JP2007138304A5 - めっき方法 - Google Patents
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Description
本発明は、基板の被めっき処理面にめっきを施すめっき方法に関し、特に半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝やプラグ、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェハの表面に半導体チップと基板とを電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成するのに使用して好適なめっき方法に関する。
本発明は上記に鑑みて為されたもので、気泡の抜けが比較的よいディップ方式を採用し、広い占有面積を占めることなく、バンプ等の突起状電極に適した金属めっき膜を自動的に形成できるようにしためっき方法を提供することを目的とする。
Claims (4)
- 配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するにあたり、
カセットから取出した基板を基板ホルダで保持する工程と、
この基板ホルダで保持した基板にプリウェット処理を施す工程と、
このプリウェット後の基板を基板ホルダごとめっき液中に浸漬させて基板の表面にめっきを施す工程と、
このめっき後の基板を基板ホルダごと洗浄し乾燥する工程と、
この洗浄・乾燥後の基板を基板ホルダから取出して基板のみを乾燥する工程とを有することを特徴とするめっき方法。 - 前記プリウェット処理は、基板を基板ホルダごと純水に浸漬させることを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
- 配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するにあたり、
カセットから取出した基板を基板ホルダで保持する工程と、
この基板ホルダで保持した基板にプリソーク処理を施す工程と、
このプリソーク後の基板を基板ホルダごとめっき液中に浸漬させて基板の表面にめっきを施す工程と、
このめっき後の基板を基板ホルダごと洗浄し乾燥する工程と、
この洗浄・乾燥後の基板を基板ホルダから取出して基板のみを乾燥する工程とを有することを特徴とするめっき方法。 - 前記プリソーク処理は、基板を基板ホルダごと薬液（硫酸又は塩酸）に浸漬させることを特徴とする請求項３記載のめっき方法。
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