TWI239297B - Method for fabricating thin film pattern, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus - Google Patents

Method for fabricating thin film pattern, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus Download PDF

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Description

1239297 (1) 玖、發明說明 t胃明所屬之技術領域】 〔產業上之利用區域〕 本發明係關於一種薄膜圖案的形成方法及裝置的製造 方法，光電裝置及電子機器。 【先前技術】 〔背景技術〕 在具有電子電路或積體電路等之配線之裝置的製造， 例如使用光微影法。該光微影法係藉由在預先塗敷導電膜 之基板上’塗敷稱爲阻劑之感光性材料，照射電路圖案， 進行顯影，配合於阻劑圖案，來蝕刻導電膜而形成薄膜之 配線圖案。該光微影法係需要真空裝置等之大型之設備或 複雜之製程，並且，材料之使用效率係也成爲數％左右而 幾乎不得不廢棄其全部，製造成本變高。 相對於此，提議：使用由液滴噴出頂頭呈液滴狀地噴 出液體材料之液滴噴出法、所謂噴墨法而在基板上形成配 線圖案之方法（例如參考專利文獻1 )。在該方法，將成 爲分散金屬微粒等之導電性微粒之功能液之配線圖案形成 用油墨’直接地圖案塗敷於基板，然後，藉由進行熱處理 或雷射照射而轉換成爲薄膜之導電膜圖案。如果藉由該方 法的話，則具有所謂不需要光微影、製程大幅度地簡單化 同時原材料之使用量也變少之優點。 〔專利文獻1〕美國專利第5 1 3 2248號說明書 (2) 1239297 【發明內容】 〔發明之揭示〕 〔發明企圖解決之課題〕 但是，在使用液滴噴出法而形成膜厚變厚之膜圖案之 狀態下.，考慮1個液滴之大小變大而進行噴出之方法，但 是，在該方法，可能引起液體積存（隆起）之發生等之意 外。 本發明係有鑑於此種狀況而完成的；其目的係提供一 種在藉由液滴噴出法而在基板上形成配線等之薄膜圖案 時、良好地得到要求之膜厚之薄膜圖案的形成方法及裝置 的製造方法，光電裝置及電子機器。 〔用以解決課題之手段〕 爲了達成前述目的，因此，本發明係採用以下之構 造。 本發明之薄膜圖案的形成方法，其特徵爲：係在基板 上形成薄膜圖案之薄膜圖案的形成方法，具有：在前述基 板上之既定圖案，形成間隔壁之間隔壁形成製程；在前述 間隔壁間，配置第1液滴，形成第1圖案之第1材料配置 製程；以及，在前述第1圖案上，配置第2液滴之第2材 料配置製程；此外，在前述第1材料配置製程和前述第2 材料配置製程間，具有：除去包含於前述第1液滴之溶媒 之至少一部分之製程。 -5- (3) 1239297 如果藉由本發明的話，則在第1材料配置製程，在基 板上配置由功能液所構成之第1液滴後，在對於基板上之 功能液來進行中間乾燥處理後，在該乾燥處理之功能液 (膜圖案）上，於第2材料配置製程，來配置成爲下一個 功能液之第2液滴，因此，第2液滴係順暢地配置於藉由 中間乾燥而膜化其表面之基板上之功能液（膜圖案）上。 接著，可以藉由重複地進行該處理複數次而順暢地實現薄 膜圖案之厚膜化，能夠得到要求之膜厚。此外，成爲將用 以形成薄膜圖案之功能液來配置在突設於基板上之間隔壁 間之構造，因此，可以沿著間隔壁形狀而對於薄膜圖案順 暢地進行圖案化，成爲要求之形狀。 在此，在中間乾燥製程，可以除去先前配置於基板上 之功能液（第1液滴）之液體成分之一部分，不一定需要 除去全部，但是，當然也可以除去全部之液體成分。 此外，本發明之薄膜圖案的形成方法，其特徵爲：係 在基板上形成薄膜圖案之薄膜圖案的形成方法，具有：在 前述基板上之既定圖案，形成間隔壁之間隔壁形成製程； 在前述間隔壁間，配置第1液滴，形成第1圖案之第1材 料配置製程；以及，在前述第1圖案上，配置第2液滴之 第2材料配置製程；此外，並行於前述第〗材料配置製程 和前述第2材料配置製程中之至少其中一個製程，來進行 除去配置於前述基板上之前述第1液滴所包含之液體成分 之至少一部分之中間乾燥製程。 也就是說，除了整理配置於基板上之液滴而進行裝間 -6 · (4) 1239297 乾燥之構造以外，也可以配置第1液滴同時（並行於第1 液滴之配置動作）進行中間乾燥製程，也能夠配置第2液 滴同時進行中間乾燥。即使是藉由這樣，也可以順暢地實 現薄膜圖案之厚膜化。在此，同時配置液滴之中間乾燥製 程係也可以並行於第1、第2材料配置製程兩者而進行， 也能夠.選擇第1、第2材料配置製程中之其中任何一種而 進行。 在本發明之薄膜圖案的形成方法，其特徵爲：在前述 第2材料配置製程之前面或後面，具有：在配置於前述基 板上之前述功能液上配置由前述功能液所構成之第3液滴 之第3材料配置製程。也就是說，可以在包含第1、第 2、第3 .材料配置製程之複數個材料配置製程，在基板上 之間隔壁間，依序地配置功能液之液滴，能夠在這些各個 材料配置製程中之任意之材料配置製程間（或者是並 行），設置中間乾燥製程。 接著，前述中間乾燥製程係可以藉由具有加熱處理製 程或光照射處理製程而對於配置在基板上之功能液良好地 進行乾燥處理。此外，可以藉由調整加熱處理條件或光照 射處理條件而容易調整殘留於基板上之功能液之液體成分 量。 在本發明之薄膜圖案的形成方法，其特徵爲：在前述 中間乾燥製程後，進行在前述間隔壁賦予疏液性之疏液化 處理製程。如果藉由本發明的話，則可以在間隔壁間配置 功能液之液滴時，噴出之一部分液滴係接觸到間隔壁上面 1239297 (5) 能，可在能親因在 功際之行功予。 。 個之化進之賦部間 一上惡，出壁底壁 下壁之前噴隔之隔 出隔狀程是間間間 噴間形製使在M之 而於案之即於pi上 下載圖液而由 m 板 態搭起能程也 Η 基 狀滴引功.製，落於 該液而個理上 1 置 在分間 一處壁 b 配 ， 部壁下化隔 $ 地 性一隔置液間°,好 液之間配疏於罾良 疏出在在之載 β 係 之噴落由性搭所液 分在流藉液滴壁能 部，地，疏液隔功 該時暢是予分間之 低滴順但賦部由出 降液不，壁一 ，噴 而之生性隔之性 ， 等液發能間液液此 此，作爲疏液化處理製程係可以將使用包含四氟化碳 (cf4)之處理氣體之電漿處理予以採用。藉此而導入氟 基至間隔壁，間隔壁係對於功能液，具有疏液性， 可以在本發明之薄膜圖案的形成方法，在前述各個材 料配置製程之每一個，互相地配置不同之功能液。藉此而 形成具有各種功能之複數個薄膜圖案之層積體。另一方 面，可以藉由在各個材料配置製程，分別配置複數次之相 同材料而順暢地進行由前述功能液所包含之功能材料來構 成之薄膜圖案之厚膜化。可以在各個材料配置製程來互相 地配置不同之功能液之狀態下，例如使得在第1材料配置 製程所配置之功能液所包含之第1功能材料，成爲在第2 材料配置製程所配置之功能液所包含之第2功能材料和基 板間之密合層形成用材料。 此外，第1材料配置製程之功能液所包含之液體成分 (溶媒）和第2材料配置製程之功能液所包含之液體成分 (溶媒）係可以是相同之溶媒，也可以是不同之溶媒。此 -8- 1239297 (6) 外，如果是相同溶媒的話，則提高相互層積之功能液間之 親和性，因此，變得理想。此外’如果是得到要求之親和 性之程度的話，則溶媒係可以是不同。 本發明之薄膜圖案的形成方法，其特徵爲：在前述功 能液，包含導電性微粒。或者是其特徵爲：在前述功能 液，包.含藉由熱處理或光處理而發現導電性之材料。如果 藉由本發明的話，則可以使得薄膜圖案成爲配線圖案，能 夠應用於各種裝置。此外，可以藉由除了導電性微粒以 外，還使用有機EL等之發光元件形成材料或R· G· B之 油墨材料而也適用於有機EL裝置或具有彩色濾光片之液 晶顯示裝置等之製造。 本發明之主動矩陣基根的製造方法，其特徵爲··係具 有在基板上形成薄膜圖案之製程之主動矩陣基板的製造方 法，藉由前述記載之薄膜圖案的形成方法而在前述基板 上，形成薄膜圖案。 如果藉由本發明的話，則可以順暢地實現薄膜圖案之 厚膜化，能夠得到要求之膜厚。此外，成爲將用以形成薄 膜圖案之液滴來配置在突設於基板上之間隔壁間之構造， 因此，可以沿著間隔壁形狀而對於薄膜圖案順暢地進行圖 案化，成爲要求之形狀。因此，可以製造具有要求性能之 主動矩陣基板。 本發明之主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲：具 有：在基板上，形成閘極配線之第1製程；在前述閘極配 線上，形成閘極絕緣膜之第_ 2製程；透過前述閘極絕緣膜 -9- 1239297 σ) 而層積半導體層之第3製程；在前述閘極絕緣層上，形成 源極電極及汲極電極之第4製程；在前述源極電極及前述 汲極電極上，配置絕緣材料之第5製程；以及，形成呈電 氣地連接於前述汲極電極之像素電極之第6製程；此外， 前述第1製程和前述第4製程及前述第6製程中之至少一 個製程係具有··配合於形成圖案而形成間隔壁之間隔壁形 成製程；在前述間隔壁間，配置第1液滴，形成第1圖案 之％ 1材料配置製程；以及，在前述第1圖案上，配置第 2液滴之第2材料配置製程；此外，在前述第i材料配置 製程和前述第2材料配置製程間，具有除去前述第！液滴 所包含之溶媒之至少一部分之製程。 如果藉由本發明的話，則可以順暢地實現薄膜圖案之 厚膜化，能夠得到要求之膜厚。此外，成爲將用以形成薄 膜圖案之液滴來配置在突設於基板上之間隔壁間之構造， 因此，可以沿著間隔壁形狀而對於薄膜圖案順暢地進行圖 案化，成爲要求之形狀。因此，可以製造具有要求性能之 主動矩陣基板。 本發明之主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲：在主 動矩陣基板的製造方法，具有：在基板上，形成閘極配線 之第1製程；在前述閘極配線上，形成閘極絕緣膜之第2 製程；透過前述閘極絕緣膜而層積半導體層之第3製程； 在前述閘極絕緣層上，形成源極電極及汲極電極之第4製 程；在前述源極電極及前述汲極電極上，配置絕緣材料之 第5製程；以及，形成呈電氣地連接於前述汲極電極之像 • 10 - 1239297 (8) 素電極之第6製程；此外，前述第1製程和前述第4製程 及前述第6製程中之至少一個製程係具有··在形成圖案， 形成間隔壁之間隔壁形成製程；在前述間隔壁間，配置第 1液滴，形成第1圖案之第1材料配置製程；以及，在前 述第1圖案上，配置第2液滴之第2材料配置製程；此 外，並.行於前述第1材料配置製程和前述第2材料配置製 程中之至少其中一個製程，來進行除去配置於前述基板上 之前述第1液滴所包含之液體成分之至少一部分之中間乾 燥製程。 如果藉由本發明的話，則可以順暢地實現薄膜圖案之 厚膜化，能夠得到要求之膜厚。此外，成爲將用以形成薄 膜個案之液滴來配置在突設於基板上之間隔壁間之構造， 因此，可以沿著間隔壁形狀而對於薄膜圖案順暢地進行圖 案化，成爲要求之形狀。因此，可以製造具有要求性能之 主動矩陣基板。 本發明之裝置的製造方法，其特徵爲：係具有在基板 上形成薄膜圖案之製程之裝置的製造方法.，藉由前述記載 之薄膜圖案的形成方法而在前述基板上，形成薄膜圖案。 如果藉由本發明的話，則可以得到將具有要求之圖案形狀 且具有要求膜厚之薄膜圖案予以擁有之裝置。 本發明之光電裝置，其特徵爲：具備使用前述記載之 裝置的製造方法而製造之裝置。此外，本發明之電子機 器’其特徵爲：具備前述記載之光電裝置。如果藉由本發 明的話’則可以得到將具有要求膜厚之配線圖案予以擁有 -11 - 1239297 Ο) 之光電裝置及電子機器。 【實施方式】 〔發明之最佳實施形態〕 以下，就本發明之薄膜圖案的形成方法及裝置的製造 方法之.某一實施形態而參考圖式，同時，進行說明。在本 實施形態，使用藉由液滴噴出法而由液滴噴出頂頭之噴出 噴嘴呈液滴狀地噴出包含導電性微粒之配線圖案（薄膜圖 案）形成用油墨（功能液）並且在基板上形成藉由導電性 膜所形成之配線圖案之狀態之例子，來進行說明。 首先，就使用之油墨（功能液）而進行說明。成爲液 體材料之配線圖案形成用油墨係由導電性微粒分散於分散 媒中之分散液或者是有機銀化合物或氧化銀奈米粒子分散 於溶媒（分散媒）中之溶液所構成。在本實施形態，作爲 導電性微粒係例如除了含有金、銀、銅、鋁、鈀、錳及鎳 中之至少任何一種之材料以外，還使用這些之氧化物及導 電性聚合物或超導電體之微粒等。這些導電性微粒係爲了 提高分散性，因此，也可以使用作爲在表面塗敷有機物 等。導電性微粒之粒徑係最好是1 nm以上、0.1 // m以 下。在更加大於〇. 1 // m時，恐怕在後面敘述之液滴噴出 頂頭之噴出噴嘴，發生孔堵塞。此外，在更加小於1 nm 時，使得塗敷劑相對於導電性微粒之體積比變大，得到之 膜中之有機物之比例變得過多。 作爲分散媒係可以分散前述導電性微粒，因此，如果 -12- (10) 1239297 不發生凝集的話，則並無特別限定。例如除了水之外，也 可以例舉甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等之醇類、η -庚烷、η 一辛院、癸院、十二院、四癸院、甲苯、二甲苯、傘花 烴、暗煤、 、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環己基苯 等之烴系化合物、以及乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基 醚、乙.二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二 乙基醚、一乙一醇甲基乙基酸、1，2 —二甲氧基乙院、雙 (2—甲氧基乙基）醚、ρ—二四氫吡喃等之醚系化合物、 甚至丙烯碳酸酯、r 一丁內酯、Ν -甲基一 2 -吡咯烷 酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碼、環己酮等之極性化合 物。在這些當中，由微粒之分散性和分散液之穩定性以及 適用於液滴噴出法之容易性之方面來看的話，則最好是 氷、醇類、烴系化合物、醚系化合物，作爲更加理想之分 散媒係可以列舉水、烴系化合物。 前述導電性微粒之分散液之表面張力係最好是在 0.02N/m以上、0.0 7N/m以下之範圍內。在藉由液滴噴 出法而噴出油墨時，在表面張力未滿0.02N/m時，油墨 相對於噴嘴面之潤濕性係增大，因此，容易產生飛行之彎 曲，在超過0.07N/ m時，在噴嘴前端之凹凸之形狀變得 不穩定，所以，噴出量或噴出計時之控制係變得困難。爲 了調整表面張力，因此，可以在前述分散液，在不大幅度 地降低和基板間之接觸角之範圍內，添加微量之氟系、矽 酮系、非離子系等之表面張力調節劑。非離子系表面張力 調節劑係提高油墨對於基板之潤濕性，改良膜之矯平性， -13- 1239297 (11) 有效於膜之微細凹凸之發生等之防止。前述表面張力調節 劑係可以配合需要而包含醇、醚、酯、酮等之有機化合 物。 前述分散液之黏度係最好是ImPa.s以上、50mPa· s以下。在使用液滴噴出法而噴出油墨來作爲液滴時，在 黏度更加小於ImPa · s之狀態下，噴嘴周邊部係容易由於 油墨之流出而受到污染，並且，在黏度更加大於50mPa · s之狀態下，在噴嘴孔之孔堵塞頻率變高，不容易進行順 暢之液滴噴出。 作爲形成配線圖案之基板係可以使用玻璃、石英玻 璃、Si晶圓、塑膠薄膜、金屬板等之各種。此外，也包 含在這些各種素材基板之表面形成半導體膜、金屬膜、介 電質膜、有機膜等而作爲底材層者。 在此’作爲液滴噴出法之噴出技術係列舉帶電控制方 式、加壓振動方式、電氣機械轉換式、電熱轉換方式、靜 電吸引方式等。帶電控制方式係在材料，在帶電電極賦予 電荷’在偏向電極，控制材料之飛翔方向而由噴嘴所噴 出。此外’加壓振動方式係在材料，施加30kg/ cm2左右 之高壓’在噴嘴前端側，噴出材料，在不施加控制電壓之 狀態下’材料一直地前進而由噴出噴嘴所噴出，在施加控 制電壓時’在材料間，發生靜電之排斥，材料飛散而不由 噴出噴嘴所噴出。此外，電氣機械轉換方式係利用壓力元 件（壓電元件）接受脈衝之電訊號而進行變形之性質，因 此’藉由壓電元件發生變形而在儲存材料之空間，透過可 -14- 1239297 (12) 彎曲物質，來賦予壓力’由該空間，擠出材料而由噴出噴 嘴所噴出。 此外，電熱轉換方式係藉由設置在儲存材料之空間內 之加熱器而急劇地氣化材料，產生泡沬（氣泡），藉由氣 泡之壓力而噴出空間內之材料。靜電吸引方式係在儲存材 料之空.間內，加入微小壓力，在噴出噴嘴形成材料之凹 凸，在該狀態下而加入靜電引力後，拉出材料。此外，除 此之外，也可以適用：利用藉由電場所造成之流體之黏性 變化之方式或者是藉由放電火花而飛躍之方式等之技術。 液滴噴出法係具有所謂在材料之使用而浪費變少並且能夠 在要求之位置確實地配置要求量之材料之優點。此外，藉 由液滴噴出法所噴出之液狀材料（流動體）之一滴量係例 如1〜3 00奈克。 接著，就在製造本發明之裝置時之所使用之裝置的製 造裝置而進行說明。作爲該裝置的製造裝置係使用藉著由 液滴噴出頂頭來對於基板噴出（滴下）液滴而製造裝置的 液滴噴出裝置（噴墨裝置）。 第1圖係顯示液滴噴出裝置IJ之槪略構造之立體 圖。在第1圖，液滴噴出裝置IJ係具備：液滴噴出頂頭 1、X軸方向驅動軸4、Y軸方向導引軸5、控制裝置 CONT、台座7、潔淨機構8、基台9和加熱器15。 台座7係藉由該液滴噴出裝置IJ而支持設置油墨之 基板p，具備將基板p固定於基準位置之非圖示之固定機 構。 -15- (13) 1239297 液滴噴出頂頭1係具備複數個噴出噴嘴之多噴嘴型式 之液滴噴出頂頭，使得長邊方向和X軸方向呈一致。複 數個噴出噴嘴係在液滴噴出頂頭1之下面，排列於X軸 方向，以一定間隔所設置。由液滴噴出頂頭1之噴出噴 嘴，對於支持在台座7之基板P，來噴出包含前述導電性 微粒之油墨。 在X軸方向驅動軸4，連接X軸方向驅動馬達2。X 軸方向驅動馬達2係步進馬達等，在由控制裝置CONT來 供應X軸方向之驅動訊號時，旋轉X軸方向驅動軸4。在 旋轉X軸方向驅動軸4時，液滴噴出頂頭1係移動於X 軸方向。 Y軸方向導引軸5係進行固定而對於基台9不進行動 作。台座7係具備γ軸方向驅動馬達3。Y軸方向驅動馬 達3係步進馬達等，在由控制裝置C〇NT來供應Y軸方 向之驅動訊號時，使得台座7移動於Y軸方向。 控制裝置CONT係對於液滴噴出頂頭1來供應液滴之 噴出控制用之電壓。此外，控制裝置C ON T係對於X軸 方向驅動馬達2，供應控制液滴噴出頂頭1至X軸方向之 移動之驅動脈衝訊號，同時，對於γ軸方向驅動馬達3， 供應控制台座7至Y軸方向之移動之驅動脈衝訊號。 潔淨機構8係潔淨液滴噴出頂頭！，具備並未圖示之 Y軸方向之驅動馬達。藉由該γ軸方向驅動馬達之驅動而 使得潔淨機構δ ’沿著γ軸方向導引軸5，來進行移動。 潔淨機構8之移動係也藉由控制裝置c〇NT而進行控制。 •16- 1239297 (14) 加熱器1 5係在此，藉由燈退火而對於基板 處理之手段，進行塗敷於基板P上之油墨所包含 蒸發及乾燥。該加熱器15之電源之投入及遮斷 控制裝置CONT而進行控制。 液滴噴出裝置Π係相對地掃描支持液滴噴 和基板.P之台座7，並且，對於基板P來噴出 此’在以下之說明，使得Y軸方向成爲掃描方 直交於Y軸方向之X軸方向，成爲非掃描方向 液滴噴出頂頭1之噴出噴嘴係在成爲非掃描方向 方向，以一定間隔而進行排列所設置。此外，在彳 液滴噴出頂頭1係對於基板P之進行方向，呈直 配置，但是，可以調整液滴噴出頂頭1之角度而 p之進行方向來進行交差。如果像這樣的話，則 調整液滴噴出頂頭1之角度而調節噴嘴間之間距 也可以任意地調節基板P和噴嘴面間之距離。 第2圖係用以說明藉由壓力方式所造成之液 噴出原理之圖。在第2圖，鄰接於收納液體材料 案形成用油墨、功能液）之液體室2 1而設置| 22。在液體室2 1，透過將收納液體材料之材料; 含之液體材料供應系23而供應液體材料。壓電元 連接於驅動電路24，透過該驅動電路24而施加 電元件22，藉由使得壓電元件22進行變形而使 21發生變形，由噴出噴嘴25來噴出液體材料。 下，藉由改變施加電壓値而控制壓電元件2 2之 P進行熱 之溶媒之 係也藉由 出頂頭1 液滴。在 向，使得 。因此， 之X軸 第1圖， 角地進行 對於基板 可以藉由 。此外， 體材料之 (配線圖 E電元件 槽予以包 :件22係 電壓至壓 得液體室 在該狀態 變形量。 -17- 1239297 (15) 此外，藉由改變施加電壓之頻率而控制壓電元件22之變 形速度。藉由壓力方式所造成之液滴噴出係在材料不加入 熱，因此，具有所謂在材料之組成不容易造成影響之優 點。 接著，就本發明之薄膜圖案的形成方法之某一實施形 態而參.考第3圖、第4圖及第5圖，同時，進行說明。第 3圖係顯示本實施形態之配線圖案的形成方法之某一例子 之流程圖，第4圖及第5圖係顯示形成順序之示意圖。 正如第3圖所示，本實施形態之配線圖案形成方法係 將前述配線圖案形成用油墨配置於基板上，在基板上’形 /成導電膜配線圖案；具有：在基板上，形成配合於配線圖 案之間隔壁而成爲既定圖案之間隔壁形成製程S 1 ;除去 間隔壁間之殘渣之殘渣處理製程S 2 ;在間隔壁賦予疏液 性之疏液化處理製程S3 ;在除去殘渣之間隔壁間’根據 液滴噴出法而配置油墨（第1液滴），形成第1圖案之材 料配置製程（第1材料配置製程）S4 ;除去油墨之液體成 分之至少一部分之中間乾燥製程S 5 ;以及，燒成製程 S 7。在此，在中間乾燥製程S 5後，判斷既定之圖案描畫 是否結束（步驟S6 )，如果圖案描畫結束的話’則進行 燒成製程S7，另一方面，如果圖案描畫尙未結束的話’ 則進行在形成於基板上之間隔壁間之圖案（第1圖案）上 再度配置油墨（第2液滴）之材料配置製程（第2材料配 置製程）S4，在先前配置於基板上之油墨上，配置下一個 油墨。 -18- (16) 1239297 以下’在各個製程之每個，詳細地進行說明。在本實 施形態，作爲基板P係使用玻璃基板。 <間隔壁形成製程> 首先’在有機材料塗敷前，作爲表面改質處理係對於 基板P·來施行HMDS處理。HMDS處理係使得六甲基二砂 氧院（（CH3) 3SiNHSi(CH3) 3)成爲蒸氣狀而進行塗 敷之方法。錯此而正如第4 ( a )圖所示，使得提高間隔 壁和基板P間之密合性並且作爲密合層之Η M D S層3 2， 來形成於基板Ρ上。 間隔壁係發揮作爲分隔構件之功能之構件，間隔壁之 形成係可以藉由光微影法或印刷法等之任意方法而進行。 例如在使用光微影法之狀態下，藉由旋轉塗敷、噴射塗 敷、滾壓塗敷、模子塗敷、浸漬塗敷等之既定方法而在基 板Ρ之HMDS層32上，配合於間隔壁之高度，來塗敷有 機感光性材料3 1，在其上面，塗敷阻劑層。接著，藉由 配合於間隔壁形狀（配線圖案）來施行罩幕，對於阻劑進 行曝光•顯影而殘留配合於間隔壁形狀之阻劑。最後進行 蝕刻而除去罩幕以外之部分之間隔壁材料。此外，能夠在 藉由下層成爲無機物或有機物並且對於功能液顯示親液性 之材料以及上層成爲有機物並且顯示疏液性之材料所構成 之2層以上，來形成間隔壁。藉此而正如第4 ( b )圖所 示，突設間隔壁B、B而包圍配線圖案形成預定區域之周 邊。 -19- 1239297 (17) 作爲形成間隔壁之有機材料係可以是即使是對於液體 材料也顯示疏液性之材料，正如後面敘述，可以是能夠進 行藉由電漿處理所造成之疏液化（氟化）並且和底層基板 間之密合性變得良好而且容易進行藉由光微影所造成之圖 案化的絕緣有機材料。例如可以使用丙烯樹脂、聚醯亞胺 樹脂、.烯烴樹脂、苯酚樹脂、三聚氰胺樹脂等之高分子材 <殘渣處理製程> 在基板P上形成間隔壁B、B時，施行氟酸處理。氟 酸處理係例如藉由利用2.5 %氟酸水溶液來施行蝕刻而除 去間隔壁B、B間之HMDS層32之處理。在氟酸處理， 間隔壁B、B係發揮作爲罩幕之功能，除去位處於間隔壁 B、B間之所形成之溝槽部34之底部35並且成爲有機物 的HMDS層32。藉此而除去成爲殘渣之HMDS。 在此，在氟酸處理，會有無法完全地除去間隔壁B、 B間之底部35之HMDS (有機物）之狀態發生。或者是 也在間隔壁B、B間之底部3 5來殘留間隔壁形成時之阻 劑（有機物）之狀態發生。因此，接著，爲了除去間隔壁 B、B間之底部3 5之間隔壁形成時之有機物（阻劑或 HMDS )殘渣，因此，對於基板P施行殘渣處理。 作爲殘渣處理係可以選擇藉由照射紫外線而進行殘渣 處理之紫外線（UV)照射處理或者是在大氣氣氛中而使 得氧成爲處理氣體之〇2電漿處理等。在此，實施02電漿 -20- 1239297 (18) 處理。 〇2電漿處理係對於基板p，由電漿放電電極，來照射 電漿狀態之氧。作爲〇2電漿處理之條件之某一例子係例 如電漿功率 50〜1000W、氧氣流量 50〜100ml/min、基 板1對於電漿放電電極之相對移動速度 0.5〜10mm/ sec、基板溫度70〜90 °C。 接著，在基板成爲玻璃基板之狀態下，其表面係對於 配線圖案形成用材料，具有親液性，但是，正如本實施形 態，爲了進行殘渣處理，因此，可以藉由施行02電漿處 理或紫外線照射處理而提高露出於間隔壁B、B間之基板 P表面（底部35 )之親液性。在此，最好是進行02電漿 處理或紫外線照射處理而使得間隔壁間之底部3 5相對於 油墨之接觸角成爲15度以下。 此外，可以藉由例如對於有機EL裝置之電極來進行 該〇2電漿處理而調整該電極之工作係數。 此外，在此，成爲殘渣處理之一部分，來進行氟酸處 理而進行說明，但是，可以在藉由進行02電漿處理或紫 外線照射處理而充分地除去間隔壁間之底部3 5之殘渣之 狀態下，不進行氟酸處理。此外，在此，說明作爲殘渣處 理係進行〇2電漿處理或紫外線照射處理之其中任何一 種’但是，當然也可以組合〇2電漿處理和紫外線照射處 埋。 <疏液化處理製程> -21 - 1239297 (19) 接著，對於間隔壁B來進行疏液化處理，在其; 賦予疏液性。作爲疏液化處理係可以採用例如在大； 中而使得四氟甲烷成爲處理氣體之電漿處理法（CF 處理法）。CF4電漿處理之條件係例如電漿功率 1 000W、四氟化碳氣體流量 50〜l〇〇ml/min、對Ϊ 放電電.極之基體搬送速度0.5〜1 020mm/SeC、基| 70〜90 °C。此外，作爲處理氣體係不限定於四氟甲彳 氟化碳），也可以使用其他之氟碳系氣體。 藉由進行此種疏液化處理而在間隔壁B、B，q 這個之樹脂中，導入氟基，對於間隔壁B、B來賦= 液性。此外，作爲前述親液化處理之〇2電漿處理1 進行於間隔壁B之形成前，但是，丙烯樹脂或聚醯Ϊ 脂等係具有所謂進行藉由02電漿所造成之前處理5 容易進行氟化（疏液化）之性質，因此，最好是在3 隔壁B後，進行〇2電漿處理。 此外，由於對於間隔壁B、B之疏液化處理而） <第1材料配置製程> I 男 予 ττ I ϊί 前進行親液化處理之間隔壁間之基板p之露出部，違 少之影響，特別是在基板P由玻璃等之所構成之狀声j 不發生由於疏液化處理所造成之氟基之導入，因此， 質上，基板p不損害其親液性、也就是潤濕性。此夕1 間隔壁B、B而言，可以藉由利用具有疏液性之材释 如具有氟基之樹脂材料）所形成而省略其疏液化處理 面， 氣氛 電漿 50〜 電漿 溫度 (四 構成 高疏 可以 胺樹 更加 成間 於先 成多 下， 在實 ，就 (例 -22- 1239297 (20) 接著’使用藉由液滴噴出裝置U所造成之液滴 法，將配線圖案形成用油墨之液滴（第1液滴），來 在基板P上之間隔壁B、B間。此外，在此，作爲功 (配線圖案用油墨）係噴出將導電性微粒分散於溶媒 散媒）之分散液。在此所使用之導電性微粒係除了 金、銀.、銅、鈀、鎳之其中任何一種之金屬微粒以外 使用導電性聚合物或超電導體之微粒等。在材料配 程，正如第4 ( c )圖所示，由液體噴出頂頭1，來噴 含配線圖案形成材料之油墨，來作爲液滴。噴出之液 正如第4 ( d )圖所示，配置於基板p上之間隔壁b、 之溝槽部3 4。作爲液滴噴出之條件係例如可以進行 墨重量4ng/dot、油墨速度（噴出速度）5〜7m/s 此外’噴出液滴之氣氛係最好是設定在溫度6(TC以 濕度80%以下。可以藉此而不使得液滴噴出頂頭！ 出噴嘴發生孔堵塞，進行穩定之液滴噴出。 此時’噴出液滴之配線圖案形成預定區域（也就 槽部3 4 )係包圍於間隔壁b、b，因此，可以阻止液 散至既定位置以外。此外，在間隔壁B、B，賦予 性’因此’即使是噴出之一部分液滴搭載於間隔壁B 也由於間隔壁表面成爲疏液性而由間隔壁B來反彈， 在間隔壁間之溝槽部34。此外，露出基板P之溝槽f 之底部3 5係賦予親液性，因此，噴出之液滴係更加 地擴散於底部3 5，藉此而使得油墨均勻地配置於既 置內。 噴出 配置 能液 (分 含有 ，還 置製 出包 滴係 B間 於油 e c ° 下、 之噴 是溝 滴擴 疏液 上， 流落 34 容易 定位 -23- 1239297 (21) <中間乾燥製程> 在基板P噴出液滴後，爲了進行成爲液體成分之分散 媒之除去及膜厚之確保，因此，進行乾燥處理。乾燥處理 係例如可以藉由加熱基板P之通常之加熱板、電爐等之所 造成之.加熱處理而進行。在本實施形態，例如在1 8 ot之 加熱，進行60分鐘左右，或者是在80 °C之加熱，進行5 分鐘左右。乾燥處理之氣氛係可以是大氣中，也可以不是 大氣中。例如可以進行於氮（N2)氣氛下。或者是也可以 藉著由於燈退火所造成之光照射處理而進行。作爲使用於 燈退火之光之光源係並無特別限制，但是，可以使用紅外 線燈、氙燈、YAG雷射、氬雷射、碳酸氣體雷射、XeF、 XeCl、XeBr、KrF、KrC 1、ArF、ArC1 等之準分子雷射 等，來作爲光源。這些光源係一般使用輸出low以上、 5 0 00W以下之範圍，但是，在本實施形態，充分於1〇〇 w 以上、1 000 W以下之範圍。接著，藉由該中間乾燥處理而 除去分散媒之至少一部分，正如第5(a)圖所示，形成 其表面進行膜化並且由油墨所構成之膜圖案。 此外，可以藉由乾燥條件而將配置於基板P上之功能 液（膜圖案）轉變成爲多孔體。例如可以藉由在1 20 °C之 加熱，進行5分鐘左右，或者是在18(TC之加熱，進行60 分鐘左右而乾燥配置於基板P上之功能液，轉換作爲第1 層膜圖案之多孔體。藉由使得作爲形成於基板P上之第1 層之膜圖案，成爲多孔體而使得配置於下一個之第2材料 -24- (22) 1239297 配置製程之液滴（第2液滴）染入至配置於基板P上之前 述多孔體，因此，良好地配置於間隔壁B、B間。 〈第2材料配置製程〉 如果對於基板P上之油墨來進行乾燥處裡的話，則正 如第5(b)圖所示，在該基板P上之油墨（膜圖案） 上，配置下一個油墨之液滴（第2液滴）。由液滴噴出頂 頭1所噴出之油墨之液滴係潤濕及擴散於基板P上之膜圖 案上。在此，正如前面敘述，藉由使得第1層之膜圖案成 爲多孔體而使得該多孔體具有作爲受容膜之功能，因此， 下一個配置之液滴（第2液滴）係染入至前述多孔體，良 好地配置於間隔壁B、B間。 此外，可以不將第1層之膜圖案轉換成爲多孔體。此 時，基板P上之膜圖案之表面係藉由噴出之液滴而進行再 溶解。藉此而使得噴出之液滴良好地潤濕及擴散於膜圖案 上。接著，藉由重複地進行中間乾燥製程及材料配置製程 而正如第5(c)圖所示，層積複數層之油墨之液滴，形 成膜厚變厚之配線圖案（薄膜圖案）3 3。此外，藉由使得 第1層之膜圖案成爲多孔體而形成高緻密性之配線圖案 (膜圖案）33。 (燒成製程） 噴出製程後之乾燥膜係爲了使得微粒間之電氣接觸變 得良好，因此，必須完全地除去分散媒。此外，爲了在導 -25- 1239297 (23) 電性微粒之表面，提高分散性，因此，在塗敷有機物等之 塗敷材之狀態下，也必須除去該塗敷材。因此’在噴出製 程後之基板，施行熱處理及/或光處理。 熱處理及/或光處理係通常進行於大氣中，但是，也 可以配合需要而進行於氮、氬、氦等之惰性氣體氣氛中。 熱處理及/或光處理之處理溫度係考慮分散媒之沸點（蒸 氣壓）、氣氛氣體之種類或壓力、微粒之分散性或氧化性 等之熱舉動、塗敷劑之有無或量、基材之耐熱溫度等而適 當地進行決定。例如爲了除去由有機物所構成之塗敷材， 因此，必須燒成於大約30(TC。此外，在使用塑膠等之基 板之狀態下，最好是進行於室溫以上、1 〇〇 °C以下。藉由 以上製程而使得噴出製程後之乾燥膜，來確保微粒間之電 氣接觸，正如第5 ( d )圖所示，轉換成爲導電性膜。 但是，可以在位處於層積複數層之油墨之液滴時，在 油墨之液滴噴出於基板P上之後，在施行中間乾燥處理 後，在下一個液滴噴出於基板P上之前，再度進行在間隔 壁B賦予疏液性之疏液化處理。產生在第1材料配置製程 所噴出之油墨之液滴接觸到間隔壁B之例如上面等之時而 降低該部分之疏液性之可能性，但是，藉由在進行第2材 料配置製程前，再度進行疏液化處理而使得間隔壁B具有 疏液性，藉此而即使是在第2材料配置製程所噴出之油墨 之液滴搭載於間隔壁B之上面，也順暢地流落在溝槽部 34內。 此外，在此，就在第1材料配置製程所使用之功能液 -26- 1239297 (24) 和在第2材料配置製程所使用之功能液係由相同之材料所 構成而進行說明，但是，也可以是互相不同之材料。例如 可以藉由在第1材料配置製程，配置含有锰等之功能液， 在第2材料配置製程，配置含有銀等之功能液而使用錳 層，來作爲銀和基板間之密合層。 此.外’在燒成製程後，可以藉由硏磨剝離處理而除去 存在於基板P上之間隔壁B、B。作爲硏磨處理係可以採 用電漿硏磨或臭氧硏磨等。電漿硏磨係反應電漿化之氧氣 等之氣體和間隔壁（阻劑），氣化間隔壁而進行剝離及除 去。間隔壁係由碳、氧、氫所構成之固體物質，這個係可 以藉由化學反應於氧電漿而成爲C02、H20、02，全部成 爲氣體，來進行剝離。另一方面，臭氧硏磨之基本原理係 相同於電漿硏磨，分解〇3 (臭氧）而改變成爲反應性氣 體之〇* (活化氧），反應該〇 +和間隔壁。反應於〇*之 間隔壁係成爲C〇2、H20、02，全部成爲氣體，來進行剝 離。藉由對於基板P施行硏磨剝離處理而由基板P，來除 去間隔壁。 正如以上所說明的，在間隔壁間之溝槽部噴出2次以 上之油墨之液滴而形成配線圖案時’在第2次以後之噴出 時，乾燥先前配置於基板上之油墨’因此’進行下一個之 油墨噴出，結果，下一個之油墨液滴係藉由中間乾燥製程 S5而順暢地配置於其表面進行膜化之基板上之膜圖案 (油墨）上。接著’可以藉由重複地進行該處理複數次而 順暢地實現配線圖案之厚膜化’能夠得到要求之膜厚。 -27- 1239297 (25) 此外，在前述實施形態，就藉由第1及第2材料配置 製程而在基板上之間隔壁間配置功能液，來進行說明，但 是，當然可以藉由包含不同於第1'第2材料配置製程之 其他之第3材料配置製程之任意之複數次之材料配置製程 而依序地層積功能液。在該狀態下’可以成爲將中間乾燥 製程來.設置在複數個材料配置製程中之任意之材料配置製 程間之構造。 此外，正如前面敘述，藉由使得設置於基板p上之膜 圖案（下層）成爲多孔體而使得由噴出頂頭1所噴出之功 能液染入至基板p上之多孔體（下層）’因此’可以在層 積複數個之功能液（膜圖案），使得該層積時之液滴噴出 量逐漸地變多。 此外，可以藉由有機銀化合物而形成第1層（下 層），藉由銀微粒而形成第2層（上層）。此外，也可以 藉由銀微粒而形成第1層，藉由有機銀化合物而形成第2 層。此外，爲了形成各層，因此，可以在基板p上配置功 能液時，例如使用分配器而配置用以形成第1層之功能 液，使用噴墨頂頭而配置用以形成第2層之功能液。 此外，在前述實施形態，在複數次之材料配置製程間 來進行中間乾燥製程而進行說明’但是，也可以並行於材 料配置製程而進行。例如可以藉由加熱裝置（加熱板等） 而加熱基板P，同時，在基板p上，配置液滴’並且，也 可以照射光，同時，配置液滴。即使是像這樣，也可以順 暢地實現薄膜圖案之厚膜化。此外，同時於配置液滴之中 -28- 1239297 (26) 間乾燥製程係可以並行於複數次材料配置製程中之全部材 料配置製程而進行，也可以並行於選擇之既定之材料配置 製程。 此外，前述實施形態之功能液係成爲導電性微粒分散 於分散媒而進行說明，但是，例如也可以使用將有機銀化 合物等.之導電性材料分散於二乙二醇二乙基醚等之溶媒 (分散媒）者，來作爲功能液。在該狀態下，在前述燒成 製程，在基板上，對於噴出後之功能液（有機銀化合 物），進行用以得到導電性之熱處理或光處理，除去有機 銀化合物之有機成分，殘留銀粒子。例如爲了除去有機銀 化合物之有機成分，因此，燒成於大約200 °C。藉此而使 得噴出製程後之乾燥膜，來確保微粒間之電氣接觸，轉換 成爲導電性膜。 <光電裝置> 接著，就成爲本發明之光電裝置之某一例子之液晶顯 示裝置而進行說明。第6圖係就本發明之液晶顯示裝置而 由一起顯示各個構成要素之對向基板側來觀看之俯視圖， 第7圖係沿著第6圖之Η — Η ’線之剖面圖。第8圖係在液 晶顯示裝置之圖像顯示區域而形成爲矩陣狀之複數個像素 之各種元件、配線等之等效電路圖，第9圖係液晶顯示裝 置之部分擴大剖面圖。此外，在使用於以下說明之各圖， 成爲能夠在圖面上辨識各層或各個構件之程度之大小，因 此，在各層或各個構件之每一個，改變縮尺。 -29- 1239297 (27) 在第6圖及第7圖，本實施形態之液晶顯示裝 電裝置）1 〇 〇係藉由成爲光硬化性之封裝材之密妾 而貼合成爲組對之TFT陣列基板10和對向基板20 由該密封材5 2所劃分之區域內，封入及保持液晶 封材5 2係成爲在基板面內之區域，形成爲密閉之框 在.密封材5 2之形成區域之內側之區域，形成 性材料所構成之周邊中斷部5 3。在密封材5 2之 域，沿著TFT陣列基板1 0之某一邊而形成資料線 路201及構裝端子202，沿著鄰接於該某一邊之2 成掃描線驅動電路204。在TFT陣列基板10之 邊，設置用以連接設置在圖像顯示區域兩側之掃描 電路204間之複數個配線205。此外，在對向基板 角落部之至少1個部位，配置用以在TFT陣列基板 對向基板20間而得到電導通之基板間導通材206。 此外，爲了取代資料線驅動電路20 1及掃描線 路2 04形成在TFT陣列基板10上，因此，例如可 異方性導電膜而呈電氣及機械式地連接構裝驅動用 TAB (磁帶自動接合）基板和形成於TFT陣列基板 邊部之端子群。此外，在液晶顯示裝置1 00，配合 之液晶5 0之種類、也就是TN (扭轉向列）模式 (超級扭轉向列）模式等之動作模式、或者是標準 式/標準黑色模式之區別而將相位差板、偏光板等 既定之方向，但是，在此省略圖示。此外，在構成 示裝置100來作爲彩色顯示用之狀態下，在對丨 置（光 f材52 ，在藉 50。密 :狀。 由遮光 外側區 驅動電 邊，形 殘留一 線驅動 20之 :10和 驅動電 以透過 LSI之 1 0周 於使用 、STN 白色模 配置於 液晶顯 句基板 -30- 1239297 (28) 20，在TFT陣列基板10之對向於後面敘述之各 極之區域，例如一起形成紅（R )、綠（G )、藍 彩色濾光片及其保護膜。 在具有此種構造之液晶顯示裝置1 〇 〇之圖 域，正如第 8圖所示，複數個像素1 〇 〇 a係構 狀，同時，在這些像素1 〇〇a之各個，形成像 TFT (開關元件）30，供應像素訊號SI、S2、.· 資料線6a係呈電氣地連接於TFT30之源極。寫 線6a之像素訊號S 1、S2.....Sn係能夠以該順 於線順序，可以對於相鄰接之複數個資料線6a 至每個群組。此外，在TFT30之閘極，呈電氣 描線3a _，以既定之計時，在掃描線3a，依照該 線順序而呈脈衝地施加掃描訊號G 1、G2..... 成。 像素電極19係呈電氣地連接於TFT30之汲 使得成爲開關元件之TFT30僅在一定期間成爲 而將由資料線6a所供應之像素訊號SI、S2、… 既定之計時，來寫入至各個像素。像這樣，透過 19而寫入至液晶之既定位準之像素訊號SI、S2 係在和第7圖所示之對向基板20之對向電極1 2 持一定期間。此外，爲了防止保持之像素訊 s 2.....S η發生洩漏，因此，附加並聯於形成 極1 9和對向電極1 2 1間之液晶電容之儲存電容 像素電極1 9之電壓係藉由比起施加源極電壓之 個像素電 【（Β )之 像顯示區 成爲矩陣 素開關用 •、Sn 之 入至資料 序而供應 間而供應 地連接掃 順序，以 Gm所構 極，藉由 導通狀態 、Sn，以 像素電極 ' …' S η 間，保 號 s 1、 在像素電 6 0。例如 時間還僅 -31 - 1239297 (29) 更長3位數之時間之儲存電容60而進行保持。可以藉此 而改善電荷之保持特性，實現高明亮度比之液晶顯示裝置 100° 第9圖係具有底閘極型TFT30之液晶顯示裝置100 之部分擴大剖面圖；在構成TFT陣列基板1 0之玻璃基板 P，藉由前述實施形態之圖案圖案形成方法而使得閘極配 線6 1形成在玻璃基板P上之間隔壁B、B間。 在閘極配線61上，透過由SiNx所構成之閘極絕緣膜 62而層積由非結晶質矽（a— Si )層所構成之半導體層 63。對向於該閘極配線部分之半導體層63之部分係成爲 通道區域。在半導體層63上，層積用以得到歐姆接合之 例如由n+型3 —、丨層所構成之接合層64&及641)，在通道 區域之中央部之半導體層63上，形成用以保護通道之由 SiNx所構成之絕緣性蝕刻阻蔽膜65。此外，這些閘極絕 緣膜62、半導體層63及蝕刻阻蔽膜65係藉由在蒸鍍 (CVD )後，施行阻劑塗敷、感光•顯影、光蝕刻而正如 圖示，來進行圖案化。 此外，接合層64a、64b及由ITO所構成之像素電極 1 9係也同樣地進行成膜，同時，藉由施行光蝕刻而正如 圖示，進行圖案化。接著，可以藉由在像素電極1 9、閘 極絕緣膜 62及蝕刻阻蔽膜 65上，分別突設間隔壁 6 6…，在這些間隔壁66…間，使用前述液滴噴出裝置 IJ，噴出銀化合物之液滴而形成源極線、汲極線。 此外，在前述實施形態，成爲使用TFT30來作爲液 -32- 1239297 (30) 晶顯示裝置100之驅動用之開關元件之 液晶顯示裝置以外，也可以應用在例如 光）顯示裝置。有機EL顯示裝置係具有 來夾住包含螢光性之無機及有機化合物之 由在前述薄膜注入電子及電洞（電洞）而 成激發.子（激發物），利用在該激發子進 釋出（螢光•磷光）而進行發光之元件。 有前述TFT30之基板上，使得有機EL顯 螢光性材料中之呈現紅、綠及藍色之各種 也就是發光層形成材料及形成電洞注入/ 料，來作爲油墨.，對於各個進行圖案化而 彩EL裝置。在本發明之裝置（光電裝置 含此種有機EL裝置。 第10圖係藉由前述液滴噴出裝置IJ 構成要素之有機EL裝置之側剖面圖。參 時，說明有機EL裝置之槪略構造。 在第10圖，有機EL裝置401係在柱 元件部4 2 1、像素電極4 3 1、間隔壁部 451、陰極461 (對向電極）及密封基板 機EL元件402，連接軟性基板（省略圖 動1C (省略圖示）。電路元件部421係 TFT60形成在基板4Π上，複數個之像素 電路元件部4 2 1上而構成。接著，構成 線6 1係藉由前述實施形態之配線圖案形反 造，但是，除了 「機EL (電場發 藉由陰極和陽極 薄膜之構造，藉 進行激發，來生 行再結合時之光 接著，可以在具 示元件所使用之 發光色之材料、 電子輸送層之材 製造自發光全色 )之範圍，也包 而製造一部分之 考第10圖，同 I基板4 1 1、電路 441、發光元件 4 7 1所構成之有 示）之配線及驅 成爲主動元件之 電極4 3 1整列於 TFT60之閘極配 3方法而形成。 -33- 1239297 (31) 在各個像素電極4 3 1間，呈格子狀地形成間隔 441，在藉由間隔壁部441所產生之凹部開口 444， 發光元件45 1。此外，發光元件45 1係由成爲紅色發 元件和成爲綠色發光之元件及成爲藍色發光之元件 成，藉此而使得有機EL裝置401，來實現全色彩顯 陰極461係形成在間隔壁部441及發光元件451之上 個面，在陰極461上，層積密封用基板471。 包含有機EL元件之有機EL裝置401之製造製 具備：形成間隔壁部441之間隔壁部形成製程、用以 地形成發光元件45 1之電漿處理製程、形成發光元件 之發光元件形成製程、形成陰極461之對向電極形 程、以及密封用基板471層積於陰極461上而進行密 密封製程。 發光元件形成製程係藉由在凹部開口 444、也就 素電極431上，形成電洞注入層452及發光層453而 發光元件451，因此，具備··電洞注入層形成製程及 層形成製程。接著，電洞注入層形成製程係具有：將 形成電洞注入層4 5 2之液狀體材料噴出至各個像素 43 1上之第1噴出製程、以及乾燥噴出之液狀體材料 成電洞注入層4 5 2之第1乾燥製程。此外，發光層形 程係具有：將用以形成發光層45 3之液狀體材料噴出 涧注入層452上之第2噴出製程、以及乾燥噴出之液 材料而形成發光層45 3之第2乾燥製程。此外，發 4 5 3係正如前面敘述，藉由對應於紅、綠、藍3色之 壁部 形成 光之 所構 示0 部整 程係 適當 45 1 成製 封之 是像 形成 發光 用以 電極 而形 成製 至電 狀體 光層 材料 -34· 1239297 (32) 而形成3種類，因此，前述第2噴出製程係爲了個別地噴 出3種材料，所以，由3個製程所構成。 在該發光元件形成製程，可以藉由電洞注入層形成製 程之第1噴出製程和發光層形成製程之第2噴出製程而使 用前述液滴噴出裝置IJ。 此外，作爲本發明之裝置（光電裝置）係除了前面敘 述以外，也可以適用在PDP (電漿顯示器面板）或者是藉 由在形成於基板上之小面積之薄膜來流動平行於膜面之電 流而利用發生電子釋出之現象之表面傳導型電子釋出元件 等。 接著，就藉由本發明之膜圖案形成方法所形成之膜圖 案適用於電漿型顯示裝置之例子而進行說明。 第1 1圖係顯示本實施形態之電漿型顯示裝置500之 分解立體圖。 電漿型顯示裝置5 00係包含互相呈對向所配置之基板 5 0 1、5 02以及形成於這些間之放電顯示部5 1 0而構成。 放電顯示部5 1 0係集合複數個放電室5 1 6。在複數個 放電室516中，紅色放電室516(R)、綠色放電室516 (G )、藍色放電室5 1 6 ( B )之3個放電室5 1 6係進行配 置而成爲組對，來構成1個像素。 在基板5 0 1之上面’以既定之間隔，呈線條狀地形成 位址電極5 1 1，形成介電質層5 1 9而覆蓋位址電極5 1 1和 基板501之上面。在介電質層519上，形成間隔壁515而 位處於位址電極5 1 1、5 1 1間並且沿著各個位址電極 -35- 1239297 (33) 5 1 1。間隔壁5 1 5係包含：鄰接於位址電極5 11之幅寬方 向左右兩側之間隔壁以及延設在直交於位址電極5 1 1之方 向上之間隔壁。此外，對應於藉由間隔壁5 1 5所分隔之長 方形狀之區域，來形成放電室5 1 6。 此外，在藉由間隔壁5 1 5所劃分之長方形狀之區域內 側，配.置螢光體5 1 7。螢光體5 1 7係發出紅、綠、藍之任 何一種螢光，分別在紅色放電室5 1 6 ( R )之底部，配置 紅色螢光體517(R)，在綠色放電室516(G)之底部， 配置綠色螢光體517(G)，在藍色放電室516(B)之底 部，配置藍色螢光體517 (B)。 另一方面，在基板502，在直交於先前之位址電極 5 1 1之方向，以既定之間隔，呈線條狀地形成複數個顯示 電極512。此外，形成介電質層513及由MgO等之所構 成之保護膜514而覆蓋這些。 基板501和基板5 02係進行對向，相互地進行貼合而 互相直交前述位址電極51 1…和顯示電極512…。 前述位址電極5 1 1和顯示電極5 1 2係連接於省略圖示 之交流電源。可以藉由通電於各個電極而在放電顯示部 5 1 〇，使得螢光體5 1 7進行激發發光，進行彩色顯示。 在本實施形態，前述位址電極5 1 1和顯示電極5 1 2係 分別根據前述配線圖案形成方法所形成，因此，可以得到 實現小型•薄型化並且不發生斷線等之不良之高品質之電 漿型顯示裝置。 此外，在前述實施形態，使用本發明之圖案形成方 -36- (34) 1239297 法’形成TFT (薄膜電晶體）之閘極配線，但是，也可以 製造源極電極、汲極電極、像素電極等之其他構成要素。 以下，就製造TFT之方法而參考第12圖〜第15圖，同 時’進行說明。 正如第12圖所示，首先，在洗淨之玻璃基板6丨〇之 上面，.根據光微影法而形成用以設置1像素間距之1 / 2 〇 〜1 / 1 0之溝槽6 1 1 a之第1層之間隔壁6 1 1。作爲該間隔 壁6 1 1係必須在形成後，具備光透過性和疏液性，做爲該 素材係除了丙烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、烯烴樹脂、三聚氰 胺樹脂等之高分子材料以外，也適合使用聚矽氨烷等之無 機系材料。 爲了在該形成後之間隔壁6 1 1，具有疏液性，因此， 必須施行CF4電漿處理等（使用具有氟成分之氣體之電漿 處理），但是，爲了取代，因此，也可以在間隔壁61 1之 素材本身，預先塡充疏液成分（氟基等）。在該狀態下， 可以省略CF4電漿處理等。 正如以上，作爲疏液化之間隔壁6 1 1之對於噴出油墨 之接觸角係最好是確保40°以上，並且，作爲玻璃面之接 觸角係最好是確保1 〇 °以下。也就是說，本發明人們係藉 由試驗而進行確認，結果，例如對於導電性微粒（十四碳 烯溶媒）之處理後之接觸角係在採用丙烯樹脂系來作爲間 隔壁611之素材之狀態下，可以確保大約54.0° (在未處 理之狀態、成爲1 〇 °以下）。此外，這些接觸角係在電漿 功率5 5 0W之根本、以0.1 L / min來供應四氟化甲烷氣體 -37- 1239297 (35) 之處理條件下而得到。 在接續於前述第1層之間隔壁形成製程之閘極掃描電 極形成製程（第1次之導電性圖案形成製程），藉由利用 噴墨而噴出包含導電性材料之液滴，來形成閘極掃描電極 6 1 2，以便於充滿成爲在利用間隔壁6 1 1所劃分之描劃區 域之前.述溝槽61 la內。接著，在形成閘極掃描電極612 時，適用本發明之圖案形成方法。 作爲此時之導電性材料係可以適合採用 Ag、A1、 Au、Cu、鈀、Ni、W — Si、導電性聚合物等。像這樣形成 之閘極掃描電極6 1 2係在間隔壁6 1 1，預先賦予充分之疏 液性，因此，能夠不由溝槽6 1 1 a來突出而形成微細之配 線圖案。 藉由以上製程而在基板6 1 0上，形成由間隔壁6 1 1和 閘極掃描電極612所構成並且具備平坦之上面的第1導電 層A1 〇 此外，爲了得到溝槽6 1 1 a內之良好之噴出結果，因 此，正如第1 2圖所示，作爲該溝槽6 1 1 a之形狀係最好是 採用順錐形（朝向噴出處而打開之方向之錐形形狀）。可 以藉此而使得噴出之液滴，充分地進入至深處爲止。 接著，正如第13圖所示，藉由電漿CVD法而進行閘 極絕緣膜613、活化層621、接點層609之連續成膜。藉 由改變原料氣體或電漿條件而形成氮化矽膜成爲閘極絕緣 膜6 1 3，形成非結晶矽膜成爲活化層62 1，形成η +型矽膜 成爲接點層609。在藉由CVD法而形成之狀態下，需要 -38- 1239297 (36) 有3 00 °C〜3 5 0 °C之熱履歷，但是，可以藉由無機系材料 使用於間隔壁而避免關於透明性、耐熱性之問題。 在接續於前述半導體層形成製程之第2層間隔壁形成 製程，正如第14圖所示，在閘極絕緣膜613之上面，根 據光微影法而形成成爲1像素間距之1 / 2 0〜1 / 1 0並且 用以設·置交差於前述溝槽611a之溝槽614a之第2層間隔 壁6 1 4。作爲該間隔壁6 1 4係必須在形成後，具備光透過 性和疏液性，作爲其素材係除了丙烯樹脂、聚醯亞胺樹 脂、烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂等之高分子材料以外，也適 合使用聚砂氨院等之無機系材料。 爲了在該形成後之間隔壁614，具有疏液性，因此， 必須施行CF4電漿處理等（使用具有氟成分之氣體之電漿 處理）’但是，爲了取代，因此，也可以在間隔壁614之 素材本身，預先塡充疏液成分（氟基等）。在該狀態下， 可以省略CF4電漿處理等。 正如以上，作爲疏液化之間隔壁6 1 4之對於噴出油墨 之接觸角係最好是確保40°以上。 在接續於前述第2層之間隔壁形成製程之源極•汲極 電極形成製程（第2次之導電性圖案形成製程），藉由利 用噴墨而噴出包含導電性材料之液滴，正如第1 5圖所 示，來形成對於前述閘極掃描電極612呈交差之源極電極 6 1 5及汲極電極6 1 6，以便於充滿成爲在藉由間隔壁6 1 4 所劃分之描劃區域之前述溝槽614a內。接著，在形成源 極電極615及汲極電極61 6時，適用本發明之圖案形成方 -39- 1239297 (37) 法。 作爲此時之導電性材料係可以適合採用Ag、A1、 Au、Cu、鈀、Ni、W — Si、導電性聚合物等。像這樣形成 之源極電極6 1 5及汲極電極6 1 6係在間隔壁6 1 4，預先賦 予充分之疏液性，因此，能夠不由溝槽6 1 4 a來突出而形 成微細.之配線圖案。 此外，配置絕緣材料617而埋入至配置源極電極615 及汲極電極616之溝槽614a。藉由以上製程而在基板610 上，形成間隔壁.6 1 4和由絕緣材料6 1 7所構成之平坦之上 面 620。 接著，藉由在絕緣材料61 7，形成接點孔61 9，同 時，在上面620上，形成圖案化之像素電極（IT〇) 618, 透過接點孔6 1 9而連接汲極電極6 1 6和像素電極6 1 8，來 形成丁FT 〇 第1 6圖係顯示液晶顯示裝置之其他實施形態之圖。 第16圖所示之液晶顯示裝置（光電裝置）901係在 大致區分時，具備：彩色之液晶面板（光電面板）9 0 2和 連接於液晶面板902之電路基板903。此外，配合於需要 而將背光件等之照明裝置、其他之附帶機器，來附設於液 晶面板902。 液晶面板902係具有藉由密封材904所接合之1對之 基板905a及基板905b，在形成於這些基板905 a及基板 905b間之間隙、所謂胞縫隙，密封入液晶。這些基板 905 a及基板905b係一般藉由透光性材料、例如玻璃、合 -40- 1239297 (38) 成樹脂等而形成。在基板905a及基板905b之外 安裝偏光板906a及另外1片偏光板。此外，在I 省略另外1片之偏光板之圖示。 此外，在基板9 0 5 a之內側表面，形成電極 基板90 5 b之內側表面，形成電極90 7b。這些電 9〇7b係形成爲線條狀或文字、數字、其他之 狀。此外，這些電極 907a、907b係藉由ί (Indium Tin Oxide :銦錫氧化物）等之透光性 成。基板905a係具有對於基板905b呈突出之突 該突出部，形成複數個端子908。這些端子908 905a上形成電極907a時，同時形成電極907a。 些端子908係例如藉由ITO所形成。在這些端子 含：由電極907a開始呈一體延伸者以及透過導 圖示）而連接於電極907b者。 在電路基板903，在配線基板909上之既定 裝作爲液晶驅動用1C之半導體元件900。此外 示，但是，可以在構裝半導體元件900之部位以 之既定位置，構裝電阻、電容器、其他之晶片零 基板909係例如藉由對於形成在聚醯亞胺等之具 性之基底基板911上之Cu等之金屬膜進行圖案 配線圖案9 1 2所製造。 在本實施形態，液晶面板9 〇 2之電極9 0 7 a 電路基板903之配線圖案912係藉由前述裝置製 形成。 側表面， I 16 圖， 907a ，在 極 907a、 適當圖案 列如 ITO 材料而形 出部，在 係在基板 因此，這 908，包 電材（未 位置，構 ，省略圖 外之部位 件。配線 有可彎曲 化，形成 、907b 及 造方法而 -41 - (39) 1239297 如果藉由本實施形態之液晶顯示裝置的話，則 到解決電氣特性之不均勻之高品質之液晶顯示裝置 此外，前述例子係被動型之液晶面板，但是， 成爲主動矩陣型液晶面板。也就是說，在某一邊之 形成薄膜電晶體（TFT )，對於各個TFT，來形成 極。此.外，正如前面敘述，可以使用噴墨技術而形 氣地連接於各個TFT之配線（閘極配線、源極配 另一方面，在對向之基板，形成對向電極等。也可 種主動矩陣型液晶面板，適用本發明。 作爲其他之實施形態係就非接觸型卡片媒體之 /態而進行說明。正如第1 7圖所示，本實施形態之 型卡片媒體700係在由卡片基體702和卡片蓋718 之框體內，內藏半導體積體電路晶片708和天 7 1 2，藉由並未圖示之外部之收受訊機和電磁波或 容結合之至少某一邊而進行電力供應或資料收授之 一種。在本實施形態，前述天線電路7 1 2係藉由前 形態之配線圖案形成方法而形成。 此外，作爲本發明之裝置（光電裝置）係除了 述以外，也可以適用在PDP (電漿顯示器面板）或 由在形成於基板上之小面積之薄膜來流動平行於膜 流而利用發生電子釋出之現象之表面傳導型電子釋 等0 <電子機器> 可以得 〇 也可以 基板， 像素電 成呈電 線）。 以在此 實施形 非接觸 所構成 線電路 靜電電 至少某 述實施 前面敘 者是藉 面之電 出元件 •42- (40) 1239297 就本發明之電子機器之具體例而進行說明。 桌18(a)圖係顯不彳了動電話之某一例子之立體圖。 在第〗8(a)圖，圖號1600係表示行動電話本體，圖號 1 60 1係表示具備前述實施形態之液晶顯示裝置之液晶顯 示部。 第· 18 (b)圖係顯示文書處理機、個人電腦等之可攜 式資訊處理裝置之某一例子之立體圖。在第l8(b)圖， 圖號1700係表示資訊處理裝置，圖號1701係表示鍵盤等 之輸入部，圖號1703係表示資訊處理本體，圖號17〇2係 表示具備前述實施形態之液晶顯示裝置之液晶顯示部。 第1 8 ( c )圖係顯示手錶型電子機器之某一例子之立 體圖。在第18(c)圖，圖號1800係表示時鐘本體，圖 號1 8 0 1係表示具備前述實施‘形態之液晶顯示裝置之液晶 顯示部。 第18(a)圖〜第18(c)圖所示之電子機器係具備 前述實施形態之液晶顯示裝置，將具有要求膜厚之配線圖 案予以擁有。 此外，本實施形態之電子機器係具備液晶裝置，但 是，也可以成爲具備有機電場發光顯示裝置、電漿型顯示 裝置等之其他光電裝置之電子機器。 以上，參考附件之圖式，同時，就本發明之理想之實 施形態例而進行說明，但是，當然，本發明係並非限定於 該例子。前述例子所示之各種構成構件之各種形狀或組合 等係某一例子，可以在不脫離本發明之主旨之範圍，根據 -43- (41) 1239297 設計之要求等而進行各種變更。 此外，在前述實施形態，作爲使得薄膜圖案成爲導電 性膜之構造，但是，並非限定於此，例如也可以適用在液 晶顯示裝置而用以對於顯示圖像來進行彩色化之所使用之 彩色濾光片。該彩色濾光片係可以藉由對於基板，使得R (紅）.、G (綠）、B (紅）之油墨（液體材料）成爲液 滴，以既定圖案，來進行配置所形成，但是，可以藉由對 於基板，形成配合於既定圖案之間隔壁，在該間隔壁賦予 疏液性後，配置油墨，來形成彩色濾光片而製造具有高性 能之彩色濾光片之液晶顯示裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖係液滴噴出裝置之槪略立體圖。 第2圖係用以說明藉由壓電方式所造成之液體材料之 噴出原理之圖。 第3圖係顯示本發明之薄膜圖案的形成方法之某一實 施形態之流程圖。 第4圖係顯示形成本發明之薄膜圖案之順序之某一例 子之示意圖。 第5圖係顯示形成本發明之薄膜圖案之順序之某一例 子之示意圖。 第6圖係由對向基板側而觀察液晶顯示裝置之俯視 圖。 第7圖係沿著第7圖之Η — Η ’線之剖面圖。 -44- 1239297 (42) 第8圖係液晶顯示裝置之等效電路圖。 第9圖係液晶顯示裝置之部分擴大剖面圖。 第1 〇圖係有機EL裝置之部分擴大剖面圖。 第11圖係電漿型顯示裝置之分解立體圖。 第1 2圖係用以說明製造薄膜電晶體之製程之圖。 第.1 3圖係用以說明製造薄膜電晶體之製程之圖。 第1 4圖係用以說明製造薄膜電晶體之製程之圖。 第15圖係用以說明製造薄膜電晶體之製程之圖。 第1 6圖係顯示液晶顯示裝置之其他形態之圖。 第17圖係非接觸型卡片媒體之分解立體圖。 第18圖係顯示本發明之電子機器之具體例之圖。 〔圖號說明〕 A1第1導電層 B間隔壁 CONT控制裝置
Gl、G2、…、Gm掃描訊號 IJ液滴噴出裝置 P基板 S 1、S 2、…、S η像素訊號 1液滴噴出頂頭 2 X軸方向驅動馬達 3 Υ軸方向驅動馬達 3a掃描線 -45- (43) (43)1239297 4 X軸方向驅動軸 5 Y軸方向導引軸 6a資料線 7台座 8潔淨機構 9 .基台 10 TFT陣列基板 1 5加熱器 1 9像素電極 2 0對向基板 21液體室 22壓電元件 23液體材料供應系 24驅動電路 25 噴出噴嘴 30 TFT (開關元件） 32 HMDS 層 3 3配線圖案（薄膜圖案） 3 4溝槽部 35底部 5 0液晶 52密封材 53周邊中斷部 60儲存電容 -46 - 1239297 (44) 6 1聞極配線 62閘極絕緣膜 63半導體層 64a接合層 64b接合層 6 5蝕刻阻蔽膜 66間隔壁 100液晶顯示裝置（光電裝置） 1 2 1對向電極 201資料線驅動電路 202構裝端子 2 0 4掃描線驅動電路 2 0 5 配線 206基板間導通材 400非接觸型卡片媒體（電子機器） 401有機EL裝置 402有機EL元件 4 1 1基板 421電路元件部 4 3 1像素電極 441間隔壁部 4 4 4凹部開口 451發光元件 452電洞注入層 -47· 1239297 (45) 453 發光層 46 1 陰極 47 1 密封基板 500 電漿型顯示裝 :置 501 基板 5 02 基板 5 10 放電顯示部 5 11 位址電極 5 12 顯不電極 5 13 介電質層 5 14 保護膜 5 15 間隔壁 5 16 放電室 5 16 (B ) 藍色放 電 室 5 16 (G ) 綠色放 電 室 5 16 (R ) 紅色放 電 室 5 17 螢光體 5 17 (B ) 藍色螢 光 體 Π-ϋ 5 1 7 (G) 綠色螢 光 體 5 17 (R ) 紅色螢 光 體 5 19 介電質層 609 接點層 6 10 玻璃基板 611第1層間隔壁 •48- 1239297 (46) 6 1 1 a溝槽 612閘極掃描電極 6 1 3閘極絕緣膜 6 1 4第2層間隔壁 6 1 4 a 溝槽 6 1.5源極電極 6 1 6汲極電極 6 1 7絕緣材料 618像素電極（ITO ) 619接點孔. 620 平坦之上面 6 2 1·活化層 700非接觸型卡片媒體（電子機器） 702卡片基體 708半導體積體電路晶片 7 1 2天線電路 718卡片蓋 900半導體元件 901液晶顯示裝置（光電裝置） 902彩色液晶面板（光電面板） 903電路基板 904 密封材 905a基板 905b基板 -49- 1239297 (47) 906a 907a 907b 908 909 9 11 9 12 1600 1601 1700 1701 1702 1703 1800 180 1 偏光板 電極 電極 端子 配線基板 基底基板 配線圖案 行動電話本體 液晶顯示部 資訊處理裝置 輸入部 液晶顯示部 資訊處理本體 時鐘本體 液晶顯不部 -50-

Claims (1)

  1. (1) 1239297 拾、申請專利範圍 1 · 一種薄膜圖案的形成方法，其特徵爲：係在基板上 形成薄膜圖案之薄膜圖案的形成方法，具有： 在前述基板上之既定圖案，形成間隔壁之間隔壁形成 製程； 在前述間隔壁間，配置由功能液所構成之第1液滴， 形成第1圖案之第1材料配置製程；以及， 在前述第1圖案上，配置由功能液所構成之第2液滴 之第2材料配置製程；此外， 在前述第1材料配置製程和前述第2材料配置製程 間’具有··除去包含於前述第1液滴之溶媒之至少一部分 之中間乾燥製程。 2 · —種薄膜圖案的形成方法，其特徵爲··係在基板上 形成薄膜圖案之薄膜圖案的形成方法，具有： 在前述基板上之既定圖案，形成間隔壁之間隔壁形成 製程； 在前述間隔壁間’配置由功能液所構成之第1液滴， 形成第1圖案之第1材料配置製程；以及， 在前述第1圖案上，配置由功能液所構成之第2液滴 之第2材料配置製程；此外， I行於前述第1材料配置製程和前述第2材料配置製 iS Φ t g少其中一個製程，來進行除去配置於前述基板上 之前述第1液滴所包含之液體成分之至少一部分之中間乾 燥製程。 -51 - (2) 1239297 3 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，在前述第2材料配置製程之前面或後面，具 有：在配置於前述基板上之前述功能液上配置由前述功能 液所構成之第3液滴之第3材料配置製程。 4. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方 法，其.中’在前述第2材料配置製程之前面或後面，具 有：在配置於前述基板上之前述功能液上配置由前述功能 液所構成之第3液滴之第3材料配置製程。 5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，前述中間乾燥製程係具有加熱處理製程。 6. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，前述中間乾燥製程係具有加熱處理製程。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，前述中間乾燥製程係具有光照射處理製程。 8 ·如申請專利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，前述中間乾燥製程係具有光照射處理製程。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，在前述中間乾燥製程後，進行在前述間隔壁賦 予疏液性之疏液化處理製程。 1 0 ·如申請專利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，在前述中間乾燥製程後，進行在前述間隔壁賦 予疏液性之疏液化處理製程。 1 1 ·如申請專利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方 法，其中，在前述各個材料配置製程之每一個，互相地配 -52- (3) 1239297 置不同之功能液。 1 2 ·如申請專利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方 法’其中，在前述各個材料配置製程之每一個，互相地配 置不同之功能液。 1 3 ·如申請專利範圍第3項所述之薄膜圖案的形成方 法’其.中，在前述各個材料配置製程之每一個，互相地配 置不同之功能液。 1 4 .如申請專利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方 法’其中’在鲂述功能液，包含導電性微粒。 1 5 .如申請專利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方 法’其中’在前述功能液，包含導電性微粒。 1 6 .如申請專利範圍第3項所述之薄膜圖案的形成方 法’其中，在前述功能液，包含導電性微粒。 1 7 ·如申請專利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方 法’其中’在前述功能液，包含藉由熱處理或光處理而發 現導電性之材料。 1 8 ·如申請專利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方 法’其中’在前述功能液，包含藉由熱處理或光處理而發 現導電性之材料。 19·如甲請專利範圍第3項所述之薄膜圖案的形成方 法’其中’在前述功能液，包含藉由熱處理或光處理而發 現導電性之材料。 20· —種主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲：係具 有在基板JL·形成薄膜圖案之製程之主動矩陣基板的製造方 •53- 1239297 (4) 法’藉由如申請專利範圍第丨項所述之薄膜圖案的形成方 法而在前述基板上，形成薄膜圖案。 21· —種主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲：係具 有在基板上形成薄膜圖案之製程之主動矩陣基板的製造方 法 由如申δΒ專利軔圍弟2項所述之薄膜圖案的形成方 法而在·前述基板上，形成薄膜圖案。 22·—種裝置的製造方法，其特徵爲：係具有在基板 上形成薄膜圖案之製程之裝置的製造方法，藉由如申請專 利範圍第1項所述之薄膜圖案的形成方法而在前述基板 上，形成薄膜圖案。 23·—種裝置的製造方法，其特徵爲：係具有在基板 上形成薄膜圖案之製程之裝置的製造方法，藉由如申請專 利範圍第2項所述之薄膜圖案的形成方法而在前述基板 上，形成薄膜圖案。 24·—種光電裝置，其特徵爲：具備使用如申請專利 範圍第22項所述之裝置的製造方法而製造之裝置。 2 5 · —種光電裝置，其特徵爲：具備使用如申請專利 範圍第23項所述之裝置的製造方法而製造之裝置。 26·—種電子機器’其特徵爲：具備如申請專利範圍 第24項所述之光電裝置。 2 7 · —種電子機器，其特徵爲··具備如申請專利範圍 第25項所述之光電裝置。 28·—種主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲：具 有： -54- (5) 1239297 在基板上，形成閘極配線之第1製程； 在前述閘極配線上，形成閘極絕緣膜之第2製程； 在前述閘極配線上，透過前述閘極絕緣膜而層積半導 體層之第3製程； 在前述閘極絕緣層上，形成源極電極及汲極電極之第 4製程.； 在前述源極電極及前述汲極電極上，配置絕緣材料之 第5製程；以及， 形成呈電氣地連接於前述汲極電極之像素電極之第6 製程；此外， 前述第1製程和前述第4製程及前述第6製程中之至 少一個製程係具有： 配合於形成圖案而形成間隔壁之間隔壁形成製程； 在前述間隔壁間，配置第1液滴，形成第1圖案之第 1材料配置製程；以及， 在前述第1圖案上，配置第2液滴之第2材料配置製 程；此外， 在前述第1材料配置製程和前述第2材料配置製程 間，具有除去前述第1液滴所包含之溶媒之至少一部分之 製程。 2 9.—種主動矩陣基板的製造方法，其特徵爲：具 有： 在基板上，形成閘極配線之第1製程； 在前述閘極配線上，形成閘極絕緣膜之第2製程； -55- 1239297 (6) 在前述閘極配線上，透過前述閘極絕緣膜而層積半導 體層之第3製程； 在前述閘極絕緣層上，形成源極電極及汲極電極之第 4製程； 在前述源極電極及前述汲極電極上，配置絕緣材料之 第5製.程；以及， 形成呈電氣地連接於前述汲極電極之像素電極之第6 製程；此外， 前述第1製程和前述第4製程及前述第6製程中之至 少~個製程係具有： 在形成圖案，形成間隔壁之間隔壁形成製程； 在前述間隔壁間，配置第1液滴，形成第1圖案之第 1材料配置製程；以及， 在前述第1圖案上，配置第2液滴之第2材料配置製 程；此外， 並行於前述第1材料配置製程和前述第2材料配置製 程中之至少其中一個製程，來進行除去配置於前述基板上 之前述第1液滴所包含之液體成分之至少一部分之中間乾 燥製程。
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