JP4896843B2 - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子の製造工程等において、ＩＴＯ（インジウム酸化スズ）層と、ＳｉＮ（窒化珪素）等の無機珪素化合物層と、ＰＩ（ポリイミド）等の樹脂層を有する被処理物の表面を処理する方法に関し、特にＩＴＯ層及び無機珪素化合物層に対しては親水性（親液性）を確保ないしは向上させ、樹脂層に対しては撥水性（撥液性）を確保ないしは向上させる表面処理方法に関する。

特許文献１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、ＩＴＯ基板にポリイミドのバンクを設け、酸素プラズマでＩＴＯの表面を親水化し、続いて、ＣＦ_４プラズマでポリイミドバンクを撥水化している。これにより、バンク内に注入されるインクが、ＩＴＯの表面になじむ一方、バンクを超えて流れ出るのが防止される。
特許文献２によれば、バンクが上下２層になっており、上層バンクはポリイミド樹脂で構成され、下層バンクはＳｉＯ_２（酸化珪素）で構成されている。酸素プラズマの照射とそれに続くＣＦ_４プラズマの照射の後、大気中に放置すると、大気中の水蒸気によってＳｉＯ_２の親水性が向上する一方、ＩＴＯ電極の親水性が劣化することが示されている。
特許文献３によれば、下層バンクの材質としてＳｉＯ_２の他、ＳｉＮが挙げられている。
特開２００２−３７２９２１号公報（段落０１９１〜０１９３） 特開２００７−４４５８２号公報（段落００３７〜００４４、図４） 特開２００７−９５４１５号公報

有機ＥＬ素子等の電子デバイスにおいて、上記下層バンク等に用いられるＳｉＮ層の表面は、ＩＴＯ電極と同程度の親水性が求められる。しかし、ＳｉＮは、ポリイミド樹脂の撥水化処理の際のＣＦ_４プラズマによって親水性が損なわれる。ＳｉＯ_２についても処理条件によっては同様の現象が起きる可能性がある。これを回復するために、特許文献２と同様の水蒸気処理を行なうことが考えられるが、そうすると今度はＩＴＯ電極の親水性が劣化する。また、特許文献２では、ＳｉＯ_２層を大気中に１時間も放置して水蒸気と接触させており、処理に時間がかかる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子となるべき被処理物の表面に、ＩＴＯと、ＳｉＮやＳｉＯ_２等の無機珪素化合物と、ポリイミド等の樹脂との３つの層が存在する場合、ＩＴＯと無機珪素化合物については親水性を確保ないしは向上させ、樹脂については撥水性を確保ないしは向上させることが短時間で可能な表面処理方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、ガラス基板上に設けられた電極となる複数のＩＴＯ層と、隣り合う前記ＩＴＯ層どうし間に設けられた絶縁隔壁となるＳｉＮやＳｉＯ_２等の無機珪素化合物の層と、前記無機珪素化合物層上に積層されたバンクとなるポリイミド等の樹脂層とがそれぞれ露出された被処理物を表面処理して有機ＥＬ素子を製造する方法であって、
ハロゲン含有ガスをプラズマ化（分解、励起、ラジカル化、活性化、イオン化等を含む）して前記被処理物に接触させる第１工程と、
前記被処理物を水性の洗浄液で洗浄し、乾燥させる第２工程と、
実質的にハロゲン非含有の不活性ガスをプラズマ化して前記被処理物に接触させる第３工程と、
を順次実行し、前記第３工程の後、前記無機珪素化合物層及び前記樹脂層にて囲まれた前記各ＩＴＯ層上の凹部内に発光層となる水性のインクを供給することを特徴とする。

前記第１工程によって、樹脂層を撥水化できる。一方、ＳｉＮ等の無機珪素化合物層については親水性が低下する傾向がある。次に、前記第２工程を行なうことによって、無機珪素化合物層の親水性を回復することができる。一方、ＩＴＯ層については洗浄によって親水性が低下する傾向がある。次に、第３工程を行なうことによって、ＩＴＯ層の親水性を回復することができる。

前記第１工程で用いるハロゲン含有ガスが、フッ素化合物を含むことが好ましい。フッ素化合物としては、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＨＦ_３等のフッ素化合物が挙げられる。これにより、第１工程において、フッ素系活性種がＳｉＮ等の無機珪素化合物の表面に接触し、表層にフッ化膜が形成される。このフッ化膜の成分は、フッ化アンモニウム（（ＮＨ_４）_２Ｆ_６）または珪フッ化アンモニウム（Ｓｉ（ＮＨ_４）_２Ｆ_６）と推察され、ＳｉＮ等の無機珪素化合物自体と比べると撥水性である一方、水溶性が極めて高い。したがって、第２工程の洗浄によって簡単に除去することができる。
なお、ＳｉＮの対水接触角は、１０°以下であるのに対し、上記フッ化アンモニウムなどからなる表層膜の対水接触角は、２０〜４０°程度である。
前記ハロゲン含有ガス中のハロゲンは、フッ素の他、塩素などの他のハロゲンであってもよい。

前記第２工程で用いる洗浄液は、水であることが好ましい。これによって、コストを削減できるとともに、ＳｉＮ等の無機珪素化合物層の親水性を確実に回復させることができる。
前記洗浄液は、アルコールを含んでいてもよい。これにより、洗浄後の乾燥を効率化することができる。前記洗浄液として、水とアルコールの混合液を用いてもよい。

前記洗浄液は、前記被処理物の表面上を通過するように流れる液流状態であるのが好ましい。これにより、洗浄液中に溶解した表層膜成分を洗浄液と共に確実に排出することができる。
洗浄液を被処理物に霧状に吹き付けた後、エアナイフ等のガス流を吹き付けて上記被処理物に付着した洗浄液を液流状態にし、被処理物の表面上から流出させることにしてもよい。
洗浄後の乾燥は、乾燥窒素または乾燥空気などの乾燥ガスを用いるのが好ましく、洗浄液を吹き飛ばすようにして乾燥させるのが好ましい。これによって、洗浄液中に溶けた表層膜成分が乾燥後の被処理物の表面に残留するのを防止することができる。

前記第３工程で用いる不活性ガスは、例えば窒素であるが、これに限定されるものではなく、アルゴン（Ａｒ）を用いてもよく、ヘリウム（Ｈｅ）を用いてもよい。前記不活性ガスに酸素を微量混入したガスをプラズマ化して前記被処理物に接触させることにしてもよい。第３工程で用いる不活性ガスには、ハロゲン含有物質（ＣＦ_４等）が実質的に含まれていないことが好ましい。「実質的」とは、ハロゲン含有物質の濃度がゼロ、若しくはほぼゼロ、または第３工程における親水性付与作用を阻害しない範囲内であることを意味する。

第１工程および第３工程におけるプラズマ化は、大気圧（常圧）近傍の圧力下で行なうのが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａが好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａがより好ましい。プラズマ照射は、被処理物をプラズマ空間の外部に配置し、プラズマガスをプラズマ空間から噴き出して被処理物に当てる所謂リモート方式によるのが好ましい。

前記第３工程の処理量が、前記第１工程の処理量より小さいことが好ましい。
これによって、第３工程によって樹脂層の撥水性が損なわれるのを防止することができる。
ここで、処理量は、処理時間、供給ガスの流量、供給ガス中の撥水化または親水化に寄与する成分の濃度、プラズマ生成のための投入電力等を含む。

前記第３工程におけるプラズマ化したガスの噴出部に対する前記被処理物の移動速度が、前記第１工程におけるプラズマ化したガスの噴出部に対する前記被処理物の移動速度より大きいことが好ましい。
これによって、第３工程の処理時間を第１工程の処理時間より短くでき、第３工程によって樹脂層の撥水性が損なわれるのを確実に防止することができる。
前記第３工程におけるプラズマ化したガスの噴出部に対する前記被処理物の移動速度は、好ましくは５〜１６ｍｍ／ｓｅｃであり、より好ましくは８〜１２ｍｍ／ｓｅｃである。これによって、樹脂層の撥水性が損なわれるのを確実に防止できるとともに、ＩＴＯ層の親水性を確実に回復させることができる。

本発明によれば、比較的短時間で、かつ確実にＩＴＯ層と無機珪素化合物層については親水性（親液性）を向上ないし確保でき、樹脂層については撥水性（撥液性）を向上ないし確保することができる。

以下、本発明の第１実施形態を、図面を参照して説明する。
図１は、ＥＬ素子となるべき被処理物１０を示したものであり、ガラス基板１１上にＩＴＯ電極１２（ＩＴＯ層）が設けられている。

隣り合うＩＴＯ電極１２，１２どうしの間には、絶縁隔壁（又は下層バンク）として無気珪素化合物であるＳｉＮの層１３が設けられている。ＳｉＮの成膜は、例えばシラン（ＳｉＨ_４）やアンモニア（ＮＨ_３）を原料とするＣＶＤによってなされる。成膜工程後のＳｉＮ層１３の表面には、一般に汚染膜１３ａが付着している。汚染膜１３ａの多くは炭素を含有する有機系であり、これがＳｉＮ層１３の親水性を妨げている。

ＳｉＮ層１３の上に、バンクとして有機化合物のポリイミド（ＰＩ）からなる樹脂層１４が積層されている。
この段階で、ＩＴＯ電極１２の中央部分とＳｉＮ層１３の側端部とポリイミド樹脂層１４の表面がそれぞれ露出されている。

各ＩＴＯ電極１２上の層１３，１４で囲まれた凹部１５内に発光層（図示省略）を形成するのに先立ち、ＩＴＯ電極１２とＳｉＮ層１３の露出面の親水性（目標接触角１０°以下）を確保するとともに、樹脂層１４の表面の撥水性（目標接触角９０°以上）を確保するために、以下の表面処理を行なう。

第１工程
図２に示すように、第１工程ではプラズマ表面処理を行なう。プラズマ生成には、例えばリモート式の大気圧プラズマ処理装置を用いる。詳細な図示は省略するが、大気圧プラズマ処理装置は、少なくとも一対の電極を有し、これら電極間への電界印加によって大気圧プラズマ放電が生成されるようになっている。この電極間に、ハロゲン含有化合物のＣＦ_４をＮ_２で希釈したハロゲン含有ガスを導入する。ＣＦ_４濃度は、ＣＦ_４／（ＣＦ_４＋Ｎ_２）＝０．１〜１ｖｏｌ％程度が好ましい。ＣＦ_４濃度が０．１ｖｏｌ％より少ないと撥水性を発揮しない。ＣＦ_４濃度が１％より多くてもよいが、そうするとエッチング速度が速くなり、ＳｉＮ層１２が消失することがある。また、ＰＦＣ削減の観点から好ましくない。

ＣＦ_４とＮ_２の混合ガスが、上記電極間の大気圧プラズマ空間でプラズマ化され、フッ素系活性種等が生成される。このプラズマ化したガスを、上記電極間空間に連なる噴出部２１から噴出して被処理物１０に吹付ける。これによって、ポリイミド樹脂層１４の表層にフッ素化物の撥水膜１４ａが形成され、良好な撥水性が発現する。

また、ＳｉＮ層１３の露出面の汚染層１３ａが除去される。
一方、プラズマ照射を終了すると、ＳｉＮ層１３の露出面にフッ素含有膜１３ｂが形成される。膜１３ｂの厚さは、１〜２ｎｍ程度である。膜１３ｂの成分はフッ化アンモニウム（（ＮＨ_４）_２Ｆ_６）または珪フッ化アンモニウム（Ｓｉ（ＮＨ_４）_２Ｆ_６）等であると考えられる。膜１３ｂ中のフッ素（Ｆ）は、プラズマガス中のフッ素成分に由来する。水素（Ｈ）は、ＳｉＮ層１３に含有されていたものであり、成膜工程時の成膜原料（例えばＳｉＨ_４、ＮＨ_３)に由来する。このフッ素含有膜１３ｂによってＳｉＮ層１３の親水性が損なわれ、対水接触角は、Ｃ．Ａ．＝２０〜４０°程度になる。

プラズマ照射と併行して、被処理物１０を移動手段２２によってプラズマ噴出部２１に対し相対移動させる。この移動速度は、例えば８〜１２ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。
プラズマ噴出部２１が位置固定され、被処理物１０が移動されるようになっていてもよく、被処理物１０が位置固定され、プラズマ噴出部２１が移動されるようになっていてもよい。
リモート式大気圧プラズマ処理装置は、電極間のプラズマ空間の内部ではなく外部に被処理物１０が配置されるため、被処理物１０に設けられたＥＬ素子用のＴＦＴ回路等（図示省略）がプラズマで損傷するのを防止することができる。

第２工程
次に、図３に示すように、被処理物１０の表面を水性の洗浄液ｆ_Ｌの液流で洗浄する。水性の洗浄液ｆ_Ｌとして水（Ｈ_２Ｏ）を用いる。上記ＳｉＮ層１３の表層を構成するフッ化アンモニウム及び珪フッ化アンモニウムの膜１３ｂは、水溶性が高い。したがって、洗浄水ｆ_Ｌによって簡単に溶解され、洗浄水ｆ_Ｌと共に排出される。洗浄時間は、１秒〜数秒程度で十分である。これによって、親水性の高いＳｉＮ（対水接触角Ｃ．Ａ．＝１０°以下）が露出される。一方、ＩＴＯ電極１２については、水との接触によって表面に撥水基１２ａが付着するものと考えられ、親水性が劣化する。一般に、ＩＴＯ電極１２の第１工程終了時における対水接触角は１０°以下であるのに対し、第２工程の洗浄によって２０〜３０°程度になる。

次に、乾燥窒素または乾燥空気からなる乾燥ガスを被処理物１０に吹き付け、ＳｉＮ層１３上の洗浄水ｆ_Ｌを吹き飛ばすとともに蒸発させ、乾燥させる。乾燥時間は数秒程度で十分である。これにより、洗浄水ｆ_Ｌ中に溶け込んだフッ素含有膜１３ｂの成分が乾燥後の被処理物１０上に残留するのを確実に防止することができる。

第３工程
次に、図４に示すように、被処理物１０にＮ_２プラズマ（不活性ガスプラズマ）を照射する。プラズマ生成は、上記第１工程と同様の例えばリモート式大気圧プラズマ処理装置を用いるとよく、上記第１工程と同一の装置を用い、供給するガス種だけを変えることにしてもよい。供給ガスはＮ_２の純ガスを用い、撥水化作用を有するＣＦ_４等のハロゲン含有物質は含有させない。このＮ_２１００％のガスを電極間の大気圧プラズマ空間に導入してプラズマ化し、Ｎ_２プラズマを得る。このＮ_２プラズマをプラズマ噴出部２１から噴出して被処理物１０に接触させる。これによって、ＩＴＯ電極１２の表面の撥水基１２ａを除去でき、ＩＴＯ電極１２の親水性を回復することができる。

Ｎ_２プラズマ照射と併行して、移動手段２２によって被処理物１０をプラズマ噴出部２１に対し相対移動させる。この移動速度は、上記第１工程での移動速度以上であるのが好ましく、例えば５〜１６ｍｍ／ｓｅｃが好ましく、８〜１２ｍｍ／ｓｅｃがより好ましい。これによって、第３工程の処理時間（処理量）を第１工程以下にでき、ポリイミド樹脂層１４の撥水性が損なわれるのを防止することができる。プラズマ処理装置がリモート式であるため、被処理物１０のＴＦＴ回路等の損傷を防止できることは、第１工程と同様である。

このようにして、ＩＴＯ電極１２とＳｉＮ層１３の表面については親水性を確保でき、ポリイミド樹脂層１４の表面については撥水性を確保することができる。しかも、第１〜第３の各工程に要する所要時間が短く、全工程を短時間で終了することができる。
その後、各凹部１５に正孔注入層となる水性のインクを充填し、さらに発光層となる水性のインクを充填する。

本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、絶縁隔壁１３を構成する無機珪素化合物は、ＳｉＮに限られず、ＳｉＯ_２であってもよい。
第１工程において、供給ガスは、ＣＦ_４に限られず、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＨＦ_３等の他のハロゲン化合物を用いてもよい。
第２工程の洗浄液ｆ_Ｌとして、水に代えてアルコールを用いてもよく、水とアルコールの混合液を用いてもよい。アルコールは蒸発し易く、洗浄後の乾燥を一層短時間で行なうことができる。
洗浄液は、被処理物１０に当初から液流状態で供給されるものに限られず、例えば霧吹き器で霧状に吹き付けられることにより被処理物１０に付着して静止するようになっており、その後、エアナイフ等のガス流を吹き付けて上記付着した洗浄液を液流状態にし、被処理物１０の表面上から流出させることにしてもよい。

図５に示すように、第３工程において、Ｎ_２に微量の酸素（Ｏ_２）を混入してプラズマ化し、Ｎ_２とＯ_２の混合ガスのプラズマを被処理物１０に照射することにしてもよい。酸素の混入量は、２００〜１０００ｐｐｍが好ましい。また、第３工程の不活性ガスとして、Ｎ_２に代えて、Ａｒ、Ｈｅ等の他の不活性ガスを用いてもよく、これら他の不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅ等）に微量の酸素を混入してもよい。
第３工程において、供給ガス流量やプラズマ生成用の投入電力を第１工程より小さくしてもよい。
第１、第３工程のプラズマ処理は、大気圧近傍で行なうものに限られず、減圧下で行なうことにしてもよい。

実施例を説明するが、本発明がこれに限定されるものではない。
ＩＴＯ層とＳｉＮ層とポリイミド樹脂層とがそれぞれ露出した試料を用意した。
第１工程
装置としてリモート式大気圧プラズマ処理装置を用い、ＣＦ_４をＮ_２で希釈したガスをプラズマ化して上記試料に吹き付けた。供給ガス中のＣＦ_４の濃度は、ＣＦ_４／Ｎ_２＝０．７ｖｏｌ％とし、供給ガス流量は２０Ｌ／ｍｉｎとした。プラズマ生成の投入電力は１９０Ｗ（１９０Ｖ、１Ａ）とした。プラズマ処理装置の噴射口と試料との間の間隔は１ｍｍとし、プラズマ処理装置のプラズマ噴射部２１に対する試料の移動速度は５ｍｍ／ｓｅｃとした。

第２工程
第１工程後の試料を純水の流液ｆ_Ｌで洗浄した。液ｆ_Ｌの流量は、５ｍＬとした。洗浄時間は約１秒であった。
洗浄後、乾燥窒素で乾燥させた。噴き付け時間は２〜３秒であった。
乾燥後、各層の対水接触角を測定した。図６の一点鎖線ＰＩに示すように、ポリイミド樹脂層の対水接触角は、約９０°であった。同図の一点鎖線ＩＴＯに示すように、ＩＴＯ層の対水接触角は、約３０°であった。同図の一点鎖線ＳｉＮに示すように、ＳｉＮ層の対水接触角は、約５°であった。

第３工程
次いで、試料にＮ_２プラズマを照射した。装置として第１工程と同様のリモート式大気圧プラズマ処理装置を用いた。供給ガスとして１００％のＮ_２ガスを用い、流量は２０Ｌ／ｍｉｎとした。プラズマ生成の投入電力は１９０Ｗ（１９０Ｖ、１Ａ）とした。プラズマ処理装置の噴射口と試料との間の間隔は１ｍｍとし、プラズマ処理装置のプラズマ噴射部２１に対する試料の移動速度を５〜１６ｍｍ／ｓｅｃの範囲で調節した。

第３工程後の各層の対水接触角を移動速度ごとに測定したところ、図６に示すように、移動速度５〜１６ｍｍ／ｓｅｃの範囲では、ＩＴＯ層の接触角が第３工程前より小さくなり、ＩＴＯ層の親水性を回復できた。ただし、移動速度が１６ｍｍ／ｓｅｃの場合、回復の程度が比較的小さかった。また、ＳｉＮ層の接触角がＩＴＯ層の接触角に近くなり、ＩＴＯ層とＳｉＮ層の親水性能を略同等にすることができた。一方、ポリイミド樹脂層については、接触角が第３工程前より大きくなり、却って撥水性が向上した。
この結果、移動速度５〜１６ｍｍ／ｓｅｃの範囲では、ＩＴＯ、ＳｉＮ、及びポリイミド樹脂の各層について、ＥＬ素子用のＩＴＯ電極１２、絶縁隔壁１３、バンク１４としての親水性能ないしは撥水性能を十分に確保できることが判明した。

第１工程及び第２工程までは上記実施例１と同じとした。第３工程において、供給ガスのＮ_２にＯ_２を５００ｐｐｍ混入してプラズマ化し、これを試料に吹き付けた。第３工程の他の条件は実施例１と同じとした。
第３工程後の各層の対水接触角の測定結果を、図７に示す。
実施例１と同様に、ＩＴＯ層の接触角を第３工程前より小さくでき、親水性を回復できた。ただし、移動速度が５ｍｍ／ｓｅｃ及び１６ｍｍ／ｓｅｃの場合は、回復の程度が比較的小さかった。
ＳｉＮ層については第３工程前とほぼ同じ親水性を維持できた。
一方、ポリイミド樹脂層については、移動速度が８〜１６ｍｍ／ｓｅｃの範囲では撥水性の向上が見られたが、５ｍｍ／ｓｅｃでは接触角が第３工程前より小さくなり、撥水性が劣化した。したがって、供給ガスにＯ_２を混入する場合、移動速度は８ｍｍ／ｓｅｃ以上が好ましいことが判明した。
実施例１、２を総合すると、移動速度は８〜１２ｍｍ／ｓｅｃがより好適であることが判明した。

本発明は、有機ＥＬ素子の製造に利用可能である。

本発明の第１実施形態に係る被処理物を、第１工程前の状態で示す断面図である。 第１工程における被処理物を示す断面図である。 第２工程の洗浄時における被処理物を示す断面図である。 第３工程における被処理物を示す断面図である。 本発明の他の実施形態を示し、第３工程における被処理物の断面図である。 実施例１による第３工程後の対水接触角を示すグラフである。 実施例２による第３工程後の対水接触角を示すグラフである。

符号の説明

１０ 被処理物
１１ ガラス基板
１２ ＩＴＯ電極（ＩＴＯ層）
１２ａ 撥水基
１３ ＳｉＮ層（無機珪素化合物層）
１３ａ 汚染膜
１３ｂ フッ素含有膜
１４ ポリイミド層（樹脂層）
１４ａ 撥水膜
２１ リモート式大気圧プラズマ処理装置の噴出部
２２ 上記処理装置の移動手段
ｆ_Ｌ 洗浄液

Claims (11)

1. ガラス基板上に設けられた電極となる複数のＩＴＯ層と、隣り合う前記ＩＴＯ層どうし間に設けられた絶縁隔壁となる無機珪素化合物層と、前記無機珪素化合物層上に積層されたバンクとなる樹脂層とがそれぞれ露出された被処理物を表面処理して有機ＥＬ素子を製造する方法であって、
   ハロゲン含有ガスをプラズマ化して前記被処理物に接触させる第１工程と、
   前記被処理物を水性の洗浄液で洗浄し、乾燥させる第２工程と、
   実質的にハロゲン非含有の不活性ガスをプラズマ化して前記被処理物に接触させる第３工程と、
   を順次実行し、前記第３工程の後、前記無機珪素化合物層及び前記樹脂層にて囲まれた前記各ＩＴＯ層上の凹部内に発光層となる水性のインクを供給することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
2. 前記無機珪素化合物層が、ＳｉＮにて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
3. 前記第３工程の処理量が、前記第１工程の処理量より小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
4. 前記第３工程におけるプラズマ化したガスの噴出部に対する前記被処理物の移動速度が、前記第１工程におけるプラズマ化したガスの噴出部に対する前記被処理物の移動速度より大きいことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
5. 前記第３工程におけるプラズマ化したガスの噴出部に対する前記被処理物の移動速度が、５〜１６ｍｍ／ｓｅｃであること特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
6. 前記第３工程におけるプラズマ化したガスの噴出部に対する前記被処理物の移動速度が、８〜１２ｍｍ／ｓｅｃであること特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
7. 前記ハロゲン含有ガスが、フッ素化合物を含有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
8. 前記不活性ガスが、窒素であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
9. 前記第３工程において前記不活性ガスに酸素を微量混入したガスをプラズマ化して前記被処理物に接触させることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
10. 前記洗浄液が、水であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
11. 前記洗浄液が、前記被処理物の表面上を流れる液流状態であることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。

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