JP5157582B2 - 有機薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係る有機薄膜トランジスタ(有機TFT)10の構成例を示す断面模式図である。ここでは、有機TFT10が、いわゆるボトムゲート型である例を挙げて説明する。
図2は、本発明の実施形態に係る有機TFT10の製造工程の概略を示す図である。図2(a)〜(h)は、有機TFT10を製造する工程A〜Hが時系列に沿って並べられたものである。以下、図2(a)〜(h)を参照しつつ、工程A〜Hについて説明する。
図3は、本発明の実施形態に係る下地層51,61(すなわち電極パターン)の形成方法を例示する図である。図3(a)〜(c)は、IJ法を用いて下地層51,61を形成する工程a〜cが時系列に沿って並べられたものである。なお、図3(a)〜(c)では、破線40で囲んだ領域が、絶縁膜4上において第1および第2電極5,6を形成すべき領域およびその周辺領域を含む領域を示し、太矢印がインクヘッドの走査方向を示す。以下、図3(a)〜(c)を参照しつつ、工程a〜cについて説明する。
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
(b)Agナノインク:インクジェット回路形成用銀ナノインキ「SEINTRONICSINK」(住友電工社製)、
(c)Pd触媒液:NNPアクセラ(奥野製薬工業社製)、
(d)Niめっき液:NNPニコロンLTC(奥野製薬工業社製)、
(e)置換Auめっき液:フラッシュゴールドNC(奥野製薬工業社製)、
(f)インクヘッドのノズル径:約5μm、
(g)着弾したインクが形成するドット径:約15μm、
(h)連続描画処理におけるインクヘッドの走査ピッチ:約10μm、
(i)間引き描画処理におけるインクヘッドの走査ピッチ:約20μm、
(j)制御下地層21(Ag膜)の厚み:約20nm、
(k)制御電極本体層22(Ni膜)の厚み:約200nm、
(l)第1および第2下地層51,61(Ag膜)の厚み:約20nm、
(m)第1および第2電極本体層52,62(Ni膜)の厚み:約200nm、
(n)第1および第2被覆層53,63(Au膜)の厚み:約50nm、
(o)有機半導体層7の形成方法:IJ法による有機半導体材料の射出および形成、
(p)有機半導体の素材:TIPSペンタセン。
2 制御電極
4 絶縁膜
5 第1電極
6 第2電極
7 有機半導体層
10 有機薄膜トランジスタ
21 制御下地層
22 制御電極本体層
51 第1下地層
52 第1電極本体層
53 第1被覆層
61 第2下地層
62 第2電極本体層
63 第2被覆層
Claims (8)
- 有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
所定の基板上において、インクジェット法によってインクの液滴を、着弾によって形成されるドットの径以下の短い間隔で時間的に連続して着弾させることで、ソース電極およびドレイン電極に対応する第1および第2電極パターンのうちの少なくとも相互に対向するエッジ部の1ラインの領域を形成する第1領域形成工程と、
インクジェット法によりインクの液滴を所定間隔で着弾させることによりドット間が離隔したドットパターンを形成した後に、該ドットパターンの各ドット間に対してインクの液滴を着弾させることで、前記第1および第2電極パターンのうちの前記エッジ部以外の少なくとも一部の領域を形成する第2領域形成工程と、
を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記少なくとも一部の領域が、
前記第1および第2電極パターンのうちの前記エッジ部に隣接する領域を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
インクジェット法によって、着弾によって形成されるドットの径以下の短い間隔で時間的に連続してインクの液滴を着弾させることで形成される2以上のラインを相互に隣接させることなく、前記第1および第2電極パターンが形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1から請求項3の何れかに記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記第1領域形成工程が行われた後に、前記第2領域形成工程が行われることを特徴とする特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1から請求項4の何れかに記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記第1および第2電極パターン上に導電性を有する第1および第2導電層をそれぞれ形成した後に、該第1および第2導電層の表面に金をめっきすることで前記ソース電極および前記ドレイン電極に相当する第1および第2電極を形成する電極形成工程、
を更に備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項5に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記電極形成工程が、
前記第1および第2電極パターンに対して、ニッケルまたは銅をめっきすることで前記第1および第2導電層を形成する導電層形成工程、を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1から請求項6の何れかに記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記インクが、
ナノ粒子を分散させた液であることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1から請求項7の何れかに記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極および前記ドレイン電極に相当する第1および第2電極が形成された後に、前記第1電極と前記第2電極との間の空間領域に有機半導体の溶液を塗布して乾燥させることで、有機半導体層を形成する半導体層形成工程、
を更に備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
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