JP2007509499A5 - - Google Patents
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- 半導体基板の上に層を形成するための方法であって、
半導体基板を設ける工程と、
疎水性表面を有する第1誘電体層を前記基板の上に形成する工程と、
前記疎水性表面を親水性表面に改質する工程と、
前記親水性表面をスクラブ処理する工程と、
第2誘電体層を前記第1誘電体層の上に形成する工程とを備え、前記疎水性表面から前記親水性表面への改質は酸素プラズマにより行なう、方法。 - 半導体基板の上に層を形成するための方法であって、
半導体基板を設ける工程と、
第1誘電体層を前記基板の上に形成する工程と、
前記第1誘電体層を酸素プラズマで処理する工程と、
前記第1誘電体層を水溶液で洗浄する工程と、
第2誘電体層を前記洗浄済み第1誘電体層の上に形成する工程とを備え、前記第1誘電体層を前記酸素プラズマで処理することによって、前記第1誘電体層の疎水性表面を親水性表面に改質する、方法。 - 半導体構造の製造方法であって、
半導体基板を設ける工程と、
シリコン、炭素、及び窒素を含有する第1誘電体層を前記基板の上に形成する工程と、
前記第1誘電体層を酸素プラズマで処理する工程と、
前記第1誘電体層をスクラブ処理する工程と、
第2誘電体層を前記第1誘電体層の上に形成する工程とを備え、前記第1誘電体層は疎水性表面を有していたものが、前記第1誘電体層を処理する前記工程によって、前記疎水性表面のほぼ全てが親水性表面に改質される、製造方法。 - スクラブ処理する工程では、水を用いた洗浄水溶液でスクラブ洗浄する、請求項3記載の方法。
- 前記第1誘電体層を形成する工程は、
シリコン、炭素、及び窒素から成る第1誘電体層を形成する工程を備え、
前記第1誘電体層を形成する工程、及び前記第1誘電体層を処理する工程は、in−situで行われる、請求項3記載の方法。
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