CN100518445C - 薄膜图案形成方法及器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种可以很好实现细线化的薄膜图案的形成方法。本发明的薄膜图案形成方法，是在基板P上配置功能液形成薄膜图案的方法，其特征在于，其中具有：在基板P上突出设置与薄膜图案对应的贮存格B的贮存格形成工序S1；通过CF4等离子体处理对贮存格B赋予疏液性的疏液化处理工序S3；和将功能液配置在赋予了疏液性的贮存格B之间的材料配置工序S4。

Description

薄膜图案形成方法及器件的制造方法
技术领域
本发明涉及图案形成方法及器件制造方法、电光学装置和电子仪器。
背景技术
电子电路和集成电路等具有配线的器件的制造可以采用光刻法。这种光刻法需要事先在涂布了导电膜的基板上涂布被称为抗蚀剂的感光材料，通过照射电路图案显影，根据抗蚀剂图案蚀刻导电膜形成薄膜图案配线。这种光刻法需要真空装置等大型设备和复杂工艺，而且材料使用效率仅为百分之几在左右，几乎将其大部分废弃，制造成本高。
针对此问题有人提出，采用液滴喷头以液滴状喷出液体材料的液滴喷出法，即采用所谓喷墨法在基板上形成配线图案的方法(例如参见专利文献1)。这种方法是直接在基板上涂布作为分散了金属微粒等导电性微粒的功能液的配线图案形成用油墨，然后进行热处理或激光照射使之转变成薄膜导电膜图案。采用这种方法的优点是无需光刻，工序被大幅度简化，同时原材料用量也减少了。
专利文献1：美国专利5132248号说明书。
然而当采用液滴喷出法形成膜厚厚的膜图案的情况下，虽然可以加大一滴液滴的大小，但是这种方法中有可能产生液体滞留(凸起)等不利情况。
发明内容
本发明正是考虑到上述情况而提出的，目的在于提供一种用液滴喷出法在基板上形成配线等薄膜图案时，可以顺利地获得所需膜厚的薄膜图案的形成方法及器件的其制造方法、电光学装置和电子仪器。
为了达成上述目的，本发明采用以下构成。
本发明的薄膜图案的形成方法，是在基板上形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，其特征在于，其中具有：在所述基板上的所定图案上形成贮存格的贮存格形成工序；在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；在所述第一材料配置工序之后，使所述第一图案干燥，除去所述第一液滴所含液体成分的至少一部分，形成由多孔体构成的膜图案的中间干燥工序；和在由所述多孔体构成的所述膜图案上配置第二液滴的第二材料配置工序。
根据本发明，在第一材料配置工序中在基板上配置由功能液组成的第一液滴后，对基板上的功能液进行了中间干燥处理后，由于在此经过干燥处理的功能液(膜图案)上配置第二材料配置工序中作为下一功能液的第二液滴，所以可以将第二液滴顺利地配置在因中间干燥而使其表面膜化的基板上的功能液(膜图案)上。而且通过数次重复此项处理，可以顺利地实现薄膜图案的厚膜化，得到所需的膜厚。此外，由于具有将形成薄膜图案用的功能液配置在突出设置在基板上的贮存格之间的构成，所以可以沿着贮存格形状顺利地将薄膜图案，图案形成为所需形状。
其中，在此中间干燥工序中，只要首先将被配置在基板上的功能液(第一液滴)中一部分液体成分除去就可以，不一定完全除去，但是也可以除去全部液体成分。
而且，本发明的薄膜图案形成方法，是在基板上形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，其特征在于，其中具有：在所述基板上的所定图案上形成贮存格的贮存格形成工序；在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；和在所述第一图案上配置第二液滴的第二材料配置工序；一边在所述基板上配置所述第一液滴和所述第二液滴中至少任一方液滴，一边使所述第一图案干燥，除去所述第一液滴中所含液体成分的至少一部分，形成由多孔体构成的膜图案的中间干燥工序。
也就是说，除采用将被配置在基板上的液滴集中起来进行中间干燥的构成以外，既可以采用一边配置第一液滴一边进行(与第一液滴的配置动作并行进行)中间干燥工序，也可以采用一边配置第二液滴一边进行中间干燥工序。即使这样也能顺利地实现薄膜图案的厚膜化。其中，一边配置液滴一边进行中间干燥的工序，既可以与第一、第二材料配置工序二者并行进行，也可以选择第一、第二材料配置工序中的任一方工序而进行。
本发明的薄膜图案的形成方法中，其特征在于，在所述的第二材料配置工序之前或之后，具有在所述基板上配置的所述第一液滴上配置第三液滴的第三材料配置工序。也就是说，在包含第一、第二、第三材料配置工序的多个材配置工序中，可以依次在基板上的贮存格之间配置功能液的液滴，而且可以在这些材料配置工序中的任意材料配置工序之间(或者并行地)设置中间干燥工序。
而且，所述中间干燥工序，通过具有热处理工序或光照射处理工序，可以对被配置在基板上的功能液进行良好的干燥处理。而且通过调整热处理条件或光处理条件，可以容易地调整在基板上的功能液中残存的液体成分的量。
本发明的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中在所述的中间干燥工序之后，对所述贮存格进行赋予疏液性的疏液化处理工序。根据本发明，在贮存格间配置功能液的液滴时，当一部分喷出的液滴为贮存格等的上面的情况下，有可可以使这部分的疏液性降低，一旦在这种状态下喷出下一功能液液滴，一部分喷出的液滴落在贮存格上时，就不会顺利地流入贮存格之间，因而有可能引起图案形状的劣化，但是当在配置下一功能液液滴之前对贮存格进行赋予疏液性的疏液化处理，则一部分被喷出的功能液液滴即使落在贮存格上，由于贮存格被赋予了疏液性而能从贮存格被排斥，落入贮存格间的底部上。因此，可以将被喷出的功能液顺利地配置在基板上的贮存格之间。其中作为疏液化处理工序，可以采用以含有四氟化碳(CF4)的气体作处理气体的等离子体处理法。这样，含氟基团被导入贮存格，使贮存格变得对功能液具有疏液性。
本发明的薄膜图案的形成方法，也可以在所述第一材料配置工序中喷出由功能液组成的所述第一液滴，在所述第二材料配置工序中，喷出由与所述第一液滴的功能液不同的功能液组成的所述第二液滴。这样，可以形成具有各种功能的多个薄膜图案的层叠体。另一方面，通过在各材料配置工序中分别配置多次同一材料，可以顺利地进行使由所述的功能液所含功能材料组成的薄膜图案厚膜化。在各材料配置工序中配置互相不同功能液的情况下，例如，可以将第一材料配置工序中配置的功能液中所含的第一功能材料，作为在第二材料配置工序中配置的功能液所含第二功能材料与基板之间密接层形成用材料。
而且第一材料配置工序的功能液中所含液体成分(溶剂)与第二材料配置工序的功能液中所含液体成分(溶剂)可以是相同溶剂或不同溶剂。另外，若是相同溶剂，则由于可以提高互相层叠的功能液之间的亲和性而优选。而且若能得到所需的亲和性，则溶剂也可以互不相同。
本发明的薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述的功能液含有导电性微粒。或者，其特征在于，所述的功能液中含有因热处理或光处理而呈现导电性的材料。根据本发明，可以将薄膜图案制成配线图案，用于各种器件之中。而且除导电性微粒以外，还使用有机EL等发光元件形成材料和R·G·B油墨材料的情况下，也可以适用于具有有机EL装置和彩色滤光器的液晶显示装置等的制造之中。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在具有于基板上形成薄膜图案工序的有源矩阵基板制造方法中，上述的薄膜图案形成方法在所述基板上形成薄膜图案。
根据本发明，可以顺利实现薄膜图案的厚膜化，获得所需的膜厚。而且，由于具有将形成薄膜图案用的液滴配置在突出设置在基板上的贮存格之间，所以可以使薄膜图案沿着贮存格形状顺利地被图案化成所需形状。因此，可以制造具有所需性能的有源矩阵基板。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中具有：在基板上形成栅极配线的第一工序；在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序；隔着所述栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序；在所述栅极绝缘层上形成源电极和漏电极的第四工序；在所述源电极和所述漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和形成与所述漏电极电连接的像素电极的第六工序；
而所述第一工序、所述第四工序和所述第六工序中的至少一个工序，具有：在形成的图案上形成贮存格的贮存格形成工序；在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；在所述第一图案上配置第二液滴的第二材料配置工序；在所述第一材料配置工序与所述第二材料配置工序之间具有将所述第一液滴中所含溶剂的至少一部分除去的工序。
根据本发明，可以顺利实现薄膜图案的厚膜化，获得所需的膜厚。而且，由于具有将形成薄膜图案用的液滴配置在突出设置在基板上的贮存格之间，所以可以使薄膜图案沿着贮存格形状顺利地被图案化成所需形状。因此，可以制造具有所需性能的有源矩阵基板。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在有源矩阵基板的制造方法中，具有在基板上形成栅极配线的第一工序；在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序；隔着所述栅极绝缘膜层叠半导体层的第三工序；在所述栅极绝缘膜上形成源电极和漏电极的第四工序；在所述的源电极和所述漏电极上配置绝缘材料的第五工序，和形成与所述漏电极电连接的像素电极的第六工序；
而所述第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中的至少一个工序，具有：在形成的图案上形成贮存格的贮存格形成工序；在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；在所述第一图案上配置第二液滴的第二材料配置工序；其中，一边在所述基板上配置所述第一液滴和所述第二液滴中的至少一个液滴，一边将被配置在所述基板上的所述第一液滴中所含液体成分的至少一部分除去的中间干燥工序。
根据本发明，可以顺利实现薄膜图案的厚膜化，获得所需的膜厚。而且由于具有将形成薄膜图案用的液滴配置在突出设置在基板上的贮存格之间，所以可以使薄膜图案沿着贮存格形状顺利地被图案化成所需形状。因此，可以制造具有所需性能的有源矩阵基板。
本发明的器件的制造方法，其特征在于，在具有于基板上形成薄膜图案工序的器件制造方法中，通过上述的薄膜图案形成方法在所述基板上形成薄膜图案。根据本发明可以得到具有所需图案形状，具有所需膜厚的薄膜图案的器件。
本发明的电光学装置，其特征在于，其中备有用上述的的器件制造方法制造的器件。而且本发明的电子仪器，其特征在于，其中备有上述的电光学装置。根据本发明可以得到具有所需膜厚的配线图案的电光学装置和电子仪器。
附图说明
图1是液滴喷出装置的立体示意图。
图2是以压电方式的液体材料喷出原理的说明图。
图3是表示本发明的一种薄膜图案形成方法实例的流程图。
图4是表示本发明的一种配线图案形成顺序实例的示意图。
图5是表示本发明的一种配线图案形成顺序实例的示意图。
图6是从面向基板侧看的液晶显示装置的平面图。
图7是图6中沿着H-H’线的截面图。
图8是液晶显示装置的等效电路图。
图9是液晶显示装置的部分截面放大图。
图10是有机EL装置的部分截面放大图。
图11是等离子体显示装置的部分截面放大图。
图12是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图13是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图14是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图15是薄膜晶体管制造工序的说明图。
图16是表示另一种液晶显示装置的图。
图17是非接触型卡式介质的分解立体图。
图18是表示本发明电子仪器具体实例的图。
图中，
33：配线图案(薄膜图案)，34：沟槽部分，35：底部，100：液晶显示装置(电光学装置)，400：非接触型卡式介质(电子仪器)，B：贮存格，P：基板。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的薄膜图案的形成方法和器件的制造方法的一个实施方式。本实施方式中，将就采用液滴喷出法从液滴喷头以液滴状喷出含有导电性微粒的配线图案(膜图案)形成用油墨(功能液)，在基板上形成由导电形成的配线图案的情况为例进行说明。
首先说明使用的油墨(功能液)。作为液体材料的配线图案用油墨，是由将导电性微粒分散在分散剂中的分散液或将有机银化合物或氧化银纳米粒子分散在溶剂(分散剂)中的溶液组成的。本实施方式中，作为导电性微粒，例如除了含有金、银、铜、铝、钯、锰和镍中至少一种任何金属的材料以外，还可以使用其氧化物，以及导电性聚合物和超导体微粒等。这些导电性微粒，为了提高分散性还可以在其表面上涂布有机物等之后使用。导电性微粒的粒径优选为1纳米或其以上和0.1微米或其以下。若大于0.1微米，则有堵塞后述的液滴喷头喷嘴之虞。而且一旦小于1纳米，涂料与导电性微粒的体积比就会增大，使得到的膜中有机物比例过高。
作为分散剂，只要是可以分散上述导电性微粒的就无特别限制。除水之外，例如还可以举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、对异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物，或者乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物，以及碳酸丙稀酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。其中从微粒的分散性和分散液稳定性以及从采用液滴喷出法的容易性观点来看，优选水、醇类、碳氢化合物类和醚类化合物，更优选的分散剂可以举出水和烃类化合物。
上述导电性微粒分散液的表面张力，优选为0.02N/m或其以上和0.07N/m或其以下范围内。用喷墨法喷出液体时，表面张力一旦低于0.02N/m时，由于油墨对喷嘴面的湿润性增大而容易使飞行路线产生弯曲，反之若超过0.07N/m时，则因喷嘴端部的弯月面形状不稳定而使喷出量和喷出计时的控制变得困难。为了调整表面张力可以在与基板的接触角不产生显著降低的范围内，向上述分散液中添加微量含氟类、硅酮类、非离子类等表面张力调节剂。非离子类表面张力调节剂能提高油墨对基板的湿润性，改善膜的流平性，具有防止膜产生微小凹凸的作用。上述表面张力调节剂，必要时还可以含有醇类、醚类、酯类、酮类等有机化合物。
上述分散液的粘度优选为1mPa·s或其以上和50mPa·s或其以下。采用喷墨法以液滴形式喷出油墨时，在粘度小于1mPa·s的情况下，在喷嘴周边部分容易因油墨的流出污染，而且在粘度大于50mPa·s的情况下喷嘴孔被堵塞的频度增高，很难顺利的喷出液滴。
作为可以形成配线图案的基板，可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。而且也包括可以在这些各种材料基板表面上形成有半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等基底膜的。
作为液滴喷出法的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、机电转换方式、电热转换方式和静电吸引方式等。带电控制方式是指用带电电极赋予材料以电荷，用偏转电极控制材料的飞翔方向使之从喷嘴中喷出的方式。加压振动方式是指对材料施加30千克/平方厘米左右的超高压，使材料向喷嘴尖端侧喷出的方式，在不加控制电压的情况下，材料可以直接进入喷嘴喷出，施加控制电压后在材料之间就会产生静电排斥作用，使材料飞散而不能从喷嘴喷出。此外，机电转换方式是指利用压电元件(压电元件)接受脉冲电信号后变形的性质，根据压电元件变形通过柔性物质向储存材料的空间内施压，挤压材料使之从这种空间中喷嘴喷出的方式。
而且电热转换方式是指利用设置在储存材料空间内的加热器使材料急剧气化产生气泡，借助于气泡的压力使空间内的材料喷出的方式。静电吸引方式是指对储存材料的空间内施加微小压力，在喷嘴中形成材料弯月面，在这种状态下施加静电引力后将材料吸引出来的方式。此外还可以采用由电场使流体粘性变化的方式，以及利用放电火花飞翔的方式等技术。液滴喷出法具有材料使用上浪费少，而且能在所需位置准确配置所需量材料的优点。另外，通过液滴喷出法喷出一滴液体材料(流体)的量，例如为1～300纳克。
接着，说明本发明涉及的器件制造时可以使用的器件制造装置。这种器件制造装置，可以使用从液滴喷头向基板喷出(滴下)液滴制造器件的装置(喷墨装置)。
图1是表示液滴喷出装置IJ大体构成的立体示意图。图1中，液滴喷出装置IJ备有液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导向轴5、控制装置CONT、台架7、清洗机构8、基座9和加热器15。
台架7是支持由此液滴喷出装置IJ配置油墨的基板P用的部件，其中备有将基板P固定在基准位置用的图中未示出的固定机构。
液滴喷头1是备有多个喷嘴的多喷嘴型液滴喷头，纵向与X轴方向一致。多个喷嘴沿着X轴方向排列以一定间隔被设置在液滴喷头1的下面。从液滴喷头1的喷嘴向被支持在台架7上的基板P喷出含有上述导电性微粒的油墨。
X轴向驱动马达2被连接在X轴向驱动轴4上。X轴方向驱动马达2是步进马达等，一旦从控制装置CONT发出X轴向的驱动信号，就可以使X轴向驱动轴4旋转。X轴向驱动轴4一旦旋转就可以使液滴喷头1沿着X轴方向移动。
Y轴方向导向轴5被固定得相对于基座9不能移动。台架7备有Y轴方向驱动马达3。Y轴方向驱动马达3是步进马达等，一旦从控制装置CONT发出Y轴方向的驱动信号，就可以使台架7沿着Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷头1供给液滴喷出控制用电压。而且控制装置CONT向X轴方向驱动马达2供给控制喷头1沿着X轴方向移动用的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动马达3供给控制台架7沿着Y轴方向移动用的驱动脉冲信号。
清洗机构8是清洗液滴喷头1用的机构，备有图中未示出的Y轴方向驱动马达。通过驱动此Y轴方向驱动马达使清洗机构沿着Y轴方向导向轴5移动。清洗机构8的移动也由控制装置CONT加以控制。
加热器15在这里是以灯退火方式对基板P进行热处理的一种机构，对被涂布在基板P上的油墨中所含溶剂进行蒸发和干燥。此加热器15电源的导通和切断也由控制装置CONT加以控制。
液滴喷出装置IJ，一边相对于支持液滴喷头1和基板P的台架7进行扫描，一边向基板P喷出液滴。这里在以下的说明中，将Y轴方向作为扫描方向，将与Y轴方向正交的X轴方向作为非扫描方向。因此，将液滴喷头1的喷嘴在以作为非扫描方向的X轴方向上以一定间隔排列设置。而且在图1中，虽然将液滴喷头1配置得相对于基板P的进行方向成直角，但是也可以调整液滴喷头1的角度使之相对于基板P的进行方向交叉。这样一来，通过调整液滴喷头1的角度可以调节喷嘴之间的间距。而且也可以任意调节基板P与喷嘴面之间的距离。
图2是以压电方式喷出液体材料原理的说明图。图2中，压电元件22被设置得与容纳液体材料(配线图案形成用油墨，功能液)的液体室21相邻。通过包括容纳液体材料的材料罐的液体材料供给系统23向液体室21供给液体材料。压电元件22与驱动电路24连接，利用此驱动电路24向压电元件22施加电压，液体室21通过使压电元件22的变形而变形，可以从喷嘴25喷出液体材料。这种情况下，通过使施加的电压值发生变化来控制压电元件22的变形量。而且通过使施加电压的频率发生变化来可控制压电元件22的的变形速度。压电方式的液滴喷出由于对材料不加热，所以优点是对材料的组成很难产生影响。
以下参照图3、图4和图5说明作为本发明配线图案形成方法的一种实施方式。图3是表示本实施方式涉及的一个配线图案形成方法实例的流程图，图4和图5是表示形成顺序的示意图。
如图3所示，本实施方式涉及的配线图案的形成方法，是在基板上配置上述的配线图案形成用油墨，在基板上形成导电膜图案的方法，其中具有：在基板上将对应于配线图案的图案形成为所定图案的贮存格形成工序S1；除去贮存格间残渣的残渣处理工序S2；对贮存格赋予疏液性的疏液化处理工序S3；基于液滴喷出法在除去残渣的贮存格间配置油墨(第一液滴)、并形成第一图案的材料配置工序(第一材料配置工序)S4；除去油墨的液体成分中的至少一部分的中间干燥工序S5和烧成工序S7。其中，在中间干燥工序S5之后，判断所定图案的描绘是否终止(工序S6)，若图案描绘终止则进行烧成工序S7，若图案描绘尚未终止则再次进行在基板的贮存格间形成的图案(第一图案)上配置油墨(第二液滴)的材料配置工序S4，于前面配置在基板上的油墨上配置下一油墨。
以下详细说明各工序。本实施方式中使用玻璃基板作为基板P。
(贮存格形成工序)
首先，在有机材料涂布前作为表面的改质处理可以对基板P进行HMDS处理。HMDS处理是将六甲基二氮杂硅烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)以蒸气状而进行涂布的方法。通过这种方法，如图4(a)所示，可以在基板P上形成HMDS层32，作为提高贮存格与基板P之间密接性用的密接层。
贮存格是起隔离部件作用的部件，贮存格的形成可以采用光刻法(照相平板印刷法)和印刷法等任意方法进行。例如采用光刻法的情况下，以旋涂法、喷涂法、辊涂法、模涂法、浸涂法等所定方法，根据基板P的HMDS层32上贮存格的高度配合涂布有机感光性材料31，在其上涂布抗蚀剂层。然后根据贮存格形状(配线图案)配合施加掩模使抗蚀剂曝光和显影，残留下与贮存格形状一致的抗蚀剂。最后蚀刻除去掩模以外部分的贮存格材料。而且还可以形成下层是由无机物或有机物形成的对功能液显示亲液性的材料，而上层是由有机物形成并显示疏液性的材料构成的两层以上贮存格。这样可以如图4(b)所示，突出设置贮存格B，将应当形成配线图案的所定区域的周边包围。
作为贮存格B的形成材料，既可以采用对液体材料显示疏液性的材料，也可以像后述那样，采用经过等离子体处理疏液化(氟化)可能、与基板的密接性良好、而且通过光刻法图案形成容易的绝缘有机材料。例如可以采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、苯酚树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
(残渣处理工序)
一旦基板P上形成贮存格B，B就可以进行氢氟酸处理。氢氟酸处理，例如是用2.5％的氢氟酸水溶液进行蚀刻，除去贮存格B，B间的HMDS层32的处理。氢氟酸处理时，贮存格B，B具有掩模的功能，可以除去为在贮存格B，B间形成的沟槽部分34底部35的有机物HMDS层32。这样可以除去作为残渣的HMDS。
其中，往往出现用氢氟酸没有将贮存格B，B的底部35的HMDS(有机物)完全除去的情况。或者有时还会在贮存格B，B的底部35残存形成贮存格时的抗蚀剂(有机物)。因此，进而为了除去在贮存格B，B的底部35上形成贮存格时的有机物(抗蚀剂和HMDS)残渣，需要对基板P实施残渣处理。
作为残渣处理，可以选择通过照射紫外线进行残渣处理的紫外线(UV)照射处理和在大气气氛中以氧作处理气体的O2等离子体处理等。这里实施的是O2等离子体处理。
O2等离子体处理，是从等离子放电电极向基板P照射等离子体状态氧的一种处理。作为O2等离子体处理条件例如为：等离子体功率为50～1000W、氧气流量为50～100毫升/分钟、基板与等离子体放电电极的相对移动速度为0.5～10毫米/秒钟、基板温度为70～90℃。
当基板P是玻璃基板的情况下，其表面对配线图案形成材料虽然具有亲液性，但是像本实施方式那样，为残渣处理而实施O2等离子体处理和紫外线照射处理的情况下，可以提高在贮存格B，B间露出的基板P表面(底部35)的亲液性。在此，优选将O2等离子体处理和紫外线照射处理进行到贮存格底部35对油墨的接触角为15°或其以下。
另外，例如，相对于有机EL装置中的电极进行这种氧等离子体处理，可以调整这种电极的功函数。
而且，这里虽然说明了进行氢氟酸处理作为残渣处理的一部分，但是当采用O2等离子体处理或紫外线照射处理而可以充分除去贮存格B，B底部35的残渣的情况下，也可以进行氢氟酸处理。此外这里作为残渣处理虽然说明了进行O2等离子体处理和紫外线照射处理中的一种处理，但是当然还可以将O2等离子体处理和紫外线照射处理加以组合。
(疏液化处理工序)
接着对贮存格B进行疏液化处理，对其表面赋予疏液性。作为疏液化处理，例如可以采用在大气气氛中以四氟甲烷作处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理条件例如为：等离子体功率为50～1000W、四氟化碳气体流量为50～100毫升/分钟、基板与等离子体放电电极的相对移动速度为0.5～1020毫米/秒钟、基板温度为70～90℃。另外，作为处理气体并不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可以采用其他氟代烃类气体。
通过进行这种疏液化处理，可以对贮存格B，B向构成其树脂中导入氟基，对贮存格B，B赋予高的疏液性。而且，作上述亲液化处理的O2等离子体处理，虽然可以在贮存格B，B形成之前进行，但是对于丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等而言，若在O2等离子体处理之前进行，由于具有容易被氟化(疏液化)的性质，所以优选在贮存格B形成后进行O2等离子体处理。
再有，通过对贮存格B，B进行疏液化处理，对于在先经亲液化处理的基板P露出部分多少会有些影响，特别当基板P是由玻璃等制成的情况下，由于疏液化处理不会引起氟原子的导入，所以对于基板P的亲液性，即润湿性不会产生实质性损害。而且就贮存格B，B而言，通过采用具有疏液性的材料(例如含有氟基的树脂材料)形成，也可以省略该疏液化处理。
(第一材料配置工序)
以下利用液滴喷出装置IJ的液滴喷出法，在基板P上的贮存格B，B之间配置配线图案形成用油墨液滴(第一液滴)。这里作为功能液(配线图案用油墨)，喷出将导电性微粒分散在溶剂(分散剂)中的分散液。这里使用的导电性微粒，例如除了含有金、银、铜、钯和镍中任何金属的金属微粒以外，还可以使用导电性聚合物和超导体微粒等。在材料配置工序中，如图4(c)所示，由液滴喷头1以液滴形式喷出含有配线图案形成用材料的油墨。喷出的液滴，如图4(d)所示，被配置在基板P上的贮存格B，B之间的沟槽部分34。作为液滴喷出条件，例如可以在油墨重量4纳克/滴、油墨速度(喷出速度)5～7米/秒钟的条件下进行。而且喷出液滴的气氛气体优选被设定在60℃或其以下温度和湿度80％或其以下。这样可以在液滴喷头1的喷嘴不堵塞的情况下进行稳定的液滴喷出。
此时，由于喷出液滴的配线图案预定形成(即沟槽部分34)被贮存格B，B包围，所以可以阻止液滴扩展到所定位置以外区域。而且由于贮存格B，B被赋予疏液性，所以即使一部分被喷出的液滴落在贮存格B，B上，因贮存格B，B已被赋予疏液性而从贮存格B，B被排斥，使之流入贮存格B，B间的沟槽部分34中。此外，从基板P露出的沟槽部分34的底部35由于被赋予亲液性而使被喷出的液滴更容易在底部35上扩展，这样可以将油墨均匀配置在所定位置上。
(中间干燥工序)
在基板P上喷出液滴后，为了除去液体成分分散剂和确保膜厚而进行干燥处理。干燥处理，例如可以采用加热基板P用的通常电热板、电炉等进行热处理。本实施方式中，热处理例如在180℃温度下加热60分钟左右，或者在80℃加热5分钟左右。干燥处理气氛既可以在大气中进行，也可以在氮气(N2)气氛下进行。或者还可以利用灯退火以光照射的方式进行。作为灯退火使用光的光源并无特别限制，可以使用红外灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等作为光源。这些光源一般可以使用功率为10W或其以上和5000W或其以下范围内的，但是在本实施方式中使用功率为100W或其以上和1000W或其以下范围内的就足够了。通过这种中间干燥处理，至少可以除去一部分分散剂，如图5(a)所示，形成其表面已被膜化的油墨组成的膜图案。
而且通过改变干燥条件能将被配置在基板P上的功能液(膜图案)转变成多孔体。例如在120℃温度下加热5分钟左右，或者在180℃温度下加热60分钟左右，将被配置在基板P上的功能液干燥，可以将作为第一层的膜图案转变成多孔体。通过将基板P上形成的第一层膜图案转变成多孔体，可以使在以下第二材料配置工序中配置的液滴(第二液滴)侵入被配置在基板P上的上述多孔体中，将其良好地配置在贮存格B，B之间。
(第二材料配置工序)
对基板上的油墨进行干燥处理之后，如图5(a)所示，可以在此基板P上的油墨(膜图案)上配置下一油墨液滴(第二液滴)。被液滴喷头1喷出的油墨液滴将在基板P上的膜图案上润湿扩展。此时如上所述，将第一层膜图案制成多孔体的情况下，这种多孔体具有收容膜的功能，所以被在后配置的液滴(第二液滴)可以浸入上述的多孔体，良好地被配置在贮存格B，B之间。
另外，也可以不将第一层膜图案做成多孔体。此时，基板P上的膜图案表面被喷出的液滴再溶解。被喷出的液滴将在膜图案上很好地润湿扩展。而且通过反复进行中间干燥工序和材料配置工序，如图5(c)所示，可以使油墨液滴数层层叠，形成膜厚的厚的配线图案(薄膜图案)33。而且在将第一层膜图案制成多孔体的情况下，可以形成致密性高的配线图案(膜图案)33。
(烧成工序)
为了使微粒间实现充分电接触，对于喷出工序后的干燥膜必需完全除去分散剂。而且为了提高导电性微粒表面的分散性而涂布了有机物等涂料的情况下，还必需除去这种涂料。为此对喷出工序后的基板实施热处理和/或光处理。
热处理和/或光处理通常在大气中进行，但是必要时也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度，可以根据分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热行为、涂料的有无和数量、以及基体材料的耐热温度等适当确定。例如，为了除去由有机物组成的涂料必需在大约300℃下烧成。而且使用塑料等基板的情况下，优选在室温或其以上至100℃或其以下温度下进行。利用以上工序喷出工序后的干燥膜可以确保微粒之间的电接触，如图5(d)所示，可以转变成电导性膜。
然而，当层叠数层油墨液滴时，在基板P上喷出油墨液滴后，并实施了干燥处理后，在基板P上喷出下一液滴之前，可以再次进行对贮存格B赋予疏液性的疏液化处理。在第一材料配置工序中喷出的油墨液滴一旦为贮存格B的例如上面等部分，该部分的疏液性就可能降低，但是通过在第二材料配置工序进行之前再次进行疏液化处理，贮存格B将变成具有疏液性的，这样即使在第二材料配置工序中喷出的油墨液滴落在贮存格的上面，也会顺利地流入沟槽部分34内。
而且这里虽然是就第一材料配置工序中使用的功能液和第二材料配置工序中使用的功能液是由相同材料组成的情况进行说明的，但是也可以是互相不同的材料。例如，通过在第一材料配置工序中配置含有锰等的功能液，而在第二材料配置工序中配置含有银等的功能液，可以用锰层作为银与基板的密接层。
另外，在烧成工序后通过灰化剥离处理可以除去基板P上存在的贮存格B，B。灰化处理可以采用等离子体灰化处理或臭氧灰化处理等方法。等离子体灰化处理是使等离子体化的氧气等气体与贮存格(抗蚀剂)反应，使贮存格气化而剥离除去的方法。贮存格是由碳、氧、氢等构成的固体物质，当其与氧等离子体反应时将变成CO2、H2O和O2，可以全部以气体形式剥离。另一方面，臭氧灰化的基本原理与等离子体灰化相同，使O3(臭氧)分解变成活性气体O+(活泼氧)，使这种O+与贮存格反应。与O+反应后的贮存格变成CO2、H2O和O2，全部以气体形式被剥离。通过对基板P进行灰化剥离处理，可以从基板P上除去贮存格。
如上所述，在贮存格间的沟槽部分两次以上喷出油墨液滴形成配线图案之际，在两次以后喷出时，由于在先将基板上配置的油墨干燥之后，才进行下一油墨液滴的喷出，所以通过中间干燥工序S5能将下一油墨液滴顺利地配置在使其表面已被膜化的基板上的膜图案(油墨)上。因此，通过数次重复此项处理可以实现配线图案的厚膜化，得到所需的膜厚。
另外，在上述实施方式中，虽然说明了利用第一和第二材料配置工序在基板P上的贮存格间配置功能液，但是当然也可以利用包含与第一和第二材料配置工序不同的第三材料配置工序的任意多个材料配置工序依次层叠功能液。这种情况下，可以在多个材料配置工序中任意材料配置工序之间设置中间干燥工序。
而且如上所述，在将基板P上设置的膜图案(下层)制成多孔体的情况下，从喷头1喷出的功能液由于在基板P上的多孔体(下层)侵入，所以当层叠多层功能液(膜图案)时还可以缓缓增加该层叠时的液滴喷出量。
此外，既可以用有机银化合物形成第一层(下层)，用银微粒形成第二层(上层)。而且也可以用银微粒形成第一层(下层)，用有机银化合物形成第二层(上层)。为了形成各层在基板P上配置功能液时，例如也使用分配器配置第一层形成用的功能液，用油墨喷头配置第二层形成用功能液。
而且，在上述实施方式中虽然是就在多次的材料配置工序之间进行中间干燥工序而说明的，但是也可以与材料配置工序并行进行。例如，既可以边用加热装置(电热板等)加热基板P，边在基板P上配置液滴，也可以边进行光线照射边配置液滴。采用这种方法也能顺利实现薄膜图案的厚膜化。而且边配置液滴边进行中间干燥的工序，既可以在多个材料配置工序中与全部材料配置工序并行进行，也可以与所选择的所定材料配置工序并行进行。
另外，上述实施方式中的功能液是就将导电性微粒分散在分散剂中的功能液进行说明的，但例如使用将有机银化合物等导电性材料分散在二甘醇二乙基醚等溶剂(分散剂)中的溶液作为功能液。这种情况下，在上述烧成工序中，对于在基板上喷出后的功能液(有机银化合物)进行热处理或光处理以获得导电性，除去有机银化合物中的有机成分，使银粒子残留下来。例如为了除去有机银化合物中的有机成分，在大约200℃温度下烧成。这样可以确保喷出工序后的干燥膜在微粒间的电接触，使其变成导电膜。
(电光学装置)
以下说明作为本发明的电光学装置一个实例的液晶显示装置。图6是关于本发明涉及的液晶显示装置，从各构成要素共同显示的相对侧观察的平面图，图7是沿着图6中H-H’线的截面图。图8是液晶显示装置的图像显示区域中以矩阵状形成的多个像素中各种元件、配线的等效电路图，图9是液晶显示装置的部分截面放大图。而且，在以下的说明中，为了能在图中识别各层和各部件，对各层和各部件的尺寸在比例上做了不同的处理。
在图6和图7中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100为，成对的TFT阵列基板10和对向基板20被作光固化性密封材料用的密封材料52粘合起来，由此密封材料52区分的区域内封入并保持有液晶50。密封材料52在基板面内区域中形成被关闭的框架状。
在密封材料52形成区域的内侧区域上，形成由遮光材料组成的边框53。在密封材料52的外侧区域，沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201和安装接线柱202，沿着与此一边相邻的两边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的其余一边设有连接被设在像素显示区域两侧的扫描线驱动电路204之间的多个配线205。而且在对向基板20的角部至少在一处，配设有将TFT阵列基板10与对向基板20之间电导通用的基板间导通材料206。
另外，也可以借助于各向异性的导电膜，例如将安装了驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和在TFT阵列基板10周边部分形成的接线柱组进行机械和电学上的连接，以此来代替在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204。而且，在液晶显示装置100中，根据使用的液晶50的种类，即根据TN(Twisted Nematic)型、C-TN(Super Twisted Nematic)型等动作模式、以及正常白模式/正常黑模式的不同，在所定方向上设置相位差板、偏光板等，但是这里省略对其图示。而且使用液晶显示装置100作彩色显示用而构成的情况下，在对向基板20中于TFT阵列基板10与后述的各像素电极相对向的区域内，与其保护膜同时形成例如与红(R)、绿(G)、蓝(B)的彩色滤光片。
在具有这种结构的液晶显示装置100的像素显示区域内，如图8所示，以矩阵状形成多个像素100a的同时，在这些像素100a的每个像素上事先形成着像素开关用TFT(开关元件)30，将供给像素信号S1、S2…Sn的数据线6a与TFT30的源极为电连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2…Sn，既可以按此顺序依次供给各线，也可以在相邻的多个数据线6a之间逐组供给。而且其结构为事先将扫描线3a电连接在TFT30的栅极上，根据所定时序将脉冲扫描线信号G1、G2…Gm依此顺序依次逐线施加在扫描线3a上。
像素电极19事先与TFT30的漏极为电连接，使作开关元件用的TFT30仅在一定时间为开启状态，以所定时序向各像素写入从数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn。这样通过像素电极19写入液晶的所定水平的像素信号S1、S2、…、Sn，可以在图7所示的对向基板20的对向电极121之间保持一定时间。其中为了防止被保持像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，可以在像素电极19与对向电极121之间形成的液晶电容并行附加储蓄电容60。例如，像素电极19的电压仅在比施加比源电压时间长三位数的长时间内由储蓄电容60所保持。这样可以改善电荷的保持特性，制成对比度高的液晶显示装置100。
图9是具有底栅型TFT30的液晶显示装置100的部分截面放大图，在构成TFT阵列基板10的玻璃基板P上，用上述实施方式的图案形成方法于剥离基板P上的贮存格B，B之间形成有栅极配线61。
隔着由SiNx组成的栅极绝缘膜62将由无定形硅(a-Si)层组成的半导体层63层叠在栅极配线61上。将与此栅极配线部分相对向的部分半导体层63作为通道区域。在半导体层63上层叠为获得欧姆连接所需的例如由n+型a-Si层组成的接合层64a和64b，在通道区域中央部分的半导体层63上，形成有保护通道用由SiNx组成的绝缘性抗蚀膜65。其中这种栅极绝缘膜62、半导体层63和抗蚀膜65在蒸镀(CVD)后，经过涂布抗蚀剂、感光、显影和光蚀，可以被图案化成图中所示的形状。
此外，由结合层64a、64b和ITO组成的像素电极19也同样被成膜，同时进行光蚀，可以图案形成为图示的形状。于是分别在像素电极19、栅极绝缘膜62和抗蚀膜65上突出设置贮存格66…，用上述的液滴喷出装置IJ在这些贮存格66…之间喷出银化合物的液滴的情况下，可以形成源线和漏线。
另外，在上述实施方式中，虽然是采用以TFT30作为液晶显示装置100驱动用开关元件的结构，但是除液晶显示装置以外，例如也可以适用于有机EL(电致发光)显示器件中。有机EL显示器件，具有将含有荧光性的无机和有机化合物的薄膜被阴极和阳极夹在其间的构成，通过向上述薄膜注入电子或空穴(孔)使之激发而生成激发子，利用这种激发子再结合时放出光线(荧光、磷光)的性质使之发光的元件。于是在具有上述的TFT30的基板上，以有机EL显示元件使用的荧光性材料中呈现红、绿和蓝色各色发光的材料，即发光层形成材料以及空穴注入/电子输送层形成材料作为油墨，分别将其图案形成的情况下，可以制造自发光全色EL器件。本发明中的器件(电光学装置)范围内也包括这种有机EL器件。
图10是用上述液滴喷出装置IJ制造了一部分构成要素的有机EL元件装置的截面侧视图。以下参照图10说明有机EL装置的大体构成。
图10中，有机EL装置401，是在由基板411、电路元件部分421、像素电极431、贮存格441、发光元件451、阴极461(对向电极)和密封基板471构成的有机EL元件402上，连接了柔性基板(图示略)的配线和驱动IC(图示略)的装置。电路元件部分421，是一种在基板411上形成作为有源元件的TFT60，由多个像素电极431在电路元件部分421上整列排列而成的。而且构成TFT60的栅极配线61可以用上述实施方式的配线图案形成方法形成。
事先在各像素电极431之间形成格状贮存格441，在由贮存格441形成的凹部开口444上形成有发光元件451。其中发光元件451事先由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件构成，这样有机EL装置401将能实现全色显示。阴极461在贮存格441和发光元件451的上部全面形成，在阴极461上层叠有密封用基板471。
包含有机EL元件的有机EL装置401的制造过程，备有；形成贮存格441的贮存格形成工序；适当形成发光元件451用的等离子体处理工序；形成发光元件451的发光元件形成工序；形成阴极461的对向电极形成工序；和在阴极461上层叠密封用基板471后进行密封的密封工序。
发光元件形成工序是通过在凹部开口444，即像素电极431上形成空穴注入层452和发光层453而形成发光元件451的，所以备有空穴注入层形成工序和发光层形成工序。而且空穴注入层形成工序具有：向各像素电极431上喷出空穴注入层452形成用液体材料的第一喷出工序，和将被喷出的液体材料干燥形成空穴注入层452的第一干燥工序。此外发光层形成工序具有：向空穴注入层452上喷出发光层453形成用液体材料的第二喷出工序，和将被喷出的液体材料干燥形成发光层453的第二干燥工序。其中发光层453，如上所述事先由与红、绿、蓝三色对应的材料形成的三种层，所以所述的第二喷出工序由分别喷出三种材料的三个工序组成。
对于这种发光元件形成工序来说，在空穴注入层形成工序中的第一喷出工序与发光层形成工序中的第二喷出工序中，都可以采用上述的液滴喷出装置IJ。
而且作为本发明涉及的器件(电光学装置)，除上述的以外还可以适用于PDP(等离子体显示板)、或通过电流在基板上形成的小面积薄膜上与膜面并行地流过而产生电子释放现象的表面传导型电子释放元件等之中。
以下说明将本发明的膜形成方法形成的膜图案用于等离子型显示装置中的具体实例。
图11表示本实施方式等离子体显示装置500的分解立体图。
等离子体显示装置500由包含互相相对向配置的基板501和502以及在其间形成的放电显示部510构成。
放电显示部510由多个放电室516集合而成。多个放电室516中，将红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)和蓝色放电室(B)这三种放电室516，成对地配置构成一个像素。
在基板501的上面，以所定间隔形成条状地址电极511，并形成电介体层519将地址电极511和基板501的上面覆盖。在电介体层519上位置为地址电极511和511之间，而且沿着各地址电极511形成有隔壁515。隔壁515包括与地址电极511宽度方向左右两侧相邻的隔壁，和沿着与地址电极511正交方向延伸设置的隔壁。而且与被隔壁515隔开的长方形区域对应地形成放电室516。
此外，在被隔壁515区分的区域内侧配置有荧光体517。荧光体517发出红、绿和蓝色中任何颜色的荧光，所以将红色荧光体517(R)、绿色荧光体517(G)和蓝色荧光体517(B)分别设置在红色放电室516(R)的底部、绿色放电室516(G)的底部和蓝色放电室(B)的底部。
另一方面，在基板502上在与前面的地址电极511正交的方向上以所定间隔形成带状(strip)多个显示电极512。此外还形成有电介体层513和由MgO等组成的保护膜514将其覆盖。
将基板501和基板502互相相对向粘合起来，使上述地址电极511…与显示电极512…互相正交。
将上述地址电极511和显示电极512与图中未示出的交流电源相连。通过对各电极通电使放电显示部510中荧光体517激发发光，因而可以进行彩色显示。
本实施方式中，上述地址电极511和显示电极512，由于是分别采用前面图9所示的图案形成的，所以可以实现小型和薄型化，可以得到一种不会产生断线等不良情况的高品质等离子体显示装置。
而且在上述实施方式中，虽然是采用本发明涉及的图案形成方法形成TFT(薄膜晶体管)的栅极配线的，但是也可以用于制造源电极、漏电极、像素电极等其他构成要素。以下参照图12～图15说明TFT的制造方法。
如图12所示，首先采用光刻法在洗净的玻璃基板610的上面形成设置一个像素间距为1/20～1/10沟槽611a用的第一层贮存格611。这种贮存格611形成后必需备有透光性和疏液性，其材料除丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料之外，还可以使用聚氮杂硅烷等无机材料。
为了使这样形成后的贮存格611具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用含氟气体的等离子体处理)，或者代之以事先在贮存格611材料本身中充填疏液成分(氟代基团)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理。
经过这样疏液化的贮存格611与喷出油墨的接触角，优选为40°或其以上，而作为玻璃面的接触角优选确保为10°或其以下。也就是说，经过本发明人等的试验结果确认，例如对导电性微粒(十四碳烷溶剂)处理后的接触角，在采用丙烯酸树脂系作为贮存格611原始材料的情况下可以确保大约为54.0°(未处理情况下为10°或其以下)。其中这些接触角是在等离子功率为550瓦，以0.1升/分钟速度供给四氟甲烷气体的处理条件下得到的。
继上述第一层贮存格形成工序后的栅极扫描电极形成工序(第一导电性图案形成工序)中，利用油墨喷头喷出含有导电性材料的液滴，使之填满被贮存格611区分的其作为扫描区域的上述沟槽611a，这样能形成栅极扫描电极612。而且在形成栅极扫描电极612时，可以采用本发明涉及的图案形成方法。
作为此时用的导电性材料，可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的栅极扫描电极612，由于事先赋予贮存格611以充分的疏液性，因而能在不从沟槽611a溢出的情况下形成微细的配线图案。
通过以上工序可以在基板610上形成由贮存格611和栅极扫描电极612组成的备有平坦上表面的第一导电层A1。
而且为了获得在沟槽611a内的良好喷出效果，如图12所示，此沟槽611a的形状优选采用准锥体状(朝着喷出方向张口的倾斜状)。这样可以使被喷出的液滴充分进入深处。
进而如图13所示，利用等离子体CVD法使栅极绝缘膜613、活性层621和接触层609连续成膜。通过使原料气体和等离子体条件发生变化，可以形成氮化硅膜作为栅极绝缘膜613，无定形硅膜作为活性层621，以及n+型硅膜作为接触层609。采用CVD法形成的情况下，必需经历300～350℃的热履历，贮存格采用无机系材料的情况下，可以避开有关透明性和耐热性方面的问题。
继上述半导体层形成工序后的第二层贮存格形成工序中，如图14所示，利用光刻法在栅极绝缘膜613的上面，形成设置一个像素间距为1/20～1/10而且与上述沟槽611a交叉的沟槽514a用的第二层贮存格614。这种贮存格614形成后必需备有透光性和疏液性，其材料除丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料之外，还可以采用聚氮杂硅烷等无机材料。
为了使这样形成后的贮存格614具有疏液性，必需实施CF4等离子体处理等(采用含氟气体的等离子体处理)，或者代之以事先在贮存格614材料本身中充填疏液成分(氟代基团)。这种情况下可以省略CF4等离子体处理。
以此方式被疏液化的贮存格614与喷出油墨间的接触角，优选确保为40°或其以上。
继上述第二层贮存格形成工序后的源、漏电极形成工序(第二导电性图案形成工序)中，利用油墨喷头喷出含有导电性材料的液滴，如图15所示，使之填满被贮存格614区分的其作为扫描区域的上述沟槽614a内，形成与上述栅极扫描电极612交叉的源电极615和漏电极616。而且在源电极615和漏电极616形成时，可以采用本发明涉及的图案形成方法。
此时用的导电性材料，可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和导电性聚合物等。这样形成的源电极615和漏电极616，由于事先赋予贮存格614以充分的疏液性，所以能在不从沟槽614a溢出的情况下形成微细的配线图案。
而且，可以将绝缘材料配置得将配置了源电极615和漏电极616的沟槽614a填埋。通过以上工序可以在基板610上形成由贮存格614和绝缘材料617组成的平坦上表面620。
进而在绝缘材料617上形成接触孔619，同时形成在上面620上被图案化的像素电极(ITO)618，通过接触孔619将漏电极616与像素电极618连接起来制成TFT。
图16是表示液晶显示装置的另一种实施方式的图。
图16所示的液晶显示装置(电光学装置)901，大体上备有彩色液晶板(电光学板)902和与液晶板902连接的电路基板903。而且必要时在液晶板902上还设有背光灯等照明装置和其他附属设备。
液晶板902带有用密封材料904粘接的一对基板905a和基板905b，将液晶封入在这些基板905a和基板905b之间形成的间隙，即晶胞间隙中。这些基板905a和基板905b一般由透光性材料，例如玻璃、合成树脂等形成。在基板905a和基板905b的外侧表面上粘贴有偏光板906a和另一块偏光板。其中在图16中另一块偏光板的图示被省略。
而且在基板905a的内侧表面上形成有电极907a，在基板905b的内侧表面上形成有电极907b。这些电极907a、907b形成带状或者文字、数字或其他适当图案形状。而且这些电极907a、907b例如可以由ITO(IndiumTinOxide：铟锡氧化物)等透光性材料形成。基板905a具有相对于基板905b伸出的伸出部分，在这种伸出部分上形成有多个接线柱908。这些接线柱908是在基板905a上形成电极907a时与电极907a同时形成的。因此，这些接线柱908例如可以用ITO形成。这些接线柱908上包括自电极907a一体延伸的部分，和通过导电性材料(图中未示出)连接到电极907b上的部分。
在电路基板903上，于配线基板909上所定位置处安装有作液晶驱动IC用的半导体元件900。其中省略了图示，但是也可以在安装半导体元件900部位以外的所定位置处安装有电阻、电容器和其他芯片元件。配线基板909，可以采用将例如聚酰亚胺等具有柔性的基础基板911上形成的Cu等金属膜图案化形成配线图案912的方式制造。
本实施方式中，液晶板902中的电极907a、907b以及电路基板903中的配线图案912都可以采用上述器件的制造方法形成。
根据本实施方式的液晶显示装置，可以得到电特性的不均匀性得到消除的高品质液晶显示装置。
另外，上述实例虽然是无源型液晶板，但是也可以制成有源矩阵型液晶板。也就是说，在一块基板上形成薄膜晶体管(TFT)，并就各TFT形成像素电极。而且像上述那样利用喷墨技术形成与各TFT电连接的配线(栅极线和源线)。另一方面在对基板上形成对向电极等。本发明也能适用于这种有源矩阵型液晶板上。
以下说明非接触型卡式介质的实施方式作为其他实施方式。如图17所示，本实施方式涉及的非接触型卡式介质700，其结构为在由卡式基体702和卡式盖片718构成的筐体内，内藏有半导体集成电路芯片708和天线电路712，可以从图中未示出的外部信号接收机与电磁波或静电电容结合的至少一种结合方式供给电力或者进行数据接收。
本实施方式中，上述天线电路712可以用上述实施方式的配线图案形成方法形成。
另外，本发明涉及的器件(电光学装置)，除上述的以外，还能够适用于PDP(等离子体显示板)、以及利用电流在基板上形成的小面积薄膜上与膜面并行地流过而产生电子释放现象的表面传导型电子释放元件等之中。
(电子仪器)
以下说明本发明的电子仪器的具体实例。
图18(a)是表示一种移动电话机实例的立体图。图18(a)中，符号1600表示移动电话机主体，符号1601表示备有上述实施方式液晶显示装置的液晶显示部。
图18(b)是表示一种文字处理机和个人计算机等便携式信息处理装置实例的立体图。图18(b)中，符号1700表示信息处理装置，符号1701表示键盘等输入部件，符号1703表示信息处理机的主体，符号1702表示备有上述实施方式液晶显示装置的液晶显示部。
图18(c)是表示一种手表型电子仪器实例的立体图。图18(c)中，符号1800表示仪器主体，符号1801表示备有上述实施方式液晶显示装置的液晶显示部。
图18(a)～图18(c)所示的电子仪器备有上述实施方式的液晶显示装置，所以具有所需膜厚的配线图案。
另外，本实施方式的电子仪器虽然是备有液晶装置的，但是也可以制成备有有机电致发光显示装置、等离子体显示装置等其他电光学装置的电子仪器。
以上虽然参照附图说明了本发明涉及的优选实施方式的实例，但是本发明当然并不限于本发明涉及的实例上。上述实例中所示的各构成部件的各种形状和组合等仅仅是一个实例，在不超出本发明要点的范围内可以根据设计要求作出各种变化
而且在上述实施方式中虽然是将薄膜图案作为导电性膜，但是并不限于此，例如也可以适用于在液晶显示装置中将显示图像彩色化用的彩色滤光器上。这种彩色滤光器可以以液滴形式将R(红)、G(绿)和B(蓝)色油墨(液体材料)，根据图案配置在基板上的方式形成，在基板上形成与所定图案对应的贮存格，对这些贮存格赋予疏液性后，配置油墨形成彩色滤光器，以此方式制造具有高性能的彩色滤光器的液晶显示装置。

Claims (27)

1.一种薄膜图案的形成方法，是在基板上形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，其特征在于，其中具有：
在所述基板上的所定图案上形成贮存格的贮存格形成工序；
在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；
在所述第一材料配置工序之后，使所述第一图案干燥，除去所述第一液滴所含液体成分的至少一部分，形成由多孔体构成的膜图案的中间干燥工序；和
在由所述多孔体构成的所述膜图案上配置第二液滴的第二材料配置工序。
2.一种薄膜图案的形成方法，是在基板上形成薄膜图案的薄膜图案形成方法，其特征在于，其中具有：
在所述基板上的所定图案上形成贮存格的贮存格形成工序；
在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；
在所述的第一图案上配置第二液滴的第二材料配置工序；和一边在所述基板上配置所述第一液滴和所述第二液滴中至少任一方液滴，一边使所述第一图案干燥，除去所述第一液滴所含液体成分中的至少一部分，形成由多孔体构成的膜图案的中间干燥工序。
3.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中具有在所述第二材料配置工序之前，在所述基板上配置的所述第一液滴上，配置第三液滴的第三材料配置工序。
4.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中具有在所述第二材料配置工序之后，在所述基板上配置的所述第一液滴上或所述第二液滴上，配置第三液滴的第三材料配置工序。
5.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中具有在所述第二材料配置工序之前，在所述基板上配置的所述第一液滴上，配置第三液滴的第三材料配置工序。
6.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中具有在所述第二材料配置工序之后，在所述基板上配置的所述第一液滴上或所述第二液滴上，配置第三液滴的第三材料配置工序。
7.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中所述的中间干燥工序具有热处理工序。
8.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中所述的中间干燥工序具有热处理工序。
9.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中所述的中间干燥工序具有光照射处理工序。
10.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中所述的中间干燥工序具有光照射处理工序。
11.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中在所述的中间干燥工序之后，进行对所述贮存格赋予疏液性的疏液化处理工序。
12.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中在所述的中间干燥工序之后，进行对所述贮存格赋予疏液性的疏液化处理工序。
13.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中在所述第一材料配置工序中，喷出由功能液组成的所述第一液滴，在所述第二材料配置工序中，喷出由与所述第一液滴的功能液不同的功能液组成的所述第二液滴。
14.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中在所述第一材料配置工序中，喷出由功能液组成的所述第一液滴，在所述第二材料配置工序中，喷出由与所述第一液滴的功能液不同的功能液组成的所述第二液滴。
15.根据权利要求3所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，其中在所述第一材料配置工序中，喷出由功能液组成的所述第一液滴，在所述第二材料配置工序中，喷出由与所述第一液滴的功能液不同的功能液组成的所述第二液滴，在所述第三材料配置工序中，喷出由与所述第一液滴的功能液以及所述第二液滴的功能液不同的功能液组成的所述第二液滴。
16.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述第一液滴以及所述第二液滴中含有导电性微粒。
17.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述第一液滴以及所述第二液滴中含有导电性微粒。
18.根据权利要求3所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述第一液滴、所述第二液滴以及所述第三液滴中含有导电性微粒。
19.根据权利要求1所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述第一液滴以及所述第二液滴中含有由热处理或光处理而呈现导电性的材料。
20.根据权利要求2所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述第一液滴以及所述第二液滴中含有由热处理或光处理而呈现导电性的材料。
21.根据权利要求3所述的薄膜图案的形成方法，其特征在于，所述第一液滴、所述第二液滴以及所述第三液滴中含有由热处理或光处理而呈现导电性的材料。
22.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在具有于基板上形成薄膜图案工序的有源矩阵基板制造方法中，通过权利要求1所述的薄膜图案形成方法在所述基板上形成薄膜图案。
23.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在具有于基板上形成薄膜图案工序的有源矩阵基板制造方法中，通过权利要求2所述的薄膜图案形成方法在所述基板上形成薄膜图案。
24.一种器件的制造方法，其特征在于，在具有于基板上形成薄膜图案工序的器件制造方法中，通过权利要求1所述的薄膜图案形成方法在所述基板上形成薄膜图案。
25.一种器件的制造方法，其特征在于，在具有于基板上形成薄膜图案工序的器件制造方法中，通过权利要求2所述的薄膜图案形成方法在所述基板上形成薄膜图案。
26.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在有源矩阵基板的制造方法中，具有：
在基板上形成栅极配线的第一工序；
在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序；
隔着所述栅极绝缘膜在所述栅极配线上层叠半导体层的第三工序；
在所述栅极绝缘膜上形成源电极和漏电极的第四工序；
在所述的源电极和所述的漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和
形成与所述的漏电极电连接的像素电极的第六工序；
而在所述的第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中至少一个工序，具有：
根据形成图案形成贮存格的贮存格形成工序；
在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；和
在所述的第一图案上配置第二液滴的第二材料配置工序；
并且，在所述的第一材料配置工序与所述的第二材料配置工序之间具有将所述的第一液滴所含液体成分的至少一部分除去的工序。
27.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在有源矩阵基板的制造方法中，具有：
在基板上形成栅极配线的第一工序；
在所述栅极配线上形成栅极绝缘膜的第二工序；
隔着所述栅极绝缘膜在所述栅极配线上层叠半导体层的第三工序；
在所述栅极绝缘膜上形成源电极和漏电极的第四工序；
在所述源电极和所述的漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和
形成与所述的漏电极电连接的像素电极的第六工序，
其中，在所述的第一工序、所述的第四工序和所述的第六工序中至少一个工序，具有：
在形成的图案上形成贮存格的贮存格形成工序；
在所述贮存格之间配置第一液滴，形成第一图案的第一材料配置工序；和
在所述第一图案上配置第二液滴的第二材料配置工序，
一边在所述基板上配置所述第一液滴和所述第二液滴中至少任一方液滴，一边将被配置在所述基板上的所述的第一液滴所含液体成分的至少一部分除去的中间干燥工序。
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