电光学装置,其特征在于,备有用上述器件制造方法制造的器件。而且本发明的电子仪器,其特征在于,备有上述的电光学装置。根据本发明,由于备有直至端部都具有良好地形成的膜图案的、有利于电传导的膜图案,可以提供发挥良好性能的电光学装置和电子仪器。
这里作为电光学装置,例如可以举出等离子体型显示装置、液晶显示装置和有机电致发光显示装置等。
本发明的图案形成方法,是通过在基板上配置功能液的液滴形成膜图案的图案形成方法,其特征在于,具有:在所述的基板上设定的将形成所定图案的图案形成区域包围的区域设置疏液膜性的工序;在所述的图案形成区域的端部配置液滴的工序;以及在所述的端部配置液滴后,在所述的图案形成区域的所述的端部以外位置上配置液滴的工序。
根据本发明,由于设置疏液性膜将形成膜图案的图案形成区域包围,所以可以将被喷出的液滴顺利地配置在图案形成区域。于是在图案形成区域配置液滴时,由于最初将液滴配置在图案形成区域的端部,而且由于将液滴顺利地配置在图案形成区域的端部,所以能够使膜图案形成所需的图案形状。而且一旦最初将液滴配置在图案形成区域的中央后再连续于此液滴地配置在端部,被配置在端部的液滴就会受在先配置液滴的影响而有可能从图案形成区域溢出,但是最初将液滴配置在端部的情况下,即使将此液滴连续配置在端部以外的位置上,也能抑制液滴从图案形成区域溢出。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,所述的疏液性膜是在所述的基板表面上形成的单分子膜。而且这种单分子膜,其特征在于是由有机分子组成的自组织化膜。这样能够容易形成疏液性膜。作为自组织化膜,可以举出由氟代烷基甲硅烷基组成的自组织化膜。
而且所述的疏液性膜也可以是氟化聚合膜。氟化聚合膜,例如,能够通过以氟代烃类化合物作为反应气体的等离子体处理容易形成。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,具有对所述的图案形成区域赋予亲液性的亲液化处理工序。根据本发明,通过对图案形成区域赋予亲液性,能使液滴在图案形成区域良好地湿润和扩展。其中可以采用紫外线(UV)照射处理作为亲液化处理工序。这样能够使疏液性膜遭到破坏、仅仅照射紫外线的这一简单方式赋予亲液性。而且能够在仅仅调整紫外线照射时间和照射紫外线功率的简单构成下调整到所需的亲液性。
或者还可以通过将基板暴露在臭氧气氛中的方式赋予亲液性。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,在所述的端部配置液滴后,向所述的图案形成区域的中央部分依次配置多个液滴。这样液滴沿着图案形成区域被依次配置,因而能顺利地形成配线图案等线状膜图案。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,包括用多个液滴形成在所述的膜图案时,将多个液滴配置得在所述的基板上液滴之间互相不重叠的第一配置工序;和在所述的第一工序中于所述的基板上配置的多个液滴之间配置液滴的第二配置工序。根据本发明,通过配置多个液滴形成膜图案时,由于在第一配置工序中以液滴之间间隔在基板上配置后,在第二配置工序中将液滴配置得将此液滴之间填埋,所以不但能抑制隆起的产生,而且还能用多个液滴使膜图案连续。也就是说,一旦连续喷出液滴使多个液滴配置得在液滴之间不间断就容易产生隆起,但是将配置动作(喷出动作)分成数次,第一配置动作中间隔配置液滴,在第二配置动作中补足基板上液滴之间的间隙,这种情况下不但能够抑制隆起的产生,而且还能利用多个液滴确实使膜图案连续。
本发明的图案形成方法中,其特征在于,在所述的功能液中含有导电性材料。此外其特征在于,所述的功能液经过热处理或光处理而呈现导电性。根据本发明能将薄膜图案制成配线图案,应用于各种器件中。而且除导电性材料之外,使用有机EL等发光元件形成材料和RGB的油墨材料的情况下,还能适用于制造具有有机EL装置和彩色滤光片的液晶显示装置等。
本发明的图案形成装置,是备有在基板上配置功能液液滴的液滴喷出装置,用所述的液滴形成膜图案的图案形成装置,其特征在于,事先在所述的基板上将形成所定图案的图案形成区域包围的区域上设置疏液性膜,所述的液滴喷出装置在所述的图案形成区域依次配置多个液滴,依次配置所述的液滴时,在所述的图案形成区域的端部配置液滴后,在该图案形成区域中所述的端部以外的位置上配置液滴。
根据本发明能够将液滴顺利地配置在图案形成区域直至端部,形成具有所需图案形状的膜图案。
本发明器件的制造方法,其特征在于,在具有在基板上形成膜图案工序的器件制造方法中,用上述的图案形成方法在所述的基板上形成膜图案。
根据本发明,能够制造其中具有直至端部良好地形成的膜图案的器件。
本发明的电光学装置,其特征在于,备有用上述的器件制造方法制造的器件。而且本发明的电子仪器,其特征在于,备有上述的电光学装置。根据本发明,由于备有直至端部良好地形成的、有利于导电的膜图案,所以能够提供一种可以发挥良好性能的电光学装置和电子仪器。
这里所述的电光学装置,例如可以举出等离子体型显示装置、液晶显示装置和有机电致发光显示装置。
本发明的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,具有:在基板形成栅极配线的第一工序;在所述的栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序;介于所述的栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序;在所述的栅极绝缘层上形成源电极和漏电极的第四工序;在所述的源电极和所述的漏电极上配置绝缘材料的第五工序;和形成与所述的漏电极电连接的像素电极的第六工序,其中在所述的第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中至少一个工序具有:在所述的基板上形成与所定图案对应的贮存格的工序;在所述的贮存格间沟槽部的端部配置液滴的工序;和在所述的端部配置液滴后,在所述的沟槽部中所述的端部以外的位置上配置液滴的工序。
根据本发明由于还能将液滴顺利地配置在贮存格间沟槽部的端部形成具有所需形状的膜图案,所以能够制造具有所需性能的有源矩阵基板。
本发明的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,在有源矩阵基板的制造方法中具有:在基板形成栅极配线的第一工序;在所述的栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序;介于所述的栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序;在所述的栅极绝缘层上形成源电极和漏电极的第四工序;在所述的源电极和所述的漏电极上配置绝缘材料的第五工序;和形成与所述的漏电极电连接的像素电极的第六工序,其中在所述的第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中的至少一个工序具有:在所述的基板上设定的将形成所定图案的图案形成区域包围的区域上设置疏液性膜的工序;在所述的图案形成区域的端部配置液滴的工序;和在所述的端部配置液滴后,在所述的图案形成区域的所述的端部以外位置上配置液滴的工序。
根据本发明由于能够形成具有所需形状的膜图案,所以能够制造具有所需性能的有源矩阵基板。
上述液滴喷出装置(喷墨装置)的喷出方式,可以举出带电控制方式、加压振动方式、电机转换方式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是指用带电电极对材料赋予电荷,用偏转电极控制材料的飞翔方向使之从喷嘴中喷出的方式。加压振动方式是指对材料施加30千克/平方厘米左右的超高压,使材料向喷嘴尖端侧喷出的方式,在不加控制电压的情况下,材料可以直接进入喷嘴喷出,施加控制电压后在材料之间就会产生静电排斥作用,使材料飞散而不能从喷嘴喷出。此外,电机转换方式是指利用压电元件(压电元件)接受脉冲电信号后变形的性质,借助于压电元件变形通过柔性物质向储存材料的空间内施压,挤压材料使之从此空间中喷嘴喷出的方式。而且电热转换方式是指利用在储存材料空间内设置的加热器使材料急剧气化而产生气泡,借助于气泡的压力使空间内的材料喷出的方式。静电吸引方式是指对储存材料的空间施加微小压力,使喷嘴中形成材料弯月面,在这种状态下施加静电引力后将材料吸引出来的方式。此外还可以采用利用电场使流体粘性变化的方式,以及利用放电火花飞翔的方式等技术。液滴喷出法具有材料使用浪费少,而且能在所需位置准确配置所需量材料的优点。另外,利用液滴喷出法喷出一滴功能液(液体材料)的量,例如为1~300纳克。
所谓含有功能液的液体材料是指,备有从液滴喷头(油墨喷头)的喷嘴能够喷出的粘度的介质。无论是水性的还是油性的均可。只要是备有能从喷嘴中喷出的足够的流动性(粘度)的,也可以是混入了固体但总体上是流体的。而且液体材料中所含的材料,除以微粒形式分散在溶剂中的之外,还可以是被加热到熔点以上熔化的材料,或者是除溶剂以外还添加了染料或颜料等其他功能性材料的。此外,基板除平板之外,也可以是曲面状基板。不仅如此,图案形成面的硬度不必很硬,除玻璃和塑料、金属以外,也可以是薄膜、纸张、橡胶等具有柔性的表面。
附图说明
图1是表示本发明的图案形成方法的一种实施方式的流程图。
图2是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图3是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图4是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图5是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图6是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图7是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图8是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图9是表示本发明的图案形成方法的一种实施方式的流程图。
图10是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图11是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图12是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图13是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图14是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图15是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图16是表示本发明的图案形成顺序的一个实例的示意图。
图17是表示本发明的图案形成方法的一种实施方式的流程图。
图18是表示图一种等离子体处理装置的示意图。
图19是表示本发明电光学装置的一个实例的图,是表示等离子体型显示装置的示意图。
图20是表示本发明电光学装置的一个实例的图,是液晶显示装置的示意图。
图21是表示用本发明的器件制造方法制造的一个器件实例的视图,是表示薄膜晶体管的示意图。
图22是表示有机EL装置的局部放大剖面图。
图23是制造薄膜晶体管用制造工序的说明图。
图24是制造薄膜晶体管用制造工序的说明图。
图25是制造薄膜晶体管用制造工序的说明图。
图26是制造薄膜晶体管用制造工序的说明图。
图27是表示液晶显示装置的另一实施方式的视图。
图28是表示本发明的电子仪器的具体实例的视图。图中,
10…液滴喷头(液滴喷出装置)、30…液滴、33…配线图案(膜图案)、34…沟槽部、35…底部、36,38…端部、73…配线图案(膜图案)、74…图案形成区域、76,78…端部、100…图案形成装置(液滴喷出装置)、B…贮存格、F…疏液区域(疏液膜区域)、P…基板
具体实施方式
第一种实施方式
(图案的形成方法)
下面参照附图说明本发明的图案的形成方法。图1是表示本发明的一种图案形成方法实施方式的流程图。
其中在本实施方式中,以在玻璃基板上形成导电膜配线图案的情况为例加以说明。而且形成导电膜配线图案用的功能液,使用以二甘醇二乙基醚作为溶剂(分散剂)的有机银化合物。
图1中,本实施方式涉及的图案形成方法具有:在配置功能液液滴的基板上形成与配线图案对应的贮存格的贮存格形成工序(步骤SA1);对贮存格间沟槽部的底部赋予亲液性的亲液化处理工序(步骤SA2);对贮存格赋予疏液性的疏液化处理工序(步骤SA3);基于液滴喷出法在贮存格间的沟槽部配置多个功能液液滴形成(描绘)膜图案的材料配置工序(步骤SA4);将基板上配置的功能液的至少一部分液体成分除去的包括热和光处理的中间干燥处理工序(步骤SA5);和对形成了所定膜图案的基板进行烧成的烧成工序(步骤SA7)。而且,在中间干燥处理工序后,判断所定图案描绘是否终止(步骤SA6),若图案描绘终止则进行烧成工序,若图案描绘尚未终止则进行材料配置工序。
以下说明各工序。
(贮存格形成工序)
首先如图2(a)所示,对基板P实施HMDS处理作为表面改质处理。HMDS处理是将六甲基二硅氮烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)制成蒸气状后涂布的一种方法。利用这种方法能够在基板P上形成HMDS层作为提高贮存格与基板P之间密接性的密接层。贮存格是具有隔离部件功能的一种部件,贮存格的形成可以采用光刻法和印刷法等任意方法进行。例如采用光刻法的情况下,利用旋涂法、喷涂法、辊涂法、模涂法、蘸涂法等所定方法,如图2(b)所示,根据基板P的HMDS层32上贮存格的高度,涂布本身是贮存格形成材料的有机材料31,在其上涂布抗蚀剂层。然后根据贮存格的形状(配线图案),施加掩模使抗蚀剂曝光和显影,残留下与贮存格一致的抗蚀剂。最后腐蚀除去抗蚀剂以外部分的有机材料31。而且还可以形成下层是无机物而上层是有机物结构的两层以上结构的贮存格。利用这种方法,如图2(c)所示,能够突出设置贮存格B、B,以将形成配线图案的所定区域的周边包围。作为形成贮存格用的有机材料,既可以是对功能液(液体材料)显示疏液性的材料,也可以像后述那样经等离子体处理而疏液化,与基底基板的密接性良好、容易用光刻法图案化的有机绝缘材料。例如可以使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、苯酚树脂、蜜胺树脂等高分子材料。
在基板P上一旦形成贮存格B、B后就可以进行氢氟酸处理。氢氟酸处理,例如是用2.5%的氢氟酸水溶液进行腐蚀,除去为贮存格B、B之间HMDS层32的一种处理方法。氢氟酸处理方法使贮存格B、B作为掩模发挥作用,可以除去为在贮存格B、B之间形成的沟槽部34的底部35的、有机物的HMDS层32。这种方法,如图2(d)所示,能够除去作为残渣的HMDS。
(亲液化处理工序)
然后对沟槽部34的底部35进行赋予亲液性的亲液化处理工序。亲液化处理工序,可以选择通过照射紫外线赋予亲液性的紫外线(UV)照射处理和在大气气氛中以氧作处理气体的O2等离子体处理等。这里实施的是O2等离子体处理。
O2等离子体处理是用等离子体放电电极对基板照射等离子体状态的氧。O2等离子体处理的条件是,例如等离子体功率为50~1000W、氧气流量为50~100毫升/分钟、基板与等离子体放电电极的相对移动速度为0.5~10毫米/秒钟、基板温度为70~90℃。而且当基板是玻璃基板的情况下,其表面对功能液虽然有亲液性,但是像本实施方式那样,在实施O2等离子体处理和紫外线照射处理的情况下,能够提高贮存格B,B之间露出的基板P表面(底部35)的亲液性。其中优选进行O2等离子体处理和紫外线照射处理,使相对于贮存格间底部35的功能液的接触角为15度或其以下。
另外,O2等离子体处理和紫外线照射处理,具有除去存在于底部35、构成一部分残渣的HMDS的功能。因此经过上述氢氟酸处理,即使不能完全除去贮存格B、B间底部35的有机残渣(HMDS),通过进行O2等离子体处理或紫外线照射处理也能除去这些残渣。这里虽然是作为部分残渣处理而进行氢氟酸处理,但是通过O2等离子体处理或紫外线照射处理能够将贮存格间底部35残渣充分除去,所以也可以不进行氢氟酸处理。而且这里虽然说明了作为残渣处理采用O2等离子体处理或紫外线照射处理中任何一种方法进行,但是当然也可以将O2等离子体处理和紫外线照射处理加以组合。
(疏液化处理工序)
接着对贮存格B进行疏液化处理,对其表面赋予疏液性。作为疏液化处理,可以采用在大气中以四氟化碳(四氟甲烷)作处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理条件可以设定为:例如等离子体功率为50~1000W、四氟化碳气体流量为50~100毫升/分钟、基板与等离子体放电电极的相对移动速度为0.5~1020毫米/秒钟、基板温度为70~90℃。其中作为处理气体并不限于四氟化碳,也可以采用其他氟代烃类。通过进行这种疏液化处理,能够对贮存格B、B将构成其的树脂中导入氟原子,从而赋予很高的疏液性。其中作为上述的亲液化处理的O2等离子体处理,虽然也可以在贮存格B形成之前进行,但是由于丙烯树脂和聚酰亚胺树脂等具有经O2等离子体处理等前处理而更容易疏液化(氟化)的性质,所以优选在形成贮存格B后再进行O2等离子体处理。
另外,经过对贮存格B、B进行疏液化处理,虽然对为在先亲液化处理的贮存格间的基板P露出部分多少有些影响,但是特别当基板P是由玻璃等组成的情况下,由于疏液化处理不会导入氟原子,所以对基板P的亲液性,即湿润性没有实质上的损害。而且关于贮存格B、B,如果用具有疏液性的材料(例如含氟原子的树脂材料)形成,则也可以省略这种疏液化处理。
(材料配置工序)
下面参照图3和图4说明本实施方式的材料配置工序。材料配置工序,是用液滴喷出装置的液滴喷头10,喷出含有配线图案形成材料用功能液的液滴,将其配置在贮存格B、B间的沟槽部34上,在基板P上形成线状膜图案(配线图案)的工序,其中具有在贮存格B、B间的沟槽部34的端部配置液滴的第一工序,和在沟槽部34中端部以外的位置上配置液滴的第二工序。本实施方式中,功能液是将含有作配线图案形成材料用的银的有机银化合物在二甘醇二乙基醚中分散而成的液体。
在材料配置工序中的第一工序中,如图4(a)所示的俯视图那样,从液滴喷头10喷出的液滴30,最初被配置在贮存格B、B间沟槽部34的纵向端部36。其中,将沟槽部34制成在图中呈以Y轴方向为纵向的俯视矩形形状,在端部36中底部35与贮存格B壁面之间形成了直角部分37。向端部36喷出的液滴30经过贮存格B的壁面流下,被顺利地配置在贮存格B与沟槽部34的底部35之间的直角部分37。而且由于贮存格B被赋予疏液性,所以一部分被喷出的液滴即使落在贮存格B上也会从贮存格B离开,经过贮存格B的壁面流入沟槽部34的底部35上。于是由于底部已被亲液化,所以落入底部35的液滴将能良好地湿润扩展。
在沟槽34中沿着纵向端部36配置液滴后,如图4(b)所示,一边使液滴喷头10相对于基板P在Y轴方向作相对移动,一边依次喷出多个液滴。经液滴喷头10喷出的液滴,被配置在沟槽部34中端部36以外位置处。图4(b)中表示在端部36配置液滴后,依次将多个液滴朝着沟槽部34纵向中央部分依次配置的实例。这样能够良好地形成一部分配线图案。
此时,被喷出液滴的配线图案所定形成区域(即沟槽部34)由于被贮存格B、B包围,所以能够阻止液滴向所定位置以外扩展。而且由于贮存格B、B被赋予疏液性,所以即使一部分被喷出的液滴落在贮存格B上,因贮存格表面已经具有疏液性而离开贮存格,流入为贮存格间的沟槽部34中。此外,由于基板P露出的沟槽部34的底部35被赋予了亲液性,所以被喷出的液滴容易在接近底部35扩展,这样能将功能液均匀配置在所定位置上。
另外,在图4(b)所示的实例中,将一滴液滴在基板P上配置后喷出下一液滴时,其喷出构成虽然是使下一液滴与在先配置在基板上的部分液滴重合,但是在前一液滴配置在基板P上后喷出下一液滴之间,根据需要除去基板上液滴中的液体成分(分散剂)的情况下进行中间干燥处理(步骤5)。中间干燥处理,例如除使用电热板、电炉和热风机等加热装置进行一般热处理之外,也可以采用灯退火的光处理。
然后如图4(c)所示,可以使液滴喷头10向沟槽部34纵向的另一端部38移动。而且从液滴喷头10向端部38喷出液滴。向端部38喷出的液滴,流经贮存格B的壁面流下,可以顺利地配置在贮存格B与沟槽部34底部35之间的直角部分39上。其中由于贮存格B被赋予了疏液性,所以液滴流经贮存格B的壁面落入沟槽部34的底部35上。而且由于底部35被亲液化,所以落入底部35的液滴能良好地湿润扩展。
将液滴配置在沟槽部34的纵向端部38后,如图4(d)所示,一边使液滴喷头10相对于基板P沿着Y轴方向相对移动,一边依次喷出多个液滴。多个液滴依次被配置在沟槽部34的纵向中央部分上,与在先形成的一部分配线图案连接,这样可以形成配线图案(膜图案)33A。
其中作为液滴喷出条件,例如可以在油墨重量4纳克/滴、油墨速度(喷出速度)5~7米/秒钟下进行。而且喷出液滴的气氛优选设定在60℃温度或其以下和80%相对湿度或其以下。这样,能够在液滴喷头10的喷嘴不堵塞的情况下进行稳定的液滴喷出。
(中间干燥工序)
将液滴在基板P上喷出后,为了确保除去分散剂和膜厚,必要时进行干燥处理。干燥处理,例如除采用加热基板P用的通常电热板、电炉等处理之外,还可以采用灯退火方式进行。作为灯退火使用光的光源并无特别限制,可以使用红外灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等作为光源。这些光源一般可以使用功率为10W或其以上和5000W或其以下范围内的,但是在本实施方式中功率为100W或其以上和1000W或其以下就足够了。而且,通过反复进行这种中间干燥工序和上述材料配置工序,如图3(g)所示,可以使功能液液滴多层层叠,形成膜厚厚的配线图案(膜图案)33A。
(烧成工序)
喷出工序后的干燥膜,为了能在粒子间实现良好的电接触,需要完全除去分散剂。而且为了提高导电性微粒在表面上的分散性,涂布有机物等涂料的情况下,还需要除去这种涂料。此外当功能液含有有机银化合物的情况下,为了获得导电性需要进行热处理,除去有机银化合物中的有机成分,使银粒子残存下来。为此可以对喷出工序后的基板进行热处理和/或光处理。热处理和/或光处理通常在大气中进行,但是必要时也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度,可以根据分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热行为、涂料的有无和数量、以及基体材料的耐热温度等适当确定。例如,为了除去有机物组成的涂料,需要在大约300℃下烧成。而且例如为了除去有机银化合物中的有机成分,需要在大约200℃下烧成。此外在使用塑料等基板的情况下,优选在室温或其以上至100℃或其以下温度下进行。通过以上工序,喷出工序后的导电性材料(有机银化合物),可以确保微粒间的电接触,如图3(h)所示,可以转变成导电性膜(配线图案)33。
而且,在烧成工序后,利用灰化(ashing)剥离处理能够除去基板p上存在的贮存格B、B。灰化处理可以采用等离子体灰化处理和臭氧灰化处理等方法。等离子体灰化处理是使等离子体化的氧气等气体与贮存格反应,使贮存格气化除去的方法。贮存格是由碳、氧、氢等构成的固体物质,当其与氧等离子体反应时将会变成CO2、H2O和O2,能够全部以气体形式剥离。另一方面,臭氧灰化的基本原理与等离子体灰化相同,使O3(臭氧)分解变成活性气体O+(氧游离基),使这种O+与贮存格反应。与O+反应后的贮存格,变成CO2、H2O和O2,全部以气体形式剥离。通过对基板进行灰化剥离处理,可以从基板P上除去贮存格。
下面参照图5(a)说明形成配线图案33时液滴配置顺序的另一实例。
如图5(a)所示,首先将从液滴喷头10喷出的液滴L1以所定间隔依次配置在基板P上。也就是说,液滴喷头10在基板P上配置液滴L1互相不重叠(第一配置工序)。本例中,液滴L1的配置间距P1被设定得比在基板P上配置后液滴L1的直径大。这样就能使在基板P上配置后的液滴L1互相不重叠(互相不接触),可以防止因液滴L1互相合并而在基板P上湿润扩展。而且液滴L1的配置间距P1,可以设定得为配置后液滴L1直径的2倍以下。这里在基板P上配置液滴后,为了除去分散剂必要时可以进行中间干燥处理(步骤SA5)。
然后如图5(b)所示,重复上述的液滴配置动作。也就是说,与图5(a)所示的上次那样,从液滴喷头10喷出液滴L2,每隔一定距离在基板P上配置该液滴L2。此时液滴L2的体积(一滴液滴相当的功能液量)及其配置间距P2与上次的液滴L1相同。而且使液滴L2的配置位置移到距离上次液滴L1具有1/2间距距离,将本次液滴L2配置在基板P上配置的上次液滴L1间的中间位置上(第二配置工序)。如上所述,基板P上液滴L1的配置间距P1,比基板P上配置后液滴L1的直径大,而且为其直径的二倍或其以下。因此,通过将液滴L2配置在液滴L1的中间位置,液滴L2与液滴L1部分重叠,能将液滴L1之间的空隙填埋。此时,本次液滴L2与上次液滴L1虽然接触,但是由于上次液滴L1中的分散剂已经被全部或以某种程度除去,所以二者合并在基板P上扩展少。将液滴L2配置在基板P上后,为了除去分散剂与上次同样,必要时可以进行中间干燥工序。
通过多次反复进行这样的一系列液滴配置动作,可以将基板P上配置的液滴之间的空隙填埋,如图5(c)所示,在基板P上形成线状连续的配线图案33。这种情况下,通过增加液滴配置动作反复的次数,使液滴在基板P上依次重叠,增加配线图案33的膜厚。
其中在图5(b)中,虽然使开始配置液滴L2的位置为上次的同侧(图5(a)所示的左侧),但是也可以使之为反向一侧(右侧)。通过在往复动作的各方向移动时喷出液滴,能够减少喷头10与基板P之间相对移动的距离。
以下参照图6和图7说明功能液配置顺序的其他实例。其中在用图6和图7的说明中,对于第一次在基板P上(沟槽部34)配置的液滴附以符号“1”,对于第二次、第三次、…第n次配置的液滴附以符号“2”、“3”…“n”。
如图6所示,可以采用这样一种方式,即对着沟槽部34中纵向一个端部36配置第一滴液滴,然后对着纵向另一端部38配置第二滴液滴,接着向中央部依次配置液滴。
而且也可以另一种方式,即如图7所示,在将多个(这里是三条)线状图案合并形成宽幅配线图案33的情况下,分别交替将液滴配置在一端部36和另一端部38上。
而且还可以采用这样一种方式,即如图8所示,使用以Y轴方向为纵向,在Y轴方向上并列排列的多个喷嘴的液滴喷头10在基板P上配置液滴时,在沟槽部34纵向与液滴喷头10纵向一致的状态下,如图8(a)所示,一边使液滴喷头10沿着X方向扫描,一边从液滴喷头10的多个喷嘴中与端部36、38对应的喷嘴选择性喷出液滴30,然后如图8(b)和图8(c)所示,依次向沟槽部34的纵向中央部分配置液滴30。
另外,在上述实施方式中,可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料作为导电膜配线用基板。而且也包括在这些各种材料基板表面上形成了半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等作为基底层的。
作为导电膜配线用功能液,本例中使用的是将含有有机银化合物的导电性微粒分散在分散剂中的分散液(液体材料),水溶性和油溶性均可。
这里使用的导电性微粒,除含有金、银、铜、钯和镍中的任何金属的金属微粒以外,还可以使用导电性聚合物和超导体微粒等。
为了提高分散性,这些导电性微粒也可以使用表面上涂有有机物等的。作为在导电性微粒表面涂布的涂料,可以举出碳原子数为5个或其以上的烃类、醇类、醚类、酯类、酮类、有机氮化合物、有机硅化合物、有机硫化合物或其混合物。
导电性微粒的粒径优选为1纳米或其以上和0.1微米或其以下。若大于0.1微米,则有使上述液滴喷头的喷嘴堵塞之虞。而一旦小于1纳米,涂料相对于导电性微粒的容积比就会增大,使得到的膜中有机物比例过高。
作为含有导电性微粒的液体的分散剂,优选在室温下蒸气压为0.001mmHg或其以上和200mmHg或其以下(大约0.133Pa或其以上和26600Pa或其以下)的。在蒸气压高于200mmHg的情况下,喷出后分散剂会急剧蒸发,很难形成良好的膜。而且更优选分散剂的蒸气压为0.001mmHg或其以上和50mmHg或其以下(大约0.133Pa或其以上和6650Pa或其以下)的。蒸气压高于50mmHg的情况下,用喷墨法喷出液滴时容易因干燥引起喷嘴堵塞。另一方面,当分散剂在室温下蒸气压低于0.001mmHg的情况下,因干燥减慢而容易在膜中残留分散剂,后续工序的热和光处理后很难得到质地优良的膜。
作为上述分散剂,只要是能将上述导电性微粒分散而不引起凝聚的就无特别限制。本实施方式中虽然使用了二甘醇二乙基醚,但是还可以举出例如水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类,正庚烷、正辛烷、癸烷、甲苯、二甲苯、对异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物,和乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇甲基乙基醚、1,2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二烷等醚类化合物,以及亚丙基碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。从微粒的分散性和分散液的稳定性以及采用液滴喷出法的容易性观点来看,这些分散剂中,优选水、醇类、烃类化合物类和醚类化合物,更优选的分散剂可以举出水和烃类化合物。这些分散剂可以单独使用或者两种或其以上组合使用。
将上述导电性微粒分散在分散剂中时分散体浓度为1重量%或其以上和80重量%或其以下,可以根据所需导电膜的膜厚进行调整。其中一旦超过80重量%就容易产生凝聚,很难得到均匀的膜。
上述导电性微粒分散液的表面张力,优选为0.02N/m或其以上和0.07N/m或其以下范围内。采用液滴喷出法喷出液体材料时,表面张力一旦低于0.02N/m,因液体材料对喷嘴面的湿润性增大而容易使飞行路线产生弯曲,反之若超过0.07N/m因喷嘴端部的弯月面形状不稳定而使喷出量和喷出定时的控制变得困难。
为了调整表面张力,可以在使与基板的接触角不产生显著降低的范围内,向上述分散液中添加微量含氟类、硅酮类、非离子类等表面张力调节剂。
非离子类表面张力调节剂能提高液体对基板的湿润性,改善膜的流平性,具有防止产生膜的微小凹凸的作用。上述分散液,必要时还可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
上述分散液的粘度优选为1mPa·s或其以上和50mPa·s或其以下。用液滴喷出法以液滴形式喷出液体材料时,在粘度小于1mPa·s的情况下,喷嘴周边部分容易因液体材料的流出污染,而且在粘度大于50mPa·s的情况下,喷嘴孔被堵塞的频度增高,很难顺利的喷出液滴。
第二种实施方式
(图案的形成方法)
以下参照附图说明本发明的图案的形成方法。图9是表示本发明的一种图案形成方法实施方式的流程图。
其中,在本实施方式中,以在玻璃基板上形成导电膜配线图案的情况为例加以说明。而且形成导电膜配线图案用的功能液,使用以二甘醇二乙基醚作为溶剂(分散剂)的有机银化合物。
图9中,本实施方式涉及的图案形成方法具有:基板洗涤工序(步骤SB1),其用所定溶剂等洗涤配置了功能液液滴的基板;疏液化处理工序(SB2),其通过在基板表面上设置疏液性膜对基板赋予疏液性;亲液化处理工序(步骤SB3),以对于经过疏液化处理的基板表面中形成配线图案的图案形成区域赋予亲液性;材料配置工序(步骤SB4),其采用液滴喷出法在基板上的图案形成区域配置功能液的液滴形成(描绘)膜图案;包括热和光处理的中间干燥处理工序(步骤SB5),以将基板上配置的功能液的至少一部分液体成分除去;和烧成工序(步骤SB7),以对描绘了所定膜图案的基板进行烧成。而且在中间干燥处理工序后,判断所定图案描绘是否终止(步骤SB6),若图案描绘终止则进行烧成工序,若图案描绘尚未终止则进行材料配置工序。
以下说明各工序。
(基板洗涤工序)
首先用所定溶剂洗涤基板。这样能除去基板上的有机物残渣。另外,对基板表面照射紫外线也能除去有机物残渣。
(疏液化处理工序)
接着在要形成配线图案的基板表面进行对功能液的疏液性加工。具体讲,应当对基板表面实施表面处理,使相对于功能液的所定功能角为60度或其以上,优选为90度或其以上和110度或其以下。作为赋予疏液性(湿润性)的方法,可以采用在基板表面上设置疏液膜的方法。这里将会形成具有疏液性的自组织化膜。
采用自组织化膜形成法,将在应当形成导电膜配线的基板表面上形成由有机分子膜等组成的自组织化膜。处理基板表面用的有机分子膜备有能与基板结合的官能团、为其对侧的亲液基团或疏液基团这一能将基板的表面性质改质(控制表面能量)的官能团、和与这些官能团结合的直链碳链或部分支链碳链,并与基板结合而自组织化,形成分子膜,例如单分子膜。
这里所述的自组织化膜(自组织化膜化单分子膜:SAM(Self AssembledMono1ayer),是指使由能与基板基底层等的构成原子反应的结合性的官能团及其以外的直链分子所组成、由直链分子的相互作用而具有极高的取向性的化合物取向而形成的膜。这种自组织化膜,由于是使单分子取向而形成的,所以能够使膜厚变得极薄,而且将形成分子水平上均匀的膜。也就是说,由于相同分子位置为膜的表面上,所以膜的表面均匀而且能赋予优良的疏液性和亲液性。
作为具有上述高取向性的化合物,例如通过采用氟代烷基甲硅烷(以下适当称为“FAS”),可以使各化合物取向得氟代烷基位于膜的表面上而形成自组织化膜,对膜的表面赋予均匀的疏液性。作为能形成自组织化膜的化合物的FAS,可以举出十七氟代-1,1,2,2-四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟代-1,1,2,2-四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟代-1,1,2,2-四氢癸基三氯代甲硅烷、十三氟代-1,1,2,2-四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟代-1,1,2,2-四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟代-1,1,2,2-四氢辛基三氯代硅烷、三氟代丙基三甲氧基硅烷等氟代烷基硅烷。这些化合物可以单独使用或者两种或其以上组合使用。其中通过使用FAS能够获得与基板的密接性和良好的疏液性。
FAS一般可以用结构式Rn-Si-X(4-n)表示。式中,n表示1或其以上3或其以下的整数,X表示甲氧基、乙氧基、卤原子等水解性基团。而且R是氟代烷基,当具有(CF3)(CF2)x(CH2)y(式中x、y分别表示0或其以上和10或其以下的整数和0或其以上4或其以下的整数)的结构,而且多个R或X与Si结合的情况下,R或X可以分别都相同或不同。由X表示的水解基团因水解而形成硅烷醇,与基板P(玻璃或硅)基底的羟基反应以硅氧烷键与基板结合。另一方面,R由于表面上具有(CF3)等氟代基团,所以将基板的基底表面改质为不湿润的(表面能量低的)表面。
图10是在基板P上形成由FAS组成的自组织化膜(FAS膜)的FAS处理装置20的示意结构图。FAS处理装置20在基板P上形成由FAS组成的自组织化膜,赋予疏液性。如图10所示,FAS处理装置20备有腔室21、设置在腔室21内保持基板P用的基板支架22和容纳液相状态FAS(液体FAS)的容器23。而且在室温环境下,通过事先将基板P和容纳液体FAS的容器23放置在腔室21内,液体容器23内的液体FAS会变成气相从容器23的开口部23a向腔室21内放出,例如经过2~3日左右可以在基板P上形成由FAS组成的自组织化膜。此外,通过将腔室21全体维持在100℃左右,大约经过3小时就可以在基板P上形成自组织化膜。
而且这里虽然说明了气相形成法,但是也能从液相形成自组织化膜。
例如,将基板浸渍在含有原料化合物的溶液中,经过洗涤和干燥,可以在基板上形成自组织化膜。
另外,疏液性膜也可以是通过等离子体处理法形成的含氟聚合膜。在等离子体处理方法中,在常压或者真空中对基板进行等离子体照射。等离子体处理用的气体种类,可以根据应当形成配线图案的基板P表面材质等作各种选择。作为处理气体,例如可以举出四氟化甲烷、全氟己烷、全氟癸烷等。
另外,将基板P的表面加工成疏液性的处理,也可采用在基板P的表面上粘贴具有所需疏液性的膜,例如经四氟乙烯加工的聚酰亚胺膜等的方法进行。而且还可以直接将疏液性强的聚酰亚胺膜作为基板P使用。
(亲液化处理工序)
对基板P实施FAS处理后,对基板表面中形成配线图案的图案形成区域进行赋予亲液性的亲液化处理。作为赋予亲液性的处理,可以举出照射波长170~400nm左右紫外线(UV)的方法。仅在所定时间内对基板P的图案形成区域照射所定功率的紫外线时,经过FAS处理的基板的图案形成区域的疏液性降低,图案形成区域将会变成具有亲液性。
图11是表示对实施了FAS处理的基板P照射紫外线的紫外线照射装置24的示意图。如图11所示,紫外线照射装置24备有能够射出具有所定波长紫外线(UV)的紫外线射出部分25、支持基板P用的台架26、和沿着所定方向使支持基板P的台架26扫描的台架驱动部分27。
紫外线照射装置24一边沿着所定方向扫描基板P,一边从紫外线射出部25射出紫外线,以此方式对基板P照射紫外线。当基板P小的情况下,也可以不对基板P扫描而照射紫外线。当然,也可以边移动紫外线射出部25边对基板P照射紫外光。通过照射紫外线基板P上的FAS膜将被破坏,可以使基板P中经过紫外线照射的区域亲液化(疏液性降低化)。
其中,紫外线照射装置24,隔着具有与基板上的图案形成区域对应图案的掩模M照射紫外线。紫外线照射装置24隔着掩模M对基板P照射紫外线能选择性破坏FAS膜,这样可以使基板P的图案形成区域亲液化。因此决定在包围图案形成区域的区域设置FAS膜。本实施方式中事先在掩模M的下面设置氧化钛层28,在这种氧化钛层28与基板P表面接触的状态下照射紫外线。通过在使氧化钛与FAS膜接触状态下照射紫外线,利用氧化钛的光催化剂作用能够在短时间内实现亲液化(FAS破坏)。而且,即使不在掩模M的下面设置氧化钛层28,也能使基板的图案形成区域亲液化,而且还可以在使掩模M与基板P间隔开的状态下,将基板的图案形成区域亲液化。
紫外线照射装置24的照射动作,由图中未示出的控制装置加以控制。控制装置设定紫外线照射条件,根据此设定条件控制紫外线照射装置24的照射动作。这里可以设定的紫外线照射条件包括紫外线对基板P的照射时间、与单位面积基板P相当的照射量(光量)和照射紫外线的波长的至少其中之一,控制装置基于这些条件至少其中之一来控制照射动作。
这样能使基板P的图案形成区域变成具有所需亲液性(相对于功能液的接触角)的。
这里作为亲液化处理虽然进行的是紫外线照射处理,但是采用将基板暴露在臭氧气体气氛中的方法也能降低基板的疏液性。
(材料配置工序)
接着参照附图12说明本实施方式的材料配置工序。材料配置工序,是用液滴喷出装置的液滴喷头10喷出含有配线图案形成材料的功能液液滴,在图案形成区域74配置的方式,在基板P上形成线状膜图案(配线图案)的工序,其中包括在图案形成区域74的端部配置液滴的第一工序,和在端部配置后,在图案形成区域74中的端部以外位置上配置液滴的第二工序。本实施方式中,功能液是将含有作配线图案形成材料用银的有机银化合物分散在二甘醇二乙基醚中的分散液。
在材料配置工序的第一工序中,如图12(a)所示的平面图那样,从液滴喷头10喷出的液滴30,最初被配置在图案形成区域74的纵向端部76。在这里可以形成将图案形成区域74包围、本身是疏液区域的FAS膜区域(疏液膜区域)F。图案形成区域74沿着图中以Y轴作为纵向俯视呈矩形形状。对着端部76喷出的液滴30被顺利地配置在端部76。这里由于疏液区域F是疏液性的,所以即使一部分被喷出的液滴落在疏液区域F上也能从疏液区域F离开,被顺利地配置在图案形成区域74上。而且由于图案形成区域已被亲液化,所以被配置在图案形成区域74的液滴可以良好地湿润扩展。
在图案形成区域74中沿着纵向在端部36配置液滴后,如图12(b)所示,一边使液滴喷头10相对于基板P在Y轴方向作相对移动,一边依次喷出多个液滴。经液滴喷头10喷出的液滴,被配置在图案形成区域74中端部76以外位置处。图12(b)是表示在端部76配置液滴后,依次将多个液滴朝着图案形成区域74纵向中央部分依次配置的实例。这样能够良好地形成一部分配线图案。
此时,被喷出液滴的图案所定形成区域74由于被疏液区域F包围,所以能够阻止液滴向所定位置以外处扩展。而且即使一部分被喷出的液滴落在疏液区域F上,因变成疏液性的而会从疏液区域F离开,被配置在图案形成区域74上。此外,基板P的图案形成区域74由于被赋予了亲液性,所以被喷出的液滴容易在图案形成区域74湿润扩展,这样能将功能液均匀配置在所定位置上。
另外,在图12(b)所示的实例中,将一滴液滴在基板P上配置后喷出下一液滴时,其喷出方式虽然是使下一液滴与在先配置在基板上的部分液滴重合,但是在前一液滴配置在基板P上后喷出下一液滴之前的期间,当需要除去基板上液滴中的液体成分(分散剂)时可以进行中间干燥处理(步骤SB5)。中间干燥处理,例如除使用电热板、电炉和热风机等加热装置进行一般热处理之外,也可以采用灯退火的光处理。
然后如图12(c)所示,可以使液滴喷头10向图案形成区域74的纵向上的另一端部78移动。于是从液滴喷头10对着端部78喷出液滴30。对着端部78喷出的液滴,可以顺利地被配置在图案形成区域74的端部78上。而且由于图案形成区域74被亲液化,所以液滴能良好地湿润扩展。
将液滴配置在图案形成区域74纵向的端部78内后,如图12(d)所示,一边使液滴喷头10相对于基板P沿着Y轴方向相对移动,一边依次喷出多个液滴。多个液滴依次被配置在图案形成区域74纵向的中央部分上,与在先形成的一部分配线图案连接,这样可以形成配线图案(膜图案)73。
其中作为液滴喷出条件,例如可以在油墨重量4纳克/滴、油墨速度(喷出速度)5~7米/秒钟条件下进行。而且喷出液滴的气氛优选设定在60℃温度或其以下和80%相对湿度或其以下。这样,能够在液滴喷头10的喷嘴不堵塞的情况下进行稳定的液滴喷出。
(中间干燥工序)
将液滴在基板P上喷出后,为了确保除去分散剂和膜厚,必要时进行干燥处理。干燥处理,例如除采用加热基板P用的通常电热板、电炉等处理之外,还可以采用灯退火方式进行。作为灯退火使用光的光源并无特别限制,可以使用红外灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等作为光源。这些光源一般可以使用功率为10W或其以上和5000W或其以下范围内的,但是在本实施方式中功率为100W或其以上和1000W或其以下就足够了。而且,通过反复进行这种中间干燥工序和上述材料配置工序,可以将功能液液滴数层层叠,形成膜厚厚的配线图案(膜图案)。
(烧成工序)
喷出工序后的干燥膜,为了在粒子间实现良好电接触,需要完全除去分散剂。而且为了提高导电性微粒在表面上的分散性,涂布有机物等涂料的情况下,还需要除去这种涂料。此外当功能液含有有机银化合物的情况下,为了获得导电性需要进行热处理,需要除去有机银化合物中的有机成分,使银粒子残存下来。为此可以对喷出工序后的基板进行热处理和/或光处理。热处理和/或光处理通常在大气中进行,但是必要时也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度,可以根据分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类和压力、微粒的分散性和氧化性等热行为、涂料的有无或量、以及基体材料的耐热温度等适当确定。例如,为了除去有机物组成的涂料,需要在大约300℃下烧成。而且例如为了除去有机银化合物中的有机成分,需要在大约200℃下烧成。此外使用塑料等基板的情况下,优选在室温或其以上至100℃或其以下温度下进行。通过以上工序,喷出工序后的干燥膜可以确保微粒间的电接触,将其转变成导电性膜(配线图案)73。
以下参照图13说明形成配线图案73时液滴配置顺序的其他实例。
如图13(a)所示,首先将从液滴喷头10喷出的液滴L1以所定间隔依次配置在基板P上。也就是说,液滴喷头10将液滴L1在基板P上配置得互不重叠(第一配置工序)。本例中,液滴L1的配置间距P1被设定得比在基板P上配置后的液滴L1直径大。这样就能使在基板P上配置后的液滴L1互不重叠(不接触),可以防止因液滴L1互相合并而在基板P上湿润扩展。而且液滴L1的配置间距P1,可以设定在配置后液滴L1直径的2倍以下。这里在基板P上配置液滴L1后,为了除去分散剂必要时可以进行中间干燥处理(步骤SB5)。
然后如图13(b)所示,重复上述的液滴配置动作。也就是说,与图13(a)所示的上次同样,从液滴喷头10以液滴L2形式喷出功能液,每隔一定距离在基板P上配置该液滴L2。此时液滴L2的体积(与一滴液滴相当的功能液量)及其配置间距P2与上次的液滴L1相同。而且将液滴L2的配置位置移到距离上次液滴L1有1/2间距的距离,将本次液滴L2配置在基板P上配置的上次液滴L1间的中间位置上(第二配置工序)。如上所述,基板P上液滴L1的配置间距P1,比基板P上配置后的液滴L1直径大,而且为其直径的二倍以下。因此,通过将液滴L2配置在液滴L1的中间位置,使液滴L2与液滴L1部分重叠,这样能将液滴L1之间的空隙填埋。此时虽然本次液滴L2与上次液滴L1接触,但是由于上次液滴L1中的分散剂已经被全部或以某种程度除去,所以二者合并在基板P上的扩展少。将液滴L2配置在基板P上后为了除去分散剂,与上次同样必要时可以进行中间干燥工序。
通过多次反复进行这样的一系列液滴配置动作,可以将基板P上配置的液滴间空隙填埋,如图13(c)所示,可以在基板P上形成线状连续的配线图案73。这种情况下通过增加液滴配置动作的反复次数,能使液滴在基板P上依次重叠,增加配线图案73的膜厚。
另外,在图13(b)中,虽然使开始配置液滴L2的位置为上次同侧(图13(a)所示的左侧),但是也可以使之为相反侧(右侧)。通过在往复动作向各方向移动时进行液滴喷出,能够减少喷头10与基板P间相对移动的距离。
以下参照图14和图15说明功能液配置顺序的其他实例。其中在用图14和图15的说明中,对于第一次在基板P上(图案形成区域74)配置的液滴附以符号“1”,对于第二次、第三次、…第n次配置的液滴附以符号“2”、“3”…“n”。
可以采用这样一种方式,即如图14所示,对着图案形成区域74中纵向的一个端部76配置第一滴液滴,然后对着纵向另一个端部78配置第二滴液滴,接着向中央部分依次配置液滴。
还也可以另一种方式,即如图15所示,在将多个(这里是三条)线状图案合并形成宽幅配线图案73的情况下,分别交替将液滴配置在一方端部76和另一个端部78上。
而且也可以采用这样一种方式,即如图16所示,使用以Y轴方向为纵向,在Y轴方向上并列排列多个喷嘴的液滴喷头10在基板P上配置液滴时,在图案形成区域74纵向与液滴喷头10纵向一致的状态下,如图16(a)所示,一边使液滴喷头10沿着X方向扫描,一边从液滴喷头10的多个喷嘴中与端部76、78对应的喷嘴选择性喷出液滴30,然后如图16(b)和图16(c)所示,依次在图案形成区域74的纵向中央部分配置液滴30。
另外,在上述实施方式中,可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料作为导电膜配线用基板。而且也包括在这些各种材料基板的表面上形成了半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等作为基底层的。
作为导电膜配线用的功能液,本例中使用的是将含有有机银化合物的导电性微粒分散在分散剂中的分散液(液体材料),水溶性和油溶性均可。
这里使用的导电性微粒,除含有金、银、铜、钯和镍中任何金属的金属微粒以外,还可以使用导电性聚合物和超导体的微粒等。
为了提高分散性,这些导电性微粒也可以使用表面上涂有有机物等的。作为在导电性微粒表面涂布的涂料,可以举出五个碳原子以上的烃类、醇类、醚类、酯类、酮类、有机氮化合物、有机硅化合物、有机硫化合物或其混合物等。
导电性微粒的粒径优选为1纳米或其以上和0.1微米或其以下。若大于0.1微米,则有使上述液滴喷头的喷嘴堵塞之虞。而一旦小于1纳米,涂料相对于导电性微粒的容积比就会增大,使得到的膜中有机物比例过高。
作为含有导电性微粒的液体的分散剂,优选室温下蒸气压为0.001mmHg或其以上和200mmHg或其以下(大约0.133Pa或其以上和26600Pa以下)的。在蒸气压高于200mmHg的情况下,喷出后分散剂会急剧蒸发,很难形成良好的膜。而且更优选分散剂的蒸气压为0.001mmHg或其以上和50mmHg或其以下(大约0.133Pa或其以上和6650Pa或其以下)的。蒸气压高于50mmHg的情况下,用喷墨法喷出液滴时容易因干燥而引起喷嘴堵塞。另一方面,当分散剂在室温下的蒸气压低于0.001mmHg的情况下,因干燥减慢而容易在膜中残留分散剂,后续工序的热和光处理后很难得到质地优良的膜。
上述分散剂只要是能将上述导电性微粒分散而不引起凝聚的就无特别限制。本实施方式中虽然使用了二甘醇二乙基醚,但是还可以举出例如水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类,正庚烷、正辛烷、癸烷、甲苯、二甲苯、对异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物,和乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇甲基乙基醚、1,2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二烷等醚类化合物,以及亚丙基碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。从微粒的分散性和分散液的稳定性以及采用液滴喷出法的容易性观点来看,这些分散剂中优选水、醇类、烃类化合物类和醚类化合物,更优选的分散剂可以举出水和烃类化合物。这些分散剂可以单独使用或者两种或其以上组合使用。
将上述导电性微粒分散在分散剂中时,分散体浓度为1重量%或其以上和80重量%或其以下,可以根据所需导电膜的膜厚调整。其中一旦超过80重量%就容易产生凝聚,很难得到均匀膜。
上述导电性微粒分散液的表面张力,优选为0.02N/m或其以上和0.07N/m或其以下范围内。采用液滴喷出法喷出液体材料时,表面张力一旦低于0.02N/m,因液体材料对喷嘴面的湿润性增大而容易使飞行路线产生弯曲,反之若超过0.07N/m因喷嘴端部的弯月面形状不稳定而使喷出量和喷出定时的控制变得困难。
为了调整表面张力,可以在使与基板的接触角不产生显著降低的范围内,向上述分散液中添加微量的含氟类、硅酮类、非离子类等表面张力调节剂。
非离子类表面张力调节剂能提高液体与基板的湿润性,改善膜的流平性,具有防止产生膜的微小凹凸的作用。必要时上述分散液中还可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
上述分散液的粘度优选为1mPa·s或其以上和50mPa·s或其以下。用液滴喷出法以液滴形式喷出液体材料时,粘度小于1mPa·s的情况下,喷嘴周边部分容易因液体材料的流出污染,而且在粘度大于50mPa·s的情况下,喷嘴孔被堵塞的频度增高,很难顺利喷出液滴。
(图案形成装置)
以下参照附图17说明本发明图案形成装置的一个实例。图17是表示本实施方式涉及的图案形成装置的示意立体图。如图17所示,图案形成装置100备有液滴喷头10;将液滴喷头10沿着X轴方向驱动用的X方向导向轴2;使X方向导向轴2旋转的X方向驱动马达3;承载基板P用的承载台4;使承载台沿着Y方向驱动用的Y方向导向轴5;使Y方向导向轴5旋转的Y方向驱动马达6;清洗机构14;加热器15和总体控制这些部件用的控制装置8等。X方向导向轴2和Y方向导向轴5分别被固定在台架7上。其中在图17中,液滴喷头10相对于基板P前进方向被配置成直角,但是也可以调整液滴喷头10的角度,使其相对于基板P前进方向交叉。这样的话,调整液滴喷头10的角度时,能够调整喷嘴间的间距。而且还可以任意调整基板P与喷嘴面间的距离。
液滴喷头10是从喷嘴(喷出口)喷出由含有导电性微粒和有机银化合物的分散液组成的功能液用的部件,被固定在X方向导向轴2上。X方向驱动马达3是步进马达等,一旦有从控制装置8供给X轴方向的驱动脉冲信号,就使X方向导向轴2旋转。通过X方向导向轴2的旋转使液滴喷头10相对于台架7向X轴方向移动。
作为液滴喷出方式,可以采用使用压电元件喷出液滴的压电方式、借助于加热功能液产生的气泡使功能液喷出的气泡(bubble)方式等各种公知方法。其中由于压电方式无需加热,所以有对材料的组成不产生影响的优点。另外,在本例中,从液体材料选择自由度高和液滴控制性优良的观点来看,采用上述压电方式。
承载台4被固定在Y方向导向轴5上,将Y方向驱动马达6和16连接在Y方向导向轴5上。Y方向驱动马达6和16是步进马达等,一旦有从控制装置8供给Y轴方向的驱动脉冲信号,就使Y方向导向轴5旋转。通过Y方向导向轴5的旋转使承载台4相对于台架7向Y轴方向移动。清洗机构14是清洗液滴喷头10,防止喷嘴堵塞用的。清洗机构14作上述清洗时,在Y方向驱动马达16作用下将沿着Y方向导向轴5移动。加热器15是采用灯退火等加热机构对基板P进行热处理用的,用于对被喷出在基板P上的液体进行蒸发和干燥,同时进行使之转变成导电膜的热处理。
本实施方式的图案形成装置100,一边从液滴喷头10喷出功能液,一边借助于X方向驱动马达3和Y方向驱动马达6使基板P与液滴喷头作相对运动,以此方式在基板P上配置功能液。从液滴喷头10的各喷嘴喷出液滴的喷出量,由控制装置8根据上述压电元件供给的电压来控制。而且被配置在基板P上的液滴之间的间距,由上述相对移动的速度、以及液滴喷头10喷出的频率(对压电元件供给驱动电压的频率)加以控制。此外液滴开始在基板P上的位置,由上述的移动方向、以及上述相对移动时由液滴喷头10开始喷出液滴的定时控制等来控制。这样可以在基板P上形成上述的配线图案33。
(等离子体处理装置)
图18是表示上述亲液化处理(O2等离子体处理)或疏液化处理(CF4等离子体处理)时使用的等离子体处理装置一个实例的结构示意图。图18所示的等离子体处理时处理装置,具有与交流单元41连接的电极42和作为接地电极的样品台40。样品台40能够一边支持样品一边沿着Y轴方向移动。在电极42的下面突出设置沿着与移动方向正交的X轴方向延伸的两个平行的放电发生部分44和44,同时设置电介体部件45将放电发生部分44包围。电介体部件45是防止放电发生部分44异常放电用的部件。而且包含电介体部件45的电极42的下面大体呈平面状,在放电发生部分44和电介体部件45与基板P之间形成有少许空间(放电间隙)。在电极42的中央设置构成沿着X方向形成的细长的部分处理气体供给部的气体喷出口46。气体喷出口46通过电极内部的气体通路47和中间腔室48与气体导入口连接。通过气体通路47从气体喷出口46喷出的含有处理气体的所定气体,在上述空间中于移动方向(Y轴方向)的前方和后方被分流,从电介体部件45的前端和后端向外部排出。与此同时,由电源41向电极42施加所定电压,使放电发生部44,44与样品台40之间产生气体放电。于是由这种气体放电生成等离子体的情况下,生成上述所定气体的激发活性物种,对通过放电区域的基板P的全部表面实施连续处理。本实施方式中,上述所定气体,是由作处理气体用的氧(O2)或四氟化碳(CF4)、以及在大气压附近压力下容易开始放电而且为了能稳定维持的氦(He)、氩(Ar)等稀有气体或氮(N2)等惰性气体的混合物。特别是通过使用氧作处理气体,如上所述,可以进行亲液化和除去有机物残渣,通过使用四氟化碳作为处理气体可以进行疏液化。此外,例如通过对有机EL装置中的电极进行这种O2等离子体处理,能够调整此电极的功函数。
(电光学装置)
以下作为本发明电光学装置的一个实例,对等离子体型显示装置进行说明。图19表示本实施方式等离子体显示装置500的分解立体图。等离子体显示装置500由包含互相相对配置的基板501和502及在其间形成的放电显示部510构成。放电显示部510由多个放电室516集合而成。将多个放电室516中的红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)和蓝色放电室(B)配置成成对而构成一个像素。
在基板501的上面,以所定间隔形成条状地址电极511,并形成电介体层519将地址电极511和基板501的上面覆盖。
在电介体层519上形成隔壁515,使之位于地址电极511和511之间,而且沿着各地址电极511。隔壁515包括与地址电极511宽度方向左右两侧相邻的隔壁,和沿着与地址电极511正交方向延伸设置的隔壁。而且与被隔壁515隔开的长方形区域对应地形成着放电室516。此外,在被隔壁515区分的区域内侧配置有荧光体517。荧光体517是发出红、绿和蓝色中任何颜色荧光的,分别将荧光体517(R)、荧光体517(G)和荧光体517(B)设置在红色放电室516(R)的底部、绿色放电室516(G)的底部和蓝色放电室(B)的底部。
另一方面,在基板502上以与前面的地址电极511正交的方向以所定间隔形成有条纹状多个显示电极512。此外还形成有电介体层513和由MgO等组成的保护膜514将其覆盖。将基板501和基板502互相相对向地粘贴起来,使上述地址电极511…与显示电极512…互相正交。将上述地址电极511和显示电极512与图中未示出的交流电源相连。通过对各电极通电,使放电显示部分510中荧光体517激发发光,因而可以进行彩色显示。
本实施方式中,上述地址电极511和显示电极512,是分别采用前面图9所示的图案形成装置,借助于前面图1~图16所示的图案形成方法形成的。其中在采用贮存格的实施方式中,利用灰化处理可以除去贮存格B。
以下说明作为本发明的电光学装置其他实例的液晶显示装置。图20是表示有关本实施方式涉及的液晶显示装置中,第一基板上的信号电平等的平面布置图。本实施方式涉及的液晶显示装置,大体由此第一基板;设有扫描电极等的第二基板(图中未示出);和在第一基板和第二基板间封入的液晶(图中未示出)构成。
如图20所示,在第一基板300上的像素区域303上,以多重矩阵状设置有多个信号电极310…。各信号电极310…特别是由与各像素对应设置的多个像素电极部分310a…和将其连接成多重矩阵状的信号配线部分310b…构成,沿着Y方向延伸的。而且符号350表示一个芯片结构的液晶驱动电路,这种液晶驱动电路350和信号配线310b…的一端侧(图中下侧)通过第一回引配线331…相连接。而且符号340表示上下导通接线柱,这种上下导通接线柱340…与图中未示出的设置在第二基板上的接线柱借助于上下导通材料341…连接起来。此外,上下导通接线柱340…与液晶驱动电路350通过第二回引配线332…连接。
本实施方式中,上述第一基板300上设置的信号配线部分310b…、第一回引配线331…、和第二回引配线332…,可以分别采用上述图17所示的图案形成装置,根据上述用图1~图16说明的图案形成方法形成。而且用于大型液晶显示装置的基板制造的情况下,能够有效地使用配线用材料,实现低成本化。而且,本发明能够适用的器件,并不限于这些电光学装置,例如也能用于形成导电配线的电路基板、半导体实际安装配线等、以及其他器件的制造上。
图21是表示液晶显示装置中每个像素上设置的作为开关元件薄膜晶体管60的图,通过采用上述实施方式的基板P上的图案形成方法,在基板P上的贮存格之间形成栅极配线61。隔着由SiNx组成的栅极绝缘膜62在栅极配线61上层叠由无定形硅(a-Si)层组成的半导体层63。将与此栅极配线部分相对向部分的半导体层63被定为通道区域。在半导体层63上层叠为获得欧姆连接所需的、例如由n+型a-Si层组成的结合层64a和64b,在通道区域中央部分中的半导体层63上,形成保护通道用的由SiNx组成的绝缘性抗蚀膜65。另外,这些栅极绝缘膜62、半导体层63、和抗蚀膜65是在蒸镀(CVD)后,经过涂布抗蚀剂、感光、显影和光蚀,像图示那样被图案化。此外,由结合层64a、64b和ITO组成的像素电极69也同样成膜,同时进行光蚀,像图那样被图案化。于是分别在像素电极69、栅极绝缘膜62和抗蚀膜65上突出设置贮存格66…,利用上述的液滴喷出装置100喷出有机银化合物液滴的情况下可以在这些贮存格66…之间形成源线和漏线。
图22是通过上述液滴喷出装置100制造了部分构成要素的有机EL装置的侧剖面图。以下参照图22说明有机EL装置的大体结构。
图22中有机EL装置401,是将柔性基板(图示略)的配线和驱动IC(图示略)连接在由基板411、电路元件部421、像素电极431、贮存格部441、发光元件451、阴极461(对向电极)和密封部分471构成的有机EL元件402上的装置。电路元件部分421,是在基板411上形成作为有源元件的TFT60,由多个像素电极431在电路元件部分421上整列排列而成的。而且构成TFT60的栅极配线61可以用上述实施方式的配线图案形成方法形成。
事先在各像素电极431间形成格子状贮存格441,在由贮存格441形成的凹部开口444上形成发光元件451。而且发光元件451由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件构成,这样一来有机EL装置401将能实现全色显示。阴极461在贮存格441和发光元件451的上部全面形成,在阴极461上层叠密封用基板471。
包含有机EL元件的有机EL装置401的制造工艺过程,具有形成贮存格441的贮存格形成工序;适当形成发光元件451用的等离子体处理工序;形成发光元件451的发光元件形成工序;形成阴极461的对向电极形成工序;和在阴极461上层叠密封用基板471后密封的密封工序。
发光元件形成工序是通过在凹部开口444,即通过在像素电极431上形成空穴注入层452和发光层453而形成发光元件451的,所以备有空穴注入层形成工序和发光层形成工序。而且空穴注入层形成工序具有向各像素电极431上喷出形成空穴注入层452用液体材料的第一喷出工序,和将被喷出的液体材料干燥形成空穴注入层452的第一干燥工序。此外发光层形成工序具有向空穴注入层452上喷出形成发光层453用液体材料的第二喷出工序,和将被喷出的液体材料干燥形成发光层453的第二干燥工序。其中发光层453,如上所述,事先由与红、绿、蓝三色对应的材料形成的三层,所以所述的第二喷出工序由分别喷出三种材料的三个工序组成。
这种发光元件形成工序中,在空穴注入层形成工序中的第一喷出工序与发光层形成工序中的第二喷出工序中,都可以采用上述的液滴喷出装置100。
而且在上述的实施方式中,虽然采用本发明涉及的图案形成方法形成了TFT(薄膜晶体管)的栅极配线,但是也能制造源电极、漏电极、像素电极等其他构成要素。以下参照图23~图26说明TFT的制造方法。
如图23所示,首先利用光刻法在洗净的玻璃基板610的上面形成为设置一个像素间距为1/20~1/10的沟槽611a用的第一层贮存格611。作为这种贮存格611形成后需要具有透光性和疏液性,其材料可以适当使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、蜜胺树脂等高分子材料。
为了使这样形成后的贮存格511具有疏液性,需要实施CF4等离子体处理等(用有含氟成分的气体的等离子体处理),或者也可以代之以事先在贮存格611材料本身上充填疏液成分(氟代基团等)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理。
经过这样疏液化的贮存格611相对于喷出油墨的接触角优选为40或其以上,而玻璃面的接触角优选确保为10或其以下。也就是说,经过本发明人等的试验确认,例如对导电性微粒(十四碳烷溶剂)处理后的接触角,在采用丙烯树脂作为贮存格611的原始材料的情况下能够确保大约为54.0(未处理情况下为10或其以下)。其中这些接触角是在等离子体功率为550瓦以及以0.1升/分钟速度供给四氟化碳的处理条件下得到的。
继上述第一层贮存格形成后的栅极扫描电极形成工序(第一导电性图案形成工序)中,以油墨法喷出含有导电性材料的液滴,形成栅极扫描电极612,填满被贮存格611区分的作为扫描区域的上述沟槽611a。而且在形成栅极扫描电极612时,可以采用本发明涉及的图案形成方法。
作为此时的导电性材料,可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的栅极扫描电极612,由于事先对贮存格611赋予充分的疏液性,所以可以在不从沟槽611a渗出的情况下形成微细配线图案。
通过以上工序可以在基板610上形成由贮存格611和栅极扫描电极612组成的具有平坦上面的第一导电层A1。
为了获得在沟槽611a内的良好喷出效果,如图23所示,此沟槽611a的形状优选采用准圆锥状(朝喷出方向打开的圆锥状)。这样能够使被喷出的液滴充分进入深处。
进而如图24所示,通过等离子体CVD法使栅极绝缘膜613、活性层610和接触层609连续成膜。通过改变原料气体和等离子体条件形成氮化硅膜作为栅极绝缘膜613,形成无定形硅膜作为活性层610,以及形成n+型硅膜作为接触层609。用CVD法形成的情况下需要经历300~350℃的热历史,在贮存格采用无机系材料的情况下,可以回避透明性和耐热性方面的问题。
继上述半导体层形成工序后在第二层贮存格形成工序中,如图25所示,利用光刻法在栅极绝缘膜613的上面形成设置一个像素间隔为1/20~1/10而且与上述沟槽611a交叉的沟槽614a用的第二层贮存格614。这种贮存格614形成后需要有透光性和疏液性,作为其材料可以适当使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、蜜胺树脂等高分子材料。
为了使这样形成后的贮存格614具有疏液性而需要实施CF4等离子体处理等(采用有含氟成分的气体的等离子体处理),或者也可以代之以事先在贮存格614材料本身充填有疏液成分(氟代基团)的。这种情况下可以省略CF4等离子体处理。
经过这样疏液化的贮存格614相对于喷出油墨的接触角,优选确保为40或其以上。
继上述第二层贮存格形成工序后的源、漏电极形成工序(第二次导电性图案形成工序)中,利用油墨喷头喷出含有导电性材料的液滴,将被贮存格614划分的作为扫描区域的上述沟槽614a内填满的情况下,如图26所示,可以形成与上述栅极扫描电极612交叉的源电极615和漏电极616。而且在形成源电极615和漏电极616时,可以采用本发明涉及的图案形成方法。
作为此时可以采用的导电性材料有Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的源电极615和漏电极616,由于事先对贮存格614赋予充分的疏液性,所以能在不从沟槽614a渗出的情况下形成微细配线图案。
而且可以配置绝缘材料617将配置了源电极615和漏电极616的沟槽614a填埋。通过以上工序可以在基板610上形成由贮存格614和绝缘材料617组成的平坦的上面620。
于是将在绝缘材料617上形成接触孔619,同时在上面620上形成图案化的像素电极(ITO)618,通过接触孔619将漏电极616与像素电极618连接形成TFT。
图27是表示液晶显示装置另一实施方式的图。
图27所示的液晶显示装置(电光学装置)901,大体上讲备有彩色液晶板(电光学板)902和与液晶板902连接的电路基板903。而且必要时还可以在液晶板902上设有背光灯等照明装置和其他附属设备。
液晶板902具有用密封材料904粘接的一对基板905a和基板905b,在这些基板905a和基板905b之间形成的间隙,即晶胞间隙中将封入液晶。这些基板905a和基板905b一般由透光性材料,例如玻璃、合成树脂等形成。在基板905a和基板905b的外侧表面上粘贴有偏光板906a和另一块偏光板。其中在图27中,另一块偏光板的图示被省略。
而且在基板905a的内侧表面上形成电极907a,在基板905b的内侧表面上形成电极907b。这些电极907a、907b形成了带状、文字、数字或其他适当图案形状。而且这些电极907a、907b,例如可以由ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)等透光性材料形成。基板905a具有相对于基板905b伸出的伸出部,在这种伸出部上形成有多个接线柱908。这些接线柱908是在基板905a上形成电极907a时与电极907a同时形成的。因此,这些接线柱908例如可以用ITO形成。在这些接线柱908上包含自电极907a延伸成一体的部分,和利用导电材料(图中未示出)连接到电极907b上的部分。
在电路基板903上,于配线基板909上所定位置处安装有作液晶驱动IC用的半导体元件900。其中虽然省略了图示,但是也可以在安装半导体元件900的部位以外所定位置上安装电容器和其他芯片元件。配线基板909,例如可以通过将聚酰亚胺等具有柔性的基础基板911上形成的Cu等金属膜图案化形成配线图案912,以此方式加以制造。
本实施方式中,液晶板902中的电极907a、907b以及电路基板903中的配线图案912都可以采用上述器件制造方法形成。
根据本实施方式的液晶显示装置,可以得到能够消除电学特性不均匀的高品质液晶显示装置。
另外,上述实例虽然是无源型液晶板,但是也可以制成有源矩阵型液晶板。也就是说,在一块基板上形成薄膜晶体管(TFT),并就各TFT形成像素电极。而且像上述那样利用喷墨技术在各TFT上形成电连接用配线(栅极配线和源极配线)。另一方面,在对基板上形成对电极等。本发明也能用于这种有源矩阵型液晶板上。
(电子仪器)
以下说明本发明的电子仪器实例。图28是表示一种备有上述实施方式涉及的显示装置的移动型个人电脑(信息处理装置)结构的立体图。该图中个人电脑1100由备有键盘1102的主体部分1104和备有上述电光学装置1106的显示单元所构成。因而能够提供一种具有发光效率高而且明亮的显示部分的电子仪器。
另外,除上述的实例以外,其他实例还可以举出移动电话、手表型电子仪器、液晶电视、取景框型和单反型磁带摄像机、汽车驾驶导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理机、工作站、可视电话、POS终端、电子纸、备有触摸屏的仪器等。本发明的电光学装置,也可以作为这种电子仪器的显示部使用。其中,本实施方式的电子仪器虽然是备有液晶装置的,但是也可以制成备有有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等其他电光学装置的电子仪器。
以上参照附图说明了本发明涉及的优选实施方式,但是勿庸置疑本发明并不限于所涉及的实例上。上述实例中所示的各种构成部分的各种形状和组合等仅仅是一个例子,在不超出本发明要点的范围内可以根据设计要求等做出各种改变和更改。
Claims (19)
1、一种图案形成方法,是通过在基板上配置功能液的液滴形成膜图案的图案形成方法,其特征在于,具有:
在所述的基板上以所定图案形状形成贮存格的工序;
在所述的贮存格间沟槽部的端部配置液滴的工序;和
在所述的端部配置液滴后,在所述的沟槽部中所述的端部以外位置上配置液滴的工序。
2、根据权利要求1所述的图案形成方法,其特征在于,具有对所述的贮存格赋予疏液性的疏液化处理工序。
3、根据权利要求1所述的图案形成方法,其特征在于,具有对所述的沟槽部的底部赋予亲液性的亲液化处理工序。
4、根据权利要求1所述的图案形成方法,其特征在于,在所述的端部配置液滴后,依次向所述的沟槽部的中央部分配置多个液滴。
5、根据权利要求1所述的图案形成方法,其特征在于,所述的功能液中含有导电性材料。
6、一种图案形成装置,其特征在于:
备有:
液滴吐出装置,其具有喷嘴,所述喷嘴在形成有贮存格的基板上吐出功能液的液滴,所述贮存格以规定的图案形状形成;
驱动部,其使所述喷嘴和所述基板相对地移动;
控制装置,其控制所述液滴吐出装置和所述驱动部,以便使在所述基板中的所述贮存格间的沟槽部顺次配置多个液滴,并在所述沟槽部的端部配置液滴后,在该沟槽部中所述端部以外的位置配置液滴。
7、一种器件的制造方法,其特征在于,在具有在基板上形成膜图案工序的器件制造方法中,通过权利要求1所述的图案形成方法在所述的基板上形成膜图案。
8、一种图案形成方法,是通过在基板上配置功能液的液滴形成膜图案的图案形成方法,其特征在于,具有:
在所述的基板上设定的将形成所定图案的图案形成区域包围的区域上,设置疏液性膜工序;
在所述的图案形成区域的端部配置液滴的工序;和
在所述的端部配置液滴后,在所述的图案形成区域的所述的端部以外位置上配置液滴的工序。
9、根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于,所述的疏液性膜是在所述的基板表面上形成的单分子膜。
10、根据权利要求9所述的图案形成方法,其特征在于,所述的单分子膜,是由有机分子组成的自组织化膜。
11、根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于,所述的疏液性膜是氟化聚合膜。
12、根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于,具有对所述的图案形成区域赋予亲液性的亲液化处理工序。
13、根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于,在所述的端部配置液滴后,向所述的图案形成区域的中央部分依次配置多个液滴。
14、根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于,包括:
用多个液滴形成在所述的膜图案时,
将多个液滴配置得在所述的基板上液滴之间互相不重叠的第一配置工序;和
在所述的第一工序中于所述的基板上配置的多个液滴之间配置液滴的第二配置工序。
15、根据权利要求8所述的图案形成方法,其特征在于,在所述的功能液中含有导电性材料。
16、一种图案形成装置,其特征在于,
备有:
液滴吐出装置,其在基板上吐出功能液的液滴,所述基板在对形成有规定图案的图案形成区域进行围绕的区域中预设有疏液性膜;
驱动部,其使所述喷嘴和所述基板相对地移动;
控制装置,其控制所述液滴吐出装置和所述驱动部,以便使在所述基板中的所述图案形成区域中顺次配置多个液滴,并在所述图案形成区域的端部配置液滴后,在该图案形成区域中所述端部以外的位置配置液滴。
17、一种器件的制造方法,其特征在于,在具有在基板上形成膜图案工序的器件制造方法中,用权利要求10所述的图案形成方法在所述的基板上形成膜图案。
18、一种有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,具有:
在基板上形成栅极配线的第一工序;
在所述的栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序;
隔着所述的栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序;
在所述的栅极绝缘层上形成源电极和漏电极的第四工序;
在所述的源电极和所述的漏电极上配置绝缘材料的第五工序;和
形成与所述的漏电极电连接的像素电极的第六工序,
其中在所述的第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中的至少一个工序具有:
在所述的基板上形成与所定图案对应的贮存格的工序;
在所述的贮存格间沟槽部的端部配置液滴的工序;和
在所述的端部配置液滴后,在所述的沟槽部中所述的端部以外位置上配置液滴的工序。
19、一种有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,在有源矩阵基板的制造方法中具有:
在基板上形成栅极配线的第一工序;
在所述的栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序;
隔着所述的栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序;
在所述的栅极绝缘层上形成源电极和漏电极的第四工序;
在所述的源电极和所述的漏电极上配置绝缘材料的第五工序;和
形成与所述的漏电极电连接的像素电极的第六工序,
其中在所述的第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中的至少一个工序具有:
在所述的基板上设定的将形成所定图案的图案形成区域包围的区域上,设置疏液性膜的工序;
在所述的图案形成区域端部配置液滴的工序;和
在所述的端部配置液滴后,在所述的图案形成区域的所述的端部以外位置上配置液滴的工序。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003139192 | 2003-05-16 | ||
JP2003139192 | 2003-05-16 | ||
JP2003139191 | 2003-05-16 | ||
JP2003139191 | 2003-05-16 | ||
JP2004095976A JP4103830B2 (ja) | 2003-05-16 | 2004-03-29 | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2004095976 | 2004-03-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1574201A CN1574201A (zh) | 2005-02-02 |
CN1331191C true CN1331191C (zh) | 2007-08-08 |
Family
ID=33568336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB200410043331XA Expired - Fee Related CN1331191C (zh) | 2003-05-16 | 2004-05-14 | 图案的形成方法及其装置、器件的制造方法、电光学装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7008809B2 (zh) |
JP (1) | JP4103830B2 (zh) |
KR (1) | KR100569692B1 (zh) |
CN (1) | CN1331191C (zh) |
TW (1) | TWI263465B (zh) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060159838A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Controlling ink migration during the formation of printable electronic features |
JP4123172B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP3788467B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2006-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP4052295B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2008-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 多層配線基板の製造方法、電子デバイス及び電子機器 |
JP3807425B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2006-08-09 | セイコーエプソン株式会社 | 配線パターン形成方法およびtft用ゲート電極の形成方法 |
KR100671813B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2007-01-19 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박막 패턴 형성 방법, 반도체 장치, 전기 광학 장치, 및전자 기기 |
JP4309331B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2009-08-05 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 表示装置の製造方法及びパターン形成方法 |
US8334464B2 (en) * | 2005-01-14 | 2012-12-18 | Cabot Corporation | Optimized multi-layer printing of electronics and displays |
WO2006076607A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Ink-jet printing of passive electricalcomponents |
US20060158497A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Karel Vanheusden | Ink-jet printing of compositionally non-uniform features |
WO2006076604A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Processes for planarizing substrates and encapsulating printable electronic features |
WO2006076608A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | A system and process for manufacturing custom electronics by combining traditional electronics with printable electronics |
JP4179288B2 (ja) | 2005-02-01 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターン形成方法 |
JP2006313652A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP4345710B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法 |
KR100833017B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2008-05-27 | 주식회사 엘지화학 | 직접 패턴법을 이용한 고해상도 패턴형성방법 |
JP4785447B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4458075B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | 層形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および多層配線基板の製造方法 |
KR100786970B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | p-n 접합 반도체 소자의 매립 접촉전극 형성 방법 및이를 이용한 광전자 반도체 소자 |
TWI334649B (en) | 2005-09-27 | 2010-12-11 | Lg Chemical Ltd | Method for forming buried contact electrode of semiconductor device having pn junction and optoelectronic semiconductor device using the same |
JP4424304B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2010-03-03 | セイコーエプソン株式会社 | ディスプレイの製造方法、ディスプレイおよび電子機器 |
JP4331167B2 (ja) | 2006-01-19 | 2009-09-16 | 株式会社フューチャービジョン | パターン形成方法及びその装置 |
JP2007311377A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびに表示装置 |
US20080102253A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-01 | Icf Technology Limited. | Patterned thin-film layer and method for manufacturing same |
JP5082706B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-11-28 | セイコーエプソン株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
JP5157582B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-03-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
GB2462845B (en) * | 2008-08-21 | 2011-07-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
KR101182226B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도포 장치, 이의 도포 방법 및 이를 이용한 유기막 형성 방법 |
EP2632236A1 (en) * | 2010-10-22 | 2013-08-28 | Sony Corporation | Patterned base, method for manufacturing same, information input device, and display device |
JP5575309B1 (ja) * | 2013-08-05 | 2014-08-20 | 有限会社 ナプラ | 集積回路装置 |
CN104679343B (zh) * | 2015-03-26 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示装置、触摸面板、导电搭桥方法及搭桥结构 |
US20200035768A1 (en) * | 2017-03-29 | 2020-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, display device production method, display device production apparatus, deposition apparatus, and controller |
CN109119550B (zh) * | 2018-09-11 | 2021-02-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 喷墨打印的方法、像素结构、oled基板、显示装置 |
JP2020167023A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機elデバイス用隔壁付基板の製造方法及び有機elデバイスの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1045895A (zh) * | 1989-03-23 | 1990-10-03 | 基里尔·彼得罗维奇·兹宾 | 集成电路的制作方法及实施该方法的装置 |
JP3025091B2 (ja) * | 1992-02-14 | 2000-03-27 | キヤノン株式会社 | 有機薄膜及びその製造方法 |
CN1257304A (zh) * | 1998-12-12 | 2000-06-21 | 三星电子株式会社 | 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
CN1258428A (zh) * | 1998-03-17 | 2000-06-28 | 精工爱普生股份有限公司 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
WO2002073712A1 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Seiko Epson Corporation | Pattering method |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
DE69840914D1 (de) * | 1997-10-14 | 2009-07-30 | Patterning Technologies Ltd | Methode zur Herstellung eines elektrischen Kondensators |
JP4741045B2 (ja) | 1998-03-25 | 2011-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置 |
JP2000216330A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | 積層型半導体装置およびその製造方法 |
KR20010066444A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 이경수 | 금속배선 형성방법 |
KR100403714B1 (ko) * | 2000-06-10 | 2003-11-01 | 씨씨알 주식회사 | 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법 |
JP2003115464A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法およびパターン形成用マスク並びにパターン形成装置 |
JP2003177232A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-06-27 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ及びその製造方法及び表示装置並びに電子機器 |
JP2003159786A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-03 | Seiko Epson Corp | 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置 |
JP2003159787A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-03 | Seiko Epson Corp | 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置 |
JP4168788B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2008-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜方法、カラーフィルタ基板の製造方法、エレクトロルミネッセンス装置用基板の製造方法、表示装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004095976A patent/JP4103830B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-12 US US10/843,418 patent/US7008809B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-13 KR KR1020040033687A patent/KR100569692B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-05-14 CN CNB200410043331XA patent/CN1331191C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-14 TW TW093113722A patent/TWI263465B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-14 US US11/302,147 patent/US20060099759A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1045895A (zh) * | 1989-03-23 | 1990-10-03 | 基里尔·彼得罗维奇·兹宾 | 集成电路的制作方法及实施该方法的装置 |
JP3025091B2 (ja) * | 1992-02-14 | 2000-03-27 | キヤノン株式会社 | 有機薄膜及びその製造方法 |
CN1258428A (zh) * | 1998-03-17 | 2000-06-28 | 精工爱普生股份有限公司 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
CN1257304A (zh) * | 1998-12-12 | 2000-06-21 | 三星电子株式会社 | 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
WO2002073712A1 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Seiko Epson Corporation | Pattering method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI263465B (en) | 2006-10-01 |
US20050009230A1 (en) | 2005-01-13 |
US20060099759A1 (en) | 2006-05-11 |
JP2005005676A (ja) | 2005-01-06 |
TW200505311A (en) | 2005-02-01 |
US7008809B2 (en) | 2006-03-07 |
CN1574201A (zh) | 2005-02-02 |
KR20040099135A (ko) | 2004-11-26 |
KR100569692B1 (ko) | 2006-04-11 |
JP4103830B2 (ja) | 2008-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1331191C (zh) | 图案的形成方法及其装置、器件的制造方法、电光学装置 | |
CN100442954C (zh) | 薄膜图案形成方法、器件的制造方法及有源矩阵基板的制造方法 | |
TWI239035B (en) | Substrate, device, method of manufacturing device, method of manufacturing active-matrix substrate, electrooptical apparatus and electronic apparatus | |
CN100518445C (zh) | 薄膜图案形成方法及器件的制造方法 | |
JP3966292B2 (ja) | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器 | |
US7365008B2 (en) | Pattern forming method, device, method of manufacture thereof, electro-optical apparatus, and electronic apparatus | |
US7326585B2 (en) | Forming process of thin film pattern and manufacturing process of device, electro-optical apparatus and electronic apparatus | |
CN101330801B (zh) | 图案形成方法、电光学装置制造方法和电子机器制造方法 | |
KR100723590B1 (ko) | 막 패턴의 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판, 전기 광학장치, 및 전자 기기 | |
TWI292282B (en) | Device, method of manufacture therefor, manufacturing method for active-matrix substrate, electrooptical apparatus and electronic apparatus | |
CN1323420C (zh) | 表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置 | |
KR100594836B1 (ko) | 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 디바이스의 제조방법, 도전막 배선, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 | |
CN100508693C (zh) | 图形的形成方法和图形形成装置、器件的制造方法、导电膜布线、光电装置及电子机器 | |
KR20040099133A (ko) | 박막 패턴 형성 방법, 디바이스와 그 제조 방법 및 전기광학 장치 및 전자 기기, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 | |
CN100429747C (zh) | 围堰构造、布线图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器 | |
CN1318154C (zh) | 图案形成方法及器件的制造方法 | |
JP2004349640A (ja) | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 | |
JP4539032B2 (ja) | 膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法 | |
CN1822748A (zh) | 膜图案的形成方法及器件的制造方法、电光学装置及电子机器 | |
KR20040093399A (ko) | 세정 방법 및 보관 방법, 패턴의 형성 방법 및 디바이스의제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
JP4453651B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070808 Termination date: 20160514 |